JPH053646B2 - - Google Patents
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- JPH053646B2 JPH053646B2 JP58197975A JP19797583A JPH053646B2 JP H053646 B2 JPH053646 B2 JP H053646B2 JP 58197975 A JP58197975 A JP 58197975A JP 19797583 A JP19797583 A JP 19797583A JP H053646 B2 JPH053646 B2 JP H053646B2
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明はビデオ信号のような高周波信号をメタ
ルテープのような高抗磁力媒体に記録、再生する
のに適する磁気ヘツドに関する。
ルテープのような高抗磁力媒体に記録、再生する
のに適する磁気ヘツドに関する。
(ロ) 従来技術
一般式のVTR（βやVHS）では磁気ヘツドの
コア材として酸化物磁性材料（フエライト）が多
用されている。これは耐摩耗性に秀れかつ製造が
容易であるからである。稠密記録のために利用さ
れるメタルテープのような高抗磁力媒体に対して
はこの磁気ヘツドは飽和磁束密度が大きくない
（高々5500ガウス程度）ので該媒体の性能を活か
した記録を行なうことが難しい。そこで、最も磁
気飽和を起しやすいフロントギヤツプ周辺部に高
飽和磁束密度を呈する金属磁性材料（センダスト
等）を付設する構成の磁気ヘツドが提案されてい
る（特開昭57−103116号公報）。この公知の磁気
ヘツドは酸化物磁性材料と金属磁性材料の境界面
で磁気飽和を呈さないように該境界面の面積をフ
ロントギヤツプ構成面に比べて大きく構成するこ
とを提案しているが、その手段は金属磁性材料よ
りなる薄膜の、テープ当接面とは反対側の面を斜
面に形成することで実現させているので、トラツ
ク幅を小さくしてかつ上記境界面を十分大きくす
るには薄膜の厚さを大きくせざるを得ず、成膜に
時間を要するという欠点が認められる。
コア材として酸化物磁性材料（フエライト）が多
用されている。これは耐摩耗性に秀れかつ製造が
容易であるからである。稠密記録のために利用さ
れるメタルテープのような高抗磁力媒体に対して
はこの磁気ヘツドは飽和磁束密度が大きくない
（高々5500ガウス程度）ので該媒体の性能を活か
した記録を行なうことが難しい。そこで、最も磁
気飽和を起しやすいフロントギヤツプ周辺部に高
飽和磁束密度を呈する金属磁性材料（センダスト
等）を付設する構成の磁気ヘツドが提案されてい
る（特開昭57−103116号公報）。この公知の磁気
ヘツドは酸化物磁性材料と金属磁性材料の境界面
で磁気飽和を呈さないように該境界面の面積をフ
ロントギヤツプ構成面に比べて大きく構成するこ
とを提案しているが、その手段は金属磁性材料よ
りなる薄膜の、テープ当接面とは反対側の面を斜
面に形成することで実現させているので、トラツ
ク幅を小さくしてかつ上記境界面を十分大きくす
るには薄膜の厚さを大きくせざるを得ず、成膜に
時間を要するという欠点が認められる。
(ハ) 発明の目的
本発明はトラツク幅を小さくしかつ薄膜の膜厚
を大きくしなくても上記境界面を十分に大きく構
成することができる磁気ヘツドを提供しようとす
るものである。
を大きくしなくても上記境界面を十分に大きく構
成することができる磁気ヘツドを提供しようとす
るものである。
更に本発明は薄膜の剥離を防ぎかつトラツク幅
を所定の寸法に収めることができる歩留りの良い
磁気ヘツドを提供しようとするものである。
を所定の寸法に収めることができる歩留りの良い
磁気ヘツドを提供しようとするものである。
(ニ) 発明の構成
本発明は高固有抵抗材よりなる磁気コア主要部
のフロントギヤツプ側表面に高飽和磁束密度を呈
する合金磁性材よりなる薄膜を付設し該薄膜どお
しが対向するように構成された磁気ヘツドに関す
るもので、テープ当接面側から見て、フロントギ
ヤツプのトラツク幅をテープ当接面の全幅より小
さく規定するため、該フロントギヤツプに対面す
る薄膜の各エツジから、前記テープ当接面を規定
する磁気コア主要部上の側面に至る稜線を持つ切
欠きを備え、この切欠きによつて上記薄膜のテー
プ当接面上の形状を略等脚台形に成形し、前記磁
