JPH0543096B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0543096B2 JPH0543096B2 JP60222346A JP22234685A JPH0543096B2 JP H0543096 B2 JPH0543096 B2 JP H0543096B2 JP 60222346 A JP60222346 A JP 60222346A JP 22234685 A JP22234685 A JP 22234685A JP H0543096 B2 JPH0543096 B2 JP H0543096B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- insulating film
- liquid crystal
- substrate
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は、金属・酸化絶縁膜・金属の構造を有
する非線形抵抗素子（以下、MIM素子と略す）
を組み込んだ液晶表示素子の製造方法に関する。
する非線形抵抗素子（以下、MIM素子と略す）
を組み込んだ液晶表示素子の製造方法に関する。
＜発明の概要＞
本発明は、MIM素子を形成した基板上に、上
側金属以外の金属部に絶縁膜を形成し、その上面
に透明画素電極が前記上側金属を覆うように形成
したことにより、高良品率、コストダウンを可能
とするものである。
側金属以外の金属部に絶縁膜を形成し、その上面
に透明画素電極が前記上側金属を覆うように形成
したことにより、高良品率、コストダウンを可能
とするものである。
＜従来の技術＞
第２図に従来より用いられているMIM素子を
組み込んだ液晶表示素子の片側基板の斜視図を示
す。この基板に液晶を配向させる処理をした後、
透明電極を有する対向基板（図示せず）を貼り合
せ、液晶を注入、封止することによりMIM素子
を組み込んだ液晶表示素子が実現される。前記液
晶表示素子は、現在多く用いられているTN型液
晶表示素子のコントラストを大きく改善するもの
として期待を集めている。
組み込んだ液晶表示素子の片側基板の斜視図を示
す。この基板に液晶を配向させる処理をした後、
透明電極を有する対向基板（図示せず）を貼り合
せ、液晶を注入、封止することによりMIM素子
を組み込んだ液晶表示素子が実現される。前記液
晶表示素子は、現在多く用いられているTN型液
晶表示素子のコントラストを大きく改善するもの
として期待を集めている。
第２図において、ガラス基板１１上にTaなど
の配線用の下側金属１２、及びMIM素子の面積
を規制する絶縁体としての絶縁膜１３を形成し、
下側金属１２の側面に酸化絶縁膜１４を形成す
る。そして、上側金属１５を形成して、下側金属
１２−酸化絶縁膜１４−上側金属１５による
MIM素子を完成させる。さらにこの後、上側金
属１５の一部と接続されるような形で透明画素電
極１６を形成し、液晶表示素子の一方の電極基板
とする。
の配線用の下側金属１２、及びMIM素子の面積
を規制する絶縁体としての絶縁膜１３を形成し、
下側金属１２の側面に酸化絶縁膜１４を形成す
る。そして、上側金属１５を形成して、下側金属
１２−酸化絶縁膜１４−上側金属１５による
MIM素子を完成させる。さらにこの後、上側金
属１５の一部と接続されるような形で透明画素電
極１６を形成し、液晶表示素子の一方の電極基板
とする。
＜発明が解決しようとする問題点＞
ところが、上記のようにして製造すると、下側
金属１２は、透明画素電極１６の間に配置されね
ばならず、その線幅は数十ミクロンとなり、断線
が多発する。さらに、上側金属１５、透明画素電
極１６を形成する際のマスク合せ精度は数ミクロ
ンになり、良品率の向上は非常に困難である。ま
た、配線用の下側金属１２が透明画素電極１６の
間に配されることから開口率が悪化する。
金属１２は、透明画素電極１６の間に配置されね
ばならず、その線幅は数十ミクロンとなり、断線
が多発する。さらに、上側金属１５、透明画素電
極１６を形成する際のマスク合せ精度は数ミクロ
ンになり、良品率の向上は非常に困難である。ま
た、配線用の下側金属１２が透明画素電極１６の
間に配されることから開口率が悪化する。
本発明は、上記の欠点を解消する為に成された
ものである。
ものである。
＜問題点を解決するための手段＞
本発明は、MIM素子を形成した基板上に感光
性の絶縁体を塗布する。そして、基板裏面から露
光することにより、上側金属以外の金属部に絶縁
膜を形成し、その上面に透明画素電極が前記上側
金属を覆うように形成したことを特徴とする。
性の絶縁体を塗布する。そして、基板裏面から露
光することにより、上側金属以外の金属部に絶縁
膜を形成し、その上面に透明画素電極が前記上側
金属を覆うように形成したことを特徴とする。
＜作用＞
上記の方法で製造したことにより、配線の下側
金属が透明画素電極の下に配し得、マスク合わせ
精度が数百ミクロンで良くなり、又、透明画素電
極の間隔を充分小さくして開口率を向上できる。
金属が透明画素電極の下に配し得、マスク合わせ
精度が数百ミクロンで良くなり、又、透明画素電
極の間隔を充分小さくして開口率を向上できる。
＜実施例＞
第１図ａ〜ｆは本発明の一実施例の製造工程を
順次図式的に示した斜視図である。
順次図式的に示した斜視図である。
(a) パイレツクスガラスなどのガラス基板１上に
Taを約4000Åの厚さでスパツタリングにより
形成し、この上にポリイミドを約4000Å塗布
し、ドライエツチング法を用いて２層同時にパ
ターニングすることにより、ガラス基板１上に
下側金属２と絶縁膜３を形成する。
Taを約4000Åの厚さでスパツタリングにより
形成し、この上にポリイミドを約4000Å塗布
し、ドライエツチング法を用いて２層同時にパ
ターニングすることにより、ガラス基板１上に
下側金属２と絶縁膜３を形成する。
(b) 次に前記ガラス基板１を0.01重量％水溶液中
で陽極酸化を行ない、下側金属２の側面部に酸
化絶縁膜４を約500Åの厚さで形成する。
で陽極酸化を行ない、下側金属２の側面部に酸
化絶縁膜４を約500Åの厚さで形成する。
(c) さらに、Crを約2000Å形成し、パターニン
グして上側金属５を形成する。
グして上側金属５を形成する。
(d) 次に、感光性ポリイミド等の絶縁体６を約
4000Å塗布し、裏面より露光する。
4000Å塗布し、裏面より露光する。
(e) このとき、下側金属２上および上側金属５上
は感光せず、感光性の絶縁体６は残らない。す
なわち下側金属２上の絶縁膜３と上側金属５が
露出した形となり、他の部分は全て感光性の絶
縁体６にて覆われている。
は感光せず、感光性の絶縁体６は残らない。す
なわち下側金属２上の絶縁膜３と上側金属５が
露出した形となり、他の部分は全て感光性の絶
縁体６にて覆われている。
(f) この基板上に上側金属５を覆うようにして
ITOなどの透明電極を形成し、パターニングし
て透明画素電極７とする。
ITOなどの透明電極を形成し、パターニングし
て透明画素電極７とする。
以降の工程は従来の液晶表示素子と同様にして
製造される。
製造される。
＜発明の効果＞
以上のように本発明を用いれば、透明画素電極
間に金属配線を配する必要がないため、配線幅を
充分にとれる。配線と画素電極のマスク合せ精度
が数百ミクロンでよい。画素電極の間隔を充分小
さくできる。など多くの利点があり、ひいては高
良品率、コストダウンが可能となる。
間に金属配線を配する必要がないため、配線幅を
充分にとれる。配線と画素電極のマスク合せ精度
が数百ミクロンでよい。画素電極の間隔を充分小
さくできる。など多くの利点があり、ひいては高
良品率、コストダウンが可能となる。
第１図ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆは本発明の一実
施例の製造工程を示す斜視図、第２図は従来例を
示す斜視図である。 １……ガラス基板、２……下側金属、３……絶
縁膜、４……酸化絶縁膜、５……上側金属、６…
…感光性の絶縁体、７……透明画素電極。
施例の製造工程を示す斜視図、第２図は従来例を
示す斜視図である。 １……ガラス基板、２……下側金属、３……絶
縁膜、４……酸化絶縁膜、５……上側金属、６…
…感光性の絶縁体、７……透明画素電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属・酸化絶縁膜・金属の構造を有する非線
形抵抗素子を組み込んだ液晶表示素子において、 上記非線形抵抗素子を形成した基板上に感光性
の絶縁体を塗布する工程、 上記基板裏面からの露光により上記感光性の絶
縁体を感光し除去する工程、 及び、上記除去により感光性の絶縁体から露出
した、上記非線形抵抗素子の上側金属を覆つて透
明画素電極を形成する工程、とを有することを特
徴とする液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222346A JPS6280629A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222346A JPS6280629A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6280629A JPS6280629A (ja) | 1987-04-14 |
| JPH0543096B2 true JPH0543096B2 (ja) | 1993-06-30 |
Family
ID=16780899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60222346A Granted JPS6280629A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6280629A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63265286A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | アクテイブマトリクス液晶パネル |
| JP2600929B2 (ja) * | 1989-01-27 | 1997-04-16 | 松下電器産業株式会社 | 液晶画像表示装置およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-10-03 JP JP60222346A patent/JPS6280629A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6280629A (ja) | 1987-04-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |