JPH05307911A - 高誘電率複合材料 - Google Patents
高誘電率複合材料Info
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- JPH05307911A JPH05307911A JP11157692A JP11157692A JPH05307911A JP H05307911 A JPH05307911 A JP H05307911A JP 11157692 A JP11157692 A JP 11157692A JP 11157692 A JP11157692 A JP 11157692A JP H05307911 A JPH05307911 A JP H05307911A
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- Japan
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- dielectric constant
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- composite material
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高誘電率粉末の有機高分子材料に対する混合
率が少なく、優れた成形性，加工性を維持した状態で、
従来より高い誘電率を得る。 【構成】 この発明の高誘電率複合材料１は、５〜２０
体積％の、金属被覆３を施した高誘電率粉末２と、９５
〜８０体積％の有機高分子材料４とを均一に混合し、成
形後、有機高分子材料４の硬化温度条件で硬化させるこ
とにより得られる。高誘電率粉末２として、セラミック
焼結体を粉砕して所定の粒度分布とした粉体を用いるこ
とができる。
率が少なく、優れた成形性，加工性を維持した状態で、
従来より高い誘電率を得る。 【構成】 この発明の高誘電率複合材料１は、５〜２０
体積％の、金属被覆３を施した高誘電率粉末２と、９５
〜８０体積％の有機高分子材料４とを均一に混合し、成
形後、有機高分子材料４の硬化温度条件で硬化させるこ
とにより得られる。高誘電率粉末２として、セラミック
焼結体を粉砕して所定の粒度分布とした粉体を用いるこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に成形性・加工性に
優れた高誘電率複合材料に関するものである。
優れた高誘電率複合材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】コンデ
ンサ等に使用される従来の高誘電率材料は、セラミック
粉末を成形後焼成して得たセラミック焼結体であり、そ
の寸法、形状は成形法による制約を受け、又焼結体は高
硬度で脆性であるため、自由な加工は困難であり、任意
の形状や複雑な形状を得ることが必ずしも容易ではなか
った。
ンサ等に使用される従来の高誘電率材料は、セラミック
粉末を成形後焼成して得たセラミック焼結体であり、そ
の寸法、形状は成形法による制約を受け、又焼結体は高
硬度で脆性であるため、自由な加工は困難であり、任意
の形状や複雑な形状を得ることが必ずしも容易ではなか
った。
【０００３】これを解決するため、高誘電率のセラミッ
ク粉末を有機高分子材料に分散させることによる成形
性，加工性に優れた高誘電率複合材料が考えられた。し
かし、誘電率を上げるためにはセラミック粉末の混合量
を多くしなければならず、その結果、成形性，加工性が
悪くなるため、混合できる量に限界がある。このため、
優れた成形性，加工性を保ちながら高い誘電率を有する
材料を得るのは困難であった。
ク粉末を有機高分子材料に分散させることによる成形
性，加工性に優れた高誘電率複合材料が考えられた。し
かし、誘電率を上げるためにはセラミック粉末の混合量
を多くしなければならず、その結果、成形性，加工性が
悪くなるため、混合できる量に限界がある。このため、
優れた成形性，加工性を保ちながら高い誘電率を有する
材料を得るのは困難であった。
【０００４】本発明はこのような従来の問題点を解決す
るもので、セラミック粉末のような高誘電率粉末の有機
高分子材料に対する混合率が少なく、優れた成形性，加
工性が維持された状態で従来よりも高い誘電率を有する
複合材料を提供することを目的とする。
るもので、セラミック粉末のような高誘電率粉末の有機
高分子材料に対する混合率が少なく、優れた成形性，加
工性が維持された状態で従来よりも高い誘電率を有する
複合材料を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の高誘電率複合
材料は、５〜２０体積％の金属被覆を施した高誘電率粉
末と、９５〜８０体積％の有機高分子材料とを均一に混
合し、成形後、前記有機高分子材料の硬化温度条件で硬
化させて得られる。前記高誘電率粉末として、セラミッ
ク焼結体を粉砕して所定の粒度分布とした粉体を用いる
ことができる。
材料は、５〜２０体積％の金属被覆を施した高誘電率粉
末と、９５〜８０体積％の有機高分子材料とを均一に混
合し、成形後、前記有機高分子材料の硬化温度条件で硬
化させて得られる。前記高誘電率粉末として、セラミッ
ク焼結体を粉砕して所定の粒度分布とした粉体を用いる
ことができる。
【０００６】
【実施例】本発明の実施例を図１，図２に基ずき説明す
る。この実施例においては、高誘電率粉体２としてチタ
ン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）焼結体のようなセラミッ
ク粉末を粉砕後、１０〜４０μｍの粒度分布とし、これ
に平均１μｍ厚のＮｉめっきのような金属被覆３を施し
た粉末を用いた。これを、エポキシ樹脂のような有機高
分子材料４に均一に分散させ、有機高分子材料４の硬化
温度（本実施例で用いたエポキシ樹脂の場合は９０℃）
で硬化させ、その後研摩して直径３０mmの円板とし、最
後にこの両面に電極としてＡｇペーストを塗布して９０
℃で焼付した。
る。この実施例においては、高誘電率粉体２としてチタ
ン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）焼結体のようなセラミッ
ク粉末を粉砕後、１０〜４０μｍの粒度分布とし、これ
に平均１μｍ厚のＮｉめっきのような金属被覆３を施し
た粉末を用いた。これを、エポキシ樹脂のような有機高
分子材料４に均一に分散させ、有機高分子材料４の硬化
温度（本実施例で用いたエポキシ樹脂の場合は９０℃）
で硬化させ、その後研摩して直径３０mmの円板とし、最
後にこの両面に電極としてＡｇペーストを塗布して９０
℃で焼付した。
【０００７】このようにして高誘電率粉末の混合率を種
々変えて作成した試料で測定された誘電率εと誘電損失
tanδの各測定値を図２に示す。また本発明のこれら試
料と、高誘電率粉末２として従来例のように金属被覆を
施さないＢａＴｉＯ3 粉を用いて同様に作成した試料と
で測定されたε，tan δの前記混合率に対する変化特性
を示したのが図１Ｂである。なお図１Ｂの測定は１MHz
で行っているが、測定周波数１０kHz 〜１０MHz におい
ても、ほぼ同様のデータが得られる。
々変えて作成した試料で測定された誘電率εと誘電損失
tanδの各測定値を図２に示す。また本発明のこれら試
料と、高誘電率粉末２として従来例のように金属被覆を
施さないＢａＴｉＯ3 粉を用いて同様に作成した試料と
で測定されたε，tan δの前記混合率に対する変化特性
を示したのが図１Ｂである。なお図１Ｂの測定は１MHz
で行っているが、測定周波数１０kHz 〜１０MHz におい
ても、ほぼ同様のデータが得られる。
【０００８】図１Ｂに示したように、高誘電率粉末とし
て金属被覆を施さないＢａＴｉＯ3粉を用いた従来例に
比べて本実施例では同じ高誘電率粉末の混合量でも高い
誘電率が得られる。しかし、金属被覆を施した高誘電率
粉末が過剰に混合されるとtan δが増大し、絶縁抵抗が
低下する傾向があり、その量が２５体積％以上になると
短絡する。すなわち金属被覆を施した高誘電率粉末の混
合量は２０体積％以下が望ましい。
て金属被覆を施さないＢａＴｉＯ3粉を用いた従来例に
比べて本実施例では同じ高誘電率粉末の混合量でも高い
誘電率が得られる。しかし、金属被覆を施した高誘電率
粉末が過剰に混合されるとtan δが増大し、絶縁抵抗が
低下する傾向があり、その量が２５体積％以上になると
短絡する。すなわち金属被覆を施した高誘電率粉末の混
合量は２０体積％以下が望ましい。
【０００９】また、金属被覆を施した高誘電率粉末の混
合量が５体積％以下では、金属被覆を施さない高誘電率
粉末を用いた従来例と比較したとき、金属被覆の効果が
ほとんど認められない。すなわち金属被覆を施した高誘
電率粉末の混合量は、５体積％以上であることが望まし
い。以上より、金属被覆を施した高誘電率粉末の混合量
を５〜２０体積％と限定するものである。
合量が５体積％以下では、金属被覆を施さない高誘電率
粉末を用いた従来例と比較したとき、金属被覆の効果が
ほとんど認められない。すなわち金属被覆を施した高誘
電率粉末の混合量は、５体積％以上であることが望まし
い。以上より、金属被覆を施した高誘電率粉末の混合量
を５〜２０体積％と限定するものである。
【００１０】本発明の高誘電率複合材料が従来例に比べ
高い誘電率を示すのは次の理由によるものと考えられ
る。まずひとつの理由は、高分子材料中に分散された金
属被覆膜が高分子材料に対する内部電極として作用した
ことが考えられる。本実施例では、図３に示したような
Ａｇ電極６を付与した円板状の複合材料（試料）５の静
電容量を測定することにより、誘電率εを求めている。
試料の誘電率εと静電容量Ｃとの間には次の関係があ
る。
高い誘電率を示すのは次の理由によるものと考えられ
る。まずひとつの理由は、高分子材料中に分散された金
属被覆膜が高分子材料に対する内部電極として作用した
ことが考えられる。本実施例では、図３に示したような
Ａｇ電極６を付与した円板状の複合材料（試料）５の静
電容量を測定することにより、誘電率εを求めている。
試料の誘電率εと静電容量Ｃとの間には次の関係があ
る。
【００１１】 Ｃ＝ε0 ・ε・Ｓ／ｄ ・・・・・・（１） ただし、ε0 ：真空の誘電率、Ｓ：電極面積（Ｓ＝π・
r2）、ｒ：電極の半径、ｄ：試料の厚さである。金属被
覆膜の一部同士および金属被覆膜の一部とＡｇ電極とが
接触すると、実質的な電極面積Ｓが増大し、試料厚さｄ
が減少したのと同じような効果があらわれる。すなわち
セラミック粉末のεが有機高分子材料のεより大きいと
言う効果を全く考慮しなくても測定される静電容量は増
大し、（１）式から求められる試料の誘電率も増大する
と考えられる。このことは比較例としてエポキシ樹脂に
均一にＣｕ粉末を分散させた複合材料を作製し、本実施
例の複合材料と同様の方法で誘電率を求めることにより
検証された。比較例の測定結果も前述の図１Ｂに示し
た。
r2）、ｒ：電極の半径、ｄ：試料の厚さである。金属被
覆膜の一部同士および金属被覆膜の一部とＡｇ電極とが
接触すると、実質的な電極面積Ｓが増大し、試料厚さｄ
が減少したのと同じような効果があらわれる。すなわち
セラミック粉末のεが有機高分子材料のεより大きいと
言う効果を全く考慮しなくても測定される静電容量は増
大し、（１）式から求められる試料の誘電率も増大する
と考えられる。このことは比較例としてエポキシ樹脂に
均一にＣｕ粉末を分散させた複合材料を作製し、本実施
例の複合材料と同様の方法で誘電率を求めることにより
検証された。比較例の測定結果も前述の図１Ｂに示し
た。
【００１２】なお、図１Ｂで比較例の比誘電率と従来例
の比誘電率の上昇傾向がほとんど一致しているが、従来
例の場合は内部電極が存在しないため誘電率の上昇は、
比較例とは別の理由で説明される。すなわち、従来例の
誘電率が高誘電率粉末の混合率の増加に応じて増加する
特性は、一般に知られている次の経験式によく一致して
いる。
の比誘電率の上昇傾向がほとんど一致しているが、従来
例の場合は内部電極が存在しないため誘電率の上昇は、
比較例とは別の理由で説明される。すなわち、従来例の
誘電率が高誘電率粉末の混合率の増加に応じて増加する
特性は、一般に知られている次の経験式によく一致して
いる。
【００１３】 ｌｎε＝ｘ×ｌｎεa ＋（１−ｘ）×ｌｎεb ・・・・・（２） ただしε：複合材料の誘電率、εa ：高誘電率粉末の誘
電率、εb ：高分子材料の誘電率、ｘ：高誘電率粉末の
体積分率である。（２）式は、高誘電率粉末の誘電率ε
a が高分子材料の誘電率εb より大きいので、高誘電率
粉末の体積分率ｘが増加するに従って、複合材料の誘電
率εが増加することを表している。
電率、εb ：高分子材料の誘電率、ｘ：高誘電率粉末の
体積分率である。（２）式は、高誘電率粉末の誘電率ε
a が高分子材料の誘電率εb より大きいので、高誘電率
粉末の体積分率ｘが増加するに従って、複合材料の誘電
率εが増加することを表している。
【００１４】図１Ｂからわかるように本実施例の誘電率
は単に金属粉末を分散させた比較例の誘電率よりも高
い。このことから、本発明材料が高い誘電率を示すさら
にもうひとつの理由として高誘電率粉末２のεが有機高
分子材料４のεより大きい効果があると考えられる。本
実施例のセラミック粉末は金属皮膜でおおわれており、
このことは静電場で考えた場合にはセラミック粉末は等
電位面で囲まれているとみなされ、高誘電体として機能
しない。しかし、測定を行った周波数領域、言い換えれ
ば本発明の複合材料が使われるような周波数領域では金
属皮膜内に電位勾配が生じ金属皮膜はその内部のセラミ
ック粉末に対して一対の電極として作用し、個々のセラ
ミック粉末は高誘電体として機能するようになり、この
ことが、試料全体として高い誘電率を示す理由のひとつ
と考えられる。
は単に金属粉末を分散させた比較例の誘電率よりも高
い。このことから、本発明材料が高い誘電率を示すさら
にもうひとつの理由として高誘電率粉末２のεが有機高
分子材料４のεより大きい効果があると考えられる。本
実施例のセラミック粉末は金属皮膜でおおわれており、
このことは静電場で考えた場合にはセラミック粉末は等
電位面で囲まれているとみなされ、高誘電体として機能
しない。しかし、測定を行った周波数領域、言い換えれ
ば本発明の複合材料が使われるような周波数領域では金
属皮膜内に電位勾配が生じ金属皮膜はその内部のセラミ
ック粉末に対して一対の電極として作用し、個々のセラ
ミック粉末は高誘電体として機能するようになり、この
ことが、試料全体として高い誘電率を示す理由のひとつ
と考えられる。
【００１５】なお高誘電率粉末の混合にともなって tan
δが増大するのも、この金属皮膜内に生じる電位勾配が
原因と推定される。
δが増大するのも、この金属皮膜内に生じる電位勾配が
原因と推定される。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明による複合材
料１は、高誘電率粉末２に内部電極として作用する金属
被覆３を施すことにより、高誘電率粉末２の有機高分子
材料４に対する混合率が少なく、優れた成形性，加工性
が維持された状態において、従来より高い誘電率を得る
ことができる。
料１は、高誘電率粉末２に内部電極として作用する金属
被覆３を施すことにより、高誘電率粉末２の有機高分子
材料４に対する混合率が少なく、優れた成形性，加工性
が維持された状態において、従来より高い誘電率を得る
ことができる。
【図１】Ａは本発明の実施例を示す断面図、Ｂは実施
例、従来例及び高誘電率粉末の代りにＣｕ粉末を混合し
た比較例の、高誘電率粉末又はＣｕ粉末の混合比の変化
に対する誘電率ε及び tanδの変化特性を示す図。
例、従来例及び高誘電率粉末の代りにＣｕ粉末を混合し
た比較例の、高誘電率粉末又はＣｕ粉末の混合比の変化
に対する誘電率ε及び tanδの変化特性を示す図。
【図２】実施例において、高誘電率粉末の混合比を変化
させた場合の誘電率ε及び tanδの測定データを示す
図。
させた場合の誘電率ε及び tanδの測定データを示す
図。
【図３】図１Ｂ及び図２の試料の形状を示す断面図。
【図４】従来の高誘電率複合材料の一例を示す断面図。
Claims (2)
- 【請求項１】 ５〜２０体積％の金属被覆を施した高誘
電率粉末と、９５〜８０体積％の有機高分子材料とを均
一に混合し、成形後、前記有機高分子材料の硬化温度条
件で硬化させることを特徴とする高誘電率複合材料。 - 【請求項２】 前記高誘電率粉末が、セラミック焼結体
を粉砕して所定の粒度分布とした粉体であることを特徴
とする請求項１記載の高誘電率複合材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11157692A JPH05307911A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 高誘電率複合材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11157692A JPH05307911A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 高誘電率複合材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05307911A true JPH05307911A (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=14564879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11157692A Withdrawn JPH05307911A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 高誘電率複合材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05307911A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5739193A (en) * | 1996-05-07 | 1998-04-14 | Hoechst Celanese Corp. | Polymeric compositions having a temperature-stable dielectric constant |
| US5962122A (en) * | 1995-11-28 | 1999-10-05 | Hoechst Celanese Corporation | Liquid crystalline polymer composites having high dielectric constant |
| US5965273A (en) * | 1997-01-31 | 1999-10-12 | Hoechst Celanese Corporation | Polymeric compositions having a temperature-stable dielectric constant |
| US6562448B1 (en) | 2000-04-06 | 2003-05-13 | 3M Innovative Properties Company | Low density dielectric having low microwave loss |
| JP2016511550A (ja) * | 2013-03-14 | 2016-04-14 | サウジ・ベーシック・インダストリーズ・コーポレーション | 導電性ナノフィラーをドープした誘電性ポリマーをベースとする非整数次コンデンサ |
-
1992
- 1992-04-30 JP JP11157692A patent/JPH05307911A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5962122A (en) * | 1995-11-28 | 1999-10-05 | Hoechst Celanese Corporation | Liquid crystalline polymer composites having high dielectric constant |
| US5739193A (en) * | 1996-05-07 | 1998-04-14 | Hoechst Celanese Corp. | Polymeric compositions having a temperature-stable dielectric constant |
| US5965273A (en) * | 1997-01-31 | 1999-10-12 | Hoechst Celanese Corporation | Polymeric compositions having a temperature-stable dielectric constant |
| US6562448B1 (en) | 2000-04-06 | 2003-05-13 | 3M Innovative Properties Company | Low density dielectric having low microwave loss |
| JP2003530463A (ja) * | 2000-04-06 | 2003-10-14 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 低マイクロ波損失の低密度誘電体 |
| JP2016511550A (ja) * | 2013-03-14 | 2016-04-14 | サウジ・ベーシック・インダストリーズ・コーポレーション | 導電性ナノフィラーをドープした誘電性ポリマーをベースとする非整数次コンデンサ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990706 |