JPH05345780A - ピリミジンまたはトリアジン誘導体及び除草剤 - Google Patents
ピリミジンまたはトリアジン誘導体及び除草剤Info
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Abstract
(57)【要約】
【構成】一般式
【化1】
[式中、Aは適当に置換されてもよいフラン環、ピリミ
ジン環、1,2,4−トリアジン環等を示し、Rは水酸
基、低級アルコキシ基を示し、R1、R2は同一または相
異なり、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基を示し、Wは酸素原子、硫黄原子を示し、Zは窒素
またはメチン基を示す]にて表されるピリミジンまたは
トリアジン誘導体及びそれらの塩。 【効果】この化合物は、水田及び畑等に発生する雑草を
防除及び抑制することができる。
ジン環、1,2,4−トリアジン環等を示し、Rは水酸
基、低級アルコキシ基を示し、R1、R2は同一または相
異なり、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基を示し、Wは酸素原子、硫黄原子を示し、Zは窒素
またはメチン基を示す]にて表されるピリミジンまたは
トリアジン誘導体及びそれらの塩。 【効果】この化合物は、水田及び畑等に発生する雑草を
防除及び抑制することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は新規なピリミジンまたは
トリアジン誘導体及びその塩を有効成分として含有する
水田、畑地及び非農耕地等に適用できる除草剤に関する
ものである。
トリアジン誘導体及びその塩を有効成分として含有する
水田、畑地及び非農耕地等に適用できる除草剤に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】すでに、特開平2−121973号明細
書には次の化合物が除草作用を有することが記載されて
いる。
書には次の化合物が除草作用を有することが記載されて
いる。
【0003】
【化3】
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の特許明細書に記載された化合物の除草効果は必ずしも
十分なものとはいえない。本発明者らはピリミジンまた
はトリアジン系化合物について、さらに改良された化合
物を開発することを目的に鋭意研究した結果、ヘテロ環
を導入した本発明のピリミジンまたはトリアジン誘導体
が一年生雑草はもとより多年生雑草に対しても優れた除
草効果を示すとともに、作物に対する安全性が高いこと
を見い出し本発明を完成した。
の特許明細書に記載された化合物の除草効果は必ずしも
十分なものとはいえない。本発明者らはピリミジンまた
はトリアジン系化合物について、さらに改良された化合
物を開発することを目的に鋭意研究した結果、ヘテロ環
を導入した本発明のピリミジンまたはトリアジン誘導体
が一年生雑草はもとより多年生雑草に対しても優れた除
草効果を示すとともに、作物に対する安全性が高いこと
を見い出し本発明を完成した。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明化合物は一般式
〔I〕
〔I〕
【0006】
【化4】
【0007】〔式中、Aは式
【0008】
【化2】
【0009】で表される複素環を示し、Rは水素原子、
水酸基、イミダゾリル基、C1〜6アルコキシ基、C3〜6
アルケニルオキシ基、C3〜6アルキニルオキシ基、C1
〜6アルキルチオ基、C3〜7シクロアルコキシ基、ベン
ジルオキシ基、置換ベンジルオキシ基、ベンジルチオ
基、置換ベンジルチオ基、C3〜6シクロアルキルチオ
基、C1〜4アルコキシC1〜4アルコキシ基、フリルオキ
シ基、テトラヒドロフリルオキシ基、フェノキシ基、置
換フェノキシ基、C2〜4アラルキルオキシ基、C1〜4ア
ルキルチオC1〜4アルコキシ基、シアノC1〜4アルコキ
シ基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜4アルコキシ
基、N,N−ジC1〜3アルキルアミノC1〜3アルコキシ
基、N,N−ジC1〜3アルキルアミノC1〜3アルキルチ
オ基、C3〜9の直鎖または環状のアルキリデンアミノキ
シ基、C1〜4アルキルスルホニルアミノ基、フェニルス
ルホニルアミノ基、置換フェニルスルホニルアミノ基、
トリメチルシリルエトキシ基、式−NR4R5(式中、R
4及びR5は同一または相異なり、水素原子、水酸基、C
1〜6アルキル基、C1〜6アルコキシ基、C3〜6アルケニ
ル基、フェニル基、置換フェニル基、C3〜6シクロアル
キル基、C1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、C1〜3ア
シル基、C3〜6アルキニル基、C3〜5アルケニルオキシ
基、C3〜5アルキニルオキシ基、ベンジルオキシ基、置
換ベンジルオキシ基、C1〜4アルコキシカルボニルC1
〜3アルキル基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜3ア
ルコシキ基、アミノ基、ジメチルアミノ基、シアノ基、
C1〜4アルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、
置換フェニルスルホニル基、アセチルアミノ基、アニリ
ノ基を示す。また、R4及びR5は一緒にヘテロ原子を含
んでもよい環を形成することもできる。)で表される基
を示し、R1及びR2は同一または相異なり、水素原子
(但し、R1及びR2は同一の場合を除く)、ハロゲン原
子、C1〜6アルキル基、C1〜6ハロアルキル基、C1〜6
アルコキシ基、C1〜6ハロアルコキシ基、C1〜6アルキ
ルチオ基、フェノキシ基、置換フェノキシ基、C1〜3ア
ルコキシC1〜3アルキル基、C3〜6シクロアルキル基、
C2〜5アルケニル基、C3〜5アルケニルオキシ基、C2
〜4アルキニル基、C3〜5アルキニルオキシ基、C1〜3
アルキルチオC1〜36ルキル基、式−NR6R7(式中、
R6及びR7は同一または相異なり、水素原子、水酸基、
C1〜4アルキル基、C1〜4アルコキシ、C2〜4アルケニ
ル基、C2〜4アルキニル基、C3〜5アルケニルオキシ
基、C3〜5アルキニルオキシ基を示す。またR6及びR7
は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成することも
できる。)で表される基を示し、R3は水素原子、C1〜
6アルキル基、フェニル基、置換フェニル基、ベンジル
基、置換ベンジル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル
基、C1〜3アシル基、C1〜6アルキルスルホニル基、フ
ェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル基を示
し、Xは水素原子、C1〜6アルキル基、C1〜6ハロアル
キル基、C1〜6アルコキシ基、C1〜6ハロアルコキシ
基、C3〜6アルケニル基、フェニル基、置換フェニル
基、ベンジル基、置換ベンジル基、フェノキシ基、置換
フェノキシ基、ベンジルオキシ基、置換ベンジルオキシ
基、C1〜3アシル基、ナフチル基、ベンゾイル基、置換
ベンゾイル基、ハロゲン原子、ホルミル基、ニトロ基、
式−NR8R9(式中、R8及びR9は同一または異なり、
水素原子、C1〜12アルキル基、C3〜6アルケニル基、
C3〜6アルキニル基、フェニル基、置換フェニル基、ナ
フチル基、C1〜3アシル基、ベンゾイル基、置換ベンゾ
イル基を示す。また、R8及びR9は一緒にヘテロ原子を
含んでもよい環を形成することもできる。)で表される
基を示し、C1〜6アルキルチオ基、C1〜6アルキルチオ
C1〜3アルキル基、フェニルチオ基、置換フェニルチオ
基、C1〜6アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、
シアノ基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル
基、C1〜6アルキルスルホニル基、フェニルスルホニル
基、置換フェニルスルホニル基、C1〜6アルコキシC1
〜6アルキル基、C1〜6アルコキシC1〜6アルコキシ
基、C1〜6アルキルチオC1〜6アルキル基、C1〜6アル
コキシC1〜6アルキルチオ基、C1〜6アルキルチオC1
〜6アルコキシ基、アリルチオ基、C1〜6アルキルスル
フィニル基、フリル基、チェニル基、ピリジル基、置換
されていてもよいピリミジニルオキシ基、置換されてい
てもよいピリミジニルチオ基、置換トリアジニルオキシ
基、置換トリアジニルチオ基を示し、Wは酸素原子、硫
黄原子、基−NR10(式中、R10は水素原子、C1〜3ア
ルキル基、C2〜5アルケニル基、C2〜4アルキニル基、
ホルミル基、C1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、C1
〜3アルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、置
換フェニルスルホニル基、C1〜3アシル基、ベンゾイル
基、置換ベンゾイル基を示す。)を示し、Zは窒素原子
またはメチン基を示し、nは1〜5の整数を示す。〕で
表されるピリミジンまたはトリアジン誘導体及びその塩
並びにこれらを有効成分として含有する除草剤である。
次に、本発明化合物を表1〜表28に例示する。化合物
番号は以後の記載において参照される。
水酸基、イミダゾリル基、C1〜6アルコキシ基、C3〜6
アルケニルオキシ基、C3〜6アルキニルオキシ基、C1
〜6アルキルチオ基、C3〜7シクロアルコキシ基、ベン
ジルオキシ基、置換ベンジルオキシ基、ベンジルチオ
基、置換ベンジルチオ基、C3〜6シクロアルキルチオ
基、C1〜4アルコキシC1〜4アルコキシ基、フリルオキ
シ基、テトラヒドロフリルオキシ基、フェノキシ基、置
換フェノキシ基、C2〜4アラルキルオキシ基、C1〜4ア
ルキルチオC1〜4アルコキシ基、シアノC1〜4アルコキ
シ基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜4アルコキシ
基、N,N−ジC1〜3アルキルアミノC1〜3アルコキシ
基、N,N−ジC1〜3アルキルアミノC1〜3アルキルチ
オ基、C3〜9の直鎖または環状のアルキリデンアミノキ
シ基、C1〜4アルキルスルホニルアミノ基、フェニルス
ルホニルアミノ基、置換フェニルスルホニルアミノ基、
トリメチルシリルエトキシ基、式−NR4R5(式中、R
4及びR5は同一または相異なり、水素原子、水酸基、C
1〜6アルキル基、C1〜6アルコキシ基、C3〜6アルケニ
ル基、フェニル基、置換フェニル基、C3〜6シクロアル
キル基、C1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、C1〜3ア
シル基、C3〜6アルキニル基、C3〜5アルケニルオキシ
基、C3〜5アルキニルオキシ基、ベンジルオキシ基、置
換ベンジルオキシ基、C1〜4アルコキシカルボニルC1
〜3アルキル基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜3ア
ルコシキ基、アミノ基、ジメチルアミノ基、シアノ基、
C1〜4アルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、
置換フェニルスルホニル基、アセチルアミノ基、アニリ
ノ基を示す。また、R4及びR5は一緒にヘテロ原子を含
んでもよい環を形成することもできる。)で表される基
を示し、R1及びR2は同一または相異なり、水素原子
(但し、R1及びR2は同一の場合を除く)、ハロゲン原
子、C1〜6アルキル基、C1〜6ハロアルキル基、C1〜6
アルコキシ基、C1〜6ハロアルコキシ基、C1〜6アルキ
ルチオ基、フェノキシ基、置換フェノキシ基、C1〜3ア
ルコキシC1〜3アルキル基、C3〜6シクロアルキル基、
C2〜5アルケニル基、C3〜5アルケニルオキシ基、C2
〜4アルキニル基、C3〜5アルキニルオキシ基、C1〜3
アルキルチオC1〜36ルキル基、式−NR6R7(式中、
R6及びR7は同一または相異なり、水素原子、水酸基、
C1〜4アルキル基、C1〜4アルコキシ、C2〜4アルケニ
ル基、C2〜4アルキニル基、C3〜5アルケニルオキシ
基、C3〜5アルキニルオキシ基を示す。またR6及びR7
は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成することも
できる。)で表される基を示し、R3は水素原子、C1〜
6アルキル基、フェニル基、置換フェニル基、ベンジル
基、置換ベンジル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル
基、C1〜3アシル基、C1〜6アルキルスルホニル基、フ
ェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル基を示
し、Xは水素原子、C1〜6アルキル基、C1〜6ハロアル
キル基、C1〜6アルコキシ基、C1〜6ハロアルコキシ
基、C3〜6アルケニル基、フェニル基、置換フェニル
基、ベンジル基、置換ベンジル基、フェノキシ基、置換
フェノキシ基、ベンジルオキシ基、置換ベンジルオキシ
基、C1〜3アシル基、ナフチル基、ベンゾイル基、置換
ベンゾイル基、ハロゲン原子、ホルミル基、ニトロ基、
式−NR8R9(式中、R8及びR9は同一または異なり、
水素原子、C1〜12アルキル基、C3〜6アルケニル基、
C3〜6アルキニル基、フェニル基、置換フェニル基、ナ
フチル基、C1〜3アシル基、ベンゾイル基、置換ベンゾ
イル基を示す。また、R8及びR9は一緒にヘテロ原子を
含んでもよい環を形成することもできる。)で表される
基を示し、C1〜6アルキルチオ基、C1〜6アルキルチオ
C1〜3アルキル基、フェニルチオ基、置換フェニルチオ
基、C1〜6アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、
シアノ基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル
基、C1〜6アルキルスルホニル基、フェニルスルホニル
基、置換フェニルスルホニル基、C1〜6アルコキシC1
〜6アルキル基、C1〜6アルコキシC1〜6アルコキシ
基、C1〜6アルキルチオC1〜6アルキル基、C1〜6アル
コキシC1〜6アルキルチオ基、C1〜6アルキルチオC1
〜6アルコキシ基、アリルチオ基、C1〜6アルキルスル
フィニル基、フリル基、チェニル基、ピリジル基、置換
されていてもよいピリミジニルオキシ基、置換されてい
てもよいピリミジニルチオ基、置換トリアジニルオキシ
基、置換トリアジニルチオ基を示し、Wは酸素原子、硫
黄原子、基−NR10(式中、R10は水素原子、C1〜3ア
ルキル基、C2〜5アルケニル基、C2〜4アルキニル基、
ホルミル基、C1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、C1
〜3アルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、置
換フェニルスルホニル基、C1〜3アシル基、ベンゾイル
基、置換ベンゾイル基を示す。)を示し、Zは窒素原子
またはメチン基を示し、nは1〜5の整数を示す。〕で
表されるピリミジンまたはトリアジン誘導体及びその塩
並びにこれらを有効成分として含有する除草剤である。
次に、本発明化合物を表1〜表28に例示する。化合物
番号は以後の記載において参照される。
【0010】
【表1】
【0011】
【表2】
【0012】
【表3A】
【0013】
【表3B】
【0014】
【表3C】
【0015】
【表3D】
【0016】
【表3E】
【0017】
【表3F】
【0018】
【表3G】
【0019】
【表4】
【0020】
【表5A】
【0021】
【表5B】
【0022】
【表5C】
【0023】
【表5D】
【0024】
【表5E】
【0025】
【表5F】
【0026】
【表5G】
【0027】
【表5H】
【0028】
【表5I】
【0029】
【表5J】
【0030】
【表5K】
【0031】
【表5L】
【0032】
【表5M】
【0033】
【表5N】
【0034】
【表5O】
【0035】
【表5P】
【0036】
【表5Q】
【0037】
【表5R】
【0038】
【表5S】
【0039】
【表5T】
【0040】
【表5U】
【0041】
【表5V】
【0042】
【表6】
【0043】
【表7】
【0044】
【表8】
【0045】
【表9】
【0046】
【表10A】
【0047】
【表10B】
【0048】
【表11】
【0049】
【表12】
【0050】
【表13】
【0051】
【表14】
【0052】
【表15】
【0053】
【表16】
【0054】
【表17A】
【0055】
【表17B】
【0056】
【表17C】
【0057】
【表17D】
【0058】
【表18】
【0059】
【表19】
【0060】
【表20】
【0061】
【表21】
【0062】
【表22A】
【0063】
【表22B】
【0064】
【表23A】
【0065】
【表23B】
【0066】
【表24】
【0067】
【表25】
【0068】
【表26】
【0069】
【表27】
【0070】
【表28】
【0071】本発明化合物は、例えば次に示すA〜Hの
方法により製造することができる。 製造法<A>
方法により製造することができる。 製造法<A>
【0072】
【反応式1】
【0073】(式中、A1は式
【0074】
【化5】
【0075】で表される複素環を示し、Lはハロゲン原
子、アルキルスルホニル基、ベンジルスルホニル基、置
換ベンジルスルホニル基、アルキルスルホナート基また
はハロアルキルスルホナート基を示し、R11は水素原
子、水酸基、アルコキシ基、ベンジルオキシ基、置換ベ
ンジルオキシ基またはアルキリデンアミノオキシ基を示
し、R3、X、W、Z、n、R1及びR2は前記と同じ意
味を示す。)
子、アルキルスルホニル基、ベンジルスルホニル基、置
換ベンジルスルホニル基、アルキルスルホナート基また
はハロアルキルスルホナート基を示し、R11は水素原
子、水酸基、アルコキシ基、ベンジルオキシ基、置換ベ
ンジルオキシ基またはアルキリデンアミノオキシ基を示
し、R3、X、W、Z、n、R1及びR2は前記と同じ意
味を示す。)
【0076】一般式〔IV〕で示される化合物は、一般式
〔II〕で示される化合物と一般式〔III〕で示される化
合物とを当量以上の塩基の存在下、適当な溶媒中で室温
から溶媒の沸点の範囲で0.5〜24時間反応させるこ
とにより製造することができる。塩基としては金属リチ
ウム、金属ナトリウム、金属カリウム等のアルカリ金属
類、n−ブチルリチウム及びリチウムジイソプロピルア
ミン等の有機リチウム試薬、水素化ナトリウム、水素化
カリウム、水素化カルシウム等の水素化アルカリ金属及
び水素化アルカリ土類金属類、カリウム t−ブトキシ
ド等のアルカリ金属アルコキシド類、炭酸ナトリウム、
炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩類、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属類が使用
できる。また、溶媒としてはヘキサン、ベンゼン、トル
エン、キシレン等の炭化水素系溶媒、ジクロロメタン、
クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、ジエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン等
のエーテル系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステ
ル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系
溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチル
アセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性
極性溶媒、その他アセトニトリル等が使用できる。 製造法<B>
〔II〕で示される化合物と一般式〔III〕で示される化
合物とを当量以上の塩基の存在下、適当な溶媒中で室温
から溶媒の沸点の範囲で0.5〜24時間反応させるこ
とにより製造することができる。塩基としては金属リチ
ウム、金属ナトリウム、金属カリウム等のアルカリ金属
類、n−ブチルリチウム及びリチウムジイソプロピルア
ミン等の有機リチウム試薬、水素化ナトリウム、水素化
カリウム、水素化カルシウム等の水素化アルカリ金属及
び水素化アルカリ土類金属類、カリウム t−ブトキシ
ド等のアルカリ金属アルコキシド類、炭酸ナトリウム、
炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩類、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属類が使用
できる。また、溶媒としてはヘキサン、ベンゼン、トル
エン、キシレン等の炭化水素系溶媒、ジクロロメタン、
クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、ジエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン等
のエーテル系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステ
ル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系
溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチル
アセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性
極性溶媒、その他アセトニトリル等が使用できる。 製造法<B>
【0077】
【反応式2】
【0078】(式中、A2は式
【0079】
【化6】
【0080】で表される複素環を示し、L、R3、
R11、X、W、Z、n、R1及びR2は前記と同じ意味を
示す。)
R11、X、W、Z、n、R1及びR2は前記と同じ意味を
示す。)
【0081】一般式〔VII〕で示される化合物は、一般
式〔V〕で示される化合物と一般式〔VI〕で示される化
合物とを当量以上の塩基の存在下、適当な溶媒中で室温
から溶媒の沸点の範囲で0.5〜24時間反応させるこ
とにより製造することができる。使用する塩基及び溶媒
については、製造法<A>で記載したものと同じものを
使用することができる。 製造法<C>
式〔V〕で示される化合物と一般式〔VI〕で示される化
合物とを当量以上の塩基の存在下、適当な溶媒中で室温
から溶媒の沸点の範囲で0.5〜24時間反応させるこ
とにより製造することができる。使用する塩基及び溶媒
については、製造法<A>で記載したものと同じものを
使用することができる。 製造法<C>
【0082】
【反応式3】
【0083】(式中、Yはハロゲン原子を示し、R12は
アルキル基、ベンジル基及び置換ベンジル基を示し、
A、L、R1、R2、W及びZは前記と同じ意味を示
す。)
アルキル基、ベンジル基及び置換ベンジル基を示し、
A、L、R1、R2、W及びZは前記と同じ意味を示
す。)
【0084】一般式〔X〕にて表される化合物は、一般
式〔VIII〕にて表される化合物と一般式〔IX〕にて表さ
れる化合物とを塩基の存在下、溶媒中、反応温度−10
〜200℃で0.1〜30時間反応させることにより製
造することができる。ここで、塩基としては炭酸カリウ
ム、炭酸水素ナトリウム、水素化ナトリウム、トリエチ
ルアミン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジン等の
有機または無機の塩基が使用できる。また、溶媒として
はアセトン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、
N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロメ
タン、クロロホルム等が使用できる。 製造法<D>
式〔VIII〕にて表される化合物と一般式〔IX〕にて表さ
れる化合物とを塩基の存在下、溶媒中、反応温度−10
〜200℃で0.1〜30時間反応させることにより製
造することができる。ここで、塩基としては炭酸カリウ
ム、炭酸水素ナトリウム、水素化ナトリウム、トリエチ
ルアミン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジン等の
有機または無機の塩基が使用できる。また、溶媒として
はアセトン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、
N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロメ
タン、クロロホルム等が使用できる。 製造法<D>
【0085】
【反応式4】
【0086】(式中、R13及びR14は同一または相異な
るC1〜4アルキル基を示し、またはヘテロ原子を含んで
もよい環を形成することもできる。A、W、Z、R1及
びR2は前記と同じ意味を示す。)
るC1〜4アルキル基を示し、またはヘテロ原子を含んで
もよい環を形成することもできる。A、W、Z、R1及
びR2は前記と同じ意味を示す。)
【0087】一般式〔XII〕にて表される化合物は、一
般式〔VIII〕にて表される化合物と一般式〔XI〕にて表
される化合物とを塩基及びジメチルアミドホスホリルジ
クロライドまたはフェニルホスホロジクロライド等のリ
ン酸ジクロライドの存在下、溶媒中において反応温度−
10〜100℃で1〜10時間反応させることにより製
造することができる。ここで、塩基としてはピリジン、
トリエチルアミン等の有機3級アミン等が使用できる。
また、溶媒としてはN,N−ジメチルホルムアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等が
使用できる。 製造法<E>
般式〔VIII〕にて表される化合物と一般式〔XI〕にて表
される化合物とを塩基及びジメチルアミドホスホリルジ
クロライドまたはフェニルホスホロジクロライド等のリ
ン酸ジクロライドの存在下、溶媒中において反応温度−
10〜100℃で1〜10時間反応させることにより製
造することができる。ここで、塩基としてはピリジン、
トリエチルアミン等の有機3級アミン等が使用できる。
また、溶媒としてはN,N−ジメチルホルムアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等が
使用できる。 製造法<E>
【0088】
【反応式5】
【0089】(式中R12及びA、R1、R2、Z、Wは前
記と同じ意味を示し、Mは1価のカチオンを示す。)
記と同じ意味を示し、Mは1価のカチオンを示す。)
【0090】一般式〔X〕にて表される化合物を塩基の
存在下、水及び溶媒の混合系で反応温度0〜120℃で
1〜24時間反応させ、一般式〔XIII〕にて表される化
合物を製造することができる。次に、一般式〔XIII〕を
常法により、例えば塩酸でpH3〜4にすることにより一
般式〔VIII〕を得ることができる。ここで、塩基として
は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム等の無機塩基が使用できる。また、溶
媒としてはアセトン、アセトニトリル、メタノール、エ
タノール、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメトキ
シエタン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメ
チルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等が使用でき
る。尚、一般式〔X〕においてR12がベンジル基、置換
ベンジル基を示すときには、例えばパラジウム−炭素等
を触媒とする常圧の加水素化反応により、一般式〔VII
I〕の化合物を得ることができる。 製造法<F>
存在下、水及び溶媒の混合系で反応温度0〜120℃で
1〜24時間反応させ、一般式〔XIII〕にて表される化
合物を製造することができる。次に、一般式〔XIII〕を
常法により、例えば塩酸でpH3〜4にすることにより一
般式〔VIII〕を得ることができる。ここで、塩基として
は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム等の無機塩基が使用できる。また、溶
媒としてはアセトン、アセトニトリル、メタノール、エ
タノール、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメトキ
シエタン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメ
チルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等が使用でき
る。尚、一般式〔X〕においてR12がベンジル基、置換
ベンジル基を示すときには、例えばパラジウム−炭素等
を触媒とする常圧の加水素化反応により、一般式〔VII
I〕の化合物を得ることができる。 製造法<F>
【0091】一般式〔VIII〕にて表される化合物と塩基
とを、水、アルコール、アセトニトリル、アセトン、エ
ーテル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホキシド等の溶媒中、反応温度0〜100℃で0.2〜
10時間反応させることにより、一般式〔VIII〕にて表
される化合物の有機または無機塩を製造することができ
る。ここで、塩基としては水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、水酸化カルシウム等のアルカリ金属またはアル
カリ土類金属の水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム、炭酸カルシウム等の炭酸塩類、アンモニア、エチル
アミン、ジメチルアミン、イソプロピルアミン、ジイソ
プロピルアミン、ジエタノールアミン、トリエチルアミ
ン等の1級、2級及び3級アミン類が使用できる。 製造法<G>
とを、水、アルコール、アセトニトリル、アセトン、エ
ーテル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホキシド等の溶媒中、反応温度0〜100℃で0.2〜
10時間反応させることにより、一般式〔VIII〕にて表
される化合物の有機または無機塩を製造することができ
る。ここで、塩基としては水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、水酸化カルシウム等のアルカリ金属またはアル
カリ土類金属の水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム、炭酸カルシウム等の炭酸塩類、アンモニア、エチル
アミン、ジメチルアミン、イソプロピルアミン、ジイソ
プロピルアミン、ジエタノールアミン、トリエチルアミ
ン等の1級、2級及び3級アミン類が使用できる。 製造法<G>
【0092】一般式〔VIII〕にて表される化合物と等モ
ルの水酸化ナトリウム水溶液を室温で反応させた後、塩
化マグネシウム、塩化第二銅、塩化カルシウム、塩化
鉄、塩化亜鉛、塩化マンガン等の金属ハロゲン化物、硫
酸マグネシウム、硫酸銅、硫酸カルシウム、硫酸鉄、硫
酸亜鉛、硫酸マンガン等の硫酸塩を加えて、水、アルコ
ール等の溶媒中で、−10℃〜200℃の温度で1分〜
20時間反応させることにより一般式〔VIII〕にて表さ
れる化合物の無機塩を製造することができる。 製造法<H>
ルの水酸化ナトリウム水溶液を室温で反応させた後、塩
化マグネシウム、塩化第二銅、塩化カルシウム、塩化
鉄、塩化亜鉛、塩化マンガン等の金属ハロゲン化物、硫
酸マグネシウム、硫酸銅、硫酸カルシウム、硫酸鉄、硫
酸亜鉛、硫酸マンガン等の硫酸塩を加えて、水、アルコ
ール等の溶媒中で、−10℃〜200℃の温度で1分〜
20時間反応させることにより一般式〔VIII〕にて表さ
れる化合物の無機塩を製造することができる。 製造法<H>
【0093】
【反応式6】
【0094】(式中、R15はC1〜4アルキル基、フェニ
ル基、置換フェニル基を示し、R1、R2、W、Z及びA
は前記と同じ意味を示す。)
ル基、置換フェニル基を示し、R1、R2、W、Z及びA
は前記と同じ意味を示す。)
【0095】一般式〔VIII〕にて表される化合物と化合
物〔XIV〕とを溶媒中において反応温度−10〜100
℃で1〜10時間反応させて、一般式〔XV〕にて表され
る化合物を製造することができる。溶媒としてはエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ベンゼ
ン、トルエン等が使用できる。続いて、一般式〔XV〕に
て表される化合物と化合物〔XVI〕とを塩基の存在下、
溶媒中において反応温度−20〜150℃で0.5〜2
0時間反応させ、一般式〔XVII〕にて表される化合物を
製造することができる。ここで、塩基としては水素化ナ
トリウム、金属ナトリウム、t−ブトキシカリウム、ブ
チルリチウム等が使用できる。また、溶媒としてはアセ
トン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ベンゼン、トルエン等が使
用できる。
物〔XIV〕とを溶媒中において反応温度−10〜100
℃で1〜10時間反応させて、一般式〔XV〕にて表され
る化合物を製造することができる。溶媒としてはエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ベンゼ
ン、トルエン等が使用できる。続いて、一般式〔XV〕に
て表される化合物と化合物〔XVI〕とを塩基の存在下、
溶媒中において反応温度−20〜150℃で0.5〜2
0時間反応させ、一般式〔XVII〕にて表される化合物を
製造することができる。ここで、塩基としては水素化ナ
トリウム、金属ナトリウム、t−ブトキシカリウム、ブ
チルリチウム等が使用できる。また、溶媒としてはアセ
トン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ベンゼン、トルエン等が使
用できる。
【0096】
【発明の効果】一般式〔I〕で表される本発明の化合物
及びその塩は、畑地において問題となる種々の雑草、例
えばオオイヌタデ、アオビユ、シロザ、ハコベ、イチ
ビ、アメリカキンゴジカ、アメリカツノクサネム、アサ
ガオ、オナモミ等の広葉雑草をはじめ、ハマスゲ、キハ
マスゲ、ヒメクグ、カヤツリグサ、コゴメガヤツリ等の
多年生および1年生カヤツリグサ科雑草、ヒエ、メヒシ
バ、エノコログサ、スズメノカタビラ、ジョンソングラ
ス、ノスズメノテッポウ、野生エンバク等のイネ科雑草
の発芽前から生育期の広い範囲にわたって優れた除草効
果を発揮する。また、水田に発生するタイヌビエ、コナ
ギ、タマガヤツリ等の一年生雑草及びホタルイ、ウリカ
ワ、オモダカ、ミズガヤツリ、クログワイ、ヘラオモダ
カ等の多年生雑草を防除することもできる。
及びその塩は、畑地において問題となる種々の雑草、例
えばオオイヌタデ、アオビユ、シロザ、ハコベ、イチ
ビ、アメリカキンゴジカ、アメリカツノクサネム、アサ
ガオ、オナモミ等の広葉雑草をはじめ、ハマスゲ、キハ
マスゲ、ヒメクグ、カヤツリグサ、コゴメガヤツリ等の
多年生および1年生カヤツリグサ科雑草、ヒエ、メヒシ
バ、エノコログサ、スズメノカタビラ、ジョンソングラ
ス、ノスズメノテッポウ、野生エンバク等のイネ科雑草
の発芽前から生育期の広い範囲にわたって優れた除草効
果を発揮する。また、水田に発生するタイヌビエ、コナ
ギ、タマガヤツリ等の一年生雑草及びホタルイ、ウリカ
ワ、オモダカ、ミズガヤツリ、クログワイ、ヘラオモダ
カ等の多年生雑草を防除することもできる。
【0097】
【実施例】次に実施例をあげて具体的に本発明化合物の
製造法、製剤法及び用途を説明する。 実施例1 <A法> 3−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)キノリン−4−カルボン酸(化合物番号755)の
合成 3−ヒドロキシキノリン−4−カルボン酸8.0g(4
2.3ミリモル)、4,6−ジメトキシ−2−メチルス
ルホニルピリミジン10.2g(46.6ミリモル)及び
炭酸カリウム14.0g(101ミリモル)にN,N−ジ
メチルホルムアミド100mlを加え、80〜100℃で
3時間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中に注ぎ、酢
酸エチルで洗浄した。水層を10%HCl溶液でpH3〜4
に調整し、酢酸エチルで抽出した。有機層を、水及び飽
和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次
に減圧下で溶媒を留去し、得られた結晶をジイソプロピ
ルエーテルにて洗浄し、3.8g(収率27.5%)の目
的物を得た。融点179〜184℃。
製造法、製剤法及び用途を説明する。 実施例1 <A法> 3−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)キノリン−4−カルボン酸(化合物番号755)の
合成 3−ヒドロキシキノリン−4−カルボン酸8.0g(4
2.3ミリモル)、4,6−ジメトキシ−2−メチルス
ルホニルピリミジン10.2g(46.6ミリモル)及び
炭酸カリウム14.0g(101ミリモル)にN,N−ジ
メチルホルムアミド100mlを加え、80〜100℃で
3時間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中に注ぎ、酢
酸エチルで洗浄した。水層を10%HCl溶液でpH3〜4
に調整し、酢酸エチルで抽出した。有機層を、水及び飽
和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次
に減圧下で溶媒を留去し、得られた結晶をジイソプロピ
ルエーテルにて洗浄し、3.8g(収率27.5%)の目
的物を得た。融点179〜184℃。
【0098】実施例2 <A法> 3−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)ベンゾフラン−2−カルボン酸メチルエステル(化
合物番号674)の合成 3−ヒドロキシベンゾフラン−2−カルボン酸メチルエ
ステル5.0g(26.0ミリモル)、4,6−ジメトキ
シ−2−フルオロピリミジン4.6g(28.9ミリモ
ル)及び炭酸カリウム(43.4ミリモル)にN,N−
ジメチルスルホキシド100mlを加え、80〜100℃
で30分間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中に注
ぎ、酢酸エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄後、
無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次に減圧下で溶媒を留
去し、残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し、
3.6g(収率41.9%)の目的物を得た。融点135
〜138℃。
シ)ベンゾフラン−2−カルボン酸メチルエステル(化
合物番号674)の合成 3−ヒドロキシベンゾフラン−2−カルボン酸メチルエ
ステル5.0g(26.0ミリモル)、4,6−ジメトキ
シ−2−フルオロピリミジン4.6g(28.9ミリモ
ル)及び炭酸カリウム(43.4ミリモル)にN,N−
ジメチルスルホキシド100mlを加え、80〜100℃
で30分間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中に注
ぎ、酢酸エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄後、
無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次に減圧下で溶媒を留
去し、残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し、
3.6g(収率41.9%)の目的物を得た。融点135
〜138℃。
【0099】実施例3 <A法> 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−2−メチルチオメチルチオフェン−3−カルボン
酸エチルエステル(化合物番号169)の合成 4−ヒドロキシ−2−メチルチオメチルチオフェン−3
−カルボン酸エチルエステル3.5g(15.1ミリモ
ル)、4,6−ジメトキシ−2−メチルスルホニルピリ
ミジン3.3g(15.1ミリモル)及び炭酸カリウム
2.1g(15.2ミリモル)にN,N−ジメチルホルム
アミド50mlを加え、90〜100℃で2時間加熱攪拌
した。冷却後、反応液を水中に注ぎ、酢酸エチルで抽出
し、水及び飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムに
て乾燥した。次に減圧下で溶媒を留去し、残渣をカラム
クロマトグラフィーにて精製し、2.8g(収率50.0
%)の目的物を得た。
シ)−2−メチルチオメチルチオフェン−3−カルボン
酸エチルエステル(化合物番号169)の合成 4−ヒドロキシ−2−メチルチオメチルチオフェン−3
−カルボン酸エチルエステル3.5g(15.1ミリモ
ル)、4,6−ジメトキシ−2−メチルスルホニルピリ
ミジン3.3g(15.1ミリモル)及び炭酸カリウム
2.1g(15.2ミリモル)にN,N−ジメチルホルム
アミド50mlを加え、90〜100℃で2時間加熱攪拌
した。冷却後、反応液を水中に注ぎ、酢酸エチルで抽出
し、水及び飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムに
て乾燥した。次に減圧下で溶媒を留去し、残渣をカラム
クロマトグラフィーにて精製し、2.8g(収率50.0
%)の目的物を得た。
【0100】実施例4 <B法> 3−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)ピラジン−2−カルボン酸メチルエステル(化合物
番号622)の合成 3−クロルピラジン−2−カルボン酸メチルエステル
3.5g(2.03ミリモル)、4,6−ジメトキシ−2
−ヒドロキシピリミジン3.6g(2.31ミリモル)及
び炭酸カリウム4.2g(3.04ミリモル)にN,N−
ジメチルホルムアミド150mlを加え、100℃で25
時間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中に注ぎ、酢酸
エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸
ナトリウムで乾燥した。次に減圧下で溶媒を留去し、残
渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し、0.5g(収
率7.0%)の目的物を得た。融点88〜93℃。
シ)ピラジン−2−カルボン酸メチルエステル(化合物
番号622)の合成 3−クロルピラジン−2−カルボン酸メチルエステル
3.5g(2.03ミリモル)、4,6−ジメトキシ−2
−ヒドロキシピリミジン3.6g(2.31ミリモル)及
び炭酸カリウム4.2g(3.04ミリモル)にN,N−
ジメチルホルムアミド150mlを加え、100℃で25
時間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中に注ぎ、酢酸
エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸
ナトリウムで乾燥した。次に減圧下で溶媒を留去し、残
渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し、0.5g(収
率7.0%)の目的物を得た。融点88〜93℃。
【0101】実施例5 <B法> 3−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)キノキサリン−2−カルボン酸エチルエステル(化
合物番号777)の合成 3−クロルキノキサリン−2−カルボン酸エチルエステ
ル2.3g(9.72ミリモル)、4,6−ジメトキシ−
2−ヒドロキシピリミジン2.0g(12.8ミリモル)
及び炭酸カリウム1.8g(13.0ミリモル)にN,N
−ジメチルホルムアミド100mlを加え、100℃で2
3時間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中に注ぎ、酢
酸エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄後、無水硫
酸ナトリウムで乾燥した。次に減圧下で、溶媒を留去
し、残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し、2.
2g(収率64.7%)の目的物を得た。屈折率1.59
33。
シ)キノキサリン−2−カルボン酸エチルエステル(化
合物番号777)の合成 3−クロルキノキサリン−2−カルボン酸エチルエステ
ル2.3g(9.72ミリモル)、4,6−ジメトキシ−
2−ヒドロキシピリミジン2.0g(12.8ミリモル)
及び炭酸カリウム1.8g(13.0ミリモル)にN,N
−ジメチルホルムアミド100mlを加え、100℃で2
3時間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中に注ぎ、酢
酸エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄後、無水硫
酸ナトリウムで乾燥した。次に減圧下で、溶媒を留去
し、残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し、2.
2g(収率64.7%)の目的物を得た。屈折率1.59
33。
【0102】実施例6 <C法> 5−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−3(4−メチルフェニル)−2−メチルチオイミ
ダゾール−4−カルボン酸エチルエステル(化合物番号
537)の合成 5(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキシ)
−3(4−メチルフェニル)−2−メチルチオイミダゾ
ール−4−カルボン酸2.0g(49.7ミリモル)及び
炭酸カリウム0.8g(5.79ミリモル)に、N,N−
ジメチルホルムアミド30mlを加え、室温で30分間攪
拌した。ヨウ化エチル0.9g(5.77ミリモル)を室
温下で加え、さらに3時間室温で攪拌後、水に注いだ。
酢酸エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄後、無水
硫酸ナトリウムにて乾燥した。次に、減圧下で溶媒を留
去し、残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し、
1.86g(収率86.9%)の目的物を得た。融点14
7〜148℃。
シ)−3(4−メチルフェニル)−2−メチルチオイミ
ダゾール−4−カルボン酸エチルエステル(化合物番号
537)の合成 5(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキシ)
−3(4−メチルフェニル)−2−メチルチオイミダゾ
ール−4−カルボン酸2.0g(49.7ミリモル)及び
炭酸カリウム0.8g(5.79ミリモル)に、N,N−
ジメチルホルムアミド30mlを加え、室温で30分間攪
拌した。ヨウ化エチル0.9g(5.77ミリモル)を室
温下で加え、さらに3時間室温で攪拌後、水に注いだ。
酢酸エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄後、無水
硫酸ナトリウムにて乾燥した。次に、減圧下で溶媒を留
去し、残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し、
1.86g(収率86.9%)の目的物を得た。融点14
7〜148℃。
【0103】実施例7 <D法> 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−2−フェニルフラン−3−カルボン酸4−ヘプチ
リデンアミノエステル(化合物番号15)の合成 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−2−フェニルフラン−3−カルボン酸1.7g
(5.0ミリモル)をN,N−ジメチルホルムアミド2
0mlに溶かし、4−ヘプタンオキシム0.6g(5.0ミ
リモル)及びピリジン0.8g(10.0ミリモル)を加
えて0℃に冷却し、攪拌しながらジメチルアミドホスホ
リルジクロライド1.0g(6.0ミリモル)を徐々に滴
下した。滴下後、室温にて3時間攪拌した。反応液を水
中に注ぎ、酢酸エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗
浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次に減圧下、溶
媒を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製
し、0.7g(収率31.1%)の目的物を得た。
シ)−2−フェニルフラン−3−カルボン酸4−ヘプチ
リデンアミノエステル(化合物番号15)の合成 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−2−フェニルフラン−3−カルボン酸1.7g
(5.0ミリモル)をN,N−ジメチルホルムアミド2
0mlに溶かし、4−ヘプタンオキシム0.6g(5.0ミ
リモル)及びピリジン0.8g(10.0ミリモル)を加
えて0℃に冷却し、攪拌しながらジメチルアミドホスホ
リルジクロライド1.0g(6.0ミリモル)を徐々に滴
下した。滴下後、室温にて3時間攪拌した。反応液を水
中に注ぎ、酢酸エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗
浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次に減圧下、溶
媒を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製
し、0.7g(収率31.1%)の目的物を得た。
【0104】実施例8 <E法> 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−3−メチルイソチアゾール−5−カルボン酸(化
合物番号480)の合成 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−3−メチルイソチアゾール−5−カルボン酸エチ
ルエステル2.0g(6.15ミリモル)をN,N−ジメ
チルスルホキシド20mlに溶かし、2N水酸化ナトリウ
ム水溶液3.1ml(6.20ミリモル)を加え、室温下
で2時間攪拌した。反応液を水中に注ぎ、希塩酸にてpH
3〜4に調整し生じた沈澱を濾別し、水洗後、乾燥し
た。粗結晶はヘキサンにて洗浄し、1.7g(収率94.
4%)の目的物を得た。融点139〜141℃。
シ)−3−メチルイソチアゾール−5−カルボン酸(化
合物番号480)の合成 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−3−メチルイソチアゾール−5−カルボン酸エチ
ルエステル2.0g(6.15ミリモル)をN,N−ジメ
チルスルホキシド20mlに溶かし、2N水酸化ナトリウ
ム水溶液3.1ml(6.20ミリモル)を加え、室温下
で2時間攪拌した。反応液を水中に注ぎ、希塩酸にてpH
3〜4に調整し生じた沈澱を濾別し、水洗後、乾燥し
た。粗結晶はヘキサンにて洗浄し、1.7g(収率94.
4%)の目的物を得た。融点139〜141℃。
【0105】実施例9 <F法> 3−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−5−メチルフラン−2−カルボン酸ナトリウム塩
(化合物番号12)の合成 2N水酸化ナトリウム水2.07ml(4.14ミリモル)
に水30mlを入れ、室温下3−(4,6ジメトキシピリ
ミジン−2−イルオキシ)−5−メチルフラン−2−カ
ルボン酸1.16g(4.14ミリモル)を加え、1時間
攪拌した。次に反応液を減圧下濃縮し、1.21g(収率
96.8%)の目的物を得た。融点225〜229.5
℃。
シ)−5−メチルフラン−2−カルボン酸ナトリウム塩
(化合物番号12)の合成 2N水酸化ナトリウム水2.07ml(4.14ミリモル)
に水30mlを入れ、室温下3−(4,6ジメトキシピリ
ミジン−2−イルオキシ)−5−メチルフラン−2−カ
ルボン酸1.16g(4.14ミリモル)を加え、1時間
攪拌した。次に反応液を減圧下濃縮し、1.21g(収率
96.8%)の目的物を得た。融点225〜229.5
℃。
【0106】実施例10 <G法> 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)イソオキサゾール−3−カルボン酸銅塩(化合物番
号479)の合成 2N水酸化ナトリウム水0.80ml(1.60ミリモル)
に水20mlを入れ、室温下、4(4,6−ジメトキシピ
リミジン−2−イルオキシ)イソオキサゾール−3−カ
ルボン酸0.40g(1.50ミリモル)を加え、30分
間攪拌した。次に硫酸銅0.30g(1.88ミリモル)
を水10mlに溶解して室温下で加え、5分間攪拌した。
析出した結晶を濾過し、0.40g(収率89.7%)の
目的物を得た。融点148〜152℃。
シ)イソオキサゾール−3−カルボン酸銅塩(化合物番
号479)の合成 2N水酸化ナトリウム水0.80ml(1.60ミリモル)
に水20mlを入れ、室温下、4(4,6−ジメトキシピ
リミジン−2−イルオキシ)イソオキサゾール−3−カ
ルボン酸0.40g(1.50ミリモル)を加え、30分
間攪拌した。次に硫酸銅0.30g(1.88ミリモル)
を水10mlに溶解して室温下で加え、5分間攪拌した。
析出した結晶を濾過し、0.40g(収率89.7%)の
目的物を得た。融点148〜152℃。
【0107】実施例11 <H法> N−メチルスルホニル 4−(4,6−ジメトキシピリミ
ジン−2−イルオキシ)−3−メチルイソチアゾール−
5−カルボンアミド(化合物番号488)の合成 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−3−メチルイソチアゾール−カルボン酸0.68g
(2.29ミリモル)及びカルボニルジイミダソール
0.41g(2.53ミリモル)にN,N−ジメチルホル
ムアミド10mlを加え、室温で3時間攪拌した。次にメ
タンスルホンアミド0.43g(4.52ミリモル)及び
60%水素化ナトリウム0.18g(4.50ミリモル)
にN,N−ジメチルホルムアミド10mlを加え、80〜
90℃で2時間加熱攪拌し、室温下、先に合成したカル
ボニルイミダゾールのジメチルホルムアミド溶液に加
え、さらに室温で3時間攪拌した。反応液を水に注ぎ、
酢酸エチルで洗浄後、水層を10%HCl溶液で酸性にし
た。析出した結晶を濾過し、イソプロピルエーテルで洗
浄し、0.61g(収率70.9%)の目的物を得た。融
点145〜148。
ジン−2−イルオキシ)−3−メチルイソチアゾール−
5−カルボンアミド(化合物番号488)の合成 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−3−メチルイソチアゾール−カルボン酸0.68g
(2.29ミリモル)及びカルボニルジイミダソール
0.41g(2.53ミリモル)にN,N−ジメチルホル
ムアミド10mlを加え、室温で3時間攪拌した。次にメ
タンスルホンアミド0.43g(4.52ミリモル)及び
60%水素化ナトリウム0.18g(4.50ミリモル)
にN,N−ジメチルホルムアミド10mlを加え、80〜
90℃で2時間加熱攪拌し、室温下、先に合成したカル
ボニルイミダゾールのジメチルホルムアミド溶液に加
え、さらに室温で3時間攪拌した。反応液を水に注ぎ、
酢酸エチルで洗浄後、水層を10%HCl溶液で酸性にし
た。析出した結晶を濾過し、イソプロピルエーテルで洗
浄し、0.61g(収率70.9%)の目的物を得た。融
点145〜148。
【0108】本発明の除草剤は、一般式〔I〕で示され
るピリミジンまたはトリアジン誘導体を有効成分として
なる。本発明化合物を除草剤として使用するには本発明
化合物それ自体で用いてもよいが、製剤化に一般的に用
いられる担体、界面活性剤、分散剤または補助剤等を配
合して、粉剤、水和剤、乳剤、微粒剤または粒剤等に製
剤して使用することもできる。
るピリミジンまたはトリアジン誘導体を有効成分として
なる。本発明化合物を除草剤として使用するには本発明
化合物それ自体で用いてもよいが、製剤化に一般的に用
いられる担体、界面活性剤、分散剤または補助剤等を配
合して、粉剤、水和剤、乳剤、微粒剤または粒剤等に製
剤して使用することもできる。
【0109】製剤化に際して用いられる担体としては、
例えばジークライト、タルク、ベントナイト、クレー、
カオリン、珪藻土、ホワイトカーボン、バーミキュライ
ト、炭酸カルシウム、消石灰、珪砂、硫安、尿素等の固
体担体、イソプロピルアルコール、キシレン、シクロヘ
キサン、メチルナフタレン等の液体担体等があげられ
る。
例えばジークライト、タルク、ベントナイト、クレー、
カオリン、珪藻土、ホワイトカーボン、バーミキュライ
ト、炭酸カルシウム、消石灰、珪砂、硫安、尿素等の固
体担体、イソプロピルアルコール、キシレン、シクロヘ
キサン、メチルナフタレン等の液体担体等があげられ
る。
【0110】界面活性剤及び分散剤としては、例えばア
ルキルベンゼンスルホン酸金属塩、ジナフチルメタンジ
スルホン酸金属塩、アルコール硫酸エステル塩、アルキ
ルアリールスルホン酸塩、リグニンスルホン酸塩、ポリ
オキシエチレングリコールエーテル、ポリオキシエチレ
ンアルキルアリールエーテル、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノアルキレート等があげられる。補助剤として
は、例えばカルボキシメチルセルロース、ポリエチレン
グリコール、アラビアゴム等があげられる。使用に際し
ては適当な濃度に希釈して散布するかまたは直接施用す
る。
ルキルベンゼンスルホン酸金属塩、ジナフチルメタンジ
スルホン酸金属塩、アルコール硫酸エステル塩、アルキ
ルアリールスルホン酸塩、リグニンスルホン酸塩、ポリ
オキシエチレングリコールエーテル、ポリオキシエチレ
ンアルキルアリールエーテル、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノアルキレート等があげられる。補助剤として
は、例えばカルボキシメチルセルロース、ポリエチレン
グリコール、アラビアゴム等があげられる。使用に際し
ては適当な濃度に希釈して散布するかまたは直接施用す
る。
【0111】本発明の除草剤は茎葉散布、土壌施用また
は水面施用等により使用することができる。有効成分の
配合割合については必要に応じて適宜選ばれるが、粉剤
または粒剤とする場合は0.01〜10%(重量)、好
ましくは0.05〜5%(重量)の範囲から適宜選ぶの
がよい。また、乳剤及び水和剤とする場合は1〜50%
(重量)、好ましくは5〜20%(重量)の範囲から適
宜選ぶのがよい。
は水面施用等により使用することができる。有効成分の
配合割合については必要に応じて適宜選ばれるが、粉剤
または粒剤とする場合は0.01〜10%(重量)、好
ましくは0.05〜5%(重量)の範囲から適宜選ぶの
がよい。また、乳剤及び水和剤とする場合は1〜50%
(重量)、好ましくは5〜20%(重量)の範囲から適
宜選ぶのがよい。
【0112】本発明の除草剤の施用量は使用される化合
物の種類、対象雑草、発生傾向、環境条件ならびに使用
する剤型等によってかわるが、粉剤及び粒剤のようにそ
のまま使用する場合は、有効成分として10アール当り
0.1g〜10kg、好ましくは10g〜5kgの範囲から適
宜選ぶのがよい。また、乳剤及び水和剤とする場合のよ
うに液状で使用する場合は、0.1〜100,000pp
m、好ましくは10〜50,000ppmの範囲から適宜選
ぶのがよい。
物の種類、対象雑草、発生傾向、環境条件ならびに使用
する剤型等によってかわるが、粉剤及び粒剤のようにそ
のまま使用する場合は、有効成分として10アール当り
0.1g〜10kg、好ましくは10g〜5kgの範囲から適
宜選ぶのがよい。また、乳剤及び水和剤とする場合のよ
うに液状で使用する場合は、0.1〜100,000pp
m、好ましくは10〜50,000ppmの範囲から適宜選
ぶのがよい。
【0113】また、本発明の化合物は必要に応じて殺虫
剤、殺菌剤、他の除草剤、植物生長調節剤、肥料等と混
用してもよい。次に代表的な製剤例をあげて製剤方法を
具体的に説明する。化合物、添加剤の種類及び配合比率
は、これのみに限定されることなく広い範囲で変更可能
である。以下の説明において「部」は重量部を意味す
る。
剤、殺菌剤、他の除草剤、植物生長調節剤、肥料等と混
用してもよい。次に代表的な製剤例をあげて製剤方法を
具体的に説明する。化合物、添加剤の種類及び配合比率
は、これのみに限定されることなく広い範囲で変更可能
である。以下の説明において「部」は重量部を意味す
る。
【0114】製剤例1 水和剤 化合物(625)の10部にエマルゲン(花王株式会社
の登録商標)810の0.5部、デモール(花王株式会
社の登録商標)Nの0.5部、クニライト(クニミネ工
業株式会社の登録商標)201の20部、ジークライト
(ジークライト株式会社の登録商標)CAの69部を混
合粉砕し、水和剤を得る。
の登録商標)810の0.5部、デモール(花王株式会
社の登録商標)Nの0.5部、クニライト(クニミネ工
業株式会社の登録商標)201の20部、ジークライト
(ジークライト株式会社の登録商標)CAの69部を混
合粉砕し、水和剤を得る。
【0115】製剤例2 水和剤 化合物(675)の10部にエマルゲン810の0.5
部、デモールNの0.5部、クニライト201の20
部、カープレックス(塩野義製薬株式会社の登録商標)
80の5部、ジークライトCAの64部を混合粉砕し、
水和剤を得る。
部、デモールNの0.5部、クニライト201の20
部、カープレックス(塩野義製薬株式会社の登録商標)
80の5部、ジークライトCAの64部を混合粉砕し、
水和剤を得る。
【0116】製剤例3 水和剤(炭酸カルシウム処方) 化合物(42)の10部にデモールNの0.5部、エマ
ール(花王アトラス株式会社の登録商標)10の0.5
部、クニライト301の20部、カープレックス80の
5部、炭酸カルシウムの64部を混合粉砕し、水和剤を
得る。
ール(花王アトラス株式会社の登録商標)10の0.5
部、クニライト301の20部、カープレックス80の
5部、炭酸カルシウムの64部を混合粉砕し、水和剤を
得る。
【0117】製剤例4 乳剤 化合物(453)の10部にキシレンとイソホロンの等
量混合物80部、界面活性剤ソルポール(東邦化学工業
株式会社の登録商標)800Aの10部を加え、これら
をよくかきまぜることによって乳剤を得る。
量混合物80部、界面活性剤ソルポール(東邦化学工業
株式会社の登録商標)800Aの10部を加え、これら
をよくかきまぜることによって乳剤を得る。
【0118】製剤例5 粒剤 化合物(13)の1部、タルクとベントナイトを1:3
の割合の混合した増量剤の89部、ホワイトカーボンの
5部、界面活性剤ソルポール800Aの5部に水10部
を加え、よく練ってペースト状としたものを直径0.7m
mのふるい穴から押し出して乾燥した後に0.5〜1mmの
長さに切断し、粒剤を得る。
の割合の混合した増量剤の89部、ホワイトカーボンの
5部、界面活性剤ソルポール800Aの5部に水10部
を加え、よく練ってペースト状としたものを直径0.7m
mのふるい穴から押し出して乾燥した後に0.5〜1mmの
長さに切断し、粒剤を得る。
【0119】次に試験例をあげて本発明化合物の奏する
効果を説明する。 試験例1(水田土壌処理による除草効果試験) 100cm2プラスチックポットに水田土壌を充填し、代
掻後、タイヌビエ(Ec)、コナギ(Mo)及びホタルイ(Sc)の
各種子を播種し、水深3cmに湛水した。翌日、製剤例1
に準じて調製した水和剤を水で希釈し、水面滴下した。
施用量は、有効成分を10アール当り400gとした。
その後、温室内で育成し、処理21日目に表29の基準
に従い、除草効果を調査した。その結果を表30に示し
た。
効果を説明する。 試験例1(水田土壌処理による除草効果試験) 100cm2プラスチックポットに水田土壌を充填し、代
掻後、タイヌビエ(Ec)、コナギ(Mo)及びホタルイ(Sc)の
各種子を播種し、水深3cmに湛水した。翌日、製剤例1
に準じて調製した水和剤を水で希釈し、水面滴下した。
施用量は、有効成分を10アール当り400gとした。
その後、温室内で育成し、処理21日目に表29の基準
に従い、除草効果を調査した。その結果を表30に示し
た。
【0120】
【表29】
【0121】
【表30】
【0122】試験例2(畑地土壌処理による除草効果試
験) 120cm2プラスチックポットに畑地土壌を充填し、オ
オイヌタデ(Po)、アオビユ(Am)、シロザ(Ch)、コゴメガ
ヤツリ(Ci)の各種子を播種して覆土した。製剤例1に準
じて調製した水和剤を水で希釈し、10アール当り有効
成分が400gになる様に、10アール当り100lを小
型噴霧器で土壌表面に均一に散布した。その後、温室内
で育成し、処理21日目に表29の基準に従って、除草
効果を調査した。その結果を表31に示す。
験) 120cm2プラスチックポットに畑地土壌を充填し、オ
オイヌタデ(Po)、アオビユ(Am)、シロザ(Ch)、コゴメガ
ヤツリ(Ci)の各種子を播種して覆土した。製剤例1に準
じて調製した水和剤を水で希釈し、10アール当り有効
成分が400gになる様に、10アール当り100lを小
型噴霧器で土壌表面に均一に散布した。その後、温室内
で育成し、処理21日目に表29の基準に従って、除草
効果を調査した。その結果を表31に示す。
【0123】
【表43】
【0124】試験例3(畑地茎葉処理による除草効果試
験) 120cm2プラスチックポットに畑地土壌を充填し、オ
オイヌタデ(Po)、アオビユ(Am)、シロザ(Ch)、コゴメガ
ヤツリ(Ci)の各種子を播種し、温室内で2週間育成後、
製剤例1に準じて調製した水和剤を水に希釈し、10ア
ール当り有効成分が400gになる様に、10アール当
り100lを小型噴霧器で植物体の上方から全体に茎葉
散布処理した。その後、温室内で育成し、処理14日目
に表29の基準に従って、除草効果を調査した。その結
果を表32に示す。
験) 120cm2プラスチックポットに畑地土壌を充填し、オ
オイヌタデ(Po)、アオビユ(Am)、シロザ(Ch)、コゴメガ
ヤツリ(Ci)の各種子を播種し、温室内で2週間育成後、
製剤例1に準じて調製した水和剤を水に希釈し、10ア
ール当り有効成分が400gになる様に、10アール当
り100lを小型噴霧器で植物体の上方から全体に茎葉
散布処理した。その後、温室内で育成し、処理14日目
に表29の基準に従って、除草効果を調査した。その結
果を表32に示す。
【0125】
【表44】
【0126】
【表31】
【表32】
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年5月8日
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項1
【補正方法】変更
【補正内容】
【化1】 〔式中、Aは式
【化2】 で表される複素環を示し、Rは水素原子、水酸基、イミ
ダゾリル基、C1〜6アルコキシ基、C3〜6アルケニ
ルオキシ基、C3〜6アルキニルオキシ基、C1〜6ア
ルキルチオ基、C3〜7シクロアルコキシ基、ベンジル
オキシ基、置換ベンジルオキシ基、ベンジルチオ基、置
換ベンジルチオ基、C3〜6シクロアルキルチオ基、C
1〜4アルコキシC1〜4アルコキシ基、フリルオキシ
基、テトラヒドロフリルオキシ基、フェノキシ基、置換
フェノキシ基、C2〜4アラルキルオキシ基、C1〜4
アルキルチオC1〜4アルコキシ基、シアノC1〜4ア
ルコキシ基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜4ア
ルコキシ基、N,N−ジC1〜3アルキルアミノC1〜
3アルコキシ基,N,N−ジC1〜3アルキルアミノC
1〜3アルキルチオ基、C3〜9の直鎖または環状のア
ルキリデンアミノオキシ基、C1〜4アルキルスルホニ
ルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、置換フェニ
ルスルホニルアミノ基、トリメチルシリルエトキシ基、
式−NR4R5(式中、R4及びR5は同一または相異
なり、水素原子、水酸基、C1〜6アルキル基、C1〜
6アルコキシ基、C3〜6アルケニル基、フェニル基、
置換フェニル基、C3〜6シクロアルキル基、C1〜3
アルコキシC1〜3アルキル基、C1〜3アシル基、C
3〜6アルキニル基、C3〜5アルケニルオキシ基、C
3〜5アルキニルオキシ基、ベンジルオキシ基、置換ベ
ンジルオキシ基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜
3アルキル基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜3
アルコシキ基、アミノ基、ジメチルアミノ基、シアノ
基、C1〜4アルキルスルホニル基、フェニルスルホニ
ル基、置換フェニルスルホニル基、アセチルアミノ基、
アニリノ基を示す。また、R4及びR5は一緒にヘテロ
原子を含んでもよい環を形成することもできる。)で表
される基を示し、R1及びR2は同一または相異なり、
水素原子(但し、R1及びR2は同一の場合を除く)、
ハロゲン原子、C1〜6アルキル基、C1〜6ハロアル
キル基、C1〜6アルコキシ基、C1〜6ハロアルコキ
シ基、C1〜6アルキルチオ基、フェノキシ基、置換フ
ェノキシ基、C1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、
C3〜6シクロアルキル基、C2〜5アルケニル基、C
3〜5アルケニルオキシ基、C2〜4アルキニル基、C
3〜5アルキニルオキシ基、C1〜3アルキルチオC1
〜3アルキル基、式−NR6R7(式中、R6及びR7
は同一または相異なり、水素原子、水酸基、C1〜4ア
ルキル基、C1〜4アルコキシ、C2〜4アルケニル
基、C2〜4アルキニル基、C3〜5アルケニルオキシ
基、C3〜5アルキニルオキシ基を示す。またR6及び
R7は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成するこ
ともできる。)で表される基を示し、R3は水素原子、
C1〜6アルキル基、フェニル基、置換フェニル基、ベ
ンジル基、置換ベンジル基、ベンゾイル基、置換ベンゾ
イル基、C1〜3アシル基、C1〜6アルキルスルホニ
ル基、フェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル
基を示し、Xは水素原子、C1〜6アルキル基、C1〜
6ハロアルキル基、C1〜6アルコキシ基、C1〜6ハ
ロアルコキシ基、C3〜6アルケニル基、フェニル基、
置換フェニル基、ベンジル基、置換ベンジル基、フェノ
キシ基、置換フェノキシ基、ベンジルオキシ基、置換ベ
ンジルオキシ基、C1〜3アシル基、ナフチル基、ベン
ゾイル基、置換ベンゾイル基、ハロゲン原子、ホルミル
基、ニトロ基、式−NR8R9(式中、R8及びR8は
同一または異なり、水素原子、C1〜12アルキル基、
C3〜6アルケニル基、C3〜6アルキニル基、フェニ
ル基、置換フェニル基、ナフチル基、C1〜3アシル
基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基を示す。また、R
8及びR9は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成
することもできる。)で表される基を示し、C1〜6ア
ルキルチオ基、C1〜8アルキルチオC1〜3アルキル
基、フェニルチオ基、置換フェニルチオ基、C1〜8ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基、カ
ルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、C1〜6
アルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、置換フ
ェニルスルホニル基、C1〜8アルコキシC1〜6アル
キル基、C1〜6アルコキシC1〜6アルコキシ基、C
1〜6アルキルチオC1〜6アルキル基、C1〜6アル
コキシC1〜6アルキルチオ基、C1〜6アルキルチオ
C1〜6アルコキシ基、アリルチオ基、C1〜6アルキ
ルスルフィニル基、フリル基、チェニル基、ピリジル
基、置換されていてもよいピリミジニルオキシ基、置換
されていてもよいピリミジニルチオ基、置換トリアジニ
ルオキシ基、置換トリアジニルチオ基を示し、Wは酸素
原子、硫黄原子、基−NR10(式中、R10は水素原
子、C1〜3アルキル基、2〜5アルケニル基、C2〜
4アルキニル基、ホルミル基、C1〜3アルコキシC1
〜3アルキル基、C1〜3アルキルスルホニル基、フェ
ニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル基、C1〜
3アシル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基を示
す。)を示し、Zは窒素原子またはメチン基を示し、n
は1〜5の整数を示す。〕で表されるピリミジンまたは
トリアジン誘導体及びその塩。
ダゾリル基、C1〜6アルコキシ基、C3〜6アルケニ
ルオキシ基、C3〜6アルキニルオキシ基、C1〜6ア
ルキルチオ基、C3〜7シクロアルコキシ基、ベンジル
オキシ基、置換ベンジルオキシ基、ベンジルチオ基、置
換ベンジルチオ基、C3〜6シクロアルキルチオ基、C
1〜4アルコキシC1〜4アルコキシ基、フリルオキシ
基、テトラヒドロフリルオキシ基、フェノキシ基、置換
フェノキシ基、C2〜4アラルキルオキシ基、C1〜4
アルキルチオC1〜4アルコキシ基、シアノC1〜4ア
ルコキシ基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜4ア
ルコキシ基、N,N−ジC1〜3アルキルアミノC1〜
3アルコキシ基,N,N−ジC1〜3アルキルアミノC
1〜3アルキルチオ基、C3〜9の直鎖または環状のア
ルキリデンアミノオキシ基、C1〜4アルキルスルホニ
ルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、置換フェニ
ルスルホニルアミノ基、トリメチルシリルエトキシ基、
式−NR4R5(式中、R4及びR5は同一または相異
なり、水素原子、水酸基、C1〜6アルキル基、C1〜
6アルコキシ基、C3〜6アルケニル基、フェニル基、
置換フェニル基、C3〜6シクロアルキル基、C1〜3
アルコキシC1〜3アルキル基、C1〜3アシル基、C
3〜6アルキニル基、C3〜5アルケニルオキシ基、C
3〜5アルキニルオキシ基、ベンジルオキシ基、置換ベ
ンジルオキシ基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜
3アルキル基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜3
アルコシキ基、アミノ基、ジメチルアミノ基、シアノ
基、C1〜4アルキルスルホニル基、フェニルスルホニ
ル基、置換フェニルスルホニル基、アセチルアミノ基、
アニリノ基を示す。また、R4及びR5は一緒にヘテロ
原子を含んでもよい環を形成することもできる。)で表
される基を示し、R1及びR2は同一または相異なり、
水素原子(但し、R1及びR2は同一の場合を除く)、
ハロゲン原子、C1〜6アルキル基、C1〜6ハロアル
キル基、C1〜6アルコキシ基、C1〜6ハロアルコキ
シ基、C1〜6アルキルチオ基、フェノキシ基、置換フ
ェノキシ基、C1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、
C3〜6シクロアルキル基、C2〜5アルケニル基、C
3〜5アルケニルオキシ基、C2〜4アルキニル基、C
3〜5アルキニルオキシ基、C1〜3アルキルチオC1
〜3アルキル基、式−NR6R7(式中、R6及びR7
は同一または相異なり、水素原子、水酸基、C1〜4ア
ルキル基、C1〜4アルコキシ、C2〜4アルケニル
基、C2〜4アルキニル基、C3〜5アルケニルオキシ
基、C3〜5アルキニルオキシ基を示す。またR6及び
R7は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成するこ
ともできる。)で表される基を示し、R3は水素原子、
C1〜6アルキル基、フェニル基、置換フェニル基、ベ
ンジル基、置換ベンジル基、ベンゾイル基、置換ベンゾ
イル基、C1〜3アシル基、C1〜6アルキルスルホニ
ル基、フェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル
基を示し、Xは水素原子、C1〜6アルキル基、C1〜
6ハロアルキル基、C1〜6アルコキシ基、C1〜6ハ
ロアルコキシ基、C3〜6アルケニル基、フェニル基、
置換フェニル基、ベンジル基、置換ベンジル基、フェノ
キシ基、置換フェノキシ基、ベンジルオキシ基、置換ベ
ンジルオキシ基、C1〜3アシル基、ナフチル基、ベン
ゾイル基、置換ベンゾイル基、ハロゲン原子、ホルミル
基、ニトロ基、式−NR8R9(式中、R8及びR8は
同一または異なり、水素原子、C1〜12アルキル基、
C3〜6アルケニル基、C3〜6アルキニル基、フェニ
ル基、置換フェニル基、ナフチル基、C1〜3アシル
基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基を示す。また、R
8及びR9は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成
することもできる。)で表される基を示し、C1〜6ア
ルキルチオ基、C1〜8アルキルチオC1〜3アルキル
基、フェニルチオ基、置換フェニルチオ基、C1〜8ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基、カ
ルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、C1〜6
アルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、置換フ
ェニルスルホニル基、C1〜8アルコキシC1〜6アル
キル基、C1〜6アルコキシC1〜6アルコキシ基、C
1〜6アルキルチオC1〜6アルキル基、C1〜6アル
コキシC1〜6アルキルチオ基、C1〜6アルキルチオ
C1〜6アルコキシ基、アリルチオ基、C1〜6アルキ
ルスルフィニル基、フリル基、チェニル基、ピリジル
基、置換されていてもよいピリミジニルオキシ基、置換
されていてもよいピリミジニルチオ基、置換トリアジニ
ルオキシ基、置換トリアジニルチオ基を示し、Wは酸素
原子、硫黄原子、基−NR10(式中、R10は水素原
子、C1〜3アルキル基、2〜5アルケニル基、C2〜
4アルキニル基、ホルミル基、C1〜3アルコキシC1
〜3アルキル基、C1〜3アルキルスルホニル基、フェ
ニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル基、C1〜
3アシル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基を示
す。)を示し、Zは窒素原子またはメチン基を示し、n
は1〜5の整数を示す。〕で表されるピリミジンまたは
トリアジン誘導体及びその塩。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0009
【補正方法】変更
【補正内容】
【0009】で表される複素環を示し、Rは水素原子、
水酸基、イミダゾリル基、C1〜6アルコキシ基、C3
〜6アルケニルオキシ基、C3〜6アルキニルオキシ
基、C1〜6アルキルチオ基、C3〜7シクロアルコキ
シ基、ベンジルオキシ基、置換ベンジルオキシ基、ベン
ジルチオ基、置換ベンジルチオ基、C3〜6シクロアル
キルチオ基、C1〜4アルコキシC1〜4アルコキシ
基、フリルオキシ基、テトラヒドロフリルオキシ基、フ
ェノキシ基、置換フェノキシ基、C2〜4アラルキルオ
キシ基、C1〜4アルキルチオC1〜4アルコキシ基、
シアノC1〜4アルコキシ基、C1〜4アルコキシカル
ボニルC1〜4アルコキシ基、N,N−ジC1〜3アル
キルアミノC1〜3アルコキシ基、N,N−ジC1〜3
アルキルアミノC1〜3アルキルチオ基、C3〜9の直
鎖または環状のアルキリデンアミノオキシ基、C1〜4
アルキルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミ
ノ基、置換フェニルスルホニルアミノ基、トリメチルシ
リルエトキシ基、式−NR4R5(式中、R4及びR5
は同一または相異なり、水素原子、水酸基、C1〜6ア
ルキル基、C1〜6アルコキシ基、C3〜6アルケニル
基、フェニル基、置換フェニル基、C3〜6シクロアル
キル基、C1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、C1
〜3アシル基、C3〜6アルキニル基、C3〜5アルケ
ニルオキシ基、C3〜5アルキニルオキシ基、ベンジル
オキシ基、置換ベンジルオキシ基、C1〜4アルコキシ
カルボニルC1〜3アルキル基、C1〜4アルコキシカ
ルボニルC1〜3アルコシキ基、アミノ基、ジメチルア
ミノ基、シアノ基、C1〜4アルキルスルホニル基、フ
ェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル基、アセ
チルアミノ基、アニリノ基を示す。また、R4及びR5
は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成することも
できる。)で表される基を示し、R1及びR2は同一ま
たは相異なり、水素原子(但し、R1及びR2は同一の
場合を除く)、ハロゲン原子、C1〜6アルキル基、C
1〜6ハロアルキル基、C1〜6アルコキシ基、C1〜
6ハロアルコキシ基、C1〜6アルキルチオ基、フェノ
キシ基、置換フェノキシ基、C1〜3アルコキシC1〜
3アルキル基、C3〜6シクロアルキル基、C2〜6ア
ルケニル基、C3〜5アルケニルオキシ基、C2〜4ア
ルキニル基、C3〜5アルキニルオキシ基、C1〜3ア
ルキルチオC1〜36ルキル基、式−NR6R7(式
中、R6及びR7は同一または相異なり、水素原子、水
酸基、C1〜4アルキル基、C1〜4アルコキシ、C2
〜4アルケニル基、C2〜4アルキニル基、C3〜5ア
ルケニルオキシ基、C3〜5アルキニルオキシ基を示
す。またR6及びR7は一緒にヘテロ原子を含んでもよ
い環を形成することもできる。)で表される基を示し、
R3は水素原子、C1〜6アルキル基、フェニル基、ベ
ンジル基、置換ベンジル基、ベンゾイル基、置換ベンゾ
イル基、C1〜3アシル基、C1〜6アルキルスルホニ
ル基、フェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル
基を示し、Xは水素原子、C1〜6アルキル基、C1〜
6ハロアルキル基、C11〜6アルコキシ基、C1〜6
ハロアルコキシ基、C3〜6アルケニル基、フェニル
基、置換フェニル基、ベンジル基、置換ベンジル基、フ
ェノキシ基、置換フェノキシ基、ベンジルオキシ基、置
換ベンジルオキシ基、C1〜3アシル基、ナフチル基、
ベンゾイル基、置換ベンゾイル基、ハロゲン原子、ホル
ミル基、ニトロ基、式−NR8R9(式中、R8及びR
9は同一または異なり、水素原子、C1〜12アルキル
基、C3〜6アルケニル基、C3〜6アルキニル基、フ
ェニル基、置換フェニル基、ナフチル基、C1〜3アシ
ル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基を示す。また、
R8及びR9は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形
成することもできる。)で表される基を示し、C1〜6
アルキルチオ基、C1〜6アルキルチオC1〜3アルキ
ル基、フェニルチオ基、置換フェニルチオ基、C1〜6
アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基、
カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、C1〜
6アルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、置換
フェニルスルホニル基、C1〜6アルコキシC1〜6ア
ルキル基、C1〜6アルコキシC1〜6アルコキシ基、
C1〜6アルキルチオC1〜6アルキル基、C1〜6ア
ルコキシC1〜6アルキルチオ基、C1〜6アルキルチ
オC1〜6アルコキシ基、アリルチオ基、C1〜6アル
キルスルフィニル基、フリル基、チェニル基、ピリジル
基、置換されていてもよいピリミジニルオキシ基、置換
されていてもよいピリミジニルチオ基、置換トリアジニ
ルオキシ基、置換トリアジニルチオ基を示し、Wは酸素
原子、硫黄原子、基−NR10(式中、R10は水素原
子、C1〜3アルキル基、C2〜5アルケニル基、C2
〜4アルキニル基、ホルミル基、C1〜3アルコキシC
1〜3アルキル基、C1〜
フェニルスルホニル基、C 1〜3アシル基、ベンゾイル
基、置換ベンゾイル基を示す。)を示し、Zは窒素原子
またはメチン基を示し、nは1〜5の整数を示す。〕で
表されるピリミジンまたはトリアジン誘導体及びその塩
並びにこれらを有効成分として含有する除草剤である。
次に、本発明化合物を表1〜表28に例示する。化合物
番号は以後の記載において参照される。
水酸基、イミダゾリル基、C1〜6アルコキシ基、C3
〜6アルケニルオキシ基、C3〜6アルキニルオキシ
基、C1〜6アルキルチオ基、C3〜7シクロアルコキ
シ基、ベンジルオキシ基、置換ベンジルオキシ基、ベン
ジルチオ基、置換ベンジルチオ基、C3〜6シクロアル
キルチオ基、C1〜4アルコキシC1〜4アルコキシ
基、フリルオキシ基、テトラヒドロフリルオキシ基、フ
ェノキシ基、置換フェノキシ基、C2〜4アラルキルオ
キシ基、C1〜4アルキルチオC1〜4アルコキシ基、
シアノC1〜4アルコキシ基、C1〜4アルコキシカル
ボニルC1〜4アルコキシ基、N,N−ジC1〜3アル
キルアミノC1〜3アルコキシ基、N,N−ジC1〜3
アルキルアミノC1〜3アルキルチオ基、C3〜9の直
鎖または環状のアルキリデンアミノオキシ基、C1〜4
アルキルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミ
ノ基、置換フェニルスルホニルアミノ基、トリメチルシ
リルエトキシ基、式−NR4R5(式中、R4及びR5
は同一または相異なり、水素原子、水酸基、C1〜6ア
ルキル基、C1〜6アルコキシ基、C3〜6アルケニル
基、フェニル基、置換フェニル基、C3〜6シクロアル
キル基、C1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、C1
〜3アシル基、C3〜6アルキニル基、C3〜5アルケ
ニルオキシ基、C3〜5アルキニルオキシ基、ベンジル
オキシ基、置換ベンジルオキシ基、C1〜4アルコキシ
カルボニルC1〜3アルキル基、C1〜4アルコキシカ
ルボニルC1〜3アルコシキ基、アミノ基、ジメチルア
ミノ基、シアノ基、C1〜4アルキルスルホニル基、フ
ェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル基、アセ
チルアミノ基、アニリノ基を示す。また、R4及びR5
は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成することも
できる。)で表される基を示し、R1及びR2は同一ま
たは相異なり、水素原子(但し、R1及びR2は同一の
場合を除く)、ハロゲン原子、C1〜6アルキル基、C
1〜6ハロアルキル基、C1〜6アルコキシ基、C1〜
6ハロアルコキシ基、C1〜6アルキルチオ基、フェノ
キシ基、置換フェノキシ基、C1〜3アルコキシC1〜
3アルキル基、C3〜6シクロアルキル基、C2〜6ア
ルケニル基、C3〜5アルケニルオキシ基、C2〜4ア
ルキニル基、C3〜5アルキニルオキシ基、C1〜3ア
ルキルチオC1〜36ルキル基、式−NR6R7(式
中、R6及びR7は同一または相異なり、水素原子、水
酸基、C1〜4アルキル基、C1〜4アルコキシ、C2
〜4アルケニル基、C2〜4アルキニル基、C3〜5ア
ルケニルオキシ基、C3〜5アルキニルオキシ基を示
す。またR6及びR7は一緒にヘテロ原子を含んでもよ
い環を形成することもできる。)で表される基を示し、
R3は水素原子、C1〜6アルキル基、フェニル基、ベ
ンジル基、置換ベンジル基、ベンゾイル基、置換ベンゾ
イル基、C1〜3アシル基、C1〜6アルキルスルホニ
ル基、フェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル
基を示し、Xは水素原子、C1〜6アルキル基、C1〜
6ハロアルキル基、C11〜6アルコキシ基、C1〜6
ハロアルコキシ基、C3〜6アルケニル基、フェニル
基、置換フェニル基、ベンジル基、置換ベンジル基、フ
ェノキシ基、置換フェノキシ基、ベンジルオキシ基、置
換ベンジルオキシ基、C1〜3アシル基、ナフチル基、
ベンゾイル基、置換ベンゾイル基、ハロゲン原子、ホル
ミル基、ニトロ基、式−NR8R9(式中、R8及びR
9は同一または異なり、水素原子、C1〜12アルキル
基、C3〜6アルケニル基、C3〜6アルキニル基、フ
ェニル基、置換フェニル基、ナフチル基、C1〜3アシ
ル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基を示す。また、
R8及びR9は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形
成することもできる。)で表される基を示し、C1〜6
アルキルチオ基、C1〜6アルキルチオC1〜3アルキ
ル基、フェニルチオ基、置換フェニルチオ基、C1〜6
アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基、
カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、C1〜
6アルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、置換
フェニルスルホニル基、C1〜6アルコキシC1〜6ア
ルキル基、C1〜6アルコキシC1〜6アルコキシ基、
C1〜6アルキルチオC1〜6アルキル基、C1〜6ア
ルコキシC1〜6アルキルチオ基、C1〜6アルキルチ
オC1〜6アルコキシ基、アリルチオ基、C1〜6アル
キルスルフィニル基、フリル基、チェニル基、ピリジル
基、置換されていてもよいピリミジニルオキシ基、置換
されていてもよいピリミジニルチオ基、置換トリアジニ
ルオキシ基、置換トリアジニルチオ基を示し、Wは酸素
原子、硫黄原子、基−NR10(式中、R10は水素原
子、C1〜3アルキル基、C2〜5アルケニル基、C2
〜4アルキニル基、ホルミル基、C1〜3アルコキシC
1〜3アルキル基、C1〜
フェニルスルホニル基、C 1〜3アシル基、ベンゾイル
基、置換ベンゾイル基を示す。)を示し、Zは窒素原子
またはメチン基を示し、nは1〜5の整数を示す。〕で
表されるピリミジンまたはトリアジン誘導体及びその塩
並びにこれらを有効成分として含有する除草剤である。
次に、本発明化合物を表1〜表28に例示する。化合物
番号は以後の記載において参照される。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0017
【補正方法】変更
【補正内容】
【0017】
【表3F】
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0018
【補正方法】変更
【補正内容】
【0018】
【表3G】
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0024
【補正方法】変更
【補正内容】
【0024】
【表5E】
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0026
【補正方法】変更
【補正内容】
【0026】
【表5G】
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0028
【補正方法】変更
【補正内容】
【0028】
【表5I】
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0030
【補正方法】変更
【補正内容】
【0030】
【表5K】
【手続補正10】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0034
【補正方法】変更
【補正内容】
【0034】
【表5O】
【手続補正11】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0038
【補正方法】変更
【補正内容】
【0038】
【表5S】
【手続補正12】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0039
【補正方法】変更
【補正内容】
【0039】
【表5T】
【手続補正13】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0040
【補正方法】変更
【補正内容】
【0040】
【表5U】
【手続補正14】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0057
【補正方法】変更
【補正内容】
【0057】
【表17D】
【手続補正15】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0058
【補正方法】変更
【補正内容】
【0058】
【表18】
【手続補正16】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0072
【補正方法】変更
【補正内容】
【0072】
【反応式1】
【手続補正17】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0075
【補正方法】変更
【補正内容】
【0075】で表される複素環を示し、Lはハロゲン原
子、アルキルスルホニル基、ベンジルスルホニル基、置
換ベンジルスルホニル基、アルキルスルホナート基また
はハロアルキルスルホナート基を示し、W、X、Z、
n、R、R1、R2及びR3は前記と同じ意味を示
す。)
子、アルキルスルホニル基、ベンジルスルホニル基、置
換ベンジルスルホニル基、アルキルスルホナート基また
はハロアルキルスルホナート基を示し、W、X、Z、
n、R、R1、R2及びR3は前記と同じ意味を示
す。)
【手続補正18】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0077
【補正方法】変更
【補正内容】
【0077】
【反応式2】
【手続補正19】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0079
【補正方法】変更
【補正内容】
【0079】
【化6】
【手続補正20】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0080
【補正方法】変更
【補正内容】
【0080】で表される複素環を示し、L、W、X、
Z、n、R、R1、R2及びR3は前記と同じ意味を示
す。)
Z、n、R、R1、R2及びR3は前記と同じ意味を示
す。)
【手続補正21】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0082
【補正方法】変更
【補正内容】
【0082】
【反応式3】
【手続補正22】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0083
【補正方法】変更
【補正内容】
【0083】(式中、R11はC1〜6アルキル基、C
3〜7シクロアルキル基、ベンジル基、置換ベンジル
基、C1〜4アルコキシC1〜4アルキル基、テトラヒ
ドロフリル基、C2〜4アラルキル基、C1〜4アルキ
ルチオC1〜4アルキル基、シアノC1〜4アルキル
基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜4アルキル
基、N,N−ジC1〜3アルキルアミノC1〜3アルキ
ル基を示し、A、L、R1、R2、W及びZは前記と同
じ意味を示す。)
3〜7シクロアルキル基、ベンジル基、置換ベンジル
基、C1〜4アルコキシC1〜4アルキル基、テトラヒ
ドロフリル基、C2〜4アラルキル基、C1〜4アルキ
ルチオC1〜4アルキル基、シアノC1〜4アルキル
基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜4アルキル
基、N,N−ジC1〜3アルキルアミノC1〜3アルキ
ル基を示し、A、L、R1、R2、W及びZは前記と同
じ意味を示す。)
【手続補正23】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0085
【補正方法】変更
【補正内容】
【0085】
【反応式4】
【手続補正24】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0086
【補正方法】変更
【補正内容】
【0086】(式中、R12及びR13は同一または相
異なるC1〜4アルキル基を示し、またはヘテロ原子を
含んでもよい環を形成することもできる。A、W、Z、
R1及びR2は前記と同じ意味を示す。)
異なるC1〜4アルキル基を示し、またはヘテロ原子を
含んでもよい環を形成することもできる。A、W、Z、
R1及びR2は前記と同じ意味を示す。)
【手続補正25】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0088
【補正方法】変更
【補正内容】
【0088】
【反応式5】
【手続補正26】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0089
【補正方法】変更
【補正内容】
【0089】(式中、R14はC1〜6アルコキシ基、
C3〜6アルケニルオキシ基、C3〜6アルキニルオキ
シ基、C1〜6アルキルチオ基、C3〜7シクロアルコ
キシ基、ベンジルオキシ基、置換ベンジルオキシ基、ベ
ンジルチオ基、置換ベンジルチオ基、C3〜6シクロア
ルキルチオ基、C1〜4アルコキシC1〜4アルコキシ
基、フリルオキシ基、テトラヒドロフリルオキシ基、フ
ェノキシ基、置換フェノキシ基、C2〜4アラルキルオ
キシ基、C1〜4アルキルチオC1〜4アルコキシ基、
シアノC1〜4アルコキシ基、C1〜4アルコキシカル
ボニルC1〜4アルコキシ基、N,N−ジC1〜3アル
キルアミノC1〜3アルコキシ基、N,N−ジC1〜3
アルキルアミノC1〜3アルキルチオ基、C3〜9の直
鎖または環状のアルキリデンアミノオキシ基、トリメチ
ルシリルエトキシ基を示し、A、R1、R2、Z及びW
は前記と同じ意味を示し、Mは1価のカチオンを示
す。)
C3〜6アルケニルオキシ基、C3〜6アルキニルオキ
シ基、C1〜6アルキルチオ基、C3〜7シクロアルコ
キシ基、ベンジルオキシ基、置換ベンジルオキシ基、ベ
ンジルチオ基、置換ベンジルチオ基、C3〜6シクロア
ルキルチオ基、C1〜4アルコキシC1〜4アルコキシ
基、フリルオキシ基、テトラヒドロフリルオキシ基、フ
ェノキシ基、置換フェノキシ基、C2〜4アラルキルオ
キシ基、C1〜4アルキルチオC1〜4アルコキシ基、
シアノC1〜4アルコキシ基、C1〜4アルコキシカル
ボニルC1〜4アルコキシ基、N,N−ジC1〜3アル
キルアミノC1〜3アルコキシ基、N,N−ジC1〜3
アルキルアミノC1〜3アルキルチオ基、C3〜9の直
鎖または環状のアルキリデンアミノオキシ基、トリメチ
ルシリルエトキシ基を示し、A、R1、R2、Z及びW
は前記と同じ意味を示し、Mは1価のカチオンを示
す。)
【手続補正書】
【提出日】平成4年10月29日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項1
【補正方法】変更
【補正内容】
【化1】 〔式中、Aは式
【化2】 で表される複素環を示し、Rは水素原子、水酸基、イミ
ダゾリル基、C1〜6アルコキシ基、C3〜6アルケニ
ルオキシ基、C3〜6アルキニルオキシ基、C1〜6ア
ルキルチオ基、C3〜7シクロアルコキシ基、ベンジル
オキシ基、置換ベンジルオキシ基、ベンジルチオ基、置
換ベンジルチオ基、C3〜6シクロアルキルチオ基、C
1〜4アルコキシC1〜4アルコキシ基、フリルオキシ
基、テトラヒドロフリルオキシ基、フェノキシ基、置換
フェノキシ基、C2〜4アラルキルオキシ基、C1〜4
アルキルチオC1〜4アルコキシ基、シアノC1〜4ア
ルコキシ基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜4ア
ルコキシ基、N,N−ジC1〜3アルキルアミノC1〜
3アルコキシ基、N,N−ジC1〜3アルキルアミノC
1〜3アルキルチオ基、C3〜9の直鎖または環状のア
ルキリデンアミノオキシ基、C1〜4アルキルスルホニ
ルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、置換フェニ
ルスルホニルアミノ基、トリメチルシリルエトキシ基、
式−NR4R5(式中、R4及びR5は同一または相異
なり、水素原子、水酸基、C1〜6アルキル基、C1〜
6アルコキシ基、C3〜6アルケニル基、フェニル基、
置換フェニル基、C3〜6シクロアルキル基、C1〜3
アルコキシC1〜3アルキル基、C1〜3アシル基、C
3〜8アルキニル基、C3〜5アルケニルオキシ基、C
3〜5アルキニルオキシ基、ベンジルオキシ基、置換ベ
ンジルオキシ基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜
3アルキル基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜3
アルコシキ基、アミノ基、ジメチルアミノ基、シアノ
基、C1〜4アルキルスルホニル基、フェニルスルホニ
ル基、置換フェニルスルホニル基、アセチルアミノ基、
アニリノ基を示す。また、R4及びR5は一緒にヘテロ
原子を含んでもよい環を形成することもできる。)で表
される基を示し、R1及びR2は同一または相異なり、
水素原子(但し、R1及びR2は同一の場合を除く)、
ハロゲン原子、C1〜6アルキル基、C1〜6ハロアル
キル基、C1〜6アルコキシ基、C1〜6ハロアルコキ
シ基、C1〜6アルキルチオ基、フェノキシ基、置換フ
ェノキシ基、C1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、
C3〜6シクロアルキル基、C2〜5アルケニル基、C
3〜5アルケニルオキシ基、C2〜4アルキニル基、C
3〜5アルキニルオキシ基、C1〜3アルキルチオC1
〜3アルキル基、式−NR6R7(式中、R6及びR7
は同一または相異なり、水素原子、水酸基、C1〜4ア
ルキル基、C1〜4アルコキシ、C2〜4アルケニル
基、C2〜4アルキニル基、C3〜5アルケニルオキシ
基、C3〜5アルキニルオキシ基を示す。またR6及び
R7は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成するこ
ともできる。)で表される基を示し、R3水素原子、C
1〜6アルキル基、フェニル基、置換フェニル基、ベン
ジル基、置換ベンジル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイ
ル基、C1〜3アシル基、C1〜6アルキルスルホニル
基、フェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル基
を示し、Xは水素原子、C1〜6アルキル基、C1〜6
ハロアルキル基、C1〜6アルコキシ基、C1〜6ハロ
アルコキシ基、C3〜6アルケニル基、フェニル基、置
換フェニル基、ベンジル基、置換ベンジル基、フェノキ
シ基、置換フェノキシ基、ベンジルオキシ基、置換ベン
ジルオキシ基、C1〜3アシル基、ナフチル基、ベンゾ
イル基、置換ベンゾイル基、ハロゲン原子、ホルミル
基、ニトロ基、式−NR8R9(式中、R8及びR9は
同一または異なり、水素原子、C1〜12アルキル基、
C3〜6アルケニル基、C3〜6アルキニル基、フェニ
ル基、置換フェニル基、ナフチル基、C1〜3アシル
基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基を示す。また、R
8及びR9は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成
することもできる。)で表される基を示し、C1〜6ア
ルキルチオ基、C1〜6アルキルチオC1〜3アルキル
基、フェニルチオ基、置換フェニルチオ基、C1〜6ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基、カ
ルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、C1〜6
アルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、置換フ
ェニルスルホニル基、C1〜6アルコキシC1〜6アル
キル基、C1〜6アルコキシC1〜6アルコキシ基、C
1〜6アルキルチオC1〜6アルキル基、C1〜6アル
コキシC1〜6アルキルチオ基、C1〜6アルキルチオ
C1〜6アルコキシ基、アリルチオ基、C1〜6アルキ
ルスルフィニル基、フリル基、チェニル基、ピリジル
基、置換されていてもよいピリミジニルオキシ基、置換
されていてもよいピリミジニルチオ基、置換トリアジニ
ルオキシ基、置換トリアジニルチオ基を示し、Wは酸素
原子、硫黄原子、基−NR10(式中、R10は水素原
子、C1〜3アルキル基、C2〜5アルケニル基、C2
〜4アルキニル基、ホルミル基、C1〜3アルコキシC
1〜3アルキル基、C1〜3アルキルスルホニル基、フ
ェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル基、C1
〜3アシル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基を示
す。)を示し、Zは窒素原子またはメチン基を示し、n
は1〜5の整数を示す。〕で表されるピリミジンまたは
トリアジン誘導体及びその塩。
ダゾリル基、C1〜6アルコキシ基、C3〜6アルケニ
ルオキシ基、C3〜6アルキニルオキシ基、C1〜6ア
ルキルチオ基、C3〜7シクロアルコキシ基、ベンジル
オキシ基、置換ベンジルオキシ基、ベンジルチオ基、置
換ベンジルチオ基、C3〜6シクロアルキルチオ基、C
1〜4アルコキシC1〜4アルコキシ基、フリルオキシ
基、テトラヒドロフリルオキシ基、フェノキシ基、置換
フェノキシ基、C2〜4アラルキルオキシ基、C1〜4
アルキルチオC1〜4アルコキシ基、シアノC1〜4ア
ルコキシ基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜4ア
ルコキシ基、N,N−ジC1〜3アルキルアミノC1〜
3アルコキシ基、N,N−ジC1〜3アルキルアミノC
1〜3アルキルチオ基、C3〜9の直鎖または環状のア
ルキリデンアミノオキシ基、C1〜4アルキルスルホニ
ルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、置換フェニ
ルスルホニルアミノ基、トリメチルシリルエトキシ基、
式−NR4R5(式中、R4及びR5は同一または相異
なり、水素原子、水酸基、C1〜6アルキル基、C1〜
6アルコキシ基、C3〜6アルケニル基、フェニル基、
置換フェニル基、C3〜6シクロアルキル基、C1〜3
アルコキシC1〜3アルキル基、C1〜3アシル基、C
3〜8アルキニル基、C3〜5アルケニルオキシ基、C
3〜5アルキニルオキシ基、ベンジルオキシ基、置換ベ
ンジルオキシ基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜
3アルキル基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜3
アルコシキ基、アミノ基、ジメチルアミノ基、シアノ
基、C1〜4アルキルスルホニル基、フェニルスルホニ
ル基、置換フェニルスルホニル基、アセチルアミノ基、
アニリノ基を示す。また、R4及びR5は一緒にヘテロ
原子を含んでもよい環を形成することもできる。)で表
される基を示し、R1及びR2は同一または相異なり、
水素原子(但し、R1及びR2は同一の場合を除く)、
ハロゲン原子、C1〜6アルキル基、C1〜6ハロアル
キル基、C1〜6アルコキシ基、C1〜6ハロアルコキ
シ基、C1〜6アルキルチオ基、フェノキシ基、置換フ
ェノキシ基、C1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、
C3〜6シクロアルキル基、C2〜5アルケニル基、C
3〜5アルケニルオキシ基、C2〜4アルキニル基、C
3〜5アルキニルオキシ基、C1〜3アルキルチオC1
〜3アルキル基、式−NR6R7(式中、R6及びR7
は同一または相異なり、水素原子、水酸基、C1〜4ア
ルキル基、C1〜4アルコキシ、C2〜4アルケニル
基、C2〜4アルキニル基、C3〜5アルケニルオキシ
基、C3〜5アルキニルオキシ基を示す。またR6及び
R7は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成するこ
ともできる。)で表される基を示し、R3水素原子、C
1〜6アルキル基、フェニル基、置換フェニル基、ベン
ジル基、置換ベンジル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイ
ル基、C1〜3アシル基、C1〜6アルキルスルホニル
基、フェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル基
を示し、Xは水素原子、C1〜6アルキル基、C1〜6
ハロアルキル基、C1〜6アルコキシ基、C1〜6ハロ
アルコキシ基、C3〜6アルケニル基、フェニル基、置
換フェニル基、ベンジル基、置換ベンジル基、フェノキ
シ基、置換フェノキシ基、ベンジルオキシ基、置換ベン
ジルオキシ基、C1〜3アシル基、ナフチル基、ベンゾ
イル基、置換ベンゾイル基、ハロゲン原子、ホルミル
基、ニトロ基、式−NR8R9(式中、R8及びR9は
同一または異なり、水素原子、C1〜12アルキル基、
C3〜6アルケニル基、C3〜6アルキニル基、フェニ
ル基、置換フェニル基、ナフチル基、C1〜3アシル
基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基を示す。また、R
8及びR9は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成
することもできる。)で表される基を示し、C1〜6ア
ルキルチオ基、C1〜6アルキルチオC1〜3アルキル
基、フェニルチオ基、置換フェニルチオ基、C1〜6ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基、カ
ルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、C1〜6
アルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、置換フ
ェニルスルホニル基、C1〜6アルコキシC1〜6アル
キル基、C1〜6アルコキシC1〜6アルコキシ基、C
1〜6アルキルチオC1〜6アルキル基、C1〜6アル
コキシC1〜6アルキルチオ基、C1〜6アルキルチオ
C1〜6アルコキシ基、アリルチオ基、C1〜6アルキ
ルスルフィニル基、フリル基、チェニル基、ピリジル
基、置換されていてもよいピリミジニルオキシ基、置換
されていてもよいピリミジニルチオ基、置換トリアジニ
ルオキシ基、置換トリアジニルチオ基を示し、Wは酸素
原子、硫黄原子、基−NR10(式中、R10は水素原
子、C1〜3アルキル基、C2〜5アルケニル基、C2
〜4アルキニル基、ホルミル基、C1〜3アルコキシC
1〜3アルキル基、C1〜3アルキルスルホニル基、フ
ェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル基、C1
〜3アシル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基を示
す。)を示し、Zは窒素原子またはメチン基を示し、n
は1〜5の整数を示す。〕で表されるピリミジンまたは
トリアジン誘導体及びその塩。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は新規なピリミジンまたは
トリアジン誘導体及びその塩を有効成分として含有する
水田、畑地及び非農耕地等に適用できる除草剤に関する
ものである。
トリアジン誘導体及びその塩を有効成分として含有する
水田、畑地及び非農耕地等に適用できる除草剤に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】すでに、特開平2−121973号明細
書には次の化合物が除草作用を有することが記載されて
いる。
書には次の化合物が除草作用を有することが記載されて
いる。
【0003】
【化3】
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の特許明細書に記載された化合物の除草効果は必ずしも
十分なものとはいえない。本発明者らはピリミジンまた
はトリアジン系化合物について、さらに改良された化合
物を開発することを目的に鋭意研究した結果、ヘテロ環
を導入した本発明のピリミジンまたはトリアジン誘導体
が一年生雑草はもとより多年生雑草に対しても優れた除
草効果を示すとともに、作物に対する安全性が高いこと
を見い出し本発明を完成した。
の特許明細書に記載された化合物の除草効果は必ずしも
十分なものとはいえない。本発明者らはピリミジンまた
はトリアジン系化合物について、さらに改良された化合
物を開発することを目的に鋭意研究した結果、ヘテロ環
を導入した本発明のピリミジンまたはトリアジン誘導体
が一年生雑草はもとより多年生雑草に対しても優れた除
草効果を示すとともに、作物に対する安全性が高いこと
を見い出し本発明を完成した。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明化合物は一般式
〔I〕
〔I〕
【0006】
【化4】
【0007】〔式中、Aは式
【0008】
【化5】
【0009】で表される複素環を示し、Rは水素原子、
水酸基、イミダゾリル基、C1〜6アルコキシ基、C3
〜6アルケニルオキシ基、C3〜6アルキニルオキシ
基、C1〜6アルキルチオ基、C3〜7シクロアルコキ
シ基、ベンジルオキシ基、置換ベンジルオキシ基、ベン
ジルチオ基、置換ベンジルチオ基、C3〜6シクロアル
キルチオ基、C1〜4アルコキシC1〜4アルコキシ
基、フリルオキシ基、テトラヒドロフリルオキシ基、フ
ェノキシ基、置換フエノキシ基、C2〜4アラルキルオ
キシ基、C1〜4アルキルチオC1〜4アルコキシ基、
シアノC1〜4アルコキシ基、C1〜4アルコキシカル
ボニルC1〜4アルコキシ基、N,N−ジC1〜3アル
キルアミノC1〜3アルコキシ基,N,N−ジC1〜3
アルキルアミノC1〜3アルキルチオ基、C3〜9の直
鎖または環状のアルキリデンアミノオキシ基、C1〜4
アルキルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミ
ノ基、置換フェニルスルホニルアミノ基、トリメチルシ
リルエトキシ基、式−NR4R5(式中、R4及びR5
は同一または相異なり、水素原子、水酸基、C1〜6ア
ルキル基、C1〜6アルコキシ基、C3〜6アルケニル
基、フェニル基、置換フェニル基、C3〜6シクロアル
キル基、1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、C1〜
3アシル基、C3〜6アルキニル基、C3〜5アルケニ
ルオキシ基、C3〜5アルキニルオキシ基、ベンジルオ
キシ基、置換ベンジルオキシ基、C1〜4アルコキシカ
ルボニルC1〜3アルキル基、C1〜4アルコキシカル
ボニルC1〜3アルコシキ基、アミノ基、ジメチルアミ
ノ基、シアノ基、C1〜4アルキルスルホニル基、フェ
ニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル基、アセチ
ルアミノ基、アニリノ基を示す。また、R4及びR5は
一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成することもで
きる。)で表される基を示し、R1及びR2は同一また
は相異なり、水素原子(但し、R1及びR2は同一の場
合を除く)、ハロゲン原子、C1〜6アルキル基、C1
〜6ハロアルキル基、C1〜6アルコキシ基、C1〜6
ハロアルコキシ基、C1〜6アルキルチオ基、フェノキ
シ基、置換フェノキシ基、C1〜3アルコキシC1〜3
アルキル基、C3〜6シクロアルキル基、C2〜5アル
ケニル基、C3〜5アルケニルオキシ基、C2〜4アル
キニル基、C3〜5アルキニルオキシ基、C1〜3アル
キルチオC1〜3アルキル基、式−NR6R7(式中、
R6及びR7は同一または相異なり、水素原子、水酸
基、C1〜4アルキル基、C1〜4アルコキシ、C2〜
4アルケニル基、C2〜4アルキニル基、C3〜5アル
ケニルオキシ基、C3〜5アルキニルオキシ基を示す。
またR6及びR7は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環
を形成することもできる。)で表される基を示し、R3
は水素原子、C1〜6アルキル基、フェニル基、置換フ
ェニル基、ベンジル基、置換ベンジル基、ベンゾイル
基、置換ベンゾイル基、C1〜3アシル基、C1〜6ア
ルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、置換フェ
ニルスルホ二ル基を示し、Xは水素原子、C1〜6アル
キル基、C1〜6ハロアルキル基、C1〜6アルコキシ
基、C1〜6ハロアルコキシ基、C3〜6アルケニル
基、フェニル基、置換フェニル基、ベンジル基、置換ベ
ンジル基、フェノキシ基、置換フェノキシ基、ベンジル
オキシ基、置換ベンジルオキシ基、C1〜3アシル基、
ナフチル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基、ハロゲ
ン原子、ホルミル基、ニトロ基、式−NR8R9(式
中、R8及びR9は同一または異なり、水素原子、C1
〜12アルキル基、C3〜6アルケニル基、C3〜6ア
ルキニル基、フェニル基、置換フェニル基、ナフチル
基、C1〜3アシル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル
基を示す。また、R8及びR9は一緒にヘテロ原子を含
んでもよい環を形成することもできる。)で表される基
を示し、C1〜6アルキルチオ基、C1〜6アルキルチ
オC1〜3アルキル基、フェニルチオ基、置換フェニル
チオ基、C1〜6アルコキシカルボニル基、カルボキシ
ル基、シアノ基、カルバモイル基、N−アルキルカルバ
モイル基、C1〜6アルキルスルホニル基、フェニルス
ルホニル基、置換フェニルスルホニル基、C1〜6アル
コキシC1〜6アルキル基、C1〜6アルコキシC1〜
6アルコキシ基、C1〜6アルキルチオC1〜6アルキ
ル基、C1〜6アルコキシC1〜6アルキルチオ基、C
1〜6アルキルチオC1〜6アルコキシ基、アリルチオ
基、C1〜6アルキルスルフィニル基、フリル基、チェ
ニル基、ピリジル基、置換されていてもよいピリミジニ
ルオキシ基、置換されていてもよいピリミジニルチオ
基、置換トリアジニルオキシ基、置換トリアジニルチオ
基を示し、Wは酸素原子、硫黄原子、基−NR10(式
中、R10は水素原子、C1〜3アルキル基、C2〜5
アルケニル基、C2〜4アルキニル基、ホルミル基、C
1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、C1〜3アルキ
ルスルホニル基、フェニルスルホニル基、置換フェニル
スルホニル基、C1〜3アシル基、ベンゾイル基、置換
ベンゾイル基を示す。)を示し、Zは窒素原子またはメ
チン基を示し、nは1〜5の整数を示す。〕で表される
ピリミジンまたはトリアジン誘導体及びその塩並びにこ
れらを有効成分として含有する除草剤である。次に、本
発明化合物を表1〜表61に例示する。化合物番号は以
後の記載において参照される。
水酸基、イミダゾリル基、C1〜6アルコキシ基、C3
〜6アルケニルオキシ基、C3〜6アルキニルオキシ
基、C1〜6アルキルチオ基、C3〜7シクロアルコキ
シ基、ベンジルオキシ基、置換ベンジルオキシ基、ベン
ジルチオ基、置換ベンジルチオ基、C3〜6シクロアル
キルチオ基、C1〜4アルコキシC1〜4アルコキシ
基、フリルオキシ基、テトラヒドロフリルオキシ基、フ
ェノキシ基、置換フエノキシ基、C2〜4アラルキルオ
キシ基、C1〜4アルキルチオC1〜4アルコキシ基、
シアノC1〜4アルコキシ基、C1〜4アルコキシカル
ボニルC1〜4アルコキシ基、N,N−ジC1〜3アル
キルアミノC1〜3アルコキシ基,N,N−ジC1〜3
アルキルアミノC1〜3アルキルチオ基、C3〜9の直
鎖または環状のアルキリデンアミノオキシ基、C1〜4
アルキルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミ
ノ基、置換フェニルスルホニルアミノ基、トリメチルシ
リルエトキシ基、式−NR4R5(式中、R4及びR5
は同一または相異なり、水素原子、水酸基、C1〜6ア
ルキル基、C1〜6アルコキシ基、C3〜6アルケニル
基、フェニル基、置換フェニル基、C3〜6シクロアル
キル基、1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、C1〜
3アシル基、C3〜6アルキニル基、C3〜5アルケニ
ルオキシ基、C3〜5アルキニルオキシ基、ベンジルオ
キシ基、置換ベンジルオキシ基、C1〜4アルコキシカ
ルボニルC1〜3アルキル基、C1〜4アルコキシカル
ボニルC1〜3アルコシキ基、アミノ基、ジメチルアミ
ノ基、シアノ基、C1〜4アルキルスルホニル基、フェ
ニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル基、アセチ
ルアミノ基、アニリノ基を示す。また、R4及びR5は
一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成することもで
きる。)で表される基を示し、R1及びR2は同一また
は相異なり、水素原子(但し、R1及びR2は同一の場
合を除く)、ハロゲン原子、C1〜6アルキル基、C1
〜6ハロアルキル基、C1〜6アルコキシ基、C1〜6
ハロアルコキシ基、C1〜6アルキルチオ基、フェノキ
シ基、置換フェノキシ基、C1〜3アルコキシC1〜3
アルキル基、C3〜6シクロアルキル基、C2〜5アル
ケニル基、C3〜5アルケニルオキシ基、C2〜4アル
キニル基、C3〜5アルキニルオキシ基、C1〜3アル
キルチオC1〜3アルキル基、式−NR6R7(式中、
R6及びR7は同一または相異なり、水素原子、水酸
基、C1〜4アルキル基、C1〜4アルコキシ、C2〜
4アルケニル基、C2〜4アルキニル基、C3〜5アル
ケニルオキシ基、C3〜5アルキニルオキシ基を示す。
またR6及びR7は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環
を形成することもできる。)で表される基を示し、R3
は水素原子、C1〜6アルキル基、フェニル基、置換フ
ェニル基、ベンジル基、置換ベンジル基、ベンゾイル
基、置換ベンゾイル基、C1〜3アシル基、C1〜6ア
ルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、置換フェ
ニルスルホ二ル基を示し、Xは水素原子、C1〜6アル
キル基、C1〜6ハロアルキル基、C1〜6アルコキシ
基、C1〜6ハロアルコキシ基、C3〜6アルケニル
基、フェニル基、置換フェニル基、ベンジル基、置換ベ
ンジル基、フェノキシ基、置換フェノキシ基、ベンジル
オキシ基、置換ベンジルオキシ基、C1〜3アシル基、
ナフチル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基、ハロゲ
ン原子、ホルミル基、ニトロ基、式−NR8R9(式
中、R8及びR9は同一または異なり、水素原子、C1
〜12アルキル基、C3〜6アルケニル基、C3〜6ア
ルキニル基、フェニル基、置換フェニル基、ナフチル
基、C1〜3アシル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル
基を示す。また、R8及びR9は一緒にヘテロ原子を含
んでもよい環を形成することもできる。)で表される基
を示し、C1〜6アルキルチオ基、C1〜6アルキルチ
オC1〜3アルキル基、フェニルチオ基、置換フェニル
チオ基、C1〜6アルコキシカルボニル基、カルボキシ
ル基、シアノ基、カルバモイル基、N−アルキルカルバ
モイル基、C1〜6アルキルスルホニル基、フェニルス
ルホニル基、置換フェニルスルホニル基、C1〜6アル
コキシC1〜6アルキル基、C1〜6アルコキシC1〜
6アルコキシ基、C1〜6アルキルチオC1〜6アルキ
ル基、C1〜6アルコキシC1〜6アルキルチオ基、C
1〜6アルキルチオC1〜6アルコキシ基、アリルチオ
基、C1〜6アルキルスルフィニル基、フリル基、チェ
ニル基、ピリジル基、置換されていてもよいピリミジニ
ルオキシ基、置換されていてもよいピリミジニルチオ
基、置換トリアジニルオキシ基、置換トリアジニルチオ
基を示し、Wは酸素原子、硫黄原子、基−NR10(式
中、R10は水素原子、C1〜3アルキル基、C2〜5
アルケニル基、C2〜4アルキニル基、ホルミル基、C
1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、C1〜3アルキ
ルスルホニル基、フェニルスルホニル基、置換フェニル
スルホニル基、C1〜3アシル基、ベンゾイル基、置換
ベンゾイル基を示す。)を示し、Zは窒素原子またはメ
チン基を示し、nは1〜5の整数を示す。〕で表される
ピリミジンまたはトリアジン誘導体及びその塩並びにこ
れらを有効成分として含有する除草剤である。次に、本
発明化合物を表1〜表61に例示する。化合物番号は以
後の記載において参照される。
【0010】
【表1】
【0011】
【表2】
【0012】
【表3】
【0013】
【表4】
【0014】
【表5】
【0015】
【表6】
【0016】
【表7】
【0017】
【表8】
【0018】
【表9】
【0019】
【表10】
【0020】
【表11】
【0021】
【表12】
【0022】
【表13】
【0023】
【表14】
【0024】
【表15】
【0025】
【表16】
【0026】
【表17】
【0027】
【表18】
【0028】
【表19】
【0029】
【表20】
【0030】
【表21】
【0031】
【表22】
【0032】
【表23】
【0033】
【表24】
【0034】
【表25】
【0035】
【表26】
【0036】
【表27】
【0037】
【表28】
【0038】
【表29】
【0039】
【表30】
【0040】
【表31】
【0041】
【表32】
【0042】
【表33】
【0043】
【表34】
【0044】
【表35】
【0045】
【表36】
【0046】
【表37】
【0047】
【表38】
【0048】
【表39】
【0049】
【表40】
【0050】
【表41】
【0051】
【表42】
【0052】
【表43】
【0053】
【表44】
【0054】
【表45】
【0055】
【表46】
【0056】
【表47】
【0057】
【表48】
【0058】
【表49】
【0059】
【表50】
【0060】
【表51】
【0061】
【表52】
【0062】
【表53】
【0063】
【表54】
【0064】
【表55】
【0065】
【表56】
【0066】
【表57】
【0067】
【表58】
【0068】
【表59】
【0069】
【表60】
【0070】
【表61】
【0071】本発明化合物は、例えば次に示すA〜Hの
方法により製造することができる。 製造法<A>
方法により製造することができる。 製造法<A>
【0072】
【化6】
【0073】(式中、A1は式
【0074】
【化7】
【0075】で表される複素環を示し、Lはハロゲン原
子、アルキルスルホニル基、ベンジルスルホニル基、置
換ベンジルスルホニル基、アルキルスルホナート基また
はハロアルキルスルホナート基を示し、W、X、Z、
n、R、R1、R2及びR3は前記と同じ意味を示
す。)
子、アルキルスルホニル基、ベンジルスルホニル基、置
換ベンジルスルホニル基、アルキルスルホナート基また
はハロアルキルスルホナート基を示し、W、X、Z、
n、R、R1、R2及びR3は前記と同じ意味を示
す。)
【0076】一般式〔IV〕で示される化合物は、一般
式〔II〕で示される化合物と一般式〔III〕で示さ
れる化合物とを当量以上の塩基の存在下、適当な溶媒中
で室温から溶媒の沸点の範囲で0.5〜24時間反応さ
せることにより製造することができる。塩基としては金
属リチウム、金属ナトリウム、金属カリウム等のアルカ
リ金属類、n−ブチルリチウム及びリチウムジイソプロ
ピルアミン等の有機リチウム試薬、水素化ナトリウム、
水素化カリウム、水素化カルシウム等の水素化アルカリ
金属及び水素化アルカリ土類金属類、カリウム t−ブ
トキシド等のアルカリ金属アルコキシド類、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩類、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属類
が使用できる。また、溶媒としてはへキサン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、ジクロロ
メタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、
ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオ
キサン等のエーテル系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル等
のエステル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等の
ケトン系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド,N,N
−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非
プロトン性極性溶媒、その他アセトニトリル等が使用で
きる。 製造法<B>
式〔II〕で示される化合物と一般式〔III〕で示さ
れる化合物とを当量以上の塩基の存在下、適当な溶媒中
で室温から溶媒の沸点の範囲で0.5〜24時間反応さ
せることにより製造することができる。塩基としては金
属リチウム、金属ナトリウム、金属カリウム等のアルカ
リ金属類、n−ブチルリチウム及びリチウムジイソプロ
ピルアミン等の有機リチウム試薬、水素化ナトリウム、
水素化カリウム、水素化カルシウム等の水素化アルカリ
金属及び水素化アルカリ土類金属類、カリウム t−ブ
トキシド等のアルカリ金属アルコキシド類、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩類、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属類
が使用できる。また、溶媒としてはへキサン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、ジクロロ
メタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、
ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオ
キサン等のエーテル系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル等
のエステル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等の
ケトン系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド,N,N
−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非
プロトン性極性溶媒、その他アセトニトリル等が使用で
きる。 製造法<B>
【0077】
【化8】
【0078】(式中、A2は式
【0079】
【化9】
【0080】で表される複素環を示し、L、W、X、
Z、n、R、R1、R2及びR3は前記と同じ意味を示
す。)
Z、n、R、R1、R2及びR3は前記と同じ意味を示
す。)
【0081】一般式〔VII〕で示される化合物は、一
般式〔V〕で示される化合物と一般式〔VI〕で示され
る化合物とを当量以上の塩基の存在下、適当な溶媒中で
室温から溶媒の沸点の範囲で0.5〜24時間反応させ
ることにより製造することができる。使用する塩基及び
溶媒については、製造法<A>で記載したものと同じも
のを使用することができる。 製造法<C>
般式〔V〕で示される化合物と一般式〔VI〕で示され
る化合物とを当量以上の塩基の存在下、適当な溶媒中で
室温から溶媒の沸点の範囲で0.5〜24時間反応させ
ることにより製造することができる。使用する塩基及び
溶媒については、製造法<A>で記載したものと同じも
のを使用することができる。 製造法<C>
【0082】
【化10】
【0083】(式中、R11はC1〜6アルキル基、C
3〜7シクロアルキル基、ベンジル基、置換ベンジル
基、C1〜4アルコキシC1〜4アルキル基、テトラヒ
ドロフリル基、C2〜4アラルキル基、C1〜4アルキ
ルチオC1〜4アルキル基、シアノC1〜4アルキル
基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜4アルキル
基、N,N−ジC1〜3アルキルアミノC1〜3アルキ
ル基を示し、A、L、R1、R2、W及びZは前記と同
じ意味を示す。)
3〜7シクロアルキル基、ベンジル基、置換ベンジル
基、C1〜4アルコキシC1〜4アルキル基、テトラヒ
ドロフリル基、C2〜4アラルキル基、C1〜4アルキ
ルチオC1〜4アルキル基、シアノC1〜4アルキル
基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜4アルキル
基、N,N−ジC1〜3アルキルアミノC1〜3アルキ
ル基を示し、A、L、R1、R2、W及びZは前記と同
じ意味を示す。)
【0084】一般式〔X〕にて表される化合物は、一般
式〔VIII〕にて表される化合物と一般式〔IX〕に
て表される化合物とを塩基の存在下、溶媒中、反応温度
−10〜200℃で0.1〜30時間反応させることに
より製造することができる。ここで、塩基としては炭酸
カリウム、炭酸水素ナトリウム、水素化ナトリウム、ト
リエチルアミン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジ
ン等の有機または無機の塩基が使用できる。また、溶媒
としてはアセトン、アセトニトリル、テトラヒドロフラ
ン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド、ベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロ
メタン、クロロホルム等が使用できる。 製造法<D>
式〔VIII〕にて表される化合物と一般式〔IX〕に
て表される化合物とを塩基の存在下、溶媒中、反応温度
−10〜200℃で0.1〜30時間反応させることに
より製造することができる。ここで、塩基としては炭酸
カリウム、炭酸水素ナトリウム、水素化ナトリウム、ト
リエチルアミン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジ
ン等の有機または無機の塩基が使用できる。また、溶媒
としてはアセトン、アセトニトリル、テトラヒドロフラ
ン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド、ベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロ
メタン、クロロホルム等が使用できる。 製造法<D>
【0085】
【化11】
【0086】(式中、R12及びR13は同一または相
異なるC1〜4アルキル基を示し、またはヘテロ原子を
含んでもよい環を形成することもできる。A、W、Z、
R1及びR2は前記と同じ意味を示す。)
異なるC1〜4アルキル基を示し、またはヘテロ原子を
含んでもよい環を形成することもできる。A、W、Z、
R1及びR2は前記と同じ意味を示す。)
【0087】一般式〔XII〕にて表される化合物は、
一般式〔VIII〕にて表される化合物と一般式〔X
I〕にて表される化合物とを塩基及びジメチルアミドホ
スホリルジクロライドまたはフェニルホスホロジクロラ
イド等のリン酸ジクロライドの存在下、溶媒中において
反応温度−10〜100℃で1〜10時間反応させるこ
とにより製造することができる。ここで、塩基としては
ピリジン、トリエチルアミン等の有機3級アミン等が使
用できる。また、溶媒としてはN,N−ジメチルホルム
アミド,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド等が使用できる。 製造法<E>
一般式〔VIII〕にて表される化合物と一般式〔X
I〕にて表される化合物とを塩基及びジメチルアミドホ
スホリルジクロライドまたはフェニルホスホロジクロラ
イド等のリン酸ジクロライドの存在下、溶媒中において
反応温度−10〜100℃で1〜10時間反応させるこ
とにより製造することができる。ここで、塩基としては
ピリジン、トリエチルアミン等の有機3級アミン等が使
用できる。また、溶媒としてはN,N−ジメチルホルム
アミド,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド等が使用できる。 製造法<E>
【0088】
【化12】
【0089】(式中、R14はC1〜6アルコキシ基、
C3〜6アルケニルオキシ基、C3〜6アルキニルオキ
シ基、C1〜6アルキルチオ基、C3〜7シクロアルコ
キシ基、ベンジルオキシ基、置換ベンジルオキシ基、ベ
ンジルチオ基、置換ベンジルチオ基、C3〜6シクロア
ルキルチオ基、C1〜4アルコキシC1〜4アルコキシ
基、フリルオキシ基、テトラヒドロフリルオキシ基、フ
ェノキシ基、置換フェノキシ基、C2〜4アラルキルオ
キシ基、C1〜4アルキルチオC1〜4アルコキシ基、
シアノC1〜4アルコキシ基、C1〜4アルコキシカル
ボニルC1〜4アルコキシ基、N,N−ジC1〜3アル
キルアミノC1〜3アルコキシ基、N,N−ジC1〜3
アルキルアミノC1〜3アルキルチオ基、C3〜9の直
鎖または環状のアルキリデンアミノオキシ基、トリメチ
ルシリルエトキシ基を示し、A、R1、R2、Z及びW
は前記と同じ意味を示し、Mは1価のカチオンを示
す。)
C3〜6アルケニルオキシ基、C3〜6アルキニルオキ
シ基、C1〜6アルキルチオ基、C3〜7シクロアルコ
キシ基、ベンジルオキシ基、置換ベンジルオキシ基、ベ
ンジルチオ基、置換ベンジルチオ基、C3〜6シクロア
ルキルチオ基、C1〜4アルコキシC1〜4アルコキシ
基、フリルオキシ基、テトラヒドロフリルオキシ基、フ
ェノキシ基、置換フェノキシ基、C2〜4アラルキルオ
キシ基、C1〜4アルキルチオC1〜4アルコキシ基、
シアノC1〜4アルコキシ基、C1〜4アルコキシカル
ボニルC1〜4アルコキシ基、N,N−ジC1〜3アル
キルアミノC1〜3アルコキシ基、N,N−ジC1〜3
アルキルアミノC1〜3アルキルチオ基、C3〜9の直
鎖または環状のアルキリデンアミノオキシ基、トリメチ
ルシリルエトキシ基を示し、A、R1、R2、Z及びW
は前記と同じ意味を示し、Mは1価のカチオンを示
す。)
【0090】一般式〔X〕にて表される化合物を塩基の
存在下、水及び溶媒の混合系で反応温度0〜120℃で
1〜24時間反応させ、一般式〔XIII〕にて表され
る化合物を製造することができる。次に、一般式〔XI
II〕を常法により、例えば塩酸でpH3〜4にするこ
とにより一般式〔VIII〕を得ることができる。ここ
で、塩基としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の無機塩基が使用でき
る。また、溶媒としてはアセトン、アセトニトリル、メ
タノール、エタノール、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、ジメトキシエタン、N,N−ジメチルホルムアミ
ド,N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド等が使用できる。尚、一般式〔X〕においてR12
がベンジル基、置換ベンジル基を示すときには、例えば
パラジウム−炭素等を触媒とする常圧の加水素化反応に
より、一般式〔VIII〕の化合物を得ることができ
る。 製造法<F>
存在下、水及び溶媒の混合系で反応温度0〜120℃で
1〜24時間反応させ、一般式〔XIII〕にて表され
る化合物を製造することができる。次に、一般式〔XI
II〕を常法により、例えば塩酸でpH3〜4にするこ
とにより一般式〔VIII〕を得ることができる。ここ
で、塩基としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の無機塩基が使用でき
る。また、溶媒としてはアセトン、アセトニトリル、メ
タノール、エタノール、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、ジメトキシエタン、N,N−ジメチルホルムアミ
ド,N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド等が使用できる。尚、一般式〔X〕においてR12
がベンジル基、置換ベンジル基を示すときには、例えば
パラジウム−炭素等を触媒とする常圧の加水素化反応に
より、一般式〔VIII〕の化合物を得ることができ
る。 製造法<F>
【0091】一般式〔VIII〕にて表される化合物と
塩基とを、水、アルコール、アセトニトリル、アセト
ン、エーテル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド等の溶媒中、反応温度0〜100℃で
0.2〜10時間反応させることにより、一般式〔VI
II〕にて表される化合物の有機または無機塩を製造す
ることができる。ここで、塩基としては水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ金
属またはアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等の炭酸塩類、アン
モニア、エチルアミン、ジメチルアミン、イソプロピル
アミン、ジイソプロピルアミン、ジエタノールアミン、
トリエチルアミン等の1級、2級及び3級アミン類が使
用できる。 製造法<G>
塩基とを、水、アルコール、アセトニトリル、アセト
ン、エーテル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド等の溶媒中、反応温度0〜100℃で
0.2〜10時間反応させることにより、一般式〔VI
II〕にて表される化合物の有機または無機塩を製造す
ることができる。ここで、塩基としては水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ金
属またはアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等の炭酸塩類、アン
モニア、エチルアミン、ジメチルアミン、イソプロピル
アミン、ジイソプロピルアミン、ジエタノールアミン、
トリエチルアミン等の1級、2級及び3級アミン類が使
用できる。 製造法<G>
【0092】一般式〔VIII〕にて表される化合物と
等モルの水酸化ナトリウム水溶液を室温で反応させた
後、塩化マグネシウム、塩化第二銅、塩化カルシウム、
塩化鉄、塩化亜鉛、塩化マンガン等の金属ハロゲン化
物、硫酸マグネシウム、硫酸銅、硫酸カルシウム、硫酸
鉄、硫酸亜鉛、硫酸マンガン等の硫酸塩を加えて、水、
アルコール等の溶媒中で、−10℃〜200℃の温度で
1分〜20時間反応させることにより一般式〔VII
I〕にて表される化合物の無機塩を製造することができ
る。 製造法<H>
等モルの水酸化ナトリウム水溶液を室温で反応させた
後、塩化マグネシウム、塩化第二銅、塩化カルシウム、
塩化鉄、塩化亜鉛、塩化マンガン等の金属ハロゲン化
物、硫酸マグネシウム、硫酸銅、硫酸カルシウム、硫酸
鉄、硫酸亜鉛、硫酸マンガン等の硫酸塩を加えて、水、
アルコール等の溶媒中で、−10℃〜200℃の温度で
1分〜20時間反応させることにより一般式〔VII
I〕にて表される化合物の無機塩を製造することができ
る。 製造法<H>
【0093】
【化13】
【0094】(式中、R15はC1〜4アルキル基、フ
ェニル基、置換フェニル基を示し、R1、R2、W、Z
及びAは前記と同じ意味を示す。)
ェニル基、置換フェニル基を示し、R1、R2、W、Z
及びAは前記と同じ意味を示す。)
【0095】一般式〔VIII〕にて表され化合物と化
合物〔XIV〕とを溶媒中において反応温度−10〜1
00℃で1〜10時間反応させて、一般式〔XV〕にて
表される化合物を製造することができる。溶媒としては
エチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ベ
ンゼン、トルエン等が使用できる。続いて、一般式〔X
V〕にて表される化合物と化合物〔XVI〕とを塩基の
存在下、溶媒中において反応温度−20〜150°で
0.5〜20時間反応させ、一般式〔XVII〕にて表
される化合物を製造することができる。ここで、塩基と
しては水素化ナトリウム、金属ナトリウム、t−ブトキ
シカリウム、ブチルリチウム等が使用できる。また、溶
媒としてはアセトン、アセトニトリル、テトラヒドロフ
ラン、N,N−ジメチルホルムアミド,N,N−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ベンゼン、ト
ルエン等が使用できる。
合物〔XIV〕とを溶媒中において反応温度−10〜1
00℃で1〜10時間反応させて、一般式〔XV〕にて
表される化合物を製造することができる。溶媒としては
エチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ベ
ンゼン、トルエン等が使用できる。続いて、一般式〔X
V〕にて表される化合物と化合物〔XVI〕とを塩基の
存在下、溶媒中において反応温度−20〜150°で
0.5〜20時間反応させ、一般式〔XVII〕にて表
される化合物を製造することができる。ここで、塩基と
しては水素化ナトリウム、金属ナトリウム、t−ブトキ
シカリウム、ブチルリチウム等が使用できる。また、溶
媒としてはアセトン、アセトニトリル、テトラヒドロフ
ラン、N,N−ジメチルホルムアミド,N,N−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ベンゼン、ト
ルエン等が使用できる。
【0096】
【実施例】次に実施例をあげて具体的に本発明化合物の
製造法、製剤法及び用途を説明する。 実施例1 <A法> 3−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)キノリン−4−カルボン酸(化合物番号755)の
合成 3−ヒドロキシキノリン−4−カルボン酸8.0g(4
2.3ミリモル)、4,6−ジメトキシ−2−メチルス
ルホニルピリミジン10.2g(46.6ミリモル)及
び炭酸カリウム14.0g(101ミリモル)にN,N
−ジメチルホルムアミド100mlを加え、80〜10
0℃で3時間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中に注
ぎ、酢酸エチルで洗浄した。水層を10%HCl溶液で
pH3〜4に調整し、酢酸エチルで抽出した。有機層
を、水及び飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。次に減圧下で溶媒を留去し、得られた結晶を
ジイソプロピルエーテルにて洗浄し、3.8g(収率2
7.5%)の目的物を得た。融点179〜184℃。
製造法、製剤法及び用途を説明する。 実施例1 <A法> 3−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)キノリン−4−カルボン酸(化合物番号755)の
合成 3−ヒドロキシキノリン−4−カルボン酸8.0g(4
2.3ミリモル)、4,6−ジメトキシ−2−メチルス
ルホニルピリミジン10.2g(46.6ミリモル)及
び炭酸カリウム14.0g(101ミリモル)にN,N
−ジメチルホルムアミド100mlを加え、80〜10
0℃で3時間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中に注
ぎ、酢酸エチルで洗浄した。水層を10%HCl溶液で
pH3〜4に調整し、酢酸エチルで抽出した。有機層
を、水及び飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。次に減圧下で溶媒を留去し、得られた結晶を
ジイソプロピルエーテルにて洗浄し、3.8g(収率2
7.5%)の目的物を得た。融点179〜184℃。
【0097】実施例2 <A法> 3−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)ベンゾフラン−2−カルボン酸メチルエステル(化
合物番号674)の合成 3−ヒドロキシベンゾフラン−2−カルボン酸メチルエ
ステル5.0g(26.0ミリモル)、4,6−ジメト
キシ−2−フルオロピリミジン4.6g(28.9ミリ
モル)及び炭酸カリウム(43.4ミリモル)にN,N
−ジメチルスルホキシド100mlを加え、80〜10
0℃で30分間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中に
注ぎ、酢酸エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次に減圧下で溶媒
を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製
し、3.6g(収率41.9%)の目的物を得た。融点
135〜138℃。
シ)ベンゾフラン−2−カルボン酸メチルエステル(化
合物番号674)の合成 3−ヒドロキシベンゾフラン−2−カルボン酸メチルエ
ステル5.0g(26.0ミリモル)、4,6−ジメト
キシ−2−フルオロピリミジン4.6g(28.9ミリ
モル)及び炭酸カリウム(43.4ミリモル)にN,N
−ジメチルスルホキシド100mlを加え、80〜10
0℃で30分間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中に
注ぎ、酢酸エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次に減圧下で溶媒
を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製
し、3.6g(収率41.9%)の目的物を得た。融点
135〜138℃。
【0098】実施例3 <A法> 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−2−メチルチオメチルチオフェン−3−カルボン
酸エチルエステル(化合物番号169)の合成 4−ヒドロキシ−2−メチルチオメチルチオフェン−3
−カルボン酸エチルエステル3.5g(15.1ミリモ
ル)、4,6−ジメトキシ−2−メチルスルホニルピリ
ミジン3.3g(15.1ミリモル)及び炭酸カリウム
2.1g(15.2ミリモル)にN,N−ジメチルホル
ムアミド50mlを加え、90〜100℃で2時間加熱
攪拌した。冷却後、反応液を水中に注ぎ、酢酸エチルで
抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウ
ムにて乾燥した。次に減圧下で溶媒を留去し、残渣をカ
ラムクロマトグラフィーにて精製し、2.8g(収率5
0.0%)の目的物を得た。
シ)−2−メチルチオメチルチオフェン−3−カルボン
酸エチルエステル(化合物番号169)の合成 4−ヒドロキシ−2−メチルチオメチルチオフェン−3
−カルボン酸エチルエステル3.5g(15.1ミリモ
ル)、4,6−ジメトキシ−2−メチルスルホニルピリ
ミジン3.3g(15.1ミリモル)及び炭酸カリウム
2.1g(15.2ミリモル)にN,N−ジメチルホル
ムアミド50mlを加え、90〜100℃で2時間加熱
攪拌した。冷却後、反応液を水中に注ぎ、酢酸エチルで
抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウ
ムにて乾燥した。次に減圧下で溶媒を留去し、残渣をカ
ラムクロマトグラフィーにて精製し、2.8g(収率5
0.0%)の目的物を得た。
【0099】実施例4 <B法> 3−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)ピラジン−2−カルボン酸メチルエステル(化合物
番号622)の合成 3−クロルピラジン−2−カルボン酸メチルエステル
3.5g(2.03ミリモル)、4,6−ジメトキシ−
2−ヒドロキシピリミジン3.6g(2.31ミリモ
ル)及び炭酸カリウム4.2g(3.04ミリモル)に
N,N−ジメチルホルムアミド150mlを加え、10
0℃で25時間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中に
注ぎ、酢酸エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次に減圧下で溶媒
を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製
し、0.5g(収率7.0%)の目的物を得た。融点8
8〜93℃。
シ)ピラジン−2−カルボン酸メチルエステル(化合物
番号622)の合成 3−クロルピラジン−2−カルボン酸メチルエステル
3.5g(2.03ミリモル)、4,6−ジメトキシ−
2−ヒドロキシピリミジン3.6g(2.31ミリモ
ル)及び炭酸カリウム4.2g(3.04ミリモル)に
N,N−ジメチルホルムアミド150mlを加え、10
0℃で25時間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中に
注ぎ、酢酸エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次に減圧下で溶媒
を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製
し、0.5g(収率7.0%)の目的物を得た。融点8
8〜93℃。
【0100】実施例5 <B法> 3−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)キノキサリン−2−カルボン酸エチルエステル(化
合物番号777)の合成 3−クロルキノキサリン−2−カルボン酸エチルエステ
ル2.3g(9.72ミリモル)、4,6−ジメトキシ
−2−ヒドロキシピリミジン2.0g(12.8ミリモ
ル)及び炭酸カリウム1.8g(13.0ミリモル)に
N,N−ジメチルホルムアミド100mlを加え、10
0℃で23時間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中に
注ぎ、酢酸エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次に減圧下で、溶
媒を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製
し、2.2g(収率64.7%)の目的物を得た。屈折
率1.5933。
シ)キノキサリン−2−カルボン酸エチルエステル(化
合物番号777)の合成 3−クロルキノキサリン−2−カルボン酸エチルエステ
ル2.3g(9.72ミリモル)、4,6−ジメトキシ
−2−ヒドロキシピリミジン2.0g(12.8ミリモ
ル)及び炭酸カリウム1.8g(13.0ミリモル)に
N,N−ジメチルホルムアミド100mlを加え、10
0℃で23時間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中に
注ぎ、酢酸エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次に減圧下で、溶
媒を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製
し、2.2g(収率64.7%)の目的物を得た。屈折
率1.5933。
【0101】実施例6 <C法> 5−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−3(4−メチルフェニル)−2−メチルチオイミ
ダゾール−4−カルボン酸エチルエステル(化合物番号
537)の合成 5(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキシ)
−3(4−メチルフェニル)−2−メチルチオイミダゾ
ール−4−カルボン酸2.0g(49.7ミリモル)及
び炭酸カリウム0.8g(5.79ミリモル)に、N,
N−ジメチルホルムアミド30mlを加え、室温で30
分間攪拌した。ヨウ化エチル0.9g(5.77ミリモ
ル)を室温下で加え、さらに3時間室温で攪拌後、水に
注いだ。酢酸エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。次に、減圧下で
溶媒を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーにて精
製し、1.86g(収率86.9%)の目的物を得た。
融点147〜148℃。
シ)−3(4−メチルフェニル)−2−メチルチオイミ
ダゾール−4−カルボン酸エチルエステル(化合物番号
537)の合成 5(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキシ)
−3(4−メチルフェニル)−2−メチルチオイミダゾ
ール−4−カルボン酸2.0g(49.7ミリモル)及
び炭酸カリウム0.8g(5.79ミリモル)に、N,
N−ジメチルホルムアミド30mlを加え、室温で30
分間攪拌した。ヨウ化エチル0.9g(5.77ミリモ
ル)を室温下で加え、さらに3時間室温で攪拌後、水に
注いだ。酢酸エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。次に、減圧下で
溶媒を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーにて精
製し、1.86g(収率86.9%)の目的物を得た。
融点147〜148℃。
【0102】実施例7 <D法> 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−2−フェニルフラン−3−カルボン酸4−ヘプチ
リデンアミノエステル(化合物番号15)の合成 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−2−フェニルフラン−3−カルボン酸1.7g
(5.0ミリモル)をN,N−ジメチルホルムアミド2
0mlに溶かし、4−ヘプタンオキシム0.6g(5.
0ミリモル)及びピリジン0.8g(10.0ミリモ
ル)を加えて0℃に冷却し、攪拌しながらジメチルアミ
ドホスホリルジクロライド1.0g(6.0ミリモル)
を徐々に滴下した。滴下後、室温にて3時間攪拌した。
反応液を水中に注ぎ、酢酸エチルで抽出し、水及び飽和
食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次に
減圧下、溶媒を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィ
ーにて精製し、0.7g(収率31.1%)の目的物を
得た。
シ)−2−フェニルフラン−3−カルボン酸4−ヘプチ
リデンアミノエステル(化合物番号15)の合成 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−2−フェニルフラン−3−カルボン酸1.7g
(5.0ミリモル)をN,N−ジメチルホルムアミド2
0mlに溶かし、4−ヘプタンオキシム0.6g(5.
0ミリモル)及びピリジン0.8g(10.0ミリモ
ル)を加えて0℃に冷却し、攪拌しながらジメチルアミ
ドホスホリルジクロライド1.0g(6.0ミリモル)
を徐々に滴下した。滴下後、室温にて3時間攪拌した。
反応液を水中に注ぎ、酢酸エチルで抽出し、水及び飽和
食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次に
減圧下、溶媒を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィ
ーにて精製し、0.7g(収率31.1%)の目的物を
得た。
【0103】実施例8 <E法> 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−3−メチルイソチアゾール−5−カルボン酸(化
合物番号480)の合成 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−3−メチルイソチアゾール−5−カルボン酸エチ
ルエステル2.0g(6.15ミリモル)をN,N−ジ
メチルスルホキシド20mlに溶かし、2N水酸化ナト
リウム水溶液3.1ml(6.20ミリモル)を加え、
室温下で2時間攪拌した。反応液を水中に注ぎ、希塩酸
にてpH3〜4に調整し生じた沈澱を濾別し、水洗後、
乾燥した。粗結晶はヘキサンにて洗浄し、1.7g(収
率94.4%)の目的物を得た。融点139〜141
℃。
シ)−3−メチルイソチアゾール−5−カルボン酸(化
合物番号480)の合成 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−3−メチルイソチアゾール−5−カルボン酸エチ
ルエステル2.0g(6.15ミリモル)をN,N−ジ
メチルスルホキシド20mlに溶かし、2N水酸化ナト
リウム水溶液3.1ml(6.20ミリモル)を加え、
室温下で2時間攪拌した。反応液を水中に注ぎ、希塩酸
にてpH3〜4に調整し生じた沈澱を濾別し、水洗後、
乾燥した。粗結晶はヘキサンにて洗浄し、1.7g(収
率94.4%)の目的物を得た。融点139〜141
℃。
【0104】実施例9 <F法> 3−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−5−メチルフラン−2−カルボン酸ナトリウム塩
(化合物番号12)の合成 2N水酸化ナトリウム水2.07ml(4.14ミリモ
ル)に水30mlを入れ、室温下3−(4,6ジメトキ
シピリミジン−2−イルオキシ)−5−メチルフラン−
2−カルボン酸1.16g(4.14ミリモル)を加
え、1時間攪拌した。次に反応液を減圧下濃縮し、1.
21g(収率96.8%)の目的物を得た。融点225
〜229.5℃。
シ)−5−メチルフラン−2−カルボン酸ナトリウム塩
(化合物番号12)の合成 2N水酸化ナトリウム水2.07ml(4.14ミリモ
ル)に水30mlを入れ、室温下3−(4,6ジメトキ
シピリミジン−2−イルオキシ)−5−メチルフラン−
2−カルボン酸1.16g(4.14ミリモル)を加
え、1時間攪拌した。次に反応液を減圧下濃縮し、1.
21g(収率96.8%)の目的物を得た。融点225
〜229.5℃。
【0105】実施例10 <G法> 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)イソオキサゾール−3−カルボン酸銅塩(化合物番
号479)の合成 2N水酸化ナトリウム水0.80ml(1.60ミリモ
ル)に水20mlを入れ、室温下、4(4,6−ジメト
キシピリミジン−2−イルオキシ)イソオキサゾール−
3−カルボン酸0.40g(1.50ミリモル)を加
え、30分間攪拌した。次に硫酸銅0.30g(1.8
8ミリモル)を水10mlに溶解して室温下で加え、5
分間攪拌した。析出した結晶を濾過し、0.40g(収
率89.7%)の目的物を得た。融点148〜152
℃。
シ)イソオキサゾール−3−カルボン酸銅塩(化合物番
号479)の合成 2N水酸化ナトリウム水0.80ml(1.60ミリモ
ル)に水20mlを入れ、室温下、4(4,6−ジメト
キシピリミジン−2−イルオキシ)イソオキサゾール−
3−カルボン酸0.40g(1.50ミリモル)を加
え、30分間攪拌した。次に硫酸銅0.30g(1.8
8ミリモル)を水10mlに溶解して室温下で加え、5
分間攪拌した。析出した結晶を濾過し、0.40g(収
率89.7%)の目的物を得た。融点148〜152
℃。
【0106】実施例11 <H法> N−メチルスルホニル4−(4,6−ジメトキシピリミ
ジン−2−イルオキシ)−3−メチルイソチアゾール−
5−カルボンアミド(化合物番号488)の合成 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−3−メチルイソチアゾール−カルボン酸0.68
g(2.29ミリモル)及びカルボニルジイミダソール
0.41g(2.53ミリモル)にN,N−ジメチルホ
ルムアミド10mlを加え、室温で3時間攪拌した。次
にメタンスルホンアミド0.43g(4.52ミリモ
ル)及び60%水素化ナトリウム0.18g(4.50
ミリモル)にN,N−ジメチルホルムアミド10mlを
加え、80〜90℃で2時間加熱攪拌し、室温下、先に
合成したカルボニルイミダゾールのジメチルホルムアミ
ド溶液に加え、さらに室温で3時間攪拌した。反応液を
水に注ぎ、酢酸エチルで洗浄後、水層を10%HCl溶
液で酸性にした。析出した結晶を濾過し、イソプロピル
エーテルで洗浄し、0.61g(収率70.9%)の目
的物を得た。融点145〜148。
ジン−2−イルオキシ)−3−メチルイソチアゾール−
5−カルボンアミド(化合物番号488)の合成 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−3−メチルイソチアゾール−カルボン酸0.68
g(2.29ミリモル)及びカルボニルジイミダソール
0.41g(2.53ミリモル)にN,N−ジメチルホ
ルムアミド10mlを加え、室温で3時間攪拌した。次
にメタンスルホンアミド0.43g(4.52ミリモ
ル)及び60%水素化ナトリウム0.18g(4.50
ミリモル)にN,N−ジメチルホルムアミド10mlを
加え、80〜90℃で2時間加熱攪拌し、室温下、先に
合成したカルボニルイミダゾールのジメチルホルムアミ
ド溶液に加え、さらに室温で3時間攪拌した。反応液を
水に注ぎ、酢酸エチルで洗浄後、水層を10%HCl溶
液で酸性にした。析出した結晶を濾過し、イソプロピル
エーテルで洗浄し、0.61g(収率70.9%)の目
的物を得た。融点145〜148。
【0107】本発明の除草剤は、一般式〔I〕で示され
るピリミジンまたはトリアジン誘導体を有効成分として
なる。本発明化合物を除草剤として使用するには本発明
化合物それ自体で用いてもよいが、製剤化に一般的に用
いられる担体、界面活性剤、分散剤または補助剤等を配
合して、粉剤、水和剤、乳剤、微粒剤または粒剤等に製
剤して使用することもできる。
るピリミジンまたはトリアジン誘導体を有効成分として
なる。本発明化合物を除草剤として使用するには本発明
化合物それ自体で用いてもよいが、製剤化に一般的に用
いられる担体、界面活性剤、分散剤または補助剤等を配
合して、粉剤、水和剤、乳剤、微粒剤または粒剤等に製
剤して使用することもできる。
【0108】製剤化に際して用いられる担体としては、
例えばジークライト、タルク、ベントナイト、クレー、
カオリン、珪藻土、ホワイトカーボン、バーミキュライ
ト、炭酸カルシウム、消石灰、珪砂、硫安、尿素等の固
体担体、イソプロピルアルコール、キシレン、シクロヘ
キサン、メチルナフタレン等の液体担体等があげられ
る。
例えばジークライト、タルク、ベントナイト、クレー、
カオリン、珪藻土、ホワイトカーボン、バーミキュライ
ト、炭酸カルシウム、消石灰、珪砂、硫安、尿素等の固
体担体、イソプロピルアルコール、キシレン、シクロヘ
キサン、メチルナフタレン等の液体担体等があげられ
る。
【0109】界面活性剤及び分散剤としては、例えばア
ルキルベンゼンスルホン酸金属塩、ジナフチルメタンジ
スルホン酸金属塩、アルコール硫酸エステル塩、アルキ
ルアリールスルホン酸塩、リグニンスルホン酸塩、ポリ
オキシエチレングリコールエーテル、ポリオキシエチレ
ンアルキルアリールエーテル、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノアルキレート等があげられる。補助剤として
は、例えばカルボキシメチルセルロース、ポリエチレン
グリコール、アラビアゴム等があげられる。使用に際し
ては適当な濃度に希釈して散布するかまたは直接施用す
る。
ルキルベンゼンスルホン酸金属塩、ジナフチルメタンジ
スルホン酸金属塩、アルコール硫酸エステル塩、アルキ
ルアリールスルホン酸塩、リグニンスルホン酸塩、ポリ
オキシエチレングリコールエーテル、ポリオキシエチレ
ンアルキルアリールエーテル、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノアルキレート等があげられる。補助剤として
は、例えばカルボキシメチルセルロース、ポリエチレン
グリコール、アラビアゴム等があげられる。使用に際し
ては適当な濃度に希釈して散布するかまたは直接施用す
る。
【0110】本発明の除草剤は茎葉散布、土壌施用また
は水面施用等により使用することができる。有効成分の
配合割合については必要に応じて適宜選ばれるが、粉剤
または粒剤とする場合は0.01〜10%(重量)、好
ましくは0.05〜5%(重量)の範囲から適宜選ぶの
がよい。また、乳剤及び水和剤とする場合は1〜50%
(重量)、好ましくは5〜20%(重量)の範囲から適
宜選ぶのがよい。
は水面施用等により使用することができる。有効成分の
配合割合については必要に応じて適宜選ばれるが、粉剤
または粒剤とする場合は0.01〜10%(重量)、好
ましくは0.05〜5%(重量)の範囲から適宜選ぶの
がよい。また、乳剤及び水和剤とする場合は1〜50%
(重量)、好ましくは5〜20%(重量)の範囲から適
宜選ぶのがよい。
【0111】本発明の除草剤の施用量は使用される化合
物の種類、対象雑草、発生傾向、環境条件ならびに使用
する剤型等によってかわるが、粉剤及び粒剤のようにそ
のまま使用する場合は、有効成分として10アール当り
0.1g〜10kg、好ましくは10g〜5kgの範囲
から適宜選ぶのがよい。また、乳剤及び水和剤とする場
合のように液状で使用する場合は、0.1〜100,0
00ppm,好ましくは10〜50,000ppmの範
囲から適宜選ぶのがよい。
物の種類、対象雑草、発生傾向、環境条件ならびに使用
する剤型等によってかわるが、粉剤及び粒剤のようにそ
のまま使用する場合は、有効成分として10アール当り
0.1g〜10kg、好ましくは10g〜5kgの範囲
から適宜選ぶのがよい。また、乳剤及び水和剤とする場
合のように液状で使用する場合は、0.1〜100,0
00ppm,好ましくは10〜50,000ppmの範
囲から適宜選ぶのがよい。
【0112】また、本発明の化合物は必要に応じて殺虫
剤、殺菌剤、他の除草剤、植物生長調節剤、肥料等と混
用してもよい。次に代表的な製剤例をあげて製剤方法を
具体的に説明する。化合物、添加剤の種類及び配合比率
は、これのみに限定されることなく広い範囲で変更可能
である。以下の説明において「部」は重量部を意味す
る。
剤、殺菌剤、他の除草剤、植物生長調節剤、肥料等と混
用してもよい。次に代表的な製剤例をあげて製剤方法を
具体的に説明する。化合物、添加剤の種類及び配合比率
は、これのみに限定されることなく広い範囲で変更可能
である。以下の説明において「部」は重量部を意味す
る。
【0113】製剤例1 水和剤 化合物(625)の10部にエマルゲン(花王株式会社
の登録商標)810の0.5部、デモール(花王株式会
社の登録商標)Nの0.5部、クニライト(クニミネ工
業株式会社の登録商標)201の20部、ジークライト
(ジークライト株式会社の登録商標)CAの69部を混
合粉砕し、水和剤を得る。
の登録商標)810の0.5部、デモール(花王株式会
社の登録商標)Nの0.5部、クニライト(クニミネ工
業株式会社の登録商標)201の20部、ジークライト
(ジークライト株式会社の登録商標)CAの69部を混
合粉砕し、水和剤を得る。
【0114】製剤例2 水和剤 化合物(675)の10部にエマルゲン810の0.5
部、デモールNの0.5部、クニライト201の20
部、カープレックス(塩野義製薬株式会社の登録商標)
80の5部、ジークライトCAの64部を混合粉砕し、
水和剤を得る。
部、デモールNの0.5部、クニライト201の20
部、カープレックス(塩野義製薬株式会社の登録商標)
80の5部、ジークライトCAの64部を混合粉砕し、
水和剤を得る。
【0115】製剤例3 水和剤 化合物(42)の10部にデモールNの0.5部、エマ
ール(花王アトラス株式会社の登録商標)10の0.5
部、クニライト301の20部、カープレックス80の
5部、炭酸カルシウムの64部を混合粉砕し、水和剤を
得る。
ール(花王アトラス株式会社の登録商標)10の0.5
部、クニライト301の20部、カープレックス80の
5部、炭酸カルシウムの64部を混合粉砕し、水和剤を
得る。
【0116】製剤例4 乳剤 化合物(453)の10部にキシレンとイソホロンの等
量混合物80部、界面活性剤ソルポール(東邦化学工業
株式会社の登録商標)800Aの10部を加え、これら
をよくかきまぜることによって乳剤を得る。
量混合物80部、界面活性剤ソルポール(東邦化学工業
株式会社の登録商標)800Aの10部を加え、これら
をよくかきまぜることによって乳剤を得る。
【0117】製剤例5 粒剤 化合物(13)の1部、タルクとベントナイトを1:3
の割合の混合した増量剤の89部、ホワイトカーボンの
5部、界面活性剤ソルポール800Aの5部に水10部
を加え、よく練ってペースト状としたものを直径0.7
mmのふるい穴から押し出して乾燥した後に0.5〜1
mmの長さに切断し、粒剤を得る。
の割合の混合した増量剤の89部、ホワイトカーボンの
5部、界面活性剤ソルポール800Aの5部に水10部
を加え、よく練ってペースト状としたものを直径0.7
mmのふるい穴から押し出して乾燥した後に0.5〜1
mmの長さに切断し、粒剤を得る。
【0118】
【発明の効果】一般式〔I〕で表される本発明の化合物
及びその塩は、畑地において問題となる種々の雑草、例
えばオオイヌタデ、アオビユ、シロザ、ハコベ、イチ
ビ、アメリカキンゴジカ、アメリカツノクサネム、アサ
ガオ、オナモミ等の広葉雑草をはじめ、ハマスゲ、キハ
マスゲ、ヒメクグ、カヤツリグサ、コゴメガヤツリ等の
多年生および1年生カヤツリグサ科雑草、ヒエ、メヒシ
バ、エノコログサ、スズメノカタビラ、ジョンソングラ
ス、ノスズメノテッポウ、野生エンバク等のイネ科雑草
の発芽前から生育期の広い範囲にわたって優れた除草効
果を発揮する。また、水田に発生するタイヌビエ、コナ
ギ、タマガヤツリ等の一年生雑草及びホタルイ、ウリカ
ワ、オモダカ、ミズガヤツリ、クログワイ、ヘラオモダ
カ等の多年生雑草を防除することもできる。
及びその塩は、畑地において問題となる種々の雑草、例
えばオオイヌタデ、アオビユ、シロザ、ハコベ、イチ
ビ、アメリカキンゴジカ、アメリカツノクサネム、アサ
ガオ、オナモミ等の広葉雑草をはじめ、ハマスゲ、キハ
マスゲ、ヒメクグ、カヤツリグサ、コゴメガヤツリ等の
多年生および1年生カヤツリグサ科雑草、ヒエ、メヒシ
バ、エノコログサ、スズメノカタビラ、ジョンソングラ
ス、ノスズメノテッポウ、野生エンバク等のイネ科雑草
の発芽前から生育期の広い範囲にわたって優れた除草効
果を発揮する。また、水田に発生するタイヌビエ、コナ
ギ、タマガヤツリ等の一年生雑草及びホタルイ、ウリカ
ワ、オモダカ、ミズガヤツリ、クログワイ、ヘラオモダ
カ等の多年生雑草を防除することもできる。
【0119】次に試験例をあげて本発明化合物の奏する
効果を説明する。 試験例1(水田土壌処理による除草効果試験) 100cm2ブラスチックポットに水田土壌を充填し、
代掻後、タイヌビエ(Ec)、コナギ(Mo)及びホタ
ルイ(Sc)の各種子を播種し、水深3cmに湛水し
た。翌日、製剤例1に準じて調製した水和剤を水で希釈
し、水面滴下した。施用量は、有効成分を10アール当
り400gとした。その後、温室内で育成し、処理21
日目に表62の基準に従い、除草効果を調査した。その
結果を表63に示した。
効果を説明する。 試験例1(水田土壌処理による除草効果試験) 100cm2ブラスチックポットに水田土壌を充填し、
代掻後、タイヌビエ(Ec)、コナギ(Mo)及びホタ
ルイ(Sc)の各種子を播種し、水深3cmに湛水し
た。翌日、製剤例1に準じて調製した水和剤を水で希釈
し、水面滴下した。施用量は、有効成分を10アール当
り400gとした。その後、温室内で育成し、処理21
日目に表62の基準に従い、除草効果を調査した。その
結果を表63に示した。
【0120】
【表62】
【0121】
【表63】
【0122】試験例2(畑地土壌処理による除草効果試
験) 120cm2プラスチックポットに畑地土壌を充填し、
オオイヌタデ(Po)、アオビユ(Am)、シロザ(C
h)、コゴメガヤツリ(Ci)の各種子を播種して覆土
した。製剤例1に準じて調製した水和剤を水で希釈し、
10アール当り有効成分が400gになる様に、10ア
ール当り100lを小型噴霧器で土壌表面に均一に散布
した。その後、温室内で育成し、処理21日目に表62
の基準に従って、除草効果を調査した。その結果を表6
4に示す。
験) 120cm2プラスチックポットに畑地土壌を充填し、
オオイヌタデ(Po)、アオビユ(Am)、シロザ(C
h)、コゴメガヤツリ(Ci)の各種子を播種して覆土
した。製剤例1に準じて調製した水和剤を水で希釈し、
10アール当り有効成分が400gになる様に、10ア
ール当り100lを小型噴霧器で土壌表面に均一に散布
した。その後、温室内で育成し、処理21日目に表62
の基準に従って、除草効果を調査した。その結果を表6
4に示す。
【0123】
【表64】
【0124】試験例3(畑地茎葉処理による除草効果試
験) 120cm2プラスチックポットに畑地土壌を充填し、
オオイヌタデ(Po)、アオビユ(Am)、シロザ(C
h)、コゴメガヤツリ(Ci)の各種子を播種し、温室
内で2週間育成後、製剤例1に準じて調製した水和剤を
水に希釈し、10アール当り有効成分が400gになる
様に、10アール当り100lを小型噴霧器で植物体の
上方から全体に茎葉散布処理した。その後、温室内で育
成し、処理14日目に表62の基準に従って、除草効果
を調査した。その結果を表65に示す。
験) 120cm2プラスチックポットに畑地土壌を充填し、
オオイヌタデ(Po)、アオビユ(Am)、シロザ(C
h)、コゴメガヤツリ(Ci)の各種子を播種し、温室
内で2週間育成後、製剤例1に準じて調製した水和剤を
水に希釈し、10アール当り有効成分が400gになる
様に、10アール当り100lを小型噴霧器で植物体の
上方から全体に茎葉散布処理した。その後、温室内で育
成し、処理14日目に表62の基準に従って、除草効果
を調査した。その結果を表65に示す。
【0125】
【表65】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年12月21日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項1
【補正方法】変更
【補正内容】
【化1】 〔式中、Aは式
【化2】 で表される複素環を示し、Rは水素原子、水酸基、イミ
ダゾリル基、C1〜6アルコキシ基、C3〜6アルケニ
ルオキシ基、C3〜6アルキニルオキシ基、C1〜6ア
ルキルチオ基、C3〜7シクロアルコキシ基、ベンジル
オキシ基、置換ベンジルオキシ基、ベンジルチオ基、置
換ベンジルチオ基、C3〜6シクロアルキルチオ基、C
1〜4アルコキシC1〜4アルコキシ基、フリルオキシ
基、テトラヒドロフリルオキシ基、フェノキシ基、置換
フェノキシ基、C2〜4アラルキルオキシ基、C1〜4
アルキルチオC1〜4アルコキシ基、シアノC1〜4ア
ルコキシ基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜4ア
ルコキシ基、N,N−ジC1〜3アルキルアミノC1〜
3アルコキシ基、N,N−ジC1〜3アルキルアミノC
1〜3アルキルチオ基、C3〜9の直鎖または環状のア
ルキリデンアミノオキシ基、C1〜4アルキルスルホニ
ルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、置換フェニ
ルスルホニルアミノ基、トリメチルシリルエトキシ基、
式−NR4R5(式中、R4及びR5は同一または相異
なり、水素原子、水酸基、C1〜6アルキル基、C1〜
6アルコキシ基、C3〜6アルケニル基、フェニル基、
置換フェニル基、C3〜6シクロアルキル基、C1〜3
アルコキシC1〜3アルキル基、C1〜3アシル基、C
3〜6アルキニル基、C3〜5アルケニルオキシ基、C
3〜5アルキニルオキシ基、ベンジルオキシ基、置換ベ
ンジルオキシ基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜
3アルキル基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜3
アルコキシ基、アミノ基、ジメチルアミノ基、シアノ
基、C1〜4アルキルスルホニル基、フェニルスルホニ
ル基、置換フェニルスルホニル基、アセチルアミノ基、
アニリノ基を示す。また、R4及びR5は一緒にヘテロ
原子を含んでもよい環を形成することもできる。)で表
される基を示し、R1及びR2は同一または相異なり、
水素原子(但し、R1及びR2は同一の場合を除く)、
ハロゲン原子、C1〜6アルキル基、C1〜6ハロアル
キル基、C1〜6アルコキシ基、C1〜6ハロアルコキ
シ基、C1〜6アルキルチオ基、フェノキシ基、置換フ
ェノキシ基、C1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、
C3〜6シクロアルキル基、C2〜5アルケニル基、C
3〜5アルケニルオキシ基、C2〜4アルキニル基、C
3〜5アルキニルオキシ基、C1〜3アルキルチオC1
〜3アルキル基、式−NR6R7(式中、R6及びR7
は同一または相異なり、水素原子、水酸基、C1〜4ア
ルキル基、C1〜4アルコキシ基、C2〜4アルケニル
基、C2〜4アルキニル基、C3〜5アルケニルオキシ
基、C3〜5アルキニルオキシ基を示す。またR6及び
R7は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成するこ
ともできる。)で表される基を示し、R3は水素原子、
ハロゲン原子、C1〜6アルキル基、フェニル基、置換
フェニル基、ベンジル基、置換ベンジル基、ベンゾイル
基、置換ベンゾイル基、C1〜3アシル基、C1〜6ア
ルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、置換フェ
ニルスルホニル基を示し、Xは水素原子、C1〜6アル
キル基、C1〜6ハロアルキル基、C1〜6アルコキシ
基、C1〜6ハロアルコキシ基、C3〜6アルケニル
基、フェニル基、置換フェニル基、ベンジル基、置換ベ
ンジル基、フェノキシ基、置換フェノキシ基、ベンジル
オキシ基、置換ベンジルオキシ基、C1〜3アシル基、
ナフチル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基、ハロゲ
ン原子、 ニトロ基、式−NR8R9(式中、R8及び
R9は同一または異なり、水素原子、C1〜12アルキ
ル基、C3〜6アルケニル基,C3〜6アルキニル基、
フェニル基、置換フェニル基、ナフチル基、C1〜3ア
シル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基を示す。ま
た、R8及びR9は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環
を形成することもできる。)で表される基を示し、C1
〜6アルキルチオ基、C1〜6アルキルチオC1〜3ア
ルキル基、フェニルチオ基、置換フェニルチオ基、C1
〜6アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、シアノ
基、カルバモイル基、N−C1〜6 アルキルカルバモイ
ル基、C1〜6アルキルスルホニル基、フェニルスルホ
ニル基、置換フェニルスルホニル基、C1〜6アルコキ
シC1〜6アルキル基、C1〜6アルコキシC1〜6ア
ルコキシ基、C1〜6アルキルチオC1〜6アルキル
基、C1〜6アルコキシC1〜6アルキルチオ基、C1
〜6アルキルチオC1〜6アルコキシ基、アリルチオ
基、C1〜6アルキルスルフィニル基、フリル基、チエ
ニル基、ピリジル基、置換されていてもよいピリミジニ
ルオキシ基、置換されていてもよいピリミジニルチオ
基、置換トリアジニルオキシ基、置換トリアジニルチオ
基を示し、Wは酸素原子、硫黄原子、基−NR10(式
中、R10は水素原子、C1〜3アルキル基、C2〜5
アルケニル基、C2〜4アルキニル基、 C1〜3アル
コキシC1〜3アルキル基、C1〜3アルキルスルホニ
ル基、フェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル
基、C1〜3アシル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル
基を示す。)を示し、Zは窒素原子またはメチン基を示
し、nは1〜5の整数を示す。〕で表されるピリミジン
またはトリアジン誘導体及びそれらの塩。
ダゾリル基、C1〜6アルコキシ基、C3〜6アルケニ
ルオキシ基、C3〜6アルキニルオキシ基、C1〜6ア
ルキルチオ基、C3〜7シクロアルコキシ基、ベンジル
オキシ基、置換ベンジルオキシ基、ベンジルチオ基、置
換ベンジルチオ基、C3〜6シクロアルキルチオ基、C
1〜4アルコキシC1〜4アルコキシ基、フリルオキシ
基、テトラヒドロフリルオキシ基、フェノキシ基、置換
フェノキシ基、C2〜4アラルキルオキシ基、C1〜4
アルキルチオC1〜4アルコキシ基、シアノC1〜4ア
ルコキシ基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜4ア
ルコキシ基、N,N−ジC1〜3アルキルアミノC1〜
3アルコキシ基、N,N−ジC1〜3アルキルアミノC
1〜3アルキルチオ基、C3〜9の直鎖または環状のア
ルキリデンアミノオキシ基、C1〜4アルキルスルホニ
ルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、置換フェニ
ルスルホニルアミノ基、トリメチルシリルエトキシ基、
式−NR4R5(式中、R4及びR5は同一または相異
なり、水素原子、水酸基、C1〜6アルキル基、C1〜
6アルコキシ基、C3〜6アルケニル基、フェニル基、
置換フェニル基、C3〜6シクロアルキル基、C1〜3
アルコキシC1〜3アルキル基、C1〜3アシル基、C
3〜6アルキニル基、C3〜5アルケニルオキシ基、C
3〜5アルキニルオキシ基、ベンジルオキシ基、置換ベ
ンジルオキシ基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜
3アルキル基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜3
アルコキシ基、アミノ基、ジメチルアミノ基、シアノ
基、C1〜4アルキルスルホニル基、フェニルスルホニ
ル基、置換フェニルスルホニル基、アセチルアミノ基、
アニリノ基を示す。また、R4及びR5は一緒にヘテロ
原子を含んでもよい環を形成することもできる。)で表
される基を示し、R1及びR2は同一または相異なり、
水素原子(但し、R1及びR2は同一の場合を除く)、
ハロゲン原子、C1〜6アルキル基、C1〜6ハロアル
キル基、C1〜6アルコキシ基、C1〜6ハロアルコキ
シ基、C1〜6アルキルチオ基、フェノキシ基、置換フ
ェノキシ基、C1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、
C3〜6シクロアルキル基、C2〜5アルケニル基、C
3〜5アルケニルオキシ基、C2〜4アルキニル基、C
3〜5アルキニルオキシ基、C1〜3アルキルチオC1
〜3アルキル基、式−NR6R7(式中、R6及びR7
は同一または相異なり、水素原子、水酸基、C1〜4ア
ルキル基、C1〜4アルコキシ基、C2〜4アルケニル
基、C2〜4アルキニル基、C3〜5アルケニルオキシ
基、C3〜5アルキニルオキシ基を示す。またR6及び
R7は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成するこ
ともできる。)で表される基を示し、R3は水素原子、
ハロゲン原子、C1〜6アルキル基、フェニル基、置換
フェニル基、ベンジル基、置換ベンジル基、ベンゾイル
基、置換ベンゾイル基、C1〜3アシル基、C1〜6ア
ルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、置換フェ
ニルスルホニル基を示し、Xは水素原子、C1〜6アル
キル基、C1〜6ハロアルキル基、C1〜6アルコキシ
基、C1〜6ハロアルコキシ基、C3〜6アルケニル
基、フェニル基、置換フェニル基、ベンジル基、置換ベ
ンジル基、フェノキシ基、置換フェノキシ基、ベンジル
オキシ基、置換ベンジルオキシ基、C1〜3アシル基、
ナフチル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基、ハロゲ
ン原子、 ニトロ基、式−NR8R9(式中、R8及び
R9は同一または異なり、水素原子、C1〜12アルキ
ル基、C3〜6アルケニル基,C3〜6アルキニル基、
フェニル基、置換フェニル基、ナフチル基、C1〜3ア
シル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基を示す。ま
た、R8及びR9は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環
を形成することもできる。)で表される基を示し、C1
〜6アルキルチオ基、C1〜6アルキルチオC1〜3ア
ルキル基、フェニルチオ基、置換フェニルチオ基、C1
〜6アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、シアノ
基、カルバモイル基、N−C1〜6 アルキルカルバモイ
ル基、C1〜6アルキルスルホニル基、フェニルスルホ
ニル基、置換フェニルスルホニル基、C1〜6アルコキ
シC1〜6アルキル基、C1〜6アルコキシC1〜6ア
ルコキシ基、C1〜6アルキルチオC1〜6アルキル
基、C1〜6アルコキシC1〜6アルキルチオ基、C1
〜6アルキルチオC1〜6アルコキシ基、アリルチオ
基、C1〜6アルキルスルフィニル基、フリル基、チエ
ニル基、ピリジル基、置換されていてもよいピリミジニ
ルオキシ基、置換されていてもよいピリミジニルチオ
基、置換トリアジニルオキシ基、置換トリアジニルチオ
基を示し、Wは酸素原子、硫黄原子、基−NR10(式
中、R10は水素原子、C1〜3アルキル基、C2〜5
アルケニル基、C2〜4アルキニル基、 C1〜3アル
コキシC1〜3アルキル基、C1〜3アルキルスルホニ
ル基、フェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル
基、C1〜3アシル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル
基を示す。)を示し、Zは窒素原子またはメチン基を示
し、nは1〜5の整数を示す。〕で表されるピリミジン
またはトリアジン誘導体及びそれらの塩。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【補正内容】
【0008】
【化5】
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0009
【補正方法】変更
【補正内容】
【0009】で表される複素環を示し、Rは水素原子、
水酸基、イミダゾリル基、C1〜6アルコキシ基、C3
〜8アルケニルオキシ基、C3〜6アルキニルオキシ
基、C1〜6アルキルチオ基、C3〜7シクロアルコキ
シ基、ベンジルオキシ基、置換ベンジルオキシ基、ベン
ジルチオ基、置換ベンジルチオ基、C3〜6シクロアル
キルチオ基、C1〜4アルコキシC1〜4アルコキシ
基、フリルオキシ基、テトラヒドロフリルオキシ基、フ
ェノキシ基、置換フェノキシ基、C2〜4アラルキルオ
キシ基、C1〜4アルキルチオC1〜4アルコキシ基、
シアノC1〜4アルコキシ基、C1〜4アルコキシカル
ボニルC1〜4アルコキシ基、N,N−ジC1〜3アル
キルアミノC1〜3アルコキシ基、N,N−ジC1〜3
アルキルアミノC1〜3アルキルチオ基、C3〜9の直
鎖または環状のアルキリデンアミノオキシ基、C1〜4
アルキルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミ
ノ基、置換フェニルスルホニルアミノ基、トリメチルシ
リルエトキシ基、式−NR4R5(式中、R4及びR5
は同一または相異なり、水素原子、水酸基、C1〜6ア
ルキル基、C1〜6アルコキシ基、C3〜6アルケニル
基、フェニル基、置換フェニル基、C3〜6シクロアル
キル基、C1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、C1
〜3アシル基、C3〜6アルキニル基、C3〜6アルケ
ニルオキシ基、C3〜5アルキニルオキシ基、ベンジル
オキシ基、置換ベンジルオキシ基、C1〜4アルコキシ
カルボニルC1〜3アルキル基、C1〜4アルコキシカ
ルボニルC1〜3アルコキシ基、アミノ基、ジメチルア
ミノ基、シアノ基、C1〜4アルキルスルホニル基、フ
ェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル基、アセ
チルアミノ基、アニリノ基を示す。また、R4及びR5
は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成することも
できる。)で表される基を示し、R1及びR2は同一ま
たは相異なり、水素原子(但し、R1及びR2は同一の
場合を除く)、ハロゲン原子、C1〜6アルキル基、C
1〜6ハロアルキル基、C1〜6アルコキシ基、C1〜
6ハロアルコキシ基、C1〜6アルキルチオ基、フェノ
キシ基、置換フェノキシ基、C1〜3アルコキシC1〜
3アルキル基、C3〜6シクロアルキル基、C2〜5ア
ルケニル基、C3〜5アルケニルオキシ基、C2〜4ア
ルキニル基、C3〜5アルキニルオキシ基、C1〜3ア
ルキルチオC1〜3アルキル基、式−NR6R7(式
中、R6及びR7は同一または相異なり、水素原子、水
酸基、C1〜4アルキル基、C1〜4アルコキシ基、C
2〜4アルケニル基、C2〜4アルキニル基、C3〜5
アルケニルオキシ基、C3〜5アルキニルオキシ基を示
す。またR6及びR7は一緒にヘテロ原子を含んでもよ
い環を形成することもできる。)で表される基を示し、
R3は水素原子、ハロゲン原子、C1〜6アルキル基、
フェニル基、置換フェニル基、ベンジル基、置換ベンジ
ル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基、C1〜3アシ
ル基、C1〜6アルキルスルホニル基、フェニルスルホ
ニル基、置換フェニルスルホニル基を示し、Xは水素原
子、C1〜6アルキル基、C1〜6ハロアルキル基、C
1〜6アルコキシ基、C1〜6ハロアルコキシ基、C3
〜6アルケニル基、フェニル基、置換フェニル基、ベン
ジル基、置換ベンジル基、フェノキシ基、置換フェノキ
シ基、ベンジルオキシ基、置換ベンジルオキシ基、C1
〜3アシル基、ナフチル基、ベンゾイル基、置換ベンゾ
イル基、ハロゲン原子、 ニトロ基、式−NR8R
9(式中、R8及びR9は同一または異なり、水素原
子、C1〜12アルキル基、C3〜6アルケニル基、C
3〜6アルキニル基、フェニル基、置換フェニル基、ナ
フチル基、C1〜3アシル基、ベンゾイル基、置換ベン
ゾイル基を示す。また、R8及びR9は一緒にヘテロ原
子を含んでもよい環を形成することもできる。)で表さ
れる基を示し、C1〜6アルキルチオ基、C1〜6アル
キルチオC1〜3アルキル基、フェニルチオ基、置換フ
ェニルチオ基、C1〜6アルコキシカルボニル基、カル
ボキシル基、シアノ基、カルバモイル基、N−C1〜6
アルキルカルバモイル基、C1〜6アルキルスルホニル
基、フェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル
基、C1〜6アルコキシC1〜6アルキル基、C1〜6
アルコキシC1〜6アルコキシ基、C1〜6アルキルチ
オC1〜6アルキル基、C1〜6アルコキシC1〜6ア
ルキルチオ基、C1〜6アルキルチオC1〜6アルコキ
シ基、アリルチオ基、C1〜6アルキルスルフィニル
基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、置換されてい
てもよいピリミジニルオキシ基、置換されていてもよい
ピリミジニルチオ基、置換トリアジニルオキシ基、置換
トリアジニルチオ基を示し、Wは酸素原子、硫黄原子、
基−NR10(式中、R10は水素原子、C1〜3アル
キル基、C2〜5アルケニル基、C2〜4アルキニル
基、 C1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、C1〜
3アルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、置換
フェニルスルホニル基、C1〜3アシル基、ベンゾイル
基、置換ベンゾイル基を示す。)を示し、Zは窒素原子
またはメチン基を示し、nは1〜5の整数を示す。〕で
表されるピリミジンまたはトリアジン誘導体及びそれら
の塩並びにこれらを有効成分として含有する除草剤であ
る。次に、本発明化合物を表1〜表61に例示する。化
合物番号は以後の記載において参照される。
水酸基、イミダゾリル基、C1〜6アルコキシ基、C3
〜8アルケニルオキシ基、C3〜6アルキニルオキシ
基、C1〜6アルキルチオ基、C3〜7シクロアルコキ
シ基、ベンジルオキシ基、置換ベンジルオキシ基、ベン
ジルチオ基、置換ベンジルチオ基、C3〜6シクロアル
キルチオ基、C1〜4アルコキシC1〜4アルコキシ
基、フリルオキシ基、テトラヒドロフリルオキシ基、フ
ェノキシ基、置換フェノキシ基、C2〜4アラルキルオ
キシ基、C1〜4アルキルチオC1〜4アルコキシ基、
シアノC1〜4アルコキシ基、C1〜4アルコキシカル
ボニルC1〜4アルコキシ基、N,N−ジC1〜3アル
キルアミノC1〜3アルコキシ基、N,N−ジC1〜3
アルキルアミノC1〜3アルキルチオ基、C3〜9の直
鎖または環状のアルキリデンアミノオキシ基、C1〜4
アルキルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミ
ノ基、置換フェニルスルホニルアミノ基、トリメチルシ
リルエトキシ基、式−NR4R5(式中、R4及びR5
は同一または相異なり、水素原子、水酸基、C1〜6ア
ルキル基、C1〜6アルコキシ基、C3〜6アルケニル
基、フェニル基、置換フェニル基、C3〜6シクロアル
キル基、C1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、C1
〜3アシル基、C3〜6アルキニル基、C3〜6アルケ
ニルオキシ基、C3〜5アルキニルオキシ基、ベンジル
オキシ基、置換ベンジルオキシ基、C1〜4アルコキシ
カルボニルC1〜3アルキル基、C1〜4アルコキシカ
ルボニルC1〜3アルコキシ基、アミノ基、ジメチルア
ミノ基、シアノ基、C1〜4アルキルスルホニル基、フ
ェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル基、アセ
チルアミノ基、アニリノ基を示す。また、R4及びR5
は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成することも
できる。)で表される基を示し、R1及びR2は同一ま
たは相異なり、水素原子(但し、R1及びR2は同一の
場合を除く)、ハロゲン原子、C1〜6アルキル基、C
1〜6ハロアルキル基、C1〜6アルコキシ基、C1〜
6ハロアルコキシ基、C1〜6アルキルチオ基、フェノ
キシ基、置換フェノキシ基、C1〜3アルコキシC1〜
3アルキル基、C3〜6シクロアルキル基、C2〜5ア
ルケニル基、C3〜5アルケニルオキシ基、C2〜4ア
ルキニル基、C3〜5アルキニルオキシ基、C1〜3ア
ルキルチオC1〜3アルキル基、式−NR6R7(式
中、R6及びR7は同一または相異なり、水素原子、水
酸基、C1〜4アルキル基、C1〜4アルコキシ基、C
2〜4アルケニル基、C2〜4アルキニル基、C3〜5
アルケニルオキシ基、C3〜5アルキニルオキシ基を示
す。またR6及びR7は一緒にヘテロ原子を含んでもよ
い環を形成することもできる。)で表される基を示し、
R3は水素原子、ハロゲン原子、C1〜6アルキル基、
フェニル基、置換フェニル基、ベンジル基、置換ベンジ
ル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基、C1〜3アシ
ル基、C1〜6アルキルスルホニル基、フェニルスルホ
ニル基、置換フェニルスルホニル基を示し、Xは水素原
子、C1〜6アルキル基、C1〜6ハロアルキル基、C
1〜6アルコキシ基、C1〜6ハロアルコキシ基、C3
〜6アルケニル基、フェニル基、置換フェニル基、ベン
ジル基、置換ベンジル基、フェノキシ基、置換フェノキ
シ基、ベンジルオキシ基、置換ベンジルオキシ基、C1
〜3アシル基、ナフチル基、ベンゾイル基、置換ベンゾ
イル基、ハロゲン原子、 ニトロ基、式−NR8R
9(式中、R8及びR9は同一または異なり、水素原
子、C1〜12アルキル基、C3〜6アルケニル基、C
3〜6アルキニル基、フェニル基、置換フェニル基、ナ
フチル基、C1〜3アシル基、ベンゾイル基、置換ベン
ゾイル基を示す。また、R8及びR9は一緒にヘテロ原
子を含んでもよい環を形成することもできる。)で表さ
れる基を示し、C1〜6アルキルチオ基、C1〜6アル
キルチオC1〜3アルキル基、フェニルチオ基、置換フ
ェニルチオ基、C1〜6アルコキシカルボニル基、カル
ボキシル基、シアノ基、カルバモイル基、N−C1〜6
アルキルカルバモイル基、C1〜6アルキルスルホニル
基、フェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル
基、C1〜6アルコキシC1〜6アルキル基、C1〜6
アルコキシC1〜6アルコキシ基、C1〜6アルキルチ
オC1〜6アルキル基、C1〜6アルコキシC1〜6ア
ルキルチオ基、C1〜6アルキルチオC1〜6アルコキ
シ基、アリルチオ基、C1〜6アルキルスルフィニル
基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、置換されてい
てもよいピリミジニルオキシ基、置換されていてもよい
ピリミジニルチオ基、置換トリアジニルオキシ基、置換
トリアジニルチオ基を示し、Wは酸素原子、硫黄原子、
基−NR10(式中、R10は水素原子、C1〜3アル
キル基、C2〜5アルケニル基、C2〜4アルキニル
基、 C1〜3アルコキシC1〜3アルキル基、C1〜
3アルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、置換
フェニルスルホニル基、C1〜3アシル基、ベンゾイル
基、置換ベンゾイル基を示す。)を示し、Zは窒素原子
またはメチン基を示し、nは1〜5の整数を示す。〕で
表されるピリミジンまたはトリアジン誘導体及びそれら
の塩並びにこれらを有効成分として含有する除草剤であ
る。次に、本発明化合物を表1〜表61に例示する。化
合物番号は以後の記載において参照される。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】
【表2】
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】変更
【補正内容】
【0013】
【表4】
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】変更
【補正内容】
【0014】
【表5】
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0016
【補正方法】変更
【補正内容】
【0016】
【表7】
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0019
【補正方法】変更
【補正内容】
【0019】
【表10】
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0020
【補正方法】変更
【補正内容】
【0020】
【表11】
【手続補正10】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0027
【補正方法】変更
【補正内容】
【0027】
【表18】
【手続補正11】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0036
【補正方法】変更
【補正内容】
【0036】
【表27】
【手続補正12】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0040
【補正方法】変更
【補正内容】
【0040】
【表31】
【手続補正13】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0046
【補正方法】変更
【補正内容】
【0046】
【表37】
【手続補正14】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0054
【補正方法】変更
【補正内容】
【0054】
【表45】
【手続補正15】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0056
【補正方法】変更
【補正内容】
【0056】
【表47】
【手続補正16】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0067
【補正方法】変更
【補正内容】
【0067】
【表58】
【手続補正17】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0068
【補正方法】変更
【補正内容】
【0068】
【表59】
【手続補正18】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0069
【補正方法】変更
【補正内容】
【0069】
【表60】
【手続補正19】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0070
【補正方法】変更
【補正内容】
【0070】
【表61】
【手続補正20】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0074
【補正方法】変更
【補正内容】
【0074】
【化7】
【手続補正21】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0079
【補正方法】変更
【補正内容】
【0079】
【化9】
【手続補正22】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0090
【補正方法】変更
【補正内容】
【0090】一般式〔X〕にて表される化合物を塩基の
存在下、水及び溶媒の混合系で反応温度0〜120℃で
1〜24時間反応させ、一般式〔XIII〕にて表され
る化合物を製造することができる。次に、一般式〔XI
II〕を常法により、例えば塩酸でpH3〜4にするこ
とにより一般式〔VIII〕を得ることができる。ここ
で、塩基としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の無機塩基が使用でき
る。また、溶媒としてはアセトン、アセトニトリル、メ
タノール、エタノール、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、ジメトキシエタン、N,N−ジメチルホルムアミ
ド,N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド等が使用できる。尚、一般式〔X〕においてR 14
がベンジル基、置換ベンジル基を示すときには、例えば
パラジウム−炭素等を触媒とする常圧の加水素化反応に
より、一般式〔VIII〕の化合物を得ることができ
る。 製造法<F>
存在下、水及び溶媒の混合系で反応温度0〜120℃で
1〜24時間反応させ、一般式〔XIII〕にて表され
る化合物を製造することができる。次に、一般式〔XI
II〕を常法により、例えば塩酸でpH3〜4にするこ
とにより一般式〔VIII〕を得ることができる。ここ
で、塩基としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の無機塩基が使用でき
る。また、溶媒としてはアセトン、アセトニトリル、メ
タノール、エタノール、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、ジメトキシエタン、N,N−ジメチルホルムアミ
ド,N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド等が使用できる。尚、一般式〔X〕においてR 14
がベンジル基、置換ベンジル基を示すときには、例えば
パラジウム−炭素等を触媒とする常圧の加水素化反応に
より、一般式〔VIII〕の化合物を得ることができ
る。 製造法<F>
【手続補正23】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0091
【補正方法】変更
【補正内容】
【0091】一般式〔VIII〕にて表される化合物と
塩基とを、水、アルコール、アセトニトリル、アセト
ン、エーテル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド等の溶媒中、反応温度0〜100℃で
0.2〜10時間反応させることにより、一般式〔XI
II〕にて表される化合物の有機または無機塩を製造す
ることができる。ここで、塩基としては水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ金
属またはアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等の炭酸塩類、アン
モニア、エチルアミン、ジメチルアミン、イソプロピル
アミン、ジイソプロピルアミン、ジエタノールアミン、
トリエチルアミン等の1級、2級及び3級アミン類が使
用できる。 製造法<G>
塩基とを、水、アルコール、アセトニトリル、アセト
ン、エーテル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド等の溶媒中、反応温度0〜100℃で
0.2〜10時間反応させることにより、一般式〔XI
II〕にて表される化合物の有機または無機塩を製造す
ることができる。ここで、塩基としては水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ金
属またはアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等の炭酸塩類、アン
モニア、エチルアミン、ジメチルアミン、イソプロピル
アミン、ジイソプロピルアミン、ジエタノールアミン、
トリエチルアミン等の1級、2級及び3級アミン類が使
用できる。 製造法<G>
【手続補正24】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0092
【補正方法】変更
【補正内容】
【0092】一般式〔VIII〕にて表される化合物と
等モルの水酸化ナトリウム水溶液を室温で反応させた
後、塩化マグネシウム、塩化第二銅、塩化カルシウム、
塩化鉄、塩化亜鉛、塩化マンガン等の金属ハロゲン化
物、硫酸マグネシウム、硫酸銅、硫酸カルシウム、硫酸
鉄、硫酸亜鉛、硫酸マンガン等の硫酸塩を加えて、水、
アルコール等の溶媒中で、−10℃〜200℃の温度で
1分〜20時間反応させることにより一般式〔XII
I〕にて表される化合物の無機塩を製造することができ
る。 製造法<H>
等モルの水酸化ナトリウム水溶液を室温で反応させた
後、塩化マグネシウム、塩化第二銅、塩化カルシウム、
塩化鉄、塩化亜鉛、塩化マンガン等の金属ハロゲン化
物、硫酸マグネシウム、硫酸銅、硫酸カルシウム、硫酸
鉄、硫酸亜鉛、硫酸マンガン等の硫酸塩を加えて、水、
アルコール等の溶媒中で、−10℃〜200℃の温度で
1分〜20時間反応させることにより一般式〔XII
I〕にて表される化合物の無機塩を製造することができ
る。 製造法<H>
【手続補正25】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0095
【補正方法】変更
【補正内容】
【0095】一般式〔VIII〕にて表される化合物と
化合物〔XIV〕とを溶媒中において反応温度−10〜
100℃で1〜10時間反応させて、一般式〔XV〕に
て表される化合物を製造することができる。溶媒として
はエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
ベンゼン、トルエン等が使用できる。続いて、一般式
〔XV〕にて表される化合物と化合物〔XVI〕とを塩
基の存在下、溶媒中において反応温度−20〜150℃
で0.5〜20時間反応させ、一般式〔XVII〕にて
表される化合物を製造することができる。ここで、塩基
としては水素化ナトリウム、金属ナトリウム、t−ブト
キシカリウム、ブチルリチウム、炭酸カリウム、炭酸ナ
トリウム等が使用できる。また、溶媒としてはアセト
ン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、N,N−ジ
メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルホキシド、ベンゼン、トルエン等が使用で
きる。
化合物〔XIV〕とを溶媒中において反応温度−10〜
100℃で1〜10時間反応させて、一般式〔XV〕に
て表される化合物を製造することができる。溶媒として
はエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
ベンゼン、トルエン等が使用できる。続いて、一般式
〔XV〕にて表される化合物と化合物〔XVI〕とを塩
基の存在下、溶媒中において反応温度−20〜150℃
で0.5〜20時間反応させ、一般式〔XVII〕にて
表される化合物を製造することができる。ここで、塩基
としては水素化ナトリウム、金属ナトリウム、t−ブト
キシカリウム、ブチルリチウム、炭酸カリウム、炭酸ナ
トリウム等が使用できる。また、溶媒としてはアセト
ン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、N,N−ジ
メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルホキシド、ベンゼン、トルエン等が使用で
きる。
【手続補正26】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0096
【補正方法】変更
【補正内容】
【0096】
【実施例】次に実施例をあげて具体的に本発明化合物の
製造法、製剤法及び用途を説明する。 実施例1 <A法>1−クロロ−4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2
−イルオキシ)イソキノリン−3−カルボン酸エチル
(化合物番号754)の合成 1−クロロ−4−ヒドロキシイソキノリン−3−カルボ
ン酸エチル1.8g(7.1ミリモル)、4,6−ジメ
トキシ−2−フルオロピリミジン1.4g(8.6ミリ
モル)及び炭酸カリウム1.2g(8.6ミリモル)に
N,N−ジメチルホルムアミド40mlを加え、80〜
100℃で3時間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中
に注ぎ、酢酸エチルで洗浄した。水層を10%HCl溶
液でpH3〜4に調整し、酢酸エチルで抽出した。有機
層を、水及び飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。次に減圧下で溶媒を留去し、残渣をカラム
クロマトグラフィーにて精製し0.6g(収率21.4
%)の目的物を得た。屈折率1.5811。
製造法、製剤法及び用途を説明する。 実施例1 <A法>1−クロロ−4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2
−イルオキシ)イソキノリン−3−カルボン酸エチル
(化合物番号754)の合成 1−クロロ−4−ヒドロキシイソキノリン−3−カルボ
ン酸エチル1.8g(7.1ミリモル)、4,6−ジメ
トキシ−2−フルオロピリミジン1.4g(8.6ミリ
モル)及び炭酸カリウム1.2g(8.6ミリモル)に
N,N−ジメチルホルムアミド40mlを加え、80〜
100℃で3時間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中
に注ぎ、酢酸エチルで洗浄した。水層を10%HCl溶
液でpH3〜4に調整し、酢酸エチルで抽出した。有機
層を、水及び飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。次に減圧下で溶媒を留去し、残渣をカラム
クロマトグラフィーにて精製し0.6g(収率21.4
%)の目的物を得た。屈折率1.5811。
【手続補正27】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0098
【補正方法】変更
【補正内容】
【0098】実施例3 <A法> 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−2−メチルチオメチルチオフェン−3−カルボン
酸エチルエステル(化合物番号170)の合成 4−ヒドロキシ−2−メチルチオメチルチオフェン−3
−カルボン酸エチルエステル3.5g(15.1ミリモ
ル)、4,6−ジメトキシ−2−メチルスルホニルポリ
ミジン3.3g(15.1ミリモル)及び炭酸カリウム
2.1g(15.2ミリモル)にN,N−ジメチルホル
ムアミド50mlを加え、90〜100℃で2時間加熱
攪拌した。冷却後、反応液を水中に注ぎ、酢酸エチルで
抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウ
ムにて乾燥した。次に減圧下で溶媒を留去し、残渣をカ
ラムクロマトグラフィーにて精製し、2.8g(収率5
0.0%)の目的物を得た。
シ)−2−メチルチオメチルチオフェン−3−カルボン
酸エチルエステル(化合物番号170)の合成 4−ヒドロキシ−2−メチルチオメチルチオフェン−3
−カルボン酸エチルエステル3.5g(15.1ミリモ
ル)、4,6−ジメトキシ−2−メチルスルホニルポリ
ミジン3.3g(15.1ミリモル)及び炭酸カリウム
2.1g(15.2ミリモル)にN,N−ジメチルホル
ムアミド50mlを加え、90〜100℃で2時間加熱
攪拌した。冷却後、反応液を水中に注ぎ、酢酸エチルで
抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウ
ムにて乾燥した。次に減圧下で溶媒を留去し、残渣をカ
ラムクロマトグラフィーにて精製し、2.8g(収率5
0.0%)の目的物を得た。
【手続補正28】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0100
【補正方法】変更
【補正内容】
【0100】実施例5 <B法> 3−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)キノキサリン−2−カルボン酸エチルエステル(化
合物番号762)の合成 3−クロルキノキサリン−2−カルボン酸エチルエステ
ル2.3g(9.72ミリモル)、4,6−ジメトキシ
−2−ヒドロキシピリミジン2.0g(12.8ミリモ
ル)及び炭酸カリウム1.8g(13.0ミリモル)に
N,N−ジメチルホムアミド100mlを加え、100
℃で23時間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中に注
ぎ、酢酸エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄後、
無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次に減圧下で、溶媒を
留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し、
2.2g(収率64.7%)の目的物を得た。屈折率
1.5933。
シ)キノキサリン−2−カルボン酸エチルエステル(化
合物番号762)の合成 3−クロルキノキサリン−2−カルボン酸エチルエステ
ル2.3g(9.72ミリモル)、4,6−ジメトキシ
−2−ヒドロキシピリミジン2.0g(12.8ミリモ
ル)及び炭酸カリウム1.8g(13.0ミリモル)に
N,N−ジメチルホムアミド100mlを加え、100
℃で23時間加熱攪拌した。冷却後、反応液を水中に注
ぎ、酢酸エチルで抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄後、
無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次に減圧下で、溶媒を
留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製し、
2.2g(収率64.7%)の目的物を得た。屈折率
1.5933。
【手続補正29】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0103
【補正方法】変更
【補正内容】
【0103】実施例8 <E法> 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−3−メチルイソチアゾール−5−カルボン酸(化
合物番号480)の合成 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−3−メチルイソチアゾール−5−カルボン酸エチ
ルエステル2.0g(6.15ミリモル)を ジメチル
スルホキシド20mlに溶かし、2N水酸化ナトリウム
水溶液3.1ml(6.20ミリモル)を加え、室温下
で2時間攪拌した。反応液を水中に注ぎ、希塩酸にてp
H3〜4に調整し生じた沈澱を濾別し、水洗後、乾燥し
た。粗結晶はヘキサンにて洗浄し、1.7g(収率9
4.4%)の目的物を得た。融点139〜141℃。
シ)−3−メチルイソチアゾール−5−カルボン酸(化
合物番号480)の合成 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−3−メチルイソチアゾール−5−カルボン酸エチ
ルエステル2.0g(6.15ミリモル)を ジメチル
スルホキシド20mlに溶かし、2N水酸化ナトリウム
水溶液3.1ml(6.20ミリモル)を加え、室温下
で2時間攪拌した。反応液を水中に注ぎ、希塩酸にてp
H3〜4に調整し生じた沈澱を濾別し、水洗後、乾燥し
た。粗結晶はヘキサンにて洗浄し、1.7g(収率9
4.4%)の目的物を得た。融点139〜141℃。
【手続補正30】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0106
【補正方法】変更
【補正内容】
【0106】実施例11 <H法> N−メチルスルホニル4−(4,6−ジメトキシピリミ
ジン−2−イルオキシ)−3−メチルイソチアゾール−
5−カルボンアミド(化合物番号488)の合成 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−3−メチルイソチアゾール−カルボン酸0.68
g(2.29ミリモル)及びカルボニルジイミダゾール
0.41g(2.53ミリモル)にN,N−ジメチルホ
ルムアミド10mlを加え、室温で3時間攪拌した。次
にメタンスルホンアミド0.43g(4.52ミリモ
ル)及び60%水素化ナトリウム0.18g(4.50
ミリモル)にN,N−ジメチルホルムアミド10mlを
加え、80〜90℃で2時間加熱攪拌し、室温下、先に
合成したカルボニルイミダゾールのジメチルホルムアミ
ド溶液に加え、さらに室温で3時間攪拌した。反応液を
水に注ぎ、酢酸エチルで洗浄後、水層を10%HCl溶
液で酸性にした。析出した結晶を濾過し、イソプロピル
エーテルで洗浄し、0.61g(収率70.9%)の目
的物を得た。融点145〜148。
ジン−2−イルオキシ)−3−メチルイソチアゾール−
5−カルボンアミド(化合物番号488)の合成 4−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−3−メチルイソチアゾール−カルボン酸0.68
g(2.29ミリモル)及びカルボニルジイミダゾール
0.41g(2.53ミリモル)にN,N−ジメチルホ
ルムアミド10mlを加え、室温で3時間攪拌した。次
にメタンスルホンアミド0.43g(4.52ミリモ
ル)及び60%水素化ナトリウム0.18g(4.50
ミリモル)にN,N−ジメチルホルムアミド10mlを
加え、80〜90℃で2時間加熱攪拌し、室温下、先に
合成したカルボニルイミダゾールのジメチルホルムアミ
ド溶液に加え、さらに室温で3時間攪拌した。反応液を
水に注ぎ、酢酸エチルで洗浄後、水層を10%HCl溶
液で酸性にした。析出した結晶を濾過し、イソプロピル
エーテルで洗浄し、0.61g(収率70.9%)の目
的物を得た。融点145〜148。
【手続補正31】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0119
【補正方法】変更
【補正内容】
【0119】次に試験例をあげて本発明化合物の奏する
効果を説明する。 試験例1(水田土壌処理による除草効果試験) 100cm2プラスチックポットに水田土壌を充填し、
代掻後、タイヌビエ(Ec)、コナギ(Mo)及びホタ
ルイ(Sc)の各種子を播種し、水深3cmに湛水し
た。翌日、製剤例1に準じて調製した水和剤を水で希釈
し、水面滴下した。施用量は、有効成分を10アール当
り400gとした。その後、温室内で育成し、処理21
日目に表62の基準に従い、除草効果を調査した。その
結果を表63に示した。比較薬剤としてベンジル 3−
(4,6ジメトキシピリミジン−2イル)オキシ 2−
ナフトエート(特開平2−121973公報明細書記
載:化合物番号2.5)を同様に製剤化して使用した。
効果を説明する。 試験例1(水田土壌処理による除草効果試験) 100cm2プラスチックポットに水田土壌を充填し、
代掻後、タイヌビエ(Ec)、コナギ(Mo)及びホタ
ルイ(Sc)の各種子を播種し、水深3cmに湛水し
た。翌日、製剤例1に準じて調製した水和剤を水で希釈
し、水面滴下した。施用量は、有効成分を10アール当
り400gとした。その後、温室内で育成し、処理21
日目に表62の基準に従い、除草効果を調査した。その
結果を表63に示した。比較薬剤としてベンジル 3−
(4,6ジメトキシピリミジン−2イル)オキシ 2−
ナフトエート(特開平2−121973公報明細書記
載:化合物番号2.5)を同様に製剤化して使用した。
【手続補正32】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0121
【補正方法】変更
【補正内容】
【0121】
【表63】
【手続補正33】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0123
【補正方法】変更
【補正内容】
【0123】
【表64】
【手続補正34】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0125
【補正方法】変更
【補正内容】
【0125】
【表65】
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 A01N 43/58 A 8930−4H 43/60 8930−4H 43/647 8930−4H 43/66 8930−4H 43/76 8930−4H 43/78 A 8930−4H 43/80 101 8930−4H 102 8930−4H C07D 239/54 239/60 8615−4C 401/12 8829−4C 403/12 8829−4C 403/14 8829−4C 405/12 251 409/12 239 8829−4C 251 409/14 8829−4C 413/12 239 8829−4C 251 417/12 239 9051−4C 251 C07F 7/10 A 8018−4H (72)発明者 吉村 巧 静岡県磐田郡福田町塩新田408番地の1 株式会社ケイ・アイ研究所内 (72)発明者 清水 邦昭 静岡県磐田郡福田町塩新田408番地の1 株式会社ケイ・アイ研究所内 (72)発明者 立川 重彦 静岡県静岡市安西3丁目57番地
Claims (2)
- 【請求項1】一般式 【化1】 〔式中、Aは式 【化2】 で表される複素環を示し、Rは水素原子、水酸基、イミ
ダゾリル基、C1〜6アルコキシ基、C3〜6アルケニルオ
キシ基、C3〜6アルキニルオキシ基、C1〜6アルキルチ
オ基、C3〜7シクロアルコキシ基、ベンジルオキシ基、
置換ベンジルオキシ基、ベンジルチオ基、置換ベンジル
チオ基、C3〜6シクロアルキルチオ基、C1〜4アルコキ
シC1〜4アルコキシ基、フリルオキシ基、テトラヒドロ
フリルオキシ基、フェノキシ基、置換フェノキシ基、C
2〜4アラルキルオキシ基、C1〜4アルキルチオC1〜4ア
ルコキシ基、シアノC1〜4アルコキシ基、C1〜4アルコ
キシカルボニルC1〜4アルコキシ基、N,N−ジC1〜3
アルキルアミノC1〜3アルコキシ基、N,N−ジC1〜3
アルキルアミノC1〜3アルキルチオ基、C3〜9の直鎖ま
たは環状のアルキリデンアミノキシ基、C1〜4アルキル
スルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、置
換フェニルスルホニルアミノ基、トリメチルシリルエト
キシ基、式−NR4R5(式中、R4及びR5は同一または
相異なり、水素原子、水酸基、C1〜6アルキル基、C1
〜6アルコキシ基、C3〜6アルケニル基、フェニル基、
置換フェニル基、C3〜6シクロアルキル基、C1〜3アル
コキシC1〜3アルキル基、C1〜3アシル基、C3〜6アル
キニル基、C3〜5アルケニルオキシ基、C3〜5アルキニ
ルオキシ基、ベンジルオキシ基、置換ベンジルオキシ
基、C1〜4アルコキシカルボニルC1〜3アルキル基、C
1〜4アルコキシカルボニルC1〜3アルコシキ基、アミノ
基、ジメチルアミノ基、シアノ基、C1〜4アルキルスル
ホニル基、フェニルスルホニル基、置換フェニルスルホ
ニル基、アセチルアミノ基、アニリノ基を示す。また、
R4及びR5は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成
することもできる。)で表される基を示し、R1及びR2
は同一または相異なり、水素原子(但し、R1及びR2は
同一の場合を除く)、ハロゲン原子、C1〜6アルキル
基、C1〜6ハロアルキル基、C1〜6アルコキシ基、C1
〜6ハロアルコキシ基、C1〜6アルキルチオ基、フェノ
キシ基、置換フェノキシ基、C1〜3アルコキシC1〜3ア
ルキル基、C3〜6シクロアルキル基、C2〜5アルケニル
基、C3〜5アルケニルオキシ基、C2〜4アルキニル基、
C3〜5アルキニルオキシ基、C1〜3アルキルチオC1〜3
アルキル基、式−NR6R7(式中、R6及びR7は同一ま
たは相異なり、水素原子、水酸基、C1〜4アルキル基、
C1〜4アルコキシ、C2〜4アルケニル基、C2〜4アルキ
ニル基、C3〜5アルケニルオキシ基、C3〜5アルキニル
オキシ基を示す。またR6及びR7は一緒にヘテロ原子を
含んでもよい環を形成することもできる。)で表される
基を示し、R3は水素原子、C1〜6アルキル基、フェニ
ル基、置換フェニル基、ベンジル基、置換ベンジル基、
ベンゾイル基、置換ベンゾイル基、C1〜3アシル基、C
1〜6アルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基、置
換フェニルスルホニル基を示し、Xは水素原子、C1〜6
アルキル基、C1〜6ハロアルキル基、C1〜6アルコキシ
基、C1〜6ハロアルコキシ基、C3〜6アルケニル基、フ
ェニル基、置換フェニル基、ベンジル基、置換ベンジル
基、フェノキシ基、置換フェノキシ基、ベンジルオキシ
基、置換ベンジルオキシ基、C1〜3アシル基、ナフチル
基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基、ハロゲン原子、
ホルミル基、ニトロ基、式−NR8R9(式中、R8及び
R9は同一または異なり、水素原子、C1〜12アルキル
基、C3〜6アルケニル基、C3〜6アルキニル基、フェニ
ル基、置換フェニル基、ナフチル基、C1〜3アシル基、
ベンゾイル基、置換ベンゾイル基を示す。また、R8及
びR9は一緒にヘテロ原子を含んでもよい環を形成する
こともできる。)で表される基を示し、C1〜6アルキル
チオ基、C1〜6アルキルチオC1〜3アルキル基、フェニ
ルチオ基、置換フェニルチオ基、C1〜6アルコキシカル
ボニル基、カルボキシル基、シアノ基、カルバモイル
基、N−アルキルカルバモイル基、C1〜6アルキルスル
ホニル基、フェニルスルホニル基、置換フェニルスルホ
ニル基、C1〜6アルコキシC1〜6アルキル基、C1〜6ア
ルコキシC1〜6アルコキシ基、C1〜6アルキルチオC1
〜6アルキル基、C1〜6アルコキシC1〜6アルキルチオ
基、C1〜6アルキルチオC1〜6アルコキシ基、アリルチ
オ基、C1〜6アルキルスルフィニル基、フリル基、チェ
ニル基、ピリジル基、置換されていてもよいピリミジニ
ルオキシ基、置換されていてもよいピリミジニルチオ
基、置換トリアジニルオキシ基、置換トリアジニルチオ
基を示し、Wは酸素原子、硫黄原子、基−NR10(式
中、R10は水素原子、C1〜3アルキル基、C2〜5アルケ
ニル基、C2〜4アルキニル基、ホルミル基、C1〜3アル
コキシC1〜3アルキル基、C1〜3アルキルスルホニル
基、フェニルスルホニル基、置換フェニルスルホニル
基、C1〜3アシル基、ベンゾイル基、置換ベンゾイル基
を示す。)を示し、Zは窒素原子またはメチン基を示
し、nは1〜5の整数を示す。〕で表されるピリミジン
またはトリアジン誘導体及びその塩。 - 【請求項2】請求項1に記載のピリミジンまたはトリア
ジン誘導体及びその塩を有効成分として含有する除草剤
及び植物生長調整剤。
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