JPH0545883A

JPH0545883A - 感光性組成物

Info

Publication number: JPH0545883A
Application number: JP3353015A
Authority: JP
Inventors: Yoshihito Kobayashi; 嘉仁小林; Kiyonobu Onishi; 廉伸大西; Hiroichi Niki; 博一仁木
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1991-03-26
Filing date: 1991-12-18
Publication date: 1993-02-26

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、ｄｅｅｐＵＶ等の波長の短い放射線
での露光を適用でき、かつドライエッチング耐性に優
れ、更に露光後にアルカリ水溶液による現像での許容性
を大きくでき、良好な断面形状を有する微細なパタ―ン
を形成が可能な感光性組成物を提供しようとするもので
ある。【構成】（Ａ）アルカリ可溶性重合体と、（Ｂ）酸によ
り分解する置換基を有する有機化合物からなる溶解抑止
剤と、（Ｃ）光照射により酸を発生する化合物と、
（Ｄ）光照射により発生した酸の拡散を抑制する化合物
とを含むことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、感光性組成物に関し、
特にｄｅｅｐＵＶおよび電離放射線に感光する感光性組
成物に係わる。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路を始めとする各種の微細
加工を必要とする電子部品の分野では、感光性樹脂が広
く用いられている。特に、電子機器の多機能化、高密度
化にに伴う高密度集積化を図るためには、パタ―ンの微
細化が要求されている。パタ―ン形成に使用される露光
装置としては、通常ステッパとよばれいるステップアン
ドリピ―トの縮小投影形マスクアライナ―がある。かか
る装置に用いる光源としては、水銀ランプのｇ線（波長
４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、ｉ線（波長３
６５ｎｍ）、エキシマレ―ザとしてのＸｅＦ（波長３５
１ｎｍ）、ＸｅＣｌ（波長３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（波長
２４８ｎｍ）、ＫｒＣｌ（波長２２２ｎｍ）、ＡｒＦ
（波長１９３ｎｍ）、Ｆ₂（波長１５７ｎｍ）等が挙げ
られる。微細なパタ―ンを形成するためには、光源の波
長が短い程よく、エキシマレ―ザなどのｄｅｅｐＵＶに
感光する感光性樹脂が望まれている。

【０００３】上述したエキシマレ―ザ用の感光性樹脂と
しては、従来よりポリメチルメタクリレ―ト（ＰＭＭ
Ａ）、ポリグルタ―ルマレイミド（ＰＧＭＩ）等のアク
リル系のポリマ―やフェノ―ルを有するポリマ―とアジ
ド系感光剤からなる感光性組成物が知られている。しか
しながら、前者の感光性樹脂ではエキシマレ―ザに対す
る感度が低く、かつドライエッチング耐性にも劣るとい
う問題があった。また、後者の感光性組成物では感度、
ドライエッチンク耐性に優れているものの、形成された
パタ―ンが逆三角形となり、露光、現像工程の管理が難
しいという問題があった。

【０００４】一方、各種の露光方法においても最小寸法
の縮小化に伴って別の問題が生じてきている。例えば、
光による露光では半導体基板上の段差に基づいく反射光
の干渉作用が寸法精度に大きな影響を与える。また、電
子ビーム露光においては電子の後方散乱によって生じる
近接効果により微細なレジストパターンの高さと幅の比
を大きくすることができない問題があった。

【０００５】上述した問題点を解決する一方法として、
多層レジストプロセスが開発されている。かかる多層レ
ジストプロセスについては、ソリッドステ―ト・テクノ
ロジ―、［Solid State Technology］74（1981）に概説
が掲載されているが、この他にも前記システムに関する
多くの研究が発表されている。現在、一般的に多く試み
られている方法は、３層構造のレジストシステムであ
り、半導体基板の段差の平坦化及び基板からの反射防止
の役割を有する最下層と、該最下層をエッチングするた
めのマスクとして機能する中間層と、感光層としての最
上層とからなっている。

【０００６】しかしながら、前記３層レジストプロセス
は単層レジスト法に比べて微細なパタ―ニングを行なう
ことができる利点を有するものの、反面パタ―ン形成ま
での工程数が増加するという問題があった。即ち、ｄｅ
ｅｐＵＶなどの放射線に対する感光性と酸素プラズマに
よるリアクティブイオンエッチングに対するる耐性を共
に満足するようなレジストがないため、これらの機能を
別々の層で持たせており、その結果工程数が増加すると
いう問題があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ｄｅ
ｅｐＵＶ、電離放射線に対して良好に感光し、かつドラ
イエッチング耐性に優れ、更に露光後のアルカリ水溶液
による現像での許容性を大きくでき、良好な断面形状を
有する微細なパタ―ンを形成が可能な感光性組成物を提
供しようとするものである。

【０００８】本発明の別の目的は、ｄｅｅｐＵＶ、電離
放射線に対して良好に感光し、更にアルカリ水溶液によ
る現像が可能で、現像後において酸素リアクティブイオ
ンエッチングに対するる耐性（耐酸素ＲＩＥ性）に優れ
たパターンを形成でき、二層レジストシステムに好適な
感光性組成物を提供しようとするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】以下、本発明に係わる感
光性組成物（１）〜（４）を詳細に説明する。なお、感
光性組成物（１）、（３）は後述する単層プロセスによ
るパターン形成方法に適用され、感光性組成物（２）、
（４）は後述する二層リソグラフィープロセスによるパ
ターン形成方法に適用される。

【００１０】感光性組成物（１）この感光性組成物は、（Ａ）アルカリ可溶性重合体と、
（Ｂ）酸により分解する置換基を有する有機化合物から
なる溶解抑止剤と、（Ｃ）光照射により酸を発生する化
合物と、（Ｄ）下記化１１、化１２、化１３の一般式
(I) 、(II)、(III) にて表される化合物と、を含む組成
からなるものである。

【００１１】

【化１１】ただし、式(I) 中のＸ₁はＯ原子又はＳ原子、Ｘ₂はＮ
原子又はＣＲ⁴基を示す。Ｒ¹〜Ｒ³及び前記ＣＲ⁴基
のＲ⁴は、同一であっても異なってもよく、それぞれ非
置換もしくは置換複素環基、非置換もしくは置換芳香族
炭化水素基、非置換もしくは置換脂肪族炭化水素基、非
置換もしくは置換脂環式炭化水素基、その他種々の特性
基、又は水素原子を示す。なお、Ｒ²とＲ³で炭化水素
環基又は複素環基を形成してもよい。

【００１２】

【化１２】ただし、式(II)中のＸ₃はＯ原子又はＳ原子、Ｘ₄はＮ
原子又はＣＲ⁷基を示す。Ｒ⁵、Ｒ⁶及び前記ＣＲ⁷基
のＲ⁷は、同一であっても異なってもよく、それぞれ非
置換もしくは置換複素環基、非置換もしくは置換芳香族
炭化水素基、非置換もしくは置換脂肪族炭化水素基、非
置換もしくは置換脂環式炭化水素基、その他種々の特性
基、又は水素原子を示す。

【００１３】

【化１３】ただし、式(III) 中のＸ₅はＯ原子又はＳ原子、Ｘ₆は
Ｎ原子又はＣＲ¹¹基を示す。Ｒ⁸〜Ｒ¹⁰及び前記ＣＲ¹¹
基のＲ¹¹は、同一であっても異なってもよく、それぞれ
非置換もしくは置換複素環基、非置換もしくは置換芳香
族炭化水素基、非置換もしくは置換脂肪族炭化水素基、
非置換もしくは置換脂環式炭化水素基、その他種々の特
性基、又は水素原子を示す。なお、Ｒ⁹とＲ¹⁰で炭化水
素環基又は複素環基を形成してもよい。

【００１４】前記（Ａ）成分であるアルカリ可溶性重合
体としては、ヒドロキシ基が導入されたアリール基また
はカルボキシ基を服務重合体が望ましい。具体的には、
フェノ―ルノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹
脂、キシレゾールノボラック樹脂、ビニルフェノール樹
脂、イソプロペニルフェノール樹脂、ビニルフェノール
とアクリル酸、メタクリル酸誘導体、アクリロニトリ
ル、スチレン誘導体などとの共重合体、イソプロペニル
フェノールとアクリル酸、メタクリル酸誘導体、アクリ
ロニトリル、スチレン誘導体などとの共重合体、アクリ
ル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル酸又はメタクリル酸
とアクリロニトリル、スチレン誘導体との共重合体、マ
ロン酸とビニルエーテルとの共重合体等を挙げることが
できる。より具体的には、ポリ（p-ビニルフェノ―
ル）、p-イソプロペニルフェノ―ルとアクリロニトリル
の共重合体（共重合比１：１）、p-イソプロペニルフェ
ノ―ルとスチレンの共重合体（共重合比１：１）、p-ビ
ニルフェノ―ルとメチルメタクリレ―トの共重合体（共
重合比１：１）、p-ビニルフェノ―ルとスチレンの共重
合体（共重合比１：１）等を挙げることができる。

【００１５】前記（Ｂ）成分である酸により分解する置
換基を有する有機化合物からなる溶解抑止剤としては、
例えば米国特許第４４９１６２８号明細書中に記載され
たポリ-t- ブチルビニルベンゾール、ポリ-t- ブトキシ
カルボニルオキシスチレン及びそれに対応するα−メチ
ルスチレン重合体；米国特許第４６０３１０１号明細書
中に記載されたポリ-t- ブトキシスチレン、ポリ-t- ブ
トキシ−α−メチルスチレン；t-ブチルエステル基又は
ベンジルエステル基を有するポリアクリレート及びかか
る酸不安定基を主鎖中又は主鎖に対応する側基として有
する重合体；t-ブトキシカルボニル基などのカーボネー
ト側基やトリメチルシリルエーテル側基を有する芳香族
重合体等を挙げることができる。かかる有機化合物を下
記表１〜表１２に具体的に例示する。

【００１６】

【表１】

【００１７】

【表２】

【００１８】

【表３】

【００１９】

【表４】

【００２０】

【表５】

【００２１】

【表６】

【００２２】

【表７】

【００２３】

【表８】

【００２４】

【表９】

【００２５】

【表１０】

【００２６】

【表１１】

【００２７】

【表１２】前記（Ｃ）成分である光（ｄｅｅｐＵＶ、電離放射線）
照射により酸を発生する化合物は、各種の公知化合物及
び混合物を用いることができる。例えば、ジアゾニウム
塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩
のＣＦ₃ＳＯ₃ ^-、ｐ−ＣＨ₃PhＳＯ₃ ^-、ｐ−ＮＯ₂
PhＳＯ₃ ^-（ただし、Phはフェニル基）等の塩、有機ハ
ロゲン化合物、オルトキノン−ジアジドスルホニルクロ
リ、又はスルホン酸エステルド等を挙げることができ
る。前記有機ハロゲン化合物は、ハロゲン化水素酸を形
成する化合物であり、かかる化合物は米国特許第３５１
５５５２号、米国特許第３５３６４８９号、米国特許第
３７７９７７８号及び西ドイツ特許公開公報第２２４３
６２１号に開示されたものが挙げられる。前記記載の他
の光照射により酸を発生する化合物は、特開昭５４−７
４７２８号、特開昭５５−２４１１３号、特開昭５５−
７７７４２号、特開昭６０−３６２６号、特開昭６０−
１３８５３９号、特開昭５６−１７３４５号及び特開昭
５０−３６２０９号に開示されている。このような化合
物を具体的に例示すると、ジ（p-ターシャリーブチルベ
ンゼン）ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、ベンゾイントシレート、オルトニトロベン
ジルパラトルエンスルホネート、トリフェニルスルホニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、トリ（ターシャ
リーブチルフェニル）スルホニウムトリフルオロメタン
スルホネート、ベンゼンジアゾニウムパラトルエンスル
ホネート、4-（ジ-nプロピルアミノ)-ベンソニウムテト
ラフルオロボレート、4-p-トリル−メルカプト-2,5- ジ
エトキシ−ベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロホスフ
ェート、テトラフルオロボレート、ジフェニルアミン-4
- ジアゾニウムサルフェート、4-メチル-6- トリクロロ
メチル-2- ピロン、4-(3,4,5- トリメトキシ−スチリ
ル）-6- トリクロロメチル-2- ピロン、4-(4- メトキシ
−スチリル）-6-(3,3,3-トリクロロ−プロペニル)-2-ピ
ロン、2-トリクロロメチル−ベンズイミダゾール、2-ト
リブロモメチル−キノリン、2,4-ジメチル-1- トリブロ
モアセチル−ベンゼン、4-ジブロモアセチル−安息香
酸、1,4-ビス−ジブロモメチル−ベンゼン、トリス−ジ
ブロモメチル-S- トリアジン、2-（6-メトキシ−ナフチ
ル-2- イル)-4,6-ビス−トリクロロメチル-S- トリアジ
ン、2-（ナフチル-1- イル)-4,6-ビス−トリクロロメチ
ル-S- トリアジン、2-（ナフチル-2- イル)-4,6-ビス−
トリクロロメチル-S- トリアジン、2-（4-エトキシエチ
ル−ナフチル-1- イル)-4,6-ビス−トリクロロメチル-S
-トリアジン、2-（ベンゾピラニ-3- イル)-4,6-ビス−
トリクロロメチル-S- トリアジン、2-（4-メトキシ−ア
ントラシ-1- イル)-4,6-ビス−トリクロロメチル-S- ト
リアジン、2-（フェナンチ-9- イル)-4,6-ビス−トリク
ロロメチル-S- トリアジン、o-ナフトキノンジアジド-4
- スルホン酸クロリド等がある。スルホン酸エステルと
しては、ナフトキノンジアジド-4- スルホン酸エステ
ル、ナフトキノンジアジド-5- スルホン酸エステル、p-
トルエンスルホン酸-o- ニトロベンジルエステル、p-ト
ルエンスルホン酸-2,6- ジニトロベンジルエステル等を
挙げることができる。

【００２８】前記一般式(I) 、(II)、(III) にＲ¹〜Ｒ
¹¹として導入される複素環基としては、非置換複素環
基、置換複素環を挙げることができる。非置換複素環を
下記(1) に、複素環基を置換する置換基を下記(2) に具
体的に列挙する。

【００２９】(1) 非置換複素環ピロール環基、ピロリン環基、ピロリジン環基、インド
ール環基、イソインドール環基、インドリン環基、イソ
インドリン環基、インドリジン環基、カルバゾール環
基、カルボリン環基、フラン環基、オキソラン環基、ク
ロマン環基、クマラン環基、イソベンゾフラン環基、フ
タラン環基、ジベンゾフラン環基、チオフェン環基、チ
オラン環基、ベンゾチオフェン環基、ジベンゾチオフェ
ン環基、ピラゾール環基、ピラゾリン環基、インダゾー
ル環基、イミダゾール環基、イミダリゾン環基、ベンゾ
イミダゾール環基、ナフトイミダゾール環基、オキサゾ
ール環基、オキソザリン環基、オキソザリジン環基、ベ
ンゾオキサゾール環基、ベンゾオキサゾリジン環基、ナ
フトオキサゾール環基、イソオキサゾール環基、ベンゾ
オキサゾール環基、チアゾール環基、チアゾリン環基、
チアゾリジン環基、ベンゾチアゾリン環基、ナフトチア
ゾール環基、イソチアゾール環基、ベンゾイソチアゾー
ル環基、トリアゾール環基、ベンゾトリアゾール環基、
オキサジアゾール環基、チアジアゾール環基、ベンゾオ
キサジアゾール環基、ベンゾチアジゾール環基、テトラ
ゾール環基、プリン環基、ピリジンン環基、ピペリジン
環基、キノリン環基、イソキノリン環基、アクリジン環
基、フェナントリジン環基、ベンゾキノリン環基、ナフ
トキノリン環基、ナフチリジン環基、フェナントロリン
環基、ピリダジン環基、ピリミジン環基、ピラジン環
基、フタラジン環基、キノキサリン環基、キナゾリン環
基、シンノリン環基、フェナジン環基、ペリミジン環
基、トリアジン環基、テトラジン環基、プテリンジン環
基、オキサジン環基、ベンゾオキサジン環基、フェノキ
サジン環基、チアジン環基、ベンゾチアジン環基、フェ
ノチアジン環基、オキサジアジン環基、チアジアジン環
基、ジオキソラン環基、ベンゾイオキソール環基、ジオ
キサン環基、ベンゾジオキサン環基、ジチオソラン環
基、ベンゾジチオソール環基、ジチアン環基、ベンゾジ
チアン環基、ピラン環基、クロメン環基、キサンテン環
基、オキサン環基、クロマン環基、イソクロマン環基、
キサンテン環基、トリオキサン環基、、チオラン環基、
チアン環基、トリチアン環基、モルホリン環基、キヌク
リジン環基、セレナゾール環基、ベンゾセレナゾール環
基、ナフトセレナゾール環基、テルラゾール環基、ベン
ゾテルラゾール環基。

【００３０】(2) 置換基ジ置換アミノ基（例えばジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基、ジブチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、メ
チルブチルアミノ基、ジアミルアミノ基、ジベンジルア
ミノ基、ジフェネチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、
ジトリルアミノ基、ジキシリルアミノ基等）、モノ置換
アミノ基（例えばメチルアミノ基、エチルアミノ基、プ
ロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、tert- ブチル
アミノ基、アニノリン基、アニシジノ基、フェネチジノ
基、トルイジノ基、キシリジノ基、ビリジルアミノ基、
ベンジリデンアミノ基等）、アシルアミノ基（例えばホ
ルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ
基、シンナモイルアミノ基、ピリジンカルボニルアミノ
基、トリフルオロアセチルアミノ基等）、第三アミノ基
（例えばトリメチルアミノ基、エチルジメチルアミノ
基、ジメチルフェニルアミノ基等）、アミノ基、ヒドロ
キシアミノ基、ウレイド基、セミカルバジド基、ジ置換
ヒドラジノ基（例えばジメチルヒドラジノ基、ジフェニ
ルヒドラジノ基、メチルフェニルヒドラジノ基等）、モ
ノ置換ヒドラジノ基（例えばメチルヒラジノ基、フェニ
ルヒドラジノ基、ビリジルヒドラジノ基、ベンジリデン
ヒドラジノ基等）、ヒドラジノ基、アゾ基（例えばフェ
ニルアゾ基、ピリジルアゾ基、チアゾリルアゾ基等）、
アゾキシ基、アミジノ基、アモイル基（例えばカルバモ
イル基、オキサモイル基、スクシンアモイル基等）、シ
アノ基、シアナト基、チオシアナト基、ニトロ基、ニト
ロソ基、オキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、フェ
ノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基、チアゾリ
ルオキシ基、ネアセトキシ基等）、ヒドロキシ基、チオ
基（例えばメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、ピリジルチオ基、チアゾリンチオ基等）、メルカプ
ト基、ハロゲン基（フルオロ基、ブロモ基、ヨード
基）、カルボキシ基、エステル基（例えばメチルエステ
ル基、エチルエステル基、フェニルエステル基、ビリジ
ルエステル基等）、チオカルボキシ基、ジチオカルボキ
シ基、チオエステル基（例えばメトキシカルボニル基、
メチルチオカルボニル基等）、アシル基（例えばホルミ
ル基、アセチル基、プロピオルニル基、アクリロイル
基、ベンゾイル基、シンナモイル基、ピリジンカルボニ
ル基、チアゾールカルボニル基等）、チオアシル基（例
えばチオホルミル基、チオアセチル基、チオベンゾイル
基、チオピリジンカルボニル基等）、スルホン酸基、ス
ルフィニル基（例えばメチルスルフィニル基、エチルス
ルフィニル基、フェニルスルフィニル基等）、スルホニ
ル基（例えばメシル基、エチルスルホニル基、フェニル
スルホニル基、ピリジルスルホニル基、トシル基、タウ
リル基、トリメチルスルホニル基、アミノスルホニル基
等）、炭化水素基（例えばアルキル基、アリール基、ア
ルケニル基、アルキニル基等）、複素環基、ケイ化水素
基（例えばシリル基、ジシラニル基、トリメチルシリル
基等）。

【００３１】前記一般式(I) 、(II)、(III) にＲ¹〜Ｒ
¹¹として導入される芳香族炭化水素基としては、下記
(3) に示す非置換芳香族炭化水素基、下記(3) に列挙す
る芳香族炭化水素基を前述した(2) 置換基で置換した置
換芳香族炭化水素基を挙げることができる。

【００３２】(3) 非置換芳香族炭化水素基フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリ
ル基、テトラリニル基、アズレニル基、ビフェニレニル
基、アセトナフチレニル基、アセトナフテニル基、フル
オレニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセ
ニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ベンゾピレニル
基、ルビセニル基、オバレニル基、インデニル基、ペン
タレニル基、ヘプタレニル基、インダセニル基、フェナ
レニル基、フルオランテニル基、アセフェナントリレニ
ル基、アセアントリレニル基、ナフタセニル基、プレイ
アデニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テト
ラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル
基、トリナフエレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセ
ニル基、ピラントレニル基。

【００３３】前記一般式(I) 、(II)、(III) にＲ¹〜Ｒ
¹¹として導入される脂肪族炭化水素基としては、下記
(4) に示す非置換脂肪族炭化水素基、下記(4) に列挙す
る脂肪族炭化水素基を前述した(2) の置換基で置換した
置換脂肪族炭化水素基を挙げることができる。

【００３４】(4) 非置換脂肪族炭化水素基メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert- ブチル
基、ペンチル基、tert-ペンチル基、イソペンチル基、
ネオペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、ヘプチ
ル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ビニル基、ア
リル基、イソプロペニル基、プロペニル基、メタリル
基、クロチル基、エチニル基、プロピニル基、ペンテニ
ニル基、ベンジル基、トリチル基、フェモチル基、スチ
リル基、シンナミル基、ベンズヒドリル基。

【００３５】前記一般式(I) 、(II)、(III) にＲ¹〜Ｒ
¹¹として導入される脂環式炭化水素基としては、下記
(5) に示す非置換脂環式炭化水素基、下記(5) に列挙す
る脂環式炭化水素基を前述した(2) の置換基で置換した
置換脂環式炭化水素基を挙げることができる。

【００３６】(5) 非置換脂環式炭化水素基シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオク
チル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シ
クロヘプテニル基、シクロオクテニル基、シクロペンタ
ジエニル基、シクロヘキサジエニル基。

【００３７】前記一般式(I) 、(II)、(III) にＲ¹〜Ｒ
¹¹として導入される特性基としては、例えばジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、メチル
エチルアミノ基、メチルブチルアミノ基、ジアミルアミ
ノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基、ジ
フェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジキシリルアミ
ノ基などのジ置換アミノ基；メチルアミノ基、エチルア
ミノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、te
rt- ブチルアミノ基、アニノリン基、アニシジノ基、フ
ェネチジノ基、トルイジノ基、キシリジノ基、ビリジル
アミノ基、ベンジリデンアミノ基などのモノ置換アミノ
基；ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ベンゾイル
アミノ基、シンナモイルアミノ基、ピリジンカルボニル
アミノ基、トリフルオロアセチルアミノ基などのアシル
アミノ基；トリメチルアミノ基、エチルジメチルアミノ
基、ジメチルフェニルアミノ基などの第三アミノ基；ア
ミノ基；ヒドロキシアミノ基；ウレイド基；セミカルバ
ジド基；ジメチルヒドラジノ基、ジフェニルヒドラジノ
基、メチルフェニルヒドラジノ基などのジ置換ヒドラジ
ノ基；メチルヒラジノ基、フェニルヒドラジノ基、ビリ
ジルヒドラジノ基、ベンジリデンヒドラジノ基などのモ
ノ置換ヒドラジノ基；ヒドラジノ基；フェニルアゾ基、
ピリジルアゾ基、チアゾリルアゾ基などのアゾ基；アゾ
キシ基；アミジノ基；カルバモイル基、オキサモイル
基、スクシンアモイル基などのアモイル基；シアノ基；
シアナト基；チオシアナト基；ニトロ基；ニトロソ基；
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、
ヒドロキシエトキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、
ピリジルオキシ基、チアゾリルオキシ基、ネアセトキシ
基などのオキシ基；ヒドロキシ基；メチルチオ基、エチ
ルチオ基、フェニルチオ基、ピリジルチオ基、チアゾリ
ンチオ基などのチオ基；メルカプト基；フルオロ基、ブ
ロモ基、ヨード基などのハロゲン基；カルボキシ基；メ
チルエステル基、エチルエステル基、フェニルエステル
基、ビリジルエステル基などのエステル基；チオカルボ
キシ基；ジチオカルボキシ基；メトキシカルボニル基、
メチルチオカルボニル基、メチルチオチオカルボニル基
などのチオエステル基；ホルミル基、アセチル基、プロ
ピオルニル基、アクリロイル基、ベンゾイル基、シンナ
モイル基、ピリジンカルボニル基、チアゾールカルボニ
ル基などのアシル基；チオホルミル基、チオアセチル
基、チオベンゾイル基、チオピリジンカルボニル基など
のチオアシル基；スルフィニル基、メチルスルフィニル
基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基な
どのスルホン酸基；メシル基、エチルスルホニル基、フ
ェニルスルホニル基、ピリジルスルホニル基、トシル
基、タウリル基、トリメチルスルホニル基、アミノスル
ホニル基などのスルホニル基；シリル基、ジシラニル
基、トリメチルシリル基などのケイ化水素基等をを挙げ
ることができる。

【００３８】前記一般式(I) にて表わされる化合物を下
記表１３〜表２１に、一般式(II)にて表わされる化合物
を下記表２２〜表２９に、一般式(III) にて表わされる
化合物を下記表３０〜表３８に、それぞれ具体的に例示
する。

【００３９】

【表１３】

【００４０】

【表１４】

【００４１】

【表１５】

【００４２】

【表１６】

【００４３】

【表１７】

【００４４】

【表１８】

【００４５】

【表１９】

【００４６】

【表２０】

【００４７】

【表２１】

【００４８】

【表２２】

【００４９】

【表２３】

【００５０】

【表２４】

【００５１】

【表２５】

【００５２】

【表２６】

【００５３】

【表２７】

【００５４】

【表２８】

【００５５】

【表２９】

【００５６】

【表３０】

【００５７】

【表３１】

【００５８】

【表３２】

【００５９】

【表３３】

【００６０】

【表３４】

【００６１】

【表３５】

【００６２】

【表３６】

【００６３】

【表３７】

【００６４】

【表３８】前記アルカリ可溶性重合体（Ａ）に対する前記酸により
分解する置換基を有する有機化合物からなる溶解抑止剤
（Ｂ）の配合割合は、前記重合体樹脂１００重量部に１
〜３００重量部、より好ましくは５〜１００重量部とす
ることが望ましい。この理由は、前記溶解抑止剤の配合
量を１重量部未満にすると現像液に対する十分な溶解抑
止効果を得ることが困難となり、パターン形成に支障き
たす恐れがあり、一方その配合量が３００重量部を越え
ると塗布性が悪化して均一な膜厚のレジスト膜の形成が
困難となる恐れがあるからである。

【００６５】前記光照射により酸を発生する化合物
（Ｃ）の配合量は、感光性組成物の固形分の全重量に対
して０．０１〜１５重量％、よりの好ましくは０．５〜
１０重量％の範囲とすることが望ましい。この理由は、
前記化合物の配合量を０．０１重量％未満にすると酸触
媒として十分な作用を発揮することが困難となり、一方
その配合量が１５重量％を越えると塗膜性が悪化して均
一な感光性組成物膜の形成が困難となる恐れがある。

【００６６】前記アルカリ可溶性重合体に対する前記一
般式(I) 、(II)、(III) の化合物（Ｄ）の配合割合は、
前記重合体１００重量部に対して０．０１〜１００重量
部、より好ましくは０．３〜２０重量部とすることが望
ましい。この理由は、前記化合物の配合量を０．０１重
量部未満にすると前記化合物の配合による十分な作用を
発揮することが困難となり、一方その配合量が１００重
量部を越えると塗布性が悪化して均一な膜厚の感光性組
成物膜の形成が困難となる恐れがあるからである。

【００６７】前記感光性組成物（１）は、前述した
（Ａ）〜（Ｄ）の４成分の他に必要に応じて紫外線吸収
剤、増感剤、貯蔵安定性を図るための安定化剤、基板か
らのハレーションを防止するためのハレーション防止
剤、基板との密着性を向上するための密着性向上剤、塗
膜の表面を平滑化するための界面活性剤、或いは塗膜の
改質のための他のポリマー、例えばエポキシ樹脂、ポリ
メチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、プロ
ピレンオキシド−エチレンオキシド共重合体、ポリスチ
レン又等を配合することも可能である。

【００６８】前記感光性組成物（１）は、前記アルカリ
可溶性重合体（Ａ）と、溶解抑止剤（Ｂ）と、光照射に
より酸を発生する化合物（Ｃ）と、前記一般式(I) 、(I
I)、(III) の化合物（Ｄ）を有機溶剤に溶解し、濾過す
ることにより調製される。かかる有機溶剤としては、例
えばシクロヘキサノン、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、メチル
セロソルブ、メチルセロソルブアセテ―ト、エチルセロ
ソルブアセテ―ト、ブチルセロソルブアセテ―ト等のセ
ロソルブ系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソア
ミル、γ−ブチルラクトン等のエステル系溶媒、ジメチ
ルスルホキシド、ジメチルホルムアミドＮ−メチルピロ
リドン等を挙げることができる。これらの溶剤は、単独
で使用しても、混合物の形で使用してもよい。但し、こ
れらにキシレン、トルエン又はイソプロピルアルコール
等の脂肪族アルコールを適量含んでいてもよい。

【００６９】次に、前述した感光性組成物（１）を用い
た単層プロセスによるパターン形成方法を説明する。

【００７０】まず、基板上に有機溶媒で溶解された前述
した感光性組成物（１）を回転塗布法やディピング法に
より塗布した後、乾燥して感光性組成物膜（レジスト
膜）を形成する。ここに用いる基板としては、例えばシ
リコンウェハ、表面に各種の絶縁膜や電極、配線が形成
された段差を有するシリコンウェハ、ブランクマスク、
ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓなどのIII-V 化合物半導体ウェ
ハ等を挙げることができる。

【００７１】次いで、前記レジスト膜に所望のパタ―ン
を有するマスクを通してｄｅｅｐＵＶを選択的に照射し
てパターン露光を行なう。このパターン露光に際しての
光源としては、例えばＸｅＦ（波長３５１ｎｍ）、Ｘｅ
Ｃｌ（波長３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）、
ＫｒＣｌ（波長２２２ｎｍ）、ＡｒＦ（波長１９３ｎ
ｍ）、Ｆ₂（波長１５７ｎｍ）などのエキシマレ―ザ等
のｄｅｅｐＵＶを用いることができる。つづいて、パタ
ーン露光後のレジスト膜をアルカリ水溶液を用いて浸漬
法、スプレー法等により現像処理する。これにより、レ
ジスト膜の未露光部分が溶解除去されて所望のレジスト
パタ―ンが形成される。ここに用いるアルカリ水溶液と
しては、レジスト膜の未露光部分を速やかに溶解除去
し、他の露光部分に対する溶解速度が極端に低い性質を
有するものであればいずれでもよく、例えばテトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキシド水溶液などの有機アル
カリ水溶液、又は水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等
の無機アルカリ水溶液等を挙げることができる。これら
のアルカリ水溶液は、通常１５重量％以下の濃度で使用
される。また、現像後において水等によりリンス処理を
施してもよい。

【００７２】なお、前記露光工程後で現像処理前におい
て前記レジスト膜を８０〜１６０℃の温度で加熱するこ
とを許容する。

【００７３】感光性組成物（２）この感光性組成物は、（Ａ）ケイ素含有アルカリ可溶性
重合体と、前述した感光性組成物（１）で用いたのと同
様な（Ｂ）溶解抑止剤と、（Ｃ）光照射により酸を発生
する化合物と、（Ｄ）一般式(I) 、(II)、(III)の化合
物とを含む組成からなるものである。

【００７４】前記（Ａ）成分であるケイ素含有アルカリ
可溶性重合体としては、(a) フェノールを側鎖に有する
ポリシロキサン、(b) フェノールを側鎖に有するポリシ
ラン、(c) ケイ素を側鎖に有するフェノールから合成さ
れたノボラック樹脂等を挙げることができる。前記(a)
のポリシロキサンを下記表３９〜表４３に、前記(b)の
ポリシランを下記表４４〜表４５表に、それぞれ具体的
に例示する。前記(c)のノボラック樹脂は、下記表４６
〜表５７のケイ素含有フェノールモノマーとフェノール
類とをホルマリン又はアルデヒドで縮合させることによ
り得られるものが挙げられる。ここに用いるフェノール
類としては、例えばフェノール、o-クロロフェノール、
m-クロロフェノール、p-クロロフェノール、m-クレゾー
ル、p-クレゾール、キシレゾール、ビスフェノールＡ、
4-クロロ-3- クレゾール、ジヒドロキシベンゼン、トリ
ヒドロキシベンゼン等を挙げることができる。更に、ケ
イ素含有アルカリ可溶性重合体としてはアクリル樹脂、
メタクリル樹脂、メタクリル酸とアクリルニトリルとス
チレン誘導体との共重合体、マロン酸とビニルエーテル
との共重合体にケイ素を導入したものを用いることがで
きる。かかるケイ素含有アルカリ可溶性重合体を、下記
表５８に具体的に例示する。

【００７５】

【表３９】

【００７６】

【表４０】

【００７７】

【表４１】

【００７８】

【表４２】

【００７９】

【表４３】

【００８０】

【表４４】

【００８１】

【表４５】

【００８２】

【表４６】

【００８３】

【表４７】

【００８４】

【表４８】

【００８５】

【表４９】

【００８６】

【表５０】

【００８７】

【表５１】

【００８８】

【表５２】

【００８９】

【表５３】

【００９０】

【表５４】

【００９１】

【表５５】

【００９２】

【表５６】

【００９３】

【表５７】

【００９４】

【表５８】前記感光性組成物（２）を構成する各成分であるケイ素
含有アルカリ可溶性重合体、溶解抑止剤、光照射により
酸を発生する化合物および一般式(I) 、(II)、(III) の
化合物は、前述した感光性組成物（１）と同様なの配合
割合にすることが望ましい。また、前記感光性組成物
（２）は前記各成分の他に必要に応じて前述した感光性
組成物（１）と同様な添加物が配合され、かつ有機溶剤
に溶解し、濾過することにより調製される。

【００９５】次に、前述した感光性組成物（２）を用い
た二層リソグラフィープロセスによるパターン形成方法
を説明する。

【００９６】まず、前述した単層プロセスで用いたのと
同様な基板上に高分子材料を塗布した後、１００〜２５
０℃で３０〜１５０分間ベ―キングを行なって所望厚さ
の高分子材料層（平坦化層）を形成する。ここに用いる
高分子材料は、半導体素子等の製造において支障を生じ
ない純度を有するものであればいかなるものでもよい。
かかる高分子材料としては、例えば置換o-キノンジアジ
ドとノボラック樹脂かならるポジ型レジスト、ポリスチ
レン、ポリメチルメタクリレ―ト、ポリビニルフェノ―
ル、ノボラック樹脂、ポリエステル、ポリビニルアルコ
―ル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポ
リブタジエン、ポリ酢酸ビニル及びポリビニルブチラ―
ル等を挙げることができる。これらの樹脂は、単独又は
混合物の形で用いられる。

【００９７】次いで、前記高分子材料層上に前述した感
光性組成物（２）を例えば回転塗布法やディツピング法
により塗布した後、乾燥して感光性組成物膜（レジスト
膜）を形成する。

【００９８】次いで、前記レジスト膜に所望のパタ―ン
を有するマスクを通して前述した光源からｄｅｅｐＵＶ
を選択的に照射してパターン露光を行なう。露光にあた
っては、密着露光、投影露光のいずれの方式を採用して
もよい。ひきつづき、アルカリ水溶液を用いて浸漬法、
スプレー法等により現像処理する。これにより、レジス
ト膜の未露光部分が溶解除去されて所望のレジストパタ
―ンが形成される。ここに用いるアルカリ水溶液として
は、レジスト膜の未露光部分を速やかに溶解除去し、他
の露光部分に対する溶解速度が極端に低い性質を有する
ものであればいずれでもよく、例えばテトラメチルアン
モニウムハイドロオキシド水溶液などの有機アルカリ水
溶液、又は水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等の無機
アルカリ水溶液等を挙げることができる。これらのアル
カリ水溶液は、通常15重量％以下の濃度で使用される。
現像後においては、水等によりリンス処理を施してもよ
い。

【００９９】次いで、前記レジストパターンをマスクと
して露出する高分子材料層を酸素リアクティブイオンエ
ッチング法（酸素ＲＩＥ法）によりエッチングする。こ
の時、前記レジストパターンを構成する感光性組成物
（２）は既述したようにケイ素含有アルカリリ可溶性重
合体が配合されているため、該レジストパタ―ンは酸素
ＲＩＥに曝されることによって、表面層に二酸化ケイ素
（ＳｉＯ₂）乃至それに類似した膜が形成され、露出し
た高分子材料層の１０〜１００倍の耐酸素ＲＩＥ性を有
するようになる。このため、レジストパタ―ンから露出
した高分子材料層部分が酸素ＲＩＥ法により選択的に除
去され、最適なパタ―ンプロファイルが得られる。

【０１００】このような工程により形成されたパタ―ン
をマスクとして基板等のエッチングを行なう。エッチン
グ手段としては、ウェットエッチング法、ドライエッチ
ング法が採用され、３μｍ以下の微細なパタ―ンを形成
する場合にはドライエッチング法が好ましい。ウェット
エッチング剤としては、シリコン酸化膜をエッチング対
象とする場合にはフッ酸水溶液、フッ化アンモニウム水
溶液等が、アルミニウムをエッチング対象とする場合に
は、リン酸水溶液、酢酸水溶液、硝酸水溶液等が、クロ
ム系膜をエッチング対象とする場合には硝酸セリウムア
ンモニウム水溶液等が、夫々用いられる。ドライエッチ
ング用ガスとしては、ＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆、ＣＣｌ₄、Ｂ
Ｃｌ₃、Ｃｌ₂、ＨＣｌ、Ｈ₂等を挙げることができ、
必要に応じてこれらのガスを組合わせて使用される。エ
ッチングの条件は、微細パタ―ンが形成される物質の種
類と感光性樹脂の組合わせに基づいて反応槽内のウェッ
トエッチング剤の濃度、ドラエッチング用ガスの濃度、
反応温度、反応時間等を決定するが、特にその方法等に
制限されない。

【０１０１】上述したエッチング後には、前記基板上に
残存する高分子材料及びレジストからなるパタ―ンを、
例えばナガセ化成社製商品名：Ｊ−１００等の剥離剤、
酸素ガスプラズマ等によって除去する。

【０１０２】以上の工程以外に、その目的に応じて更に
工程を付加することも何等差支えない。例えば、現像後
において現像液を洗浄除去する目的で行なうリンス（通
常は水を使用する）工程、感光性組成物からなるレジス
ト膜と平坦化層又は平坦化層と基板との密着製を向上さ
せる目的から各液の塗布前に行なう前処理工程、現像前
又は後に行なうベ―ク工程、ドライエッチングの前に行
なう紫外線の再照射工程等を挙げることができる。

【０１０３】感光性組成物（３）この感光性組成物は、（Ｃ）下記化１４、化１５、化１
６、化１７の一般式(IV)、(V) 、(VI)、(VII) にて表さ
れる光照射により酸を発生する化合物と、前述した感光
性組成物（１）で用いたのと同様な（Ａ）アルカリ可溶
性重合体と、（Ｂ）溶解抑止剤と、（Ｄ）一般式(I) 、
(II)、(III) の化合物とを含む組成からなるものであ
る。

【０１０４】

【化１４】ただし、式(IV)中のＲ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴は同一でも異なっ
てもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、シリル
基、又は１価の有機基を示す。Ｒ¹⁵は、１価以上の有機
基を示し、ｎは１〜７の整数を示す。なお、Ｒ¹³とＲ¹⁴
で炭化水素環基又は複素環基を形成してもよい。

【０１０５】

【化１５】ただし、式(V) 中のＲ¹⁶、Ｒ¹⁷は同一でも異なってもよ
く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基シリル基、又は
１価の有機基を示す。Ｒ¹⁸は、１価以上の有機基をを示
す。Ｘ₇は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、
−ＣＲ₁Ｒ₂−、＞Ｎ−ＣＯＲ₃（Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃；
水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、シリル基または一
価の有機基を示し、これらは互いに同一であっても異な
ってもよい）、ｎは１〜７の整数を示す。

【０１０６】

【化１６】ただし、式(VI)中のＲ¹⁹、Ｒ²⁰は同一でも異なってもよ
く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基シリル基、又は
１価の有機基を示す。Ｒ²¹は、１価以上の有機基をを示
す。Ｘ₈は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、
−ＣＲ₁Ｒ₂−、＞Ｎ−ＣＯＲ₃（Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃；
水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、シリル基または一
価の有機基を示し、これらは互いに同一であっても異な
ってもよい）、ｎは１〜７の整数を示す。

【０１０７】

【化１７】ただし、式(VII) 中のＲ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵は同一で
も異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ
基、シリル基、又は１価の有機基を示す。Ｒ²⁶は、１価
以上の有機基を示し、ｎは１〜７の整数を示す。

【０１０８】前記一般式(IV)〜(VII) にＲ¹²、Ｒ¹³、Ｒ
¹⁴、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵
として導入される基としては、水素、又は塩素、臭素な
どのハロゲン、シアノ基、トリメチルシレル、トリフェ
ニレンシリルなどのシリル基、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ｎ−ブチル、sec-ブチル、tert-ブ
チル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチ
ル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル
などのアルキル基、置換又は非置換のフェニル基、ナフ
チル基などのアリール基、メトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、ブトキシ、フェトキシなどのアルコキシ基、ジメ
チルアミノ、ジフェニルアミノなどのアミノ基、また以
下に示す置換又は非置換の複素環基が挙げられる。前記
複素環基としては、例えばピロール環基、ピロリン環
基、ピロリジン環基、インドール環基、イソインドール
環基、インドリン環基、イソインドリン環基、インドリ
ジン環基、カルバゾール環基、カルボリン環基、フラン
環基、オキソラン環基、クロマン環基、クマラン環基、
イソベンゾフラン環基、フタラン環基、ジベンゾフラン
環基、チオフェン環基、チオラン環基、ベンゾチオフェ
ン環基、ジベンゾチオフェン環基、ピラゾール環基、ピ
ラゾリン環基、インダゾール環基、イミダゾールル環
基、イミダリゾン環基、ベンゾイミダゾール環基、ナフ
トイミダゾール環基、オキサゾール環基、オキソザリン
環基、オキソザリジン環基、ベンゾオキサゾール環基、
ベンゾオキサゾリジン環基、ナフトオキサゾール環基、
イソオキサゾール環基、ベンゾオキサゾール環基、チア
ゾール環基、チアゾリン環基、チアゾリジン環基、ベン
ゾチアゾリン環基、ナフトチアゾール環基、イソチアゾ
ール環基、ベンゾイソチアゾール環基、トリアゾール環
基、ベンゾトリアゾール環基、オキサジアゾール環基、
チアジアゾール環基、ベンゾオキサジアゾール環基、ベ
ンゾチアジゾール環基、テトラゾール環基、プリン環
基、ピリジンン環基、ピペリジン環基、キノリン環基、
イソキノリン環基、アクリジン環基、フェナントリジン
環基、ベンゾキノリン環基、ナフトキノリン環基、ナフ
チリジン環基、フェナントロリン環基、ピリダジン環
基、ピリミジン環基、ピラジン環基、フタラジン環基、
キノキサリン環基、キナゾリン環基、シンノリン環基、
フェナジン環基、ペリミジン環基、トリアジン環基、テ
トラジン環基、プテリンジン環基、オキサジン環基、ベ
ンゾオキサジン環基、フェノキサジン環基、チアジン環
基、ベンゾチアジン環基、フェノチアジン環基、オキサ
ジアジン環基、チアジアジン環基、ジオキソラン環基、
ベンゾイオキソール環基、ジオキサン環基、ベンゾジオ
キサン環基、ジチオソラン環基、ベンゾジチオソールル
環基、ジチアン環基、ベンゾジチアン環基、ピラン環
基、クロメン環基、キサンテン環基、オキサン環基、ク
ロマン環基、イソクロマン環基、キサンテン環基、トリ
オキサン環基、、チオラン環基、チアン環基、トリチア
ン環基、モルホリン環基、キヌクリジン環基、セレナゾ
ール環基、ベンゾセレナゾール環基、ナフトセレナゾー
ル環基、テルラゾール環基、ベンゾテルラゾール環基等
が挙げられる。

【０１０９】前記一般式(IV)〜(VII) のＲ¹⁵、Ｒ¹⁸、Ｒ
²¹、Ｒ²⁶として導入される基としては、前記Ｒ¹²、
Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ
²⁴、Ｒ²⁵と同様な１価の置換基の他、２価以上の有機基
が挙げられる。２価以上の基としては、例えばメチレ
ン、メチン、エチレン、プロピレンなどの置換もしくは
非置換のアルキレン、置換もしくは非置換の芳香族環、
複素環、或いはフエニレン、ジフェニレンエーテル、ジ
フェニレンエーテル、ジフェニレンメタン、ジフェニレ
ンプロパン、ビスフェニレンジメチルシラン、又は下記
化１８に示す構造のもの等を挙げることができる。

【０１１０】

【化１８】前記（Ｃ）成分である一般式(IV)〜(VII) で表される酸
を発生する化合物を下記表５９〜表７４に具体的に例示
する。

【０１１１】

【表５９】

【０１１２】

【表６０】

【０１１３】

【表６１】

【０１１４】

【表６２】

【０１１５】

【表６３】

【０１１６】

【表６４】

【０１１７】

【表６５】

【０１１８】

【表６６】

【０１１９】

【表６７】

【０１２０】

【表６８】

【０１２１】

【表６９】

【０１２２】

【表７０】

【０１２３】

【表７１】

【０１２４】

【表７２】

【０１２５】

【表７３】

【０１２６】

【表７４】前記感光性組成物（３）を構成する各成分であるアルカ
リ可溶性重合体、溶解抑止剤、一般式(IV)〜(VII) にて
表される光照射により酸を発生する化合物および一般式
(I) 、(II)、(III) の化合物は、前述した感光性組成物
（１）と同様なの配合割合にすることが望ましい。ま
た、前記感光性組成物（３）は前記各成分の他に必要に
応じて前述した感光性組成物（１）と同様な添加物が配
合され、かつ有機溶剤に溶解し、濾過することにより調
製される。さらに、前記感光性組成物（３）は前述した
単層プロセスによるパターン形成方法に適用される。

【０１２７】感光性樹脂組成物（４）この感光性樹脂組成物は、前述した感光性樹脂組成物
（２）で用いたのと同様な（Ａ）ケイ素含有アルカリ可
溶性重合体と、前述した感光性組成物（１）で用いたの
と同様な（Ｂ）溶解抑止剤と、（Ｄ）一般式(I) 、(I
I)、(III) の化合物と、前述した感光性樹脂組成物
（３）で用いたのと同様な（Ｃ）一般式(IV)〜(VII) に
て表される光照射により酸を発生する化合物とを含む組
成からなるものである。

【０１２８】前記感光性組成物（４）を構成する各成分
であるケイ素含有アルカリ可溶性重合体、溶解抑止剤、
一般式(IV)〜(VII) にて表される光照射により酸を発生
する化合物および一般式(I) 、(II)、(III) の化合物
は、前述した感光性組成物（１）と同様なの配合割合に
することが望ましい。また、前記感光性組成物（４）は
前記各成分の他に必要に応じて前述した感光性組成物
（１）と同様な添加物が配合され、かつ有機溶剤に溶解
し、濾過することにより調製される。さらに、前記感光
性組成物（４）は前述した二層リソグラフィープロセス
によるパターン形成方法に適用される。

【０１２９】

【作用】本発明に係わる感光性組成物（１）、（３）に
よれば、ｄｅｅｐＵＶ、電離放射線などの光照射を行う
ことによって、前記組成物中の（Ｃ）成分である酸を発
生する化合物または一般式(IV)〜(VII) にて表される酸
を発生する化合物から発生した、前記酸により前記組成
物中の（Ｂ）成分である酸により分解する置換基を有す
る有機化合物からなる溶解抑止剤が分解し、その溶解抑
止力が消滅してパターン潜像を形成できる。また、前記
各組成物中の（Ｄ）成分である一般式(I)〜(III) にて
表される化合物は前記光照射により発生した酸の拡散を
抑制する作用を有するため、前記潜像の解像性を向上で
きる。その結果、現像処理により前記潜像を優先的に溶
解、除去できるため、パターン（ポジ型パターン）を形
成できる。しかも、前記各感光性樹脂組成物中には
（Ａ）成分であるアルカリ可溶性樹脂が配合されている
ため、露光後にアルカリ水溶液による現像が可能とな
り、膨潤等を抑制できる。従って、ｄｅｅｐＵＶ、電離
放射線などの光に対して良好に感光し、高精度かつ前記
工程時での許容性の大きい断面矩形状をなし、さらにド
ライエッチング耐性の優れた微細なポジ型パターンを形
成できる。

【０１３０】また、本発明に係わる感光性組成物
（２）、（４）によれば前述した感光性組成物（１）、
（３）で説明したのと同様な作用によりポジ型パターン
を形成できる。しかも、前記各組成物中には（Ａ）成分
であるケイ素含有アルカリ可溶性樹脂が配合されている
ため、露光後にアルカリ水溶液による現像が可能とな
り、膨潤等を抑制できると共に、耐酸素ＲＩＥ性を有す
る微細なパターンを形成できる。従って、前記パターン
を下層の高分子材料層（平坦下層）に対する耐酸素ＲＩ
Ｅ性マスクとして酸素プラズマによるドライエッチング
を行なうことにより、高アスペクト比で良好な断面矩形
状を有する微細な二層パターンを形成できる。

【０１３１】

【実施例】

実施例１〜３まず、下記表７５に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射に
より酸を発生する化合物、下記表７６に示す溶解抑止
剤、一般式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表７
５、表７６に示す割合で配合し、エチルセロソルブアセ
テート２５０ｇに溶解させ、０．２μｍのフッ素樹脂製
メンブランフィルタを用いて濾過することにより３種の
感光性樹脂組成物を調製した。

【０１３２】

【表７５】

【０１３３】

【表７６】次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物を塗布
し、９０℃で５分間ホットプレート上で乾燥することに
より厚さ１．０μｍの感光性樹脂組成物膜（レジスト
膜）を形成した。つづいて、これらレジスト膜にＫｒＦ
エキシマレ―ザ光を用いた縮小投影露光機でパターン露
光（１００ｍＪ／ｃｍ²）を行なった。この後１．８重
量％濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキシド
水溶液（以下、ＴＭＡＨ水溶液と略す）に１分間浸漬し
て現像し、３種のポジ型パターンを形成した。

【０１３４】実施例４〜７まず、下記表７７に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射に
より酸を発生する化合物、下記表７８に示す溶解抑止
剤、一般式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表７
７、表７８に示す割合で配合し、実施例１と同様にエチ
ルセロソルブアセテートに溶解させ、更に濾過して４種
の感光性樹脂組成物を調製した。

【０１３５】

【表７７】

【０１３６】

【表７８】次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物を塗布
し、実施例１と同様に乾燥して厚さ１．０μｍのレジス
ト膜を形成し、ひきつづきＫｒＦエキシマレ―ザ光を用
いた縮小投影露光機でパターン露光、ＴＭＡＨ水溶液で
の現像を行なうことにより４種のポジ型パターンを形成
した。

【０１３７】実施例８〜１０まず、下記表７９に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射に
より酸を発生する化合物、下記表８０に示す溶解抑止
剤、一般式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表７
９、表８０に示す割合で配合し、実施例１と同様にエチ
ルセロソルブアセテートに溶解させ、更に濾過して３種
の感光性樹脂組成物を調製した。

【０１３８】

【表７９】

【０１３９】

【表８０】次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物を塗布
し、実施例１と同様に乾燥して厚さ１．０μｍのレジス
ト膜を形成し、ひきつづきＫｒＦエキシマレ―ザ光を用
いた縮小投影露光機でパターン露光、ＴＭＡＨ水溶液で
の現像を行なうことにより３種のポジ型パターンを形成
した。

【０１４０】実施例１１〜１３まず、下記表８１に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射に
より酸を発生する化合物、下記表８２に示す溶解抑止
剤、一般式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表８
１、表８２に示す割合で配合し、実施例１と同様にエチ
ルセロソルブアセテートに溶解させ、更に濾過して３種
の感光性樹脂組成物を調製した。

【０１４１】

【表８１】

【０１４２】

【表８２】次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物を塗布
し、実施例１と同様に乾燥して厚さ１．０μｍのレジス
ト膜を形成し、ひきつづきＫｒＦエキシマレ―ザ光を用
いた縮小投影露光機でパターン露光、ＴＭＡＨ水溶液で
の現像を行なうことにより３種のポジ型パターンを形成
した。

【０１４３】実施例１４〜１６まず、下記表８３に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射に
より酸を発生する化合物、下記表８４に示す溶解抑止
剤、一般式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表８
３、表８４に示す割合で配合し、実施例１と同様にエチ
ルセロソルブアセテートに溶解させ、更に濾過して３種
の感光性樹脂組成物を調製した。

【０１４４】

【表８３】

【０１４５】

【表８４】次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物を塗布
し、実施例１と同様に乾燥して厚さ１．０μｍのレジス
ト膜を形成し、ひきつづきＫｒＦエキシマレ―ザ光を用
いた縮小投影露光機でパターン露光、ＴＭＡＨ水溶液で
の現像を行なうことにより３種のポジ型パターンを形成
した。

【０１４６】実施例１７〜１９まず、下記表８５に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射に
より酸を発生する化合物、下記表８６に示す溶解抑止
剤、一般式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表８
５、表８６に示す割合で配合し、実施例１と同様にエチ
ルセロソルブアセテートに溶解させ、更に濾過して３種
の感光性樹脂組成物を調製した。

【０１４７】

【表８５】

【０１４８】

【表８６】次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物を塗布
し、実施例１と同様に乾燥して厚さ１．０μｍのレジス
ト膜を形成し、ひきつづきＫｒＦエキシマレ―ザ光を用
いた縮小投影露光機でパターン露光、ＴＭＡＨ水溶液で
の現像を行なうことにより３種のポジ型パターンを形成
した。

【０１４９】実施例２０〜２２まず、下記表８７に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射に
より酸を発生する化合物、下記表８８に示す溶解抑止
剤、一般式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表８
７、表８８に示す割合で配合し、実施例１と同様にエチ
ルセロソルブアセテートに溶解させ、更に濾過して３種
の感光性樹脂組成物を調製した。

【０１５０】

【表８７】

【０１５１】

【表８８】次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物を塗布
し、実施例１と同様に乾燥して厚さ１．０μｍのレジス
ト膜を形成し、ひきつづきＫｒＦエキシマレ―ザ光を用
いた縮小投影露光機でパターン露光、ＴＭＡＨ水溶液で
の現像を行なうことにより３種のポジ型パターンを形成
した。

【０１５２】実施例２３〜２５まず、下記表８９に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射に
より酸を発生する化合物、下記表９０に示す溶解抑止
剤、一般式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表８
９、表９０に示す割合で配合し、実施例１と同様にエチ
ルセロソルブアセテートに溶解させ、更に濾過して３種
の感光性樹脂組成物を調製した。

【０１５３】

【表８９】

【０１５４】

【表９０】次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物を塗布
し、実施例１と同様に乾燥して厚さ１．０μｍのレジス
ト膜を形成し、ひきつづきＫｒＦエキシマレ―ザ光を用
いた縮小投影露光機でパターン露光、ＴＭＡＨ水溶液で
の現像を行なうことにより３種のポジ型パターンを形成
した。

【０１５５】本実施例１〜２５のポジ型パターンの形状
を調べた。その結果、いずれも０．３５μｍの急峻なパ
ターンプロファイルを有し、微細かつ矩形状をなす高精
度のポジ型パターンを形成できることが確認された。

【０１５６】実施例２６、２７まず、下記表９１に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射に
より酸を発生する化合物、下記表９２に示す溶解抑止
剤、一般式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表９
１、表９２に示す割合で配合し、エチルセロソルブアセ
テート２５０ｇに溶解させ、０．２μｍのフッ素樹脂製
メンブランフィルタを用いて濾過することにより２種の
感光性樹脂組成物を調製した。

【０１５７】

【表９１】

【０１５８】

【表９２】次いで、シリコン基板上に市販のノボラック樹脂からな
る高分子材料溶液を２．０μｍの厚さに塗布した後、２
２０℃で３０分間加熱処理して高分子材料層（平坦化
層）を形成した。つづいて、この平坦化層上に前記各感
光性組成物を塗布し、９０℃、５分間ホットプレ―ト上
で乾燥して厚さ０．６μｍの感光性組成物膜（レジスト
膜）を形成した。ひきつづき、これらレジスト膜にＫｒ
Ｆエキシマレ―ザ光を用いた縮小投影露光機でパターン
露光（１００ｍＪ／ｃｍ²）を行なった。この後１．８
重量％濃度のＴＭＡＨ水溶液に１分間浸漬して現像し、
ホジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成した。

【０１５９】次いで、前記上層パタ―ンが形成されたシ
リコン基板をドライエッチング装置（徳田製作所社製商
品名；ＨＩＲＲＩＥ）に設置し、出力０．８Ｗ／cm²、
酸素ガス圧４ｐａ、流量５０ｓｃｃｍの条件で酸素プラ
ズマによるリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）を
２分間行ない、上層パタ―ンをマスクとして下層の平坦
化層をエッチングした。

【０１６０】実施例２８、２９下記表９３に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射により酸
を発生する化合物、下記表９４に示す溶解抑止剤、一般
式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表９３、表９４
に示す割合で配合し、実施例２６と同様にエチルセロソ
ルブアセテートに溶解させ、更に濾過して２種の感光性
樹脂組成物を調製した。

【０１６１】

【表９３】

【０１６２】

【表９４】次いで、実施例２６と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０１６３】実施例３０、３１下記表９５に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射により酸
を発生する化合物、下記表９６に示す溶解抑止剤、一般
式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表９５、表９６
に示す割合で配合し、実施例２６と同様にエチルセロソ
ルブアセテートに溶解させ、更に濾過して２種の感光性
樹脂組成物を調製した。

【０１６４】

【表９５】

【０１６５】

【表９６】次いで、実施例２６と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０１６６】実施例３２、３３下記表９７に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射により酸
を発生する化合物、下記表９８に示す溶解抑止剤、一般
式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表９７、表９８
に示す割合で配合し、実施例２６と同様にエチルセロソ
ルブアセテートに溶解させ、更に濾過して２種の感光性
樹脂組成物を調製した。

【０１６７】

【表９７】

【０１６８】

【表９８】次いで、実施例２６と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０１６９】実施例３４、３５下記表９９に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射により酸
を発生する化合物、下記表１００に示す溶解抑止剤、一
般式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表９９、表１
００に示す割合で配合し、実施例２６と同様にエチルセ
ロソルブアセテートに溶解させ、更に濾過して２種の感
光性樹脂組成物を調製した。

【０１７０】

【表９９】

【０１７１】

【表１００】次いで、実施例２６と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０１７２】実施例３６、３７下記表１０１に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射により
酸を発生する化合物、下記表１０２に示す溶解抑止剤、
一般式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表１０１、
表１０２に示す割合で配合し、実施例２６と同様にエチ
ルセロソルブアセテートに溶解させ、更に濾過して２種
の感光性樹脂組成物を調製した。

【０１７３】

【表１０１】

【０１７４】

【表１０２】次いで、実施例２６と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０１７５】実施例３８、３９下記表１０３に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射により
酸を発生する化合物、下記表１０４に示す溶解抑止剤、
一般式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表１０３、
表１０４に示す割合で配合し、実施例２６と同様にエチ
ルセロソルブアセテートに溶解させ、更に濾過して２種
の感光性樹脂組成物を調製した。

【０１７６】

【表１０３】

【０１７７】

【表１０４】次いで、実施例２６と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０１７８】実施例４０、４１下記表１０５に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射により
酸を発生する化合物、下記表１０６に示す溶解抑止剤、
一般式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表１０５、
表１０６に示す割合で配合し、実施例２６と同様にエチ
ルセロソルブアセテートに溶解させ、更に濾過して２種
の感光性樹脂組成物を調製した。

【０１７９】

【表１０５】

【０１８０】

【表１０６】次いで、実施例２６と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０１８１】実施例４２、４３下記表１０７に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射により
酸を発生する化合物、下記表１０８に示す溶解抑止剤、
一般式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表１０７、
表１０８に示す割合で配合し、実施例２６と同様にエチ
ルセロソルブアセテートに溶解させ、更に濾過して２種
の感光性樹脂組成物を調製した。

【０１８２】

【表１０７】

【０１８３】

【表１０８】次いで、実施例２６と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０１８４】実施例４４、４５下記表１０９に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射により
酸を発生する化合物、下記表１１０に示す溶解抑止剤、
一般式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表１０９、
表１１０に示す割合で配合し、実施例２６と同様にエチ
ルセロソルブアセテートに溶解させ、更に濾過して２種
の感光性樹脂組成物を調製した。

【０１８５】

【表１０９】

【０１８６】

【表１１０】次いで、実施例２６と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０１８７】実施例４６、４７下記表１１１に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射により
酸を発生する化合物、下記表１１２に示す溶解抑止剤、
一般式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表１１１、
表１１２に示す割合で配合し、実施例２６と同様にエチ
ルセロソルブアセテートに溶解させ、更に濾過して２種
の感光性樹脂組成物を調製した。

【０１８８】

【表１１１】

【０１８９】

【表１１２】次いで、実施例２６と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０１９０】実施例４８、４９下記表１１３に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射により
酸を発生する化合物、下記表１１４に示す溶解抑止剤、
一般式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表１１３、
表１１４に示す割合で配合し、実施例２６と同様にエチ
ルセロソルブアセテートに溶解させ、更に濾過して２種
の感光性樹脂組成物を調製した。

【０１９１】

【表１１３】

【０１９２】

【表１１４】次いで、実施例２６と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０１９３】本実施例２６〜４９の酸素ＲＩＥ後の平坦
化層のパターン形状を走査型電子顕微鏡で観察した。そ
の結果を、いずれも０．３５μｍの急峻なパターンプロ
ファイルを有し、微細かつ矩形状をなす高精度の二層パ
ターンを形成できることが確認された。

【０１９４】実施例５０〜５２まず、下記表１１５に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式
(IV)〜(VII) にて表される光照射により酸を発生する化
合物、下記表１１６に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(I
II) にて表される化合物を同表１１５、表１１６に示す
割合で配合し、エチルセロソルブアセテート２５０ｇに
溶解させ、０．２μｍのフッ素樹脂製メンブランフィル
タを用いて濾過して３種の感光性樹脂組成物を調製し
た。

【０１９５】

【表１１５】

【０１９６】

【表１１６】次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物を塗布
し、９０℃で５分間ホットプレート上で乾燥することに
より厚さ１．０μｍの感光性樹脂組成物膜（レジスト
膜）を形成した。つづいて、これらレジスト膜にＫｒＦ
エキシマレ―ザ光を用いた縮小投影露光機でパターン露
光（１００ｍＪ／ｃｍ²）を行なった。この後１．８重
量％濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキシド
水溶液（以下、ＴＭＡＨ水溶液と略す）に１分間浸漬し
て現像し、３種のポジ型パターンを形成した。

【０１９７】実施例５３〜５６まず、下記表１１７に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式
(IV)〜(VII) にて表される光照射により酸を発生する化
合物、下記表１１８に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(I
II) にて表される化合物を同表１１７、表１１８に示す
割合で配合し、実施例５０と同様にエチルセロソルブア
セテートに溶解させ、更に濾過することにより４種の感
光性樹脂組成物を調製した。

【０１９８】

【表１１７】

【０１９９】

【表１１８】次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物を塗布
し、実施例５０と同様に乾燥して厚さ１．０μｍのレジ
スト膜を形成し、ひきつづきＫｒＦエキシマレ―ザ光を
用いた縮小投影露光機でパターン露光、ＴＭＡＨ水溶液
での現像を行なうことにより４種のポジ型パターンを形
成した。

【０２００】実施例５７〜５９まず、下記表１１９に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式
(IV)〜(VII) にて表される光照射により酸を発生する化
合物、下記表１２０に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(I
II) にて表される化合物を同表１１９、表１２０に示す
割合で配合し、実施例５０と同様にエチルセロソルブア
セテートに溶解させ、更に濾過することにより３種の感
光性樹脂組成物を調製した。

【０２０１】

【表１１９】

【０２０２】

【表１２０】次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物を塗布
し、実施例５０と同様に乾燥して厚さ１．０μｍのレジ
スト膜を形成し、ひきつづきＫｒＦエキシマレ―ザ光を
用いた縮小投影露光機でパターン露光、ＴＭＡＨ水溶液
での現像を行なうことにより３種のポジ型パターンを形
成した。

【０２０３】実施例６０〜６２まず、下記表１２１に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式
(IV)〜(VII) にて表される光照射により酸を発生する化
合物、下記表１２２に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(I
II) にて表される化合物を同表１２１、表１２２に示す
割合で配合し、実施例５０と同様にエチルセロソルブア
セテートに溶解させ、更に濾過することにより３種の感
光性樹脂組成物を調製した。

【０２０４】

【表１２１】

【０２０５】

【表１２２】次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物を塗布
し、実施例５０と同様に乾燥して厚さ１．０μｍのレジ
スト膜を形成し、ひきつづきＫｒＦエキシマレ―ザ光を
用いた縮小投影露光機でパターン露光、ＴＭＡＨ水溶液
での現像を行なうことにより３種のポジ型パターンを形
成した。

【０２０６】実施例６３〜６５まず、下記表１２３に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式
(IV)〜(VII) にて表される光照射により酸を発生する化
合物、下記表１２４に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(I
II) にて表される化合物を同表１２３、表１２４に示す
割合で配合し、実施例５０と同様にエチルセロソルブア
セテートに溶解させ、更に濾過することにより３種の感
光性樹脂組成物を調製した。

【０２０７】

【表１２３】

【０２０８】

【表１２４】次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物を塗布
し、実施例５０と同様に乾燥して厚さ１．０μｍのレジ
スト膜を形成し、ひきつづきＫｒＦエキシマレ―ザ光を
用いた縮小投影露光機でパターン露光、ＴＭＡＨ水溶液
での現像を行なうことにより３種のポジ型パターンを形
成した。

【０２０９】実施例６６〜６８まず、下記表１２５に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式
(IV)〜(VII) にて表される光照射により酸を発生する化
合物、下記表１２６に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(I
II) にて表される化合物を同表１２５、表１２６に示す
割合で配合し、実施例５０と同様にエチルセロソルブア
セテートに溶解させ、更に濾過することにより３種の感
光性樹脂組成物を調製した。

【０２１０】

【表１２５】

【０２１１】

【表１２６】次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物を塗布
し、実施例２０と同様に乾燥して厚さ１．０μｍのレジ
スト膜を形成し、ひきつづきＫｒＦエキシマレ―ザ光を
用いた縮小投影露光機でパターン露光、ＴＭＡＨ水溶液
での現像を行なうことにより３種のポジ型パターンを形
成した。

【０２１２】実施例６９〜７１まず、下記表１２７に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式
(IV)〜(VII) にて表される光照射により酸を発生する化
合物、下記表１２８に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(I
II) にて表される化合物を同表８７、表８８に示す割合
で配合し、実施例５０と同様にエチルセロソルブアセテ
ートに溶解させ、更に濾過することにより３種の感光性
樹脂組成物を調製した。

【０２１３】

【表１２７】

【０２１４】

【表１２８】次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物を塗布
し、実施例５０と同様に乾燥して厚さ１．０μｍのレジ
スト膜を形成し、ひきつづきＫｒＦエキシマレ―ザ光を
用いた縮小投影露光機でパターン露光、ＴＭＡＨ水溶液
での現像を行なうことにより３種のポジ型パターンを形
成した。

【０２１５】実施例７２〜７４まず、下記表１２９に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式
(IV)〜(VII) にて表される光照射により酸を発生する化
合物、下記表１３０に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(I
II) にて表される化合物を同表１２９、表１３０に示す
割合で配合し、実施例５０と同様にエチルセロソルブア
セテートに溶解させ、更に濾過することにより３種の感
光性樹脂組成物を調製した。

【０２１６】

【表１２９】

【０２１７】

【表１３０】次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物を塗布
し、実施例５０と同様に乾燥して厚さ１．０μｍのレジ
スト膜を形成し、ひきつづきＫｒＦエキシマレ―ザ光を
用いた縮小投影露光機でパターン露光、ＴＭＡＨ水溶液
での現像を行なうことにより３種のポジ型パターンを形
成した。

【０２１８】本実施例５０〜７４のポジ型パターンの形
状を調べた。その結果、いずれも０．３５μｍの急峻な
パターンプロファイルを有し、微細かつ矩形状をなす高
精度のポジ型パターンを形成できることが確認された。

【０２１９】実施例７５、７６まず、下記表１３１に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式
(IV)〜(VII) にて表される光照射により酸を発生する化
合物、下記表１３２に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(I
II) にて表される化合物を同表１３１、表１３２に示す
割合で配合し、エチルセロソルブアセテート２５０ｇに
溶解させ、０．２μｍのフッ素樹脂製メンブランフィル
タを用いて濾過して２種の感光性樹脂組成物を調製し
た。

【０２２０】

【表１３１】

【０２２１】

【表１３２】次いで、シリコン基板上に市販のノボラック樹脂からな
る高分子材料溶液を２．０μｍの厚さに塗布した後、２
２０℃で３０分間加熱処理して高分子材料層（平坦化
層）を形成した。つづいて、この平坦化層上に前記各感
光性組成物を塗布し、９０℃、５分間ホットプレ―ト上
で乾燥して厚さ０．６μｍの感光性組成物膜（レジスト
膜）を形成した。ひきつづき、これらレジスト膜にＫｒ
Ｆエキシマレ―ザ光を用いた縮小投影露光機でパターン
露光（１００ｍＪ／ｃｍ²）を行なった。この後１．８
重量％濃度のＴＭＡＨ水溶液に１分間浸漬して現像し、
ホジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成した。

【０２２２】次いで、前記上層パタ―ンが形成されたシ
リコン基板をドライエッチング装置（徳田製作所社製商
品名；ＨＩＲＲＩＥ）に設置し、出力０．８Ｗ／cm²、
酸素ガス圧４ｐａ、流量５０ｓｃｃｍの条件で酸素プラ
ズマによるリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）を
２分間行ない、上層パタ―ンをマスクとして下層の平坦
化層をエッチングした。

【０２２３】実施例７７、７８下記表１３３に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式(IV)〜
(VII) にて表される光照射により酸を発生する化合物、
下記表１３４に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(III) に
て表される化合物を同表１３３、表１３４に示す割合で
配合し、実施例７５と同様にエチルセロソルブアセテー
トに溶解させ、更に濾過して２種の感光性樹脂組成物を
調製した。

【０２２４】

【表１３３】

【０２２５】

【表１３４】次いで、実施例７５と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０２２６】実施例７９、８０下記表１３５に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式(IV)〜
(VII) にて表される光照射により酸を発生する化合物、
下記表１３６に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(III) に
て表される化合物を同表１３５、表１３６に示す割合で
配合し、実施例７５と同様にエチルセロソルブアセテー
トに溶解させ、更に濾過して２種の感光性樹脂組成物を
調製した。

【０２２７】

【表１３５】

【０２２８】

【表１３６】次いで、実施例７５と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０２２９】実施例８１、８２下記表１３７に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式(IV)〜
(VII) にて表される光照射により酸を発生する化合物、
下記表１３８に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(III) に
て表される化合物を同表１３７、表１３８に示す割合で
配合し、実施例７５と同様にエチルセロソルブアセテー
トに溶解させ、更に濾過して２種の感光性樹脂組成物を
調製した。

【０２３０】

【表１３７】

【０２３１】

【表１３８】次いで、実施例７５と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０２３２】実施例８１、８２下記表１３９に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式(IV)〜
(VII) にて表される光照射により酸を発生する化合物、
下記表１４０に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(III) に
て表される化合物を同表１３９、表１４０に示す割合で
配合し、実施例７５と同様にエチルセロソルブアセテー
トに溶解させ、更に濾過して２種の感光性樹脂組成物を
調製した。

【０２３３】

【表１３９】

【０２３４】

【表１４０】次いで、実施例７５と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０２３５】実施例８３、８４下記表１４１に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式(IV)〜
(VII) にて表される光照射により酸を発生する化合物、
下記表１４２に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(III) に
て表される化合物を同表１４１、表１４２に示す割合で
配合し、実施例７５と同様にエチルセロソルブアセテー
トに溶解させ、更に濾過して２種の感光性樹脂組成物を
調製した。

【０２３６】

【表１４１】

【０２３７】

【表１４２】次いで、実施例７５と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０２３８】実施例８５、８６下記表１０４に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式(IV)〜
(VII) にて表される光照射により酸を発生する化合物、
下記表１４４に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(III) に
て表される化合物を同表１４３、表１４４に示す割合で
配合し、実施例７５と同様にエチルセロソルブアセテー
トに溶解させ、更に濾過して２種の感光性樹脂組成物を
調製した。

【０２３９】

【表１４３】

【０２４０】

【表１４４】次いで、実施例７５と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０２４１】実施例８７、８８下記表１４５に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式(IV)〜
(VII) にて表される光照射により酸を発生する化合物、
下記表１４６に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(III) に
て表される化合物を同表１４５、表１４６に示す割合で
配合し、実施例７５と同様にエチルセロソルブアセテー
トに溶解させ、更に濾過して２種の感光性樹脂組成物を
調製した。

【０２４２】

【表１４５】

【０２４３】

【表１４６】次いで、実施例７５と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０２４４】実施例８９、９０下記表１４７に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式(IV)〜
(VII) にて表される光照射により酸を発生する化合物、
下記表１４８に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(III) に
て表される化合物を同表１４７、表１４８に示す割合で
配合し、実施例７５と同様にエチルセロソルブアセテー
トに溶解させ、更に濾過して２種の感光性樹脂組成物を
調製した。

【０２４５】

【表１４７】

【０２４６】

【表１４８】次いで、実施例７５と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０２４７】実施例９１、９２下記表１４９に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式(IV)〜
(VII) にて表される光照射により酸を発生する化合物、
下記表１５０に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(III) に
て表される化合物を同表１４９、表１５０に示す割合で
配合し、実施例７５と同様にエチルセロソルブアセテー
トに溶解させ、更に濾過して２種の感光性樹脂組成物を
調製した。

【０２４８】

【表１４９】

【０２４９】

【表１５０】次いで、実施例７５と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０２５０】実施例９３、９４下記表１５１に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式(IV)〜
(VII) にて表される光照射により酸を発生する化合物、
下記表１５２に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(III) に
て表される化合物を同表１５１、表１５２に示す割合で
配合し、実施例７５と同様にエチルセロソルブアセテー
トに溶解させ、更に濾過して２種の感光性樹脂組成物を
調製した。

【０２５１】

【表１５１】

【０２５２】

【表１５２】次いで、実施例７５と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０２５３】実施例９５、９６下記表１５３に示すアルカリ可溶性樹脂、一般式(IV)〜
(VII) にて表される光照射により酸を発生する化合物、
下記表１５４に示す溶解抑止剤、一般式(I) 〜(III) に
て表される化合物を同表１５３、表１５４に示す割合で
配合し、実施例７５と同様にエチルセロソルブアセテー
トに溶解させ、更に濾過して２種の感光性樹脂組成物を
調製した。

【０２５４】

【表１５３】

【０２５５】

【表１５４】次いで、実施例７５と同様にシリコン基板上に平坦下層
を形成し、この平坦下層上に前記各感光性樹脂組成物を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジ型パタ―ン（上層パタ―ン）を形成し、更に上層
パターンをマスクとして下層の平坦下層を酸素ＲＩＥを
行った。

【０２５６】本実施例７５〜９６の酸素ＲＩＥ後の平坦
化層のパターン形状を走査型電子顕微鏡で観察した。そ
の結果を、いずれも０．３５μｍの急峻なパターンプロ
ファイルを有し、微細かつ矩形状をなす高精度の二層パ
ターンを形成できることが確認された。

【０２５７】実施例９９〜１０１まず、下記表１５５に示すアルカリ可溶性樹脂、光照射
により酸を発生する化合物、下記表１５６に示す溶解抑
止剤、一般式(I) 〜(III) にて表される化合物を同表１
５５、表１５６に示す割合で配合し、エチルセロソルブ
アセテート２５０ｇに溶解させ、０．２μｍのフッ素樹
脂製メンブランフィルタを用いて濾過することにより３
種の感光性樹脂組成物を調製した。

【０２５８】

【表１５５】

【０２５９】

【表１５６】次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物を塗布
し、９０℃で５分間ホットプレート上で乾燥することに
より厚さ１．０μｍの感光性樹脂組成物膜（レジスト
膜）を形成した。つづいて、これらレジスト膜にＫｒＦ
エキシマレ―ザ光を用いた縮小投影露光機でパターン露
光（１００ｍＪ／ｃｍ²）を行なった。ひきつづき、ホ
ットプレート上で１１０℃、１分間加熱処理を行った。
この後、ＴＭＡＨ水溶液に１分間浸漬して現像し、３種
のポジ型パターンを形成した。なお、実施例９９では
２．０重量％濃度のＴＭＡＨ水溶液を用い、実施例１０
０、１０１では２．３８重量％濃度のＴＭＡＨ水溶液を
用いた。

【０２６０】本実施例９９〜１０１のポジ型パターンの
形状を調べた。その結果、いずれも０．３５μｍの急峻
なパターンプロファイルを有し、微細かつ矩形状をなす
高精度のポジ型パターンを形成できることが確認され
た。

【０２６１】

【発明の効果】以上詳述した如く、本発明の感光性組成
物によればｄｅｅｐＵＶ、電離放射線に対して良好に感
光し、かつドライエッチング耐性に優れ、更に露光後に
アルカリ水溶液による現像が可能となり、膨潤等が抑制
された高精度かつ許容性の大きい断面矩形状を有する微
細なポジ型パタ―ンを形成でき、ひいては半導体装置の
ドライエッチング工程でのマスクとして有効に利用でき
る等顕著な効果を奏する。また、本発明の感光性組成物
によればｄｅｅｐＵＶ、電離放射線に対して良好に感光
し、更に露光後にアルカリ水溶液による現像が可能とな
り現像後において耐酸素ＲＩＥ性を有する微細なポジ型
パターンを形成でき、ひいては二層レジストシステムへ
の適用が可能であると共に、微細加工に極めて好都合で
ある等顕著な効果を奏する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｃ０８Ｋ 5/54 ＫＣＤ 7167−4ＪＣ０８Ｌ 101/00 Ｇ０３Ｆ 7/004 7124−2Ｈ５０３ 7124−2Ｈ 7/029 9019−2Ｈ 7/038 7124−2Ｈ 7/075 ５１１ 7124−2ＨＨ０１Ｌ 21/00 8518−4Ｍ 21/027

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）アルカリ可溶性重合体と、（Ｂ）酸により分解する置換基を有する有機化合物から
なる溶解抑止剤と、（Ｃ）光照射により酸を発生する化合物と、（Ｄ）下記化１、化２、化３の一般式(I) 、(II)、(II
I) にて表される化合物と、を含むことを特徴とする感光性組成物。【化１】ただし、式(I) 中のＸ₁はＯ原子又はＳ原子、Ｘ₂はＮ
原子又はＣＲ⁴基を示す。Ｒ¹〜Ｒ³及び前記ＣＲ⁴基
のＲ⁴は、同一であっても異なってもよく、それぞれ非
置換もしくは置換複素環基、非置換もしくは置換芳香族
炭化水素基、非置換もしくは置換脂肪族炭化水素基、非
置換もしくは置換脂環式炭化水素基、その他種々の特性
基、又は水素原子を示す。なお、Ｒ²とＲ³で炭化水素
環基又は複素環基を形成してもよい。【化２】ただし、式(II)中のＸ₃はＯ原子又はＳ原子、Ｘ₄はＮ
原子又はＣＲ⁷基を示す。Ｒ⁵、Ｒ⁶及び前記ＣＲ⁷基
のＲ⁷は、同一であっても異なってもよく、それぞれ非
置換もしくは置換複素環基、非置換もしくは置換芳香族
炭化水素基、非置換もしくは置換脂肪族炭化水素基、非
置換もしくは置換脂環式炭化水素基、その他種々の特性
基、又は水素原子を示す。【化３】ただし、式(III) 中のＸ₅はＯ原子又はＳ原子、Ｘ₆は
Ｎ原子又はＣＲ¹¹基を示す。Ｒ⁸〜Ｒ¹⁰及び前記ＣＲ¹¹
基のＲ¹¹は、同一であっても異なってもよく、それぞれ
非置換もしくは置換複素環基、非置換もしくは置換芳香
族炭化水素基、非置換もしくは置換脂肪族炭化水素基、
非置換もしくは置換脂環式炭化水素基、その他種々の特
性基、又は水素原子を示す。なお、Ｒ⁹とＲ¹⁰で炭化水
素環基又は複素環基を形成してもよい。
【請求項２】前記アルカリ可溶性重合体は、ケイ素を
含有するものであることを特徴とする請求項１記載の感
光性組成物。
【請求項３】（Ａ）アルカリ可溶性重合体と、（Ｂ）酸により分解する置換基を有する有機化合物から
なる溶解抑止剤と、（Ｃ）下記化４、化５、化６、化７の一般式(IV)、(V)
、(VI)、(VII) にて表される光照射により酸を発生す
る化合物と、（Ｄ）下記化８、化９、化１０の一般式(I) 、(II)、(I
II) にて表される化合物と、を含むことを特徴とする感光性組成物。【化４】ただし、式(IV)中のＲ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴は同一でも異なっ
てもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、シリル
基、又は１価の有機基を示す。Ｒ¹⁵は、１価以上の有機
基を示し、ｎは１〜７の整数を示す。なお、Ｒ¹³とＲ¹⁴
で炭化水素環基又は複素環基を形成してもよい。【化５】ただし、式(V) 中のＲ¹⁶、Ｒ¹⁷は同一でも異なってもよ
く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基シリル基、又は
１価の有機基を示す。Ｒ¹⁸は、１価以上の有機基をを示
す。Ｘ₇は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、
−ＣＲ₁Ｒ₂−、＞Ｎ−ＣＯＲ₃（Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃；
水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、シリル基または一
価の有機基を示し、これらは互いに同一であっても異な
ってもよい）、ｎは１〜７の整数を示す。【化６】ただし、式(VI)中のＲ¹⁹、Ｒ²⁰は同一でも異なってもよ
く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基シリル基、又は
１価の有機基を示す。Ｒ²¹は、１価以上の有機基をを示
す。Ｘ₈は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、
−ＣＲ₁Ｒ₂−、＞Ｎ−ＣＯＲ₃（Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃；
水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、シリル基または一
価の有機基を示し、これらは互いに同一であっても異な
ってもよい）、ｎは１〜７の整数を示す。【化７】ただし、式(VII) 中のＲ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵は同一で
も異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ
基、シリル基、又は１価の有機基を示す。Ｒ²⁶は、１価
以上の有機基を示し、ｎは１〜７の整数を示す。【化８】ただし、式(I) 中のＸ₁はＯ原子又はＳ原子、Ｘ₂はＮ
原子又はＣＲ⁴基を示す。Ｒ¹〜Ｒ³及び前記ＣＲ⁴基
のＲ⁴は、同一であっても異なってもよく、それぞれ非
置換もしくは置換複素環基、非置換もしくは置換芳香族
炭化水素基、非置換もしくは置換脂肪族炭化水素基、非
置換もしくは置換脂環式炭化水素基、その他種々の特性
基、又は水素原子を示す。なお、Ｒ²とＲ³で炭化水素
環基又は複素環基を形成してもよい。【化９】ただし、式(II)中のＸ₃はＯ原子又はＳ原子、Ｘ₄はＮ
原子又はＣＲ⁷基を示す。Ｒ⁵、Ｒ⁶及び前記ＣＲ⁷基
のＲ⁷は、同一であっても異なってもよく、それぞれ非
置換もしくは置換複素環基、非置換もしくは置換芳香族
炭化水素基、非置換もしくは置換脂肪族炭化水素基、非
置換もしくは置換脂環式炭化水素基、その他種々の特性
基、又は水素原子を示す。【化１０】ただし、式(III) 中のＸ₅はＯ原子又はＳ原子、Ｘ₆は
Ｎ原子又はＣＲ¹¹基を示す。Ｒ⁸〜Ｒ¹⁰及び前記ＣＲ¹¹
基のＲ¹¹は、同一であっても異なってもよく、それぞれ
非置換もしくは置換複素環基、非置換もしくは置換芳香
族炭化水素基、非置換もしくは置換脂肪族炭化水素基、
非置換もしくは置換脂環式炭化水素基、その他種々の特
性基、又は水素原子を示す。なお、Ｒ⁹とＲ¹⁰で炭化水
素環基又は複素環基を形成してもよい。
【請求項４】前記アルカリ可溶性重合体は、ケイ素を
含有するものであることを特徴とする請求項３記載の感
光性組成物。