JPH05308149A - 軟x線検出素子 - Google Patents
軟x線検出素子Info
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- JPH05308149A JPH05308149A JP4111620A JP11162092A JPH05308149A JP H05308149 A JPH05308149 A JP H05308149A JP 4111620 A JP4111620 A JP 4111620A JP 11162092 A JP11162092 A JP 11162092A JP H05308149 A JPH05308149 A JP H05308149A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 軟X線に対し高い感度をもち、高分解能で且
つ取扱いが簡単であり、而も紫外光や可視光に対し感度
がない、使い易い軟X線検出素子を提供する。 【構成】 軟X線検出素子は、画素電極(33)と、そ
の上に積層されている3eV以上のバンドギャップを有
する材料から成る光電変換層(30)と、その上に積層
された表面電極層(31)で構成されている。
つ取扱いが簡単であり、而も紫外光や可視光に対し感度
がない、使い易い軟X線検出素子を提供する。 【構成】 軟X線検出素子は、画素電極(33)と、そ
の上に積層されている3eV以上のバンドギャップを有
する材料から成る光電変換層(30)と、その上に積層
された表面電極層(31)で構成されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光検出素子、特に軟X
線(波長数Åから数100Åの光)の検出や軟X線によ
る物体の観察等に用いられる光検出素子に関する。
線(波長数Åから数100Åの光)の検出や軟X線によ
る物体の観察等に用いられる光検出素子に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の光検出素子は、X線望遠鏡,X
線顕微鏡,軟X線検査装置等の撮像素子として利用され
るが、軟X線を検出できる素子としては、MCP(マイ
クロチャンネルプレート),イメージングプレート,半
導体検出素子,CCD等がある。
線顕微鏡,軟X線検査装置等の撮像素子として利用され
るが、軟X線を検出できる素子としては、MCP(マイ
クロチャンネルプレート),イメージングプレート,半
導体検出素子,CCD等がある。
【0003】図4はMCPの概略図である。この図で明
らかなように、MCP10は多くのマイクロチャンネル
11の束で構成されている。マイクロチャンネル11
は、内壁を抵抗体及び二次電子放出体とした非常に細い
ガラスパイプで作られており、独立した二次電子増倍管
を形成している。これらのマイクロチャンネル11へ入
射した軟X線等の光や電子により内壁から二次電子が放
出されると、これらの二次電子はマイクロチャンネル1
1の両端に印加された高電圧による電界で加速され、次
々と内壁に当たりながらマイクロチャンネル内を飛行す
る。その過程で電子の数が増倍される。この電子を蛍光
面で受け、更にCCD等の固体撮像素子により検出す
る。
らかなように、MCP10は多くのマイクロチャンネル
11の束で構成されている。マイクロチャンネル11
は、内壁を抵抗体及び二次電子放出体とした非常に細い
ガラスパイプで作られており、独立した二次電子増倍管
を形成している。これらのマイクロチャンネル11へ入
射した軟X線等の光や電子により内壁から二次電子が放
出されると、これらの二次電子はマイクロチャンネル1
1の両端に印加された高電圧による電界で加速され、次
々と内壁に当たりながらマイクロチャンネル内を飛行す
る。その過程で電子の数が増倍される。この電子を蛍光
面で受け、更にCCD等の固体撮像素子により検出す
る。
【0004】MCPは、可視光には感度がなく、光電変
換面を適当に選択することにより所望の分光感度が得ら
れて使い易いが、高価であり、高電圧が必要であること
から装置が複雑になる。又、マイクロチャンネル11の
太さが最小でも12μmであるため空間分解能を高める
のに限界があり、現状では精々30μm程度である。
換面を適当に選択することにより所望の分光感度が得ら
れて使い易いが、高価であり、高電圧が必要であること
から装置が複雑になる。又、マイクロチャンネル11の
太さが最小でも12μmであるため空間分解能を高める
のに限界があり、現状では精々30μm程度である。
【0005】メイージングプレートは、光輝尽発光現象
を利用した検出器である。光輝尽発光現象とは、初めに
軟X線等により刺激された物質が、その後に赤外光を照
射すると再び発光する現象をいう。イメージグプレート
は、この光輝尽を示す物質をプレート上に散布してあ
り、軟X線を露光した後、レーザー光の二次元走査によ
り読み出すことができる。解像力は、読み出し時のレー
ザースポット径で決まり、空間分解能は良いが、読み出
し機構が必要となり、装置が複雑になって実時間性に欠
けるという欠点がある。
を利用した検出器である。光輝尽発光現象とは、初めに
軟X線等により刺激された物質が、その後に赤外光を照
射すると再び発光する現象をいう。イメージグプレート
は、この光輝尽を示す物質をプレート上に散布してあ
り、軟X線を露光した後、レーザー光の二次元走査によ
り読み出すことができる。解像力は、読み出し時のレー
ザースポット径で決まり、空間分解能は良いが、読み出
し機構が必要となり、装置が複雑になって実時間性に欠
けるという欠点がある。
【0006】図5は、一般的な固体撮像素子であるCC
D型撮像素子の構造を示している。この形式の撮像素子
は、光に感じるフォトダイオード構造領域20の横に転
送ゲート領域21が設けられており、その上にアルミの
光シールド22が設けられている。撮像素子表面にはこ
のような複雑な構造領域が存在するが、これらの構造領
域を保護するために3〜5μmの厚さの保護層が必要に
なる。この保護層のために軟X線は殆ど減衰し、フォト
ダイオード構造領域20にたどりつかない。かかるCC
D型撮像素子を軟X線領域で感度をもつようにするため
には、一般にGd2 O2 S:Tb等の蛍光膜を素子の表
面に塗布し、可視光に変換して検出するのが普通である
(例えば、X-ray Microscopy 2,P127,1987 Springer-Ve
rlag参照)。しかし、この場合量子効率は1より小さ
く、変換率は悪く而も検出感度は低い。
D型撮像素子の構造を示している。この形式の撮像素子
は、光に感じるフォトダイオード構造領域20の横に転
送ゲート領域21が設けられており、その上にアルミの
光シールド22が設けられている。撮像素子表面にはこ
のような複雑な構造領域が存在するが、これらの構造領
域を保護するために3〜5μmの厚さの保護層が必要に
なる。この保護層のために軟X線は殆ど減衰し、フォト
ダイオード構造領域20にたどりつかない。かかるCC
D型撮像素子を軟X線領域で感度をもつようにするため
には、一般にGd2 O2 S:Tb等の蛍光膜を素子の表
面に塗布し、可視光に変換して検出するのが普通である
(例えば、X-ray Microscopy 2,P127,1987 Springer-Ve
rlag参照)。しかし、この場合量子効率は1より小さ
く、変換率は悪く而も検出感度は低い。
【0007】これに対し、最近、複数の電極(画素電
極)の上に光電変換層を設け、更にその上に電極層を設
けることにより高感度化を実現した軟X線用固体検出素
子が提案された。図6及び7は、この種の検出素子の一
例である内部増幅型固体撮像素子(AMI)の要部断面
と等価回路を示す図で、図6は図7中の一点鎖線で囲ん
だ部分に対応する構造を示している。
極)の上に光電変換層を設け、更にその上に電極層を設
けることにより高感度化を実現した軟X線用固体検出素
子が提案された。図6及び7は、この種の検出素子の一
例である内部増幅型固体撮像素子(AMI)の要部断面
と等価回路を示す図で、図6は図7中の一点鎖線で囲ん
だ部分に対応する構造を示している。
【0008】図6において、P型基板Aの表面には、n
+ 型領域Bを設けて構成したダイオードDと基板Aの表
面を覆うフィールド酸化膜Cが形成されている。ダイオ
ードDのコンタクト部D′は、第一アルミニウム層E,
第二アルミニウム層F及び第三アルミニウム層Gを介し
て、光電変換層30に結合されている。図中、H,I,
Jは第一アルミニウム層E,第二アルミニウム層F及び
第三アルミニウム層Gの相互間を電気的に絶縁するため
のSiO2 等からなる絶縁層、31は光電変換層30の
表面に設けられた表面電極層、32は画素電極、33は
軟X線である。光電変換層30と表面電極層31との
間,光電変換層30と画素電極33との間には、夫々整
流作用を有する100Å程度のSi2 N4 層を設けるこ
とが多い。このように、光電変換を行う光電変換層30
は薄い表面電極層31に覆われているだけであるので、
入射する軟X線33は減衰することなく光電変換層30
に到着する。
+ 型領域Bを設けて構成したダイオードDと基板Aの表
面を覆うフィールド酸化膜Cが形成されている。ダイオ
ードDのコンタクト部D′は、第一アルミニウム層E,
第二アルミニウム層F及び第三アルミニウム層Gを介し
て、光電変換層30に結合されている。図中、H,I,
Jは第一アルミニウム層E,第二アルミニウム層F及び
第三アルミニウム層Gの相互間を電気的に絶縁するため
のSiO2 等からなる絶縁層、31は光電変換層30の
表面に設けられた表面電極層、32は画素電極、33は
軟X線である。光電変換層30と表面電極層31との
間,光電変換層30と画素電極33との間には、夫々整
流作用を有する100Å程度のSi2 N4 層を設けるこ
とが多い。このように、光電変換を行う光電変換層30
は薄い表面電極層31に覆われているだけであるので、
入射する軟X線33は減衰することなく光電変換層30
に到着する。
【0009】光電変換層30にはSiやGaAsP等の
半導体が用いられるが、これらのものは軟X線に対する
感度即ち量子効率が大きい。例えば、図8に示す如く、
SiダイオードやGaAsP−Auショットキーダイオ
ードの軟X線に対する量子効率は100パーセントに近
い(Proc.SPIB 733,P481,1986 参照)。つまり、光電変
換層30として軟X線に対して高感度の物質を用い且つ
これを積層する構造を採用することで、軟X線検出素子
としての感度を飛躍的に改善することができる。
半導体が用いられるが、これらのものは軟X線に対する
感度即ち量子効率が大きい。例えば、図8に示す如く、
SiダイオードやGaAsP−Auショットキーダイオ
ードの軟X線に対する量子効率は100パーセントに近
い(Proc.SPIB 733,P481,1986 参照)。つまり、光電変
換層30として軟X線に対して高感度の物質を用い且つ
これを積層する構造を採用することで、軟X線検出素子
としての感度を飛躍的に改善することができる。
【0010】次に、上記構造の撮像素子において、光電
変換された検出電荷を読み出す手順について説明する。
図7において、破線枠内は撮像素子の一画素の等価回路
を示している。AMIは光電変換部で得られた光情報信
号を同一画素内で増幅し、垂直及び水平走査スイッチ回
路を介して読み出すXYアドレス型の素子である。AM
Iの一画素は、n+ PフォトダイオードDと、リセット
(Trs),増幅(Ta)及び垂直選択(Ty )用の三つ
のnチャンネルMOSFETとから構成されている。動
作原理は、フォトダイオードDを逆バイアスして光電変
換層30でX線により発生した光電荷で放電させ、その
電位を電流増幅して取り出すというものである。先づリ
セット期間において、フォトダイオードDはリセット用
トランジスタTrsを介して初期電位Vrs(正電位)に
設定される。蓄積期間において、X線の照射により励起
された電子は、フォトダイオードDの容量CpDに蓄積さ
れ、従って、フォトダイオードDの電位は入射X線の量
に応じて減少する。この電位を増幅トランジスタTa の
ゲートに印加し、フォトダイオードDの電位に応じて増
幅された電流を読み出す。X線照射により生じた正孔
は、表面電極層31に流れる。
変換された検出電荷を読み出す手順について説明する。
図7において、破線枠内は撮像素子の一画素の等価回路
を示している。AMIは光電変換部で得られた光情報信
号を同一画素内で増幅し、垂直及び水平走査スイッチ回
路を介して読み出すXYアドレス型の素子である。AM
Iの一画素は、n+ PフォトダイオードDと、リセット
(Trs),増幅(Ta)及び垂直選択(Ty )用の三つ
のnチャンネルMOSFETとから構成されている。動
作原理は、フォトダイオードDを逆バイアスして光電変
換層30でX線により発生した光電荷で放電させ、その
電位を電流増幅して取り出すというものである。先づリ
セット期間において、フォトダイオードDはリセット用
トランジスタTrsを介して初期電位Vrs(正電位)に
設定される。蓄積期間において、X線の照射により励起
された電子は、フォトダイオードDの容量CpDに蓄積さ
れ、従って、フォトダイオードDの電位は入射X線の量
に応じて減少する。この電位を増幅トランジスタTa の
ゲートに印加し、フォトダイオードDの電位に応じて増
幅された電流を読み出す。X線照射により生じた正孔
は、表面電極層31に流れる。
【0011】尚、以上は、一画素内における動作である
が、この素子をエリアセンサとして使用する場合は、先
づ垂直走査回路により一水平走査期間、トランジスタT
y をオン状態とし、その間に水平走査回路によりトラン
ジスタTx を順次オンさせて一水平走査ラインを読み出
し、一水平走査ラインを終了したら次の水平走査ライン
について同様の動作を繰り返し行い、二次元的な画像信
号を得るようにする。このように変換信号を素子の内部
で信号増幅した後に取り出すようになっているので変換
効率が高く、又この構成によれば光電変換層30の上に
は薄い表面電極層31が存在するだけであるので感度も
良い。更に、一画素は10μm程度にまですることが出
来るので、空間分解能の点でも優れている。
が、この素子をエリアセンサとして使用する場合は、先
づ垂直走査回路により一水平走査期間、トランジスタT
y をオン状態とし、その間に水平走査回路によりトラン
ジスタTx を順次オンさせて一水平走査ラインを読み出
し、一水平走査ラインを終了したら次の水平走査ライン
について同様の動作を繰り返し行い、二次元的な画像信
号を得るようにする。このように変換信号を素子の内部
で信号増幅した後に取り出すようになっているので変換
効率が高く、又この構成によれば光電変換層30の上に
は薄い表面電極層31が存在するだけであるので感度も
良い。更に、一画素は10μm程度にまですることが出
来るので、空間分解能の点でも優れている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように軟X線に対し高い感度をもち且つ高い分解能を有
する軟X線用固体検出素子も下記のような欠点を有す
る。即ち、SiやGaAsP等から成る光電変換層30
は、可視光領域から軟X線領域までの広い波長域で感度
をもつ。軟X線により物体の画像を検出する場合、存在
する光は所望の波長の光(軟X線)だけとは限らない。
例えば、レーザープラズマ光源や放射光のような白色光
源の場合、所望の軟X線のみならず可視光や紫外光も多
く含んでいる。従って、軟X線顕微鏡のように波長の短
い軟X線のみを用いて解像力を得たい場合に可視光など
も重ねて検出するのは望ましくなく、軟X線以外の光を
除く必要がある。しかし、分光器等によって予め所望の
波長の光だけにしようとすると、装置が大掛かりになっ
てしまうという問題がある。
ように軟X線に対し高い感度をもち且つ高い分解能を有
する軟X線用固体検出素子も下記のような欠点を有す
る。即ち、SiやGaAsP等から成る光電変換層30
は、可視光領域から軟X線領域までの広い波長域で感度
をもつ。軟X線により物体の画像を検出する場合、存在
する光は所望の波長の光(軟X線)だけとは限らない。
例えば、レーザープラズマ光源や放射光のような白色光
源の場合、所望の軟X線のみならず可視光や紫外光も多
く含んでいる。従って、軟X線顕微鏡のように波長の短
い軟X線のみを用いて解像力を得たい場合に可視光など
も重ねて検出するのは望ましくなく、軟X線以外の光を
除く必要がある。しかし、分光器等によって予め所望の
波長の光だけにしようとすると、装置が大掛かりになっ
てしまうという問題がある。
【0013】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、軟X線に対し高い感度
をもち、高分解能で且つ取扱いが簡単であり、而も紫外
光や可視光に対し感度がない、使い易い軟X線検出素子
を提供しようとするものである。
ので、その目的とするところは、軟X線に対し高い感度
をもち、高分解能で且つ取扱いが簡単であり、而も紫外
光や可視光に対し感度がない、使い易い軟X線検出素子
を提供しようとするものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の軟X線検出素子は、光電変換層と表面電極
層とを順次積層して成るものにおいて、光電変換層に3
eV以上のバンドギャップを有する材料を用いたことを
特徴としている。
に、本発明の軟X線検出素子は、光電変換層と表面電極
層とを順次積層して成るものにおいて、光電変換層に3
eV以上のバンドギャップを有する材料を用いたことを
特徴としている。
【0015】
【作用】図1及び2は、主な半導体のバンドギャップの
一覧(応用電子物性工学,コロナ社,1989及び物理
定数表,朝倉書店,1986より引用)を示している
が、これによれば、大半の半導体のバンドギャップは3
eV(可視光の最短波長である4000Åに対応)以下
に集中していて、可視光領域から感度があることが分か
る。しかし、ダイアモンド,ZnS,ZnOなど一部に
バンドギャップが3eV以上で、可視光又は紫外光では
充分に価電子を導電帯まで励起させることが難しいもの
もあり、これらの物質は可視光や紫外光に対して感度が
極めて弱い。
一覧(応用電子物性工学,コロナ社,1989及び物理
定数表,朝倉書店,1986より引用)を示している
が、これによれば、大半の半導体のバンドギャップは3
eV(可視光の最短波長である4000Åに対応)以下
に集中していて、可視光領域から感度があることが分か
る。しかし、ダイアモンド,ZnS,ZnOなど一部に
バンドギャップが3eV以上で、可視光又は紫外光では
充分に価電子を導電帯まで励起させることが難しいもの
もあり、これらの物質は可視光や紫外光に対して感度が
極めて弱い。
【0016】一方、軟X線は、大体20eV以上の光子
エネルギーがあるので、充分に価電子を導電帯まで励起
させることができる。特に、ダイアモンドは、バンドギ
ャップが5eV以上もあり、可視光と紫外光に対して極
めて感度が弱い。しかも、キャリアの移動度も極めて高
く、特に軟X線の検出には向いている。従って、ダイア
モンドなどの如きバンドギャップが3eV以上で而もキ
ャリア移動度の高い物質を光電変換層に用いれば、軟X
線領域に選択的に感度のある軟X線検出素子を得ること
ができる。
エネルギーがあるので、充分に価電子を導電帯まで励起
させることができる。特に、ダイアモンドは、バンドギ
ャップが5eV以上もあり、可視光と紫外光に対して極
めて感度が弱い。しかも、キャリアの移動度も極めて高
く、特に軟X線の検出には向いている。従って、ダイア
モンドなどの如きバンドギャップが3eV以上で而もキ
ャリア移動度の高い物質を光電変換層に用いれば、軟X
線領域に選択的に感度のある軟X線検出素子を得ること
ができる。
【0017】
【実施例】以下、実施例として、本発明に係る軟X線検
出素子を、一番効果が期待される生物観察用軟X線顕微
鏡用の検出器に応用した場合について説明する。図3
は、光源1としてレーザープラズマ光源を、対物レンズ
2としてシュヴァルツシルド型光学系を夫々用いたX線
顕微鏡の一例を示している。シュヴァルツシルド型光学
系は、凸面鏡と凹面鏡から成り、特定の波長の軟X線に
対して反射率を高めるために反射面には多層膜鏡がコー
トされている。レーザープラズマ光源1は、白色光源で
あり、強い強度の可視光や紫外光を含んでいる。従っ
て、シュヴァルツシルド型光学系で結像するとき、軟X
線のほかに金属反射した可視光や紫外光も結像する。
尚、図中、3はプラズマを発生させるターゲット、4は
フィルタ、5はコンデンサ、6はサンプル、7は可視光
と紫外光を除去し必要な軟X線のみを結像できる、光電
変換層30(図6参照)にダイアモンドを利用した、軟
X線検出素子としての積層型軟X線撮像素子であって、
その仕様は下記の通りである。 結像する軟X線の波長:39.8Å 表面電極層31(図6参照):材質Al,厚さ0.05
μm 光電変換層30(図6参照):材質Cダイアモンド,厚
さ0.2μm
出素子を、一番効果が期待される生物観察用軟X線顕微
鏡用の検出器に応用した場合について説明する。図3
は、光源1としてレーザープラズマ光源を、対物レンズ
2としてシュヴァルツシルド型光学系を夫々用いたX線
顕微鏡の一例を示している。シュヴァルツシルド型光学
系は、凸面鏡と凹面鏡から成り、特定の波長の軟X線に
対して反射率を高めるために反射面には多層膜鏡がコー
トされている。レーザープラズマ光源1は、白色光源で
あり、強い強度の可視光や紫外光を含んでいる。従っ
て、シュヴァルツシルド型光学系で結像するとき、軟X
線のほかに金属反射した可視光や紫外光も結像する。
尚、図中、3はプラズマを発生させるターゲット、4は
フィルタ、5はコンデンサ、6はサンプル、7は可視光
と紫外光を除去し必要な軟X線のみを結像できる、光電
変換層30(図6参照)にダイアモンドを利用した、軟
X線検出素子としての積層型軟X線撮像素子であって、
その仕様は下記の通りである。 結像する軟X線の波長:39.8Å 表面電極層31(図6参照):材質Al,厚さ0.05
μm 光電変換層30(図6参照):材質Cダイアモンド,厚
さ0.2μm
【0018】ヘンケ(Henke )等のデータ(図9(a)
及び(b):B.H,Henke,Atomic Data & Nuclear Data T
able 1983 参照)により、表面電極層の可視光と軟X線
の透過率を式(1)により見積ると、可視光は4.8×
10-4,軟X線は0.73となり、可視光は光電変換層
に到達してしまう。 T=exp{−4πKd/λ} (1) ここで、Tは透過率、Kは吸収係数、dは表面電極層の
厚さ、λは波長である。
及び(b):B.H,Henke,Atomic Data & Nuclear Data T
able 1983 参照)により、表面電極層の可視光と軟X線
の透過率を式(1)により見積ると、可視光は4.8×
10-4,軟X線は0.73となり、可視光は光電変換層
に到達してしまう。 T=exp{−4πKd/λ} (1) ここで、Tは透過率、Kは吸収係数、dは表面電極層の
厚さ、λは波長である。
【0019】しかし、光電変換層を構成するダイアモン
ドのバンドギャップは図2から明らかなように5eV以
上もあるので、0.2μm以上の波長の可視光と紫外光
は光電変換層内でキャリアを発生させることはできず、
本検出素子では、これらの光を全く検出しなかった。
尚、式(1)より、光電変換層としてのダイアモンド層
は厚さが0.2μm以上あれば、39.8Åの波長の軟
X線は90%以上が吸収され、効率的に検出されること
が分かる。
ドのバンドギャップは図2から明らかなように5eV以
上もあるので、0.2μm以上の波長の可視光と紫外光
は光電変換層内でキャリアを発生させることはできず、
本検出素子では、これらの光を全く検出しなかった。
尚、式(1)より、光電変換層としてのダイアモンド層
は厚さが0.2μm以上あれば、39.8Åの波長の軟
X線は90%以上が吸収され、効率的に検出されること
が分かる。
【0020】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、軟X線に高
い感度をもち且つ可視光や紫外光に感度のない高分解能
の軟X線検出素子を提供することができ、良好な軟X線
顕微鏡像を撮ることのできるX線顕微鏡システムを実現
することが可能となる。
い感度をもち且つ可視光や紫外光に感度のない高分解能
の軟X線検出素子を提供することができ、良好な軟X線
顕微鏡像を撮ることのできるX線顕微鏡システムを実現
することが可能となる。
【図1】主な半導体の室温におけるバンドギャップを示
す一覧である。
す一覧である。
【図2】主な半導体のバンドギャップを示す一覧であ
る。
る。
【図3】本発明に係る軟X線検出素子の一実施例を撮像
素子として用いたX線顕微鏡の一例を示す構成図であ
る。
素子として用いたX線顕微鏡の一例を示す構成図であ
る。
【図4】軟X線を検出することのできるマイクロチャン
ネルプレートの構造を示す一部を破断して示す斜視図で
ある。
ネルプレートの構造を示す一部を破断して示す斜視図で
ある。
【図5】従来のCCD型撮像素子の構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図6】従来の内部増幅型固体撮像素子の構造を示す要
部断面図である。
部断面図である。
【図7】図6に示す内部増幅型固体撮像素子の等価回路
図である。
図である。
【図8】SiやGaAsP等の半導体における光の波長
又は光子エネルギーと量子効率との関係を示す特性線図
である。
又は光子エネルギーと量子効率との関係を示す特性線図
である。
【図9】(a)は積層型軟X線撮像素子の表面電極層の
厚さが1500Åの場合の光の波長と光の透過率との関
係を示す特性線図、(b)は同素子の表面電極層の厚さ
が1000Åの場合の光の波長と光の透過率との関係を
示す特性線図である。
厚さが1500Åの場合の光の波長と光の透過率との関
係を示す特性線図、(b)は同素子の表面電極層の厚さ
が1000Åの場合の光の波長と光の透過率との関係を
示す特性線図である。
1 光源 2 対物レンズ(シュヴァルツシルド型光学系) 3 ターゲット 4 フィルタ 5 コンデンサ 6 サンプル 7 軟X線検出素子 10 MCP 20 フォトダイオード構造領域 21 転送ゲート領域 22 光シールド 30 光電変換層 31 電極層 32 入射X線 33 画素電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 持丸 象一郎 東京都渋谷区幡ケ谷2丁目43番2号 オリ ンパス光学工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】 複数の電極上に、光電変換層と表面電極
層とを順次積層して成る軟X線検出素子において、光電
変換層に3eV以上のバンドギャップを有する材料を用
いたことを特徴とする軟X線検出素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4111620A JPH05308149A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 軟x線検出素子 |
US08/031,470 US5352897A (en) | 1992-03-16 | 1993-03-15 | Device for detecting X-rays |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4111620A JPH05308149A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 軟x線検出素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05308149A true JPH05308149A (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=14565940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4111620A Withdrawn JPH05308149A (ja) | 1992-03-16 | 1992-04-30 | 軟x線検出素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05308149A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002061458A1 (fr) * | 2001-01-31 | 2002-08-08 | Hamamatsu Photonics K. K. | Detecteur de faisceau electronique, microscope electronique de type a balayage, spectrometre de masse et detecteur d'ions |
JP2011139069A (ja) * | 2009-12-30 | 2011-07-14 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 集積ダイアモンド変換画素化撮像装置及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-04-30 JP JP4111620A patent/JPH05308149A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002061458A1 (fr) * | 2001-01-31 | 2002-08-08 | Hamamatsu Photonics K. K. | Detecteur de faisceau electronique, microscope electronique de type a balayage, spectrometre de masse et detecteur d'ions |
EP1365260A1 (en) * | 2001-01-31 | 2003-11-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron beam detector, scanning type electron microscope, mass spectrometer, and ion detector |
US6861650B2 (en) | 2001-01-31 | 2005-03-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron beam detector, scanning type electron microscope, mass spectrometer, and ion detector |
CN1307432C (zh) * | 2001-01-31 | 2007-03-28 | 滨松光子学株式会社 | 电子束检测器、扫描型电子显微镜、质量分析装置及离子检测器 |
EP1365260A4 (en) * | 2001-01-31 | 2013-01-23 | Hamamatsu Photonics Kk | ELECTRON BEAM DETECTOR, RASTER ELECTRONIC MICROSCOPE, MASS SPECTROMETER AND ION DETECTOR |
JP2011139069A (ja) * | 2009-12-30 | 2011-07-14 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 集積ダイアモンド変換画素化撮像装置及びその製造方法 |
JP2017120266A (ja) * | 2009-12-30 | 2017-07-06 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 集積ダイアモンド変換画素化撮像装置及びその製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990706 |