JPH0563334A - セラミツク配線板の製法 - Google Patents
セラミツク配線板の製法Info
- Publication number
- JPH0563334A JPH0563334A JP21909191A JP21909191A JPH0563334A JP H0563334 A JPH0563334 A JP H0563334A JP 21909191 A JP21909191 A JP 21909191A JP 21909191 A JP21909191 A JP 21909191A JP H0563334 A JPH0563334 A JP H0563334A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper layer
- forming
- copper
- substrate
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミック基板の表面に銅層を短時間で形成
でき、且つ得られたセラミック基板の表面の銅層が高温
耐熱性に優れたものとなる製法を提供する。 【構成】 セラミック基板の表面に銅層を形成してセラ
ミック配線板を製造する方法において、該銅層の形成工
程がセラミック基板の表面に無電解メッキにより第１の
銅層を形成する工程と、この第１の銅層の上に硫酸及び
硫酸銅のみよりなるメッキ液を用いて電解メッキにより
第２の銅層を形成する工程よりなることを特徴とするセ
ラミック配線板の製法である。
でき、且つ得られたセラミック基板の表面の銅層が高温
耐熱性に優れたものとなる製法を提供する。 【構成】 セラミック基板の表面に銅層を形成してセラ
ミック配線板を製造する方法において、該銅層の形成工
程がセラミック基板の表面に無電解メッキにより第１の
銅層を形成する工程と、この第１の銅層の上に硫酸及び
硫酸銅のみよりなるメッキ液を用いて電解メッキにより
第２の銅層を形成する工程よりなることを特徴とするセ
ラミック配線板の製法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子材料として使用さ
れるセラミック配線板の製法に関する。
れるセラミック配線板の製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板上に抵抗体を焼成して形成する配線
板では、この抵抗体の焼成が６００℃以上の温度で行わ
れるため高温耐熱性を有する配線板であることが要求さ
れる。このような用途においては、高温耐熱性の優れた
セラミック基板の表面に銅層を形成して製造されるセラ
ミック配線板が使用されている。この従来のセラミック
配線板の製造方法においては、銅層の形成は電解メッキ
では高温耐熱性が不足するため高温耐熱性の優れた無電
解メッキによって行われている。しかし、無電解メッキ
によって厚い銅層を形成するには非常に長時間かけて無
電解メッキをしなければならず、もっと短時間で高温耐
熱性の優れた銅層を形成する方法が求められているのが
現状である。
板では、この抵抗体の焼成が６００℃以上の温度で行わ
れるため高温耐熱性を有する配線板であることが要求さ
れる。このような用途においては、高温耐熱性の優れた
セラミック基板の表面に銅層を形成して製造されるセラ
ミック配線板が使用されている。この従来のセラミック
配線板の製造方法においては、銅層の形成は電解メッキ
では高温耐熱性が不足するため高温耐熱性の優れた無電
解メッキによって行われている。しかし、無電解メッキ
によって厚い銅層を形成するには非常に長時間かけて無
電解メッキをしなければならず、もっと短時間で高温耐
熱性の優れた銅層を形成する方法が求められているのが
現状である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記事情に鑑み、本発
明の解決しようとする課題は短時間で高温耐熱性の優れ
た銅層をセラミック基板の表面に形成できる方法を見出
すことである。
明の解決しようとする課題は短時間で高温耐熱性の優れ
た銅層をセラミック基板の表面に形成できる方法を見出
すことである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はセラミック基板
の表面に銅層を形成してセラミック配線板を製造する方
法において、該銅層の形成工程がセラミック基板の表面
に無電解メッキにより第１の銅層を形成する工程と、こ
の第１の銅層の上に硫酸及び硫酸銅のみよりなるメッキ
液を用いて電解メッキにより第２の銅層を形成する工程
よりなることを特徴とするセラミック配線板の製法であ
る。
の表面に銅層を形成してセラミック配線板を製造する方
法において、該銅層の形成工程がセラミック基板の表面
に無電解メッキにより第１の銅層を形成する工程と、こ
の第１の銅層の上に硫酸及び硫酸銅のみよりなるメッキ
