JPH0555313A - 半導体ウエハ - Google Patents
半導体ウエハInfo
- Publication number
- JPH0555313A JPH0555313A JP3211797A JP21179791A JPH0555313A JP H0555313 A JPH0555313 A JP H0555313A JP 3211797 A JP3211797 A JP 3211797A JP 21179791 A JP21179791 A JP 21179791A JP H0555313 A JPH0555313 A JP H0555313A
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- JP
- Japan
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- check
- wafer
- semiconductor wafer
- defective
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- Pending
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- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
修復不能なIC素子が存在することが分かった場合に
は、ウェハテストのコンタクトチェックの段階で不良と
して取り扱い、動作マージンチェックを省略できるよう
にして、チェック時間の短縮化が図れるようにするもの
である。 【構成】 半導体基板2上に形成された個々のIC素子
について、各IC素子が備える少なくとも一つの電極パ
ッド4に対して、コンタクト不良発生用のフューズ8を
接続した。
Description
れた各IC素子の電気的特性試験の時間短縮が可能な半
導体ウェハに関する。
いては、半導体ウェハを構成するSiの半導体基板の結
晶欠陥や、製造工程中での汚れ等に起因して、半導体基
板上に同時に形成される複数のIC素子が各々不良を発
生することがあるので、半導体ウェハを各IC素子ごと
に切り離してICチップとする前に、予め個々のIC素
子が所要の電気的特性を満足するか否かを半導体ウェハ
の状態で調べることが必要となる。
C素子が、たとえばRAMのようなものでは、上記の電
気的特性試験は、従来、次のようにして行われている。
等を用いて各メモリセルごとに回路が正常に動作するか
否かを調べるプリテストを行う。このプリテストで、た
とえば一つのビットを構成するメモリセルが動作しない
場合には、次のレーザトリミングの工程において、予め
修復用として形成されている冗長回路をレーザカットす
ることにより、冗長回路を経由して電気が流れるように
する。しかし、冗長回路の形成個数には限りがあるの
で、プリテストの段階で、多数のメモリセルが同時に不
良な場合には、修復不可能となる。
ICチップとして切り離すダイシング工程前の一枚の半
導体ウェハの状態にあるから、プリテストの段階で半導
体基板上の一つのIC素子が修復不能と分かった場合で
も、その不良のIC素子のみを切り離して除くことがで
きないので、この状態のままで次のウェハテストに移さ
れる。
を用いて、まず、電極パッドが内部の各メモリセルに接
続されているか否かを調べるコンタクトチェックを行
う。このコンタクトチェックにおいて、接続不良があれ
ば、そのIC素子は不良として、そのIC素子に不良マ
ークを付けるなどして良品のIC素子と識別できるよう
にする。コンタクトチェックに合格したIC素子につい
ては、引き続いて、内部の各メモリセルが正常に動作す
るか否かを調べる動作マージンチェックを行う。そし
て、この動作マージンチェックにおいて、あるメモリセ
ルが動作異常の場合には、該当するIC素子に対して不
良マークを付けるなどして良品のIC素子と識別できる
ようにする。
ェハをダイシングにより各IC素子ごとに切り離してI
Cチップとし、不良マークの付いたICチップを除いた
後、良品のICチップのみを次のアセンブリ工程に移送
する。
体ウェハの状態でプリテストからウェハテストまでを行
うので、プリテストの段階で修復不能なIC素子が存在
することが分かったとしても、これを除くことは困難
で、ウェハテストまで実施せざるを得ない。しかも、ウ
ェハテストの内でのコンタクトチェックは、単に電極パ
ッドとその内部回路との接続状態を確認するだけで、各
メモリセルの正常、異常を個別に確認するものではない
から、プリテストの段階で不良なIC素子であっても、
このコンタクトチェックでは必ずしも不良とはならず、
各メモリセルについての最終的な動作マージンチェック
が完了して始めて不良のIC素子に対して不良マークを
付けることになる。しかも、最終の動作マージンチェッ
クは、各メモリセルごとに動作確認を行うものであるか
ら、チェック時間がかかる。
ェハ中に修復不能なIC素子が存在することが分かって
いても、その不良のIC素子を含む全てのIC素子につ
いて最終的な動作マージンチェックを完了させないと不
良としてマークを付けられないので、ウェハテストにお
いてチェックに余分な時間がかかることになり、ICチ
ップの製作効率が悪いという問題があった。
解決するためになされたもので、プリテストの段階で修
復不能なIC素子が存在することが分かった場合には、
ウェハテストのコンタクトチェックの段階で不良として
取り扱い、動作マージンチェックを省略できるようにし
て、チェック時間の短縮化が図れるようにするものであ
る。
導体基板上に形成された個々のIC素子について、各I
C素子が備える少なくとも一つの電極パッドに対して、
コンタクト不良発生用のフューズを接続したことを特徴
としている。
路を用いても修復不能なIC素子が存在することが分か
った場合には、次のレーザトリミングの工程で、その該
当する不良なIC素子の電極パッドに接続されたフュー
ズをレーザカットする。これにより、電極パッドとその
内部回路とは断線状態となるから、次のコンタクトチェ
ックの段階でコンタクト不良と判断されるため、次の動
作マージンチェックをする必要がなく、その分、チェッ
ク時間が短縮できる。
ーズを備えたIC素子が形成された半導体ウェハを模式
的に示す回路図である。
体を示し、2はSiの半導体基板、4はこの半導体基板
2上に形成された各IC素子が備える多数の電極パッド
の内の一つを示し、6は電極パッド4に接続された一つ
の内部回路(本例ではNチャンネルのMOSトランジス
タ)である。
極パッド4とMOSトランジスタ6との間に、コンタク
ト不良発生用のフューズ8が接続されていることであ
る。
に示すように、プリテストの段階で冗長回路を用いても
修復不能なIC素子が存在することが分かった場合に
は、次のレーザトリミングの工程で、その該当する不良
なIC素子の一つの電極パッド4に接続されたフューズ
8をレーザカットする。これにより、電極パッド8とそ
の内部のMOSトランジスタ6とは断線状態となるか
ら、次のコンタクトチェックにおいて、ウェハプローブ
を電極パッド4に接触させて負電圧を加えても、このM
OSトランジスタ6には電流が流れないため、この段階
でそのMOSトランジスタ6を含むIC素子はコンタク
ト不良と判断される。
ンチェックをする必要がなく、その分、チェック時間が
短縮される。
内部回路6との間にヒューズ8を設けたが、これに限定
されるものではなく、たとえば、内部回路6との接地端
子との間にヒューズ8を設けてもよいのは勿論である。
復不能なIC素子が存在することが分かった場合には、
ウェハテストのコンタクトチェックの段階で不良として
取り扱い、動作マージンチェックを省略できるので、そ
の分、チェック時間の短縮化が図れ、製作効率が向上す
る。
えたIC素子が形成された半導体ウェハを模式的に示す
回路図である。
性試験の工程を示すフローチャートである。
6…MOSトランジスタ(内部回路)、8…ヒューズ。
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体基板上に形成された個々のIC素
子について、各IC素子が備える少なくとも一つの電極
パッドに対して、コンタクト不良発生用のフューズを接
続したことを特徴とする半導体ウェハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3211797A JPH0555313A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体ウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3211797A JPH0555313A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体ウエハ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0555313A true JPH0555313A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16611770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3211797A Pending JPH0555313A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体ウエハ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0555313A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07142547A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-06-02 | Nec Corp | チップ毎に冗長回路を有するicメモリのテスト方法お よびテストシステム |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP3211797A patent/JPH0555313A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07142547A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-06-02 | Nec Corp | チップ毎に冗長回路を有するicメモリのテスト方法お よびテストシステム |
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Legal Events
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