JPH0566642B2 - - Google Patents
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- JPH0566642B2 JPH0566642B2 JP17416686A JP17416686A JPH0566642B2 JP H0566642 B2 JPH0566642 B2 JP H0566642B2 JP 17416686 A JP17416686 A JP 17416686A JP 17416686 A JP17416686 A JP 17416686A JP H0566642 B2 JPH0566642 B2 JP H0566642B2
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- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、回転ドラム上に磁気ヘツド、ヘツ
ドアンプおよびロータリトランス等を持つ回転ヘ
ツド形磁気記録再生装置に係り、詳しくは記録再
生切換え回路の構成に関するものである。
ドアンプおよびロータリトランス等を持つ回転ヘ
ツド形磁気記録再生装置に係り、詳しくは記録再
生切換え回路の構成に関するものである。
第7図は、たとえば1985年テレビジヨン学会全
国大会講演予稿集7−5「VTRの回転シリンダ内
回路搭載方式」(越智、冨田、橋間、松下電器)
に示された従来のこの種装置における回転ドラム
の回路構成の一部を示すものである。
国大会講演予稿集7−5「VTRの回転シリンダ内
回路搭載方式」(越智、冨田、橋間、松下電器)
に示された従来のこの種装置における回転ドラム
の回路構成の一部を示すものである。
図において、1は信号の記録再生を行う磁気ヘ
ツド、2は磁気ヘツド1の再生出力を増幅するヘ
ツドアンプ、3はヘツドアンプ2の出力信号を固
定側へ伝達したり、記録時に記録信号を固定側か
ら回転側へ伝達するロータリートランス、28は
ヘツドアンプ2の入力と出力の間を短絡あるいは
開放する記録再生切換え回路、27は記録再生切
換え回路28を制御する記録再生切換え信号入力
端子である。
ツド、2は磁気ヘツド1の再生出力を増幅するヘ
ツドアンプ、3はヘツドアンプ2の出力信号を固
定側へ伝達したり、記録時に記録信号を固定側か
ら回転側へ伝達するロータリートランス、28は
ヘツドアンプ2の入力と出力の間を短絡あるいは
開放する記録再生切換え回路、27は記録再生切
換え回路28を制御する記録再生切換え信号入力
端子である。
なお、磁気ヘツド1の巻線端子の一方Aはヘツ
ドアンプ2の入力に接続され、他方Bは接地され
ている。またロータリートランス3の回転側巻線
端子の一方Cはヘツドアンプ2の出力に接続さ
れ、他方Dは接地されている。
ドアンプ2の入力に接続され、他方Bは接地され
ている。またロータリートランス3の回転側巻線
端子の一方Cはヘツドアンプ2の出力に接続さ
れ、他方Dは接地されている。
つぎに動作について説明する。まず記録時に
は、記録再生切換え信号入力27に、スリツプリ
ング(図示せず)などにより、記録モード信号が
与えられ、記録再生切換え回路28は閉成状態に
なる。ロータリートランス3で回転側に伝達され
た記録信号は、記録再生切換え回路28を通り、
磁気ヘツド1に加えられ、記録電流が流れる。
は、記録再生切換え信号入力27に、スリツプリ
ング(図示せず)などにより、記録モード信号が
与えられ、記録再生切換え回路28は閉成状態に
なる。ロータリートランス3で回転側に伝達され
た記録信号は、記録再生切換え回路28を通り、
磁気ヘツド1に加えられ、記録電流が流れる。
つぎに再生時には、スリツプリングなどにより
ヘツドアンプ2に電源電圧が印加されると同時
に、記録再生切換え信号入力端子27に再生モー
ド信号が与えられ、記録再生切換え回路28は開
放状態になり、ヘツドアンプ2の入力と出力は分
離される。磁気ヘツド1の再生出力はヘツドアン
プ2で増幅された後、ロータリートランス3で固
定側へ伝達され、図示しない信号処理回路等にお
いて映像や音声が再生される。
ヘツドアンプ2に電源電圧が印加されると同時
に、記録再生切換え信号入力端子27に再生モー
ド信号が与えられ、記録再生切換え回路28は開
