JPH05508509A - コンパクトディスクのコーティング用改良スパッタリングターゲットとその使用方法及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 コンパクトデ　スフのコーチ　ング　スパッタリングターゲットとその　゛　び 　の°′６　゛及孔立技皿丘！ 本発明は、コンパクトディスクのような基板の環状領域に対して金属コーティン グを施す陰極性スパッタリング装置に用いる上で好適なスパッタリング用ターゲ ットに関する。スパッタリングによるコーティング処理で用いるこの種のターゲ ットの使用方法も本発明の範囲にふくまれる。

木見五五互１ スパッタリング装置は、従来、基板上にある種の材料の薄膜を析着させる目的で 使用される。この種の装置は、基板上に薄膜としてすなわちコーティングとして 折着される材料から成る面をもつターゲット陰極に対するガスによるイオンボン バードメントが含まれる。

該ターゲットは陰極アッセンブリの一部を構成し、該陰極アッセンブリは陽極と 共に、例えばアルゴンのような不活性ガスを含んだ排気可能な室内に配置される 。陰極と陽極に対して高電圧が印加され該ガスの粒子をイオン化する。正電荷を もったガスイオンは陰極に引きつけられターゲット表面に衝撃的に突き当りその 結果ターゲット材料を放出する。このように放出された陰極ターゲット材料は排 気可能な室（一般に真空室という）を通って薄膜として所望の基板上に折着する のであって該基板は一般に該陽極の近傍に設けられている。

電場を用いる他に、付加的に、アーチ形磁場を併用してスパッタリング率を増大 することが行われるのであって、該アーチ形磁場は該電場と重なり合っており、 しかもスパッタリングターゲット表面上を閉塞したループ状をなしている。

これらの方法はマグネトロンスパッタリング法として公知である。アーチ形磁場 はターゲット表面に隣接する環状領域内に電子を捕え、その結果、該領域内での 電子とガス原子との衝突回数を増大し、ターゲット材料を放出するためにターゲ ットを打撃する領域にある正電荷ガスイオンの数の増大をもたらす。従って、該 ターゲット材料は、ターゲットのレースウェイとして知られるターゲツト面の大 体環状をした部分内の侵食（すなわち、基板上に折着するために消費される）を するようになる。

しばしば実施されることだが、陰極性スパッタリングは、極限的に薄い導電性膜 からなる、シリコンウェハのような半導体要素を薄膜コーティングに用いられる 。このような場合、他の場合と同様に、目的とするところは均一な薄膜コーティ ングを半導体要素上に形成することである。　１９８７年７月７８月、Ａ　５　 （４）　、　Ｊｏｕｒ、　Ｖａｃｕｕｍ　５ｃｉｅｎｃｅ　＆Ｔｅｃｈｎｏ１ｇ ｙ　（ｒ真空の科学と技術」、誌）、に発表の題目″（：ｒｙｓｔａｌｌｏｇｒ ａｐｈＬｃ　Ｔａｒｇｅｔ　Ｅｆｆｅｃｔｓ　ｉｎ　ＭａｇｎｓｔｒｏｎＳｐｕ ｔｌｅｒｉｎｇ　Ｓｙｓｔｅｍｓ　”　（マグネトロンスパッタリング装置にお ける結晶組織をもつターゲットの効果」）の中で、Ｗｉｃｋｅｒｔｓｈａｍ博士 は、Ｗｅｈｎｅｒら（１）と共に行った早いころの研究（注（１）　、　Ｇ、に 、Ｗｅｈｎｅｒ、Ｊ、＾９ｐ１．Ｐｈｙｓ、　２６．１０５６（１９５５）及び Ｇ、に、ｌ！Ｉｅｈｎｅｒ、Ｐｈｙｓ、Ｒｅｖ、１０２．６９０　（１９５Ｂ） 　）について次のように報告している。すなわち、緻密な多結晶性組織をもった スパッタリングターゲットを用いて施工したスパッタリングによるコーティング に対する均一性は該ターゲットのもつ結晶組織の方向性を制御することによって 増大できるということである。この均一性に対する希望があったために、基板中 心部に最大の厚さを有し、半径方向外方に次第に薄くなっているそのような析着 物をもつ基板とならないように均一な折着物をもつように結晶組織的方向性が制 御されているターゲットの生産をすることとなった。

現在、コンパクトディスク（ＣＤ）の製造は次第にその重要性が増しつつあるス パッタコーティング分野となりつつあり、該スパッタコーティング分野において は、円盤状基板上のアルミニウム薄膜に所望の音声情報を記憶するのに適用され ている。しかし、ディスク基板全体に及んで均一なコーティングを望むことと対 照的に、この操作はアルミニウム環を必要とするのであって、該環は、図１に見 るように、マイラープラスティック（商品名）のような基板６の上に用いられる 標準的なコンパクトディスク４の環状領域２により示されているような環である 。この目的のために、図２に概略的に示しであるようなスパッタリング装置が用 いられているのであって、該装置においては、スパッタリング処理される基板６ は１つの制御用口径８を有し、該口径は脱着自在な覆い板１２とマスク部分１４ ．１６をもつ心棒によりスパッタリング装置用真空室の中に固設されている。タ ーゲット１８はこのようにして基板６を遮蔽しているアッセンブリの覆い板１２ とマスク部分１４．１６を用いて基板６全体に対して均一にターゲット１８がス パッタ処理を施す、その結果、基板上の所望の環状部分２に対するスパッタコー ティングが行われその結果図１に示すようなＣＤ４を生成する。

このような従来法によるＣＤスパッタリング装置においては、ターゲットからデ ィスクマスク表面に到るコーティング材料の均一な放射により実際にはスパッタ された材料の無駄が発生するのであって、それは、これらコーティング用材料が 、マスク１４．１６及び覆い板１２などのＣＤ上にある部分と接触するからであ る。この事実は、シリコンウニ八などの基板上に均一なコーティングを施さんと することと相反することになる。

従って、１個のスパッタリングターゲット毎にコーティングを施されるＣＤの数 を増すためには、コーティングが望まれる環状基板領域に対して所望の種類のコ ーティング材料を放射することができるようなそのような好ましいターゲット材 料を提供することが望まれる。加えて、そのような制御の行きとどいたターゲッ ト放射をすることにより、収集効率が増す。

見回３Ｊ０１螢註朋 本発明によれば、驚異的に見出されたことは、ターゲット用金属の金属格子の最 密方向における規定の結晶組織的方向性は、陰極性スパッタリング装置における ＣＤ基板の環状領域を、実際に好適にコーティングを施す不均一な放射を提供す る上で効果的であるということである。簡単に言えば、該ターゲットの最密方向 に方向づけられているということであって、以降に説明するように、そのやり方 は、コーティングを施される基板表面の平面に対して実質的に直角（すなわち９ ０°±１５１の角度）をもって−線上に揃えられている。

本発明について、更に添付の図面を用いて説明する。

ｍ−１ 図１は標準的コンパクトディスクの概略図であり；図２は商業上用いられるＣＤ スパッタリング装置のターゲットと基板の配置の概略を示す図； 図３は、面心立方原子格子配列を示す概略図；図４は１のｂ　／　ａをもつ不定 形焼結粉体から成るターゲット１８用の正常な放射被覆を示す概略図：図５は約 ３のｂ／ａをもつターゲット１８の正常な放射被覆を示す概略図； 図６は本発明のターゲットであって、従来の商業用ＣＤスパッタリング装置内に 装着された状態を示す概略図−図７は本発明で使用するため、好適な結晶組織的 方向性をもった金属を得るための方法を示した概略図；図８は各種供試ターゲッ トについて、基板上の配置個所当りのコーティングの厚さを示すモンテカルロ法 によるコンピュータシミュレーションから得たデータをグラフ化した図であり； 図９は、図８に関連して説明される種類のモンテカルロ法によるコンピュータシ ミュレーションから得たデータのグラフ化した図である。

多くの金属のうち、例えば、ＡＩ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ。

Ｎｉ、Ａｇ及びＰｄと、そしてこれらの金属から成る合金類は面心立方格子（Ｆ ’ＣＣ）として知られる原子の格子配列をもつことは当技術分野では公知である 。図３に注目すると、このようなＦＣＣ原子格子が示してあり、ここではＡ１原 子２０が全立方体交点に配置され、１個の原子（２０ａ）が各面の中心に配置さ れている。

該最密構成は格子の方向として定義されるのであって、該格子においては原子が その最も緻密に封入された状態で配置されている。これらの原子は純粋な元素を 用いても、あるいは多くの場合のようにＦＣＣ金属を含有する合金が用いてもそ のように配列することができる。従って、本明細書におけるＦＣＣ金属は純粋な 元素における原子または合金中に存在する原子またはイオンのこのような面心立 方格子（ＦＣＣ）を示す純水な元素金属及び合金を意味する。

格子状配列内に原子を配置する場合の１つの支援方法として、そして最密方向を 定義する目的で、３次元座標ｘ、ｙ。

２が、図３に示すように使われる。ＦＣＣ型格子に対して、該最密方向は、２方 向におけるｌｘ、ｌｙ及びＯ単位の逆数に対応するベクトルとして定義すること ができる。従って、ＦＣＣ格子にとっては、最密方向は１１０で示される。

ＦＣＣ格子構造と対照的に、Ｆｅ、Ｔａ、Ｂａ、Ｃｅ。

Ｍｏ、Ｗ及びＶなどの材料は体心立方格子（ＢＣＣ）を示し、この構成では、立 方体面の交点における原子あるいは金属イオンの配置に加えて、該立方体の中心 に１個の原子あるいはイオンが位置し、該立方体の各面の中心には原子やイオン は存在しない、このようなりＣＣ格子においては、最密方向は１１１で表わされ る。スパッタリングによるコーティング法においては、スパッタされた原子の放 出は優先的に、該ターゲットの最密方向に沿う（すなわち該最密方向の一線上に ）方向に発生する。

図４では、方向づけられた放射ベクトルＥは不定形焼結粉体材料用として示しで ある。ここでは、ベクトルＥは、ターゲット１８の表面上の垂線に平行であり、 あるいは別な言い方をすれば、ターゲツト面の平面に対して垂直である。放射包 囲領域２４が大半径すと小半径ａをもっておりこれは同一寸法となっている。こ のように、この場合の装置では包囲領域は円である。ここで注意すべきことは、 比ｂ／ａは用いた特定ターゲットの関数であるということである。焼結した粉体 においては、比ｂ／ａは１として知られている。反対に、鋳造した金属あるいは 加工した金属においては、該比ｂ／ａは１より大きく、一般に３で楕円形放射包 囲領域を提供する。（図５参照のこと。） 再び図４に戻ると、図に示すように角度０度におけるスパッタリング中にターゲ ットから放出される原子の確率は、コサインθ（ＣＯＳθ）の一定数倍に等しい 、すなわち、ｐ（θ）＝Ｋｃｏｓ（θ）である。

この式は正常なコサイン放射式として知られ、スパッタリングによるコーティン グの同業技術者にとっては公知となっている。

図５は鋳造品もしくは加工した金属に対する理論的放射包囲領域を示す。この図 では、比ｂ　／　ａは１より太き（、一般に３であって、包囲領域２４は、従っ て、楕円形をなす。これが、ｂ／ａ放射包囲領域の種類であって、この種の包囲 領域を伴う本発明が関係をもつ事実においては、ＣＤ基板用の好適なコーティン グ材料として鋳造または加工金属、特にアルミニウムがよいということである０ 図３のターゲット１８のライン２６はターゲット材料の最密方向の結晶組織的方 向を示している。すなわち、１１０方向はライン２６により示される。公知理論 に従えば、図５のターゲット１８からの好適放射は、ターゲット垂線Ｎから角度 λをとっているベクトルＥに沿って生ずる筈である。ベクトルＥから角度０度に おける放射の確率は、既知の方向をもつ次のコサイン放射方程式により決まる； ｐ（θ）＝Ｋｃｏｓ（θ）　／　［（ｂ／ａ）　”　ｓｉｎ”　（θ）＋ｃｏｓ ”　（θ）］ 本発明の発明者らが驚異的に発見したことは、本スパッタリングシステムにおけ る角度λを変えることによって、図５に示すように、ＣＤ基板に対する最適ター ゲット放出が見出されるということである。

前もって言及してあったように、従来のＣＤスパッタリング装置は図２に示しで ある。陰極スパッタリング装置の詳細については一般に良く知られておりここに 繰返して説明する必要はない、そのような装置の１つはアメリカ特許Ｎｏ。

４．４７８，７０１　（Ｗｅｌｃｈ　所有）に示してあり、この特許の開示内容 については本明細書の開示を充分にするに必要な程度に引用文献として本明細中 に用いである。

ＣＤの陰極スパッタリングに用いるため現在商業上利用されている装！は、全て ターゲット１８を用いており、該ターゲットはＣＤ基板６に平行に配置されてい る。注意すべきことは、ＣＤ基板６は、ジュークボックス形送給装置上に設けら れているということであって、該ジュークボックス形送給装置においては、連続 したＣＤが迅速に送給され、スパッタリングされ、そして真空室から取出される 。該ＣＤは、心棒に連結された覆い板１２とスパッタコーティングに環状部分２ を露呈するに適した適当なマスク部材１４．１６とをもって、送給装置心棒１０ 上に挿入された中心口径８を具備している。スパッタリングの実技中に、該ＣＤ はターゲット１８に対して静止して保持される。

吾々が見出したことは、ＣＤスパッタリングは、もしもターゲット材料の格子の 最密方向が、図５の角度λが零あるいはほとんど零（０±１５°）となるように 設定されれば、相当強（強化されるのであろうということである。更に重要なこ とは、ターゲットに対する好適な放射ベクトルＥは、Ｅが、真空室内に設けられ たＣＤ基板の表面に対してほとんど垂直なことである。図２の装置に挿入する、 本発明に係るターゲット１８の概略図は図６に示しである。挿入後、該ターゲッ ト１８（図６の）は、その最密方向２６の配列は、角度λが零または実質的に零 （±１５″″）となっている。

従って、該ターゲットの最密方向の方向性はＣＤ全体について析着の均一性を決 定する。この方向性は、融体からターゲット材料を、方向性凝固法を用いて融体 からターゲット材料を凝固することによって、あるいは、更に好ましくは鋳造後 の金属を加工することによって制御することが可能である。後者の方法に関して は、アルミニウムを圧延し、その後圧延したアルミニウムを焼なまずことによっ て１１０方向、すなわち、表面に対する垂線と４５°をなす方向を生じ、これは 、ターゲットＣＤ基板とが互いに他と平行し合う従来の装置によるＣＤスパッタ リングには用いることができない。

アルミニウムを一方向性鋳造した場合、１１０方向を得るが、この１１０方向は 表面上の垂線に平行であり、従って、図６に示す種類のＣＤスパッタリング装置 では好ましく用いつる。アルミニウムの押出し加工では表面上の垂線と３５゜を なす１１０方向を生ずる。

アルミニウムの加工方法では、約４００ないし６００トンの一方向性圧縮力でビ レットを圧下すると共に、該圧下したビレットを約５００ないし８００＠Ｆの範 囲の温度において熱処理を施す。好ましい方法では該ビレットを約５００トンの 力で圧下し、一方約６５０ないし７００″Ｆの温度範囲で加熱する。該ビレット の長さが頭初の長さの約半分になるまで圧下を施す。その後膣ビレットは冷却さ れ、機械加工され、最終使用者が要求している規定形状に仕上げられる。以下の 好適操作段階が実施される： １、直径５．５”、合金番号１１００の商業用アルミニウム材料を用いる。

２、長さ３．２５”　（±０．１２５”）の材料からビレットを切断する。

３、ビレットを、　２０００トンプレスに設定された平型内に挿入する。

４、該ビレットを加熱しながら垂直にプレスする。

５、長さ１．６２５”に設定した金型内にてプレス加工する。

６、水焼入れをする。

７．所望の各先ターゲット外形に加工する。

上述したように、金属の制御された凝固法が採用されて所望の（１１０＞方向性 を得る。このような技法の１つについて、これは明らかに好適ではないが、図７ に関連して説明しである。この図では、溶融金属３０が金型３２に注湯される。

初めに、金型３２は湯だめとして働らき、しかも微細結晶粒の成長する金属３４ の薄い層が溶融金属と金型表面との接触領域を包囲して形成される。この薄い層 はその厚さが、約０．０３０ないし０．０４０”の範囲内にある。金型３２の中 央部分に配置されるのは溶融金属の部分であってこの部分は、同軸状態にある結 晶成長組織３６を表わす大型結晶成長領域をもつという特徴がある。しかし、中 間介在領域３６と３４とは、溶融金属の領域３８であって、この領域においては 、１１０方向性の単一方向成長がみられる。冷却そして凝固後には、該金属のこ の部分は孤立させられ、実質上０度の角度λをもつ所望のターゲットを提供する のに用いられる。

図７の実施態様に関連して注目すべきことは、金型３２からａる湯は、１１０方 向における結晶成長を促進する方向をもっている。例えば、正常な凝固過程にお いては、１．００方向に結晶成長がほとんど進む、１１０方向への結晶成長のた めには、１００方向に対して４５８をなす角度をとって、該金型から湯出しされ ねばならない。

コンパクトディスク用として好適な基板の環状領域に対してコーティング材料を 選択的に分布させるスパッタコーティング法に用いるターゲットは上述の方法に より製作されるが該ターゲットは、格子状に配列された原子（またはイオン）か ら成るＦＣＣ金属の材料から成っている。該ターゲットがもつ１表面からは格子 状に配列された状態でコーティング材料が放射され、該格子配列は、該格子構造 の最も緻密に空間をとる原子が、該ターゲット表面に対して垂直に伸びるベクト ルに対して実質的に角度零度をもって方向づけられている最密方向に対応する方 向性ベクトルをもつように構成されている。更に好ましいことに、このような格 子構造は、面心立方格子状配置をとり、この構造では、原子またはイオンはアル ミニウム、金及び白金の各原子から成るグループから選択される。更に好ましく は、該原子は実質的にアルミニウムの原子もしくはイオンから成る。

仕上げられた場合、所望のターゲットの厚さは、該格子の最密方向に平行な線に 沿って測定した場合で、約１／４ないし３インチである。これらのターゲットは 、大半径すと小半径ａにより決められる予測放射の包囲を示すのであって、この 場合、比ｂ／ａは１より大きく、好ましくは３に等しい。

一般的に言うと、所望の基板上の環状領域にコーティングを施すため、該ターゲ ット表面から選択的に材料を放射するように設定された、特定の方向性をもった 結晶格子析着物を出現する前述の種類のスパッタリングターゲットの製造方法は 、所望の金属材料のビレットを形成し、該ビレットを所望の長さに裁断するかま たは所望の長さに該ビレットを成形することから成っている。該ビレットあるい は該ビレットの一部は、次に、一方向性をもってその初期の長さの約半分の長さ までプレス成形される０次いで、該ビレットは最終的所望形状に機械加工される 。好ましくは、機械加工を施す前に、該ビレットは加熱され、該加熱ならびにプ レス加工の段階は、好ましい方法で同時に実行されるのがよい。

夫血貝 コンパクトディスクの陰極スパッタリング法、ならびに該方法にて用いられる特 定の結晶組織の方向性をもつターゲットについての効能を実際に現示するために 、モンテカルロ法によるコンピュータシミュレーションが実施され、商業上利用 可能なコンパクトディスク陰極スパッタリング装置用のコンピュータモデルの内 、模擬スパッタリングに供される供試用アルミニウムに対して各種のターゲット 用結晶組織的素地が用いである。

得られた結果を表１に示す。

表１゜ ０　３　４４．５　５１００　９．１ ３５　３　３３．３　３８９２　１５．６４５　３　２７．２　３８１８　１２ ．５０　１　３２．９　３１７１　１５．３注２）該ＣＤのアルミニウムのコー ティングを施した環状部分の特定部分におけるスパッタした全原子の百分率に等 しい。

注３）脚注２（集取％）のデータの算出に使われる場合の環状部分と同じ部分に 接触する単位時間当りの原子の数である。

注４）脚注２及び３におけると同様に、同一の環状部分において測定した均一度 であって、これら同一の位置、（Ｔ、。

８−Ｔ１゜）／　（Ｔ、、、＋Ｔ、１．．）において測定された異ったコンパク トディスク間で実施された比較に依る。

加えて、モンテカルロ法によるシミュレーションは１つのモデルとしてのコンパ クトディスクの陰極スパッタリングシステムに関連して実施され、この場合、モ デルｂ／ａと、ターゲットパラメータと、そして図８と９に指示されているモデ ルターゲット／基板分離パラメータとが用いである。これらの図は、表１のよう に、試験システムにおけるスパッタコーティングによるコンパクトディスクの所 望の程度を示しており、該試験システムでは、ターゲットｂ／ａ比は３であり、 該ターゲットの結晶組織的構造は、表面放射角λが実質的に零である状態となっ ている。図８及び９ならびに表１で示されるように、コンパクトディスク基板の 所望の環状領域に対しては、もっと多量のアルミニウムが析着することが期待さ れるのであって、所望の結晶組織の方向性をもって作製されたターゲットはどん なターゲットであっても、例えば該結晶組織的ターゲットの方向性が＜１１０＞ 方向であってこの方向性がターゲット表面に平行でない場合に比較して、もっと 一層厚くコンパクトディスクにコーティングが施されるということが分る。

表１の報告データ及び図８ならびに９に示すように、夕一ゲットの＜１１０＞方 向の方向性は折着物の均一特性を決定する。該データに関しては、該ターゲット の＜１１０＞方向が表面上の垂線から４５°離れた方向（標準的圧延組織）から 該表面上の垂線（鋳造ビレット組織）に平行な方向まで動く場合に、所望のコー ティング表面全体のスパッター析着物厚さが増加する。この厚さの増大の意味す るところは、該スパッタリングターゲットを用いてコーティングされるＣＤの数 が増大するということであって、その理由は、該材料は一層効率良く析着される からである。また、コーティング速度が大きいということは、コーティングを施 されるディスクが、また増大できるということを意味している。

方向性をもった放射（明確に１１０方向をもつ）（表参照）によるターゲットか ら得られる結果は析着速さが３０％高（、ターゲット１個当り３０％多いＣＤが コーティングされ、しかも薄膜の均一性は１５．６％から９．１％に改善される 。

この事実が意味するところは、方向性をもったスパッタリング用ターゲットを用 いることによって、現在のＣＤスパッタリングターゲットを用いた場合よりもそ の生産性が３３％増大するということである。

本発明はその特定の実施態様についてこれまで説明して来たが、これらの説明は 本発明の範囲を限定しようという意図からではない６本発明は如何なる等価値の 改造などをも包含するものであって、以下添付の請求の範囲によってのみ限定さ れるものではない。

２０σ 要　約　書 コンパクトディスクの環状部分上にコーティングを施す上で特に好適な改良した スパッタリング用ターゲットについて、該ターゲットを使用するスパッタコーテ ィングの方法、ならびに特定設計にもとづくターゲットの製造方法と共に開示さ れている。該ターゲットの材料の結晶組織の方向性は、該ターゲットから放射さ れる原子の好ましい放射角度が、コーティングが施されるコンパクトディスク基 板の表面に実質的に垂直に方向づけられている。このような特定の結晶組織の方 向性はアルミニウムビレットの一方向性プレス加工によって得られる。

国際調査報告

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. １．コンパクトディスク基板表面の環状領域に対してスパッタターゲットから放 射されたコーティング用材料をスパッタリングするシステムにおいて原子または イオンが最密に充填され、目つ前記基板表面に垂直な最密方向に対応する方向性 ベクトルを現わす多数の結晶格子構造から成るコーティング材料を前記ターゲッ ト上に施し、前記ターゲットを前記スパッタリングシステム内のイオンを用いて ボンバードメントを実施して前記コーティング材料を前記ターゲットから放出さ せそして前記コンパクトディスク基板表面の前記環状領域にコーティングを施し 、その際に、前記基板の他の領域上に析着するコーティング材料の量を最小化す る、ことから成ることを特徴とするスパッタリング方法。
2. ２．前記ターゲットは、大半径ｂと小半径ａにより決められ、ｂ／ａが約１より 大きい予備放射の包囲体を現出してなることを特徴とする請求の範囲第１項に記 載の方法。
3. ３．ｂ／ａが約３に等しいことを特徴とする請求の範囲第２項に記載の方法。
4. ４．スパッタリングターゲットから放射されたコーティング材料を、コンパクト ディスク基板表面の環状領域にスパッタリングする方法であって；前記コーティ ング用材料が原子もしくはイオンの面心立方格子（ＦＣＣ）分布状態をもち、該 方法は、前記格子状分布を、一般に最密方向と呼ばれる最も緻密に空間を占めて 配置された原子またはイオンが前記ターゲット内において前記基板の面に実質的 に垂直になるよう方向づけし、前記ＦＣＣ金属は、アルミニウム、金、白金、銅 、ニッケル、銀、及びパラジウム、そしてこれらの合金類から成るグループから 選択した金属または合金であることを特徴とする方法。
5. ５．ＦＣＣ金属はアルミニウムもしくはアルミニウム含有台金であることを特徴 とする請求の範囲第４項に記載の方法。
6. ６．コンパクトディスク用として好適な基板の環状領域を取り囲むようにコーテ ィング材料を優先的に分布せしめるスパッタリングによるコーティング処理に用 いるスパッタリングターゲットであって；前記ターゲットは格子形態に配置され た原子またはイオンから成るＦＣＣ金属材料または合金から成り、コーティング 材料が放射される１つの表面を有し、前記格子の構成は、前記格子の最も緻密に 空間を占めている原子またはイオンが最密方向に対応する方向性ベクトルを現出 し、前記最密方向は、前記ターゲット表面に垂直に伸びるベクトルに関して実質 的に零の角度において前記ターゲット材料内に方向づけられていることを特徴と するスパッタリング用ターゲット。
7. ７．前記ＦＣＣ金属はアルミニウム、金、白金、銅、ニッケル、銀、及びパラジ ウム、そしてこれら金属元素から成る合金類で構成されるグループから選択され た金属から成ることを特徴とする請求の範囲第６項に記載のターゲット。
8. ８．前記ＦＣＣ金属は、アルミニウム、金及び白金、そしてこれら金属元素から 成る合金類で構成されるグループから選択された金属から成ることを特徴とする 請求の範囲第７項に記載のターゲット。
9. ９．前記ＦＣＣ金属が実質的にアルミニウムから成ることを特徴とする請求の範 囲第８項に記載のターゲット。
10. １０．前記最密方向に平行な線に沿って約１／４インチないし約３インチの厚さ を有することを特徴とする請求の範囲第９項に記載のターゲット。
11. １１．予測放射の包囲体を現出してなり、前記包囲体は大半径ｂと小半径ａとに より決定され、しかもｂ／ａが１より大きい値であることを特徴とする請求の範 囲第６項に記載のターゲット。
12. １２．ｂ／ａが約３に等しいことを特徴とする請求の範囲第１１項に記載のター ゲット。
13. １３．コンパクトディスクとして使用に適した基板の環状領域にコーティングを 施すためにＦＣＣ金属の表面から選択的に材料を放射するように構成された特定 方向をもつ結晶格子を現出する面心立方格子（ＦＣＣ）金属を有するスパッタリ ング用ターゲットの製造方法であって、同方法は； 前記ＦＣＣ金属からビレットを形成し、前記ビレットを一方向性をもってプレス 加工し、そして前記プレス加工したビレットを機械加工して前記ターゲットとし て使用するため所望の形状に仕上げることを特徴とする方法。
14. １４．前記機械加工に先立って前記ビレットを加熱することを特徴とする請求の 範囲第１３項に記載の方法。
15. １５．前記加熱作業と前記プレス加工作業とが同時に実施されることを特徴とす る請求の範囲第１３項に記載の方法。
16. １６．前記加熱が、前記ビレットを５００乃至８００°Ｆの温度に加熱すること を含むことを特徴とする請求の範囲第１３項に記載の方法。
17. １７．前記ビレットが、プレス加工に先行して当初の高さの約半分の高さとなる まで約４００ないし６００トンの力をもって一方向性にプレス加工を施されるこ とを特徴とする請求の範囲第１３項に記載の方法。
18. １８．前記ＦＣＣ金属が、アルミニウム、金、白金、銅、ニッケル、銀及びパラ ジウムと、そしてこれらの金属の合金からなるグループから選択した金属から成 ることを特徴とする請求の範囲第１３項に記載の方法。
19. １９．前記ＦＣＣ金属がアルミニウムもしくはアルミニウムに含有合金からなる ことを特徴とする請求の範囲第１８項に記載の方法。