JPH0554713B2 - - Google Patents
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- JPH0554713B2 JPH0554713B2 JP15905585A JP15905585A JPH0554713B2 JP H0554713 B2 JPH0554713 B2 JP H0554713B2 JP 15905585 A JP15905585 A JP 15905585A JP 15905585 A JP15905585 A JP 15905585A JP H0554713 B2 JPH0554713 B2 JP H0554713B2
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 indium phosphorus compound Chemical class 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は外付けレンズを用いない、微細加工
技術のみで出来る集光機能を備えた発光ダイオー
ドに関するものである。
技術のみで出来る集光機能を備えた発光ダイオー
ドに関するものである。
第3図は従来の半導体発光装置を示す断面図で
あり、1はp形インジウム燐化合物半導体(以下
p−InPと略記)基板2はp−InPバツフア層、
3はp形インジウム・ガリウム砒素燐化合物半導
体(以下p−InGaAsPと略記)クラツド層、4
はp−InGaAsP活性層、5はlt−InGaAsP(n−
はn形の意)クラツド層、6はn形インジウム・
ガリウム砒素化合物半導体(以下n−InGaAsと
略記)コンタクト層であり、2〜6はp−InP基
板1上にエピタキシヤル成長させたものである。
7は二酸化シリコン(以下SiO2と略記)などの
絶縁層8および9は電極、10は球レンズ、11
は球レンズ10を基板1上に固定するための接着
材、12は活性層4の一部であつて、発光に寄与
する発光領域である。
あり、1はp形インジウム燐化合物半導体(以下
p−InPと略記)基板2はp−InPバツフア層、
3はp形インジウム・ガリウム砒素燐化合物半導
体(以下p−InGaAsPと略記)クラツド層、4
はp−InGaAsP活性層、5はlt−InGaAsP(n−
はn形の意)クラツド層、6はn形インジウム・
ガリウム砒素化合物半導体(以下n−InGaAsと
略記)コンタクト層であり、2〜6はp−InP基
板1上にエピタキシヤル成長させたものである。
7は二酸化シリコン(以下SiO2と略記)などの
絶縁層8および9は電極、10は球レンズ、11
は球レンズ10を基板1上に固定するための接着
材、12は活性層4の一部であつて、発光に寄与
する発光領域である。
従来の半導体発光装置は上記のように構成さ
れ、電極8,9より注入電流を与えると活性層4
中の発光領域12より等方的に光が輻射される。
基板1につけられた球レンズ10によつて集光さ
れ外部に導びかれるようになつている。なお、発
光領域12に電流が集中し、また、電子正孔対の
再結合が集中的に生じさらに発光領域12から球
レンズ10までに発生した光が充分透過できるよ
うに、基板1およびエピタキシヤル層2〜6それ
ぞれの伝導形や、禁止帯幅が選ばれている。
れ、電極8,9より注入電流を与えると活性層4
中の発光領域12より等方的に光が輻射される。
基板1につけられた球レンズ10によつて集光さ
れ外部に導びかれるようになつている。なお、発
光領域12に電流が集中し、また、電子正孔対の
再結合が集中的に生じさらに発光領域12から球
レンズ10までに発生した光が充分透過できるよ
うに、基板1およびエピタキシヤル層2〜6それ
ぞれの伝導形や、禁止帯幅が選ばれている。
上記のような従来の半導体発光装置では球レン
ズ10を基板1に接着材11で固定するのは勿
論、球レンズ10の必要外の部分に接着材11で
よごさないようにするのに熟練を要する等の問題
点があつた。
ズ10を基板1に接着材11で固定するのは勿
論、球レンズ10の必要外の部分に接着材11で
よごさないようにするのに熟練を要する等の問題
点があつた。
この発明はかかる問題点を解決するためになさ
れたもので、球レンズに代る他の手段を適用する
ことにより、熟練を必要とせず製造できる半導体
発光装置を得ることを目的としている。
れたもので、球レンズに代る他の手段を適用する
ことにより、熟練を必要とせず製造できる半導体
発光装置を得ることを目的としている。
この発明に係る半導体発光装置は、集光用回折
多重リングを複数のエピタキシヤル領域の一部で
ある発光領域より所定の位置に固定したものであ
る。
多重リングを複数のエピタキシヤル領域の一部で
ある発光領域より所定の位置に固定したものであ
る。
この発明においては、集光手段として、集光用
回折多重リングを採用したので、比較的熟練を要
しない微細加工法で製造できるようにする。
回折多重リングを採用したので、比較的熟練を要
しない微細加工法で製造できるようにする。
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図であ
り、1〜9および12は上記従来装置とまつたく
同一のものである。10Aは光の回折現象を利用
し、実効的にレンズの働きをする基板1上に設け
られた集光用回折リングであつて、この実施例で
は禁止帯幅が、活性層4より狭い従つて発生した
光を透さないp−InGaAsのエピタキシヤル層を
成長したのち、不要部分を微細加工技術により除
去したものである。第2図はこの集光用回折多重
リング10Aの平面形状を示す図である。各リン
グの半径や幅は発生する光の波長、光源と集光予
定位置それぞれまでの距離で定まるもので具体的
な製造方法は通常のマスクの製造方法のように原
図の縮少で作る方法や、近似的には光の干渉を利
用したニユートンリングでパターンを作る方法な
どがある。
り、1〜9および12は上記従来装置とまつたく
同一のものである。10Aは光の回折現象を利用
し、実効的にレンズの働きをする基板1上に設け
られた集光用回折リングであつて、この実施例で
は禁止帯幅が、活性層4より狭い従つて発生した
光を透さないp−InGaAsのエピタキシヤル層を
成長したのち、不要部分を微細加工技術により除
去したものである。第2図はこの集光用回折多重
リング10Aの平面形状を示す図である。各リン
グの半径や幅は発生する光の波長、光源と集光予
定位置それぞれまでの距離で定まるもので具体的
な製造方法は通常のマスクの製造方法のように原
図の縮少で作る方法や、近似的には光の干渉を利
用したニユートンリングでパターンを作る方法な
どがある。
この実施例のものは上記のように構成したので
従来のものが球レンズ10で集光する所を、集光
用回折多重リング10Aに変えたのみで他はまつ
たく同じであるから、従来のものと同等の動作を
期待できることは明白である。
従来のものが球レンズ10で集光する所を、集光
用回折多重リング10Aに変えたのみで他はまつ
たく同じであるから、従来のものと同等の動作を
期待できることは明白である。
以上の説明からこの実施例では、集光用回折多
重リング10Aは比較的熟練を要しない微細加工
技術により作られるので前述の問題点が解決され
る。
重リング10Aは比較的熟練を要しない微細加工
技術により作られるので前述の問題点が解決され
る。
なお上記実施例では、集光用回折多重リング1
0Aに発生する光を丁度吸収する禁止帯幅の半導
体InGaAsを用いたが、透過しないものであれば
何でもよく、例えば金属のようなものでもよい。
さらに基板1に不純物をイオン注入し深く高濃度
の再結合中心を多重リング状に形成してもよい。
0Aに発生する光を丁度吸収する禁止帯幅の半導
体InGaAsを用いたが、透過しないものであれば
何でもよく、例えば金属のようなものでもよい。
さらに基板1に不純物をイオン注入し深く高濃度
の再結合中心を多重リング状に形成してもよい。
また上記実施例では集光用回折多重リング10
Aは基板1表面に固定される場合について述べた
が、先に述べたように光は発光領域12より等方
的に放射するので、集光用回折多重リング10A
はどの位置にあつてもよいが複数のエピタキシヤ
ル領域2〜7の最外側領域の表面基板1とエピタ
キシヤル領域2〜7とで作る4つの側面に設ける
のが好ましい。その際、前者の場合、表面が平坦
になるように新たにエピタキシヤル領域を追加し
たり、発光領域12から多重リング10Aまでの
間で光をさえぎらないようにその間の半導体の禁
止帯幅を充分に大に選び、電極8に開口を設け、
後者の場合には、リング10Aによつて注入電流
をバイパスしないように適当な絶縁膜を介して固
着するなどの注意を払うことは云うまでもない。
Aは基板1表面に固定される場合について述べた
が、先に述べたように光は発光領域12より等方
的に放射するので、集光用回折多重リング10A
はどの位置にあつてもよいが複数のエピタキシヤ
ル領域2〜7の最外側領域の表面基板1とエピタ
キシヤル領域2〜7とで作る4つの側面に設ける
のが好ましい。その際、前者の場合、表面が平坦
になるように新たにエピタキシヤル領域を追加し
たり、発光領域12から多重リング10Aまでの
間で光をさえぎらないようにその間の半導体の禁
止帯幅を充分に大に選び、電極8に開口を設け、
後者の場合には、リング10Aによつて注入電流
をバイパスしないように適当な絶縁膜を介して固
着するなどの注意を払うことは云うまでもない。
また、上記実施例では集光用回折多重リング1
0Aは他の構成要素と一体化された場合であつた
が、第4図に示すように他の基板21上に形成し
発光領域12より所定の位置に固定するようにし
てもよい。
0Aは他の構成要素と一体化された場合であつた
が、第4図に示すように他の基板21上に形成し
発光領域12より所定の位置に固定するようにし
てもよい。
また、上記実施例では、集光用回折多重リング
10Aは電極8,9とは別のものであつたが、第
5図に示す如く第1図の電極9に対応する電極9
Aの一部9A2としてもよい。この場合、工程を
1つ減らすことが出来る新たな効果がある。な
お、他の一部9A1は第1図の電極9に丁度対応
する。なお、第5図では多重リング部9A2と本
来の電極部分9A1とが一部で結合している場合
を示したが、分離されていてもさしつかえない。
10Aは電極8,9とは別のものであつたが、第
5図に示す如く第1図の電極9に対応する電極9
Aの一部9A2としてもよい。この場合、工程を
1つ減らすことが出来る新たな効果がある。な
お、他の一部9A1は第1図の電極9に丁度対応
する。なお、第5図では多重リング部9A2と本
来の電極部分9A1とが一部で結合している場合
を示したが、分離されていてもさしつかえない。
また、上記実施例では集光用回折多重リング1
0Aは同心円で各円の直径は、計算で求められる
ものの場合について述べたが、円心円員園から多
少ずれても直径が計算値からずれていても、ずれ
の度合に応じて、集光作用がある程度期待できる
ことなど云うまでもない。
0Aは同心円で各円の直径は、計算で求められる
ものの場合について述べたが、円心円員園から多
少ずれても直径が計算値からずれていても、ずれ
の度合に応じて、集光作用がある程度期待できる
ことなど云うまでもない。
また、上記実施例ではInP、InGaAsP、
InGaAs系の半導体発光装置について述べたが、
これに限定されることなく、例えばGaAs(ガリ
ウム砒素化合物半導体)、GaAlAs(ガリウム・ア
ルミニウム砒素化合物半導体)系の半導体発光装
置にも適用できることは云うまでもない。
InGaAs系の半導体発光装置について述べたが、
これに限定されることなく、例えばGaAs(ガリ
ウム砒素化合物半導体)、GaAlAs(ガリウム・ア
ルミニウム砒素化合物半導体)系の半導体発光装
置にも適用できることは云うまでもない。
また、発光領域12と集光用回折多重リング1
0Aとの間の距離はこの多重リング10Aの微細
加工の限界等からある程度離れていることが望ま
しいことなどは云うまでもない。この観点からは
第4図の変形例の場合距離を自由に選べるので有
利である。
0Aとの間の距離はこの多重リング10Aの微細
加工の限界等からある程度離れていることが望ま
しいことなどは云うまでもない。この観点からは
第4図の変形例の場合距離を自由に選べるので有
利である。
この発明は以上説明したとおり、従来の球レン
ズの代りに集光用回折多重リングを用いたので製
造が、比較的容易な微細加工技術で行えるように
できる効果がある。
ズの代りに集光用回折多重リングを用いたので製
造が、比較的容易な微細加工技術で行えるように
できる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図、第
2図はこの発明の第1図の集光用回折多重リング
10Aを示す平面図、第3図は従来の半導体発光
装置を示す断面図、第4図はこの発明の他の実施
例を示す断面図、第5図はこの発明の他の実施例
の部分を示す平面図である。 図において1は基板、2〜7はエピタキシヤル
領域、8,9はいずれも電極、9Aは集光用回折
多重リングを兼ねる電極、10Aは集光用回折多
重リング、12は発光領域である。なお、各図中
同一符号は同一または相当部分を示す。
2図はこの発明の第1図の集光用回折多重リング
10Aを示す平面図、第3図は従来の半導体発光
装置を示す断面図、第4図はこの発明の他の実施
例を示す断面図、第5図はこの発明の他の実施例
の部分を示す平面図である。 図において1は基板、2〜7はエピタキシヤル
領域、8,9はいずれも電極、9Aは集光用回折
多重リングを兼ねる電極、10Aは集光用回折多
重リング、12は発光領域である。なお、各図中
同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 1 基板と、この基板上に形成された複数のエピ
タキシヤル領域と、前記基板とエピキシヤル領域
に設けられ注入電流を供給する複数の電極と、イ
オン注入により前記基板表面、前記エピタキシヤ
ル領域の最外側領域の表面、前記基板と前記エピ
タキシヤル領域の側面のうちいずれかの面近傍に
形成された集光用回折多重リングとを備えたこと
を特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60159055A JPS6218076A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 半導体発光装置 |
CA000513585A CA1287155C (en) | 1985-07-16 | 1986-07-11 | Semiconductor light emission device with multiple diffraction ring |
GB8617210A GB2179203B (en) | 1985-07-16 | 1986-07-15 | A semiconductor light emission device |
US06/886,094 US5038354A (en) | 1985-07-16 | 1986-07-16 | Semiconductor light emitting, light concentrating device |
GB8908010A GB2217911B (en) | 1985-07-16 | 1989-04-10 | A semiconductor light emission device |
US07/691,864 US5181220A (en) | 1985-07-16 | 1991-04-26 | Semiconductor light emitting light concentration device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60159055A JPS6218076A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6218076A JPS6218076A (ja) | 1987-01-27 |
JPH0554713B2 true JPH0554713B2 (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=15685235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60159055A Granted JPS6218076A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 半導体発光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5038354A (ja) |
JP (1) | JPS6218076A (ja) |
CA (1) | CA1287155C (ja) |
GB (2) | GB2179203B (ja) |
Families Citing this family (6)
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---|---|---|---|---|
US5181220A (en) * | 1985-07-16 | 1993-01-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting light concentration device |
US5101454A (en) * | 1991-02-20 | 1992-03-31 | At&T Bell Laboratories | Light emitting diode with multifaceted reflector to increase coupling efficiency and alignment tolerance |
FI116918B (fi) * | 2000-12-13 | 2006-03-31 | Modines Ltd Oy | Säteenmuokkaaja |
WO2004090976A2 (en) * | 2003-04-02 | 2004-10-21 | Sun Microsystems, Inc. | Optical communication between face-to-face semiconductor chips |
JP5993202B2 (ja) * | 2012-05-15 | 2016-09-14 | 日本放送協会 | 発光素子および発光素子アレイ |
DE102021129972A1 (de) * | 2021-11-17 | 2023-05-17 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5199989A (ja) * | 1975-02-28 | 1976-09-03 | Fujitsu Ltd | |
JPS52121345A (en) * | 1976-04-05 | 1977-10-12 | Nat Res Dev | Optical connector* optical connecting system and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3649837A (en) * | 1967-07-13 | 1972-03-14 | Kurt Lehovec | Diffractive image-forming means integrated into semiconducting devices |
US3569997A (en) * | 1967-07-13 | 1971-03-09 | Inventors And Investors Inc | Photoelectric microcircuit components monolythically integrated with zone plate optics |
US3668404A (en) * | 1970-09-29 | 1972-06-06 | Kurt Lehovec | Electro-optical microtransducer comprising diffractive element monolithically integrated with photoelectric device |
FR2404307A1 (fr) * | 1977-09-27 | 1979-04-20 | Centre Nat Etd Spatiales | Cellules solaires a double heterojonction et dispositif de montage |
JPS5793163U (ja) * | 1980-11-28 | 1982-06-08 | ||
JPS59129467A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-25 | Toshiba Corp | 複合光半導体素子 |
JPS60121657U (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-16 | 株式会社島津製作所 | フアイバ通信用発光ダイオ−ド |
-
1985
- 1985-07-16 JP JP60159055A patent/JPS6218076A/ja active Granted
-
1986
- 1986-07-11 CA CA000513585A patent/CA1287155C/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-15 GB GB8617210A patent/GB2179203B/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-07-16 US US06/886,094 patent/US5038354A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-04-10 GB GB8908010A patent/GB2217911B/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5199989A (ja) * | 1975-02-28 | 1976-09-03 | Fujitsu Ltd | |
JPS52121345A (en) * | 1976-04-05 | 1977-10-12 | Nat Res Dev | Optical connector* optical connecting system and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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