JPH0563134A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH0563134A JPH0563134A JP22193991A JP22193991A JPH0563134A JP H0563134 A JPH0563134 A JP H0563134A JP 22193991 A JP22193991 A JP 22193991A JP 22193991 A JP22193991 A JP 22193991A JP H0563134 A JPH0563134 A JP H0563134A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- inner lead
- bonding
- flat width
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リード側にボンディングを行う時、インナーリ
ードが不安定のためにボンディングの圧力や振動によっ
て生ずるリードの傾きを低減し、ボンディング接着不良
を低減できる半導体装置用リードフレームを提供するこ
とにある。 【構成】ワイヤー６のボンディングを行う箇所以外のイ
ンナーリード２に、表面の平坦幅４より裏面の平坦幅５
を広くした部分を設け、しかも隣りのリードとその表面
の平坦幅より裏面の幅を広くした部分の位置が合わない
様に、チドリにしたインナーリードの断面形状を有して
いる。
ードが不安定のためにボンディングの圧力や振動によっ
て生ずるリードの傾きを低減し、ボンディング接着不良
を低減できる半導体装置用リードフレームを提供するこ
とにある。 【構成】ワイヤー６のボンディングを行う箇所以外のイ
ンナーリード２に、表面の平坦幅４より裏面の平坦幅５
を広くした部分を設け、しかも隣りのリードとその表面
の平坦幅より裏面の幅を広くした部分の位置が合わない
様に、チドリにしたインナーリードの断面形状を有して
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用リードフ
レーム（以下、リードフレームと略す）に関し、特にイ
ンナーリード先端の断面形状に関する。
レーム（以下、リードフレームと略す）に関し、特にイ
ンナーリード先端の断面形状に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のリードフレーム、特にエッチング
加工で製造したリードフレームにおいては、多ピン小ペ
レット化になると図３で示した様に、インナーリード２
の長さが長くなり、ファインピッチになる。よってリー
ドフレームの加工が難しくなり、インナーリード２の先
端の表面平坦幅４を広くする為に、インナーリード２先
端の裏面平坦幅５が狭くなっている。
加工で製造したリードフレームにおいては、多ピン小ペ
レット化になると図３で示した様に、インナーリード２
の長さが長くなり、ファインピッチになる。よってリー
ドフレームの加工が難しくなり、インナーリード２の先
端の表面平坦幅４を広くする為に、インナーリード２先
端の裏面平坦幅５が狭くなっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のリードフレ
ーム、特にエッチング加工した多ピンリードフレームで
は、インナーリード先端の表面平坦幅を広く確保する
為、インナーリードの裏面平坦幅を狭くした逆台形の断
面形状になっている。よってリード側にボンディングを
行う時、インナーリードが不安定の為にボンディングの
圧力により、リードが傾きボンディング接着不良を起こ
すという問題点があった。
ーム、特にエッチング加工した多ピンリードフレームで
は、インナーリード先端の表面平坦幅を広く確保する
為、インナーリードの裏面平坦幅を狭くした逆台形の断
面形状になっている。よってリード側にボンディングを
行う時、インナーリードが不安定の為にボンディングの
圧力により、リードが傾きボンディング接着不良を起こ
すという問題点があった。
【０００４】本発明の目的は、リード側にボンディング
を行う時、インナーリードが不安定のためにボンディン
グの圧力や振動によって生ずるリードの傾きを低減し、
ボンディング接着不良を低減できる半導体装置用リード
フレームを提供することにある。
を行う時、インナーリードが不安定のためにボンディン
グの圧力や振動によって生ずるリードの傾きを低減し、
ボンディング接着不良を低減できる半導体装置用リード
フレームを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、ボンディングを行う箇所以外のインナーリードに表
面の平坦幅より裏面の平坦幅を広くした部分を設け、し
かも、隣りのインナーリードと、その表面の平坦幅より
裏面の平坦幅を広くした部分の位置が合わない様にチド
リにしたインナーリード先端の断面形状を有している。
は、ボンディングを行う箇所以外のインナーリードに表
面の平坦幅より裏面の平坦幅を広くした部分を設け、し
かも、隣りのインナーリードと、その表面の平坦幅より
裏面の平坦幅を広くした部分の位置が合わない様にチド
リにしたインナーリード先端の断面形状を有している。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の部分拡大平面図，Ａ−Ａ
1 線およびＢ−Ｂ1 線におけるインナーリード先端の断
面図である。
る。図１は本発明の一実施例の部分拡大平面図，Ａ−Ａ
1 線およびＢ−Ｂ1 線におけるインナーリード先端の断
面図である。
【０００７】本発明のリードフレームは図１（ｂ），図
１（ｃ）に示したように、ボンディングを行う箇所３以
外のインナーリードに表面の平坦幅４より裏面の平坦幅
５を広くした部分を設け、しかも隣りのインナーリード
とその表面の平坦幅４より裏面の平坦幅５を広くした部
分の位置が合わないようにチドリにしたインナーリード
先端の断面形状を有している。効果としては従来のリー
ドフレーム（図３）と比べて裏面の平坦幅５を広くした
部分を設けている為にインナーリードが安定し、リード
側ボンディング時にインナーリード２が傾いてひきおこ
されるボンディング接着不良が低減する。
１（ｃ）に示したように、ボンディングを行う箇所３以
外のインナーリードに表面の平坦幅４より裏面の平坦幅
５を広くした部分を設け、しかも隣りのインナーリード
とその表面の平坦幅４より裏面の平坦幅５を広くした部
分の位置が合わないようにチドリにしたインナーリード
先端の断面形状を有している。効果としては従来のリー
ドフレーム（図３）と比べて裏面の平坦幅５を広くした
部分を設けている為にインナーリードが安定し、リード
側ボンディング時にインナーリード２が傾いてひきおこ
されるボンディング接着不良が低減する。
【０００８】図２は、本発明の他の実施例の部分拡大平
面図，Ａ−Ａ1 線およびＢ−Ｂ1 線におけるインナーリ
ード先端の断面図である。本実施例は第１の実施例に比
べてインナーリード２先端表面４のボンディングする箇
所３の平坦幅をインナーリード２幅より広くしている
為、リード側のボンディング性が向上するという効果が
ある。
面図，Ａ−Ａ1 線およびＢ−Ｂ1 線におけるインナーリ
ード先端の断面図である。本実施例は第１の実施例に比
べてインナーリード２先端表面４のボンディングする箇
所３の平坦幅をインナーリード２幅より広くしている
為、リード側のボンディング性が向上するという効果が
ある。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ボンディ
ングを行う箇所以外のインナーリードに、表面の平坦幅
より裏面の平坦幅を広くした部分を設け、しかも隣りの
インナーリードとその表面の平坦幅より裏面の平坦幅を
広くした部分の位置が合わない様にチドリにしたインナ
ーリード先端の断面形状を有している為に、リード側ボ
ンディング時にボンディングの圧力と振動によって生じ
るリード傾きを低減し、その結果ボンディング接着不良
が低減するという効果を有している。
ングを行う箇所以外のインナーリードに、表面の平坦幅
より裏面の平坦幅を広くした部分を設け、しかも隣りの
インナーリードとその表面の平坦幅より裏面の平坦幅を
広くした部分の位置が合わない様にチドリにしたインナ
ーリード先端の断面形状を有している為に、リード側ボ
ンディング時にボンディングの圧力と振動によって生じ
るリード傾きを低減し、その結果ボンディング接着不良
が低減するという効果を有している。
【図１】本発明の一実施例の部分拡大平面図およびＡ−
Ａ1 線並にＢ−Ｂ1 線におけるインナーリード先端の断
面図である。
Ａ1 線並にＢ−Ｂ1 線におけるインナーリード先端の断
面図である。
【図２】本発明の他の実施例の部分拡大平面図およびＡ
−Ａ1 線並にＢ−Ｂ1 線におけるインナーリード先端の
断面図である。
−Ａ1 線並にＢ−Ｂ1 線におけるインナーリード先端の
断面図である。
【図３】従来の半導体装置用リードフレームの一例の部
分拡大平面図およびＡ−Ａ1 線並にＢ−Ｂ1 線における
インナーリード先端の断面図である。
分拡大平面図およびＡ−Ａ1 線並にＢ−Ｂ1 線における
インナーリード先端の断面図である。
１ アイランド ２ インナーリード ３ リード側ボンディング部 ４ インナーリード先端の表面平坦幅 ５ インナーリード先端の裏面平坦幅 ６ ワイヤー ７ ペレット
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体装置用リードフレームにおいて、
ボンディングを行う箇所以外のインナーリードに、表面
の平坦幅より裏面の平坦幅を広くした部分を設け、しか
も、隣りのインナーリードと、その表面の平坦幅より裏
面の平坦幅を広くした部分の位置が合わない様にチドリ
にしたインナーリード先端の断面形状を有していること
を特徴とする半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22193991A JPH0563134A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22193991A JPH0563134A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563134A true JPH0563134A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16774530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22193991A Pending JPH0563134A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563134A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7190065B2 (en) | 2003-06-02 | 2007-03-13 | Seiko Epson Corporation | Circuit substrate, semiconductor module and method of manufacturing circuit substrate |
| JP2008198727A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd | リードフレームとその製造方法 |
| JP2011086811A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Apic Yamada Corp | リードフレーム、電子部品用基板及び電子部品 |
-
1991
- 1991-09-03 JP JP22193991A patent/JPH0563134A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7190065B2 (en) | 2003-06-02 | 2007-03-13 | Seiko Epson Corporation | Circuit substrate, semiconductor module and method of manufacturing circuit substrate |
| JP2008198727A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd | リードフレームとその製造方法 |
| JP2011086811A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Apic Yamada Corp | リードフレーム、電子部品用基板及び電子部品 |
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