JPH0537068A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH0537068A JPH0537068A JP18653491A JP18653491A JPH0537068A JP H0537068 A JPH0537068 A JP H0537068A JP 18653491 A JP18653491 A JP 18653491A JP 18653491 A JP18653491 A JP 18653491A JP H0537068 A JPH0537068 A JP H0537068A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】同一基板上に多波長半導体レーザを形成する。
【構成】半導体基板１０１上に、クラッド層１０３，１
０７と、これらのクラッド層１０３，１０７に挟まれ、
これらのクラッド層１０３，１０７よりも屈折率が大き
く、通電することで量子井戸レーザ発振する活性層１０
５と、この活性層１０５の近傍に電流の流れを遮り活性
層１０５の通電領域を制限する複数の電流ブロック層１
０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄとを設け、活性
層１０２の通電領域で量子井戸レーザ共振器で構成す
る。ここで、電流ブロック層１０８ａ，１０８ｂ，１０
８ｃ，１０８ｄの間隔が違ったものになっており、異な
った電流ストライプ幅をなしている。
０７と、これらのクラッド層１０３，１０７に挟まれ、
これらのクラッド層１０３，１０７よりも屈折率が大き
く、通電することで量子井戸レーザ発振する活性層１０
５と、この活性層１０５の近傍に電流の流れを遮り活性
層１０５の通電領域を制限する複数の電流ブロック層１
０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄとを設け、活性
層１０２の通電領域で量子井戸レーザ共振器で構成す
る。ここで、電流ブロック層１０８ａ，１０８ｂ，１０
８ｃ，１０８ｄの間隔が違ったものになっており、異な
った電流ストライプ幅をなしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多波長半導体レーザに
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】多波長半導体レーザは、波長多重通信や
光ディスクなどの光情報処理システムへの応用が期待さ
れているデバイスであり、現在盛んに研究されている。
同一基板上に形成された多波長半導体レーザは、それぞ
れの波長のレーザ共振器が精密に製作されかつ互いに接
近しているので、光学回路が簡単になるなどといった利
点がある。ダブルヘテロ構造の半導体レーザの場合、各
波長のレーザ共振器の活性層の材料をそれぞれ異なった
組成のものにし、バンド間遷移を変えるという方法でレ
ーザ共振器の発振波長を変え、多波長半導体レーザを同
一基板上に形成することが考えられている。また、量子
井戸レーザの場合についてはは、活性層の量子井戸の厚
さで決められたとびとびのサブバンドが活性層の価電子
帯及び伝導帯に設けられており、量子井戸の厚さ即ち活
性層の厚さをかえ、各波長のレーザ共振器のサブバンド
のエネルギー順位を変えて多波長半導体レーザを同一基
板上に形成することが考えられている。
光ディスクなどの光情報処理システムへの応用が期待さ
れているデバイスであり、現在盛んに研究されている。
同一基板上に形成された多波長半導体レーザは、それぞ
れの波長のレーザ共振器が精密に製作されかつ互いに接
近しているので、光学回路が簡単になるなどといった利
点がある。ダブルヘテロ構造の半導体レーザの場合、各
波長のレーザ共振器の活性層の材料をそれぞれ異なった
組成のものにし、バンド間遷移を変えるという方法でレ
ーザ共振器の発振波長を変え、多波長半導体レーザを同
一基板上に形成することが考えられている。また、量子
井戸レーザの場合についてはは、活性層の量子井戸の厚
さで決められたとびとびのサブバンドが活性層の価電子
帯及び伝導帯に設けられており、量子井戸の厚さ即ち活
性層の厚さをかえ、各波長のレーザ共振器のサブバンド
のエネルギー順位を変えて多波長半導体レーザを同一基
板上に形成することが考えられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ダブルヘテロ構造の半
導体レーザの場合でも量子井戸レーザの場合でも各波長
のレーザ共振器の活性層をそれぞれ変える必要があり、
各波長のレーザ共振器の活性層を選択再成長する必要が
ある。同一基板上で互いに接近してレーザ共振器の活性
層を選択再成長させるのは、技術的に非常に難しいばか
りでなく、このような非常に難しいプロセスは素子性能
の劣化や歩留まりの低下を招く要因になる。さらに、生
産工程に負担を掛け、生産コストの上昇を招くことにな
る。このように、多波長半導体レーザを同一基板上に形
成することには、利点はあるが技術的な問題点を持って
いた。
導体レーザの場合でも量子井戸レーザの場合でも各波長
のレーザ共振器の活性層をそれぞれ変える必要があり、
各波長のレーザ共振器の活性層を選択再成長する必要が
ある。同一基板上で互いに接近してレーザ共振器の活性
層を選択再成長させるのは、技術的に非常に難しいばか
りでなく、このような非常に難しいプロセスは素子性能
の劣化や歩留まりの低下を招く要因になる。さらに、生
産工程に負担を掛け、生産コストの上昇を招くことにな
る。このように、多波長半導体レーザを同一基板上に形
成することには、利点はあるが技術的な問題点を持って
いた。
【０００４】本発明は、前述した問題点に鑑み、レーザ
共振器の活性層をそれぞれ変えることなく同一基板上に
形成された多波長半導体レーザを提供することをその目
的とする。
共振器の活性層をそれぞれ変えることなく同一基板上に
形成された多波長半導体レーザを提供することをその目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、同一半導体基
板上にクラッド層に挟まれた活性層の通電領域をレーザ
発振領域とする量子井戸レーザ共振器を複数設け、これ
らの量子井戸レーザ共振器のうち少なくとも２つの前記
通電領域が互いに異なった幅（電流ストライプ幅とい
う）を有している。
板上にクラッド層に挟まれた活性層の通電領域をレーザ
発振領域とする量子井戸レーザ共振器を複数設け、これ
らの量子井戸レーザ共振器のうち少なくとも２つの前記
通電領域が互いに異なった幅（電流ストライプ幅とい
う）を有している。
【０００６】これをもう少し詳しく説明すると、半導体
基板上に、クラッド層と、これらのクラッド層に挟ま
れ、これらのクラッド層よりも屈折率が大きく、通電す
ることでレーザ発振する量子井戸活性層と、この活性層
の近傍に電流の流れを遮り活性層の通電領域を制限する
複数の電流ブロック層とを設け、活性層の通電領域で量
子井戸レーザ共振器を構成する。ここで、電流ブロック
層の間隔が違ったものになっており、異なった電流スト
ライプ幅をなしている。
基板上に、クラッド層と、これらのクラッド層に挟ま
れ、これらのクラッド層よりも屈折率が大きく、通電す
ることでレーザ発振する量子井戸活性層と、この活性層
の近傍に電流の流れを遮り活性層の通電領域を制限する
複数の電流ブロック層とを設け、活性層の通電領域で量
子井戸レーザ共振器を構成する。ここで、電流ブロック
層の間隔が違ったものになっており、異なった電流スト
ライプ幅をなしている。
【０００７】或いは、別の手段として、電流ブロック層
を設けるかわりに、活性層を異なった幅で設けて、電流
ストライプ幅を変えるようにしてものとしてもよい。
を設けるかわりに、活性層を異なった幅で設けて、電流
ストライプ幅を変えるようにしてものとしてもよい。
【０００８】また、電極などを互いに異なった狭い幅で
設け、この電極の幅を電流ストライプ幅に対応するもの
としてもよい。
設け、この電極の幅を電流ストライプ幅に対応するもの
としてもよい。
【０００９】
【作用】屈折率導波型量子井戸レーザ共振器では、電流
ストライプ幅が狭いほど、光吸収や自然放出などにより
損失の利得に対する割合が大きくなるため、レーザ発振
に必要となる電流密度が増大する。また、活性層の量子
井戸の厚さで決められたとびとびのサブバンドを活性層
の価電子帯及び伝導帯に有しており、このサブバンドの
状態密度はダブルヘテロ構造の活性層の価電子帯及び伝
導帯の状態密度よりも小さくなっている。活性層に流れ
る電流密度が大きくなると、サブバンドは、状態密度が
大きくないので直ぐに満たされる。電流密度を増やすに
つれ、順にサブバンドが段階的に満たされ、バンド端は
段階的に高エネルギー側にシフトする。
ストライプ幅が狭いほど、光吸収や自然放出などにより
損失の利得に対する割合が大きくなるため、レーザ発振
に必要となる電流密度が増大する。また、活性層の量子
井戸の厚さで決められたとびとびのサブバンドを活性層
の価電子帯及び伝導帯に有しており、このサブバンドの
状態密度はダブルヘテロ構造の活性層の価電子帯及び伝
導帯の状態密度よりも小さくなっている。活性層に流れ
る電流密度が大きくなると、サブバンドは、状態密度が
大きくないので直ぐに満たされる。電流密度を増やすに
つれ、順にサブバンドが段階的に満たされ、バンド端は
段階的に高エネルギー側にシフトする。
【００１０】ここで、電流ストライプ幅が狭いと、レー
ザ発振に高い電流密度が必要となり、レーザ発振時には
低いエネルギーレベルのサブバンドが満たされているの
で、レーザ発振波長は短いものになる。逆に、電流スト
ライプ幅が広いと、レーザ発振に低い電流密度で十分で
あり、レーザ発振時には低いエネルギーレベルのサブバ
ンドのバンド間遷移によるものになるので、レーザ発振
波長は長いものになる。
ザ発振に高い電流密度が必要となり、レーザ発振時には
低いエネルギーレベルのサブバンドが満たされているの
で、レーザ発振波長は短いものになる。逆に、電流スト
ライプ幅が広いと、レーザ発振に低い電流密度で十分で
あり、レーザ発振時には低いエネルギーレベルのサブバ
ンドのバンド間遷移によるものになるので、レーザ発振
波長は長いものになる。
【００１１】
【実施例】本発明の一実施例を図面を参照して説明す
る。図１には、本発明の一実施例の多波長半導体レーザ
の出射面の面断構造が示されている。この多波長半導体
レーザは、Ｓｉドープのｎ型ＧａＡｓ基板１０１の（１
００）面上に、Ｓｉドープのｎ型ＧａＡｓからなるバッ
ファ層１０２，Ｓｅドープのｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるクラッド層１０３，ノンドープ
の（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなる光閉じ
込め層１０４，ノンドープのＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからな
る単一量子井戸層（活性層）１０５，ノンドープの（Ａ
ｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなる光閉じ込め層
１０６，Ｚｎドープのｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐからなるクラッド層１０７を有している。ま
た、クラッド層１０７のエッチングされた部分に、Ｓｉ
ドープのｎ型ＧａＡｓからなる複数の電流ブロック層１
０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄと、クラッド層
１０７のエッチングされずに残った部分に接合するよう
にＺｎドープのｐ型ＧａＡｓからなる複数のコンタクト
層１０９ａ，１０９ｂ，１０９ｃとが形成され、基板１
０１及びコンタクト層１０９には、電極１１０，１１１
ａ，１１１ｂ，１１１ｃが設けられている。
る。図１には、本発明の一実施例の多波長半導体レーザ
の出射面の面断構造が示されている。この多波長半導体
レーザは、Ｓｉドープのｎ型ＧａＡｓ基板１０１の（１
００）面上に、Ｓｉドープのｎ型ＧａＡｓからなるバッ
ファ層１０２，Ｓｅドープのｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるクラッド層１０３，ノンドープ
の（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなる光閉じ
込め層１０４，ノンドープのＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからな
る単一量子井戸層（活性層）１０５，ノンドープの（Ａ
ｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなる光閉じ込め層
１０６，Ｚｎドープのｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐからなるクラッド層１０７を有している。ま
た、クラッド層１０７のエッチングされた部分に、Ｓｉ
ドープのｎ型ＧａＡｓからなる複数の電流ブロック層１
０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄと、クラッド層
１０７のエッチングされずに残った部分に接合するよう
にＺｎドープのｐ型ＧａＡｓからなる複数のコンタクト
層１０９ａ，１０９ｂ，１０９ｃとが形成され、基板１
０１及びコンタクト層１０９には、電極１１０，１１１
ａ，１１１ｂ，１１１ｃが設けられている。
【００１２】バッファ層１０２からクラッド層１０７ま
では、Ｓｉドープのｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、順次
エピタキシャル成長にて製作され、各層は、ほぼ均一に
かつ平坦に作られている。クラッド層１０３，１０７は
光閉じ込め層１０４，１０６よりも屈折率の小さな材料
が用いられている。単一量子井戸層（活性層）１０５は
クラッド層１０３，１０７，光閉じ込め層１０４，１０
６よりも価電子帯順位は高く導電帯順位は低い材料が用
いられ量子井戸を形成している。単一量子井戸層１０５
及び光閉じ込め層１０４，１０６で光導波路１２０が形
成されている。クラッド層１０７はエッチングされてス
トライプ幅５μｍ，１０μｍ，２０μｍのメサストライ
プ１１２，１１３，１１４が形成されていて、電流ブロ
ック層１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄは図の
縦方向の電流をブロックする。この構造からも分かるよ
うに、構造が簡単であり、そのため簡単なプロセスで製
作されている。
では、Ｓｉドープのｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、順次
エピタキシャル成長にて製作され、各層は、ほぼ均一に
かつ平坦に作られている。クラッド層１０３，１０７は
光閉じ込め層１０４，１０６よりも屈折率の小さな材料
が用いられている。単一量子井戸層（活性層）１０５は
クラッド層１０３，１０７，光閉じ込め層１０４，１０
６よりも価電子帯順位は高く導電帯順位は低い材料が用
いられ量子井戸を形成している。単一量子井戸層１０５
及び光閉じ込め層１０４，１０６で光導波路１２０が形
成されている。クラッド層１０７はエッチングされてス
トライプ幅５μｍ，１０μｍ，２０μｍのメサストライ
プ１１２，１１３，１１４が形成されていて、電流ブロ
ック層１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃ，１０８ｄは図の
縦方向の電流をブロックする。この構造からも分かるよ
うに、構造が簡単であり、そのため簡単なプロセスで製
作されている。
【００１３】図の縦方向の電流を流すと、電極１１１ａ
からのキャリアは電流ブロック層１０８ａ，１０８ｂで
ブロックされ、電流ブロック層１０８ａ，１０８ｂの間
隔５μｍでそれらの間を通ってクラッド層１０７を移動
する。このときキャリアは電界によりクラッド層１０７
から電極１１０までの間ビーム状に分布し、活性層１０
５を横切る幅はメサストライプ１１２の幅に応じたもの
になっている。電極１１１ｂ，１１１ｃからのキャリア
についても同様になる。このように、電流を流すことに
より、メサストライプ１１２，１１３，１１４にはその
幅（５μｍ，１０μｍ，２０μｍ）で決められた幅の電
流が流れ、これらに対応する活性層１０５の領域（図１
では、それらメサストライプの下にある活性層１０５の
一部分）がレーザ発振する。活性層１０５は前述したよ
うに平坦に作られているので、各メサストライプに対応
しレーザ発振する活性層１０５の領域は同じ厚さになっ
ている。
からのキャリアは電流ブロック層１０８ａ，１０８ｂで
ブロックされ、電流ブロック層１０８ａ，１０８ｂの間
隔５μｍでそれらの間を通ってクラッド層１０７を移動
する。このときキャリアは電界によりクラッド層１０７
から電極１１０までの間ビーム状に分布し、活性層１０
５を横切る幅はメサストライプ１１２の幅に応じたもの
になっている。電極１１１ｂ，１１１ｃからのキャリア
についても同様になる。このように、電流を流すことに
より、メサストライプ１１２，１１３，１１４にはその
幅（５μｍ，１０μｍ，２０μｍ）で決められた幅の電
流が流れ、これらに対応する活性層１０５の領域（図１
では、それらメサストライプの下にある活性層１０５の
一部分）がレーザ発振する。活性層１０５は前述したよ
うに平坦に作られているので、各メサストライプに対応
しレーザ発振する活性層１０５の領域は同じ厚さになっ
ている。
【００１４】実験によると、電極１１０，１１１に電源
をつなぎこの多波長半導体レーザに電流を流した結果、
メサストライプ１１２，１１３，１１４に対応する活性
層のレーザ発振領域からの出力波長は、それぞれ６５８
ｎｍ，６６２ｎｍ，６６６ｎｍであり、メサストライプ
１１２，１１３，１１４の幅に応じて異なった出力波長
が得られている。
をつなぎこの多波長半導体レーザに電流を流した結果、
メサストライプ１１２，１１３，１１４に対応する活性
層のレーザ発振領域からの出力波長は、それぞれ６５８
ｎｍ，６６２ｎｍ，６６６ｎｍであり、メサストライプ
１１２，１１３，１１４の幅に応じて異なった出力波長
が得られている。
【００１５】このように、図１の半導体レーザでは、異
なった出力波長が得られているのであるが、これは量子
井戸の効果によるものである。この点について、図２に
示すようなクラッド層に挟まれた活性層をもち、電流ブ
ロック層をもつ半導体レーザを用いて説明する。
なった出力波長が得られているのであるが、これは量子
井戸の効果によるものである。この点について、図２に
示すようなクラッド層に挟まれた活性層をもち、電流ブ
ロック層をもつ半導体レーザを用いて説明する。
【００１６】この図２（ａ）の半導体レーザは、いわゆ
る屈折率反導波構造のレーザで、光導波路２２０に量子
井戸を設けると図１に示したものの一部を取り出したも
のとほぼ同様のものになる。光導波路２２０付近のバン
ドエネルギーについて、通常のヘテロ接合によるものが
図２（ａ）に、光導波路２２０に量子井戸をもたせたも
のが図２（ｂ）に示されている。
る屈折率反導波構造のレーザで、光導波路２２０に量子
井戸を設けると図１に示したものの一部を取り出したも
のとほぼ同様のものになる。光導波路２２０付近のバン
ドエネルギーについて、通常のヘテロ接合によるものが
図２（ａ）に、光導波路２２０に量子井戸をもたせたも
のが図２（ｂ）に示されている。
【００１７】図２（ａ）の半導体レーザでメサストライ
プ２１２のストライプ幅を狭くして行くと、前述したよ
うに、光導波路２２０の活性層にはストライプ幅できめ
られた領域にしか電流が流れないので、導波路内での光
吸収による損失の利得に対する割合が増大する。このた
めレーザ発振に必要となる電流密度が増加する。半導体
レーザは高注入電流の下で動作しており、活性層内のエ
ネルギーバンドは、電子，正孔で満たされている。電流
密度が増加すると、バンドフィリングによってバンド端
は高エネルギー側に移動することになる。増加した電流
のキャリアはより高いエネルギー状態を占め、等価的に
大きくなったバンド間遷移により、レーザ発振波長は短
いものになる。通常のヘテロ接合型の半導体レーザで
は、光導波路２２０内の活性層のエネルギー順位はほぼ
連続的であるため、バンド端の変化は小さいものであ
る。量子井戸型の半導体レーザでは、図２（ｂ）に示す
ように、活性層の量子井戸の厚さで決められたとびとび
のサブバンドを活性層の価電子帯及び伝導帯に有してお
り、このサブバンドの状態密度はダブルヘテロ構造の活
性層の価電子帯及び伝導帯の状態密度よりも小さくなっ
ている。サブバンドは電流密度の増加ですぐに満たさ
れ、とびとびであるのでバンド端の変化は大きいものに
なる。そのため、量子井戸型の半導体レーザでは、顕著
なレーザ発振波長の変化が見られる。
プ２１２のストライプ幅を狭くして行くと、前述したよ
うに、光導波路２２０の活性層にはストライプ幅できめ
られた領域にしか電流が流れないので、導波路内での光
吸収による損失の利得に対する割合が増大する。このた
めレーザ発振に必要となる電流密度が増加する。半導体
レーザは高注入電流の下で動作しており、活性層内のエ
ネルギーバンドは、電子，正孔で満たされている。電流
密度が増加すると、バンドフィリングによってバンド端
は高エネルギー側に移動することになる。増加した電流
のキャリアはより高いエネルギー状態を占め、等価的に
大きくなったバンド間遷移により、レーザ発振波長は短
いものになる。通常のヘテロ接合型の半導体レーザで
は、光導波路２２０内の活性層のエネルギー順位はほぼ
連続的であるため、バンド端の変化は小さいものであ
る。量子井戸型の半導体レーザでは、図２（ｂ）に示す
ように、活性層の量子井戸の厚さで決められたとびとび
のサブバンドを活性層の価電子帯及び伝導帯に有してお
り、このサブバンドの状態密度はダブルヘテロ構造の活
性層の価電子帯及び伝導帯の状態密度よりも小さくなっ
ている。サブバンドは電流密度の増加ですぐに満たさ
れ、とびとびであるのでバンド端の変化は大きいものに
なる。そのため、量子井戸型の半導体レーザでは、顕著
なレーザ発振波長の変化が見られる。
【００１８】図１の半導体レーザでは、メサストライプ
１１２，１１３，１１４の順にその幅が大きくなるの
で、レーザ発振に必要となる電流密度がこの順に小さく
なる。バンド端は、電流密度が減少すると小さくなるの
でレーザ発振波長はこの順に大きくなる。このようにし
て図１の半導体レーザでは、異なった出力波長が得られ
ているのである。レーザ発振波長の違いを大きくしたい
場合、活性層に格子不整による歪みを導入し、価電子体
の有効質量，状態密度を低減させるという方法で、この
半導体レーザのレーザ発振波長の変化をより大きくする
ことが可能になる。
１１２，１１３，１１４の順にその幅が大きくなるの
で、レーザ発振に必要となる電流密度がこの順に小さく
なる。バンド端は、電流密度が減少すると小さくなるの
でレーザ発振波長はこの順に大きくなる。このようにし
て図１の半導体レーザでは、異なった出力波長が得られ
ているのである。レーザ発振波長の違いを大きくしたい
場合、活性層に格子不整による歪みを導入し、価電子体
の有効質量，状態密度を低減させるという方法で、この
半導体レーザのレーザ発振波長の変化をより大きくする
ことが可能になる。
【００１９】このように、本発明は、量子井戸型の半導
体レーザでその活性層に流れる電流の幅をかえることに
よって、レーザ発振波長の変化をうるものであるから、
本実施例以外に様々な別の手段が考えられる。
体レーザでその活性層に流れる電流の幅をかえることに
よって、レーザ発振波長の変化をうるものであるから、
本実施例以外に様々な別の手段が考えられる。
【００２０】例えば、電流ブロック層などで活性層を異
なった幅で仕切るなどして、活性層を異なった幅で設け
るという構成が可能である。このとき、活性層の幅が電
流ストライプ幅と等価になる。同様に、エッチングなど
で活性層を互いに異なった幅で仕切ることでも同じ構造
をもたせ得る。また、電極或いはコンタクト層を互いに
異なった狭い幅で設け、この狭い電極或いはコンタクト
層からクラッド層に、電流のキャリアがビーム状に流れ
るようにしてもよい。この場合、電極或いはコンタクト
層の幅が電流ストライプ幅と等価である。
なった幅で仕切るなどして、活性層を異なった幅で設け
るという構成が可能である。このとき、活性層の幅が電
流ストライプ幅と等価になる。同様に、エッチングなど
で活性層を互いに異なった幅で仕切ることでも同じ構造
をもたせ得る。また、電極或いはコンタクト層を互いに
異なった狭い幅で設け、この狭い電極或いはコンタクト
層からクラッド層に、電流のキャリアがビーム状に流れ
るようにしてもよい。この場合、電極或いはコンタクト
層の幅が電流ストライプ幅と等価である。
【００２１】
【発明の効果】以上本発明によると、量子井戸型の半導
体レーザでその活性層に流れる電流の幅をかえること
で、レーザ発振に必要となる電流密度及びバンド端を変
化させることで、簡単な製作プロセスで、同一基板上で
異なった波長の半導体レーザを形成することができる。
体レーザでその活性層に流れる電流の幅をかえること
で、レーザ発振に必要となる電流密度及びバンド端を変
化させることで、簡単な製作プロセスで、同一基板上で
異なった波長の半導体レーザを形成することができる。
【図１】本発明の一実施例の出射面の面断構造図。
【図２】本発明の原理の説明図。
１０１…基板 １０３…クラッド層 １０７…クラッド層 ２２０…光導波路
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 同一半導体基板上に、クラッド層に挟ま
れた活性層の通電領域をレーザ発振領域とする量子井戸
レーザ共振器を複数設け、これらの量子井戸レーザ共振
器のうち少なくとも２つの前記通電領域が互いに異なっ
た幅を有していることを特徴とした半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18653491A JPH0537068A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18653491A JPH0537068A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537068A true JPH0537068A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16190179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18653491A Pending JPH0537068A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0537068A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6409620B1 (en) | 1999-07-13 | 2002-06-25 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Belt for continuosly variable transmission |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP18653491A patent/JPH0537068A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6409620B1 (en) | 1999-07-13 | 2002-06-25 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Belt for continuosly variable transmission |
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