JPH0566642B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、回転ドラム上に磁気ヘツド、ヘツ
ドアンプおよびロータリトランス等を持つ回転ヘ
ツド形磁気記録再生装置に係り、詳しくは記録再
生切換え回路の構成に関するものである。

〔従来の技術〕

第７図は、たとえば1985年テレビジヨン学会全
国大会講演予稿集７−５「VTRの回転シリンダ内
回路搭載方式」（越智、冨田、橋間、松下電器）
に示された従来のこの種装置における回転ドラム
の回路構成の一部を示すものである。

図において、１は信号の記録再生を行う磁気ヘ
ツド、２は磁気ヘツド１の再生出力を増幅するヘ
ツドアンプ、３はヘツドアンプ２の出力信号を固
定側へ伝達したり、記録時に記録信号を固定側か
ら回転側へ伝達するロータリートランス、２８は
ヘツドアンプ２の入力と出力の間を短絡あるいは
開放する記録再生切換え回路、２７は記録再生切
換え回路２８を制御する記録再生切換え信号入力
端子である。

なお、磁気ヘツド１の巻線端子の一方Ａはヘツ
ドアンプ２の入力に接続され、他方Ｂは接地され
ている。またロータリートランス３の回転側巻線
端子の一方Ｃはヘツドアンプ２の出力に接続さ
れ、他方Ｄは接地されている。

つぎに動作について説明する。まず記録時に
は、記録再生切換え信号入力２７に、スリツプリ
ング（図示せず）などにより、記録モード信号が
与えられ、記録再生切換え回路２８は閉成状態に
なる。ロータリートランス３で回転側に伝達され
た記録信号は、記録再生切換え回路２８を通り、
磁気ヘツド１に加えられ、記録電流が流れる。

つぎに再生時には、スリツプリングなどにより
ヘツドアンプ２に電源電圧が印加されると同時
に、記録再生切換え信号入力端子２７に再生モー
ド信号が与えられ、記録再生切換え回路２８は開
放状態になり、ヘツドアンプ２の入力と出力は分
離される。磁気ヘツド１の再生出力はヘツドアン
プ２で増幅された後、ロータリートランス３で固
定側へ伝達され、図示しない信号処理回路等にお
いて映像や音声が再生される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の回転ヘツド形磁気記録再生装置は以上の
ように構成されているので、記録時に記録信号が
記録再生切換え回路２８を介して磁気ヘツド１に
印加されると同時にヘツドアンプ２の入力にも印
加される。このため、微少信号が入力されるよう
に設計されているヘツドアンプ２の初段の半導体
素子が、大振幅である記録信号で破壊されてしま
うことがあつた。

また、ロータリートランス３で回転側へ伝達さ
れた記録信号は、記録再生切換え回路２８側に印
加されると同時にヘツドアンプ２の出力にも印加
され、ヘツドアンプ出力はエミツタフオロワなど
の低インピーダンス回路となつているので、記録
信号の一部が流れ込み、記録信号に歪が発生する
などの問題点があつた。

この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、記録信号が大振幅の状態でヘ
ツドアンプの入力および出力に加わることがなく
なり、ヘツドアンプの保護が図れるうえ、記録信
号に歪が発生するおそれを解消できる回転ヘツド
形磁気記録再生装置を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る回転ヘツド形磁気記録再生装置
は、ヘツドアンプ入力とグランド間に介挿された
第１のスイツチ手段と、ヘツドアンプ出力とグラ
ンド間に介挿された第２のスイツチ手段と、磁気
ヘツド巻線端子の他方とグランド間に介挿された
第３のスイツチ手段と、ロータリートランスの回
転側巻線端子の他方とグランド間に介挿された第
４のスイツチ手段と、磁気ヘツド巻線端子の他方
とロータリートランスの回転側巻線端子の他方と
の間に介挿された第５のスイツチ手段とで記録再
生切換え回路を構成し、記録時には、第１、第２
および第５のスイツチ手段を閉成し、かつ第３お
よび第４のスイツチ手段を開放し、再生時には第
３および第４のスイツチ手段を閉成し、かつ第
１、第２および第５のスイツチ手段を開放するよ
うに設定したものである。

〔作用〕

この発明においては、記録再生切換え回路は、
第１および第２のスイツチ手段が記録時に閉成す
るように構成されているので、ヘツドアンプの入
力および出力は接地され、記録信号が大振幅の状
態でヘツドアンプの入力および出力に加わること
がない。したがつて、ヘツドアンプの初段の半導
体素子を破壊するおそれがなくなり、また歪の少
い記録信号が得られるものである。

〔発明の実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。

第１図はこの発明に係る回転ヘツド形磁気記録
再生装置の要部の基本的構成を示すものである。
同図において、１は磁気ヘツド、２はヘツドアン
プ、３ロータリートランスで、これらは従来例と
同一であるので説明は省略する。４はヘツドアン
プ入力とグランド間に介挿された第１のスイツチ
手段、５はヘツドアンプ出力とグランド間に介挿
された第２のスイツチ手段、６は磁気ヘツド１の
巻線端子の他方Ｂとグランド間に介挿された第３
のスイツチ手段、７はロータリートランス３の回
転側巻線端子の他方Ｄとグランド間に介挿された
第４のスイツチ手段７，８は磁気ヘツド１の巻線
端子の他方Ｂとロータリートランス３の回転側巻
線端子の他方Ｄの間に介挿された第５のスイツチ
手段であり、これら第１〜第５のスイツチ手段４
〜８で記録再生切換え回路１００が構成されてい
る。

つぎに、上記第１、第２および第５のスイツチ
手段４，５，８の各スイツチング素子としてトラ
ンジスタ（以下、Trと略す）を、また第３およ
び第４のスイツチ手段６，７の各スイツチング素
子としてFETを用いた具体的な回路例について
第２図を用いて説明する。

第２図において、９は第１のスイツチ手段４に
おけるTr、１０はTr９のベース抵抗体、１１は
第２のスイツチ手段５におけるTr、１２はTr１
１のベース抵抗体である。１３は第３のスイツチ
手段６におけるFET、１４は直流を遮断するた
めのコンデンサ、１５はFET１３のソース抵抗
体、１６は抵抗体１５のバイパスコンデンサ、１
７は記録時にFET１３に逆バイアスを与える抵
抗体、１８はFET１３のゲート抵抗体である。

１９は第４のスイツチ手段７におけるFET、
２０は直流を遮断するためのコンデンサ、２１は
FET１９のソース抵抗体、２２は抵抗体２１の
バイパスコンデンサ、２３は記録時にFET１９
に逆バイアスを与える抵抗体、２４はFET１９
のゲート抵抗体である。

２５は第５のスイツチ手段８におけるTr、２
６はTr２５のベース抵抗体である。

上記Tr９のベース抵抗体１０、Tr１１のベー
ス抵抗体１２、Tr２５のベース抵抗体２６、
FET１３に逆バイアスをかける抵抗体１７およ
びFET１９に逆バイアスをかける抵抗体２３は
記録再生切換え信号入力端子２７に接続されてい
る。

またFET１３のゲート抵抗体１８とFET１９
のゲート抵抗体２４は、ヘツドアンプ２の電源
Vccに接続されている。

つぎに、動作について第２図〜第６図を用いて
説明する。

まず記録時には、記録再生切換え信号は“Ｈ”
レベルで、ヘツドアンプ２の電源は与えられな
い。したがつて、Tr９とTr１１とTr２５は短絡
状態で、FET１３とFET１９は開放状態となる。
これは第３図の状態と等価である。ロータリート
ランス３で回転側に伝達された記録信号は、ロー
タリートランス３の回転側巻線端子の他方Ｄ→
Tr２５→磁気ヘツド１→Tr９→グランド→Tr１
１→ロータリートランス３の回転側巻線端子の一
方Ｃの電流ループを流れ（第３図のI_REC）、信号
の記録を行う。このとき、ヘツドアンプ２の入力
と出力は接地されるので、記録信号が大振幅の状
態でヘツドアンプ２の入力および出力に加わるこ
とがない。

ここで、第３および第４のスイツチ手段６，７
の各スイツチング素子として、FET１３，１９
を用いることの利点を説明する。たとえば第４図
に示すように、一般的に用いられるNPN型のト
ランジスタ６０，７０を第３および第４のスイツ
チ手段６，７の各スイツチング素子として用いた
場合、第５図ａに示す記録信号の負の半サイクル
の場合、ほぼ0Vになつているベース電位よりコ
レクタ電位が低くなる。そのため、ベース・コレ
クタ間が導通してしまい、記録信号は第５図ｂの
ように負の半サイクルの一部がつぶれた波形とな
り、正常な記録が行なえない。一方、第３および
第４のスイツチ手段６，７の各スイツチング素子
にFET１３，１４を用いると、ドレインからゲ
ートへ流れ込む電流は非常に少ないので、記録信
号が歪むことなく良好に記録されるというもので
ある。

つぎに、再生時にはヘツドアンプ２の電源が与
えられ、記録再生切換え信号入力端子２７には
“Ｌ”レベルが与えられる。したがつて、Tr９，
Tr１１およびTr２５は開放状態で、FET１３お
よびFET１９は短絡状態となり、磁気ヘツド巻
線端子の他方Ｂとロータリートランス３の回転側
巻線端子の他方Ｄは接地される。これを等価的に
示せば第６図の状態となる。磁気ヘツド１の再生
出力はヘツドアンプ２で増幅された後、ロータリ
ートランス３で固定側へ伝達され、信号処理回路
等において映像や音声が再生される。

なお、上記実施例では、第１〜第５のスイツチ
手段４〜８の各スイツチング素子として半導体ス
イツチング素子を用いた例について説明したが、
リードリレーなどの小形の機械的接点を有するも
のを用いても良い。

また、第１のスイツチ手段４のスイツチング素
子として、開放時の浮遊容量が他のスイツチ手段
５〜８の各スイツチング素子の開放時の浮遊容量
よりも小さいもの、たとえばコレクタ容量の小さ
いトランジスタを用いることは、ヘツドアンプ入
力に付加される容量成分を減らすことになるの
で、再生信号伝送帯域を拡げるうえで一層の効果
を奏する。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、記録信号が大
振幅の状態でヘツドアンプの入力および出力に加
わることがないように特定の位置に設けた第１〜
第５のスイツチ手段で記録再生切換え回路を構成
したので、ヘツドアンプの初段の半導体素子を破
壊するおそれが解消され、また歪の少い記録信号
が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による回転ヘツド
形磁気記録再生装置の要部の基本的構成を示す回
路図、第２図は記録再生切換え回路の具体例を示
す回路図、第３図はこの発明の装置の記録時の記
録電流ループを基本的構成で示す回路図、第４図
および第５図ａ，ｂはそれぞれこの発明の効果を
説明するための回路図および信号波形図、第６図
はこの発明の装置の再生時の動作状態を基本的構
成で示す回路図、第７図は従来の回転ヘツド形磁
気記録再生装置の要部の構成を示す回路図であ
る。 １は磁気ヘツド、２はヘツドアンプ、３はロー
タリートランス、４は第１のスイツチ手段、５は
第２のスイツチ手段、６は第３のスイツチ手段、
７は第４のスイツチ手段、８は第５のスイツチ手
段、９，１１，２５は半導体スイツチング素子、
１３，１９はFET、１００は記録再生切換え回
路、Ａ，Ｂは磁気ヘツド巻線端子、Ｃ，Ｄはロー
タリートランス３の回転側巻線端子である。な
お、図中、同一符号は同一もしくは相当部分を示
す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 信号の記録再生を行なう磁気ヘツドと、この
   磁気ヘツドの巻線端子の一方が入力に接続され
   て、磁気ヘツドの再生出力を増幅するヘツドアン
   プと、ヘツドアンプ出力が回転側巻線端子の一方
   に接続されて、再生時のヘツドアンプからの出力
   信号を回転側から固定側へ伝達し、記録時の記録
   信号を固定側から回転側へ伝達するロータリトラ
   ンスとを回転ドラム内に収容し、上記磁気ヘツド
   側とロータリトランス側との間に介挿された記録
   再生切換え回路を記録再生切換え信号で制御する
   ようにした回転ヘツド形磁気記録再生装置におい
   て、上記ヘツドアンプ入力とグランド間に介挿さ
   れた第１のスイツチ手段と、上記ヘツドアンプ出
   力とグランド間に介挿された第２のスイツチ手段
   と、上記磁気ヘツド巻線端子の他方とグランド間
   に介挿された第３のスイツチ手段と、上記ロータ
   リトランス回転側巻線端子の他方とグランド間に
   介在された第４のスイツチ手段と、上記磁気ヘツ
   ド巻線端子の他方と上記ロータリトランスの回転
   側巻線端子の他方との間に介挿された第５のスイ
   ツチ手段とで上記記録再生切換え回路を構成し、
   記録時には第１、第２および第５のスイツチ手段
   を閉成し、かつ第３および第４のスイツチ手段を
   開放し、再生時には、第３および第４のスイツチ
   手段を閉成し、かつ第１、第２および第５のスイ
   ツチ手段を開放するように設定したことを特徴と
   する回転ヘツド形磁気記録再生装置。 ２ 前記第１、第２、第３、第４および第５のス
   イツチ手段の各スイツチング素子が半導体スイツ
   チング素子である特許請求の範囲第１項記載の回
   転ヘツド形磁気記録再生装置。 ３ 前記第３および第４のスイツチ手段の各スイ
   ツチング素子として、FETを用いてなる特許請
   求の範囲第１項または第２項記載の回転ヘツド形
   磁気記録再生装置。 ４ 前記第１のスイツチ手段のスイツチング素子
   の開放時の浮遊容量が、他のスイツチ手段のスイ
   ツチング素子の開放時の浮遊容量より小である特
   許請求の範囲第１項、第２項または第３項記載の
   回転ヘツド形磁気記録再生装置。