放状態になり、ヘツドアンプ2の入力と出力は分
離される。磁気ヘツド1の再生出力はヘツドアン
プ2で増幅された後、ロータリートランス3で固
定側へ伝達され、図示しない信号処理回路等にお
いて映像や音声が再生される。
従来の回転ヘツド形磁気記録再生装置は以上の
ように構成されているので、記録時に記録信号が
記録再生切換え回路28を介して磁気ヘツド1に
印加されると同時にヘツドアンプ2の入力にも印
加される。このため、微少信号が入力されるよう
に設計されているヘツドアンプ2の初段の半導体
素子が、大振幅である記録信号で破壊されてしま
うことがあつた。
ように構成されているので、記録時に記録信号が
記録再生切換え回路28を介して磁気ヘツド1に
印加されると同時にヘツドアンプ2の入力にも印
加される。このため、微少信号が入力されるよう
に設計されているヘツドアンプ2の初段の半導体
素子が、大振幅である記録信号で破壊されてしま
うことがあつた。
また、ロータリートランス3で回転側へ伝達さ
れた記録信号は、記録再生切換え回路28側に印
加されると同時にヘツドアンプ2の出力にも印加
され、ヘツドアンプ出力はエミツタフオロワなど
の低インピーダンス回路となつているので、記録
信号の一部が流れ込み、記録信号に歪が発生する
などの問題点があつた。
れた記録信号は、記録再生切換え回路28側に印
加されると同時にヘツドアンプ2の出力にも印加
され、ヘツドアンプ出力はエミツタフオロワなど
の低インピーダンス回路となつているので、記録
信号の一部が流れ込み、記録信号に歪が発生する
などの問題点があつた。
この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、記録信号が大振幅の状態でヘ
ツドアンプの入力および出力に加わることがなく
なり、ヘツドアンプの保護が図れるうえ、記録信
号に歪が発生するおそれを解消できる回転ヘツド
形磁気記録再生装置を得ることを目的とする。
になされたもので、記録信号が大振幅の状態でヘ
ツドアンプの入力および出力に加わることがなく
なり、ヘツドアンプの保護が図れるうえ、記録信
号に歪が発生するおそれを解消できる回転ヘツド
形磁気記録再生装置を得ることを目的とする。
この発明に係る回転ヘツド形磁気記録再生装置
は、ヘツドアンプ入力とグランド間に介挿された
第1のスイツチ手段と、ヘツドアンプ出力とグラ
ンド間に介挿された第2のスイツチ手段と、磁気
ヘツド巻線端子の他方とグランド間に介挿された
第3のスイツチ手段と、ロータリートランスの回
転側巻線端子の他方とグランド間に介挿された第
4のスイツチ手段と、磁気ヘツド巻線端子の他方
とロータリートランスの回転側巻線端子の他方と
の間に介挿された第5のスイツチ手段とで記録再
生切換え回路を構成し、記録時には、第1、第2
および第5のスイツチ手段を閉成し、かつ第3お
よび第4のスイツチ手段を開放し、再生時には第
3および第4のスイツチ手段を閉成し、かつ第
1、第2および第5のスイツチ手段を開放するよ
うに設定したものである。
は、ヘツドアンプ入力とグランド間に介挿された
第1のスイツチ手段と、ヘツドアンプ出力とグラ
ンド間に介挿された第2のスイツチ手段と、磁気
ヘツド巻線端子の他方とグランド間に介挿された
第3のスイツチ手段と、ロータリートランスの回
転側巻線端子の他方とグランド間に介挿された第
4のスイツチ手段と、磁気ヘツド巻線端子の他方
とロータリートランスの回転側巻線端子の他方と
の間に介挿された第5のスイツチ手段とで記録再
生切換え回路を構成し、記録時には、第1、第2
および第5のスイツチ手段を閉成し、かつ第3お
よび第4のスイツチ手段を開放し、再生時には第
3および第4のスイツチ手段を閉成し、かつ第
1、第2および第5のスイツチ手段を開放するよ
うに設定したものである。
この発明においては、記録再生切換え回路は、
第1および第2のスイツチ手段が記録時に閉成す
るように構成されているので、ヘツドアンプの入
力および出力は接地され、記録信号が大振幅の状
態でヘツドアンプの入力および出力に加わること
がない。したがつて、ヘツドアンプの初段の半導
体素子を破壊するおそれがなくなり、また歪の少
い記録信号が得られるものである。
第1および第2のスイツチ手段が記録時に閉成す
るように構成されているので、ヘツドアンプの入
力および出力は接地され、記録信号が大振幅の状
態でヘツドアンプの入力および出力に加わること
がない。したがつて、ヘツドアンプの初段の半導
体素子を破壊するおそれがなくなり、また歪の少
い記録信号が得られるものである。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。
る。
第1図はこの発明に係る回転ヘツド形磁気記録
再生装置の要部の基本的構成を示すものである。
同図において、1は磁気ヘツド、2はヘツドアン
プ、3ロータリートランスで、これらは従来例と
同一であるので説明は省略する。4はヘツドアン
プ入力とグランド間に介挿された第1のスイツチ
手段、5はヘツドアンプ出力とグランド間に介挿
された第2のスイツチ手段、6は磁気ヘツド1の
巻線端子の他方Bとグランド間に介挿された第3
のスイツチ手段、7はロータリートランス3の回
転側巻線端子の他方Dとグランド間に介挿された
第4のスイツチ手段7,8は磁気ヘツド1の巻線
端子の他方Bとロータリートランス3の回転側巻
線端子の他方Dの間に介挿された第5のスイツチ
手段であり、これら第1〜第5のスイツチ手段4
〜8で記録再生切換え回路100が構成されてい
る。
再生装置の要部の基本的構成を示すものである。
同図において、1は磁気ヘツド、2はヘツドアン
プ、3ロータリートランスで、これらは従来例と
同一であるので説明は省略する。4はヘツドアン
プ入力とグランド間に介挿された第1のスイツチ
手段、5はヘツドアンプ出力とグランド間に介挿
された第2のスイツチ手段、6は磁気ヘツド1の
巻線端子の他方Bとグランド間に介挿された第3
のスイツチ手段、7はロータリートランス3の回
転側巻線端子の他方Dとグランド間に介挿された
第4のスイツチ手段7,8は磁気ヘツド1の巻線
端子の他方Bとロータリートランス3の回転側巻
線端子の他方Dの間に介挿された第5のスイツチ
手段であり、これら第1〜第5のスイツチ手段4
〜8で記録再生切換え回路100が構成されてい
る。
つぎに、上記第1、第2および第5のスイツチ
手段4,5,8の各スイツチング素子としてトラ
ンジスタ(以下、Trと略す)を、また第3およ
び第4のスイツチ手段6,7の各スイツチング素
子としてFETを用いた具体的な回路例について
第2図を用いて説明する。
手段4,5,8の各スイツチング素子としてトラ
ンジスタ(以下、Trと略す)を、また第3およ
び第4のスイツチ手段6,7の各スイツチング素
子としてFETを用いた具体的な回路例について
第2図を用いて説明する。
第2図において、9は第1のスイツチ手段4に
おけるTr、10はTr9のベース抵抗体、11は
第2のスイツチ手段5におけるTr、12はTr1
1のベース抵抗体である。13は第3のスイツチ
手段6におけるFET、14は直流を遮断するた
めのコンデンサ、15はFET13のソース抵抗
体、16は抵抗体15のバイパスコンデンサ、1
7は記録時にFET13に逆バイアスを与える抵
抗体、18はFET13のゲート抵抗体である。
おけるTr、10はTr9のベース抵抗体、11は
第2のスイツチ手段5におけるTr、12はTr1
1のベース抵抗体である。13は第3のスイツチ
手段6におけるFET、14は直流を遮断するた
めのコンデンサ、15はFET13のソース抵抗
体、16は抵抗体15のバイパスコンデンサ、1
7は記録時にFET13に逆バイアスを与える抵
抗体、18はFET13のゲート抵抗体である。
19は第4のスイツチ手段7におけるFET、
20は直流を遮断するためのコンデンサ、21は
FET19のソース抵抗体、22は抵抗体21の
バイパスコンデンサ、23は記録時にFET19
に逆バイアスを与える抵抗体、24はFET19
のゲート抵抗体である。
20は直流を遮断するためのコンデンサ、21は
FET19のソース抵抗体、22は抵抗体21の
バイパスコンデンサ、23は記録時にFET19
に逆バイアスを与える抵抗体、24はFET19
のゲート抵抗体である。
25は第5のスイツチ手段8におけるTr、2
6はTr25のベース抵抗体である。
6はTr25のベース抵抗体である。
上記Tr9のベース抵抗体10、Tr11のベー
ス抵抗体12、Tr25のベース抵抗体26、
FET13に逆バイアスをかける抵抗体17およ
びFET19に逆バイアスをかける抵抗体23は
記録再生切換え信号入力端子27に接続されてい
る。
ス抵抗体12、Tr25のベース抵抗体26、
FET13に逆バイアスをかける抵抗体17およ
びFET19に逆バイアスをかける抵抗体23は
記録再生切換え信号入力端子27に接続されてい
る。
またFET13のゲート抵抗体18とFET19
のゲート抵抗体24は、ヘツドアンプ2の電源
Vccに接続されている。
のゲート抵抗体24は、ヘツドアンプ2の電源
Vccに接続されている。
つぎに、動作について第2図〜第6図を用いて
説明する。
説明する。
まず記録時には、記録再生切換え信号は“H”
レベルで、ヘツドアンプ2の電源は与えられな
い。したがつて、Tr9とTr11とTr25は短絡
状態で、FET13とFET19は開放状態となる。
これは第3図の状態と等価である。ロータリート
ランス3で回転側に伝達された記録信号は、ロー
タリートランス3の回転側巻線端子の他方D→
Tr25→磁気ヘツド1→Tr9→グランド→Tr1
1→ロータリートランス3の回転側巻線端子の一
方Cの電流ループを流れ(第3図のIREC)、信号
の記録を行う。このとき、ヘツドアンプ2の入力
と出力は接地されるので、記録信号が大振幅の状
態でヘツドアンプ2の入力および出力に加わるこ
とがない。
レベルで、ヘツドアンプ2の電源は与えられな
い。したがつて、Tr9とTr11とTr25は短絡
状態で、FET13とFET19は開放状態となる。
これは第3図の状態と等価である。ロータリート
ランス3で回転側に伝達された記録信号は、ロー
タリートランス3の回転側巻線端子の他方D→
Tr25→磁気ヘツド1→Tr9→グランド→Tr1
1→ロータリートランス3の回転側巻線端子の一
方Cの電流ループを流れ(第3図のIREC)、信号
の記録を行う。このとき、ヘツドアンプ2の入力
と出力は接地されるので、記録信号が大振幅の状
態でヘツドアンプ2の入力および出力に加わるこ
とがない。
ここで、第3および第4のスイツチ手段6,7
の各スイツチング素子として、FET13,19
を用いることの利点を説明する。たとえば第4図
に示すように、一般的に用いられるNPN型のト
ランジスタ60,70を第3および第4のスイツ
チ手段6,7の各スイツチング素子として用いた
場合、第5図aに示す記録信号の負の半サイクル
の場合、ほぼ0Vになつているベース電位よりコ
レクタ電位が低くなる。そのため、ベース・コレ
クタ間が導通してしまい、記録信号は第5図bの
ように負の半サイクルの一部がつぶれた波形とな
り、正常な記録が行なえない。一方、第3および
第4のスイツチ手段6,7の各スイツチング素子
にFET13,14を用いると、ドレインからゲ
ートへ流れ込む電流は非常に少ないので、記録信
号が歪むことなく良好に記録されるというもので
ある。
の各スイツチング素子として、FET13,19
を用いることの利点を説明する。たとえば第4図
に示すように、一般的に用いられるNPN型のト
ランジスタ60,70を第3および第4のスイツ
チ手段6,7の各スイツチング素子として用いた
場合、第5図aに示す記録信号の負の半サイクル
の場合、ほぼ0Vになつているベース電位よりコ
レクタ電位が低くなる。そのため、ベース・コレ
クタ間が導通してしまい、記録信号は第5図bの
ように負の半サイクルの一部がつぶれた波形とな
り、正常な記録が行なえない。一方、第3および
第4のスイツチ手段6,7の各スイツチング素子
にFET13,14を用いると、ドレインからゲ
ートへ流れ込む電流は非常に少ないので、記録信
号が歪むことなく良好に記録されるというもので
ある。
つぎに、再生時にはヘツドアンプ2の電源が与
えられ、記録再生切換え信号入力端子27には
“L”レベルが与えられる。したがつて、Tr9,
Tr11およびTr25は開放状態で、FET13お
よびFET19は短絡状態となり、磁気ヘツド巻
線端子の他方Bとロータリートランス3の回転側
巻線端子の他方Dは接地される。これを等価的に
示せば第6図の状態となる。磁気ヘツド1の再生
出力はヘツドアンプ2で増幅された後、ロータリ
ートランス3で固定側へ伝達され、信号処理回路
等において映像や音声が再生される。
えられ、記録再生切換え信号入力端子27には
“L”レベルが与えられる。したがつて、Tr9,
Tr11およびTr25は開放状態で、FET13お
よびFET19は短絡状態となり、磁気ヘツド巻
線端子の他方Bとロータリートランス3の回転側
巻線端子の他方Dは接地される。これを等価的に
示せば第6図の状態となる。磁気ヘツド1の再生
出力はヘツドアンプ2で増幅された後、ロータリ
ートランス3で固定側へ伝達され、信号処理回路
等において映像や音声が再生される。
なお、上記実施例では、第1〜第5のスイツチ
手段4〜8の各スイツチング素子として半導体ス
イツチング素子を用いた例について説明したが、
リードリレーなどの小形の機械的接点を有するも
のを用いても良い。
手段4〜8の各スイツチング素子として半導体ス
イツチング素子を用いた例について説明したが、
リードリレーなどの小形の機械的接点を有するも
のを用いても良い。
また、第1のスイツチ手段4のスイツチング素
子として、開放時の浮遊容量が他のスイツチ手段
5〜8の各スイツチング素子の開放時の浮遊容量
よりも小さいもの、たとえばコレクタ容量の小さ
いトランジスタを用いることは、ヘツドアンプ入
力に付加される容量成分を減らすことになるの
で、再生信号伝送帯域を拡げるうえで一層の効果
を奏する。
子として、開放時の浮遊容量が他のスイツチ手段
5〜8の各スイツチング素子の開放時の浮遊容量
よりも小さいもの、たとえばコレクタ容量の小さ
いトランジスタを用いることは、ヘツドアンプ入
力に付加される容量成分を減らすことになるの
で、再生信号伝送帯域を拡げるうえで一層の効果
を奏する。
以上のようにこの発明によれば、記録信号が大
振幅の状態でヘツドアンプの入力および出力に加
わることがないように特定の位置に設けた第1〜
第5のスイツチ手段で記録再生切換え回路を構成
したので、ヘツドアンプの初段の半導体素子を破
壊するおそれが解消され、また歪の少い記録信号
が得られる効果がある。
振幅の状態でヘツドアンプの入力および出力に加
わることがないように特定の位置に設けた第1〜
第5のスイツチ手段で記録再生切換え回路を構成
したので、ヘツドアンプの初段の半導体素子を破
壊するおそれが解消され、また歪の少い記録信号
が得られる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による回転ヘツド
形磁気記録再生装置の要部の基本的構成を示す回
路図、第2図は記録再生切換え回路の具体例を示
す回路図、第3図はこの発明の装置の記録時の記
録電流ループを基本的構成で示す回路図、第4図
および第5図a,bはそれぞれこの発明の効果を
説明するための回路図および信号波形図、第6図
はこの発明の装置の再生時の動作状態を基本的構
成で示す回路図、第7図は従来の回転ヘツド形磁
気記録再生装置の要部の構成を示す回路図であ
る。 1は磁気ヘツド、2はヘツドアンプ、3はロー
タリートランス、4は第1のスイツチ手段、5は
第2のスイツチ手段、6は第3のスイツチ手段、
7は第4のスイツチ手段、8は第5のスイツチ手
段、9,11,25は半導体スイツチング素子、
13,19はFET、100は記録再生切換え回
路、A,Bは磁気ヘツド巻線端子、C,Dはロー
タリートランス3の回転側巻線端子である。な
お、図中、同一符号は同一もしくは相当部分を示
す。
形磁気記録再生装置の要部の基本的構成を示す回
路図、第2図は記録再生切換え回路の具体例を示
す回路図、第3図はこの発明の装置の記録時の記
録電流ループを基本的構成で示す回路図、第4図
および第5図a,bはそれぞれこの発明の効果を
説明するための回路図および信号波形図、第6図
はこの発明の装置の再生時の動作状態を基本的構
成で示す回路図、第7図は従来の回転ヘツド形磁
気記録再生装置の要部の構成を示す回路図であ
る。 1は磁気ヘツド、2はヘツドアンプ、3はロー
タリートランス、4は第1のスイツチ手段、5は
第2のスイツチ手段、6は第3のスイツチ手段、
7は第4のスイツチ手段、8は第5のスイツチ手
段、9,11,25は半導体スイツチング素子、
13,19はFET、100は記録再生切換え回
路、A,Bは磁気ヘツド巻線端子、C,Dはロー
タリートランス3の回転側巻線端子である。な
お、図中、同一符号は同一もしくは相当部分を示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 信号の記録再生を行なう磁気ヘツドと、この
磁気ヘツドの巻線端子の一方が入力に接続され
て、磁気ヘツドの再生出力を増幅するヘツドアン
プと、ヘツドアンプ出力が回転側巻線端子の一方
に接続されて、再生時のヘツドアンプからの出力
信号を回転側から固定側へ伝達し、記録時の記録
信号を固定側から回転側へ伝達するロータリトラ
ンスとを回転ドラム内に収容し、上記磁気ヘツド
側とロータリトランス側との間に介挿された記録
再生切換え回路を記録再生切換え信号で制御する
ようにした回転ヘツド形磁気記録再生装置におい
て、上記ヘツドアンプ入力とグランド間に介挿さ
れた第1のスイツチ手段と、上記ヘツドアンプ出
力とグランド間に介挿された第2のスイツチ手段
と、上記磁気ヘツド巻線端子の他方とグランド間
に介挿された第3のスイツチ手段と、上記ロータ
リトランス回転側巻線端子の他方とグランド間に
介在された第4のスイツチ手段と、上記磁気ヘツ
ド巻線端子の他方と上記ロータリトランスの回転
側巻線端子の他方との間に介挿された第5のスイ
ツチ手段とで上記記録再生切換え回路を構成し、
記録時には第1、第2および第5のスイツチ手段
を閉成し、かつ第3および第4のスイツチ手段を
開放し、再生時には、第3および第4のスイツチ
手段を閉成し、かつ第1、第2および第5のスイ
ツチ手段を開放するように設定したことを特徴と
する回転ヘツド形磁気記録再生装置。 2 前記第1、第2、第3、第4および第5のス
イツチ手段の各スイツチング素子が半導体スイツ
チング素子である特許請求の範囲第1項記載の回
転ヘツド形磁気記録再生装置。 3 前記第3および第4のスイツチ手段の各スイ
ツチング素子として、FETを用いてなる特許請
求の範囲第1項または第2項記載の回転ヘツド形
磁気記録再生装置。 4 前記第1のスイツチ手段のスイツチング素子
の開放時の浮遊容量が、他のスイツチ手段のスイ
ツチング素子の開放時の浮遊容量より小である特
許請求の範囲第1項、第2項または第3項記載の
回転ヘツド形磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17416686A JPS6331004A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 回転ヘツド形磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17416686A JPS6331004A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 回転ヘツド形磁気記録再生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6331004A JPS6331004A (ja) | 1988-02-09 |
JPH0566642B2 true JPH0566642B2 (ja) | 1993-09-22 |
Family
ID=15973856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17416686A Granted JPS6331004A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 回転ヘツド形磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6331004A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04176045A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ビデオヘッド信号の切替え回路 |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP17416686A patent/JPS6331004A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6331004A (ja) | 1988-02-09 |
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