JPH0541315A - 低損失酸化物磁性材料の製造方法 - Google Patents
低損失酸化物磁性材料の製造方法Info
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- JPH0541315A JPH0541315A JP3216537A JP21653791A JPH0541315A JP H0541315 A JPH0541315 A JP H0541315A JP 3216537 A JP3216537 A JP 3216537A JP 21653791 A JP21653791 A JP 21653791A JP H0541315 A JPH0541315 A JP H0541315A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 周波数が２００kHz 以上の高い周波数で使用
しても鉄損を小さくできる低損失酸化物磁性材料を製造
する方法を提供する。 【構成】 主成分である酸化第二鉄（Ｆｅ2 Ｏ3 ），一
酸化マンガン（ＭｎＯ）及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）の一部
と，副成分である二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）及び酸化カ
ルシウム（ＣａＯ）とを予め低温で焼成する。得られた
共晶化合物を残りの主成分を含む原料粉末に添加し，更
に，添加物として酸化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）及び酸化
ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）を添加する。これらの混合粉
末を粉末冶金法によって，低損失酸化物磁性材料を製造
する。この低損失酸化物磁性材料は，３０〜４２モル％
の一酸化マンガン（ＭｎＯ），４〜１９モル％の酸化亜
鉛（ＺｎＯ），及び残部として酸化第二鉄（Ｆｅ
2 Ｏ3 ）を主成分として含む。
しても鉄損を小さくできる低損失酸化物磁性材料を製造
する方法を提供する。 【構成】 主成分である酸化第二鉄（Ｆｅ2 Ｏ3 ），一
酸化マンガン（ＭｎＯ）及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）の一部
と，副成分である二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）及び酸化カ
ルシウム（ＣａＯ）とを予め低温で焼成する。得られた
共晶化合物を残りの主成分を含む原料粉末に添加し，更
に，添加物として酸化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）及び酸化
ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）を添加する。これらの混合粉
末を粉末冶金法によって，低損失酸化物磁性材料を製造
する。この低損失酸化物磁性材料は，３０〜４２モル％
の一酸化マンガン（ＭｎＯ），４〜１９モル％の酸化亜
鉛（ＺｎＯ），及び残部として酸化第二鉄（Ｆｅ
2 Ｏ3 ）を主成分として含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電源トランス等に用いら
れる低損失酸化物磁性材料に関するものである。
れる低損失酸化物磁性材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のスイッチング電源用変圧器におい
ては，スイッチング周波数として専ら２５〜２００kHz
程度のものが使用されており，これに対応すべき低損失
酸化物磁性材料として，主成分として３０〜４０モル％
の一酸化マンガン（ＭｎＯ），５〜１５モル％の酸化亜
鉛（ＺｎＯ）及び残部として酸化第二鉄（Ｆｅ2 Ｏ3 ）
を含み，副成分として０．０４０〜０．１５０重量％の
酸化カルシウム（ＣａＯ）と０．０１０〜０．１００重
量％の二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）を含むものがすでに開
発されている。
ては，スイッチング周波数として専ら２５〜２００kHz
程度のものが使用されており，これに対応すべき低損失
酸化物磁性材料として，主成分として３０〜４０モル％
の一酸化マンガン（ＭｎＯ），５〜１５モル％の酸化亜
鉛（ＺｎＯ）及び残部として酸化第二鉄（Ｆｅ2 Ｏ3 ）
を含み，副成分として０．０４０〜０．１５０重量％の
酸化カルシウム（ＣａＯ）と０．０１０〜０．１００重
量％の二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）を含むものがすでに開
発されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年，スイッチング電
源を小型・軽量化するために，スイッチング周波数が２
００kHz 以上の高周波で使用するのが一般的となりつつ
ある。ところが従来の成分を有する低損失酸化物磁性材
料を，スイッチング周波数が２００kHz 以上のスイッチ
ング電源用の変圧器の磁心材料として使用すると鉄損失
が大きく発熱するという欠点があった。そこで，本発明
の技術的課題は周波数が２００kHz 以上の高い周波数で
使用しても鉄損を小さくできる低損失酸化物磁性材料を
製造する方法を提供することにある。
源を小型・軽量化するために，スイッチング周波数が２
００kHz 以上の高周波で使用するのが一般的となりつつ
ある。ところが従来の成分を有する低損失酸化物磁性材
料を，スイッチング周波数が２００kHz 以上のスイッチ
ング電源用の変圧器の磁心材料として使用すると鉄損失
が大きく発熱するという欠点があった。そこで，本発明
の技術的課題は周波数が２００kHz 以上の高い周波数で
使用しても鉄損を小さくできる低損失酸化物磁性材料を
製造する方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の低損失酸化物磁
性材料の製造方法は，３０〜４２モル％の一酸化マンガ
ン（ＭｎＯ），４〜１９モル％の酸化亜鉛（ＺｎＯ），
及び残部として酸化第二鉄（Ｆｅ2 Ｏ3 ）を主成分と
し，副成分として，０．０２０〜０．１５０重量％の酸
化カルシウム（ＣａＯ）及び０．００５〜０．１００重
量％の二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）を含む材料に添加物と
して酸化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）及び酸化ジルコニウム
（ＺｒＯ2 ）を含む低損失酸化物磁性材料を粉末冶金法
によって製造する方法において，酸化第二鉄（Ｆｅ2 Ｏ
3 ），一酸化マンガン（ＭｎＯ），酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ），二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）及び酸化カルシウム
（ＣａＯ）を予め低温で焼成し，これらの共晶化合物を
添加することを特徴とする。
性材料の製造方法は，３０〜４２モル％の一酸化マンガ
ン（ＭｎＯ），４〜１９モル％の酸化亜鉛（ＺｎＯ），
及び残部として酸化第二鉄（Ｆｅ2 Ｏ3 ）を主成分と
し，副成分として，０．０２０〜０．１５０重量％の酸
化カルシウム（ＣａＯ）及び０．００５〜０．１００重
量％の二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）を含む材料に添加物と
して酸化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）及び酸化ジルコニウム
（ＺｒＯ2 ）を含む低損失酸化物磁性材料を粉末冶金法
によって製造する方法において，酸化第二鉄（Ｆｅ2 Ｏ
3 ），一酸化マンガン（ＭｎＯ），酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ），二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）及び酸化カルシウム
（ＣａＯ）を予め低温で焼成し，これらの共晶化合物を
添加することを特徴とする。
【０００５】一般に，本発明のようなＭｎ−Ｚｎフェラ
イトは副成分である二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）と酸化カ
ルシウム（ＣａＯ）を添加することにより，高抵抗な粒
界相を形成し，電気抵抗を向上させ，うず電流損失を低
下させている。また，添加物として他の酸化物を添加す
ることにより，一層の高電気抵抗を得ることが可能であ
る。これら副成分（ＳｉＯ2 とＣａＯ）及び添加物は，
焼結中に液相を形成し，粒界へ濃縮することにより高抵
抗な粒界相を形成する。しかし，副成分（ＳｉＯ2 及び
ＣａＯ）や添加物は，各成分を単独で添加するのが一般
的であり，さらに副成分，添加物の添加量は数百ppm 〜
数千ppm と非常に微量であり，粒界相成分が不均一とな
り，また粒界への各成分の濃縮が不十分となり（結晶粒
内への副成分，添加物の残留），電気抵抗を劣下させ，
うず電流損失を増大させる。また原子の拡散が不十分と
なるためにヒステリシス損失も増大させ，電力損失を劣
下させる。そこで，本発明者は，この欠点を解決するた
めに，副成分である二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ），酸化カ
ルシウム（ＣａＯ）及び主成分である酸化第二鉄（Ｆｅ
2 Ｏ3 ），一酸化マンガン（ＭｎＯ），酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）を予め低温で焼成し，共晶化合物としたのち，これ
を添加物として添加することにより，著しく電力損失を
低減できる低損失酸化物磁性材料が得られることを発見
したものである。本発明によって，副成分の均一な分散
が可能になったことにより粒界相への濃縮が改善され，
副成分の単独添加の場合と比較し，電気抵抗が著しく向
上させることができる。また以上のことから焼結性が向
上し緻密化が促進されたため，電力損失の改善が計られ
たものと推察される。
イトは副成分である二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）と酸化カ
ルシウム（ＣａＯ）を添加することにより，高抵抗な粒
界相を形成し，電気抵抗を向上させ，うず電流損失を低
下させている。また，添加物として他の酸化物を添加す
ることにより，一層の高電気抵抗を得ることが可能であ
る。これら副成分（ＳｉＯ2 とＣａＯ）及び添加物は，
焼結中に液相を形成し，粒界へ濃縮することにより高抵
抗な粒界相を形成する。しかし，副成分（ＳｉＯ2 及び
ＣａＯ）や添加物は，各成分を単独で添加するのが一般
的であり，さらに副成分，添加物の添加量は数百ppm 〜
数千ppm と非常に微量であり，粒界相成分が不均一とな
り，また粒界への各成分の濃縮が不十分となり（結晶粒
内への副成分，添加物の残留），電気抵抗を劣下させ，
うず電流損失を増大させる。また原子の拡散が不十分と
なるためにヒステリシス損失も増大させ，電力損失を劣
下させる。そこで，本発明者は，この欠点を解決するた
