JPH0559484B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0559484B2 JPH0559484B2 JP27733584A JP27733584A JPH0559484B2 JP H0559484 B2 JPH0559484 B2 JP H0559484B2 JP 27733584 A JP27733584 A JP 27733584A JP 27733584 A JP27733584 A JP 27733584A JP H0559484 B2 JPH0559484 B2 JP H0559484B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic
- film layer
- amorphous soft
- amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 68
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、磁性多層薄膜に関し、更に詳しくは
磁気デイスク装置、磁気テープ装置等を用いられ
る薄膜磁気ヘツドの磁極の関する。
磁気デイスク装置、磁気テープ装置等を用いられ
る薄膜磁気ヘツドの磁極の関する。
(従来技術と発明が解決しようとする問題点)
周知の通り、最近の磁気記録の分野において
は、高記録密度化が増々進み、高保磁力を有する
磁気記録媒体が種々研究開発されている。この様
な情勢を反映して、記録媒体と共に磁気記録技術
を支える磁気ヘツドにおいても、その磁気回路を
形成する磁極に対して優れた磁気特性が求められ
ている。
は、高記録密度化が増々進み、高保磁力を有する
磁気記録媒体が種々研究開発されている。この様
な情勢を反映して、記録媒体と共に磁気記録技術
を支える磁気ヘツドにおいても、その磁気回路を
形成する磁極に対して優れた磁気特性が求められ
ている。
一般に、インダクテイブ型薄膜磁気ヘツドにお
いては、情報の書込み時にコイルを流れるヘツド
駆動電流により熱を生じ、この熱により薄膜磁気
ヘツドの磁気回路を成す磁極(ポール・ピース)
は加熱・冷却というヒートサイクルを絶えず受け
ている。その為、薄膜磁気ヘツドの磁極内の磁区
構造が乱れ、局所的に方向の違う磁気異方性が出
現し、透磁率が大幅に低下し初期の優れた磁気特
性が劣化し、薄膜磁気ヘツドの電磁変換効率が減
少するという問題点があつた。特に近年従来の
NiFe合金等の結晶質軟磁性膜に替わり磁極材料
として用いられつつある非晶質軟磁性膜では、非
晶質膜自身が熱的に不安定であり磁気特性の経時
変化が大きく、前述のヒートサイクルにより磁気
特性の劣化が一層促進されるという問題点があつ
た。
いては、情報の書込み時にコイルを流れるヘツド
駆動電流により熱を生じ、この熱により薄膜磁気
ヘツドの磁気回路を成す磁極(ポール・ピース)
は加熱・冷却というヒートサイクルを絶えず受け
ている。その為、薄膜磁気ヘツドの磁極内の磁区
構造が乱れ、局所的に方向の違う磁気異方性が出
現し、透磁率が大幅に低下し初期の優れた磁気特
性が劣化し、薄膜磁気ヘツドの電磁変換効率が減
少するという問題点があつた。特に近年従来の
NiFe合金等の結晶質軟磁性膜に替わり磁極材料
として用いられつつある非晶質軟磁性膜では、非
晶質膜自身が熱的に不安定であり磁気特性の経時
変化が大きく、前述のヒートサイクルにより磁気
特性の劣化が一層促進されるという問題点があつ
た。
そこで、本発明の目的は、以上の点に鑑み、磁
区構造が安定で磁気異方性が生じ難い薄膜磁気ヘ
ツド用磁極の提供にある。
区構造が安定で磁気異方性が生じ難い薄膜磁気ヘ
ツド用磁極の提供にある。
(問題点を解決するための手段)
前述の問題点を解決するために本発明が提供す
る薄膜磁気ヘツド用磁極は、非晶質軟磁性薄膜層
と結晶質硬磁性薄膜層とが各々少なくとも1層積
層してあり、前記非晶質軟磁性薄膜層及び前記結
晶質硬磁性薄膜層の磁化容易軸の方向が実質的に
同一であることを特徴とする。
る薄膜磁気ヘツド用磁極は、非晶質軟磁性薄膜層
と結晶質硬磁性薄膜層とが各々少なくとも1層積
層してあり、前記非晶質軟磁性薄膜層及び前記結
晶質硬磁性薄膜層の磁化容易軸の方向が実質的に
同一であることを特徴とする。
(作用)
本発明は上述の構成をとることにより従来の問
題点を改善した薄膜磁気ヘツド用磁気コア材料の
提供を可能とした。すなわち、非晶質軟磁性薄膜
層と結晶質硬磁性薄膜層とを各々少なくとも1層
積層することにより非晶質軟磁性薄膜層と結晶質
硬磁性薄膜層とを磁気的に結合して、前述したヘ
ツド駆動時のヒートサイクルによる磁気特性の劣
化、例えば透磁率の低下を抑制するものである。
題点を改善した薄膜磁気ヘツド用磁気コア材料の
提供を可能とした。すなわち、非晶質軟磁性薄膜
層と結晶質硬磁性薄膜層とを各々少なくとも1層
積層することにより非晶質軟磁性薄膜層と結晶質
硬磁性薄膜層とを磁気的に結合して、前述したヘ
ツド駆動時のヒートサイクルによる磁気特性の劣
化、例えば透磁率の低下を抑制するものである。
ここで、非晶質軟磁性薄膜層及び結晶質硬磁性
薄膜層の磁化容易軸方向とが実質的に一致する様
に積層化されることが望ましい。これは、前記両
磁性薄膜層の磁化容易軸方向が一致していない場
合には、前記非晶質軟磁性薄膜層の磁気特性が分
散的になり、保持力Hcが増大し、透磁率μが劣
化する等、薄膜磁気ヘツドの磁気コア材料として
用いるのは問題が生ずるからである。従つて、前
述した様に非晶質軟磁性薄膜層と結晶質硬磁性薄
膜層の磁化容易軸方向とがほぼ±20°位の範囲で
実質的に一致する様に積層することが肝要であ
る。
薄膜層の磁化容易軸方向とが実質的に一致する様
に積層化されることが望ましい。これは、前記両
磁性薄膜層の磁化容易軸方向が一致していない場
合には、前記非晶質軟磁性薄膜層の磁気特性が分
散的になり、保持力Hcが増大し、透磁率μが劣
化する等、薄膜磁気ヘツドの磁気コア材料として
用いるのは問題が生ずるからである。従つて、前
述した様に非晶質軟磁性薄膜層と結晶質硬磁性薄
膜層の磁化容易軸方向とがほぼ±20°位の範囲で
実質的に一致する様に積層することが肝要であ
る。
(実施例)
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
第1図aは本発明の第1実施例を示す断面図で
ある。この実施例では、セラミツクス等により成
る基板1上に、スパラタリング法あるいは蒸着法
等の薄膜形成技術を用いて膜厚300Å程度の結晶
質硬磁性薄膜層3、例えばNi−CO合金薄膜層が
2層と、膜厚5000Å程度の非晶質軟磁性薄膜層
2、例えばCo−Zr−Nb非晶質薄膜層が3層交互
に積層してある。同図bは本発明の第2の実施例
を示す断面図であり、この実施例では同図aの実
施例と同様にして、基板1上に、膜厚300Å程度
の結晶質硬磁性薄膜層3が4層、膜厚3000Å程度
の非晶質軟磁性薄膜層2が5層交互に積層してあ
る。勿論、両実施例においては結晶質硬磁性薄膜
層3及び非晶質軟磁性薄積層2の磁化容易軸方向
は互いに一致して積層してある。
ある。この実施例では、セラミツクス等により成
る基板1上に、スパラタリング法あるいは蒸着法
等の薄膜形成技術を用いて膜厚300Å程度の結晶
質硬磁性薄膜層3、例えばNi−CO合金薄膜層が
2層と、膜厚5000Å程度の非晶質軟磁性薄膜層
2、例えばCo−Zr−Nb非晶質薄膜層が3層交互
に積層してある。同図bは本発明の第2の実施例
を示す断面図であり、この実施例では同図aの実
施例と同様にして、基板1上に、膜厚300Å程度
の結晶質硬磁性薄膜層3が4層、膜厚3000Å程度
の非晶質軟磁性薄膜層2が5層交互に積層してあ
る。勿論、両実施例においては結晶質硬磁性薄膜
層3及び非晶質軟磁性薄積層2の磁化容易軸方向
は互いに一致して積層してある。
第1図a,bに示した実施例においては、結晶
質硬磁性薄膜層3と非晶質軟磁性薄膜層2とが磁
気的に結合されているから、非晶質軟磁性薄膜層
2は結晶質硬磁性薄膜層3との結合によるバイア
ス磁界を受けることとなる。従つて、前述したヘ
ツド駆動電流による発熱に基づくヒートサイクル
受けて、非晶質軟磁性薄膜層2の磁化状態に乱れ
を生じても、結晶質硬磁性薄膜層3によるバイア
ス磁界により、初期状態に復帰するから、安定な
磁化状態が実現される。このことは、非晶質軟磁
性薄膜層2の磁区状態が安定であることを意味し
ている。従つて、第1図a,bの実施例では、局
所的に方向の違う磁気異方性の発生が抑制され、
初期の優れた磁気特性が維持される。そこで、こ
れら実施例を用いることにより、電磁交換効率及
び信頼性の高い薄膜磁気ヘツドの実現が可能とな
り工業的な価値は高い。
質硬磁性薄膜層3と非晶質軟磁性薄膜層2とが磁
気的に結合されているから、非晶質軟磁性薄膜層
2は結晶質硬磁性薄膜層3との結合によるバイア
ス磁界を受けることとなる。従つて、前述したヘ
ツド駆動電流による発熱に基づくヒートサイクル
受けて、非晶質軟磁性薄膜層2の磁化状態に乱れ
を生じても、結晶質硬磁性薄膜層3によるバイア
ス磁界により、初期状態に復帰するから、安定な
磁化状態が実現される。このことは、非晶質軟磁
性薄膜層2の磁区状態が安定であることを意味し
ている。従つて、第1図a,bの実施例では、局
所的に方向の違う磁気異方性の発生が抑制され、
初期の優れた磁気特性が維持される。そこで、こ
れら実施例を用いることにより、電磁交換効率及
び信頼性の高い薄膜磁気ヘツドの実現が可能とな
り工業的な価値は高い。
尚、前述の実施例で示した構成、例えば各層の
膜厚、各層の構成材料は、本発明による磁極が用
いられる薄膜磁気ヘツドの仕様に応じて選定され
るべきものであつて本発明を規定するものでは無
いことは勿論である。例えば、前述の実施例で
は、非晶質軟磁性薄膜層としてCo−Zr−Nb非晶
質薄膜を挙げたが、本発明では非晶質軟磁性薄膜
層としてZr、Nb、Ti、Hf、Y、V、Taのうち
少なくとも1つの元素とCoとの組合せから成る
Co−メタル系非晶質薄膜又はB、Bi、P、Geの
うちの少なくとも1つの元素とCoと若しくはCo
−Feとの組合せより成るCo−メタロイド系若し
くはCo−Fe−メタロイド系非晶質薄膜等が用い
得る。また、前述の実施例では結晶質硬磁性薄膜
層としてNi−Co合金薄膜層を例示したが、本発
明では結晶質硬磁性薄膜層としてNi−Co合金、
Co−Pt合金、CrO2薄膜、γ−Fe2D3薄膜等が用
い得る。
膜厚、各層の構成材料は、本発明による磁極が用
いられる薄膜磁気ヘツドの仕様に応じて選定され
るべきものであつて本発明を規定するものでは無
いことは勿論である。例えば、前述の実施例で
は、非晶質軟磁性薄膜層としてCo−Zr−Nb非晶
質薄膜を挙げたが、本発明では非晶質軟磁性薄膜
層としてZr、Nb、Ti、Hf、Y、V、Taのうち
少なくとも1つの元素とCoとの組合せから成る
Co−メタル系非晶質薄膜又はB、Bi、P、Geの
うちの少なくとも1つの元素とCoと若しくはCo
−Feとの組合せより成るCo−メタロイド系若し
くはCo−Fe−メタロイド系非晶質薄膜等が用い
得る。また、前述の実施例では結晶質硬磁性薄膜
層としてNi−Co合金薄膜層を例示したが、本発
明では結晶質硬磁性薄膜層としてNi−Co合金、
Co−Pt合金、CrO2薄膜、γ−Fe2D3薄膜等が用
い得る。
(発明の効果)
本発明によれば、以上説明したように、磁区構
造が安定で磁気異方性が生じ難い薄膜磁気ヘツド
用磁極が提供できる。そこで、本発明の磁極を用
いれば、電磁変換効率の高い薄膜磁気ヘツドが実
現できる。
造が安定で磁気異方性が生じ難い薄膜磁気ヘツド
用磁極が提供できる。そこで、本発明の磁極を用
いれば、電磁変換効率の高い薄膜磁気ヘツドが実
現できる。
第1図a及びbはそれぞれ本発明の第1及び第
2の実施例を示す模式的な断面図である。 1……基板、2……非晶質軟磁性薄膜層、3…
…結晶質硬磁性薄膜層。
2の実施例を示す模式的な断面図である。 1……基板、2……非晶質軟磁性薄膜層、3…
…結晶質硬磁性薄膜層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 非晶質軟磁性薄膜層と結晶質硬磁性薄膜層と
が各々少なくとも1層積層してあり、前記非晶質
軟磁性薄膜層及び前記結晶質硬磁性薄膜層の磁化
容易軸の方向が実質的に同一であることを特徴と
する薄膜磁気ヘツド用磁極。 2 非晶質軟磁性薄膜層がZr、Nb、Ti、Hf、
Y、V、Taのうち少なくとも1つの元素とCoと
の組合せより成るCo−メタル系非晶質薄膜又は
B、Si、P、Geのうち少なくとも1つの元素と
Co若しくはCo−Feとの組合せより成るCo−メタ
ロイド系若しくはCo−Fe−メタロイド系非晶質
薄膜である特許請求の範囲第1項記載の薄膜磁気
ヘツド用磁極。 3 結晶質硬磁性薄膜層がNi−Co合金、Co−Pt
合金、CrO2薄膜又はγ−Fe2D3薄膜である特許請
求の範囲第1項記載の薄膜磁気ヘツド用磁極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27733584A JPS61153813A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 薄膜磁気ヘツド用磁極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27733584A JPS61153813A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 薄膜磁気ヘツド用磁極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61153813A JPS61153813A (ja) | 1986-07-12 |
JPH0559484B2 true JPH0559484B2 (ja) | 1993-08-31 |
Family
ID=17582090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27733584A Granted JPS61153813A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 薄膜磁気ヘツド用磁極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61153813A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63126208A (ja) * | 1986-11-15 | 1988-05-30 | Sony Corp | 組織変調軟磁性積層膜 |
NL8802873A (nl) * | 1988-11-22 | 1990-06-18 | Philips Nv | Zachtmagnetische multilaagfilm en magneetkop voorzien van een dergelijke zachtmagnetische multilaagfilm. |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP27733584A patent/JPS61153813A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61153813A (ja) | 1986-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4814921A (en) | Multilayered magnetic films and thin-film magnetic heads using the same as a pole | |
US5126907A (en) | Thin film magnetic head having at least one magnetic core member made at least partly of a material having a high saturation magnetic flux density | |
Speriosu et al. | Magnetic thin films in recording technology | |
JP3919047B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JP4515690B2 (ja) | 垂直多層磁気記録媒体 | |
JP2780588B2 (ja) | 積層型磁気ヘッドコア | |
JPH07105027B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JPH0559484B2 (ja) | ||
KR100296731B1 (ko) | 자기기록방식 | |
JPS6142717A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
JPS61179509A (ja) | 磁性材料 | |
JPH0559483B2 (ja) | ||
JPWO2004019322A1 (ja) | 裏打ち磁性膜 | |
JP3461688B2 (ja) | 磁気ヘッドおよびそれを用いた磁気記録装置 | |
JP2696120B2 (ja) | 磁性多層膜 | |
JPH11284248A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
JPS6015807A (ja) | 磁気ヘツド | |
JP2591109B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
JPH0619809B2 (ja) | 垂直磁気記録方式 | |
JPS61253620A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
JPS615421A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH07118061B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
JPH11213345A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドとその製造方法及び情報記録再生装置 | |
JPH08287419A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
JPH0344811A (ja) | 薄膜磁気ヘッド |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |