JPH0540919A - 磁気抵抗効果型ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘツドInfo
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- JPH0540919A JPH0540919A JP19797891A JP19797891A JPH0540919A JP H0540919 A JPH0540919 A JP H0540919A JP 19797891 A JP19797891 A JP 19797891A JP 19797891 A JP19797891 A JP 19797891A JP H0540919 A JPH0540919 A JP H0540919A
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- Japan
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- capacitor
- magneto
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気抵抗効果型ヘッドに関し、コン
デンサをＭＲ素子と一体化して磁気ディスク装置を小型
化できることを目的とする。 【構成】 磁気抵抗効果素子（１１）に引き出し導体層
（１２ａ）を通して磁気抵抗効果素子（１１）に電流源
（１５）よりセンス電流を通電し、記録媒体（１３）か
らの信号磁界に応じた磁気抵抗効果素子の抵抗変化を引
き出し導体層（１２ａ）より電圧変化として取り出し、
コンデンサ（２３）を介して増幅器（１７）に供給して
増幅する。コンデンサ（２３）は、引き出し導体層（１
２ａ）の一部と離間対向する導体層（２１）と、引き出
し導体層（１２ａ）と導体層（２１）との間に形成され
た誘電体薄膜とで構成する。
デンサをＭＲ素子と一体化して磁気ディスク装置を小型
化できることを目的とする。 【構成】 磁気抵抗効果素子（１１）に引き出し導体層
（１２ａ）を通して磁気抵抗効果素子（１１）に電流源
（１５）よりセンス電流を通電し、記録媒体（１３）か
らの信号磁界に応じた磁気抵抗効果素子の抵抗変化を引
き出し導体層（１２ａ）より電圧変化として取り出し、
コンデンサ（２３）を介して増幅器（１７）に供給して
増幅する。コンデンサ（２３）は、引き出し導体層（１
２ａ）の一部と離間対向する導体層（２１）と、引き出
し導体層（１２ａ）と導体層（２１）との間に形成され
た誘電体薄膜とで構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果型ヘッドに
関し、磁気ディスク装置に用いられる薄膜の磁気抵抗効
果型ヘッドに関する。
関し、磁気ディスク装置に用いられる薄膜の磁気抵抗効
果型ヘッドに関する。
【０００２】近年、コンピュータの外部記憶装置である
磁気ディスク装置の大容量化に伴い、磁気ヘッドの高性
能化が要求され、記録媒体との相対速度に依存せず高出
力が得られる磁気効果型ヘッド（ＭＲヘッド）が注目さ
れている。
磁気ディスク装置の大容量化に伴い、磁気ヘッドの高性
能化が要求され、記録媒体との相対速度に依存せず高出
力が得られる磁気効果型ヘッド（ＭＲヘッド）が注目さ
れている。
【０００３】
【従来の技術】図４，図５夫々は従来のＭＲヘッドと再
生回路の回路構成図、等価回路図を示す。
生回路の回路構成図、等価回路図を示す。
【０００４】図４において、１１はＮｉＦｅ（ニッケル
鉄）の矩形のＭＲ素子、１２ａ，１２ｂは引き出し導体
層であり、１３は記録媒体である。
鉄）の矩形のＭＲ素子、１２ａ，１２ｂは引き出し導体
層であり、１３は記録媒体である。
【０００５】引き出し導体層１２ａ，１２ｂはＭＲ素子
１１の両端に電気的に接続され、引き出し導体層１２
ａ，１２ｂを介し電流源１５によって、ＭＲ素子１１の
信号検知領域１１ａにセンス電流が通電される。これに
より、図５に示す如く、ＭＲ素子１１は、信号検知領域
においてヘッド直下の記録媒体１３からの信号磁界によ
る抵抗変化を２つの引き出し導体層１２ａ，１２ｂの間
の電圧変化に変換し、そして、この電圧変化を差動増幅
器１７で増幅して記録媒体の情報を再生していた。 こ
こで、ＭＲ素子１１と差動増幅器１７との間にあるコン
デンサ１６は、直流分をカットして信号磁界による電圧
変化の交流分のみを増幅するためのカップリングコンデ
ンサである。
１１の両端に電気的に接続され、引き出し導体層１２
ａ，１２ｂを介し電流源１５によって、ＭＲ素子１１の
信号検知領域１１ａにセンス電流が通電される。これに
より、図５に示す如く、ＭＲ素子１１は、信号検知領域
においてヘッド直下の記録媒体１３からの信号磁界によ
る抵抗変化を２つの引き出し導体層１２ａ，１２ｂの間
の電圧変化に変換し、そして、この電圧変化を差動増幅
器１７で増幅して記録媒体の情報を再生していた。 こ
こで、ＭＲ素子１１と差動増幅器１７との間にあるコン
デンサ１６は、直流分をカットして信号磁界による電圧
変化の交流分のみを増幅するためのカップリングコンデ
ンサである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】コンデンサ１６はマイ
クロファラッド・オーダーの大容量のもので、差動増幅
器１７を集積化した集積回路内に集積化すると大面積と
なるために単体のものが用いられる。磁気ディスク装置
は複数のＭＲ素子を有するのが一般的であり、コンデン
サ１６は差動増幅器１７の集積回路の周辺にＭＲ素子数
だけ外付けされ、磁気ディスク装置をより小型化するこ
とができないという問題があった。
クロファラッド・オーダーの大容量のもので、差動増幅
器１７を集積化した集積回路内に集積化すると大面積と
なるために単体のものが用いられる。磁気ディスク装置
は複数のＭＲ素子を有するのが一般的であり、コンデン
サ１６は差動増幅器１７の集積回路の周辺にＭＲ素子数
だけ外付けされ、磁気ディスク装置をより小型化するこ
とができないという問題があった。
【０００７】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
コンデンサをＭＲ素子と一体化して磁気ディスク装置を
小型化できる磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目
的とする。
コンデンサをＭＲ素子と一体化して磁気ディスク装置を
小型化できる磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
ヘッドは、磁気抵抗効果素子に引き出し導体層を通して
磁気抵抗効果素子に電流源よりセンス電流を通電し、記
録媒体からの信号磁界に応じた磁気抵抗効果素子の抵抗
変化を引き出し導体層より電圧変化として取り出し、コ
ンデンサを介して増幅器に供給して増幅する磁気抵抗効
果型ヘッドにおいて、引き出し導体層の一部と離間対向
する導体層と、引き出し導体層と導体層との間に形成さ
れた誘電体薄膜とで、コンデンサを形成する。
ヘッドは、磁気抵抗効果素子に引き出し導体層を通して
磁気抵抗効果素子に電流源よりセンス電流を通電し、記
録媒体からの信号磁界に応じた磁気抵抗効果素子の抵抗
変化を引き出し導体層より電圧変化として取り出し、コ
ンデンサを介して増幅器に供給して増幅する磁気抵抗効
果型ヘッドにおいて、引き出し導体層の一部と離間対向
する導体層と、引き出し導体層と導体層との間に形成さ
れた誘電体薄膜とで、コンデンサを形成する。
【０００９】
【作用】本発明においては、引き出し導体層と誘電体薄
膜を挟んだ導体層とによりコンデンサを形成することに
よりコンデンサをヘッドと一体化して磁気ディスク装置
を小型化できる。
膜を挟んだ導体層とによりコンデンサを形成することに
よりコンデンサをヘッドと一体化して磁気ディスク装置
を小型化できる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明ヘッドと再生回路の一実施例の
回路構成図を示す。同図中、図４と同一部分には同一符
号を付し、その説明を省略する。
回路構成図を示す。同図中、図４と同一部分には同一符
号を付し、その説明を省略する。
【００１１】図１において、１１はＮｉＦｅの矩形のＭ
Ｒ素子、１２ａ，１２ｂはＡｕ（金）の導体層であり、
１３は記録媒体である。
Ｒ素子、１２ａ，１２ｂはＡｕ（金）の導体層であり、
１３は記録媒体である。
【００１２】引き出し導体層１２ａの一端１２ａ1 は図
２の断面図を示す如く、基板２０上に形成されたＭＲ素
子１１に接触させて形成されている。また引き出し導体
層１２ａの他端１２ａ2 は、基板２０上に形成したＡｕ
の導体層２１上に更にＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウ
ム），又はＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ），ＳｉＯ2 （酸化シ
リコン）等の誘電体薄膜２２を形成し、この誘電体薄膜
２２上にかぶせた状態で導体層２１と離間対向して形成
されている。
２の断面図を示す如く、基板２０上に形成されたＭＲ素
子１１に接触させて形成されている。また引き出し導体
層１２ａの他端１２ａ2 は、基板２０上に形成したＡｕ
の導体層２１上に更にＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウ
ム），又はＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ），ＳｉＯ2 （酸化シ
リコン）等の誘電体薄膜２２を形成し、この誘電体薄膜
２２上にかぶせた状態で導体層２１と離間対向して形成
されている。
【００１３】引き出し導体層１２ａは図１に示す如く電
流源１５に接続され、引き出し導体層１２ｂは差動増幅
器１７の反転入力端子に接続されると共に接地されてお
り、電流源１５よりのセンス電流が引き出し導体層１２
ａ，１２ｂを通してＭＲ素子１１に通電される。
流源１５に接続され、引き出し導体層１２ｂは差動増幅
器１７の反転入力端子に接続されると共に接地されてお
り、電流源１５よりのセンス電流が引き出し導体層１２
ａ，１２ｂを通してＭＲ素子１１に通電される。
【００１４】引き出し導体層１２ａの他端１２ａ2 と導
体層２１との間で図３の等価回路図に示すコンデンサ２
３が形成されており、導体層２１は差動増幅器１７の非
反転入力端子に接続されている。
体層２１との間で図３の等価回路図に示すコンデンサ２
３が形成されており、導体層２１は差動増幅器１７の非
反転入力端子に接続されている。
【００１５】ＭＲ素子１１及び引き出し導体層１２ａ，
１２ｂのパターンは差動増幅器１７を集積化した集積回
路を構成するパターンに比して大きく、引き出し導体層
１２ａの端部１２ａ2 と、これに誘電体薄膜２２を挟ん
で対向する導体層２１によって大容量のコンデンサ２３
を形成することができ、このために引き出し導体層１２
ａを大型化する必要はない。
１２ｂのパターンは差動増幅器１７を集積化した集積回
路を構成するパターンに比して大きく、引き出し導体層
１２ａの端部１２ａ2 と、これに誘電体薄膜２２を挟ん
で対向する導体層２１によって大容量のコンデンサ２３
を形成することができ、このために引き出し導体層１２
ａを大型化する必要はない。
【００１６】これによって従来の如く複数の差動増幅器
１７を集積化した集積回路にＭＲ素子数分のコンデンサ
を外付けする必要がなく、磁気ディスク装置を小型化す
ることが可能となる。
１７を集積化した集積回路にＭＲ素子数分のコンデンサ
を外付けする必要がなく、磁気ディスク装置を小型化す
ることが可能となる。
【００１７】
【発明の効果】上述の如く、本発明の磁気抵抗効果型ヘ
ッドによれば、コンデンサをＭＲ素子と一体化して磁気
ディスク装置を小型化でき、実用上きわめて有用であ
る。
ッドによれば、コンデンサをＭＲ素子と一体化して磁気
ディスク装置を小型化でき、実用上きわめて有用であ
る。
【図１】本発明ヘッドと再生回路の一実施例の回路構成
図である。
図である。
【図２】図１のヘッドの断面図である。
【図３】図１の等価回路図である。
【図４】従来ヘッドと再生回路の一例の回路構成図であ
る。
る。
【図５】図４の等価回路図である。
１１ ＭＲ素子 １２ａ，１２ｂ 引き出し導体層 １３ 記録媒体 １７ 差動増幅器 ２０ 基板 ２１ 導体層 ２２ 誘電体薄膜 ２３ コンデンサ
Claims (1)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子（１１）に引き出し導
体層（１２ａ）を通して該磁気抵抗効果素子（１１）に
電流源（１５）よりセンス電流を通電し、記録媒体（１
３）からの信号磁界に応じた該磁気抵抗効果素子の抵抗
変化を該引き出し導体層（１２ａ）より電圧変化として
取り出し、コンデンサ（２３）を介して増幅器（１７）
に供給して増幅する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 該引き出し導体層（１２ａ）の一部と離間対向する導体
層（２１）と、 該引き出し導体層（１２ａ）と導体層（２１）との間に
形成された誘電体薄膜とで、該コンデンサ（２３）を形
成したことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19797891A JPH0540919A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19797891A JPH0540919A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0540919A true JPH0540919A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16383485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19797891A Withdrawn JPH0540919A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0540919A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8117736B2 (en) | 2008-12-11 | 2012-02-21 | Tdk Corporation | Method of lapping a magnetic head slider |
-
1991
- 1991-08-07 JP JP19797891A patent/JPH0540919A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8117736B2 (en) | 2008-12-11 | 2012-02-21 | Tdk Corporation | Method of lapping a magnetic head slider |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |