JPH0536664A - ウエーハ洗浄槽 - Google Patents
ウエーハ洗浄槽Info
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- JPH0536664A JPH0536664A JP3214655A JP21465591A JPH0536664A JP H0536664 A JPH0536664 A JP H0536664A JP 3214655 A JP3214655 A JP 3214655A JP 21465591 A JP21465591 A JP 21465591A JP H0536664 A JPH0536664 A JP H0536664A
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- cleaning liquid
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Abstract
(57)【要約】
［目的］ ウエーハを１枚ずつ略垂直に支持した状態で
洗浄液中に浸漬してこれを洗浄することができるウエー
ハ洗浄槽を提供すること。 ［構成］ 洗浄液を収容する偏平なタンク１１０と、ウ
エーハＷをタンク１１０内で略垂直に支持するホルダー
１２０と、該ホルダー１２０に支持されたウエーハＷの
上面部に向けて洗浄液を噴出する噴射ノズルを含んで洗
浄槽Ｅを構成する。１枚のウエーハＷは、ホルダー１２
０によって略垂直に支持された状態で、タンク１１０内
の洗浄液中に浸漬されて洗浄される。このとき、ウエー
ハＷは、噴射ノズルから噴出される洗浄液をその上部に
受けてホルダー１２０に押圧され、垂直に対して若干傾
いた状態で支持されてその姿勢が安定に保たれる。
洗浄液中に浸漬してこれを洗浄することができるウエー
ハ洗浄槽を提供すること。 ［構成］ 洗浄液を収容する偏平なタンク１１０と、ウ
エーハＷをタンク１１０内で略垂直に支持するホルダー
１２０と、該ホルダー１２０に支持されたウエーハＷの
上面部に向けて洗浄液を噴出する噴射ノズルを含んで洗
浄槽Ｅを構成する。１枚のウエーハＷは、ホルダー１２
０によって略垂直に支持された状態で、タンク１１０内
の洗浄液中に浸漬されて洗浄される。このとき、ウエー
ハＷは、噴射ノズルから噴出される洗浄液をその上部に
受けてホルダー１２０に押圧され、垂直に対して若干傾
いた状態で支持されてその姿勢が安定に保たれる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエーハを洗浄
液中に１枚ずつ略垂直に浸漬してこれを洗浄するウエー
ハ洗浄槽に関する。
液中に１枚ずつ略垂直に浸漬してこれを洗浄するウエー
ハ洗浄槽に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子製造において、半導体ウエー
ハの表面に付着した不純物は半導体素子の性能に悪影響
を及ぼす。
ハの表面に付着した不純物は半導体素子の性能に悪影響
を及ぼす。
【０００３】そこで、半導体ウエーハの製造工程の中に
は洗浄工程が含まれており、この洗浄工程ではウエーハ
が種々の方法によって洗浄されるが、ウエーハの洗浄方
法には大別して物理的洗浄方法と化学的洗浄方法とがあ
る。
は洗浄工程が含まれており、この洗浄工程ではウエーハ
が種々の方法によって洗浄されるが、ウエーハの洗浄方
法には大別して物理的洗浄方法と化学的洗浄方法とがあ
る。
【０００４】上記前者の物理的洗浄方法としては、洗浄
ブラシ等を用いてウエーハ表面に付着した不純物を直接
除去する方法、噴射ノズルから加圧流体をウエーハの一
部又は全体に向けて噴射し、これによって不純物を除去
する方法、ウエーハを液中に浸漬してこれに超音波を当
てて該ウエーハに付着した不純物を除去する方法（超音
波洗浄法）等がある。
ブラシ等を用いてウエーハ表面に付着した不純物を直接
除去する方法、噴射ノズルから加圧流体をウエーハの一
部又は全体に向けて噴射し、これによって不純物を除去
する方法、ウエーハを液中に浸漬してこれに超音波を当
てて該ウエーハに付着した不純物を除去する方法（超音
波洗浄法）等がある。
【０００５】又、前記後者の化学的洗浄方法としては、
種々の薬剤、酵素等によってウエーハ表面に付着した不
純物を化学的に分解除去する方法等がある。尚、物理的
洗浄方法と化学的洗浄方法が併用されることもある。
種々の薬剤、酵素等によってウエーハ表面に付着した不
純物を化学的に分解除去する方法等がある。尚、物理的
洗浄方法と化学的洗浄方法が併用されることもある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体の製
造分野においては、近年の半導体デバイスの高集積化の
傾向に伴って半導体ウエーハが大口径化し、複数枚のウ
エーハをキャリアに収容して洗浄する従来の方式によれ
ば、多大な労力を要する。
造分野においては、近年の半導体デバイスの高集積化の
傾向に伴って半導体ウエーハが大口径化し、複数枚のウ
エーハをキャリアに収容して洗浄する従来の方式によれ
ば、多大な労力を要する。
【０００７】又、ウエーハをキャリアに収容して運搬す
る方式を採ると、ウエーハとキャリアとの接触等によっ
てウエーハにパーティクル等が付着してウエーハが汚染
されるという問題も生じる。
る方式を採ると、ウエーハとキャリアとの接触等によっ
てウエーハにパーティクル等が付着してウエーハが汚染
されるという問題も生じる。
【０００８】そこで、ウエーハを１枚ずつ略垂直に支持
してこれを複数の洗浄槽の洗浄液中に順次浸漬せしめる
ことによって、ウエーハを１枚ずつ洗浄する毎葉式のウ
エーハ自動洗浄装置が提案される。
してこれを複数の洗浄槽の洗浄液中に順次浸漬せしめる
ことによって、ウエーハを１枚ずつ洗浄する毎葉式のウ
エーハ自動洗浄装置が提案される。
【０００９】斯かる毎葉式のウエーハ自動洗浄装置にお
いては、各洗浄槽において１枚のウエーハを略垂直に安
定支持した状態でこれを洗浄液中に浸漬する必要があ
り、そのため各洗浄装置には特別の工夫を要する。
いては、各洗浄槽において１枚のウエーハを略垂直に安
定支持した状態でこれを洗浄液中に浸漬する必要があ
り、そのため各洗浄装置には特別の工夫を要する。
【００１０】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
で、その目的とする処は、ウエーハを１枚ずつ略垂直に
安定支持した状態で洗浄液中に浸漬してこれを洗浄する
ことができるウエーハ洗浄槽を提供することにある。
で、その目的とする処は、ウエーハを１枚ずつ略垂直に
安定支持した状態で洗浄液中に浸漬してこれを洗浄する
ことができるウエーハ洗浄槽を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明は、洗浄液を収容する偏平なタンクと、ウエーハを
タンク内で略垂直に支持するホルダーと、該ホルダーに
支持されたウエーハの上部面に向けて洗浄液を噴出する
噴射ノズルを含んでウエーハ洗浄槽を構成したことをそ
の特徴とする。
発明は、洗浄液を収容する偏平なタンクと、ウエーハを
タンク内で略垂直に支持するホルダーと、該ホルダーに
支持されたウエーハの上部面に向けて洗浄液を噴出する
噴射ノズルを含んでウエーハ洗浄槽を構成したことをそ
の特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明によれば、１枚のウエーハは、ホルダー
によって略垂直に安定支持された状態で、タンク内の洗
浄液中に浸漬されて洗浄される。このとき、ウエーハ
は、噴射ノズルから噴出される洗浄液をその上部に受け
てホルダーに押圧され、垂直に対して若干傾いた状態で
支持されてその姿勢が安定に保たれる。
によって略垂直に安定支持された状態で、タンク内の洗
浄液中に浸漬されて洗浄される。このとき、ウエーハ
は、噴射ノズルから噴出される洗浄液をその上部に受け
てホルダーに押圧され、垂直に対して若干傾いた状態で
支持されてその姿勢が安定に保たれる。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００１４】図７、図８、図９は本発明に係るウエーハ
洗浄槽を備えるウエーハ自動洗浄装置の正面図、平面
図、側面図であり、該ウエーハ自動洗浄装置は、ローダ
部Ａ、ウエーハ受槽Ｂ、予備洗浄槽Ｃ、ブラシ洗浄槽
Ｄ、洗浄槽Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉ、２つの予備槽Ｊ，Ｋ、
乾燥槽Ｌ及びアンローダ部Ｍを有している。
洗浄槽を備えるウエーハ自動洗浄装置の正面図、平面
図、側面図であり、該ウエーハ自動洗浄装置は、ローダ
部Ａ、ウエーハ受槽Ｂ、予備洗浄槽Ｃ、ブラシ洗浄槽
Ｄ、洗浄槽Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉ、２つの予備槽Ｊ，Ｋ、
乾燥槽Ｌ及びアンローダ部Ｍを有している。
【００１５】而して、前工程である研磨工程においてそ
の表面を鏡面研磨されたウエーハＷは、図８に示すよう
に、そのまま継続してローダ部Ａに１枚ずつ搬入され、
純水の流れに沿ってウエーハ受槽Ｂ内に送られる。
の表面を鏡面研磨されたウエーハＷは、図８に示すよう
に、そのまま継続してローダ部Ａに１枚ずつ搬入され、
純水の流れに沿ってウエーハ受槽Ｂ内に送られる。
【００１６】ところで、ウエーハ受槽Ｂには不図示のウ
エーハ起立装置が設けられており、ウエーハ受槽Ｂに搬
入されたウエーハＷは、ウエーハ起立装置によって起立
せしめられる。そして、垂直に起立せしめられたウエー
ハＷは、搬送ロボット２０によって垂直に支持されてウ
エーハ受槽Ｂから予備洗浄槽Ｃまで自動的に搬送され、
予備洗浄槽Ｃでは洗浄液中に浸漬されてその背面に付着
したワックスが除去される。そして、予備洗浄槽Ｃにて
ワックスを除去されたウエーハＷは、搬送ロボット２０
によって垂直に支持されてブラシ洗浄槽Ｄに送られ、こ
のブラシ洗浄槽Ｄにてその両面を同時にブラシ洗浄され
てパーティクル等が除去される。
エーハ起立装置が設けられており、ウエーハ受槽Ｂに搬
入されたウエーハＷは、ウエーハ起立装置によって起立
せしめられる。そして、垂直に起立せしめられたウエー
ハＷは、搬送ロボット２０によって垂直に支持されてウ
エーハ受槽Ｂから予備洗浄槽Ｃまで自動的に搬送され、
予備洗浄槽Ｃでは洗浄液中に浸漬されてその背面に付着
したワックスが除去される。そして、予備洗浄槽Ｃにて
ワックスを除去されたウエーハＷは、搬送ロボット２０
によって垂直に支持されてブラシ洗浄槽Ｄに送られ、こ
のブラシ洗浄槽Ｄにてその両面を同時にブラシ洗浄され
てパーティクル等が除去される。
【００１７】以上のようにブラシ洗浄されたウエーハＷ
は、搬送ロボット２０によって垂直に支持されて本発明
に係る洗浄槽Ｅへ搬送されてここでリンス処理される。
は、搬送ロボット２０によって垂直に支持されて本発明
に係る洗浄槽Ｅへ搬送されてここでリンス処理される。
【００１８】ここで、洗浄槽Ｅの構成を図１乃至図６に
基づいて説明する。尚、図１は洗浄槽Ｅの破断正面図、
図２は同平面図、図３は同破断側面図、図４は図３のｇ
部拡大詳細図、図５は図１の矢視ｈ方向の図、図６は洗
浄槽のフローシートである。
基づいて説明する。尚、図１は洗浄槽Ｅの破断正面図、
図２は同平面図、図３は同破断側面図、図４は図３のｇ
部拡大詳細図、図５は図１の矢視ｈ方向の図、図６は洗
浄槽のフローシートである。
【００１９】洗浄槽Ｅは偏平なタンク１１０を有してお
り、該タンク１１０の長壁面にはオーバーフロータンク
１１１が形成されており、該オーバーフロータンク１１
１の底部にはオーバーフローパイプ１１２が接続されて
いる。尚、オーバーフローパイプ１１２は図６に示す排
水ライン１３２に接続されている。
り、該タンク１１０の長壁面にはオーバーフロータンク
１１１が形成されており、該オーバーフロータンク１１
１の底部にはオーバーフローパイプ１１２が接続されて
いる。尚、オーバーフローパイプ１１２は図６に示す排
水ライン１３２に接続されている。
【００２０】又、タンク１１０の底部にはドレインパイ
プ１１３が接続されており、図１及び図５に示すよう
に、タンク１１０の底面は長辺方向にはドレインパイプ
１１３に向かって下方に傾斜し、短辺方向にも一方に向
かって下方に傾斜している。従って、タンク１１０内の
底部に落下する汚染物質等は、先ずタンク１１０の底面
の短辺方向の傾斜に沿って幅方向の片方に移動し、更に
長辺方向の傾きにそってドレインパイプ１１３方向に流
れ、その全てがドレインパイプ１１３からタンク１１０
外へ排出されるため、タンク１１０の底部に汚染物質等
が溜ることがない。
プ１１３が接続されており、図１及び図５に示すよう
に、タンク１１０の底面は長辺方向にはドレインパイプ
１１３に向かって下方に傾斜し、短辺方向にも一方に向
かって下方に傾斜している。従って、タンク１１０内の
底部に落下する汚染物質等は、先ずタンク１１０の底面
の短辺方向の傾斜に沿って幅方向の片方に移動し、更に
長辺方向の傾きにそってドレインパイプ１１３方向に流
れ、その全てがドレインパイプ１１３からタンク１１０
外へ排出されるため、タンク１１０の底部に汚染物質等
が溜ることがない。
【００２１】更に、図３において、タンク１１０の上部
には、長手方向に長いカバー部材１１４によって区画さ
れるチャンバーＳが形成されており、該チャンバーＳに
は図６に示す給水ライン１１５の給水パイプ１１６が接
続されている。そして、図４に詳細に示すように、前記
チャンバーＳはタンク１１０の壁に穿設された複数の噴
射ノズル１１７…を介してタンク１１０内に連通してい
る。尚、噴射ノズル１１７…は、タンク１１０の内方に
向かって下方に傾斜して設けられている。
には、長手方向に長いカバー部材１１４によって区画さ
れるチャンバーＳが形成されており、該チャンバーＳに
は図６に示す給水ライン１１５の給水パイプ１１６が接
続されている。そして、図４に詳細に示すように、前記
チャンバーＳはタンク１１０の壁に穿設された複数の噴
射ノズル１１７…を介してタンク１１０内に連通してい
る。尚、噴射ノズル１１７…は、タンク１１０の内方に
向かって下方に傾斜して設けられている。
【００２２】又、タンク１１０の前記給水パイプ１１６
の下方には、同じく給水ライン１１５（図６参照）に接
続された給水パイプ１１８が接続されている。尚、図１
において、１１９は薬液供給パイプである。
の下方には、同じく給水ライン１１５（図６参照）に接
続された給水パイプ１１８が接続されている。尚、図１
において、１１９は薬液供給パイプである。
【００２３】一方、タンク１１０内にはウエーハＷを垂
直に対して若干傾いた状態で支持する矩形枠状のホルダ
ー１２０が収容されている。このホルダー１２０の下端
部の左右には、ウエーハＷの外周部を支持すべき外周上
に凹部を有する２個のローラ１２１，１２１が回転自在
に軸支されており、該ホルダー１２０は、図３に示すよ
うに、その上端部に形成された鍵部１２０ａがタンク１
１０の上端縁に引っ掛けられることによって、タンク１
１０内に垂直に支持されている。
直に対して若干傾いた状態で支持する矩形枠状のホルダ
ー１２０が収容されている。このホルダー１２０の下端
部の左右には、ウエーハＷの外周部を支持すべき外周上
に凹部を有する２個のローラ１２１，１２１が回転自在
に軸支されており、該ホルダー１２０は、図３に示すよ
うに、その上端部に形成された鍵部１２０ａがタンク１
１０の上端縁に引っ掛けられることによって、タンク１
１０内に垂直に支持されている。
【００２４】ところで、図６に示すように、当該洗浄槽
Ｅ全体は、純水で満たされたタンク１２２内に浸漬され
ており、タンク１２２の下部には超音波発振器１２３が
取り付けられている。
Ｅ全体は、純水で満たされたタンク１２２内に浸漬され
ており、タンク１２２の下部には超音波発振器１２３が
取り付けられている。
【００２５】而して、前記搬送ロボット２０（図７乃至
図９参照）に支持されたウエーハＷは、図１に示すよう
に、ホルダー１２０のローラ１２１，１２１にその外周
部が支持された状態でタンク１１０内の純水中に浸漬さ
れており、これは前記複数の噴射ノズル１１７…（図４
参照）からタンク１１０内に噴出される水流をその上部
に受けて図３に示すように垂直に対して若干傾いた状態
でホルダー１２０に受けられ、その姿勢が安定に保たれ
ている。このとき、前述のように、噴射ノズル１１７…
はタンク１１０の内方（ウエーハＷ）に向かって下方に
傾斜して設けられているため、ウエーハＷは下向きの力
を受けてローラ１２１，１２１に押圧され、純水中での
浮動が抑えられてその姿勢が安定に保たれる。尚、純水
は噴射ノズル１１７…及び給水パイプ１１８からタンク
１１０内に供給され、タンク１１０からオーバーフロー
タンク１１１にオーバーフローした純水は、オーバーフ
ローパイプ１１２から排出ライン１３２（図６参照）へ
と排出される。
図９参照）に支持されたウエーハＷは、図１に示すよう
に、ホルダー１２０のローラ１２１，１２１にその外周
部が支持された状態でタンク１１０内の純水中に浸漬さ
れており、これは前記複数の噴射ノズル１１７…（図４
参照）からタンク１１０内に噴出される水流をその上部
に受けて図３に示すように垂直に対して若干傾いた状態
でホルダー１２０に受けられ、その姿勢が安定に保たれ
ている。このとき、前述のように、噴射ノズル１１７…
はタンク１１０の内方（ウエーハＷ）に向かって下方に
傾斜して設けられているため、ウエーハＷは下向きの力
を受けてローラ１２１，１２１に押圧され、純水中での
浮動が抑えられてその姿勢が安定に保たれる。尚、純水
は噴射ノズル１１７…及び給水パイプ１１８からタンク
１１０内に供給され、タンク１１０からオーバーフロー
タンク１１１にオーバーフローした純水は、オーバーフ
ローパイプ１１２から排出ライン１３２（図６参照）へ
と排出される。
【００２６】上記状態において、洗浄槽Ｅ全体は前記超
音波発振器１２３による超音波振動を受け、該洗浄槽Ｅ
内ではホルダー１２０に略垂直に支持されたウエーハＷ
が純水によってリンス処理される。
音波発振器１２３による超音波振動を受け、該洗浄槽Ｅ
内ではホルダー１２０に略垂直に支持されたウエーハＷ
が純水によってリンス処理される。
【００２７】次に、前記洗浄槽Ｆについて述べるが、該
洗浄槽Ｆの構成は洗浄槽Ｅのそれと同じであって、図６
に示すように、該洗浄槽Ｆの下方にはタンク１２４が設
置されている。
洗浄槽Ｆの構成は洗浄槽Ｅのそれと同じであって、図６
に示すように、該洗浄槽Ｆの下方にはタンク１２４が設
置されている。
【００２８】而して、タンク１２４内には異種の薬液が
それぞれライン１２５，１２６を経て供給され、一方の
薬液はポンプ１２７によって昇圧された後、ラインヒー
タ１２８によって所定温度（約８０℃）に加熱され、フ
ィルタ１２９を通過して洗浄槽Ｆ内に供給される。
それぞれライン１２５，１２６を経て供給され、一方の
薬液はポンプ１２７によって昇圧された後、ラインヒー
タ１２８によって所定温度（約８０℃）に加熱され、フ
ィルタ１２９を通過して洗浄槽Ｆ内に供給される。
【００２９】一方、前記洗浄槽Ｅでリンス処理されたウ
エーハＷは、搬送ロボット２０にハンドリングされて洗
浄槽Ｅから取り出された後、洗浄槽Ｆまで搬送され、図
１に示したと同じ状態で洗浄槽Ｆ中の薬液中に浸漬さ
れ、その表面に付着したパーティクルが除去される。
エーハＷは、搬送ロボット２０にハンドリングされて洗
浄槽Ｅから取り出された後、洗浄槽Ｆまで搬送され、図
１に示したと同じ状態で洗浄槽Ｆ中の薬液中に浸漬さ
れ、その表面に付着したパーティクルが除去される。
【００３０】尚、洗浄槽Ｆ中でパーティクルが除去され
たウエーハＷは高温（約８０℃）であって、これをその
まま引き上げると表面が乾燥して不具合が生ずるため、
洗浄槽Ｆ中の高温の薬液は図６に示すライン１３０から
タンク１２４内に戻され、これと同時に純水ライン１１
５から洗浄槽Ｆ中に純水が供給され、この純水によって
ウエーハＷが急冷される。そして、ウエーハＷの冷却に
供された純水は、ライン１３１から排水ライン１３２へ
と排出される。
たウエーハＷは高温（約８０℃）であって、これをその
まま引き上げると表面が乾燥して不具合が生ずるため、
洗浄槽Ｆ中の高温の薬液は図６に示すライン１３０から
タンク１２４内に戻され、これと同時に純水ライン１１
５から洗浄槽Ｆ中に純水が供給され、この純水によって
ウエーハＷが急冷される。そして、ウエーハＷの冷却に
供された純水は、ライン１３１から排水ライン１３２へ
と排出される。
【００３１】ところで、前記洗浄槽Ｇ，Ｈ，Ｉの構成も
前記洗浄槽Ｅ，Ｆのそれと同じであって、洗浄槽Ｈにて
洗浄されたウエーハＷは、搬送ロボット２０によって洗
浄槽Ｇ，Ｈ，Ｉに順次搬送され、該ウエーハＷは洗浄槽
Ｇ，Ｉでは純水によってリンス処理され、洗浄槽Ｈでは
薬液によって洗浄されてその表面に付着したイオン性不
純物が除去される。
前記洗浄槽Ｅ，Ｆのそれと同じであって、洗浄槽Ｈにて
洗浄されたウエーハＷは、搬送ロボット２０によって洗
浄槽Ｇ，Ｈ，Ｉに順次搬送され、該ウエーハＷは洗浄槽
Ｇ，Ｉでは純水によってリンス処理され、洗浄槽Ｈでは
薬液によって洗浄されてその表面に付着したイオン性不
純物が除去される。
【００３２】而して、予備洗浄槽Ｃ乃至洗浄槽Ｉによっ
て洗浄処理されたウエーハＷは、搬送ロボット２０によ
って前記乾燥槽Ｌに搬送されて速成乾燥された後、搬送
ロボット２０によって乾燥槽Ｌから取り出されてアンロ
ーダ部Ｍにセット不図示のウエーハカセット１５１内に
１枚ずつ収納され、ここにウエーハＷの洗浄が１枚ずつ
連続的、且つ自動的になされる。
て洗浄処理されたウエーハＷは、搬送ロボット２０によ
って前記乾燥槽Ｌに搬送されて速成乾燥された後、搬送
ロボット２０によって乾燥槽Ｌから取り出されてアンロ
ーダ部Ｍにセット不図示のウエーハカセット１５１内に
１枚ずつ収納され、ここにウエーハＷの洗浄が１枚ずつ
連続的、且つ自動的になされる。
【００３３】このように、本実施例に係る自動洗浄装置
は毎葉式であって、各ウエーハＷは各洗浄槽Ｅ〜Ｉ内で
高精度、且つ安定して位置決めされることから、搬送ロ
ボット２０によって１枚ずつ安定支持されて搬送され、
且つ連続的に処理される。この結果、従来用いられてい
たキャリアが不要となって所謂キャリアレスを実現する
ことができ、洗浄の自動化に容易に対応することができ
る。
は毎葉式であって、各ウエーハＷは各洗浄槽Ｅ〜Ｉ内で
高精度、且つ安定して位置決めされることから、搬送ロ
ボット２０によって１枚ずつ安定支持されて搬送され、
且つ連続的に処理される。この結果、従来用いられてい
たキャリアが不要となって所謂キャリアレスを実現する
ことができ、洗浄の自動化に容易に対応することができ
る。
【００３４】
【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、洗浄液を収容する偏平なタンクと、ウエーハをタ
ンク内で略垂直に支持するホルダーと、該ホルダーに支
持されたウエーハの上部面に向けて洗浄液を噴出する噴
射ノズルを含んでウエーハ洗浄槽を構成したため、ウエ
ーハを１枚ずつ略垂直に安定支持した状態で洗浄液中に
浸漬してこれを洗浄することができるという効果が得ら
れる。又、各洗浄槽内においてウエーハの位置決めが高
精度に行なわれるため、キャリアレスを実現して洗浄の
自動化に容易に対応することができる。
れば、洗浄液を収容する偏平なタンクと、ウエーハをタ
ンク内で略垂直に支持するホルダーと、該ホルダーに支
持されたウエーハの上部面に向けて洗浄液を噴出する噴
射ノズルを含んでウエーハ洗浄槽を構成したため、ウエ
ーハを１枚ずつ略垂直に安定支持した状態で洗浄液中に
浸漬してこれを洗浄することができるという効果が得ら
れる。又、各洗浄槽内においてウエーハの位置決めが高
精度に行なわれるため、キャリアレスを実現して洗浄の
自動化に容易に対応することができる。
【図１】本発明に係る洗浄槽の破断正面図である。
【図２】本発明に係る洗浄槽の破断正面図である。
【図３】本発明に係る洗浄槽の破断側面図である。
【図４】図３のｇ部拡大詳細図である。
【図５】図１の矢視ｈ方向の図である。
【図６】洗浄槽のフローシートである。
【図７】ウエーハ自動洗浄装置の正面図である。
【図８】ウエーハ自動洗浄装置の平面図である。
【図９】ウエーハ自動洗浄装置の側面図である。
１１０ タンク
１１１ オーバーフロータンク
１１３ ドレインパイプ
１１７ 噴射ノズル
１２０ ホルダー
１２１ ローラ
Ｅ〜Ｉ 洗浄槽
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 田中島 隆司
群馬県群馬郡群馬町足門762三益半導体工
業株式会社内
(72)発明者 木村 嘉晴
福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平
150番地信越半導体株式会社半導体白河研
究所内
(72)発明者 鈴木 盛江
福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平
150番地信越半導体株式会社半導体白河研
究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 ウエーハを洗浄液中に１枚ずつ略垂直に
浸漬してこれを洗浄する洗浄槽であって、洗浄液を収容
する偏平なタンクと、ウエーハをタンク内で略垂直に支
持するホルダーと、該ホルダーに支持されたウエーハの
上部面に向けて洗浄液を噴出する噴射ノズルを含んで構
成されることを特徴とするウエーハ洗浄槽。 - 【請求項２】 前記タンクには、該タンク内の洗浄液の
液位を一定に保つためのオーバーフロータンクが設けら
れていることを特徴とする請求項１記載のウエーハ洗浄
槽。 - 【請求項３】 前記タンクの底部にドレインパイプが接
続されており、同タンクの底面は長辺方向には前記ドレ
インパイプに向かって下方に傾斜しており、短辺方向に
も一方に向かって下方に傾斜していることを特徴とする
請求項１又は２記載のウエーハ洗浄槽。 - 【請求項４】 前記ホルダーは、前記タンクに着脱自在
に取り付けられており、その下端部にはウエーハの外周
部を支持すべき外周上に凹部を有する２個のローラが回
転自在に軸支され、該ローラに支持されるウエーハの上
端は、前記タンクの側壁を利用して略垂直に姿勢が維持
されていることを特徴とする請求項１，２又は３記載の
ウエーハ洗浄槽。 - 【請求項５】 前記噴射ノズルは、前記タンクの内方に
向かって水平又は／及び下方に傾斜して洗浄液を噴射す
る１又はそれ以上のノズルで構成され、洗浄液中でウエ
ーハの浮動を妨げ、且つその洗浄を助けることを特徴と
する請求項１，２，３又は４記載のウエーハ洗浄槽。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21465591A JP2767165B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | ウエーハ洗浄槽 |
| US07/920,392 US5317778A (en) | 1991-07-31 | 1992-07-27 | Automatic cleaning apparatus for wafers |
| EP92307019A EP0526245B1 (en) | 1991-07-31 | 1992-07-31 | An automatic cleaning apparatus for wafers |
| DE69203407T DE69203407T2 (de) | 1991-07-31 | 1992-07-31 | Automatische Reinigungseinrichtung für Halbleiterscheibe. |
| US08/189,679 US5547515A (en) | 1991-07-31 | 1994-02-01 | Method for handling or processing semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21465591A JP2767165B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | ウエーハ洗浄槽 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536664A true JPH0536664A (ja) | 1993-02-12 |
| JP2767165B2 JP2767165B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=16659369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21465591A Expired - Lifetime JP2767165B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | ウエーハ洗浄槽 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2767165B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0657919A1 (en) * | 1993-12-10 | 1995-06-14 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Device for handling wafers |
| EP0658923A1 (en) * | 1993-12-14 | 1995-06-21 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Wafer cleaning tank |
| US6516816B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Spin-rinse-dryer |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH03124028A (ja) * | 1989-10-09 | 1991-05-27 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置 |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP21465591A patent/JP2767165B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US6516816B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Spin-rinse-dryer |
| US7226514B2 (en) | 1999-04-08 | 2007-06-05 | Applied Materials, Inc. | Spin-rinse-dryer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2767165B2 (ja) | 1998-06-18 |
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