JPH05315406A - Film carrier and its manufacture - Google Patents
Film carrier and its manufactureInfo
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- JPH05315406A JPH05315406A JP11894592A JP11894592A JPH05315406A JP H05315406 A JPH05315406 A JP H05315406A JP 11894592 A JP11894592 A JP 11894592A JP 11894592 A JP11894592 A JP 11894592A JP H05315406 A JPH05315406 A JP H05315406A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、LSI、VLSI等に
代表される半導体集積回路の実装の際に用いられるいわ
ゆるフィルムキャリヤに係わり、詳しくは特にその製造
方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a so-called film carrier used for mounting a semiconductor integrated circuit represented by LSI, VLSI and the like, and more particularly to a manufacturing method thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のフィルムキャリヤは(図10)に
示すように、絶縁フィルム(本発明にいう第1の絶縁層
4)に機械的打ち抜き加工によって、デバイスホール
6、スプロケットホールおよびサポートリング5等を設
け、金属層1を絶縁フィルムに接着剤3を介して接着
し、フォトリソグラフィ法およびエッチング法等を行う
ことによってリード端子を形成した三層フィルムキャリ
ヤ、また、(図11)に示すように、絶縁フィルム4に
スパッタリング法および電気めっき法により金属層1を
設け、絶縁フィルム4にフォトリソグラフィ法およびエ
ッチング法等を行うことによって、デバイスホール6、
スプロケットホールおよびサポートリング5等を設け、
さらに金属層1にフォトリソグラフィ法およびエッチン
グ法等を行うことによってリード端子を形成していた二
層フィルムキャリヤであった。そして、これらのフィル
ムキャリヤに半導体素子を搭載し、リード端子および絶
縁フィルムを切断し、配線基板の所定位置に実装してい
た。2. Description of the Related Art A conventional film carrier has a device hole 6, a sprocket hole and a support ring 5 formed by mechanical punching on an insulating film (first insulating layer 4 in the present invention) as shown in FIG. Etc., the metal layer 1 is adhered to the insulating film via the adhesive 3, and the lead terminals are formed by performing the photolithography method and the etching method, and as shown in (FIG. 11). Then, the metal layer 1 is provided on the insulating film 4 by the sputtering method and the electroplating method, and the insulating film 4 is subjected to the photolithography method, the etching method, etc.
Providing sprocket holes and support rings 5, etc.,
Further, it was a two-layer film carrier in which lead terminals were formed by performing photolithography and etching on the metal layer 1. Then, a semiconductor element is mounted on these film carriers, the lead terminals and the insulating film are cut, and they are mounted at predetermined positions on the wiring board.
【0003】上記したような、三層フィルムキャリヤで
は、金属層1が接着剤に接触しているために、接着剤3
中の不純物イオンにより金属層1のマイグレーション等
の問題を引き起こすといった課題があった。また、二層
フィルムキャリヤでは、耐薬品性の高い厚さ50μm程
度の絶縁フィルム4にフォトリソグラフィ法およびエッ
チング法等を行うことによってデバイスホール6、スプ
ロケットホールおよびサポートリング5等を設けていた
ため、加工に多大な時間がかかるといった問題があっ
た。In a three-layer film carrier, such as the one described above, the adhesive 3 because the metal layer 1 is in contact with the adhesive.
There is a problem that the impurity ions therein cause a problem such as migration of the metal layer 1. Further, in the two-layer film carrier, the device hole 6, the sprocket hole, the support ring 5, etc. are provided by performing the photolithography method and the etching method on the insulating film 4 having a high chemical resistance and a thickness of about 50 μm. There was a problem that it took a lot of time.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記問題点に
鑑みなされたものであり、その目的とするところは、す
なわち、金属層のマイグレーション等の問題がなく、ま
た絶縁フィルムの加工を従来よりも短時間でフィルムキ
ャリヤおよびその製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to eliminate the problems such as migration of a metal layer and to process an insulating film more than before. Another object is to provide a film carrier and a manufacturing method thereof in a short time.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明が提供する手段とは、すなわち、導電性材料か
らなる配線パターンがフィルム面上に設けられてなるい
わゆるフィルムキャリヤにおいて、少なくとも、第1の
絶縁体層の片面に、接着剤層、第2の絶縁体層および導
電体層がこの順序で設けられていることを特徴とするフ
ィルムキャリヤである。Means provided by the present invention for solving the above-mentioned problems are as follows: at least in a so-called film carrier in which a wiring pattern made of a conductive material is provided on a film surface, The film carrier is characterized in that an adhesive layer, a second insulator layer and a conductor layer are provided in this order on one surface of the first insulator layer.
【0006】また、好ましくは、前記フィルムキャリヤ
において、第1の絶縁体層の前記と異なる面に、別の導
電体層が設けられていることを特徴とする前記のフィル
ムキャリヤである。Further, preferably, in the film carrier, another conductor layer is provided on a surface of the first insulator layer different from the above.
【0007】また、好ましくは、前記フィルムキャリヤ
において、第1の絶縁体層と接着剤層との間に、別の導
電体層が設けられていることを特徴とする前記のフィル
ムキャリヤである。Also, preferably, in the film carrier, another conductor layer is provided between the first insulator layer and the adhesive layer.
【0008】あるいは、導電性材料からなる配線パター
ンがフィルム面上に設けられてなるいわゆるフィルムキ
ャリヤの製造方法において、少なくとも以下に示す工
程、すなわち、(イ)薄い絶縁フィルムの片面に導電層
が設けられる工程、(ロ)デバイスホールあるいはスプ
ロケットホールが開口されかつ該薄い絶縁フィルムより
も厚い別の絶縁フィルムが、片面に接着剤層が設けら
れ、該薄い絶縁フィルムの他の面に該接着剤層を介して
接着される工程、(ハ)該薄い絶縁フィルムがエッチン
グされる工程、以上(イ)乃至(ハ)が具備されること
を特徴とするフィルムキャリヤの製造方法である。Alternatively, in a so-called film carrier manufacturing method in which a wiring pattern made of a conductive material is provided on a film surface, at least the following steps, ie, (a) a conductive layer is provided on one surface of a thin insulating film. (B) A device hole or a sprocket hole is opened and another insulating film thicker than the thin insulating film is provided with an adhesive layer on one surface, and the adhesive layer is provided on the other surface of the thin insulating film. And (c) the thin insulating film is etched, and (a) to (c) above are provided.
【0009】そして、好ましくは、前記フィルムキャリ
ヤの製造方法において、前記(ロ)に示す別の絶縁フィ
ルムが、片面には接着剤層が設けられ、他の面には導電
層が設けられ、前記薄い絶縁フィルムの残りの面に該接
着剤層を介して接着されることを特徴とする前記のフィ
ルムキャリヤの製造方法である。Preferably, in the method for producing a film carrier, the other insulating film shown in (b) above is provided with an adhesive layer on one side and a conductive layer on the other side. The method for producing a film carrier is characterized in that it is adhered to the remaining surface of the thin insulating film via the adhesive layer.
【0010】また、別の好ましい実施態様としては、前
記フィルムキャリヤの製造方法において、前記(ロ)に
示す別の絶縁フィルムが、片面に導電層と接着剤層とが
この順序に設けられ、前記薄い絶縁フィルムの残りの面
に該接着剤層を介して接着されることを特徴とする前記
のフィルムキャリヤの製造方法である。As another preferred embodiment, in the method for producing a film carrier, the other insulating film shown in (b) is provided with a conductive layer and an adhesive layer on one side in this order, The method for producing a film carrier is characterized in that it is adhered to the remaining surface of the thin insulating film via the adhesive layer.
【0011】あるいは、導電性材料からなる配線パター
ンがフィルム面上に設けられてなるいわゆるフィルムキ
ャリヤの製造方法において、少なくとも以下に示す工
程、すなわち、(ニ)導電箔の片面に薄い絶縁層が設け
られる工程、(ホ)デバイスホールあるいはスプロケッ
トホールが開口された絶縁フィルムが、片面に接着剤層
が設けられ、該薄い絶縁層の他の面に該接着剤層を介し
て接着される工程、(ト)該薄い絶縁層がエッチングさ
れる工程、以上(ニ)乃至(ト)が具備されることを特
徴とするフィルムキャリヤの製造方法である。Alternatively, in a so-called film carrier manufacturing method in which a wiring pattern made of a conductive material is provided on the film surface, at least the following steps, that is, (d) a thin insulating layer is provided on one surface of the conductive foil. A step of (e) an insulating film having a device hole or a sprocket hole opened is provided with an adhesive layer on one surface and is adhered to the other surface of the thin insulating layer via the adhesive layer; G) A method of manufacturing a film carrier, characterized by comprising the steps (d) to (g) of etching the thin insulating layer.
【0012】また、好ましくは、前記フィルムキャリヤ
の製造方法において、前記(ホ)に示す絶縁フィルム
が、片面には接着剤層が設けられ、他の面には導電層が
設けられ、前記薄い絶縁層の残りの面に該接着剤層を介
して接着されることを特徴とする前記のフィルムキャリ
ヤの製造方法である。Further, preferably, in the method for producing a film carrier, the insulating film shown in (e) above is provided with an adhesive layer on one surface and a conductive layer on the other surface, and the thin insulating film is provided. The method for producing a film carrier is characterized in that the film carrier is adhered to the remaining surface of the layer via the adhesive layer.
【0013】そして、好ましくは、前記フィルムキャリ
ヤの製造方法において、前記(ホ)に示す絶縁フィルム
が、片面に導電層と接着剤層とがこの順序に設けられ、
前記薄い絶縁層の残りの面に該接着剤層を介して接着さ
れることを特徴とする前記のフィルムキャリヤの製造方
法である。Preferably, in the method for producing a film carrier, the insulating film shown in (e) above is provided with a conductive layer and an adhesive layer in this order on one side,
The method for producing a film carrier is characterized in that it is adhered to the remaining surface of the thin insulating layer via the adhesive layer.
【0014】あるいは、導電性材料からなる配線パター
ンがフィルム面上に設けられてなるいわゆるフィルムキ
ャリヤの製造方法において、リソグラフィ法を施すこと
によってサポートリングが形成されることを特徴とする
フィルムキャリヤの製造方法である。Alternatively, in a so-called film carrier manufacturing method in which a wiring pattern made of a conductive material is provided on a film surface, a support ring is formed by applying a lithographic method to manufacture the film carrier. Is the way.
【0015】そして、好ましくは、前記フィルムキャリ
ヤの製造方法において、サポートリングをなす絶縁層材
料に、特に感光性樹脂が用いられることを特徴とする前
記のフィルムキャリヤの製造方法である。Further, preferably, in the method of manufacturing the film carrier, a photosensitive resin is used as the insulating layer material forming the support ring, in particular, the method of manufacturing the film carrier.
【0016】[0016]
【作用】(図1)に示すように、本発明に係わるフィル
ムキャリヤ及びその製造方法によると、(フィルムキャ
リヤの表面に設けられている)導電層としての金属層1
が接着剤層3に接触していないことから、接着剤層3中
の不純物イオンにより発生する金属層1のマイグレーシ
ョン等の問題がない。またエッチングすべき第2の絶縁
層2が充分薄く、厚さが相対的に厚い部分と薄い部分と
に対して全面同時にフラッシュエッチングを施すことに
より、薄い部分は先に除去し尽くさて結果的にパターニ
ングが施され、フォトリソグラフィ法が必要でないこと
から、エッチング加工に多大な時間がかからない。尚、
ここでフラッシュエッチングの要旨にふれると、被エッ
チング体の全面に同時にエッチング液を作用させて表面
層を薄く除去してしまうものであり、これを応用する
と、厚さが相対的に厚い部分と薄い部分とがあった場
合、同じ所要時間内では薄い部分が先に除去されてしま
うため、特にパターニング用のマスクを必要とせずに、
全面エッチングを施す要領でフラッシュエッチングを施
すと、所望するパターニングが得られる。As shown in (FIG. 1), according to the film carrier and the manufacturing method thereof according to the present invention, the metal layer 1 as a conductive layer (provided on the surface of the film carrier) is used.
Is not in contact with the adhesive layer 3, there is no problem such as migration of the metal layer 1 generated by impurity ions in the adhesive layer 3. In addition, the second insulating layer 2 to be etched is sufficiently thin, and by performing flash etching simultaneously on the entire relatively thick portion and thin portion, the thin portion is removed first, resulting in Since the patterning is performed and the photolithography method is not necessary, the etching process does not take much time. still,
If we touch on the subject of flash etching, the etching solution acts on the entire surface of the object to be etched at the same time to thinly remove the surface layer. If there is a part, the thin part will be removed first within the same required time, so there is no need for a mask for patterning,
If flash etching is performed in the same manner as the entire surface is etched, desired patterning can be obtained.
【0017】[0017]
【実施例】<実施例1>(図5)乃至(図9)に本発明
に係わる<実施例1>を示す。厚さ35μmのCu箔9
の片面に、ポリイミド樹脂10を厚さ10μmにコーティ
ングし、加熱することにより硬化させポリイミド樹脂膜
を形成した(基板A・(図5))。[Embodiment] <Embodiment 1> (FIG. 5) to (FIG. 9) shows <Embodiment 1> according to the present invention. Cu foil 9 with a thickness of 35 μm
Polyimide resin 10 was coated on one surface of the above to a thickness of 10 μm and cured by heating to form a polyimide resin film (substrate A (FIG. 5)).
【0018】厚さ50μmのポリイミドフィルム12に、
厚さ10μmのエポキシ系接着フィルム11をラミネート
し、金型による打ち抜き加工によってスプロケットホー
ルおよびデバイスホール6等を開口し、前記スプロケッ
トホールを用いて位置合わせを行ったうえで接着フィル
ム11を介して基板Aを接着させた(図8)。On the polyimide film 12 having a thickness of 50 μm,
A 10 μm-thick epoxy adhesive film 11 is laminated, a sprocket hole and a device hole 6 are opened by punching with a mold, and the sprocket hole is used for alignment, and then the substrate is provided with the adhesive film 11. A was adhered (FIG. 8).
【0019】次に、ヒドラジン水和物及び苛性カリから
なるエッチング液を用いて、デバイスホール6等の部分
から露出している厚さ10μmの前記ポリイミド樹脂を
フラッシュエッチングし、Cu表面を露出させた(図
9)。Next, the polyimide resin having a thickness of 10 μm exposed from the device hole 6 and the like was flash-etched by using an etching solution containing hydrazine hydrate and caustic potash to expose the Cu surface ( (Figure 9).
【0020】次いで、Cu表面にフォトレジストをコー
ティングし、所定パターンに露光・現像を行い、さらに
塩化第二鉄液(液温40℃、665g/l)からなるエ
ッチング液を用いてCuをエッチングし、Cuからなる
リード端子部を形成した。Then, a photoresist is coated on the Cu surface, a predetermined pattern is exposed and developed, and Cu is etched using an etching solution composed of ferric chloride solution (liquid temperature 40 ° C., 665 g / l). , A lead terminal portion made of Cu was formed.
【0021】次に、前記フォトレジストを剥離してCu
表面を露出させ、そこへ無電解めっき法によってSn層
を厚さ0.2〜0.4μmに形成することによりフィル
ムキャリヤを作製した。Next, the photoresist is removed to remove Cu.
A film carrier was produced by exposing the surface and forming an Sn layer thereon to a thickness of 0.2 to 0.4 μm by an electroless plating method.
【0022】<実施例2>厚さ10μmのポリイミドフ
ィルムの片面に、スパッタリング法によってCu層を厚
さ1,000Åに形成し、次いでその上に電気めっき法
を用いてCu層を厚さ1μmに形成した(基板A)。Example 2 A Cu layer having a thickness of 1,000 Å was formed on one surface of a polyimide film having a thickness of 10 μm by a sputtering method, and then a Cu layer was made to have a thickness of 1 μm by an electroplating method. Formed (substrate A).
【0023】厚さ50μmのポリイミドフィルムに、厚
さ10μmのエポキシ系接着フィルムをラミネートし、
金型による打ち抜き加工によってスプロケットホールお
よびデバイスホール6等を開口し、前記スプロケットホ
ールによって位置合わせを行い、接着フィルムを介して
基板Aを接着させた。An epoxy adhesive film having a thickness of 10 μm is laminated on a polyimide film having a thickness of 50 μm,
The sprocket hole, the device hole 6 and the like were opened by punching with a die, the sprocket hole was used for alignment, and the substrate A was bonded via an adhesive film.
【0024】次に、Cu表面にフォトレジストをコーテ
ィングし、所定パターンに露光・現像を行い、露出した
Cu表面に電気めっき法を用いてCuを厚さ34μm設
け、リード端子部に対応した凹凸形状部を形成した。Next, a photoresist is coated on the Cu surface, a predetermined pattern is exposed and developed, and Cu is provided on the exposed Cu surface by electroplating to a thickness of 34 μm to form an uneven shape corresponding to the lead terminal portion. Formed.
【0025】次いで、フォトレジスト膜を剥離し、デバ
イスホール6等より露出している厚さ10μmのポリイ
ミドフィルムを、ヒドラジン水和物及び苛性カリからな
るエッチング液を用いてフラッシュエッチングし、Cu
表面を露出させた。Then, the photoresist film is peeled off, and the 10 μm-thick polyimide film exposed from the device holes 6 and the like is flash-etched by using an etching solution composed of hydrazine hydrate and caustic potash.
The surface was exposed.
【0026】次に、スパッタリング法および電気めっき
法によって形成されてある前記Cu部の表面を、塩化第
二鉄液(液温40℃、665g/l)からなるエッチン
グ液を用いて、厚さ2μm程度をフラッシュエッチング
し、次にCu表面に無電解めっき法によって厚さ0.2
〜0.4μmのSn層を形成することによりフィルムキ
ャリヤを作製した。Next, the surface of the Cu portion formed by the sputtering method and the electroplating method was coated with an etching solution of ferric chloride solution (liquid temperature 40 ° C., 665 g / l) to a thickness of 2 μm. To a thickness of 0.2 by electroless plating on the Cu surface.
The film carrier was made by forming a Sn layer of ~ 0.4 μm.
【0027】<実施例3>厚さ10μmのポリイミドフ
ィルムの片面に、スパッタリング法によってCu層を厚
さ1,000Åに形成し、次いで、電気めっき法によっ
てCuを厚さ1μmに形成した(基板C)。Example 3 A Cu layer having a thickness of 1,000 Å was formed on one surface of a polyimide film having a thickness of 10 μm by a sputtering method, and then a Cu layer having a thickness of 1 μm was formed by an electroplating method (substrate C). ).
【0028】厚さ50μmのポリイミドフィルムの片面
に、スパッタリング法によってCu層を厚さ1,000
Åに形成し、次いで電気めっき法によってCu層を厚さ
1μmに形成し、さらにCu側とは反対側に厚さ10μ
mのエポキシ系接着フィルムをラミネートした上で(基
板D)、金型による打ち抜き加工によってスプロケット
ホール、デバイスホール6およびスルーホール等を開口
し、前記スプロケットホールによって位置合わせを行
い、接着フィルムを介して基板Aを接着させた。ここ
で、Cu層側に厚さ10μm程度のエポキシ系接着フィ
ルムをラミネートしても良い。A Cu layer having a thickness of 1,000 is formed on one surface of a polyimide film having a thickness of 50 μm by a sputtering method.
Then, the Cu layer is formed to a thickness of 1 μm by electroplating, and the thickness is 10 μm on the side opposite to the Cu side.
After the epoxy adhesive film of m is laminated (substrate D), the sprocket hole, the device hole 6 and the through hole are opened by punching with a mold, and the sprocket hole is used for alignment, and the adhesive film is used. Substrate A was adhered. Here, an epoxy adhesive film having a thickness of about 10 μm may be laminated on the Cu layer side.
【0029】次に、ヒドラジン水和物及び苛性カリから
なるエッチング液を用いて、デバイスホール6等より露
出している厚さ10μmにポリイミドフィルムをフラッ
シュエッチングし、Cu表面を露出させた。Next, the polyimide film was flash-etched to a thickness of 10 μm exposed from the device holes 6 and the like using an etching solution containing hydrazine hydrate and caustic potash to expose the Cu surface.
【0030】次いで、無電解めっき法によりCuを全面
に形成させ基板CのCuと基板DのCuとを導通させ、
Cu表面にフォトレジストをコーティングし、露光・現
像を行い、電気めっき法によってCuを厚さ34μm設
け、基板C側にリード端子を形成、また、スルーホール
内および基板D側のCuの厚付けを行った。Next, Cu is formed on the entire surface by electroless plating to bring Cu of the substrate C and Cu of the substrate D into conduction,
Photoresist is coated on the Cu surface, exposed and developed, and a thickness of 34 μm of Cu is formed by electroplating. Lead terminals are formed on the substrate C side. Also, Cu in the through hole and on the substrate D side is thickened. went.
【0031】次に、フォトレジスト膜を剥離し、塩化第
二鉄液(液温40℃、665g/l)からなるエッチン
グ液を用いて、スパッタリング法および電気めっき法に
よって形成したCu表面を厚さ2μm程度フラッシュエ
ッチングし、次いでCu表面に無電解めっき法によって
Sn層を厚さ0.2〜0.4μmに形成することにより
フィルムキャリヤを作製した。Next, the photoresist film was peeled off, and the Cu surface formed by the sputtering method and the electroplating method was made to have a thickness by using an etching solution composed of ferric chloride solution (solution temperature 40 ° C., 665 g / l). A film carrier was prepared by flash etching about 2 μm, and then forming an Sn layer on the Cu surface by electroless plating to a thickness of 0.2 to 0.4 μm.
【0032】<実施例4>厚さ30μmのCu箔の片面
に、ポリイミド樹脂を厚さ10μmコーティングし、加
熱することにより硬化させた(基板E)。Example 4 A 30 μm thick Cu foil was coated on one side with a polyimide resin to a thickness of 10 μm and cured by heating (substrate E).
【0033】厚さ50μmのポリイミドフィルムの片側
に、スパッタリング法によってCu層を厚さ1,000
Åに形成し、さらに、電気めっき法によってCu層を厚
さ1μmに形成し、次いでCu層側とは反対側に厚さ1
0μmのエポキシ系接着フィルムをラミネートした上で
(基板F)、金型による打ち抜き加工によってスプロケ
ットホール、デバイスホール6およびスルーホール等を
開口し、前記スプロケットホールによって位置合わせを
行い、接着フィルムを介して基板Aを接着させた。ここ
で、Cu層側に厚さ10μm程度のエポキシ系接着フィ
ルムをラミネートしても良い。A Cu layer having a thickness of 1,000 is formed on one side of a polyimide film having a thickness of 50 μm by a sputtering method.
Å, and then a Cu layer is formed to a thickness of 1 μm by an electroplating method, and then a thickness of 1 is formed on the side opposite to the Cu layer side.
After laminating a 0 μm epoxy adhesive film (substrate F), punching with a die opens sprocket holes, device holes 6, through holes, etc., and aligns with the sprocket holes. Substrate A was adhered. Here, an epoxy adhesive film having a thickness of about 10 μm may be laminated on the Cu layer side.
【0034】次に、ヒドラジン水和物及び苛性カリから
なるエッチング液を用いて、デバイスホール6等の部分
より露出している厚さ10μmの前記ポリイミド樹脂を
フラッシュエッチングし、Cu表面を露出させた。Next, the polyimide resin having a thickness of 10 μm exposed from the portion such as the device hole 6 was flash-etched by using an etching solution containing hydrazine hydrate and caustic potash to expose the Cu surface.
【0035】次いで、無電解めっき法によりCuを全面
に形成させ基板CのCuと基板DのCuとを導通させ、
さらに、電気めっき法によって厚さ5μmのCu層を設
け、Cu表面にフォトレジストをコーティングし、所定
パターンに露光・現像を行い、塩化第二鉄液(液温40
℃、665g/l)からなるエッチング液を用いて、C
u箔をエッチングし、基板E側にリード端子部を形成し
た。Then, Cu is formed on the entire surface by electroless plating to bring Cu of the substrate C and Cu of the substrate D into conduction,
Further, a Cu layer having a thickness of 5 μm is provided by an electroplating method, a Cu surface is coated with a photoresist, and a predetermined pattern is exposed and developed, and a ferric chloride solution (solution temperature 40
C, using an etching solution of 665 g / l)
The u foil was etched to form a lead terminal portion on the substrate E side.
【0036】次に、前記フォトレジストを剥離し、Cu
表面に無電解めっき法によってSn層を厚さ0.2〜
0.4μmに形成することによりフィルムキャリヤを作
製した。Next, the photoresist is stripped off and Cu
A Sn layer with a thickness of 0.2 ~ is formed on the surface by electroless plating.
A film carrier was prepared by forming it to 0.4 μm.
【0037】<実施例5>厚さ10μmのポリイミドフ
ィルムの片面に、Cu層をスパッタリング法によって厚
さ1,000Å形成し、次いで、電気めっき法によって
Cu層を厚さ1μmに形成した(基板A)。Example 5 A Cu layer having a thickness of 1,000 Å was formed on one surface of a polyimide film having a thickness of 10 μm by a sputtering method, and then a Cu layer having a thickness of 1 μm was formed by an electroplating method (substrate A). ).
【0038】厚さ50μmのポリイミドフィルムに、厚
さ10μmのエポキシ系接着フィルムをラミネートし、
金型による打ち抜き加工によってスプロケットホールお
よびデバイスホール6等を開口し、そのスプロケットホ
ールによって位置合わせを行い、接着フィルムを介して
基板Aを接着させた。An epoxy adhesive film having a thickness of 10 μm is laminated on a polyimide film having a thickness of 50 μm,
The sprocket hole, the device hole 6 and the like were opened by punching with a die, the sprocket hole was used for alignment, and the substrate A was bonded via an adhesive film.
【0039】次に、Cu表面およびデバイスホールにフ
ォトレジストをコーティングし、所定パターンに露光・
現像を行い、またデバイスホール6には、サポートリン
グのレジストパターンを形成し、Cu側に電気めっき法
によってリード端子部を形成した。Then, a photoresist is coated on the Cu surface and the device hole, and a predetermined pattern is exposed and exposed.
Development was performed, a resist pattern of a support ring was formed in the device hole 6, and a lead terminal portion was formed on the Cu side by electroplating.
【0040】次いで、ヒドラジン水和物及び苛性カリか
らなるエッチング液を用いて、デバイスホール等より露
出している厚さ10μmのポリイミドフィルムをフラッ
シュエッチングし、サポートリングを形成した。Then, a 10 μm-thick polyimide film exposed from the device holes and the like was flash-etched by using an etching solution containing hydrazine hydrate and caustic potash to form a support ring.
【0041】次に、塩化第二鉄液(液温40℃、665
g/l)からなるエッチング液を用いて、スパッタリン
グ法および電気めっき法によって形成した前記Cu層の
表面の厚さ2μm程度をフラッシュエッチングし、つい
でCu表面に無電解めっき法によってSn層を厚さ0.
2〜0.4μmに形成することによりフィルムキャリヤ
を作製した。Next, ferric chloride solution (liquid temperature 40 ° C., 665
The thickness of the surface of the Cu layer formed by the sputtering method and the electroplating method is about 2 μm by flash etching using an etching solution of g / l), and then the Sn layer is formed on the Cu surface by the electroless plating method. 0.
A film carrier was prepared by forming the film carrier to have a thickness of 2 to 0.4 μm.
【0042】尚、サポートリングについては、デバイス
ホール6等より露出しているポリイミドフィルムを全て
フラッシュエッチングした上で、スクリーン印刷法等で
サポートリングを形成しても良い。Regarding the support ring, the polyimide film exposed from the device hole 6 or the like may be entirely flash-etched, and then the support ring may be formed by a screen printing method or the like.
【0043】[0043]
【発明の効果】上記したように、本発明に係わるフィル
ムキャリヤおよびその製造方法によると、金属層が接着
剤層に接触していないことから、接着剤中の不純物イオ
ンにより発生する金属層のマイグレーション等の問題が
なく、またエッチングすべき絶縁フィルムが充分薄く、
かつ、フォトリソグラフィ法が必要でないのでエッチン
グ加工に時間がかからない。また、スプロケットホール
は、主に機械的打ち抜き加工によるものであるので、精
度が良い。As described above, according to the film carrier and the method for producing the same according to the present invention, since the metal layer is not in contact with the adhesive layer, the migration of the metal layer caused by the impurity ions in the adhesive agent occurs. There is no problem such as, and the insulating film to be etched is sufficiently thin,
Moreover, since the photolithography method is not required, the etching process does not take much time. Further, the sprocket hole is mainly formed by mechanical punching, so that the accuracy is good.
【0044】[0044]
【図1】本発明に係わるフィルムキャリヤの一実施例
を、フィルムキャリヤの断面図を用いて示す説明図であ
る。FIG. 1 is an explanatory view showing an embodiment of a film carrier according to the present invention by using a sectional view of the film carrier.
【図2】本発明に係わるフィルムキャリヤの一実施例、
および従来の技術の一例を、フィルムキャリヤの平面図
を用いて示す説明図である。FIG. 2 shows an example of a film carrier according to the present invention,
It is explanatory drawing which shows an example of a prior art using the top view of a film carrier.
【図3】本発明に係わるフィルムキャリヤのサポートリ
ングを絶縁層のみにした場合の一実施例を、フィルムキ
ャリヤの断面図を用いて示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing an example in which the support ring of the film carrier according to the present invention is made of only an insulating layer, using a sectional view of the film carrier.
【図4】本発明に係わるフィルムキャリヤのスルーホー
ルを設けた場合の一実施例を、フィルムキャリヤの断面
図を用いて示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing an embodiment in which a through hole of the film carrier according to the present invention is provided, using a cross-sectional view of the film carrier.
【図5】本発明に係わるフィルムキャリヤの製造方法の
一実施例の、Cu箔にポリイミド樹脂をコーティングし
た工程を、断面図を用いて示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory view showing, using a cross-sectional view, a step of coating a Cu foil with a polyimide resin in an example of a method for producing a film carrier according to the present invention.
【図6】本発明に係わるフィルムキャリヤの製造方法の
一実施例の、ポリイミドフィルムに接着フィルムをラミ
ネートした工程を、断面図を用いて示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory view showing a step of laminating an adhesive film on a polyimide film of an embodiment of the method for producing a film carrier according to the present invention, using a sectional view.
【図7】本発明に係わるフィルムキャリヤの製造方法の
一実施例の、金型による打ち抜き加工によってスプロケ
ットホールおよびデバイスホール等を開口した工程を、
断面図を用いて示す説明図である。FIG. 7 shows a process of opening a sprocket hole, a device hole and the like by punching with a die in one embodiment of a method for manufacturing a film carrier according to the present invention,
It is explanatory drawing shown using a cross-sectional view.
【図8】本発明に係わるフィルムキャリヤの製造方法の
一実施例の、前記(図5)と(図7)とに示す各中間体
を互いに接着させた工程を、断面図を用いて示す説明図
である。8 is a cross-sectional view showing a step of adhering the intermediate bodies shown in FIG. 5 and FIG. 7 to each other in one embodiment of the method for producing a film carrier according to the present invention. It is a figure.
【図9】本発明に係わるフィルムキャリヤの製造方法の
一実施例の、ポリイミド樹脂をフラッシュエッチングし
た工程を、断面図を用いて示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory view showing, using a cross-sectional view, a step of flash etching a polyimide resin in an example of a method for manufacturing a film carrier according to the present invention.
【図10】従来の技術に係わるフィルムキャリヤの一例
を、断面図を用いて示す説明図である。(三層フィルム
キャリヤ)FIG. 10 is an explanatory view showing an example of a film carrier according to a conventional technique using a sectional view. (Trilayer film carrier)
【図11】従来の技術に係わるフィルムキャリヤの別の
一例を、断面図を用いて示す説明図である。(二層フィ
ルムキャリヤ)FIG. 11 is an explanatory view showing another example of the film carrier according to the related art, using a sectional view. (Double layer film carrier)
1・・・金属層 2・・・第2の絶縁体層 3・・・接着剤層 4・・・第1の絶縁体層 5・・・サポートリング 6・・・デバイスホール 7・・・金属層 8・・・スルーホール 9・・・Cu箔 10・・・ポリイミド樹脂 11・・・接着フィルム 12・・・ポリイミドフィルム DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Metal layer 2 ... 2nd insulator layer 3 ... Adhesive layer 4 ... 1st insulator layer 5 ... Support ring 6 ... Device hole 7 ... Metal Layer 8 ... Through hole 9 ... Cu foil 10 ... Polyimide resin 11 ... Adhesive film 12 ... Polyimide film
Claims (11)
ム面上に設けられてなるいわゆるフィルムキャリヤにお
いて、少なくとも、第1の絶縁体層の片面に、接着剤
層、第2の絶縁体層および導電体層がこの順序で設けら
れていることを特徴とするフィルムキャリヤ。1. In a so-called film carrier in which a wiring pattern made of a conductive material is provided on a film surface, an adhesive layer, a second insulating layer and a conductive material are provided on at least one surface of the first insulating layer. A film carrier, characterized in that the body layers are provided in this order.
縁体層の前記と異なる面に、別の導電体層が設けられて
いることを特徴とする請求項1記載のフィルムキャリ
ヤ。2. The film carrier according to claim 1, wherein in the film carrier, another conductor layer is provided on a surface of the first insulator layer different from the surface.
縁体層と接着剤層との間に、別の導電体層が設けられて
いることを特徴とする請求項1記載のフィルムキャリ
ヤ。3. The film carrier according to claim 1, wherein another conductor layer is provided between the first insulating layer and the adhesive layer in the film carrier.
ム面上に設けられてなるいわゆるフィルムキャリヤの製
造方法において、少なくとも以下に示す工程、すなわ
ち、 (イ)薄い絶縁フィルムの片面に導電層が設けられる工
程、 (ロ)デバイスホールあるいはスプロケットホールが開
口されかつ該薄い絶縁フィルムよりも厚い別の絶縁フィ
ルムが、片面に接着剤層が設けられ、該薄い絶縁フィル
ムの他の面に該接着剤層を介して接着される工程、 (ハ)該薄い絶縁フィルムがエッチングされる工程、 以上(イ)乃至(ハ)が具備されることを特徴とするフ
ィルムキャリヤの製造方法。4. A method for producing a so-called film carrier in which a wiring pattern made of a conductive material is provided on a film surface, at least the following steps, namely, (a) a conductive layer is provided on one surface of a thin insulating film. (B) A device hole or a sprocket hole is opened and another insulating film thicker than the thin insulating film is provided with an adhesive layer on one side, and the adhesive layer is provided on the other side of the thin insulating film. A step of adhering the thin insulating film by means of (c), a step of etching the thin insulating film, and (a) to (c) above.
て、前記(ロ)に示す別の絶縁フィルムが、片面には接
着剤層が設けられ、他の面には導電層が設けられ、前記
薄い絶縁フィルムの残りの面に該接着剤層を介して接着
されることを特徴とする請求項4記載のフィルムキャリ
ヤの製造方法。5. The thin insulating film according to the method for producing a film carrier, wherein another insulating film shown in (b) is provided with an adhesive layer on one side and a conductive layer on the other side. The method for producing a film carrier according to claim 4, wherein the film carrier is adhered to the remaining surface of the film via the adhesive layer.
て、前記(ロ)に示す別の絶縁フィルムが、片面に導電
層と接着剤層とがこの順序に設けられ、前記薄い絶縁フ
ィルムの残りの面に該接着剤層を介して接着されること
を特徴とする請求項4記載のフィルムキャリヤの製造方
法。6. In the method for producing a film carrier, the other insulating film shown in (b) is provided with a conductive layer and an adhesive layer on one surface in this order, and on the other surface of the thin insulating film. The method for producing a film carrier according to claim 4, wherein the film carrier is adhered via the adhesive layer.
ム面上に設けられてなるいわゆるフィルムキャリヤの製
造方法において、少なくとも以下に示す工程、すなわ
ち、 (ニ)導電箔の片面に薄い絶縁層が設けられる工程、 (ホ)デバイスホールあるいはスプロケットホールが開
口された絶縁フィルムが、片面に接着剤層が設けられ、
該薄い絶縁層の他の面に該接着剤層を介して接着される
工程、 (ト)該薄い絶縁層がエッチングされる工程、 以上(ニ)乃至(ト)が具備されることを特徴とするフ
ィルムキャリヤの製造方法。7. A method for producing a so-called film carrier in which a wiring pattern made of a conductive material is provided on a film surface, in at least the following steps: (d) A thin insulating layer is provided on one surface of the conductive foil. (E) Insulating film with device hole or sprocket hole opened, adhesive layer provided on one side,
A step of adhering to the other surface of the thin insulating layer via the adhesive layer; (g) a step of etching the thin insulating layer; and (d) to (g) above. Of manufacturing film carrier.
て、前記(ホ)に示す絶縁フィルムが、片面には接着剤
層が設けられ、他の面には導電層が設けられ、前記薄い
絶縁層の残りの面に該接着剤層を介して接着されること
を特徴とする請求項7記載のフィルムキャリヤの製造方
法。8. The method for producing a film carrier as described above, wherein the insulating film shown in (e) above is provided with an adhesive layer on one side and a conductive layer on the other side, and the rest of the thin insulating layer is left. The method for manufacturing a film carrier according to claim 7, wherein the film carrier is adhered to the surface of the film via the adhesive layer.
て、前記(ホ)に示す絶縁フィルムが、片面に導電層と
接着剤層とがこの順序に設けられ、前記薄い絶縁層の残
りの面に該接着剤層を介して接着されることを特徴とす
る請求項7記載のフィルムキャリヤの製造方法。9. In the method for producing a film carrier, the insulating film shown in (e) above is provided with a conductive layer and an adhesive layer on one surface in this order, and the adhesive film is formed on the remaining surface of the thin insulating layer. The method for producing a film carrier according to claim 7, wherein the film carrier is adhered via an agent layer.
ルム面上に設けられてなるいわゆるフィルムキャリヤの
製造方法において、絶縁層にリソグラフィ法を施すこと
によってサポートリングが形成されることを特徴とする
フィルムキャリヤの製造方法。10. A method for manufacturing a so-called film carrier in which a wiring pattern made of a conductive material is provided on a film surface, wherein a support ring is formed by subjecting an insulating layer to a lithographic method. Carrier manufacturing method.
て、サポートリングをなす絶縁層材料に、特に感光性樹
脂が用いられることを特徴とする請求項10記載のフィ
ルムキャリヤの製造方法。11. The method of manufacturing a film carrier according to claim 10, wherein in the method of manufacturing the film carrier, a photosensitive resin is used as an insulating layer material forming a support ring.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11894592A JPH05315406A (en) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | Film carrier and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11894592A JPH05315406A (en) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | Film carrier and its manufacture |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05315406A true JPH05315406A (en) | 1993-11-26 |
Family
ID=14749138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11894592A Pending JPH05315406A (en) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | Film carrier and its manufacture |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05315406A (en) |
-
1992
- 1992-05-12 JP JP11894592A patent/JPH05315406A/en active Pending
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