JPH05325140A - 複合型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
複合型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH05325140A JPH05325140A JP15453092A JP15453092A JPH05325140A JP H05325140 A JPH05325140 A JP H05325140A JP 15453092 A JP15453092 A JP 15453092A JP 15453092 A JP15453092 A JP 15453092A JP H05325140 A JPH05325140 A JP H05325140A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
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- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果型ヘッド部において生じるクロ
ストークノイズを低減し、オフトラック特性の改善を図
る。 【構成】 磁気抵抗効果素子層10の上下に、これの全面
を覆う上部シールド層11及び下部シールド層12を形成
し、両シールド層11，12の記録トラックとの対向側にお
ける幅Ｗ1 を、非対向側における幅Ｗ2 よりも狭くす
る。これにより、記録トラックとの対向端から両シール
ド層11，12に侵入する磁束を幅方向に広げ、磁気抵抗効
果素子層10と電極層13，13とにより囲まれた誘導領域Ａ
での磁束密度を低下させて、クロストークノイズの発生
を抑える。
ストークノイズを低減し、オフトラック特性の改善を図
る。 【構成】 磁気抵抗効果素子層10の上下に、これの全面
を覆う上部シールド層11及び下部シールド層12を形成
し、両シールド層11，12の記録トラックとの対向側にお
ける幅Ｗ1 を、非対向側における幅Ｗ2 よりも狭くす
る。これにより、記録トラックとの対向端から両シール
ド層11，12に侵入する磁束を幅方向に広げ、磁気抵抗効
果素子層10と電極層13，13とにより囲まれた誘導領域Ａ
での磁束密度を低下させて、クロストークノイズの発生
を抑える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体への情報
の記録（書き込み）を電磁誘導を利用して行い、また磁
気記録媒体からの記録情報の再生（読み出し）を磁気抵
抗効果を利用して行う複合型薄膜磁気ヘッドに関する。
の記録（書き込み）を電磁誘導を利用して行い、また磁
気記録媒体からの記録情報の再生（読み出し）を磁気抵
抗効果を利用して行う複合型薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの外部記憶装置として広く
用いられている磁気ディスク装置等の磁気記録装置にお
いては、近年、高密度記録に対する要求が強まってお
り、磁気記録媒体における記録トラック幅及び線記録幅
は、益々狭小化する傾向にあることから、記録情報の確
実な再生を行い得る再生手段として、電磁誘導を利用し
た誘導型の薄膜磁気ヘッドに替えて、磁気抵抗効果（ma
gnetoresistive effect）を利用した磁気抵抗効果型の
薄膜磁気ヘッドが使用されつつある。
用いられている磁気ディスク装置等の磁気記録装置にお
いては、近年、高密度記録に対する要求が強まってお
り、磁気記録媒体における記録トラック幅及び線記録幅
は、益々狭小化する傾向にあることから、記録情報の確
実な再生を行い得る再生手段として、電磁誘導を利用し
た誘導型の薄膜磁気ヘッドに替えて、磁気抵抗効果（ma
gnetoresistive effect）を利用した磁気抵抗効果型の
薄膜磁気ヘッドが使用されつつある。
【０００３】ところが、磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッ
ドは、前述した如く、再生（読み出し）専用のヘッドで
あり、記録（書き込み）用としては使用できないという
不都合を有する。そこで、記録，再生が可能であり、し
かも再生のために磁気抵抗効果を利用することを可能と
した薄膜磁気ヘッドとして、例えば、特開昭64-82312号
公報に開示された複合型薄膜磁気ヘッドが注目されてい
る。
ドは、前述した如く、再生（読み出し）専用のヘッドで
あり、記録（書き込み）用としては使用できないという
不都合を有する。そこで、記録，再生が可能であり、し
かも再生のために磁気抵抗効果を利用することを可能と
した薄膜磁気ヘッドとして、例えば、特開昭64-82312号
公報に開示された複合型薄膜磁気ヘッドが注目されてい
る。
【０００４】図３は、複合型薄膜磁気ヘッドの要部を示
す縦断面図である。図示の如く、複合型薄膜磁気ヘッド
は、磁気抵抗効果を利用する再生専用の磁気抵抗効果型
ヘッド部１と、電磁誘導を利用する記録専用の誘導型ヘ
ッド部２とを備えてなる。
す縦断面図である。図示の如く、複合型薄膜磁気ヘッド
は、磁気抵抗効果を利用する再生専用の磁気抵抗効果型
ヘッド部１と、電磁誘導を利用する記録専用の誘導型ヘ
ッド部２とを備えてなる。
【０００５】磁気抵抗効果型ヘッド部１は、強い磁気抵
抗効果（周辺磁場の強弱に応じてその電気抵抗が増減す
る性質）を有する磁気抵抗効果素子層10の上下に、磁気
シールドのための上部シールド層11及び下部シールド層
12を、図示しない極薄の絶縁膜を介して夫々積層して構
成され、また誘導型ヘッド部２は、導体コイル20を被包
する絶縁層21の上側に上部磁極層22を積層し、同じく下
側に極薄のギャップ層24を介して及び下部磁極層23を積
層して構成されており、これらを備える複合型薄膜磁気
ヘッドは、基板３の表面を覆う所定厚さの絶縁層４上
に、磁気抵抗効果型ヘッド部１の前記各層を積層形成
し、更にこれらの上部を覆う所定厚さの絶縁層５上に、
誘導型ヘッド部２の前記各層を積層形成して、これらの
上部を保護層６にて被覆した構成となっている。
抗効果（周辺磁場の強弱に応じてその電気抵抗が増減す
る性質）を有する磁気抵抗効果素子層10の上下に、磁気
シールドのための上部シールド層11及び下部シールド層
12を、図示しない極薄の絶縁膜を介して夫々積層して構
成され、また誘導型ヘッド部２は、導体コイル20を被包
する絶縁層21の上側に上部磁極層22を積層し、同じく下
側に極薄のギャップ層24を介して及び下部磁極層23を積
層して構成されており、これらを備える複合型薄膜磁気
ヘッドは、基板３の表面を覆う所定厚さの絶縁層４上
に、磁気抵抗効果型ヘッド部１の前記各層を積層形成
し、更にこれらの上部を覆う所定厚さの絶縁層５上に、
誘導型ヘッド部２の前記各層を積層形成して、これらの
上部を保護層６にて被覆した構成となっている。
【０００６】このような複合型薄膜磁気ヘッドは、紙面
に直交する方向に所定の幅を有して前記両ヘッド部１，
２の積層方向に延びる記録トラックＴに、図示の如く基
板３の一側端面を対向させて用いられる。この対向面に
は、誘導型ヘッド部２において、上下の磁極層22，23間
にギャップ層24のみが挾持されてなる部分（先端ギャッ
プ）の端部が露出しており、誘導型ヘッド部２による情
報の記録は、上部磁極層22及び下部磁極層23からなる磁
気回路内に導体コイル20への通電に応じて発生する磁束
が前記先端ギャップにおいて外部に漏れ出し、この漏れ
磁束により対向する記録ビットが磁化されることにより
なされる。
に直交する方向に所定の幅を有して前記両ヘッド部１，
２の積層方向に延びる記録トラックＴに、図示の如く基
板３の一側端面を対向させて用いられる。この対向面に
は、誘導型ヘッド部２において、上下の磁極層22，23間
にギャップ層24のみが挾持されてなる部分（先端ギャッ
プ）の端部が露出しており、誘導型ヘッド部２による情
報の記録は、上部磁極層22及び下部磁極層23からなる磁
気回路内に導体コイル20への通電に応じて発生する磁束
が前記先端ギャップにおいて外部に漏れ出し、この漏れ
磁束により対向する記録ビットが磁化されることにより
なされる。
【０００７】また前記対向面には、磁気抵抗効果型ヘッ
ド部１において、磁気抵抗効果素子層10の一部が露出し
ており、磁気抵抗効果ヘッド部１による再生は、記録ト
ラックＴに沿って並ぶ記録ビット上の磁界の作用により
磁気抵抗効果素子層10に生じる電気抵抗の変化を、該磁
気抵抗効果素子層10の幅方向（記録トラックＴの幅方向
に一致する）両側に接触する電極層13，13（図４参照）
を介して取り出すことによりなされる。
ド部１において、磁気抵抗効果素子層10の一部が露出し
ており、磁気抵抗効果ヘッド部１による再生は、記録ト
ラックＴに沿って並ぶ記録ビット上の磁界の作用により
磁気抵抗効果素子層10に生じる電気抵抗の変化を、該磁
気抵抗効果素子層10の幅方向（記録トラックＴの幅方向
に一致する）両側に接触する電極層13，13（図４参照）
を介して取り出すことによりなされる。
【０００８】図４は、以上の如き複合型薄膜磁気ヘッド
の磁気抵抗効果型ヘッド部１における記録トラックＴの
幅方向を含む平面内での各層の形状及び位置関係を示す
平面図である。磁気抵抗効果型ヘッド部１の磁気抵抗効
果素子層10は、ＮｉＦｅ等の磁気抵抗効果を有する材料
を単層又は複層に積層して、図示の如く、記録トラック
Ｔの幅方向に幅Ｗを有し、これと直交する向きに奥行き
長Ｄを有する細長い矩形形状をなして形成されている。
この磁気抵抗効果素子層10の幅方向両側には、出力取り
出しのための電極層13，13が接触し、奥行き方向に延設
されており、これらの電極層13，13間に挾まれた部分
（作用領域ＴW ）により前述した再生が行われるように
なっている。
の磁気抵抗効果型ヘッド部１における記録トラックＴの
幅方向を含む平面内での各層の形状及び位置関係を示す
平面図である。磁気抵抗効果型ヘッド部１の磁気抵抗効
果素子層10は、ＮｉＦｅ等の磁気抵抗効果を有する材料
を単層又は複層に積層して、図示の如く、記録トラック
Ｔの幅方向に幅Ｗを有し、これと直交する向きに奥行き
長Ｄを有する細長い矩形形状をなして形成されている。
この磁気抵抗効果素子層10の幅方向両側には、出力取り
出しのための電極層13，13が接触し、奥行き方向に延設
されており、これらの電極層13，13間に挾まれた部分
（作用領域ＴW ）により前述した再生が行われるように
なっている。
【０００９】一方、前記上部シールド層11及び下部シー
ルド層12は、再生対象となる記録トラックの隣接トラッ
ク、及び再生対象となる記録ビットの隣接ビットからの
漏洩磁界に対し、磁気抵抗効果素子層10を遮蔽するため
のものであり、ＮｉＦｅ合金、Ｃｏ系合金等の軟磁性金
属を単層又は複層に積層し、図示の如く、磁気抵抗効果
素子層10の幅Ｗよりも広い幅と、同じく奥行き長Ｄより
も長い奥行き長とを有し、磁気抵抗効果素子層10の全面
を覆う態様にて形成されている。
ルド層12は、再生対象となる記録トラックの隣接トラッ
ク、及び再生対象となる記録ビットの隣接ビットからの
漏洩磁界に対し、磁気抵抗効果素子層10を遮蔽するため
のものであり、ＮｉＦｅ合金、Ｃｏ系合金等の軟磁性金
属を単層又は複層に積層し、図示の如く、磁気抵抗効果
素子層10の幅Ｗよりも広い幅と、同じく奥行き長Ｄより
も長い奥行き長とを有し、磁気抵抗効果素子層10の全面
を覆う態様にて形成されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、以上の如く
構成された従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気抵抗
効果型ヘッド部１での再生動作に際し、隣接トラックか
らの漏洩磁界の作用によるノイズ（クロストークノイ
ズ）が発生し、オフトラック特性が悪化するという問題
がある。
構成された従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気抵抗
効果型ヘッド部１での再生動作に際し、隣接トラックか
らの漏洩磁界の作用によるノイズ（クロストークノイ
ズ）が発生し、オフトラック特性が悪化するという問題
がある。
【００１１】前記クロストークノイズの主因は、例え
ば、「日本応用磁気学会学術講演予稿集，1991，ｐ26」
に報告されているように、磁気抵抗効果型ヘッド部１に
生じる誘導効果にある。即ち、図４に明らかな如く磁気
抵抗効果型ヘッド部１は、磁気抵抗効果素子層10と電極
層13，13とからなる１ターンのコイルが、共に磁性体で
ある上部シールド層11と下部シールド層12との間に挾持
された構造、即ち両シールド層11，12を上下の磁極とす
る誘導型ヘッドの構造をなしており、隣接トラックから
の漏洩磁束が、図４中にクロスハッチを付して示す領
域、即ち、両シールド層11，12間において磁気抵抗効果
素子層10と電極層13，13とにより囲まれた領域（以下誘
導領域Ａという）に侵入することにより、誘導効果によ
るクロストークノイズが発生するのであり、このクロス
トークノイズが、前記コイルを構成する電極層13，13の
出力端に再生出力に重畳されて取り出される結果、オフ
トラック特性が悪化することになる。
ば、「日本応用磁気学会学術講演予稿集，1991，ｐ26」
に報告されているように、磁気抵抗効果型ヘッド部１に
生じる誘導効果にある。即ち、図４に明らかな如く磁気
抵抗効果型ヘッド部１は、磁気抵抗効果素子層10と電極
層13，13とからなる１ターンのコイルが、共に磁性体で
ある上部シールド層11と下部シールド層12との間に挾持
された構造、即ち両シールド層11，12を上下の磁極とす
る誘導型ヘッドの構造をなしており、隣接トラックから
の漏洩磁束が、図４中にクロスハッチを付して示す領
域、即ち、両シールド層11，12間において磁気抵抗効果
素子層10と電極層13，13とにより囲まれた領域（以下誘
導領域Ａという）に侵入することにより、誘導効果によ
るクロストークノイズが発生するのであり、このクロス
トークノイズが、前記コイルを構成する電極層13，13の
出力端に再生出力に重畳されて取り出される結果、オフ
トラック特性が悪化することになる。
【００１２】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、磁気抵抗効果型ヘッド部におけるクロストーク
ノイズの低減を図り、オフトラック特性に優れた複合型
薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
であり、磁気抵抗効果型ヘッド部におけるクロストーク
ノイズの低減を図り、オフトラック特性に優れた複合型
薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の第１発明に係る
複合型薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子層を上下の
シールド層間に備えた磁気抵抗効果型ヘッド部と、導体
コイルを被包する絶縁層を上下の磁極層間に備えた誘導
型ヘッド部とを、相互間に絶縁層を隔てて共通の基板上
に積層形成して、両者の積層方向に延設された記録トラ
ックに対し、前記誘導型ヘッド部による記録と前記磁気
抵抗効果型ヘッド部による再生とを行う構成とした複合
型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記シールド層は、前記記
録トラックの幅方向の平面内にて前記磁気抵抗効果素子
層の全面を覆う大きさを有し、前記記録トラックと対向
する側の幅が、他側の幅よりも狭くしてあることを特徴
とする。
複合型薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子層を上下の
シールド層間に備えた磁気抵抗効果型ヘッド部と、導体
コイルを被包する絶縁層を上下の磁極層間に備えた誘導
型ヘッド部とを、相互間に絶縁層を隔てて共通の基板上
に積層形成して、両者の積層方向に延設された記録トラ
ックに対し、前記誘導型ヘッド部による記録と前記磁気
抵抗効果型ヘッド部による再生とを行う構成とした複合
型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記シールド層は、前記記
録トラックの幅方向の平面内にて前記磁気抵抗効果素子
層の全面を覆う大きさを有し、前記記録トラックと対向
する側の幅が、他側の幅よりも狭くしてあることを特徴
とする。
【００１４】本発明の第２発明に係る複合型薄膜磁気ヘ
ッドは、前記シールド層が、前記記録トラックの幅方向
の平面内にて前記磁気抵抗効果素子層の全面を覆う大き
さを有し、前記磁気抵抗効果素子層の作用領域での記録
トラックに直交する方向の奥行き長が、他の領域での前
記奥行き長よりも短くしてあることを特徴とする。
ッドは、前記シールド層が、前記記録トラックの幅方向
の平面内にて前記磁気抵抗効果素子層の全面を覆う大き
さを有し、前記磁気抵抗効果素子層の作用領域での記録
トラックに直交する方向の奥行き長が、他の領域での前
記奥行き長よりも短くしてあることを特徴とする。
【００１５】
【作用】本発明の第１発明においては、磁気抵抗効果素
子層の全面を覆い得るという条件を満たす範囲内で、記
録トラックとの対向側を狭幅とし、他側を広幅とした上
下のシールド層を設け、このシールド層中に侵入する磁
束が他側に至るに従って広がるようにし、前記誘導領域
内での磁束密度を低下させて、クロストークノイズを低
減する。
子層の全面を覆い得るという条件を満たす範囲内で、記
録トラックとの対向側を狭幅とし、他側を広幅とした上
下のシールド層を設け、このシールド層中に侵入する磁
束が他側に至るに従って広がるようにし、前記誘導領域
内での磁束密度を低下させて、クロストークノイズを低
減する。
【００１６】また本発明の第２発明においては、磁気抵
抗効果素子層の全面を覆い得るという条件を満たす範囲
内で、磁気抵抗効果素子層の作用領域内での奥行き長
を、他領域でのそれよりも短くした上下のシールド層を
設け、作用領域の奥側に形成される前記誘導領域の面積
を小さくし、クロストークノイズを低減する。
抗効果素子層の全面を覆い得るという条件を満たす範囲
内で、磁気抵抗効果素子層の作用領域内での奥行き長
を、他領域でのそれよりも短くした上下のシールド層を
設け、作用領域の奥側に形成される前記誘導領域の面積
を小さくし、クロストークノイズを低減する。
【００１７】
【実施例】以下本発明をその実施例を示す図面に基づい
て詳述する。本発明に係る複合型薄膜磁気ヘッドの基本
構成は、従来のそれと同様であり、前記図３に示す如
く、アルチック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）製の基板３上
に、磁気抵抗効果を利用する再生専用の磁気抵抗効果型
ヘッド部１と、電磁誘導を利用する記録専用の誘導型ヘ
ッド部２とを、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化珪素
（ＳｉＯ2 ）等の絶縁材からなる下部絶縁層４及び上部
絶縁層５を夫々介して積層し、これらの上部を保護層６
により被覆してなる。
て詳述する。本発明に係る複合型薄膜磁気ヘッドの基本
構成は、従来のそれと同様であり、前記図３に示す如
く、アルチック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）製の基板３上
に、磁気抵抗効果を利用する再生専用の磁気抵抗効果型
ヘッド部１と、電磁誘導を利用する記録専用の誘導型ヘ
ッド部２とを、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、二酸化珪素
（ＳｉＯ2 ）等の絶縁材からなる下部絶縁層４及び上部
絶縁層５を夫々介して積層し、これらの上部を保護層６
により被覆してなる。
【００１８】図１は、本発明の第１発明に係る複合型薄
膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果型ヘッド部１の平面図であ
り、記録トラックＴの幅方向を含む平面内での各層、即
ち、磁気抵抗効果素子層10、上部シールド層11、下部シ
ールド層12及び出力取り出し用の電極層13，13のの平面
形状及び位置関係が示されている。従来と同様に、磁気
抵抗効果型ヘッド部１の磁気抵抗効果素子層10は、記録
トラックＴの幅方向に所定の幅Ｗを有し、これと直交す
る向きに所定の奥行き長Ｄを有する細長い矩形形状をな
して形成されており、この磁気抵抗効果素子層10の幅方
向両側には、出力取り出しのための電極層13，13が接触
し、奥行き方向に延設されており、これらの電極層13，
13間に挾まれた作用領域ＴW において磁気記録情報の再
生が行われるようになっている。
膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果型ヘッド部１の平面図であ
り、記録トラックＴの幅方向を含む平面内での各層、即
ち、磁気抵抗効果素子層10、上部シールド層11、下部シ
ールド層12及び出力取り出し用の電極層13，13のの平面
形状及び位置関係が示されている。従来と同様に、磁気
抵抗効果型ヘッド部１の磁気抵抗効果素子層10は、記録
トラックＴの幅方向に所定の幅Ｗを有し、これと直交す
る向きに所定の奥行き長Ｄを有する細長い矩形形状をな
して形成されており、この磁気抵抗効果素子層10の幅方
向両側には、出力取り出しのための電極層13，13が接触
し、奥行き方向に延設されており、これらの電極層13，
13間に挾まれた作用領域ＴW において磁気記録情報の再
生が行われるようになっている。
【００１９】一方、ＮｉＦｅ合金、Ｃｏ系合金等の軟磁
性金属を単層又は複層に積層し、磁気抵抗効果素子層10
の上下を覆う態様にて形成された上部シールド層11及び
下部シールド層12は、前述の如く平面視にて矩形形状を
なす従来のものとは異なり、前記作用領域ＴW 側におい
て、磁気抵抗効果素子層10の幅Ｗよりもやや大なる幅Ｗ
1 を有し、他側において前記幅Ｗ1 よりも更に大なる幅
Ｗ2 を有する台形形状を有している。即ち、本発明の第
１発明においては、前記両シールド層11，12の記録トラ
ックＴと対向する側の幅Ｗ1 が、他側の幅Ｗ2 よりも狭
くしてあることが特徴となっている。
性金属を単層又は複層に積層し、磁気抵抗効果素子層10
の上下を覆う態様にて形成された上部シールド層11及び
下部シールド層12は、前述の如く平面視にて矩形形状を
なす従来のものとは異なり、前記作用領域ＴW 側におい
て、磁気抵抗効果素子層10の幅Ｗよりもやや大なる幅Ｗ
1 を有し、他側において前記幅Ｗ1 よりも更に大なる幅
Ｗ2 を有する台形形状を有している。即ち、本発明の第
１発明においては、前記両シールド層11，12の記録トラ
ックＴと対向する側の幅Ｗ1 が、他側の幅Ｗ2 よりも狭
くしてあることが特徴となっている。
【００２０】以上の如き磁気抵抗効果型ヘッド部１にお
いても、両シールド層11，12により覆われ、磁気抵抗効
果素子層10と電極層13，13とにより囲まれた誘導領域Ａ
は存在し、前述した如く、隣接トラックからの漏洩磁束
がこの誘導領域Ａ内に侵入してクロストークノイズが発
生する。ところが、上部シールド層11と下部シールド層
12とが前述した台形形状をなすことから、前記漏洩磁束
は、幅がＷ1 である記録トラックＴとの対向側から侵入
し、幅Ｗ2 なる非対向側に向けて幅方向に広がりつつ進
行することになる。更に図１に明らかな如く、前記誘導
領域Ａの面積が誘導領域以外の領域Ｂの面積よりも十分
に小さく、そのため、誘導領域Ａ内での磁束密度が従来
のそれよりも低下し、この磁束に起因して生じるクロス
トークノイズもまた、従来のそれに比して大幅に低減す
る。
いても、両シールド層11，12により覆われ、磁気抵抗効
果素子層10と電極層13，13とにより囲まれた誘導領域Ａ
は存在し、前述した如く、隣接トラックからの漏洩磁束
がこの誘導領域Ａ内に侵入してクロストークノイズが発
生する。ところが、上部シールド層11と下部シールド層
12とが前述した台形形状をなすことから、前記漏洩磁束
は、幅がＷ1 である記録トラックＴとの対向側から侵入
し、幅Ｗ2 なる非対向側に向けて幅方向に広がりつつ進
行することになる。更に図１に明らかな如く、前記誘導
領域Ａの面積が誘導領域以外の領域Ｂの面積よりも十分
に小さく、そのため、誘導領域Ａ内での磁束密度が従来
のそれよりも低下し、この磁束に起因して生じるクロス
トークノイズもまた、従来のそれに比して大幅に低減す
る。
【００２１】なお、本発明の第１発明に係る磁気抵抗効
果型ヘッド部１における上下のシールド層11，12の平面
形状は、図１に示す台形形状に限るものではなく、作用
領域ＴW 側の幅が他側の幅よりも狭いという条件を満た
し、しかも磁気抵抗効果素子層10の全体を覆い得るもの
であればいかなる形状であってもよい。
果型ヘッド部１における上下のシールド層11，12の平面
形状は、図１に示す台形形状に限るものではなく、作用
領域ＴW 側の幅が他側の幅よりも狭いという条件を満た
し、しかも磁気抵抗効果素子層10の全体を覆い得るもの
であればいかなる形状であってもよい。
【００２２】図２は、本発明の第２発明に係る複合型薄
膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果型ヘッド部１の平面図であ
る。この磁気抵抗効果型ヘッド部１は、磁気抵抗効果素
子層10の上下を覆う態様にて形成された上部シールド層
11及び下部シールド層12が、図示の如くＭ字状をなし、
磁気抵抗効果素子層１の作用領域ＴW の中央での奥行き
長Ｄ1 が、磁気抵抗効果素子層１の幅方向両端における
奥行き長Ｄ2 よりも短くしてあることにより、作用領域
ＴW 内での平均的な奥行き長が、作用領域ＴW外でのそ
れよりも短くしてあることが特徴となっている。
膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果型ヘッド部１の平面図であ
る。この磁気抵抗効果型ヘッド部１は、磁気抵抗効果素
子層10の上下を覆う態様にて形成された上部シールド層
11及び下部シールド層12が、図示の如くＭ字状をなし、
磁気抵抗効果素子層１の作用領域ＴW の中央での奥行き
長Ｄ1 が、磁気抵抗効果素子層１の幅方向両端における
奥行き長Ｄ2 よりも短くしてあることにより、作用領域
ＴW 内での平均的な奥行き長が、作用領域ＴW外でのそ
れよりも短くしてあることが特徴となっている。
【００２３】以上の如き磁気抵抗効果型ヘッド部１にお
いても、両シールド層11，12により覆われ、磁気抵抗効
果素子層10と電極層13，13とにより囲まれた誘導領域Ａ
は存在するが、この誘導領域Ａは、図２に明らかな如
く、作用領域ＴW の幅内の奥行き長が短い部分に存在す
るため、該誘導領域Ａの面積は誘導領域以外の領域Ｂの
面積よりも小さく、更に、従来のそれに比して大幅に小
さくなっており、このことによるクロストークノイズの
低減が可能となる。
いても、両シールド層11，12により覆われ、磁気抵抗効
果素子層10と電極層13，13とにより囲まれた誘導領域Ａ
は存在するが、この誘導領域Ａは、図２に明らかな如
く、作用領域ＴW の幅内の奥行き長が短い部分に存在す
るため、該誘導領域Ａの面積は誘導領域以外の領域Ｂの
面積よりも小さく、更に、従来のそれに比して大幅に小
さくなっており、このことによるクロストークノイズの
低減が可能となる。
【００２４】なお、本発明の第２発明に係る磁気抵抗効
果型ヘッド部１における上下のシールド層11，12の平面
形状は、図２に示す形状に限らず、作用領域ＴW 内での
奥行き長が、作用領域ＴW 外でのそれよりも短いという
条件を満たし、しかも磁気抵抗効果素子層10の全体を覆
い得るものであればいかなる形状であってもよい。
果型ヘッド部１における上下のシールド層11，12の平面
形状は、図２に示す形状に限らず、作用領域ＴW 内での
奥行き長が、作用領域ＴW 外でのそれよりも短いという
条件を満たし、しかも磁気抵抗効果素子層10の全体を覆
い得るものであればいかなる形状であってもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明の第１発明に係
る複合型磁気ヘッドにおいては、磁気抵抗効果型ヘッド
部が、記録トラックとの対向面側の幅を他側の幅よりも
狭くしたシールド層を備え、このようなシールド層内に
侵入する磁束が他側に向けて広がりつつ進行するように
したから、誘導効果によりクロストークノイズを発生す
る領域での磁束密度が低下し、これによるクロストーク
ノイズの低減が可能となり、良好なオフトラック特性が
得られる。
る複合型磁気ヘッドにおいては、磁気抵抗効果型ヘッド
部が、記録トラックとの対向面側の幅を他側の幅よりも
狭くしたシールド層を備え、このようなシールド層内に
侵入する磁束が他側に向けて広がりつつ進行するように
したから、誘導効果によりクロストークノイズを発生す
る領域での磁束密度が低下し、これによるクロストーク
ノイズの低減が可能となり、良好なオフトラック特性が
得られる。
【００２６】また本発明の第２発明に係る複合型磁気ヘ
ッドにおいては、磁気抵抗効果型ヘッド部が、作用領域
内での奥行き長を作用領域外での奥行き長よりも短くし
たシールド層を備え、誘導効果によりクロストークノイ
ズを発生する領域の面積を小さくしたから、クロストー
クノイズの低減、及びこれに伴うオフトラック特性の向
上が図れる等、本発明は優れた効果を奏する。
ッドにおいては、磁気抵抗効果型ヘッド部が、作用領域
内での奥行き長を作用領域外での奥行き長よりも短くし
たシールド層を備え、誘導効果によりクロストークノイ
ズを発生する領域の面積を小さくしたから、クロストー
クノイズの低減、及びこれに伴うオフトラック特性の向
上が図れる等、本発明は優れた効果を奏する。
【図１】本発明の第１発明に係る複合型薄膜磁気ヘッド
における磁気抵抗効果型ヘッド部の平面図である。
における磁気抵抗効果型ヘッド部の平面図である。
【図２】本発明の第２発明に係る複合型薄膜磁気ヘッド
における磁気抵抗効果型ヘッド部の平面図である。
における磁気抵抗効果型ヘッド部の平面図である。
【図３】複合型薄膜磁気ヘッドの模式的な側断面図であ
る。
る。
【図４】従来の複合型薄膜磁気ヘッドにおける磁気抵抗
効果型ヘッド部の平面図である。
効果型ヘッド部の平面図である。
１ 磁気抵抗効果型ヘッド部 ２ 誘導型ヘッド部 ３ 基板 10 磁気抵抗効果素子層 11 上部シールド層 12 下部シールド層 13 電極層 Ａ 誘導領域 Ｂ 誘導領域以外の領域 ＴW 作用領域
Claims (2)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子層を上下のシールド層
間に備えた磁気抵抗効果型ヘッド部と、導体コイルを被
包する絶縁層を上下の磁極層間に備えた誘導型ヘッド部
とを、相互間に絶縁層を隔てて共通の基板上に積層形成
して、両者の積層方向に延設された記録トラックに対
し、前記誘導型ヘッド部による記録と前記磁気抵抗効果
型ヘッド部による再生とを行う構成とした複合型薄膜磁
気ヘッドにおいて、前記シールド層は、前記記録トラッ
クの幅方向の平面内にて前記磁気抵抗効果素子層の全面
を覆う大きさを有し、前記記録トラックと対向する側の
幅が、他側の幅よりも狭くしてあることを特徴とする複
合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 磁気抵抗効果素子層を上下のシールド層
間に備えた磁気抵抗効果型ヘッド部と、導体コイルを被
包する絶縁層を上下の磁極層間に備えた誘導型ヘッド部
とを、相互間に絶縁層を隔てて共通の基板上に積層形成
して、両者の積層方向に延設された記録トラックに対
し、前記誘導型ヘッド部による記録と前記磁気抵抗効果
型ヘッド部による再生とを行う構成とした複合型薄膜磁
気ヘッドにおいて、前記シールド層は、前記記録トラッ
クの幅方向の平面内にて前記磁気抵抗効果素子層の全面
を覆う大きさを有し、前記磁気抵抗効果素子層の作用領
域での記録トラックに直交する方向の奥行き長が、他の
領域での前記奥行き長よりも短くしてあることを特徴と
する複合型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15453092A JPH05325140A (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15453092A JPH05325140A (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05325140A true JPH05325140A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15586275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15453092A Pending JPH05325140A (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05325140A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002023540A3 (en) * | 2000-09-13 | 2002-10-17 | Seagate Technology Llc | New mr structures for high areal density reader by using side shields |
-
1992
- 1992-05-19 JP JP15453092A patent/JPH05325140A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002023540A3 (en) * | 2000-09-13 | 2002-10-17 | Seagate Technology Llc | New mr structures for high areal density reader by using side shields |
| GB2381941A (en) * | 2000-09-13 | 2003-05-14 | Seagate Technology Llc | New MR structures for high areal density reader by using side shields |
| US6680829B2 (en) | 2000-09-13 | 2004-01-20 | Seagate Technology Llc | MR structures for high areal density reader by using side shields |
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