JPH0567554A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH0567554A JPH0567554A JP3226264A JP22626491A JPH0567554A JP H0567554 A JPH0567554 A JP H0567554A JP 3226264 A JP3226264 A JP 3226264A JP 22626491 A JP22626491 A JP 22626491A JP H0567554 A JPH0567554 A JP H0567554A
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- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パターン形成方法に関し,基板上に所望のパ
ターンを精度よく形成する方法の提供を目的とする。 【構成】 基板1上に所望のパターンを形成する際に,
そのパターンの分割パターンのマスク5を作成し,分割
パターンのマスク5を用いて基板1上に複数の露光を繰
り返し,分割パターンを基板1上に継ぎ合わすことによ
り所望のパターンを形成する方法において,基板1の分
割パターン露光領域2外に光が入ることを防止する基板
ブラインド3を基板1の前に設けて分割パターンを露光
するパターン形成方法により構成する。また,予めテス
トパターンのマスクを用いて基板1の分割パターン露光
領域2に形成さたテストパターンの幅の変化を測定し,
その結果に基づいてパターン幅を調整した分割パターン
のマスク5を作成し,基板1上に所望のパターンを形成
するパターン形成方法により構成する。
ターンを精度よく形成する方法の提供を目的とする。 【構成】 基板1上に所望のパターンを形成する際に,
そのパターンの分割パターンのマスク5を作成し,分割
パターンのマスク5を用いて基板1上に複数の露光を繰
り返し,分割パターンを基板1上に継ぎ合わすことによ
り所望のパターンを形成する方法において,基板1の分
割パターン露光領域2外に光が入ることを防止する基板
ブラインド3を基板1の前に設けて分割パターンを露光
するパターン形成方法により構成する。また,予めテス
トパターンのマスクを用いて基板1の分割パターン露光
領域2に形成さたテストパターンの幅の変化を測定し,
その結果に基づいてパターン幅を調整した分割パターン
のマスク5を作成し,基板1上に所望のパターンを形成
するパターン形成方法により構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はパターン形成方法に関す
る。半導体ウエハー上に複数のチップパターンを形成す
る際,あるいは,ディスプレイ等の基板上に大面積パタ
ーンを複数の分割パターンを継ぎ合わせて形成する際,
マスクを用いて半導体ウエハー上,あるいは,基板上に
複数の露光を繰り返してパターン形成を行う。
る。半導体ウエハー上に複数のチップパターンを形成す
る際,あるいは,ディスプレイ等の基板上に大面積パタ
ーンを複数の分割パターンを継ぎ合わせて形成する際,
マスクを用いて半導体ウエハー上,あるいは,基板上に
複数の露光を繰り返してパターン形成を行う。
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子の駆動等に用いられる薄膜
トランジスタ(TFT)マトリックスは,パターン形成
領域が大きいため,ステップアンドリピート露光によ
り,予め分割されたパターンを基板上に継ぎ合わせるこ
とにより所望のパターン形成を行っている。
トランジスタ(TFT)マトリックスは,パターン形成
領域が大きいため,ステップアンドリピート露光によ
り,予め分割されたパターンを基板上に継ぎ合わせるこ
とにより所望のパターン形成を行っている。
【0003】図2はパターン形成の従来法を説明するた
めの図で,1は基板,2は分割パターン露光領域,4は
レチクルブラインド,5はレチクルであって分割パター
ンのマスク,6は分割パターン,7は照明レンズ系,8
は投影レンズ系を表す。
めの図で,1は基板,2は分割パターン露光領域,4は
レチクルブラインド,5はレチクルであって分割パター
ンのマスク,6は分割パターン,7は照明レンズ系,8
は投影レンズ系を表す。
【0004】レチクルブラインド4は,露光光がレチク
ル5に入る領域を分割パターン6の領域に制限するため
のものである。分割パターン6は投影レンズ系8によ
り,基板1上に例えば1対1で転写される。
ル5に入る領域を分割パターン6の領域に制限するため
のものである。分割パターン6は投影レンズ系8によ
り,基板1上に例えば1対1で転写される。
【0005】図3はステップアンドリピート露光を説明
するための図である。レチクルブラインド4は光通過領
域を自在に調整することができ,レチクル5に形成され
た分割パターンに応じて,露光光をそこだけに制限する
ように調整する。レチクル5には第1の分割パターン6
a, 第2の分割パターン6bといった複数の分割パターン
が例えばクロム(Cr)薄膜で形成されている。
するための図である。レチクルブラインド4は光通過領
域を自在に調整することができ,レチクル5に形成され
た分割パターンに応じて,露光光をそこだけに制限する
ように調整する。レチクル5には第1の分割パターン6
a, 第2の分割パターン6bといった複数の分割パターン
が例えばクロム(Cr)薄膜で形成されている。
【0006】基板1上にパターンを形成する時,全面に
例えばポジレジスト膜を形成する。基板1上にまず第1
の分割パターン6aを転写するとき,レチクルブラインド
4の光通過領域を第1の分割パターン6aの領域に合わ
せ,基板1をXーYステージにより移動して,第1の分
割パターン露光領域2aをレチクル5の第1の分割パター
ン6aと位置合わせし露光を行う。
例えばポジレジスト膜を形成する。基板1上にまず第1
の分割パターン6aを転写するとき,レチクルブラインド
4の光通過領域を第1の分割パターン6aの領域に合わ
せ,基板1をXーYステージにより移動して,第1の分
割パターン露光領域2aをレチクル5の第1の分割パター
ン6aと位置合わせし露光を行う。
【0007】次に,レチクルブラインド4の光通過領域
を第2の分割パターン6bの領域に合わせ,基板1をXー
Yステージにより移動して,第2の分割パターン露光領
域2bをレチクル5の第2の分割パターン6bと位置合わせ
し露光を行う。
を第2の分割パターン6bの領域に合わせ,基板1をXー
Yステージにより移動して,第2の分割パターン露光領
域2bをレチクル5の第2の分割パターン6bと位置合わせ
し露光を行う。
【0008】1枚のレチクルに,必ずしも所望の分割パ
ターンが全て形成されているわけではないが,複数のレ
チクルを用いて所望のパターンを転写する。その後,現
像することにより,ポジレジストパターンが得られる。
ターンが全て形成されているわけではないが,複数のレ
チクルを用いて所望のパターンを転写する。その後,現
像することにより,ポジレジストパターンが得られる。
【0009】ところで,基板1は方形であるため,レジ
スト膜厚はフリンジ等基板周辺部まで均一にすることは
困難で,基板周辺部の露光量はこの不均一性を保証する
ため,適正露光量より多くして,レジストパターンの補
正を行っている。
スト膜厚はフリンジ等基板周辺部まで均一にすることは
困難で,基板周辺部の露光量はこの不均一性を保証する
ため,適正露光量より多くして,レジストパターンの補
正を行っている。
【0010】しかし,補正を行ってもさらに別の問題が
ある。分割パターンの露光は,本来の設計位置のみなら
ず,設計外の他の位置にも転写されて,本来その位置に
配置される分割パターンに不測の露光量ばらつきを生じ
ることがある。
ある。分割パターンの露光は,本来の設計位置のみなら
ず,設計外の他の位置にも転写されて,本来その位置に
配置される分割パターンに不測の露光量ばらつきを生じ
ることがある。
【0011】その原因は図2に破線で示すように,レチ
クルブラインド4から入射する露光光が,レチクル5の
表面で反射したり,投影レンズ系8の界面で反射された
りして,その一部が投影レンズ系8を経由して基板上に
至り,本来転写されてはならない位置に迷光となって転
写される。
クルブラインド4から入射する露光光が,レチクル5の
表面で反射したり,投影レンズ系8の界面で反射された
りして,その一部が投影レンズ系8を経由して基板上に
至り,本来転写されてはならない位置に迷光となって転
写される。
【0012】これらの光量は適正露光量に比較して小さ
な量であるが,パターン幅がμmオーダーの微細パター
ンにおいては,パターン幅に問題となる程度のばらつき
を与えることがある。
な量であるが,パターン幅がμmオーダーの微細パター
ンにおいては,パターン幅に問題となる程度のばらつき
を与えることがある。
【0013】図4は基板上のパターン幅のばらつきの例
を示す図で,分割パターン6枚を継ぎ合わせて,幅5μ
mのパターンを150 mm×210 mmの基板1全面に形成し,
パターン幅の分布を調べた例である。
を示す図で,分割パターン6枚を継ぎ合わせて,幅5μ
mのパターンを150 mm×210 mmの基板1全面に形成し,
パターン幅の分布を調べた例である。
【0014】基板中央部でのパターン幅は設計値通り5.
0 μmで均一性が高いが,左右周辺部が急激に細くな
り,4.4 〜4.5 μmとなっている。
0 μmで均一性が高いが,左右周辺部が急激に細くな
り,4.4 〜4.5 μmとなっている。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み,パターン幅を基板全面にわたり,所望の値とする
パターン形成方法を提供することを目的とする。
鑑み,パターン幅を基板全面にわたり,所望の値とする
パターン形成方法を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の方法を説
明するための図である。上記課題は,基板1上に所望の
パターンを形成する際に,該パターンの分割パターンの
マスク5を作成し,該分割パターンのマスク5を用いて
該基板1上に複数の露光を繰り返し,該分割パターンを
該基板1上に継ぎ合わすことにより所望のパターンを形
成する方法において,該基板1の該分割パターン露光領
域2外に光が入ることを防止する基板ブラインド3を該
基板1の前に設けて該分割パターンを露光するパターン
形成方法によって解決される。
明するための図である。上記課題は,基板1上に所望の
パターンを形成する際に,該パターンの分割パターンの
マスク5を作成し,該分割パターンのマスク5を用いて
該基板1上に複数の露光を繰り返し,該分割パターンを
該基板1上に継ぎ合わすことにより所望のパターンを形
成する方法において,該基板1の該分割パターン露光領
域2外に光が入ることを防止する基板ブラインド3を該
基板1の前に設けて該分割パターンを露光するパターン
形成方法によって解決される。
【0017】また,予めテストパターンのマスクを用い
て該基板1の該分割パターン露光領域2に形成さたテス
トパターンの幅の変化を測定し,その結果に基づいてパ
ターン幅を調整した分割パターンのマスク5を作成し,
該基板1上に所望のパターンを形成するパターン形成方
法によって解決される。
て該基板1の該分割パターン露光領域2に形成さたテス
トパターンの幅の変化を測定し,その結果に基づいてパ
ターン幅を調整した分割パターンのマスク5を作成し,
該基板1上に所望のパターンを形成するパターン形成方
法によって解決される。
【0018】
【作用】本発明では,基板1の分割パターン露光領域2
外に光が入ることを防止する基板ブラインド3を基板1
の前に設けているから,分割パターンのマスク5や投影
レンズ系で反射された後,分割パターン露光領域2外の
基板1に向かう迷光は基板ブラインド3により遮蔽さ
れ,基板1には入射しない。したがって,基板全域にわ
たり,設計通りの露光を行うことができ,所望のパター
ンを精度よく形成することができる。
外に光が入ることを防止する基板ブラインド3を基板1
の前に設けているから,分割パターンのマスク5や投影
レンズ系で反射された後,分割パターン露光領域2外の
基板1に向かう迷光は基板ブラインド3により遮蔽さ
れ,基板1には入射しない。したがって,基板全域にわ
たり,設計通りの露光を行うことができ,所望のパター
ンを精度よく形成することができる。
【0019】また,本発明では,予めテストパターンの
マスクを用いて基板1の分割パターン露光領域2に形成
さたテストパターンの幅の変化を測定し,その結果に基
づいてパターン幅を調整した分割パターンのマスク5を
作成する。したがって,例えば基板1の分割パターン露
光領域2に形成さたテストパターンの幅が設計値より小
さい場合は,その位置に対応する分割パターンの幅を太
くしたマスク5を形成するようにする。このようにし
て,基板上に所望のパターンを精度よく形成することが
できる。
マスクを用いて基板1の分割パターン露光領域2に形成
さたテストパターンの幅の変化を測定し,その結果に基
づいてパターン幅を調整した分割パターンのマスク5を
作成する。したがって,例えば基板1の分割パターン露
光領域2に形成さたテストパターンの幅が設計値より小
さい場合は,その位置に対応する分割パターンの幅を太
くしたマスク5を形成するようにする。このようにし
て,基板上に所望のパターンを精度よく形成することが
できる。
【0020】
【実施例】図1は本発明の方法を説明するための図で,
1は基板,2は分割パターン露光領域,3は基板ブライ
ンド,4はレチクルブラインド,5はレチクル,6は分
割パターン,7は照明レンズ系,8は投影レンズ系を表
す。
1は基板,2は分割パターン露光領域,3は基板ブライ
ンド,4はレチクルブラインド,5はレチクル,6は分
割パターン,7は照明レンズ系,8は投影レンズ系を表
す。
【0021】レチクルブラインド4は,光通過領域の形
状と大きさを分割パターンに応じて自在に変化させるこ
とができる。レチクル5はたとえばガラス板に複数の分
割パターンが形成されたマスクで,分割パターンは例え
ば,クロム(Cr)薄膜で形成されている。
状と大きさを分割パターンに応じて自在に変化させるこ
とができる。レチクル5はたとえばガラス板に複数の分
割パターンが形成されたマスクで,分割パターンは例え
ば,クロム(Cr)薄膜で形成されている。
【0022】基板ブラインド3は露光光が基板1に入射
する直前の位置に設けられ,露光光が基板1に入射する
位置とその形状および大きさを自在に区画し,分割パタ
ーンが転写される基板領域に露光が行われる際,それ以
外の基板領域には露光光が入射しないようにしている。
する直前の位置に設けられ,露光光が基板1に入射する
位置とその形状および大きさを自在に区画し,分割パタ
ーンが転写される基板領域に露光が行われる際,それ以
外の基板領域には露光光が入射しないようにしている。
【0023】複数の分割パターンを露光する毎にレチク
ルブラインド4と基板ブラインド3の開口を調整し,基
板上の所望の領域外が迷光により露光されないようにす
る。このようにして露光を行った後,現像する。
ルブラインド4と基板ブラインド3の開口を調整し,基
板上の所望の領域外が迷光により露光されないようにす
る。このようにして露光を行った後,現像する。
【0024】このようにして,基板上に所望のパターン
を精度よく形成することができる。次に,基板ブライン
ド3を用いずに,分割パターンのマスク形成の際,補正
を加える例について説明する。
を精度よく形成することができる。次に,基板ブライン
ド3を用いずに,分割パターンのマスク形成の際,補正
を加える例について説明する。
【0025】予め,テストパターンのマスクを用いて露
光・現像し,基板上にパターンを形成する。テストパタ
ーンとしては所望の実パターンを形成してもよい。そし
て,基板全面にわたり,パターン幅の設計値からのずれ
を調べる。例えばその結果が図4に示したようなもので
あった場合,レチクル5に形成する分割パターンは,基
板中央部に形成する分割パターンの幅は補正を加えず,
基板中央部から左右にずれた位置に形成する分割パター
ンの幅は基板中央部から離れるにつれて0.1 〜0.6 μm
太くするように補正を加える。
光・現像し,基板上にパターンを形成する。テストパタ
ーンとしては所望の実パターンを形成してもよい。そし
て,基板全面にわたり,パターン幅の設計値からのずれ
を調べる。例えばその結果が図4に示したようなもので
あった場合,レチクル5に形成する分割パターンは,基
板中央部に形成する分割パターンの幅は補正を加えず,
基板中央部から左右にずれた位置に形成する分割パター
ンの幅は基板中央部から離れるにつれて0.1 〜0.6 μm
太くするように補正を加える。
【0026】このようにして,基板上に所望のパターン
を精度よく形成することができる。
を精度よく形成することができる。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように,本発明によれば,
基板上にレチクルや投影レンズ界面で反射した迷光によ
る本来の設計以外の転写が行われないため,分割パター
ン内の露光量のばらつきを縮小させ,微細パターンの線
幅の基板上でのばらつきを小さくすることができる。
基板上にレチクルや投影レンズ界面で反射した迷光によ
る本来の設計以外の転写が行われないため,分割パター
ン内の露光量のばらつきを縮小させ,微細パターンの線
幅の基板上でのばらつきを小さくすることができる。
【0028】また,基板上にレチクルや投影レンズ界面
で反射した迷光による転写が行われたとしても,元々の
分割パターンの幅を迷光に応じて補正して設計するよう
にしているので,結果として基板上では微細パターンの
線幅のばらつきを小さくすることができる。
で反射した迷光による転写が行われたとしても,元々の
分割パターンの幅を迷光に応じて補正して設計するよう
にしているので,結果として基板上では微細パターンの
線幅のばらつきを小さくすることができる。
【図1】本発明の方法を説明するための図である。
【図2】パターン形成の従来法を説明するための図であ
る。
る。
【図3】ステップアンドリピート露光を説明するための
図である。
図である。
【図4】基板上のパターン幅のばらつきの例を示す図で
ある。
ある。
1は基板であってガラス基板 2は分割パターン露光領域 2aは第1の分割パターン露光領域 2bは第2の分割パターン露光領域 3は基板ブラインド 4はレチクルブラインド 4aは開口であって光通過領域 5はレチクルであって分割パターンのマスク 6は分割パターンであってCrパターン 6aは第1の分割パターン 6bは第2の分割パターン 7は照明レンズ系 8は投影レンズ系
Claims (2)
- 【請求項1】 基板(1) 上に所望のパターンを形成する
際に,該パターンの分割パターンのマスク(5) を作成
し,該分割パターンのマスク(5) を用いて該基板(1) 上
に複数の露光を繰り返し,該分割パターンを該基板(1)
上に継ぎ合わすことにより所望のパターンを形成する方
法において, 該基板(1) の該分割パターン露光領域(2) 外に光が入る
ことを防止する基板ブラインド(3) を該基板(1) の前に
設けて該分割パターンを露光することを特徴とするパタ
ーン形成方法。 - 【請求項2】 基板(1) 上に所望のパターンを形成する
際に,該パターンの分割パターンのマスク(5) を作成
し,該分割パターンのマスク(5) を用いて該基板(1) 上
に複数の露光を繰り返し,該分割パターンを該基板(1)
上に継ぎ合わすことにより所望のパターンを形成する方
法において, 予めテストパターンのマスクを用いて該基板(1) の該分
割パターン露光領域(2) に形成さたテストパターンの幅
の変化を測定し,その結果に基づいてパターン幅を調整
した分割パターンのマスク(5) を作成し,該基板(1) 上
に所望のパターンを形成することを特徴とするパターン
形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3226264A JPH0567554A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3226264A JPH0567554A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | パターン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0567554A true JPH0567554A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16842482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3226264A Withdrawn JPH0567554A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0567554A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008252092A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィシステムおよびデバイス製造方法 |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP3226264A patent/JPH0567554A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008252092A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィシステムおよびデバイス製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |