JPH0559484B2 - - Google Patents
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- JPH0559484B2 JPH0559484B2 JP27733584A JP27733584A JPH0559484B2 JP H0559484 B2 JPH0559484 B2 JP H0559484B2 JP 27733584 A JP27733584 A JP 27733584A JP 27733584 A JP27733584 A JP 27733584A JP H0559484 B2 JPH0559484 B2 JP H0559484B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
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- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、磁性多層薄膜に関し、更に詳しくは
磁気デイスク装置、磁気テープ装置等を用いられ
る薄膜磁気ヘツドの磁極の関する。
磁気デイスク装置、磁気テープ装置等を用いられ
る薄膜磁気ヘツドの磁極の関する。
（従来技術と発明が解決しようとする問題点）
周知の通り、最近の磁気記録の分野において
は、高記録密度化が増々進み、高保磁力を有する
磁気記録媒体が種々研究開発されている。この様
な情勢を反映して、記録媒体と共に磁気記録技術
を支える磁気ヘツドにおいても、その磁気回路を
形成する磁極に対して優れた磁気特性が求められ
ている。
は、高記録密度化が増々進み、高保磁力を有する
磁気記録媒体が種々研究開発されている。この様
な情勢を反映して、記録媒体と共に磁気記録技術
を支える磁気ヘツドにおいても、その磁気回路を
形成する磁極に対して優れた磁気特性が求められ
ている。
一般に、インダクテイブ型薄膜磁気ヘツドにお
いては、情報の書込み時にコイルを流れるヘツド
駆動電流により熱を生じ、この熱により薄膜磁気
ヘツドの磁気回路を成す磁極（ポール・ピース）
は加熱・冷却というヒートサイクルを絶えず受け
ている。その為、薄膜磁気ヘツドの磁極内の磁区
構造が乱れ、局所的に方向の違う磁気異方性が出
現し、透磁率が大幅に低下し初期の優れた磁気特
性が劣化し、薄膜磁気ヘツドの電磁変換効率が減
少するという問題点があつた。特に近年従来の
NiFe合金等の結晶質軟磁性膜に替わり磁極材料
として用いられつつある非晶質軟磁性膜では、非
晶質膜自身が熱的に不安定であり磁気特性の経時
変化が大きく、前述のヒートサイクルにより磁気
特性の劣化が一層促進されるという問題点があつ
た。
いては、情報の書込み時にコイルを流れるヘツド
駆動電流により熱を生じ、この熱により薄膜磁気
ヘツドの磁気回路を成す磁極（ポール・ピース）
は加熱・冷却というヒートサイクルを絶えず受け
ている。その為、薄膜磁気ヘツドの磁極内の磁区
構造が乱れ、局所的に方向の違う磁気異方性が出
現し、透磁率が大幅に低下し初期の優れた磁気特
性が劣化し、薄膜磁気ヘツドの電磁変換効率が減
少するという問題点があつた。特に近年従来の
NiFe合金等の結晶質軟磁性膜に替わり磁極材料
として用いられつつある非晶質軟磁性膜では、非
晶質膜自身が熱的に不安定であり磁気特性の経時
変化が大きく、前述のヒートサイクルにより磁気
特性の劣化が一層促進されるという問題点があつ
た。
そこで、本発明の目的は、以上の点に鑑み、磁
区構造が安定で磁気異方性が生じ難い薄膜磁気ヘ
ツド用磁極の提供にある。
区構造が安定で磁気異方性が生じ難い薄膜磁気ヘ
ツド用磁極の提供にある。
（問題点を解決するための手段）
前述の問題点を解決するために本発明が提供す
る薄膜磁気ヘツド用磁極は、非晶質軟磁性薄膜層
と結晶質硬磁性薄膜層とが各々少なくとも１層積
層してあり、前記非晶質軟磁性薄膜層及び前記結
晶質硬磁性薄膜層の磁化容易軸の方向が実質的に
同一であることを特徴とする。
る薄膜磁気ヘツド用磁極は、非晶質軟磁性薄膜層
と結晶質硬磁性薄膜層とが各々少なくとも１層積
層してあり、前記非晶質軟磁性薄膜層及び前記結
晶質硬磁性薄膜層の磁化容易軸の方向が実質的に
同一であることを特徴とする。
（作用）
本発明は上述の構成をとることにより従来の問
題点を改善した薄膜磁気ヘツド用磁気コア材料の
提供を可能とした。すなわち、非晶質軟磁性薄膜
層と結晶質硬磁性薄膜層とを各々少なくとも１層
積層することにより非晶質軟磁性薄膜層と結晶質
硬磁性薄膜層とを磁気的に結合して、前述したヘ
ツド駆動時のヒートサイクルによる磁気特性の劣
化、例えば透磁率の低下を抑制するものである。
題点を改善した薄膜磁気ヘツド用磁気コア材料の
提供を可能とした。すなわち、非晶質軟磁性薄膜
層と結晶質硬磁性薄膜層とを各々少なくとも１層
積層することにより非晶質軟磁性薄膜層と結晶質
硬磁性薄膜層とを磁気的に結合して、前述したヘ
ツド駆動時のヒートサイクルによる磁気特性の劣
化、例えば透磁率の低下を抑制するものである。
ここで、非晶質軟磁性薄膜層及び結晶質硬磁性
薄膜層の磁化容易軸方向とが実質的に一致する様
に積層化されることが望ましい。これは、前記両
磁性薄膜層の磁化容易軸方向が一致していない場
合には、前記非晶質軟磁性薄膜層の磁気特性が分
散的になり、保持力Hcが増大し、透磁率μが劣
化する等、薄膜磁気ヘツドの磁気コア材料として
用いるのは問題が生ずるからである。従つて、前
述した様に非晶質軟磁性薄膜層と結晶質硬磁性薄
膜層の磁化容易軸方向とがほぼ±20°位の範囲で
実質的に一致する様に積層することが肝要であ
る。
薄膜層の磁化容易軸方向とが実質的に一致する様
に積層化されることが望ましい。これは、前記両
磁性薄膜層の磁化容易軸方向が一致していない場
合には、前記非晶質軟磁性薄膜層の磁気特性が分
散的になり、保持力Hcが増大し、透磁率μが劣
化する等、薄膜磁気ヘツドの磁気コア材料として
用いるのは問題が生ずるからである。従つて、前
述した様に非晶質軟磁性薄膜層と結晶質硬磁性薄
膜層の磁化容易軸方向とがほぼ±20°位の範囲で
実質的に一致する様に積層することが肝要であ
る。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
第１図ａは本発明の第１実施例を示す断面図で
ある。この実施例では、セラミツクス等により成
る基板１上に、スパラタリング法あるいは蒸着法
等の薄膜形成技術を用いて膜厚300Å程度の結晶
質硬磁性薄膜層３、例えばNi−CO合金薄膜層が
２層と、膜厚5000Å程度の非晶質軟磁性薄膜層
２、例えばCo−Zr−Nb非晶質薄膜層が３層交互
に積層してある。同図ｂは本発明の第２の実施例
を示す断面図であり、この実施例では同図ａの実
施例と同様にして、基板１上に、膜厚300Å程度
の結晶質硬磁性薄膜層３が４層、膜厚3000Å程度
の非晶質軟磁性薄膜層２が５層交互に積層してあ
る。勿論、両実施例においては結晶質硬磁性薄膜
層３及び非晶質軟磁性薄積層２の磁化容易軸方向
は互いに一致して積層してある。
ある。この実施例では、セラミツクス等により成
る基板１上に、スパラタリング法あるいは蒸着法
等の薄膜形成技術を用いて膜厚300Å程度の結晶
質硬磁性薄膜層３、例えばNi−CO合金薄膜層が
２層と、膜厚5000Å程度の非晶質軟磁性薄膜層
２、例えばCo−Zr−Nb非晶質薄膜層が３層交互
に積層してある。同図ｂは本発明の第２の実施例
を示す断面図であり、この実施例では同図ａの実
施例と同様にして、基板１上に、膜厚300Å程度
の結晶質硬磁性薄膜層３が４層、膜厚3000Å程度
の非晶質軟磁性薄膜層２が５層交互に積層してあ
る。勿論、両実施例においては結晶質硬磁性薄膜
層３及び非晶質軟磁性薄積層２の磁化容易軸方向
は互いに一致して積層してある。
第１図ａ，ｂに示した実施例においては、結晶
質硬磁性薄膜層３と非晶質軟磁性薄膜層２とが磁
気的に結合されているから、非晶質軟磁性薄膜層
２は結晶質硬磁性薄膜層３との結合によるバイア
ス磁界を受けることとなる。従つて、前述したヘ
ツド駆動電流による発熱に基づくヒートサイクル
受けて、非晶質軟磁性薄膜層２の磁化状態に乱れ
を生じても、結晶質硬磁性薄膜層３によるバイア
ス磁界により、初期状態に復帰するから、安定な
磁化状態が実現される。このことは、非晶質軟磁
性薄膜層２の磁区状態が安定であることを意味し
ている。従つて、第１図ａ，ｂの実施例では、局
所的に方向の違う磁気異方性の発生が抑制され、
初期の優れた磁気特性が維持される。そこで、こ
れら実施例を用いることにより、電磁交換効率及
び信頼性の高い薄膜磁気ヘツドの実現が可能とな
り工業的な価値は高い。
質硬磁性薄膜層３と非晶質軟磁性薄膜層２とが磁
気的に結合されているから、非晶質軟磁性薄膜層
２は結晶質硬磁性薄膜層３との結合によるバイア
ス磁界を受けることとなる。従つて、前述したヘ
ツド駆動電流による発熱に基づくヒートサイクル
受けて、非晶質軟磁性薄膜層２の磁化状態に乱れ
を生じても、結晶質硬磁性薄膜層３によるバイア
ス磁界により、初期状態に復帰するから、安定な
磁化状態が実現される。このことは、非晶質軟磁
性薄膜層２の磁区状態が安定であることを意味し
ている。従つて、第１図ａ，ｂの実施例では、局
所的に方向の違う磁気異方性の発生が抑制され、
初期の優れた磁気特性が維持される。そこで、こ
れら実施例を用いることにより、電磁交換効率及
び信頼性の高い薄膜磁気ヘツドの実現が可能とな
り工業的な価値は高い。
尚、前述の実施例で示した構成、例えば各層の
膜厚、各層の構成材料は、本発明による磁極が用
いられる薄膜磁気ヘツドの仕様に応じて選定され
るべきものであつて本発明を規定するものでは無
いことは勿論である。例えば、前述の実施例で
は、非晶質軟磁性薄膜層としてCo−Zr−Nb非晶
質薄膜を挙げたが、本発明では非晶質軟磁性薄膜
層としてZr、Nb、Ti、Hf、Ｙ、Ｖ、Taのうち
少なくとも１つの元素とCoとの組合せから成る
Co−メタル系非晶質薄膜又はＢ、Bi、Ｐ、Geの
うちの少なくとも１つの元素とCoと若しくはCo
−Feとの組合せより成るCo−メタロイド系若し
くはCo−Fe−メタロイド系非晶質薄膜等が用い
得る。また、前述の実施例では結晶質硬磁性薄膜
層としてNi−Co合金薄膜層を例示したが、本発
明では結晶質硬磁性薄膜層としてNi−Co合金、
Co−Pt合金、CrO2薄膜、γ−Fe2D3薄膜等が用
い得る。
膜厚、各層の構成材料は、本発明による磁極が用
いられる薄膜磁気ヘツドの仕様に応じて選定され
るべきものであつて本発明を規定するものでは無
いことは勿論である。例えば、前述の実施例で
は、非晶質軟磁性薄膜層としてCo−Zr−Nb非晶
質薄膜を挙げたが、本発明では非晶質軟磁性薄膜
層としてZr、Nb、Ti、Hf、Ｙ、Ｖ、Taのうち
少なくとも１つの元素とCoとの組合せから成る
Co−メタル系非晶質薄膜又はＢ、Bi、Ｐ、Geの
うちの少なくとも１つの元素とCoと若しくはCo
−Feとの組合せより成るCo−メタロイド系若し
くはCo−Fe−メタロイド系非晶質薄膜等が用い
得る。また、前述の実施例では結晶質硬磁性薄膜
層としてNi−Co合金薄膜層を例示したが、本発
明では結晶質硬磁性薄膜層としてNi−Co合金、
Co−Pt合金、CrO2薄膜、γ−Fe2D3薄膜等が用
い得る。
（発明の効果）
本発明によれば、以上説明したように、磁区構
造が安定で磁気異方性が生じ難い薄膜磁気ヘツド
用磁極が提供できる。そこで、本発明の磁極を用
いれば、電磁変換効率の高い薄膜磁気ヘツドが実
現できる。
造が安定で磁気異方性が生じ難い薄膜磁気ヘツド
用磁極が提供できる。そこで、本発明の磁極を用
いれば、電磁変換効率の高い薄膜磁気ヘツドが実
現できる。
第１図ａ及びｂはそれぞれ本発明の第１及び第
２の実施例を示す模式的な断面図である。 １……基板、２……非晶質軟磁性薄膜層、３…
…結晶質硬磁性薄膜層。
２の実施例を示す模式的な断面図である。 １……基板、２……非晶質軟磁性薄膜層、３…
…結晶質硬磁性薄膜層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非晶質軟磁性薄膜層と結晶質硬磁性薄膜層と
が各々少なくとも１層積層してあり、前記非晶質
軟磁性薄膜層及び前記結晶質硬磁性薄膜層の磁化
容易軸の方向が実質的に同一であることを特徴と
する薄膜磁気ヘツド用磁極。 ２ 非晶質軟磁性薄膜層がZr、Nb、Ti、Hf、
Ｙ、Ｖ、Taのうち少なくとも１つの元素とCoと
の組合せより成るCo−メタル系非晶質薄膜又は
Ｂ、Si、Ｐ、Geのうち少なくとも１つの元素と
Co若しくはCo−Feとの組合せより成るCo−メタ
ロイド系若しくはCo−Fe−メタロイド系非晶質
薄膜である特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気
ヘツド用磁極。 ３ 結晶質硬磁性薄膜層がNi−Co合金、Co−Pt
合金、CrO2薄膜又はγ−Fe2D3薄膜である特許請
求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘツド用磁極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27733584A JPS61153813A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 薄膜磁気ヘツド用磁極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27733584A JPS61153813A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 薄膜磁気ヘツド用磁極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61153813A JPS61153813A (ja) | 1986-07-12 |
| JPH0559484B2 true JPH0559484B2 (ja) | 1993-08-31 |
Family
ID=17582090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27733584A Granted JPS61153813A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 薄膜磁気ヘツド用磁極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61153813A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63126208A (ja) * | 1986-11-15 | 1988-05-30 | Sony Corp | 組織変調軟磁性積層膜 |
| NL8802873A (nl) * | 1988-11-22 | 1990-06-18 | Philips Nv | Zachtmagnetische multilaagfilm en magneetkop voorzien van een dergelijke zachtmagnetische multilaagfilm. |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP27733584A patent/JPS61153813A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61153813A (ja) | 1986-07-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |