JPH05326786A - Finely patterned lead frame and manufacture thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はファインパターンリード
フレーム及びその製造方法に関し、更に詳細には隣接す
るインナーリード部が狭ピッチで形成されたファインパ
ターンリードフレーム及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fine pattern lead frame and a manufacturing method thereof, and more particularly to a fine pattern lead frame having adjacent inner lead portions formed at a narrow pitch and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置において、図７に示すリード
フレーム２００に搭載された半導体チップは、半導体チ
ップの周縁を取り囲むインナーリード部１２０、１２０
・・・の各々の先端部とワイヤー等によって電気的に接
続される。かかる半導体装置においては、インナーリー
ド部１２０・・・と連結されているアウターリード１４
０・・・を介して半導体チップと外部装置との信号等の
受け渡しがなされる。従来、この様なリードフレーム２
００は、プレス加工によって形成されてきたが、最近の
半導体チップの高集積化に伴うリードフレーム２００の
多ピン化及び／又は半導体装置の小型化等によって、イ
ンナーリード部１２０・・・の高密度化が要請されてい
る。このため、リードフレーム２００のインナーリード
部１２０の形成密度を高密度化すべく、細幅のインナー
リード部１２０を狭ピッチで形成することのできるエッ
チング法が採用されつつある。2. Description of the Related Art In a semiconductor device, a semiconductor chip mounted on a lead frame 200 shown in FIG. 7 has inner lead portions 120, 120 surrounding the periphery of the semiconductor chip.
Are electrically connected to the respective tip portions of ... With wires or the like. In such a semiconductor device, the outer leads 14 connected to the inner lead portions 120 ...
Signals and the like are exchanged between the semiconductor chip and an external device via 0 ... Conventionally, such a lead frame 2
00 has been formed by pressing, but due to the increase in the number of pins in the lead frame 200 and / or the miniaturization of the semiconductor device accompanying the recent high integration of semiconductor chips, the high density of the inner lead parts 120 ... Has been requested. Therefore, in order to increase the formation density of the inner lead portions 120 of the lead frame 200, an etching method that can form the narrow inner lead portions 120 at a narrow pitch is being adopted.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】エッチング法によれ
ば、プレス加工よりも細幅のインナーリード部１２０が
狭ピッチで形成されたリードフレーム２００を製造する
ことができる。しかしながら、エッチング法によって
も、エッチングを過度に施すと、得られるインナーリー
ド部１２０は、図８（ａ）（ｂ）に示す如く、先端が丸
味を帯び且つ側面が曲面状となるため、インナーリード
部１２０のピッチ幅は、エッチング加工に供する金属板
の板厚に因るこのことを図９を用いて説明する。先ず、
図９（ａ）の如く、エッチングを施すエッチング部分１
１２、１１２を残して両面に保護皮膜１１０を形成した
金属板１００をエッチング液に浸漬することによって、
エッチング部分１１２、１１２を同時にエッチングする
ことができる〔図９（ｂ）〕。更に、エッチング部分１
１２、１１２のエッチングが進行すると、エッチング幅
が当初予定していた幅よりも拡大されつつエッチングが
施され〔図９（ｃ）〕、エッチング部分１１２、１１２
が貫通してエッチング孔１１４が穿設されたとき、エッ
チングが完了する〔図９（ｄ）〕。According to the etching method, it is possible to manufacture the lead frame 200 in which the inner lead portions 120 having a width narrower than that of the press working are formed at a narrow pitch. However, if the etching is excessively performed by the etching method as well, the inner lead portion 120 obtained has a rounded tip and a curved side surface, as shown in FIGS. The pitch width of the portions 120 depends on the thickness of the metal plate used for the etching process, which will be described with reference to FIG. First,
As shown in FIG. 9A, the etching portion 1 to be etched
By immersing the metal plate 100 having the protective films 110 formed on both surfaces thereof, leaving 12 and 112, in an etching solution,
The etched portions 112, 112 can be simultaneously etched [FIG. 9 (b)]. Furthermore, the etching part 1
As the etching of 12, 112 progresses, the etching is performed with the etching width being enlarged from the initially planned width [FIG. 9 (c)], and the etched portions 112, 112 are etched.
When the etching holes 114 are formed by penetrating the holes, the etching is completed [FIG. 9 (d)].
【０００４】この様に、エッチング法によって穿設され
たエッチング孔１１４のエッチング幅は、当初予定して
いた幅よりも拡大するため、穿設されるエッチング孔１
１４の幅を狭くせんとするとき、エッチング加工に供す
る金属薄板の板厚を可及的に薄くすることを必要とす
る。このため、従来のエッチング法によって狭ピッチの
インナーリード部を具備するリードフレームを製造せん
とする場合、極めて薄い金属板をエッチング加工に供す
ることを要するが、金属板の剛性が不足してエッチング
加工中に金属板等の変形が発生し易いため、エッチング
加工中に金属板等の変形防止のための細心の注意を必要
とする。そこで、本発明の目的は、インナーリード部が
狭ピッチに形成されたリードフレームを容易に製造し得
るファインパターンリードフレーム及びその製造方法を
提供することにある。As described above, since the etching width of the etching hole 114 formed by the etching method is larger than the originally planned width, the etching hole 1 to be formed is formed.
When the width of 14 is narrowed, it is necessary to reduce the thickness of the metal thin plate used for the etching process as much as possible. For this reason, when manufacturing a lead frame having a narrow pitch inner lead portion by a conventional etching method, it is necessary to subject an extremely thin metal plate to etching processing, but the rigidity of the metal plate is insufficient and the etching processing is performed. Since the metal plate or the like is likely to be deformed therein, great care must be taken to prevent the metal plate or the like from being deformed during the etching process. Therefore, an object of the present invention is to provide a fine pattern lead frame which can easily manufacture a lead frame in which inner lead portions are formed with a narrow pitch, and a manufacturing method thereof.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者等は、狭ピッチ
のインナーリードを形成するには、インナーリード部を
形成する銅金属等の金属に対して剥離性を有する支持板
上に、銅金属等の金属をめっきによって積層してインナ
ーリード部を形成した後、前記支持板とインナーリード
部とを分離することが有効と考え検討した結果、本発明
に到達した。即ち、本発明は、インナーリード部が狭ピ
ッチで形成されたファインパターンリードフレームにお
いて、該インナーリード部が実質的にめっきによって積
層された金属から成り、前記インナーリード部の横断面
形状が略矩形で且つ隣接するインナーリード部の側面が
略平坦であることを特徴とするファインパターンリード
フレームにある。The inventors of the present invention have found that in order to form inner leads with a narrow pitch, copper is formed on a supporting plate having a peeling property with respect to a metal such as copper metal forming the inner leads. The present invention has been achieved as a result of studying that it is effective to separate the support plate and the inner lead portion after laminating metal such as metal by plating to form the inner lead portion. That is, according to the present invention, in a fine pattern lead frame in which inner lead portions are formed with a narrow pitch, the inner lead portions are made of metal substantially laminated by plating, and the inner lead portions have a substantially rectangular cross-sectional shape. In addition, in the fine pattern lead frame, the side surfaces of the adjacent inner lead portions are substantially flat.
【０００６】また、本発明は、インナーリード部が狭ピ
ッチに形成されたファインパターンリードフレームを製
造するに際し、該インナーリード部を実質的に形成する
金属に対して剥離性を有する支持板の一面全面に、前記
金属に対して密着性を有する金属薄膜層を形成した後、
前記金属薄膜層の全面に塗布したレジスト層を部分的に
除去してインナーリード部を形成する部分の金属薄膜層
を露出せしめ、次いで、部分的に露出した金属薄膜層上
にめっきによって前記金属を積層してインナーリード部
を形成した後、残存するレジスト層を除去して露出した
金属薄膜層をエッチング除去し、その後、前記支持板と
インナーリード部とを分離することを特徴とするファイ
ンパターンリードフレームの製造方法にある。Further, according to the present invention, in manufacturing a fine pattern lead frame in which inner lead portions are formed with a narrow pitch, one surface of a support plate having peeling property to a metal which substantially forms the inner lead portions. After forming a metal thin film layer having adhesion to the metal on the entire surface,
The resist layer applied to the entire surface of the metal thin film layer is partially removed to expose the metal thin film layer in the portion forming the inner lead portion, and then the metal is plated on the partially exposed metal thin film layer. After forming the inner lead portion by stacking, the remaining resist layer is removed to remove the exposed metal thin film layer by etching, and then the support plate and the inner lead portion are separated from each other, the fine pattern lead. It is in the frame manufacturing method.
【０００７】更に、インナーリード部が狭ピッチに形成
されたファインパターンリードフレームを製造するに際
し、該インナーリード部を実質的に形成する金属に対し
て密着性を有する支持板の一面全面に、前記支持板に対
して剥離性を有する剥離性薄膜層を形成し、前記剥離性
薄膜上にインナーリード部を形成する金属に対して密着
性を有する金属薄膜層を形成した後、前記金属薄膜層の
全面に塗布したレジスト層を部分的に除去してインナー
リード部を形成する部分の金属薄膜層を露出せしめ、次
いで、部分的に露出した金属薄膜層上にめっきによって
前記金属を積層してインナーリード部を形成した後、残
存するレジスト層を除去して露出した金属薄膜層をエッ
チング除去し、その後、前記剥離性薄膜層とインナーリ
ード部とを分離することを特徴とするファインパターン
リードフレームの製造方法でもある。Further, in manufacturing a fine pattern lead frame in which inner lead portions are formed with a narrow pitch, the above-mentioned whole surface of a support plate having adhesion to the metal forming the inner lead portions is After forming a peelable thin film layer having a peeling property with respect to the support plate, and forming a metal thin film layer having adhesion to the metal forming the inner lead portion on the peelable thin film, the metal thin film layer The resist layer applied to the entire surface is partially removed to expose the metal thin film layer where the inner lead portion is formed, and then the metal is laminated by plating on the partially exposed metal thin film layer to form the inner lead. After forming the portion, the remaining resist layer is removed to remove the exposed metal thin film layer by etching, and then the peelable thin film layer and the inner lead portion are separated. It is also a method for manufacturing a fine pattern lead frame wherein.
【０００８】かかる構成のファインパターンリードフレ
ームの製造方法において、樹脂、タングステン（Ｗ）ー
モリブデン（Ｍｏ）合金、鉄（Ｆｅ）ーニッケル（Ｎ
ｉ）ーコバルト（Ｃｏ）合金、又は鉄（Ｆｅ）ーニッケ
ル（Ｎｉ）合金から成る支持板上に、インナーリード部
を銅金属によって形成すること、銅金属から成る支持板
上に、タングステン（Ｗ）ーモリブデン（Ｍｏ）合金、
鉄（Ｆｅ）ーニッケル（Ｎｉ）ーコバルト（Ｃｏ）合
金、又は鉄（Ｆｅ）ーニッケル（Ｎｉ）合金から成る剥
離性薄膜層を形成した後、インナーリード部を銅金属に
よって形成すること、或いは金属薄膜層を銅金属によっ
て形成することが、従来から使用されてきたリードフレ
ーム製造用の材料を使用することができる。更に、金属
薄膜層及び剥離性薄膜層をスパッター法によって形成す
ることが、金属薄膜層及び剥離性薄膜層を容易に形成す
ることができる。In the method of manufacturing the fine pattern lead frame having such a structure, resin, tungsten (W) -molybdenum (Mo) alloy, iron (Fe) -nickel (N
i) -cobalt (Co) alloy or iron (Fe) -nickel (Ni) alloy, the inner lead portion is made of copper metal, and the support plate made of copper metal is made of tungsten (W) -molybdenum. (Mo) alloy,
After forming a peelable thin film layer made of an iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy or an iron (Fe) -nickel (Ni) alloy, the inner lead portion is made of copper metal, or a metal thin film layer Can be made of copper metal, and materials conventionally used for manufacturing lead frames can be used. Furthermore, the metal thin film layer and the peelable thin film layer can be easily formed by forming the metal thin film layer and the peelable thin film layer by the sputtering method.
【０００９】[0009]
【作用】本発明によれば、実質的にエッチングを施すこ
となくめっき（以下、アディティブめっきと称すること
がある）に因る金属の積層によってインナーリード部を
形成するため、インナーリード部の横断面形状を略矩形
に形成でき且つインナーリードのピッチ幅も自由に設定
することができる。このため、インナーリード部の厚さ
よりも狭ピッチのインナーリード部から成るファインパ
ターンリードフレームを製造することができる。更に、
ファインパターンリードフレームの製造中においては、
インナーリード部を支持板上に形成するため、製造中に
インナーリード部の変形等を防止でき、均斉なファイン
パターンリードフレームを得ることができる。According to the present invention, since the inner lead portion is formed by laminating metal due to plating (hereinafter sometimes referred to as additive plating) without substantially performing etching, the cross section of the inner lead portion is formed. The shape can be formed into a substantially rectangular shape, and the pitch width of the inner leads can be freely set. Therefore, it is possible to manufacture a fine pattern lead frame including inner lead portions having a pitch smaller than the thickness of the inner lead portions. Furthermore,
During the manufacture of fine pattern lead frames,
Since the inner lead portion is formed on the support plate, it is possible to prevent the inner lead portion from being deformed or the like during manufacturing, and it is possible to obtain a uniform fine pattern lead frame.
【００１０】[0010]
【実施例】本発明を図面によって更に詳細に説明する。
図１は、本発明に係るファインパターンリードフレーム
（以下、リードフレームと称することがある）を構成す
るインナーリード部の横断面図である。図において、リ
ードフレームを構成するインナーリード部１２・・は、
銅金属によって形成され且つ横断面形状が略矩形であ
り、隣接するインナーリード部１２の側面が略平坦であ
る。このため、図８に示す従来のリードフレームを構成
するインナーリード部１２０・・・の如く、隣接するイ
ンナーリード部１２０の側面が曲面状でないため、イン
ナーリード１２間を狭ピッチとすることができるのであ
る。本実施例においては、リードフレームに搭載される
半導体チップとワイヤー等によって接続されるインナー
リード１２の接続面側又は前記接続面の反対面側に、イ
ンナーリード部を形成する銅金属に対して密着性を有す
る金属薄膜層１４が形成されている。この金属薄膜層１
４は銅金属から成り、後述する様に、エッチング処理が
施されている。The present invention will be described in more detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view of an inner lead portion that constitutes a fine pattern lead frame (hereinafter, also referred to as a lead frame) according to the present invention. In the figure, the inner lead portions 12 ...
It is made of copper metal and has a substantially rectangular cross section, and the side surfaces of the adjacent inner lead portions 12 are substantially flat. Therefore, unlike the inner lead portions 120 ... Which constitute the conventional lead frame shown in FIG. 8, since the side surfaces of the adjacent inner lead portions 120 are not curved, the inner leads 12 can have a narrow pitch. Of. In this embodiment, the inner lead 12 connected to the semiconductor chip mounted on the lead frame by a wire or the like is attached to the connection surface side or the opposite surface side to the copper metal forming the inner lead portion. The metal thin film layer 14 having the property is formed. This metal thin film layer 1
Reference numeral 4 is made of copper metal, and has been subjected to etching treatment as described later.
【００１１】この様な本実施例のリードフレームは、図
２に示す製造方法によって得ることができる。図２にお
いて、ポリイミド樹脂から成る支持板２０の一面全面
に、銅金属から成る金属薄膜層１４を形成する〔図２
（ａ）〕。この金属薄膜層１４は、支持板２０に対して
剥離性を有するが、スパッター法を採用することによっ
て支持板２０上に金属薄膜１４を容易に形成することが
できる。更に、金属薄膜層１４上に、形成するインナー
リード部の厚さ（図１に示す厚さｔ）と同一厚さとなる
ように、レジスト層２２を塗布する〔図２（ｂ）〕。
尚、レジスト層２２を形成するレジストとしては、ポジ
ティブタイプ或いはネガティブタイプのどちらであって
もよい。次いで、金属薄膜層１４上に塗布されたレジス
ト層２２において、インナーリード部を形成する部分２
４をエッチング等によって除去し、露出した金属薄膜層
１４の部分に銅金属をアディティブめっきによって積層
してインナーリード部１２を形成した後、残存していた
レジスト層２２をエッチング等によって除去する〔図２
（ｃ）（ｄ）（ｅ）〕。本実施例において施すアディテ
ィブめっきは、電解めっき法によって行う。銅金属を緻
密に積層することができるためである。Such a lead frame of this embodiment can be obtained by the manufacturing method shown in FIG. In FIG. 2, a metal thin film layer 14 made of copper metal is formed on the entire one surface of the support plate 20 made of polyimide resin [FIG.
(A)]. The metal thin film layer 14 has a releasability from the support plate 20, but the metal thin film 14 can be easily formed on the support plate 20 by adopting the sputtering method. Further, a resist layer 22 is applied on the metal thin film layer 14 so as to have the same thickness as the thickness of the inner lead portion to be formed (thickness t shown in FIG. 1) [FIG. 2 (b)].
The resist forming the resist layer 22 may be either a positive type or a negative type. Next, in the resist layer 22 applied on the metal thin film layer 14, the portion 2 forming the inner lead portion
4 is removed by etching or the like, copper metal is laminated on the exposed portion of the metal thin film layer 14 by additive plating to form the inner lead portion 12, and then the remaining resist layer 22 is removed by etching or the like [FIG. Two
(C) (d) (e)]. The additive plating applied in this embodiment is performed by electrolytic plating. This is because the copper metal can be densely stacked.
【００１２】残存していたレジスト層２２の除去によっ
て露出した金属薄膜層１４は、エッチング処理によって
除去され、支持板２０が露出する〔図２（ｆ）〕。この
金属薄膜層１４のエッチングの際に、アディティブめっ
きによって形成されたインナーリード部１２もエッチン
グされるが、金属薄膜層１４は極めて薄いために金属薄
膜層１４の除去のためのエッチングに対して、インナー
リード部１２は実質的に影響を受けない。その後、ポリ
イミド樹脂から成る支持板２０を、インナーリード部１
２を形成する金属をエッチングすることのないエッチン
グ液に浸漬して溶解除去し、インナーリード部１２を分
離する〔図２（ｇ）〕。尚、支持板２０を溶解除去する
ことなく物理的に剥離し、インナーリード部１２を分離
してもよい。The metal thin film layer 14 exposed by removing the remaining resist layer 22 is removed by an etching process to expose the supporting plate 20 [FIG. 2 (f)]. When the metal thin film layer 14 is etched, the inner lead portion 12 formed by additive plating is also etched. However, since the metal thin film layer 14 is extremely thin, the etching for removing the metal thin film layer 14 The inner lead portion 12 is not substantially affected. Then, the support plate 20 made of polyimide resin is attached to the inner lead portion 1
The metal forming 2 is immersed in an etching solution that does not etch to dissolve and remove it, and the inner lead portion 12 is separated [FIG. 2 (g)]. The inner lead portion 12 may be separated by physically peeling the support plate 20 without dissolving and removing it.
【００１３】図２に示す製造方法によって得られたリー
ドフレームにおいては、通常、搭載される半導体チップ
とワイヤー等によって電気的に接続されるインナーリー
ド部１２の接続部分に、銀等の金属が部分めっきされ
る。この際の部分めっきは、インナーリード部１２の側
面にも施されるため、銀等の金属がインナーリード部１
２の側面にも付着する。この様にインナーリード部１２
の側面に銀等の金属が付着すると、銀等の金属のマイグ
レーション等に起因する問題が発生するおそれがある。
この点、図３に示す製造方法によれば、インナーリード
部の所定の部分にのみ銀等の金属を付着することがで
き、前記問題の発生のおそれを解消できる。図３におい
て、図２に示す工程（ｄ）までは、図２に示す製造方法
と同様に行う。つまり、ポリイミド樹脂から成る支持板
２０の一面全面にスパッター法によって銅金属から成る
金属薄膜層１４を形成した後、金属薄膜層１４上に塗布
したレジスト層２２において、インナーリード部を形成
する部分２４をエッチング等によって除去し、露出した
金属薄膜層１４の部分に銅金属をアディティブめっきに
よって積層してインナーリード部１２を形成する〔図３
（イ）〕。In the lead frame obtained by the manufacturing method shown in FIG. 2, a metal such as silver is usually formed at the connection portion of the inner lead portion 12 which is electrically connected to the mounted semiconductor chip by a wire or the like. Plated. Since the partial plating at this time is also performed on the side surface of the inner lead portion 12, a metal such as silver is used for the inner lead portion 1.
It also adheres to the side surface of 2. In this way, the inner lead portion 12
If a metal such as silver adheres to the side surface of the above, a problem may occur due to migration of the metal such as silver.
In this respect, according to the manufacturing method shown in FIG. 3, the metal such as silver can be attached only to a predetermined portion of the inner lead portion, and the possibility of the above-mentioned problems occurring can be eliminated. In FIG. 3, up to the step (d) shown in FIG. 2, the manufacturing method shown in FIG. 2 is performed. That is, after the metal thin film layer 14 made of copper metal is formed on the entire one surface of the support plate 20 made of polyimide resin by the sputtering method, in the resist layer 22 applied on the metal thin film layer 14, the portion 24 forming the inner lead portion is formed. Is removed by etching or the like, and copper metal is laminated on the exposed portion of the metal thin film layer 14 by additive plating to form the inner lead portion 12 [FIG.
(I)〕.
【００１４】次いで、形成したインナーリード部１２の
表面の所定の箇所に、銀金属から成る金属膜１６を部分
めっきによって形成する〔図３（ロ）〕。この部分めっ
きは、金属膜１６を形成する必要のないインナーリード
部１２の部分をマスクで覆いつつ電解めっきで行う。か
かる金属膜１６は、後述する金属薄膜１４をエッチング
するエッチング液にエッチングされるため、金属薄膜１
４よりも厚くする。この厚さとしては、金属薄膜層１４
の厚さが１μｍのとき、金属膜の厚さを５μｍ程度とす
ることが好ましい。その後、残存していたレジスト層２
２を除去して金属薄膜層１４を露出した後〔図３（ハ）
（ニ）〕、露出した金属薄膜層１４をエッチングで除去
する〔図３（ホ）〕。このエッチングの際に、金属膜１
６及びインナーリード部１２も同時にエッチングされ
る。しかし、インナーリード部１２は金属薄膜層１４の
厚さに対して充分に厚く実質的な影響を受けることがな
い。また、金属膜１６も金属薄膜層１４よりも厚く形成
されているため、金属薄膜層１４がエッチング除去され
たとき、インナーリード部１２の所定の箇所に金属膜１
６を残存させることができる。Then, a metal film 16 made of silver metal is formed by partial plating on a predetermined portion of the surface of the formed inner lead portion 12 (FIG. 3B). This partial plating is performed by electrolytic plating while the inner lead portion 12 where the metal film 16 need not be formed is covered with a mask. Since the metal film 16 is etched by an etching solution for etching the metal thin film 14 described later, the metal thin film 1
Make it thicker than 4. As this thickness, the metal thin film layer 14
When the thickness is 1 μm, the thickness of the metal film is preferably about 5 μm. After that, the remaining resist layer 2
2 is removed to expose the metal thin film layer 14 [FIG.
(D)] Then, the exposed metal thin film layer 14 is removed by etching [FIG. 3 (e)]. During this etching, the metal film 1
6 and the inner lead portion 12 are simultaneously etched. However, the inner lead portion 12 is sufficiently thick and is not substantially affected by the thickness of the metal thin film layer 14. Further, since the metal film 16 is also formed to be thicker than the metal thin film layer 14, when the metal thin film layer 14 is removed by etching, the metal film 1 is provided at a predetermined position of the inner lead portion 12.
6 can remain.
【００１５】図２及び図３において、ポリイミド樹脂か
ら成る支持板２０をエッチング除去する際に、図４に示
す様に、最終的に得られるリードフレーム１０におい
て、インナーリード部１２に支持板２０の一部を枠状に
残存させることによって、インナーリード部１２のバラ
ツキ防止を図ることができる。かかる枠状の支持板２０
上には、図５に示す様に、横断面形状が略矩形のインナ
ーリード部１２が形成されている。この様に支持板２０
を枠状に残留することによって、従来、インナーリード
部のバラツキ防止策として行われてきた、インナーリー
ド部の所定箇所に粘着テープを貼る作業を省略できる。
また、本実施例においては、ポリイミド樹脂から成る支
持板２０を使用してきたが、銅金属から成るインナーリ
ード部１２に対して剥離性を有する支持板２０であれば
よく、例えばタングステン（Ｗ）ーモリブデン（Ｍｏ）
合金、鉄（Ｆｅ）ーニッケル（Ｎｉ）ーコバルト（Ｃ
ｏ）合金、又は鉄（Ｆｅ）ーニッケル（Ｎｉ）合金から
成る金属製の支持板２０を使用できる。但し、金属製の
支持板２０を使用した場合は、インナーリード部１２と
支持板２０とを物理的に剥離する。2 and 3, when the support plate 20 made of polyimide resin is removed by etching, as shown in FIG. 4, in the lead frame 10 finally obtained, the support plate 20 is attached to the inner lead portion 12. By leaving a portion of the inner lead portion 12 in a frame shape, it is possible to prevent variations in the inner lead portions 12. Such frame-shaped support plate 20
As shown in FIG. 5, an inner lead portion 12 having a substantially rectangular cross section is formed on the top. In this way, the support plate 20
By remaining in the shape of a frame, it is possible to omit the work of pasting an adhesive tape on a predetermined portion of the inner lead portion, which has been conventionally performed as a measure for preventing variations in the inner lead portion.
In addition, although the support plate 20 made of a polyimide resin is used in this embodiment, any support plate 20 having a peeling property with respect to the inner lead portion 12 made of copper metal may be used. For example, tungsten (W) -molybdenum may be used. (Mo)
Alloy, iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (C
o) A metal support plate 20 made of an alloy or an iron (Fe) -nickel (Ni) alloy can be used. However, when the metal support plate 20 is used, the inner lead portion 12 and the support plate 20 are physically separated.
【００１６】これまで述べてきた実施例においては、イ
ンナーリード部１２に対して剥離性を有する支持板２０
上にインナーリード部１２を形成してきたが、インナー
リード部１２に対して密着性を有する支持板２１、例え
ば銅製の支持板２１上に銅金属から成るインナーリード
部１２をアディティブめっきによって形成する場合を図
６に示す。先ず、銅製の支持板２１の一面全面に、支持
板２１に対して剥離性を有する剥離性薄膜層１５を形成
した後、剥離性薄膜層１５上にインナーリード部１２に
対して密着性を有する金属薄膜層１４を形成する〔図６
（Ｉ）〕。ここで、剥離性薄膜層１５を形成する金属と
しては、タングステン（Ｗ）ーモリブデン（Ｍｏ）合
金、鉄（Ｆｅ）ーニッケル（Ｎｉ）ーコバルト（Ｃｏ）
合金、又は鉄（Ｆｅ）ーニッケル（Ｎｉ）合金等を挙げ
ることができ、これら金属をスパッター法によって金属
薄膜層１４を容易に形成できる。また、本実施例の金属
薄膜層１４は、銅金属をスパッター法によって形成した
ものである。In the embodiments described so far, the support plate 20 having a peeling property with respect to the inner lead portion 12 is used.
Although the inner lead portion 12 is formed on the upper side, when the inner lead portion 12 made of copper metal is formed by additive plating on the support plate 21 having adhesion to the inner lead portion 12, for example, the support plate 21 made of copper. Is shown in FIG. First, the peelable thin film layer 15 having peelability with respect to the support plate 21 is formed on the entire surface of one surface of the copper support plate 21, and then the peelable thin film layer 15 has adhesiveness with respect to the inner lead portion 12. The metal thin film layer 14 is formed [FIG.
(I)]. Here, the metal forming the peelable thin film layer 15 is a tungsten (W) -molybdenum (Mo) alloy, iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co).
An alloy, an iron (Fe) -nickel (Ni) alloy, or the like can be given, and the metal thin film layer 14 can be easily formed by sputtering these metals. In addition, the metal thin film layer 14 of this embodiment is formed by sputtering copper metal.
【００１７】更に、金属薄膜層１４の全面に塗布したレ
ジスト層２２を部分的に除去してインナーリード部１２
を形成する部分２４に相当する金属薄膜層１４を露出し
た後〔図６（II）(III）〕、露出した金属薄膜層１４上
にアディティブめっきによって銅金属を積層してインナ
ーリード部１２を形成する〔図６（IV）〕。このアディ
ティブめっきも、銅金属を緻密に積層するため、電解め
っき法によって行う。次いで、残存していたレジスト層
２２を除去して露出した金属薄膜層１５をエッチング除
去し〔図６（Ｖ）（VI）〕、インナーリード部１２と剥
離性薄膜層１５とを剥離する〔図６(VII）〕。尚、図６
に示す方法においても、図３に示す様に、インナーリー
ド部１２の所定箇所に銀等の金属膜１６を形成してもよ
い。Further, the resist layer 22 applied on the entire surface of the metal thin film layer 14 is partially removed to remove the inner lead portion 12.
After exposing the metal thin film layer 14 corresponding to the portion 24 for forming the [FIGS. 6 (II) and (III)], copper metal is laminated on the exposed metal thin film layer 14 by additive plating to form the inner lead portion 12. (FIG. 6 (IV)). This additive plating is also performed by an electrolytic plating method because copper metal is densely laminated. Next, the remaining resist layer 22 is removed and the exposed metal thin film layer 15 is removed by etching [FIGS. 6 (V) and (VI)], and the inner lead portion 12 and the peelable thin film layer 15 are peeled [FIG. 6 (VII)]. Incidentally, FIG.
Also in the method shown in FIG. 3, a metal film 16 made of silver or the like may be formed at a predetermined portion of the inner lead portion 12, as shown in FIG.
【００１８】以上、述べてきた本実施例によれば、イン
ナーリード部１２を実質的にエッチングを施すことなく
アディティブめっきによって形成するため、得られるイ
ンナーリード部１２の横断面形状を略矩形とすることが
でき且つ隣接するインナーリード部１２の側面も略平坦
とすることができる。更に、インナーリード部１２の先
端の形状もシャープな形状とすることもできる。このた
め、図１に示す様に、インナーリード部１２のピッチ幅
Ｐをインナーリード部１２の厚さｔよりも狭くすること
ができ、狭ピッチのインナーリード部１２を具備するリ
ードフレームを得ることができるのである。According to this embodiment described above, since the inner lead portion 12 is formed by additive plating without substantially performing etching, the cross section of the obtained inner lead portion 12 has a substantially rectangular shape. In addition, the side surfaces of the adjacent inner lead portions 12 can be made substantially flat. Furthermore, the shape of the tip of the inner lead portion 12 can also be made sharp. Therefore, as shown in FIG. 1, the pitch width P of the inner lead portions 12 can be made narrower than the thickness t of the inner lead portions 12, and a lead frame having the narrow inner lead portions 12 can be obtained. Can be done.
【００１９】[0019]
【発明の効果】本発明によれば、インナーリード部が狭
ピッチに形成されたファインパターンリードフレームを
容易に製造することができ、半導体チップの高集積化に
伴うリードフレームの多ピン化及び／又は半導体装置の
小型化の要請に対応することができる。According to the present invention, it is possible to easily manufacture a fine pattern lead frame in which the inner lead portions are formed with a narrow pitch, and to increase the number of pins of the lead frame and // Alternatively, it is possible to meet the demand for miniaturization of the semiconductor device.
【図１】本発明に係るファインパターンリードフレーム
を構成するインナーリード部の横断面形状を示す断面図
である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a cross-sectional shape of an inner lead portion that constitutes a fine pattern lead frame according to the present invention.
【図２】本発明に係るファインパターンリードフレーム
の製造方法の一実施例を示す工程図である。FIG. 2 is a process drawing showing an embodiment of a method for manufacturing a fine pattern lead frame according to the present invention.
【図３】本発明に係るファインパターンリードフレーム
の製造方法の他の実施例を示す工程図である。FIG. 3 is a process drawing showing another embodiment of the method for manufacturing a fine pattern lead frame according to the present invention.
【図４】本発明に係るファインパターンリードフレーム
の他の実施例を示す正面図である。FIG. 4 is a front view showing another embodiment of the fine pattern lead frame according to the present invention.
【図５】図４において、枠状に支持板２０を残留した部
分のリードフレーム部１２の横断面形状を示す断面図で
ある。5 is a cross-sectional view showing a cross-sectional shape of the lead frame portion 12 in a portion where the support plate 20 remains in a frame shape in FIG.
【図６】本発明に係るファインパターンリードフレーム
の製造方法の他の実施例を示す工程図である。FIG. 6 is a process drawing showing another embodiment of the method for manufacturing a fine pattern lead frame according to the present invention.
【図７】従来のリードフレームの正面図である。FIG. 7 is a front view of a conventional lead frame.
【図８】図７に示す従来のリードフレームを構成するイ
ンナーリード部の先端部の状態を示す部分正面図及び横
断面図である。8A and 8B are a partial front view and a lateral cross-sectional view showing a state of a tip end portion of an inner lead portion forming the conventional lead frame shown in FIG.
【図９】エッチングの進行状態を説明するための説明図
である。FIG. 9 is an explanatory diagram for explaining a progress state of etching.
１０ ファインパターンリードフレーム １２ インナーリード部 １４ 金属薄膜層 ２０ 支持板 ２２ レジスト層 10 Fine pattern lead frame 12 Inner lead part 14 Metal thin film layer 20 Support plate 22 Resist layer
Claims (7)
たファインパターンリードフレームにおいて、 該インナーリード部が実質的にめっきによって積層され
た金属から成り、前記インナーリード部の横断面形状が
略矩形で且つ隣接するインナーリード部の側面が略平坦
であることを特徴とするファインパターンリードフレー
ム。1. A fine pattern lead frame in which inner lead portions are formed at a narrow pitch, wherein the inner lead portions are made of metal substantially laminated by plating, and the inner lead portions have a substantially rectangular cross-sectional shape. In addition, a fine pattern lead frame is characterized in that the side surfaces of adjacent inner lead portions are substantially flat.
たファインパターンリードフレームを製造するに際し、 該インナーリード部を実質的に形成する金属に対して剥
離性を有する支持板の一面全面に、前記金属に対して密
着性を有する金属薄膜層を形成した後、 前記金属薄膜層の全面に塗布したレジスト層を部分的に
除去してインナーリード部を形成する部分の金属薄膜層
を露出せしめ、 次いで、部分的に露出した金属薄膜層上にめっきによっ
て前記金属を積層してインナーリード部を形成した後、
残存するレジスト層を除去して露出した金属薄膜層をエ
ッチング除去し、 その後、前記支持板とインナーリード部とを分離するこ
とを特徴とするファインパターンリードフレームの製造
方法。2. When manufacturing a fine pattern lead frame in which inner lead portions are formed with a narrow pitch, the support plate having a peeling property with respect to a metal that substantially forms the inner lead portions is formed on the entire surface of the support plate. After forming a metal thin film layer having adhesiveness to the metal, the resist layer applied to the entire surface of the metal thin film layer is partially removed to expose the metal thin film layer of the portion forming the inner lead portion, After forming the inner lead portion by laminating the metal by plating on the partially exposed metal thin film layer,
A method for manufacturing a fine pattern lead frame, which comprises removing the remaining resist layer to remove the exposed metal thin film layer by etching, and then separating the support plate and the inner lead portion.
（Ｍｏ）合金、鉄（Ｆｅ）ーニッケル（Ｎｉ）ーコバル
ト（Ｃｏ）合金、又は鉄（Ｆｅ）ーニッケル（Ｎｉ）合
金から成る支持板上に、インナーリード部を銅金属によ
って形成する請求項２記載のファインパターンリードフ
レームの製造方法。3. An inner lead is formed on a support plate made of resin, a tungsten (W) -molybdenum (Mo) alloy, an iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy, or an iron (Fe) -nickel (Ni) alloy. The method for manufacturing a fine pattern lead frame according to claim 2, wherein the portion is formed of copper metal.
たファインパターンリードフレームを製造するに際し、 該インナーリード部を実質的に形成する金属に対して密
着性を有する支持板の一面全面に、前記支持板に対して
剥離性を有する剥離性薄膜層を形成し、 前記剥離性薄膜上にインナーリード部を形成する金属に
対して密着性を有する金属薄膜層を形成した後、 前記金属薄膜層の全面に塗布したレジスト層を部分的に
除去してインナーリード部を形成する部分の金属薄膜層
を露出せしめ、 次いで、部分的に露出した金属薄膜層上にめっきによっ
て前記金属を積層してインナーリード部を形成した後、
残存するレジスト層を除去して露出した金属薄膜層をエ
ッチング除去し、 その後、前記剥離性薄膜層とインナーリード部とを分離
することを特徴とするファインパターンリードフレーム
の製造方法。4. When manufacturing a fine pattern lead frame in which inner lead portions are formed at a narrow pitch, the entire surface of one surface of a support plate having adhesion to a metal that substantially forms the inner lead portions, After forming a peelable thin film layer having a peeling property with respect to the support plate, and forming a metal thin film layer having adhesion to the metal forming the inner lead portion on the peelable thin film, the metal thin film layer The resist layer applied to the entire surface is partially removed to expose the metal thin film layer where the inner lead portion is formed, and then the metal is laminated by plating on the partially exposed metal thin film layer to form the inner lead. After forming the part,
A method for manufacturing a fine pattern lead frame, which comprises removing the remaining resist layer to remove the exposed metal thin film layer by etching, and then separating the peelable thin film layer and the inner lead portion.
ン（Ｗ）ーモリブデン（Ｍｏ）合金、鉄（Ｆｅ）ーニッ
ケル（Ｎｉ）ーコバルト（Ｃｏ）合金、又は鉄（Ｆｅ）
ーニッケル（Ｎｉ）合金から成る剥離性薄膜層を形成し
た後、インナーリード部を銅金属によって形成する請求
項４記載のファインパターンリードフレームの製造方
法。5. A tungsten (W) -molybdenum (Mo) alloy, an iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy, or iron (Fe) on a support plate made of copper metal.
5. The method of manufacturing a fine pattern lead frame according to claim 4, wherein the inner lead portion is formed of copper metal after the peelable thin film layer made of a nickel (Ni) alloy is formed.
求項２又は請求項４記載のファインパターンリードフレ
ームの製造方法。6. The method of manufacturing a fine pattern lead frame according to claim 2, wherein the metal thin film layer is formed of copper metal.
ー法によって形成する請求項２〜６項いずれか１項記載
のファインパターンリードフレームの製造方法。7. The method for manufacturing a fine pattern lead frame according to claim 2, wherein the metal thin film layer and the peelable thin film layer are formed by a sputtering method.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP14856392A JP3136194B2 (en) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | Lead frame manufacturing method |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012134563A (en) * | 2012-04-06 | 2012-07-12 | Dainippon Printing Co Ltd | Resin sealed semiconductor device and semiconductor device circuit member |
| KR101297662B1 (en) * | 2008-04-10 | 2013-08-21 | 삼성테크윈 주식회사 | Manufacture method of lead frame |
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1992
- 1992-05-15 JP JP14856392A patent/JP3136194B2/en not_active Expired - Fee Related
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