気コア主要部と前記薄膜との境界面である前記等
脚台形の下底の幅をトラツク幅よりも大きくする
ことを特徴とするものである。
のフロントギヤツプ側表面に高飽和磁束密度を呈
する合金磁性材よりなる薄膜を付設し該薄膜どお
しが対向するように構成された磁気ヘツドに関す
るもので、テープ当接面側から見て、フロントギ
ヤツプのトラツク幅をテープ当接面の全幅より小
さく規定するため、該フロントギヤツプに対面す
る薄膜の各エツジから、前記テープ当接面を規定
する磁気コア主要部上の側面に至る稜線を持つ切
欠きを備え、この切欠きによつて上記薄膜のテー
プ当接面上の形状を略等脚台形に成形し、前記磁
気コア主要部と前記薄膜との境界面である前記等
脚台形の下底の幅をトラツク幅よりも大きくする
ことを特徴とするものである。
又、本発明は、上記等脚台形の脚辺と、フロン
トギヤツプに直交する仮想線との交角を20゜以上
50゜以下に構成し、もつて製造歩留りを向上させ
しかもクロストークを受け難くすることを特徴と
している。
トギヤツプに直交する仮想線との交角を20゜以上
50゜以下に構成し、もつて製造歩留りを向上させ
しかもクロストークを受け難くすることを特徴と
している。
(ホ) 実施例
第１図は本発明の磁気ヘツドの１実施例を示す
斜視図である。図では説明の便宜のため磁気ヘツ
ドの縦横の比に較べ全厚Ｗを大きく示しており、
またフロントギヤツプＦのギヤツプ長Ｌも著しく
跨張して示している。さらに、装着されるべきコ
イルに付いても図示省略している。この磁気ヘツ
ドは全体形状が極めて小さい例えば縦、横ともに
約３mm程度であるので、例えばVTRの回転体に
装てんする場合に、側面S1をテープ当接面S2が外
方に突出するようにヘツドスペース（図示省略）
に貼付せしめ取扱い性につき配慮される。
斜視図である。図では説明の便宜のため磁気ヘツ
ドの縦横の比に較べ全厚Ｗを大きく示しており、
またフロントギヤツプＦのギヤツプ長Ｌも著しく
跨張して示している。さらに、装着されるべきコ
イルに付いても図示省略している。この磁気ヘツ
ドは全体形状が極めて小さい例えば縦、横ともに
約３mm程度であるので、例えばVTRの回転体に
装てんする場合に、側面S1をテープ当接面S2が外
方に突出するようにヘツドスペース（図示省略）
に貼付せしめ取扱い性につき配慮される。
この磁気ヘツドは酸化物磁性材（フエライト）
よりなる高固有抵抗を呈する磁気コア主要部１，
２と、該磁気コア主要部のフロントギヤツプＦ側
の表面１ａ，２ａ上に付設した合金磁性材料（例
えばセンダスト）よりなる高飽和磁束密度を呈す
る厚さ5μm程度の薄膜３，４と、この薄膜の間に
付設されたSiO2等の非磁性材よりなるスペーサ
５とを備えている。又、この磁気ヘツドはその厚
み方向に貫通するコイル窓６を開設しており、こ
のコイル窓の上縁はフロントギヤツプＦの下縁
（デブスエンド）と一致するように構成されてい
る。
よりなる高固有抵抗を呈する磁気コア主要部１，
２と、該磁気コア主要部のフロントギヤツプＦ側
の表面１ａ，２ａ上に付設した合金磁性材料（例
えばセンダスト）よりなる高飽和磁束密度を呈す
る厚さ5μm程度の薄膜３，４と、この薄膜の間に
付設されたSiO2等の非磁性材よりなるスペーサ
５とを備えている。又、この磁気ヘツドはその厚
み方向に貫通するコイル窓６を開設しており、こ
のコイル窓の上縁はフロントギヤツプＦの下縁
（デブスエンド）と一致するように構成されてい
る。
テープ当接面S2を正面に眺めて、フロントギヤ
ツプＦに対面する薄膜の各エツジ３ａ，３ｂ，４
ａ，４ｂから該テープ当接面を構成する磁気コア
主要部１，２上の側面１ｂ，１ｃ，２ｂ，２ｃに
至る稜線７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄを有する切欠８
ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄを備えていて、切欠８ａ，
８ｃ及び８ｂ，８ｄ内に結合材として作用するガ
ラス９ａ，９ｂが充てんされている。従い、薄膜
３及び４は何れも略等脚台形を呈する如く成形さ
れる。上底３ｃ，４ｃはトラツク幅Ｔに等しく、
磁気コア主要部１，２と薄膜３，４との境界面で
ある下底３ｄ，４ｄはトラツク幅Ｔより大きく全
厚Ｗよりも小さく構成されている。
ツプＦに対面する薄膜の各エツジ３ａ，３ｂ，４
ａ，４ｂから該テープ当接面を構成する磁気コア
主要部１，２上の側面１ｂ，１ｃ，２ｂ，２ｃに
至る稜線７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄを有する切欠８
ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄを備えていて、切欠８ａ，
８ｃ及び８ｂ，８ｄ内に結合材として作用するガ
ラス９ａ，９ｂが充てんされている。従い、薄膜
３及び４は何れも略等脚台形を呈する如く成形さ
れる。上底３ｃ，４ｃはトラツク幅Ｔに等しく、
磁気コア主要部１，２と薄膜３，４との境界面で
ある下底３ｄ，４ｄはトラツク幅Ｔより大きく全
厚Ｗよりも小さく構成されている。
フロントギヤツプＦの延在方向は磁気ヘツドの
走行方向Ｐに対して直角から10゜ずれており、い
わゆるアジムス角αを持つように構成されてい
る。そして、上記等脚台形の各脚辺すなわち稜線
７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄと、フロントギヤツプＦ
に直交する仮想線１０との交角θ1，θ2，θ3，θ4は
何れも20゜以上50゜以下に規定されている（第９図
参照）。
走行方向Ｐに対して直角から10゜ずれており、い
わゆるアジムス角αを持つように構成されてい
る。そして、上記等脚台形の各脚辺すなわち稜線
７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄと、フロントギヤツプＦ
に直交する仮想線１０との交角θ1，θ2，θ3，θ4は
何れも20゜以上50゜以下に規定されている（第９図
参照）。
第２図〜第４図は本発明に係る磁気ヘツドの製
造例を簡単に示している。磁性フエライト材より
なるウエハ２０の一面上にスパツタ法にてセンダ
ストの薄膜２１を全面に付設し、さらにこの薄膜
上のフロントギヤツプ予定面にSiO2のスペーサ
用膜（図示省略）を必要なギヤツプ長Ｌの半分だ
け付設する。次いで、トラツク幅Ｔに一致する幅
Ｘを持つランド部２１ａを形成するように複数
（図示例では３本）の溝２２を開設する。第２図
は以上の加工を施こしたブロツクハーフB1の斜
視図を示している。この第２図のブロツクハーフ
に対向させる他方のブロツクハーフB2は、第２
図のブロツクハーフに更にコイル窓６用の溝２３
を上記トラツク幅規定溝２２に直交する方向に開
設してなる第３図に示す如きものである。これら
両ブロツクハーフB1，B2は第４図に示す如く各
薄膜２１，２１が向かい合うように突き合わさ
れ、トラツク幅規定溝２２内にガラス２２が充て
んされて一体化される。一体化されたブロツクＢ
の表面BaをＲ付け加工してテープ当接面S2を得、
その後アジマス角10゜を持つようにこのブロツク
を破線２５に沿つてスライスし必要に応じて厚み
加工を行ない、第１図に示す磁気ヘツドを製造す
る。
造例を簡単に示している。磁性フエライト材より
なるウエハ２０の一面上にスパツタ法にてセンダ
ストの薄膜２１を全面に付設し、さらにこの薄膜
上のフロントギヤツプ予定面にSiO2のスペーサ
用膜（図示省略）を必要なギヤツプ長Ｌの半分だ
け付設する。次いで、トラツク幅Ｔに一致する幅
Ｘを持つランド部２１ａを形成するように複数
（図示例では３本）の溝２２を開設する。第２図
は以上の加工を施こしたブロツクハーフB1の斜
視図を示している。この第２図のブロツクハーフ
に対向させる他方のブロツクハーフB2は、第２
図のブロツクハーフに更にコイル窓６用の溝２３
を上記トラツク幅規定溝２２に直交する方向に開
設してなる第３図に示す如きものである。これら
両ブロツクハーフB1，B2は第４図に示す如く各
薄膜２１，２１が向かい合うように突き合わさ
れ、トラツク幅規定溝２２内にガラス２２が充て
んされて一体化される。一体化されたブロツクＢ
の表面BaをＲ付け加工してテープ当接面S2を得、
その後アジマス角10゜を持つようにこのブロツク
を破線２５に沿つてスライスし必要に応じて厚み
加工を行ない、第１図に示す磁気ヘツドを製造す
る。
ここでトラツク幅規定溝２２の加工方法につい
て補足説明する。第５図はカツター３０でワーク
であるブロツクハーフB1を切断中の状態を平面
図（但し、図を見易くするためカツターを仮想線
で示している）で示しており、第６図は第５図中
の線３１に沿う切断面を示す断面図である。
て補足説明する。第５図はカツター３０でワーク
であるブロツクハーフB1を切断中の状態を平面
図（但し、図を見易くするためカツターを仮想線
で示している）で示しており、第６図は第５図中
の線３１に沿う切断面を示す断面図である。
カツター３０は角度θを持つ円板状のダイヤモ
ンドカツターであり、矢印３２方向に回転して、
中心線３０の上方域で下方に進行するワークク
B1を切断し下方域ではワークから離れるように
作用する。実験によると、溝２２の切削工程時に
薄膜２１の剥離傾向が上記角度θに応じて著しく
相違することが認められた。第７図イ，ロは剥離
発生確率を示す特性図で、加工速度が(イ)0.2mm／
secと、(ロ)0.1mm／secの場合を示している。何れ
も角度θが20゜より小さくなると発生確率が非常
に大きくなることを示している。この現象は以下
の如く理解できる。
ンドカツターであり、矢印３２方向に回転して、
中心線３０の上方域で下方に進行するワークク
B1を切断し下方域ではワークから離れるように
作用する。実験によると、溝２２の切削工程時に
薄膜２１の剥離傾向が上記角度θに応じて著しく
相違することが認められた。第７図イ，ロは剥離
発生確率を示す特性図で、加工速度が(イ)0.2mm／
secと、(ロ)0.1mm／secの場合を示している。何れ
も角度θが20゜より小さくなると発生確率が非常
に大きくなることを示している。この現象は以下
の如く理解できる。
この角度θが少しでも存在すれば理想条件下で
は中心線３１の下方域ではカツター刃面とワーク
の加工面との接触の機会が存在しないから上記剥
離の発生が考えられない筈であるが、現実にはカ
ツターの振れやカツテイング動作中に弾性変形し
た刃の膨脹などによつて上記角度θが小さい範囲
では中心線３１の下方域でもカツター３０がワー
クB1に接触し摩擦力で薄膜を剥離させるように
作用する。上記交角θ1〜θ4はこの角度θに対応す
るので、薄膜剥離を防ぎ製造歩留りを向上させる
ために20゜以上に選定される。
は中心線３１の下方域ではカツター刃面とワーク
の加工面との接触の機会が存在しないから上記剥
離の発生が考えられない筈であるが、現実にはカ
ツターの振れやカツテイング動作中に弾性変形し
た刃の膨脹などによつて上記角度θが小さい範囲
では中心線３１の下方域でもカツター３０がワー
クB1に接触し摩擦力で薄膜を剥離させるように
作用する。上記交角θ1〜θ4はこの角度θに対応す
るので、薄膜剥離を防ぎ製造歩留りを向上させる
ために20゜以上に選定される。
上記角度θを大きくすることは反面トラツク幅
Ｔの規定が困難になるという欠点を招くことにな
る。このことを第８図を参考にして説明する。ワ
ークB1の厚さＤを所定値に設定しかつ基準位置
Ｑにセツトしたとしてもカツター３０のワーク
B1に対するアクセスが所定の実線状態から隣接
して示す破線状態に変化した場合、トラツク幅Ｔ
がT1からT2に変化し、この変化の傾向は上記角
度θの大きさに依存する。即ち、角度θが大きい
場合少しの誤差でトラツク幅Ｔの大きい変動をも
たらすことになる。ワークB1の厚みのバラツキ
を1μm以内に仕上げかつワークを接着台に固定す
る際接着層の厚みムラを無くするように工夫する
ことによつて角度θが50゜程度までの範囲ではト
ラツク幅Ｔのバラツキを許容できる±2μm以内に
抑えることが比較的容易である。従い、交角θ1〜
θ4は50゜以下が適当である。
Ｔの規定が困難になるという欠点を招くことにな
る。このことを第８図を参考にして説明する。ワ
ークB1の厚さＤを所定値に設定しかつ基準位置
Ｑにセツトしたとしてもカツター３０のワーク
B1に対するアクセスが所定の実線状態から隣接
して示す破線状態に変化した場合、トラツク幅Ｔ
がT1からT2に変化し、この変化の傾向は上記角
度θの大きさに依存する。即ち、角度θが大きい
場合少しの誤差でトラツク幅Ｔの大きい変動をも
たらすことになる。ワークB1の厚みのバラツキ
を1μm以内に仕上げかつワークを接着台に固定す
る際接着層の厚みムラを無くするように工夫する
ことによつて角度θが50゜程度までの範囲ではト
ラツク幅Ｔのバラツキを許容できる±2μm以内に
抑えることが比較的容易である。従い、交角θ1〜
θ4は50゜以下が適当である。
この交角を大きくすると低周波域でのノイズ成
分が大きくなるという弊害もある。この点につき
第９図を参考にして説明する。同図はトラツクＢ
に隣接するトラツクＡの記録状態を示している。
記録時、トラツクＡにフロントギヤツプＦによつ
てアジムス角α（＝10゜）で本来の信号記録がなさ
れると共に、既記録の隣接Ｂトラツク上にも稜線
７ｄがギヤツプとして作用するので該稜線に平行
な漏れ記録がなされる。この漏れ記録成分がＢト
ラツクの再生中、アジムス角−αの磁気ヘツドの
フロントギヤツプF′で再生されないためには図中
の角度βがアジムスロスを生じさせる20゜以上あ
れば良い。β＝90−θ−2α（ここでα＝10゜）であ
るからβ＝70−θ（20）より、θ50゜。従い、
漏れ記録成分の再生を行なわないためにも交角θ1
〜θ4が50゜以下であることが適当である。
分が大きくなるという弊害もある。この点につき
第９図を参考にして説明する。同図はトラツクＢ
に隣接するトラツクＡの記録状態を示している。
記録時、トラツクＡにフロントギヤツプＦによつ
てアジムス角α（＝10゜）で本来の信号記録がなさ
れると共に、既記録の隣接Ｂトラツク上にも稜線
７ｄがギヤツプとして作用するので該稜線に平行
な漏れ記録がなされる。この漏れ記録成分がＢト
ラツクの再生中、アジムス角−αの磁気ヘツドの
フロントギヤツプF′で再生されないためには図中
の角度βがアジムスロスを生じさせる20゜以上あ
れば良い。β＝90−θ−2α（ここでα＝10゜）であ
るからβ＝70−θ（20）より、θ50゜。従い、
漏れ記録成分の再生を行なわないためにも交角θ1
〜θ4が50゜以下であることが適当である。
(ホ) 発明の効果
本発明の磁気ヘツドはフロントギヤツプ周辺部
を飽和磁束密度の高い合金磁性材料（例えばセン
ダスト）で形成されているのでメタルテープへの
記録のため記録電流を大きくしても磁気飽和を起
こすおそれがない。又、磁気コア主要部を高固有
抵抗の酸化物磁性材料（例えばフエライト）で形
成しているので、うず電流損にもとずく再生出力
特性の劣化を受け難く、既に確立された製法を流
用できるので製造が容易である。更に、合金磁性
材料と酸化物磁性材料の境界面を上記交角を大き
くすることで大きくすることができ、従来例の如
く膜厚を大きくすることで対応させる必要がない
のでこの点でも製造が容易である。更に又、上記
交角を20゜以上50゜以下に選定しているので磁気コ
ア主要部上の薄膜剥離を防ぎまたトラツク幅の精
度を向上することができる。同時に、漏れ記録成
分の再生を行なわないようにするのでＳ／Ｎ特性
を向上させることができる。
を飽和磁束密度の高い合金磁性材料（例えばセン
ダスト）で形成されているのでメタルテープへの
記録のため記録電流を大きくしても磁気飽和を起
こすおそれがない。又、磁気コア主要部を高固有
抵抗の酸化物磁性材料（例えばフエライト）で形
成しているので、うず電流損にもとずく再生出力
特性の劣化を受け難く、既に確立された製法を流
用できるので製造が容易である。更に、合金磁性
材料と酸化物磁性材料の境界面を上記交角を大き
くすることで大きくすることができ、従来例の如
く膜厚を大きくすることで対応させる必要がない
のでこの点でも製造が容易である。更に又、上記
交角を20゜以上50゜以下に選定しているので磁気コ
ア主要部上の薄膜剥離を防ぎまたトラツク幅の精
度を向上することができる。同時に、漏れ記録成
分の再生を行なわないようにするのでＳ／Ｎ特性
を向上させることができる。
図面は何れも本発明に関するもので、第１図は
１実施例の構成斜視図、第２図、第３図、第４図
はこの磁気ヘツドの製造工程の説明図、第５図と
第６図はカツテイング動作の説明に供する平面図
と断面図、第７図イ，ロは薄膜剥離の発生確率の
特性図、第８図と第９図は何れも交角の上限の説
明図である。 主な図番の説明、１，２……磁気コア主要部、
３，４……薄膜、Ｆ……フロントギヤツプ、７ａ
〜７ｄ……稜線、θ1〜θ4……交角。
１実施例の構成斜視図、第２図、第３図、第４図
はこの磁気ヘツドの製造工程の説明図、第５図と
第６図はカツテイング動作の説明に供する平面図
と断面図、第７図イ，ロは薄膜剥離の発生確率の
特性図、第８図と第９図は何れも交角の上限の説
明図である。 主な図番の説明、１，２……磁気コア主要部、
３，４……薄膜、Ｆ……フロントギヤツプ、７ａ
〜７ｄ……稜線、θ1〜θ4……交角。
Claims (1)
- １ テープ当接面側から見てフロントギヤツプを
挟んで両側に、合金磁性材料よりなる薄膜を付設
してなる高固有抵抗磁性材料よりなる磁気コア主
要部を前記薄膜が向かい合うように配備してなる
磁気ヘツドにおいて前記フロントギヤツプのトラ
ツク幅を規定するため該フロントギヤツプに対面
する前記薄膜の各エツジから前記テープ当接面の
全幅を規定する前記磁気コア主要部上の側面に至
る稜線を持つ切欠きを備え、前記薄膜の前記テー
プ当接面上における形状を略等脚台形に成形する
とともに、前記等脚台形の脚片と前記フロントギ
ヤツプに直交する仮想線との交角を20゜以上50゜以
下に構成していることを特徴とする磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19797583A JPS6089807A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19797583A JPS6089807A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6089807A JPS6089807A (ja) | 1985-05-20 |
| JPH053646B2 true JPH053646B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=16383428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19797583A Granted JPS6089807A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6089807A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR910000790B1 (ko) * | 1985-04-30 | 1991-02-08 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 자기헤드 및 그 제조방법 |
| JPS6346607A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-27 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
| NL8900107A (nl) * | 1989-01-18 | 1990-08-16 | Philips Nv | Magneetkop alsmede werkwijze voor het vervaardigen van de magneetkop. |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58175122A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-14 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JPS58179925A (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-21 | Pioneer Electronic Corp | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP19797583A patent/JPS6089807A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58175122A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-14 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JPS58179925A (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-21 | Pioneer Electronic Corp | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6089807A (ja) | 1985-05-20 |
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