液を用いて電解メッキにより第２の銅層を形成する工程
よりなることを特徴とするセラミック配線板の製法であ
る。
【０００５】本発明を適用するセラミック基板としては
例えばアルミナ基板、窒化珪素基板などがある。
例えばアルミナ基板、窒化珪素基板などがある。
【０００６】本発明における、セラミック基板の表面に
無電解メッキにより第１の銅層を形成する工程では従来
おこなわれている無電解銅メッキ法をそのまま使用する
ことができ特に限定はない。例えば触媒を付与したセラ
ミック基板を硫酸銅、エチレンジアミン四錯酸塩、ホル
マリン、ポリエチレングリコール及び苛性ソーダ等を含
有する無電解メッキ液に適当な時間浸漬した後、取り出
して乾燥することにより第１の銅層は形成される。無電
解メッキによるこの第１の銅層の形成は次の工程の電解
メッキによるセラミック基板上への銅層の形成のために
必要な導電性物質の付与が目的であるので、セラミック
基板の表面が完全に覆われればよく、それ以上に厚く形
成する必要はない。従って、この第１の銅層の厚みは厚
くとも３μまでで十分である。そして、この無電解メッ
キによるこの第１の銅層はポーラスな構造をしており、
このため高温に曝したときセラミック基板に含まれる揮
発性の成分がこの第１の銅層を貫通して逃げることがで
き、高温に曝しても第１の銅層に剥がれやふくれなどが
発生しにくい利点も有している。
無電解メッキにより第１の銅層を形成する工程では従来
おこなわれている無電解銅メッキ法をそのまま使用する
ことができ特に限定はない。例えば触媒を付与したセラ
ミック基板を硫酸銅、エチレンジアミン四錯酸塩、ホル
マリン、ポリエチレングリコール及び苛性ソーダ等を含
有する無電解メッキ液に適当な時間浸漬した後、取り出
して乾燥することにより第１の銅層は形成される。無電
解メッキによるこの第１の銅層の形成は次の工程の電解
メッキによるセラミック基板上への銅層の形成のために
必要な導電性物質の付与が目的であるので、セラミック
基板の表面が完全に覆われればよく、それ以上に厚く形
成する必要はない。従って、この第１の銅層の厚みは厚
くとも３μまでで十分である。そして、この無電解メッ
キによるこの第１の銅層はポーラスな構造をしており、
このため高温に曝したときセラミック基板に含まれる揮
発性の成分がこの第１の銅層を貫通して逃げることがで
き、高温に曝しても第１の銅層に剥がれやふくれなどが
発生しにくい利点も有している。
【０００７】本発明では上記のようにして得られた第１
の銅層の上に、硫酸及び硫酸銅のみよりなるメッキ液を
用いて電解メッキにより第２の銅層を形成する工程を有
する。このメッキ液の組成が本発明の特徴であり、一般
に行われている電解メッキではメッキ液中にメッキ皮膜
の緻密性を高めるための光沢剤とよばれるオキシエチレ
ン系界面活性剤、硫黄化合物及びサフラニン系染料の混
合物が添加されているのが通常であるが、本発明では得
られる銅層がポーラスな構造をしていることが高温耐熱
性の向上に有効であることを確認したので、これらの光
沢剤を添加せずに硫酸及び硫酸銅のみよりなるメッキ液
を用いて電解メッキをするようにしたものである。そし
て、電解メッキは無電解メッキに比べると短時間で厚い
銅層を形成できる利点があるので、必要な厚さだけの無
電解メッキによる第１の銅層の上に電解メッキにより第
２の銅層を形成することは、同一厚みの銅層を全て無電
解メッキによって形成した場合に比べ短時間で銅層の形
成を完了できる。
の銅層の上に、硫酸及び硫酸銅のみよりなるメッキ液を
用いて電解メッキにより第２の銅層を形成する工程を有
する。このメッキ液の組成が本発明の特徴であり、一般
に行われている電解メッキではメッキ液中にメッキ皮膜
の緻密性を高めるための光沢剤とよばれるオキシエチレ
ン系界面活性剤、硫黄化合物及びサフラニン系染料の混
合物が添加されているのが通常であるが、本発明では得
られる銅層がポーラスな構造をしていることが高温耐熱
性の向上に有効であることを確認したので、これらの光
沢剤を添加せずに硫酸及び硫酸銅のみよりなるメッキ液
を用いて電解メッキをするようにしたものである。そし
て、電解メッキは無電解メッキに比べると短時間で厚い
銅層を形成できる利点があるので、必要な厚さだけの無
電解メッキによる第１の銅層の上に電解メッキにより第
２の銅層を形成することは、同一厚みの銅層を全て無電
解メッキによって形成した場合に比べ短時間で銅層の形
成を完了できる。
【０００８】なお、本発明で第２の銅層の形成の際に、
第１の銅層の上に導体パターンの逆パターンのレジスト
を付与し、レジストがない部分のみに電解メッキにより
第２の銅層を形成する、いわゆるパターンメッキ法を行
うことも可能である。
第１の銅層の上に導体パターンの逆パターンのレジスト
を付与し、レジストがない部分のみに電解メッキにより
第２の銅層を形成する、いわゆるパターンメッキ法を行
うことも可能である。
【０００９】
【作用】光沢剤を添加せずに硫酸及び硫酸銅のみよりな
るメッキ液を用いて電解メッキをして第２の銅層を形成
することは、短時間で高温耐熱性に優れるポーラスな構
造の銅層を形成する働きをする。
るメッキ液を用いて電解メッキをして第２の銅層を形成
することは、短時間で高温耐熱性に優れるポーラスな構
造の銅層を形成する働きをする。
【００１０】
【実施例】（実施例）スルホールが施され、焼結された
厚み１ｍｍのアルミナ基板を３００℃に加熱した燐酸中
に５分間浸漬して、基板表面を粗化した後、十分に水洗
し乾燥した。この乾燥した基板を無電解銅メッキ液中に
浸漬し、厚み１μｍの第１の銅層を前記基板の表面に形
成した。次にこの第１の銅層が形成された基板を下記の
電解メッキ条件で電解メッキし第１の銅層の上に第２の
銅層を形成した。この場合の、第１の銅層の形成と第２
の銅層の形成に要した合計時間は９０分であり、第１の
銅層と第２の銅層の厚みの合計は３５μｍであった。
厚み１ｍｍのアルミナ基板を３００℃に加熱した燐酸中
に５分間浸漬して、基板表面を粗化した後、十分に水洗
し乾燥した。この乾燥した基板を無電解銅メッキ液中に
浸漬し、厚み１μｍの第１の銅層を前記基板の表面に形
成した。次にこの第１の銅層が形成された基板を下記の
電解メッキ条件で電解メッキし第１の銅層の上に第２の
銅層を形成した。この場合の、第１の銅層の形成と第２
の銅層の形成に要した合計時間は９０分であり、第１の
銅層と第２の銅層の厚みの合計は３５μｍであった。
【００１１】 電解メッキ条件 メッキ液の組成： 硫酸銅 ７５ｇ／ｌ 硫酸 １８０ｇ／ｌ 電流密度 ： ２Ａ／ｄｍ2 通電時間 ： ７５分 このようにして得られたセラミック基板の表面に銅層が
形成された基板の高温耐熱性を調べたところ７００℃の
窒素雰囲気中で１０分間加熱処理しても銅層に剥がれや
ふくれの発生はなかった。
形成された基板の高温耐熱性を調べたところ７００℃の
窒素雰囲気中で１０分間加熱処理しても銅層に剥がれや
ふくれの発生はなかった。
【００１２】そして、上記の銅層が形成された基板を用
いて、ドライフィルムを用いる方法で導体パターンを形
成し、セラミック配線板を製造することができた。
いて、ドライフィルムを用いる方法で導体パターンを形
成し、セラミック配線板を製造することができた。
【００１３】（比較例１）スルホールが施され、焼結さ
れた厚み１ｍｍのアルミナ基板を３００℃に加熱した燐
酸中に５分間浸漬して、基板表面を粗化した後、十分に
水洗し乾燥した。この乾燥した基板を実施例と同じ無電
解銅メッキ液中に浸漬し、厚み３５μｍの銅層を前記基
板の表面に形成した。この場合の、銅層の形成に要した
時間は７００分であった。
れた厚み１ｍｍのアルミナ基板を３００℃に加熱した燐
酸中に５分間浸漬して、基板表面を粗化した後、十分に
水洗し乾燥した。この乾燥した基板を実施例と同じ無電
解銅メッキ液中に浸漬し、厚み３５μｍの銅層を前記基
板の表面に形成した。この場合の、銅層の形成に要した
時間は７００分であった。
【００１４】このようにして得られたセラミック基板の
表面に銅層が形成された基板の高温耐熱性を調べたとこ
ろ７００℃の窒素雰囲気中で１０分間加熱処理しても銅
層に剥がれやふくれの発生はなかった。
表面に銅層が形成された基板の高温耐熱性を調べたとこ
ろ７００℃の窒素雰囲気中で１０分間加熱処理しても銅
層に剥がれやふくれの発生はなかった。
【００１５】そして、上記の銅層が形成された基板を用
いて、ドライフィルムを用いる方法で導体パターンを形
成し、セラミック配線板を製造することができた。
いて、ドライフィルムを用いる方法で導体パターンを形
成し、セラミック配線板を製造することができた。
【００１６】（比較例２）スルホールが施され、焼結さ
れた厚み１ｍｍのアルミナ基板を用いて実施例と同様に
して厚み１μｍの第１の銅層を前記基板の表面に形成し
た。次にこの第１の銅層が形成された基板を下記の電解
メッキ条件で電解メッキし第１の銅層の上に第２の銅層
を形成した。この場合の、第１の銅層の形成と第２の銅
層の形成に要した合計時間は９０分であり、第１の銅層
と第２の銅層の厚みの合計は３５μｍであった。
れた厚み１ｍｍのアルミナ基板を用いて実施例と同様に
して厚み１μｍの第１の銅層を前記基板の表面に形成し
た。次にこの第１の銅層が形成された基板を下記の電解
メッキ条件で電解メッキし第１の銅層の上に第２の銅層
を形成した。この場合の、第１の銅層の形成と第２の銅
層の形成に要した合計時間は９０分であり、第１の銅層
と第２の銅層の厚みの合計は３５μｍであった。
【００１７】 電解メッキ条件 メッキ液の組成： 硫酸銅 ７５ｇ／ｌ 硫酸 １８０ｇ／ｌ 0.5N-HCl ３ｍｌ／ｌ 光沢剤 ５ｍｌ／ｌ（光沢剤は上村工業社製のプリン
ト板スルホールメッキ用光沢剤商品名ＡＣ−９０を使
用） 電流密度 ： ２Ａ／ｄｍ2 通電時間 ： ７５分 このようにして得られたセラミック基板の表面に銅層が
形成された基板の高温耐熱性を調べたところ４００℃の
窒素雰囲気中で１０分間加熱処理しても銅層に剥がれや
ふくれの発生はなかったが４５０℃の窒素雰囲気中で１
０分間加熱処理した場合には銅層に剥がれ及びふくれが
発生した。
ト板スルホールメッキ用光沢剤商品名ＡＣ−９０を使
用） 電流密度 ： ２Ａ／ｄｍ2 通電時間 ： ７５分 このようにして得られたセラミック基板の表面に銅層が
形成された基板の高温耐熱性を調べたところ４００℃の
窒素雰囲気中で１０分間加熱処理しても銅層に剥がれや
ふくれの発生はなかったが４５０℃の窒素雰囲気中で１
０分間加熱処理した場合には銅層に剥がれ及びふくれが
発生した。
【００１８】この場合も、上記の銅層が形成された基板
を用いて、ドライフィルムを用いる方法で導体パターン
を形成し、セラミック配線板を製造することができた。
を用いて、ドライフィルムを用いる方法で導体パターン
を形成し、セラミック配線板を製造することができた。
【００１９】
【発明の効果】実施例と比較例の比較により明らかなよ
うに、本発明によると、セラミック基板の表面に銅層を
短時間で形成でき、且つ得られたセラミック基板の表面
の銅層は高温耐熱性に優れたものとなり、本発明はセラ
ミック配線板の製造に有用である。
うに、本発明によると、セラミック基板の表面に銅層を
短時間で形成でき、且つ得られたセラミック基板の表面
の銅層は高温耐熱性に優れたものとなり、本発明はセラ
ミック配線板の製造に有用である。
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミック基板の表面に銅層を形成して
セラミック配線板を製造する方法において、該銅層の形
成工程がセラミック基板の表面に無電解メッキにより第
１の銅層を形成する工程と、この第１の銅層の上に硫酸
及び硫酸銅のみよりなるメッキ液を用いて電解メッキに
より第２の銅層を形成する工程よりなることを特徴とす
るセラミック配線板の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21909191A JPH0563334A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | セラミツク配線板の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21909191A JPH0563334A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | セラミツク配線板の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563334A true JPH0563334A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16730117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21909191A Pending JPH0563334A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | セラミツク配線板の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563334A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001152387A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-06-05 | Ishihara Chem Co Ltd | ボイドフリー銅メッキ方法 |
| JP2018172788A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-08 | ワイエムティー カンパニー リミテッド | 多孔性銅箔の製造方法及びこれを用いた多孔性銅箔 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP21909191A patent/JPH0563334A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001152387A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-06-05 | Ishihara Chem Co Ltd | ボイドフリー銅メッキ方法 |
| JP2018172788A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-08 | ワイエムティー カンパニー リミテッド | 多孔性銅箔の製造方法及びこれを用いた多孔性銅箔 |
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