JP3136194B2 - Lead frame manufacturing method - Google Patents
Lead frame manufacturing methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームの製造方
法に関し、更に詳細には隣接するインナーリード部が狭
ピッチで形成されたファインパターンのリードフレーム
の製造方法に関する。The present invention relates relates to a method of manufacturing a lead frame, further leadframe fine patterns inner lead portion adjacent is formed with a narrow pitch in detail
And a method for producing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置において、図７に示すリード
フレーム２００に搭載された半導体チップは、半導体チ
ップの周縁を取り囲むインナーリード部１２０、１２０
・・・の各々の先端部とワイヤー等によって電気的に接
続される。かかる半導体装置においては、インナーリー
ド部１２０・・・と連結されているアウターリード１４
０・・・を介して半導体チップと外部装置との信号等の
受け渡しがなされる。従来、この様なリードフレーム２
００は、プレス加工によって形成されてきたが、最近の
半導体チップの高集積化に伴うリードフレーム２００の
多ピン化及び／又は半導体装置の小型化等によって、イ
ンナーリード部１２０・・・の高密度化が要請されてい
る。このため、リードフレーム２００のインナーリード
部１２０の形成密度を高密度化すべく、細幅のインナー
リード部１２０を狭ピッチで形成することのできるエッ
チング法が採用されつつある。2. Description of the Related Art In a semiconductor device, a semiconductor chip mounted on a lead frame 200 shown in FIG. 7 has inner lead portions 120, 120 surrounding the periphery of the semiconductor chip.
. Are electrically connected to each other by wires or the like. In such a semiconductor device, the outer leads 14 connected to the inner leads 120.
0, etc., signals are exchanged between the semiconductor chip and the external device. Conventionally, such a lead frame 2
00 has been formed by press working, but due to the recent increase in the number of pins of the lead frame 200 and / or the miniaturization of the semiconductor device accompanying the high integration of semiconductor chips, the density of the inner lead portions 120. Has been requested. Therefore, in order to increase the formation density of the inner lead portions 120 of the lead frame 200, an etching method capable of forming the narrow inner lead portions 120 at a narrow pitch is being adopted.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】エッチング法によれ
ば、プレス加工よりも細幅のインナーリード部１２０が
狭ピッチで形成されたリードフレーム２００を製造する
ことができる。しかしながら、エッチング法によって
も、エッチングを過度に施すと、得られるインナーリー
ド部１２０は、図８（ａ）（ｂ）に示す如く、先端が丸
味を帯び且つ側面が曲面状となるため、インナーリード
部１２０のピッチ幅は、エッチング加工に供する金属板
の板厚に因るこのことを図９を用いて説明する。先ず、
図９（ａ）の如く、エッチングを施すエッチング部分１
１２、１１２を残して両面に保護皮膜１１０を形成した
金属板１００をエッチング液に浸漬することによって、
エッチング部分１１２、１１２を同時にエッチングする
ことができる〔図９（ｂ）〕。更に、エッチング部分１
１２、１１２のエッチングが進行すると、エッチング幅
が当初予定していた幅よりも拡大されつつエッチングが
施され〔図９（ｃ）〕、エッチング部分１１２、１１２
が貫通してエッチング孔１１４が穿設されたとき、エッ
チングが完了する〔図９（ｄ）〕。According to the etching method, it is possible to manufacture the lead frame 200 in which the inner lead portions 120 having a smaller width than the press working are formed at a narrow pitch. However, if the etching is excessively performed also by the etching method, the obtained inner lead portion 120 has a rounded tip and a curved side surface as shown in FIGS. 8A and 8B. The fact that the pitch width of the portion 120 depends on the thickness of the metal plate to be subjected to etching will be described with reference to FIG. First,
As shown in FIG. 9A, an etched portion 1 to be etched.
By immersing the metal plate 100 having the protective films 110 formed on both sides thereof in an etching solution while leaving 12 and 112,
The etched portions 112, 112 can be etched simultaneously [FIG. 9 (b)]. Furthermore, the etching part 1
As the etching of 12, 12 proceeds, the etching is performed while the etching width is enlarged from the originally planned width (FIG. 9C), and the etched portions 112, 112 are formed.
Is completed, etching is completed when the etching hole 114 is formed [FIG. 9 (d)].
【０００４】この様に、エッチング法によって穿設され
たエッチング孔１１４のエッチング幅は、当初予定して
いた幅よりも拡大するため、穿設されるエッチング孔１
１４の幅を狭くせんとするとき、エッチング加工に供す
る金属薄板の板厚を可及的に薄くすることを必要とす
る。このため、従来のエッチング法によって狭ピッチの
インナーリード部を具備するリードフレームを製造せん
とする場合、極めて薄い金属板をエッチング加工に供す
ることを要するが、金属板の剛性が不足してエッチング
加工中に金属板等の変形が発生し易いため、エッチング
加工中に金属板等の変形防止のための細心の注意を必要
とする。そこで、本発明の目的は、インナーリード部が
狭ピッチに形成されたリードフレームを容易に製造し得
るファインパターンのリードフレームの製造方法を提供
することにある。[0004] As described above, the etching width of the etching hole 114 formed by the etching method is larger than the originally planned width.
When the width of 14 is narrowed, it is necessary to reduce the thickness of the metal sheet to be subjected to the etching process as much as possible. For this reason, when manufacturing a lead frame having an inner lead portion with a narrow pitch by a conventional etching method, it is necessary to provide an extremely thin metal plate for etching, but the rigidity of the metal plate is insufficient and the etching process is performed. Since the metal plate or the like is likely to be deformed during the etching, great care must be taken to prevent the metal plate or the like from being deformed during the etching process. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a lead frame of a fine pattern that can be easily produced a lead frame inner lead portion is formed a narrow pitch.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者等は、狭ピッチ
のインナーリードを形成するには、インナーリード部を
形成する銅金属等の金属に対して剥離性を有する支持板
上に、銅金属等の金属をめっきによって積層してインナ
ーリード部を形成した後、この支持板とインナーリード
部とを分離することが有効と考え検討した結果、本発明
に到達した。In order to form inner leads having a narrow pitch, the present inventors have proposed a method in which copper is formed on a support plate having a releasability from a metal such as a copper metal forming the inner leads. after forming the inner lead portion is laminated by plating a metal such as a metal, a result that was investigated considered effective to separate the support plate and inner lead portions, have reached the present invention.
【０００６】すなわち、本発明は、インナーリード部が
実質的にめっきによって形成された金属から成るリード
フレームを製造するに際し、該インナーリード部を形成
する金属に対して剥離性を有する材料から成る支持板の
一面に、前記金属に対して密着性を有する金属薄膜層を
形成した後、前記金属薄膜層上に塗布したレジスト層を
部分的に除去して、インナーリード部を形成する部分の
金属薄膜層を露出せしめ、次いで、部分的に露出した金
属薄膜層上にめっきによって形成された金属から成るイ
ンナーリード部を形成した後、残存するレジスト層を除
去して露出した金属薄膜層部分をエッチングして除去
し、その後、前記支持板とインナーリード部とを分離す
ることを特徴とするリードフレームの製造方法にある。 That is , according to the present invention, when manufacturing a lead frame in which an inner lead portion is made of a metal substantially formed by plating, a support made of a material having a releasability from the metal forming the inner lead portion is provided. After forming a metal thin film layer having adhesiveness to the metal on one surface of the plate, the resist layer applied on the metal thin film layer is partially removed to form a metal thin film at a portion where an inner lead portion is formed. After exposing the layer, an inner lead portion made of metal formed by plating is formed on the partially exposed metal thin film layer, the remaining resist layer is removed, and the exposed metal thin film layer portion is etched. And then separating the support plate and the inner lead portion from each other.
【０００７】更に、本発明は、インナーリード部が実質
的にめっきによって形成された金属から成るリードフレ
ームを製造するに際し、該インナーリード部を形成する
金属に対して密着性を有する材料から成る支持板の一面
に、前記支持板に対して剥離性を有する剥離性薄膜層を
形成し、前記剥離性薄膜上にインナーリード部を形成す
る金属に対して密着性を有する金属薄膜層を形成した
後、前記金属薄膜層上に塗布したレジスト層を部分的に
除去して、インナーリード部を形成する部分の金属薄膜
層を露出せしめ、次いで、部分的に露出した金属薄膜層
上にめっきによって形成された金属から成るインナーリ
ード部を形成した後、残存するレジスト層を除去して露
出した金属薄膜層部分をエッチング除去し、その後、前
記剥離性薄膜層とインナーリード部とを分離することを
特徴とするリードフレームの製造方法でもある。Further, the present invention provides a method for manufacturing a lead frame in which an inner lead portion is made of a metal substantially formed by plating, wherein the support frame is made of a material having adhesiveness to the metal forming the inner lead portion. After forming a releasable thin film layer having releasability on the support plate on one surface of the plate and forming a metal thin film layer having adhesiveness on a metal forming an inner lead portion on the releasable thin film Then, the resist layer applied on the metal thin film layer is partially removed to expose a portion of the metal thin film layer where an inner lead portion is to be formed, and then formed on the partially exposed metal thin film layer by plating. After forming the inner lead portion made of the metal, the remaining resist layer is removed and the exposed metal thin film layer portion is removed by etching. It is also a method of manufacturing a lead frame and separating the Narido portion.
【０００８】かかる構成のリードフレームの製造方法に
おいて、樹脂、タングステン（Ｗ）ーモリブデン（Ｍ
ｏ）合金、鉄（Ｆｅ）ーニッケル（Ｎｉ）ーコバルト
（Ｃｏ）合金、又は鉄（Ｆｅ）ーニッケル（Ｎｉ）合金
から成る支持板上に、インナーリード部を銅金属によっ
て形成すること、銅金属から成る支持板上に、タングス
テン（Ｗ）ーモリブデン（Ｍｏ）合金、鉄（Ｆｅ）ーニ
ッケル（Ｎｉ）ーコバルト（Ｃｏ）合金、又は鉄（Ｆ
ｅ）ーニッケル（Ｎｉ）合金から成る剥離性薄膜層を形
成した後、インナーリード部を銅金属によって形成する
こと、或いは金属薄膜層を銅金属によって形成すること
が、従来から使用されてきたリードフレーム製造用の材
料を使用することができる。更に、金属薄膜層及び剥離
性薄膜層をスパッタリングによって形成することが、金
属薄膜層及び剥離性薄膜層を容易に形成することができ
る。In the method of manufacturing a lead frame having such a structure, a resin, tungsten (W) -molybdenum (M
o) forming an inner lead portion with a copper metal on a support plate made of an alloy, iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy, or iron (Fe) -nickel (Ni) alloy; A tungsten (W) -molybdenum (Mo) alloy, an iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy, or an iron (F)
e) After forming a peelable thin film layer made of a nickel (Ni) alloy, it has been conventionally used to form an inner lead portion with a copper metal or to form a metal thin film layer with a copper metal. Manufacturing materials can be used. Further, by forming the metal thin film layer and the peelable thin film layer by sputtering, the metal thin film layer and the peelable thin film layer can be easily formed.
【０００９】[0009]
【作用】本発明によれば、実質的にエッチングを施すこ
となくめっき（以下、アディティブめっきと称すること
がある）に因る金属の積層によってインナーリード部を
形成するため、インナーリード部の横断面形状を略矩形
に形成でき且つインナーリードのピッチ幅も自由に設定
することができる。このため、インナーリード部の厚さ
よりも狭ピッチのインナーリード部から成るファインパ
ターンのリードフレームを製造することができる。更
に、ファインパターンのリードフレームの製造中におい
ては、インナーリード部を支持板上に形成するため、製
造中にインナーリード部の変形等を防止でき、均斉なフ
ァインパターンのリードフレームを得ることができる。According to the present invention, since the inner lead portion is formed by lamination of metal due to plating (hereinafter sometimes referred to as additive plating) without substantially performing etching, the cross section of the inner lead portion is formed. The shape can be substantially rectangular and the pitch width of the inner leads can be set freely. Therefore, it is possible to manufacture a fine-patterned lead frame including the inner lead portions having a smaller pitch than the thickness of the inner lead portion. Furthermore, during the manufacture of the fine pattern lead frame, since the inner lead portion is formed on the support plate, the inner lead portion can be prevented from being deformed during the manufacture, and a uniform fine pattern lead frame can be obtained. .
【００１０】[0010]
【実施例】本発明を図面によって更に詳細に説明する。
図１は、本発明に係るリードフレーム（以下、リードフ
レームと称することがある）の製造方法によって形成さ
れるインナーリード部の横断面図である。図１におい
て、リードフレームを構成するインナーリード部１２・
・は、銅金属によって形成され且つ横断面形状が略矩形
であり、隣接するインナーリード部１２の側面が略平坦
である。このため、図８に示す従来のリードフレームを
構成するインナーリード部１２０・・・の如く、隣接す
るインナーリード部１２０の側面が曲面状でないため、
インナーリード１２間を狭ピッチとすることができるの
である。本実施例においては、リードフレームに搭載さ
れる半導体チップとワイヤー等によって接続されるイン
ナーリード１２の接続面側又は前記接続面の反対面側
に、インナーリード部を形成する銅金属に対して密着性
を有する金属薄膜層１４が形成されている。この金属薄
膜層１４は銅金属から成り、後述する様に、エッチング
処理が施されている。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
FIG. 1 is a cross-sectional view of a lead frame (hereinafter sometimes referred to as a lead frame) according to the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view of an inner lead portion to be used . In FIG. 1 , inner lead portions 12 and
Is formed of copper metal and has a substantially rectangular cross-sectional shape, and the side surfaces of the adjacent inner lead portions 12 are substantially flat. For this reason, the side surfaces of the adjacent inner lead portions 120 are not curved like the inner lead portions 120... Constituting the conventional lead frame shown in FIG.
The pitch between the inner leads 12 can be narrow. In the present embodiment, the inner surface of the inner lead 12 connected to the semiconductor chip mounted on the lead frame by a wire or the like or the opposite surface side of the inner lead 12 is adhered to the copper metal forming the inner lead portion. A metal thin film layer 14 having a property is formed. The metal thin film layer 14 is made of copper metal and has been subjected to an etching process as described later.
【００１１】この様なリードフレームは、図２に示す製
造方法によって得ることができる。図２において、ポリ
イミド樹脂から成る支持板２０の一面全面に、銅金属か
ら成る金属薄膜層１４を形成する〔図２（ａ）〕。この
金属薄膜層１４は、支持板２０に対して剥離性を有する
が、スパッタリングを採用することによって支持板２０
上に金属薄膜１４を容易に形成することができる。更
に、金属薄膜層１４上に、形成するインナーリード部の
厚さ（図１に示す厚さｔ）と同一厚さとなるように、レ
ジスト層２２を塗布する〔図２（ｂ）〕。尚、レジスト
層２２を形成するレジストとしては、ポジティブタイプ
或いはネガティブタイプのどちらであってもよい。次い
で、金属薄膜層１４上に塗布されたレジスト層２２にお
いて、インナーリード部を形成する部分２４をエッチン
グ等によって除去し、露出した金属薄膜層１４の部分に
銅金属をアディティブめっきによって積層してインナー
リード部１２を形成した後、残存していたレジスト層２
２をエッチング等によって除去する〔図２（ｃ）（ｄ）
（ｅ）〕。本実施例において施すアディティブめっき
は、電解めっき法によって行う。銅金属を緻密に積層す
ることができるためである。[0011] Such rie de frame can be obtained by the manufacturing method shown in FIG. In FIG. 2, a metal thin film layer 14 made of copper metal is formed on one entire surface of a support plate 20 made of a polyimide resin (FIG. 2A). Although this metal thin film layer 14 has releasability from the support plate 20, the use of sputtering
The metal thin film 14 can be easily formed thereon. Further, a resist layer 22 is applied on the metal thin film layer 14 so as to have the same thickness as the thickness of the inner lead portion (thickness t shown in FIG. 1) (FIG. 2B). The resist for forming the resist layer 22 may be either a positive type or a negative type. Next, in the resist layer 22 applied on the metal thin film layer 14, a portion 24 forming an inner lead portion is removed by etching or the like, and copper metal is laminated on the exposed metal thin film layer 14 by additive plating to form an inner lead. After forming the lead portion 12, the remaining resist layer 2
2 is removed by etching or the like [FIGS. 2 (c) and 2 (d)].
(E)]. The additive plating performed in this embodiment is performed by an electrolytic plating method. This is because copper metal can be densely stacked.
【００１２】残存していたレジスト層２２の除去によっ
て露出した金属薄膜層１４は、エッチング処理によって
除去され、支持板２０が露出する〔図２（ｆ）〕。この
金属薄膜層１４のエッチングの際に、アディティブめっ
きによって形成されたインナーリード部１２もエッチン
グされるが、金属薄膜層１４は極めて薄いために金属薄
膜層１４の除去のためのエッチングに対して、インナー
リード部１２は実質的に影響を受けない。その後、ポリ
イミド樹脂から成る支持板２０を、インナーリード部１
２を形成する金属をエッチングすることのないエッチン
グ液に浸漬して溶解除去し、インナーリード部１２を分
離する〔図２（ｇ）〕。尚、支持板２０を溶解除去する
ことなく物理的に剥離し、インナーリード部１２を分離
してもよい。The metal thin film layer 14 exposed by removing the remaining resist layer 22 is removed by an etching process, and the support plate 20 is exposed (FIG. 2F). When the metal thin film layer 14 is etched, the inner lead portions 12 formed by the additive plating are also etched. However, since the metal thin film layer 14 is extremely thin, the inner lead portion 12 is etched to remove the metal thin film layer 14. The inner lead portion 12 is not substantially affected. Thereafter, the support plate 20 made of a polyimide resin is attached to the inner lead portion 1.
2 is immersed in an etchant that does not etch to dissolve and remove, and the inner lead portion 12 is separated [FIG. 2 (g)]. Note that the support plate 20 may be physically separated without being dissolved and removed, and the inner lead portion 12 may be separated.
【００１３】図２に示す製造方法によって得られたリー
ドフレームにおいては、通常、搭載される半導体チップ
とワイヤー等によって電気的に接続されるインナーリー
ド部１２の接続部分に、銀等の金属が部分めっきされ
る。この際の部分めっきは、インナーリード部１２の側
面にも施されるため、銀等の金属がインナーリード部１
２の側面にも付着する。この様にインナーリード部１２
の側面に銀等の金属が付着すると、銀等の金属のマイグ
レーション等に起因する問題が発生するおそれがある。
この点、図３に示す製造方法によれば、インナーリード
部の所定の部分にのみ銀等の金属を付着することがで
き、前記問題の発生のおそれを解消できる。図３におい
て、図２に示す工程（ｄ）までは、図２に示す製造方法
と同様に行う。つまり、ポリイミド樹脂から成る支持板
２０の一面全面にスパッター法によって銅金属から成る
金属薄膜層１４を形成した後、金属薄膜層１４上に塗布
したレジスト層２２において、インナーリード部を形成
する部分２４をエッチング等によって除去し、露出した
金属薄膜層１４の部分に銅金属をアディティブめっきに
よって積層してインナーリード部１２を形成する〔図３
（イ）〕。In a lead frame obtained by the manufacturing method shown in FIG. 2, a metal such as silver is usually provided at a connection portion of an inner lead portion 12 electrically connected to a mounted semiconductor chip by a wire or the like. Plated. Since the partial plating at this time is also applied to the side surface of the inner lead portion 12, a metal such as silver is applied to the inner lead portion 1.
2 also adheres to the side. Thus, the inner lead 12
If a metal such as silver adheres to the side surface of the substrate, there is a possibility that a problem caused by migration of the metal such as silver may occur.
In this regard, according to the manufacturing method shown in FIG. 3, a metal such as silver can be adhered only to a predetermined portion of the inner lead portion, and the risk of the above problem can be eliminated. In FIG. 3, the steps up to the step (d) shown in FIG. 2 are performed in the same manner as the manufacturing method shown in FIG. That is, after the metal thin film layer 14 made of copper metal is formed by sputtering on the entire surface of the support plate 20 made of polyimide resin, the resist layer 22 applied on the metal thin film layer 14 has a portion 24 where an inner lead portion is to be formed. Is removed by etching or the like, and copper metal is laminated by additive plating on the exposed portion of the metal thin film layer 14 to form the inner lead portion 12 [FIG.
(I)〕.
【００１４】次いで、形成したインナーリード部１２の
表面の所定の箇所に、銀金属から成る金属膜１６を部分
めっきによって形成する〔図３（ロ）〕。この部分めっ
きは、金属膜１６を形成する必要のないインナーリード
部１２の部分をマスクで覆いつつ電解めっきで行う。か
かる金属膜１６は、後述する金属薄膜１４をエッチング
するエッチング液にエッチングされるため、金属薄膜１
４よりも厚くする。この厚さとしては、金属薄膜層１４
の厚さが１μｍのとき、金属膜の厚さを５μｍ程度とす
ることが好ましい。その後、残存していたレジスト層２
２を除去して金属薄膜層１４を露出した後〔図３（ハ）
（ニ）〕、露出した金属薄膜層１４をエッチングで除去
する〔図３（ホ）〕。このエッチングの際に、金属膜１
６及びインナーリード部１２も同時にエッチングされ
る。しかし、インナーリード部１２は金属薄膜層１４の
厚さに対して充分に厚く実質的な影響を受けることがな
い。また、金属膜１６も金属薄膜層１４よりも厚く形成
されているため、金属薄膜層１４がエッチング除去され
たとき、インナーリード部１２の所定の箇所に金属膜１
６を残存させることができる。Next, a metal film 16 made of silver metal is formed at a predetermined position on the surface of the formed inner lead portion 12 by partial plating (FIG. 3B). This partial plating is performed by electrolytic plating while covering a portion of the inner lead portion 12 where the metal film 16 does not need to be formed with a mask. Since the metal film 16 is etched by an etching solution for etching the metal thin film 14 described later, the metal thin film 1
Make it thicker than 4. The thickness of the metal thin film layer 14
When the thickness of the metal film is 1 μm, the thickness of the metal film is preferably about 5 μm. Then, the remaining resist layer 2
2 is removed to expose the metal thin film layer 14 [FIG.
(D)], the exposed metal thin film layer 14 is removed by etching [FIG. 3 (e)]. At the time of this etching, the metal film 1
6 and the inner lead portion 12 are simultaneously etched. However, the inner lead portion 12 is sufficiently thick and substantially unaffected by the thickness of the metal thin film layer 14. Further, since the metal film 16 is also formed thicker than the metal thin film layer 14, when the metal thin film layer 14 is removed by etching, the metal film 1
6 can remain.
【００１５】図２及び図３において、ポリイミド樹脂か
ら成る支持板２０をエッチング除去する際に、図４に示
す様に、最終的に得られるリードフレーム１０におい
て、インナーリード部１２に支持板２０の一部を枠状に
残存させることによって、インナーリード部１２のバラ
ツキ防止を図ることができる。かかる枠状の支持板２０
上には、図５に示す様に、横断面形状が略矩形のインナ
ーリード部１２が形成されている。この様に支持板２０
を枠状に残留することによって、従来、インナーリード
部のバラツキ防止策として行われてきた、インナーリー
ド部の所定箇所に粘着テープを貼る作業を省略できる。
また、本実施例においては、ポリイミド樹脂から成る支
持板２０を使用してきたが、銅金属から成るインナーリ
ード部１２に対して剥離性を有する材料から成る支持板
２０であればよく、例えばタングステン（Ｗ）ーモリブ
デン（Ｍｏ）合金、鉄（Ｆｅ）ーニッケル（Ｎｉ）ーコ
バルト（Ｃｏ）合金、又は鉄（Ｆｅ）ーニッケル（Ｎ
ｉ）合金から成る金属製の支持板２０を使用できる。但
し、金属製の支持板２０を使用した場合は、インナーリ
ード部１２と支持板２０とを物理的に剥離する。In FIG. 2 and FIG. 3, when the support plate 20 made of polyimide resin is removed by etching, as shown in FIG. By leaving a part in the shape of a frame, it is possible to prevent variation in the inner lead portion 12. Such a frame-shaped support plate 20
As shown in FIG. 5, an inner lead portion 12 having a substantially rectangular cross section is formed on the upper side. Thus, the support plate 20
Is left in the shape of a frame, so that the work of pasting an adhesive tape to a predetermined portion of the inner lead portion, which has been conventionally performed as a measure for preventing the variation of the inner lead portion, can be omitted.
In this embodiment, the support plate 20 made of polyimide resin is used. However, the support plate 20 made of a material having a releasability from the inner lead portion 12 made of copper metal may be used. W) -molybdenum (Mo) alloy, iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy, or iron (Fe) -nickel (N
i) A metal support plate 20 made of an alloy can be used. However, when the metal support plate 20 is used, the inner lead portion 12 and the support plate 20 are physically separated.
【００１６】これまで述べてきた実施例においては、イ
ンナーリード部１２に対して剥離性を有する材料から成
る支持板２０上にインナーリード部１２を形成してきた
が、インナーリード部１２に対して密着性を有する材料
から成る支持板２１、例えば銅製の支持板２１上に銅金
属から成るインナーリード部１２をアディティブめっき
によって形成する場合を図６に示す。先ず、銅製の支持
板２１の一面全面に、支持板２１に対して剥離性を有す
る材料から成る剥離性薄膜層１５を形成した後、剥離性
薄膜層１５上にインナーリード部１２に対して密着性を
有する材料から成る金属薄膜層１４を形成する〔図６
（Ｉ）〕。ここで、剥離性薄膜層１５を形成する金属と
しては、タングステン（Ｗ）ーモリブデン（Ｍｏ）合
金、鉄（Ｆｅ）ーニッケル（Ｎｉ）ーコバルト（Ｃｏ）
合金、又は鉄（Ｆｅ）ーニッケル（Ｎｉ）合金等を挙げ
ることができ、これら金属をスパッタリングによって金
属薄膜層１４を容易に形成できる。また、本実施例の金
属薄膜層１４は、銅金属をスパッタリングによって形成
したものである。In the embodiments described above, the inner lead portion 12 is formed on the support plate 20 made of a material having a releasability with respect to the inner lead portion 12. FIG. 6 shows a case where the inner lead portion 12 made of copper metal is formed by additive plating on a support plate 21 made of a material having properties, for example, a support plate 21 made of copper. First, a releasable thin film layer 15 made of a material having releasability from the support plate 21 is formed on the entire surface of one surface of the copper support plate 21, and then adhered to the inner lead portion 12 on the releasable thin film layer 15. A metal thin film layer 14 made of a material having a property is formed [FIG.
(I)]. Here, as the metal forming the peelable thin film layer 15, a tungsten (W) -molybdenum (Mo) alloy, iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co)
An alloy or an iron (Fe) -nickel (Ni) alloy can be used, and the metal thin film layer 14 can be easily formed by sputtering these metals. Further, the metal thin film layer 14 of this embodiment is formed by sputtering copper metal.
【００１７】更に、金属薄膜層１４の全面に塗布したレ
ジスト層２２を部分的に除去してインナーリード部１２
を形成する部分２４に相当する金属薄膜層１４を露出し
た後〔図６（II）(III）〕、露出した金属薄膜層１４上
にアディティブめっきによって銅金属を積層してインナ
ーリード部１２を形成する〔図６（IV）〕。このアディ
ティブめっきも、銅金属を緻密に積層するため、電解め
っき法によって行う。次いで、残存していたレジスト層
２２を除去して露出した金属薄膜層１５をエッチング除
去し〔図６（Ｖ）（VI）〕、インナーリード部１２と剥
離性薄膜層１５とを剥離する〔図６(VII）〕。尚、図６
に示す方法においても、図３に示す様に、インナーリー
ド部１２の所定箇所に銀等の金属膜１６を形成してもよ
い。Further, the resist layer 22 applied on the entire surface of the metal thin film layer 14 is partially removed to remove the inner lead portion 12.
After exposing the metal thin film layer 14 corresponding to the portion 24 where the metal lead is to be formed (FIGS. 6 (II) and (III)), the inner lead portion 12 is formed by laminating a copper metal on the exposed metal thin film layer 14 by additive plating. [FIG. 6 (IV)]. This additive plating is also performed by an electrolytic plating method for densely stacking copper metals. Next, the remaining thin resist layer 22 is removed, and the exposed metal thin film layer 15 is removed by etching [FIGS. 6 (V) and (VI)], and the inner lead portion 12 and the peelable thin film layer 15 are separated [FIG. 6 (VII)]. FIG.
3, a metal film 16 of silver or the like may be formed at a predetermined portion of the inner lead portion 12, as shown in FIG.
【００１８】以上、述べてきた本実施例によれば、イン
ナーリード部１２を実質的にエッチングを施すことなく
アディティブめっきによって形成するため、得られるイ
ンナーリード部１２の横断面形状を略矩形とすることが
でき且つ隣接するインナーリード部１２の側面も略平坦
とすることができる。更に、インナーリード部１２の先
端の形状もシャープな形状とすることもできる。このた
め、図１に示す様に、インナーリード部１２のピッチ幅
Ｐをインナーリード部１２の厚さｔよりも狭くすること
ができ、狭ピッチのインナーリード部１２を具備するリ
ードフレームを得ることができるのである。According to this embodiment described above, since the inner lead portion 12 is formed by additive plating without substantially performing etching, the cross-sectional shape of the obtained inner lead portion 12 is substantially rectangular. And the side surfaces of the adjacent inner lead portions 12 can be made substantially flat. Further, the shape of the tip of the inner lead portion 12 can be sharp. Therefore, as shown in FIG. 1, the pitch width P of the inner lead portions 12 can be made smaller than the thickness t of the inner lead portions 12, and a lead frame having the inner lead portions 12 with a narrow pitch can be obtained. You can do it.
【００１９】[0019]
【発明の効果】本発明によれば、インナーリード部が狭
ピッチに形成されたファインパターンのリードフレーム
を容易に製造することができ、半導体チップの高集積化
に伴うリードフレームの多ピン化及び／又は半導体装置
の小型化の要請に対応することができる。According to the present invention, it is possible to easily manufacture a fine-patterned lead frame in which the inner lead portions are formed at a narrow pitch. And / or can respond to a demand for miniaturization of a semiconductor device.
【図１】本発明に係る製造方法によって得ることができ
るリードフレームを構成するインナーリード部の横断面
形状を示す断面図である。FIG. 1 can be obtained by the production method according to the invention.
That is a cross-sectional view showing the cross-sectional shape of the inner lead portion constituting the lead frame.
【図２】本発明に係るリードフレームの製造方法の一実
施例を示す工程図である。FIG. 2 is a process diagram showing one embodiment of a method for manufacturing a lead frame according to the present invention.
【図３】本発明に係るリードフレームの製造方法の他の
実施例を示す工程図である。FIG. 3 is a process diagram showing another embodiment of the method for manufacturing a lead frame according to the present invention.
【図４】本発明に係るリードフレームの他の実施例を示
す正面図である。FIG. 4 is a front view showing another embodiment of the lead frame according to the present invention.
【図５】図４において、枠状に支持板２０を残留した部
分のリードフレーム部１２の横断面形状を示す断面図で
ある。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a cross-sectional shape of the lead frame portion 12 in a portion where the support plate 20 remains in a frame shape in FIG.
【図６】本発明に係るリードフレームの製造方法の他の
実施例を示す工程図である。FIG. 6 is a process diagram showing another embodiment of the method for manufacturing a lead frame according to the present invention.
【図７】従来のリードフレームの正面図である。FIG. 7 is a front view of a conventional lead frame.
【図８】図７に示す従来のリードフレームを構成するイ
ンナーリード部の先端部の状態を示す部分正面図及び横
断面図である。8A and 8B are a partial front view and a cross-sectional view showing a state of a distal end portion of an inner lead portion constituting the conventional lead frame shown in FIG.
【図９】エッチングの進行状態を説明するための説明図
である。FIG. 9 is an explanatory diagram for explaining the progress of etching.
１０ リードフレーム １２ インナーリード部 １４ 金属薄膜層 ２０ 支持板 ２２ レジスト層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Lead frame 12 Inner lead part 14 Metal thin film layer 20 Support plate 22 Resist layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−208859（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-61-208859 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 23/50
Claims (6)
って形成された金属から成るリードフレームを製造する
に際し、該インナーリード部を形成する金属に対して剥離性を有
する材料から成る支持板の一面に、前記金属に対して密
着性を有する金属薄膜層を形成した後、 前記金属薄膜層上に塗布したレジスト層を部分的に除去
して、インナーリード部を形成する部分の金属薄膜層を
露出せしめ、 次いで、部分的に露出した金属薄膜層上にめっきによっ
て形成された金属から成るインナーリード部を形成した
後、残存するレジスト層を除去して露出した金属薄膜層
部分をエッチングして除去し、 その後、前記支持板とインナーリード部とを分離するこ
とを特徴とするリードフレームの製造方法 。1. A inner lead portion is manufactured from metal formed by substantially plating formed ruri over lead frame
At this time , it has peelability to the metal forming the inner lead part.
On one side of a support plate made of
After forming an adhesive metal thin film layer, the resist layer applied on the metal thin film layer is partially removed.
Then, the metal thin film layer of the part where the inner lead part is formed is
And then plating on the partially exposed metal thin film layer.
Formed an inner lead portion made of metal
After removing the remaining resist layer, the exposed metal thin film layer
Portion was then removed by etching, then, child separating the supporting plate and the inner lead portion
And a method for manufacturing a lead frame .
（Ｍｏ）合金、鉄（Ｆｅ）ーニッケル（Ｎｉ）ーコバル
ト（Ｃｏ）合金、又は鉄（Ｆｅ）ーニッケル（Ｎｉ）合
金から成る支持板上に、インナーリード部を銅金属によ
って形成する請求項１記載のリードフレームの製造方
法。2. Resin, tungsten (W) -molybdenum
(Mo) alloy, iron (Fe) -nickel (Ni) -Kobal
(Co) alloy or iron (Fe) -nickel (Ni) alloy
The inner leads are made of copper metal on a gold support plate.
The method for manufacturing a lead frame according to claim 1, wherein:
って形成された金属から成るリードフレームを製造する
に際し、 該インナーリード部を形成する金属に対して密着性を有
する材料から成る支持板の一面に、前記支持板に対して
剥離性を有する剥離性薄膜層を形成し、 前記剥離性薄膜上にインナーリード部を形成する金属に
対して密着性を有する金属薄膜層を形成した後、 前記金属薄膜層上に塗布したレジスト層を部分的に除去
して、インナーリード部を形成する部分の金属薄膜層を
露出せしめ、 次いで、部分的に露出した金属薄膜層上にめっきによっ
て形成された金属から成るインナーリード部を形成した
後、残存するレジスト層を除去して露出した金属薄膜層
部分をエッチング除去し、 その後、前記剥離性薄膜層とインナーリード部とを分離
することを特徴とする リードフレームの製造方法。3. The inner lead portion is substantially formed by plating.
A lead frame made of metal formed by
At this time, it has adhesion to the metal forming the inner lead part.
On one side of a support plate made of a material
Form a peelable thin film layer having a peelable property, and form a metal on which the inner lead portion is formed on the peelable thin film.
After forming a metal thin film layer having adhesiveness to the metal thin film layer, the resist layer applied on the metal thin film layer is partially removed.
Then, the metal thin film layer of the part where the inner lead part is formed is
And then plating on the partially exposed metal thin film layer.
Formed an inner lead portion made of metal
After removing the remaining resist layer, the exposed metal thin film layer
Portion is removed by etching, and then the peelable thin film layer and the inner lead portion are separated.
A method of manufacturing a lead frame.
ン（Ｗ）ーモリブデン（Ｍｏ）合金、鉄（Ｆｅ）ーニッ
ケル（Ｎｉ）ーコバルト（Ｃｏ）合金、又は鉄（Ｆｅ）
ーニッケル（Ｎｉ）合金から成る剥離性薄膜層を形成
し、インナーリード部を銅金属によって形成する請求項
３記載のリードフレームの製造方法。4. A tungsten plate is provided on a support plate made of copper metal.
(W) -molybdenum (Mo) alloy, iron (Fe) -Ni
Kel (Ni) -cobalt (Co) alloy or iron (Fe)
-Form a peelable thin film layer composed of nickel (Ni) alloy
Wherein the inner lead portion is formed of copper metal.
3. The method for manufacturing a lead frame according to item 3 .
求項１又は請求項３記載のリードフレームの製造方法。5. A process for forming a metal thin film layer using copper metal.
The method for manufacturing a lead frame according to claim 1 or claim 3 .
リングによって形成する請求項１〜５項のいずれか１項
記載のリードフレームの製造方法。 6. Sputtering the metal thin film layer and the peelable thin film layer
The method for manufacturing a lead frame according to claim 1, wherein the lead frame is formed by a ring .
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|---|---|---|---|
| JP14856392A JP3136194B2 (en) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | Lead frame manufacturing method |
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