JPH055367B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、各種電子機器の回路の組立てに使用
されるチツプ型のセラミツクコンデンサに関す
る。

従来の技術 チツプ型のセラミツクコンデンサには、直方体
状のもの、円柱状のもの、円筒状のもの等、種々
あるが、このうち円筒状のセラミツクコンデンサ
は一般に第３図に示すような構造とされている。

即ち、表面と内面に電極２，２を形成した円筒
状のセラミツク素体１の両端部に、予め半田めつ
きを内面に施したキヤツプ３，３を被嵌し、これ
を加熱炉内で加熱したりして該半田を再溶融（リ
フロー）させることによつて、電極２，２とキヤ
ツプ３，３の電気的接触を確実にすると同時に、
キヤツプ３，３を確実にセラミツク素体１に固着
させ、更にプリント基盤等に対する半田付け性を
高めるためにキヤツプ３，３の外面にも半田めつ
き等を施した構造とされている。このような円筒
状のセラミツクコンデンサでは、一般に電極２，
２として銀電極が採用されるが、かかる銀電極
２，２は水分が存在するとマイグレーシヨンを生
じ、電極２，２同志が短絡するおそれがあるの
で、このマイグレーシヨンを未然に防止するた
め、通常は、電極２，２のセラミツク素体表面へ
の露出部分に半田めつきや銅めつきを施し、更に
図示の如くエポキシ樹脂等の熱硬化性外装樹脂で
被覆４を形成している。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のようなセラミツクコンデ
ンサでは、キヤツプ３の内面にめつきした半田を
加熱してリフローさせる工程、及び熱硬化性外装
樹脂の被覆４を加熱硬化させる工程において、セ
ラミツク素体１にヒートシヨツクがかかるため、
セラミツクコンデンサの特性低下を招く虞があ
る。また、このような半田のリフロー工程、被覆
４の加熱硬化工程の他に、前述の如きマイグレー
シヨン防止のための電極２，２へのめつき工程
等、種々の工程が必要となるので全工程数が多く
なるといつた問題もある。これらの問題は、円筒
状セラミツクコンデンサの場合のみならず、円柱
状セラミツクコンデンサの場合でも生じる問題で
あるが、特に円筒状セラミツクコンデンサの場合
は、更に次のような問題がある。

即ち、円筒状であると、上記の外装樹脂を加熱
硬化させる途中で円筒状のセラミツク素体１の内
部の空気が膨張し、まだ充分に硬化していない外
装樹脂の被覆４を突き破つて外部へ逃ることがあ
るので、被覆４に微細な通気孔が形成されて封止
不良となることがあり、そのため、この通気孔を
通じて外部から侵入した湿つた空気により、電極
２，２のマイグレーシヨンを生じ易いといつた問
題がある。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するため、本発明のセラミツ
クコンデンサは、表面に電極を有するセラミツク
素体の端部に金属キヤツプを被せ、該金外キヤツ
プ全表面と金属キヤツプから露出した上記電極全
外表面とを共通のめつき膜で被覆したことを特徴
としている。

作 用 上記構成のセラミツクコンデンサは、電極とキ
ヤツプとが共通のめつき膜で被覆されているの
で、従来のように金属キヤツプ内面の半田をリフ
ローさせなくても、キヤツプと電極とを確実に電
気的接触させることができ、かつ、セラミツク素
体に対してセラミツク素体に対して固着された電
極を介してキヤツプを確実に固着させることがで
きる。また、電極のマイグレーシヨンを防ぐため
に電極にわざわざ半田めつき等を施さなくても、
且つ半田付け性を高めるために金属キヤツプの外
面に半田めつき等を施さなくても、上記の共通の
めつき膜がそれらの代用として役立つ。従つて、
金属キヤツプ内外面へのめつき工程、そのリフロ
ー工程、マイグレーシヨン防止のための電極への
めつき工程等を省略することが可能になつて製造
効率が大幅に向上すると共に、金属キヤツプ内面
の半田のリフロー工程で受けるヒートシヨツクの
問題が解消され、その分、特性低下の虞が少なく
なる。

さらに、円筒状のセラミツクコンデンサの場合
でも、上記した共通のめつき膜によつてセラミツ
ク素体の封入空気の外部への放出が阻止されるた
め、外装樹脂被覆の加熱硬化時に空気放出による
通気孔が形成されなくなり、従つて、通気孔より
侵入する湿つた外気によつて電極がマイグレーシ
ヨンを生じて相手側電極と短縮することもなくな
る。

実施例 以下、本発明の実施例を第１図及び第２図を参
照して説明する。

第１図は円筒状のセラミツク素体１を使用した
円柱状セラミツクコンデンサを例示している。こ
のセラミツクコンデンサでは、セラミツク素体１
の両端部にそれぞれ電極２，２が形成されてお
り、これらの電極２，２を覆う金属キヤツプ３，
３が上記セラミツク素体１の両端部に被せられて
いる。また、上記した電極２のセラミツク素体及
び金属キヤツプ３とから露出した全外表面と金属
キヤツプ３の全外表面とは共通のめつき膜５によ
つて被覆されており、それらの周囲に樹脂被覆４
が施されている。

このようなセラミツクコンデンサにおいては、
共通のめつき膜５によつて電極２と金属キヤツプ
３との確実な接触状態が図られると共に、セラミ
ツク素体１に対して該キヤツプ３がセラミツク素
体に保持された電極を介して確実に保持される。
従つて、第１図のセラミツクコンデンサを製造す
る場合は、金属キヤツプ３の内面に半田めつき等
を施す必要はなく該キヤツプ３をセラミツク素体
１の端部に被せ、その後めつき膜５を形成すれば
よく、従来のように、内面に半田めつきを施した
キヤツプをセラミツク素体に被せた後、リフロー
によつてキヤツプと電極との接触を確実にしたり
セラミツク素体に対してキヤツプを確実に保持さ
せたりする必要がない。また、セラミツク素体１
の外面に形成されている電極２のマイグレーシヨ
ンも上記した共通のめつき膜５によつて阻止され
る。これらにより、第１図のセラミツクコンデン
サは、製造工程中に受けるヒートシヨツクが従来
のものよりも大幅に軽減されており、その分、特
性低下が阻止される。また、共通のめつき膜５
は、金属キヤツプ３，３の外面全体を覆うように
形成されているので、従来のようにキヤツプ３に
あらかじめ半田めつきを別途施す必要もない。

第２図は円筒状のセラミツク素体１を使用した
円筒状セラミツクコンデンサを例示している。円
筒状のセラミツク素体１を使用した場合は、上述
したように、外装樹脂の被覆４を加熱硬化時に、
セラミツク素体１の内部に封入されている空気が
膨張し、まだ充分に硬化していない外装樹脂被覆
４を突き破つて外部に逃げることがあるので、そ
のときに形成された微細な通気孔から侵入する湿
つた外気によつて、セラミツク素体１の内面に形
成されている電極２にマイグレーシヨンを生じさ
せることが懸念されるが、この点は、電極２とキ
ヤツプ３とを被覆している共通のめつき膜５によ
つて上記封入空気の放出が確実に阻止されるので
全く問題ない。その他の事項は第１図で説明した
ところと同様である。

尚、めつき膜５は半田、錫、銅等の金属を電極
２及びキヤツプ３に電解めつきや無電解めつきす
ることによつて容易に形成できる。

発明の効果 上記のように、本発明のセラミツクコンデンサ
は、電極とセラミツク素体の端部に被せられたキ
ヤツプとを金属キヤツプ全外表面とこの金属キヤ
ツプから露出した電極全外表面とを覆う共通のめ
つき膜によつて被覆したので、そのめつき膜によ
つて両者の電気的接触とセラミツク素体に対する
キヤツプの固着とが確実に図られる。従つて、そ
の製造工程中から上述したリフロー工程を省略で
きるばかりでなく、従来は不可欠であつた電極の
マイグレーシヨンを防ぐためのめつき工程やプリ
ント基板との半田付け性を改善するためのキヤツ
プ表面に対するめつきの形成も省略できるので、
製造能率が大幅に向上し、且つリフロー時のヒー
トシヨツクによる特性低下の虞もなくなる。ま
た、円柱状セラミツクコンデンサの場合でも、外
装樹脂の被覆を加熱硬化させる際に共通のめつき
膜が封止膜として作用し、膨張した封入空気の放
出を阻止するので、該被覆に通気孔が形成される
ことはなく、従つて、湿つた外気の侵入によつて
電極のマイグレーシヨンを生じることも未然に防
止される。さらに、本発明のセラミツクコンデン
サは、外部からめつき膜を視認できるので、その
めつき膜を見てセラミツク素体に対するキヤツプ
の保持状態の良否や電極とキヤツプとの電気的接
触状態の良否を判断できる利点もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例による円筒状のセラミ
ツク素体を使用したセラミツクコンデンサを示す
断面図、第２図は同円柱状のセラミツク素体を使
用したセラミツクコンデンサを示す断面図、第３
図は従来のセラミツクコンデンサを示す断面図で
ある。 １……セラミツク素体、２……電極、３……金
属キヤツプ、５……めつき膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 表面に電極を有するセラミツク素体の端部に
   金属キヤツプを被せ、該金属キヤツプ全外表面と
   金属キヤツプから露出した上記電極全外表面とを
   共通のめつき膜で被覆したことを特徴とするセラ
   ミツクコンデンサ。