めに，副成分である二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ），酸化カ
ルシウム（ＣａＯ）及び主成分である酸化第二鉄（Ｆｅ
2 Ｏ3 ），一酸化マンガン（ＭｎＯ），酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）を予め低温で焼成し，共晶化合物としたのち，これ
を添加物として添加することにより，著しく電力損失を
低減できる低損失酸化物磁性材料が得られることを発見
したものである。本発明によって，副成分の均一な分散
が可能になったことにより粒界相への濃縮が改善され，
副成分の単独添加の場合と比較し，電気抵抗が著しく向
上させることができる。また以上のことから焼結性が向
上し緻密化が促進されたため，電力損失の改善が計られ
たものと推察される。
【０００６】
【実施例】以下本発明の実施例について，図面を参照し
て説明する。主成分となる５．０モル％の酸化第二鉄
（Ｆｅ2 Ｏ3 ），２．５モル％の一酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ），及び２．５モル％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）と副成分
となる６０モル％の二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ），３０モ
ル％の酸化カルシウム（ＣａＯ）を混合し，１１００〜
１２００℃で予焼し，粉砕し，添加物を作製した。これ
とは別に，主成分として５３．０モル％の酸化第二鉄
（Ｆｅ2 Ｏ3 ），３９．０モル％の一酸化マンガン（Ｍ
ｎＯ）及び８．０モル％酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合し，
予焼した粉末に，先に作製した添加物を添加し，さらに
０．１〜０．５重量％の酸化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）及
び０．０５〜０．２０重量％の酸化ジルコニウム（Ｚｒ
Ｏ2 ）を添加したのち混合し，造粒し，成形プレスし，
温度１１００〜 １３００℃，酸素分圧０．５〜５．０
％において焼結し，酸化物磁性材料を得た。
て説明する。主成分となる５．０モル％の酸化第二鉄
（Ｆｅ2 Ｏ3 ），２．５モル％の一酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ），及び２．５モル％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）と副成分
となる６０モル％の二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ），３０モ
ル％の酸化カルシウム（ＣａＯ）を混合し，１１００〜
１２００℃で予焼し，粉砕し，添加物を作製した。これ
とは別に，主成分として５３．０モル％の酸化第二鉄
（Ｆｅ2 Ｏ3 ），３９．０モル％の一酸化マンガン（Ｍ
ｎＯ）及び８．０モル％酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合し，
予焼した粉末に，先に作製した添加物を添加し，さらに
０．１〜０．５重量％の酸化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）及
び０．０５〜０．２０重量％の酸化ジルコニウム（Ｚｒ
Ｏ2 ）を添加したのち混合し，造粒し，成形プレスし，
温度１１００〜 １３００℃，酸素分圧０．５〜５．０
％において焼結し，酸化物磁性材料を得た。
【０００７】図１は，この酸化物磁性材料の周波数１MH
z ，磁束密度（Ｂｍ）が５００Ｇの場合の電力損失を示
している。図１において，曲線１及び３は，二酸化ケイ
素（ＳｉＯ2 ）及び酸化カルシウム（ＣａＯ）を共晶化
合物として添加した場合，曲線２及び４は，二酸化ケイ
素（ＳｉＯ2 ）及び酸化カルシウム（ＣａＯ）を単独添
加した場合を示している。曲線１及び２で示される材料
には，０．４０重量％の酸化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）
を，曲線３及び４で示される材料には， ０．１０
重量％の酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）を夫々添加して
いる。図１から周波数が１MHz の場合においては，電力
損失は副成分の添加状態に無関係に温度が約８０℃のと
き最小値を有する。さらに，副成分を共晶化合物として
添加した場合の方が，各々を単独で添加した場合よりも
電力損失は小さくなることがわかる。
z ，磁束密度（Ｂｍ）が５００Ｇの場合の電力損失を示
している。図１において，曲線１及び３は，二酸化ケイ
素（ＳｉＯ2 ）及び酸化カルシウム（ＣａＯ）を共晶化
合物として添加した場合，曲線２及び４は，二酸化ケイ
素（ＳｉＯ2 ）及び酸化カルシウム（ＣａＯ）を単独添
加した場合を示している。曲線１及び２で示される材料
には，０．４０重量％の酸化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）
を，曲線３及び４で示される材料には， ０．１０
重量％の酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）を夫々添加して
いる。図１から周波数が１MHz の場合においては，電力
損失は副成分の添加状態に無関係に温度が約８０℃のと
き最小値を有する。さらに，副成分を共晶化合物として
添加した場合の方が，各々を単独で添加した場合よりも
電力損失は小さくなることがわかる。
【０００８】表１は，本発明の実施例により得られた酸
化物磁性材料と従来の単独に酸化物を添加する方法によ
り得られた酸化物磁性材料の諸特性（初透磁率μi ，飽
和磁束密度Ｂ15［Ｇ］，残留磁束密度［Ｇ］及び保持力
Ｈｃ［Oe］）を示している。
化物磁性材料と従来の単独に酸化物を添加する方法によ
り得られた酸化物磁性材料の諸特性（初透磁率μi ，飽
和磁束密度Ｂ15［Ｇ］，残留磁束密度［Ｇ］及び保持力
Ｈｃ［Oe］）を示している。
【０００９】
【表１】
【００１０】表１から，本発明の実施例によるものは，
スイッチング電源用磁心材料として求められる諸特性を
十分に満たしており，共晶化合物として副成分を添加す
ることにより高周波において電力損失を著しく改善でき
ることが判明した。
スイッチング電源用磁心材料として求められる諸特性を
十分に満たしており，共晶化合物として副成分を添加す
ることにより高周波において電力損失を著しく改善でき
ることが判明した。
【００１１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように，本発明の
酸化物磁性材料において，副成分を共晶化合物として添
加することにより，スイッチング電源用材料として求め
られる諸特性を十分に満足するとともに高周波において
従来のものより電力損失を低減できる低損失酸化物磁性
材料を提供でき，高周波磁心用材料としてスイッチング
電源の小型，軽量化に十分適した材料を提供することが
できる。
酸化物磁性材料において，副成分を共晶化合物として添
加することにより，スイッチング電源用材料として求め
られる諸特性を十分に満足するとともに高周波において
従来のものより電力損失を低減できる低損失酸化物磁性
材料を提供でき，高周波磁心用材料としてスイッチング
電源の小型，軽量化に十分適した材料を提供することが
できる。
【図１】本発明の実施例に係る低損失酸化物磁性材料の
温度と電力損失との関係を示す図で，比較例として，本
発明による副成分の共晶化合物での添加と従来通りの酸
化物を各成分単独での添加した場合も併せて示してい
る。
温度と電力損失との関係を示す図で，比較例として，本
発明による副成分の共晶化合物での添加と従来通りの酸
化物を各成分単独での添加した場合も併せて示してい
る。
Claims (1)
- 【請求項１】 ３０〜４２モル％の一酸化マンガン（Ｍ
ｎＯ），４〜１９モル％の酸化亜鉛（ＺｎＯ），及び残
部として酸化第二鉄（Ｆｅ2 Ｏ3）を主成分とし，副成
分として，０．０２０〜０．１５０重量％の酸化カルシ
ウム（ＣａＯ）及び０．００５〜０．１００重量％の二
酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）を含む材料に添加物として酸化
ハフニウム（ＨｆＯ2 ）及び酸化ジルコニウム（ＺｒＯ
2 ）を含む低損失酸化物磁性材料を粉末冶金法によって
製造する方法において， 酸化第二鉄（Ｆｅ2 Ｏ3 ），一酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）
及び酸化カルシウム（ＣａＯ）を予め低温で焼成し，こ
れらの共晶化合物を添加することを特徴とする低損失酸
化物磁性材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3216537A JPH0541315A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 低損失酸化物磁性材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3216537A JPH0541315A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 低損失酸化物磁性材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541315A true JPH0541315A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16689997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3216537A Withdrawn JPH0541315A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 低損失酸化物磁性材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0541315A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7158365B2 (en) | 2001-11-13 | 2007-01-02 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Method of producing a multilayer microelectronic substrate |
-
1991
- 1991-08-02 JP JP3216537A patent/JPH0541315A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7158365B2 (en) | 2001-11-13 | 2007-01-02 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Method of producing a multilayer microelectronic substrate |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |