JP3087209B2 - Exposure equipment - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は露光装置に関するもの
で、更に詳細には、例えば半導体ウエハ等の被処理体の
周辺を露光して、周辺のレジスト膜を除去する露光装置
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus, and more particularly, to an exposure apparatus that exposes the periphery of an object to be processed such as a semiconductor wafer and removes a peripheral resist film.

【０００２】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いて、例えば半導体ウエハ（以下にウエハという）等の
被処理体の表面にフォトリソグラフィー技術を用いて回
路パターンを縮小してフォトレジストに転写し、これを
現像処理する一連の処理が施される。2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor device manufacturing process, a circuit pattern is reduced on a surface of an object to be processed such as a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) by using a photolithography technique and transferred to a photoresist. Are subjected to a series of processings for developing.

【０００３】このフォトリソグラフィー工程において、
例えば、被処理体であるウエハを洗浄装置にて洗浄した
後、ウエハにアドヒージョン処理装置にて疎水化処理を
施し、冷却処理装置にて冷却した後、レジスト塗布装置
にてフォトレジスト膜すなわち感光膜を塗布形成する。
そして、フォトレジストを加熱処理装置にて加熱してベ
ーキング処理を施した後、露光装置にて所定のパターン
を露光する。そして、露光後のウエハを現像装置にて現
像液を塗布して現像した後にリンス液により現像液を洗
い流し、現像処理を完了する。かかるフォトリソグラフ
ィー工程において、解像度が優れているポジ型レジスト
が主に使用されている。In this photolithography process,
For example, after a wafer to be processed is cleaned by a cleaning apparatus, the wafer is subjected to a hydrophobic treatment by an adhesion processing apparatus, cooled by a cooling processing apparatus, and then subjected to a photoresist coating, ie, a photosensitive film by a resist coating apparatus. Is applied and formed.
Then, after the photoresist is heated by a heat treatment device and subjected to a baking treatment, a predetermined pattern is exposed by an exposure device. Then, after developing and applying the developing solution to the exposed wafer using a developing device, the developing solution is washed away with a rinsing solution to complete the developing process. In such a photolithography process, a positive resist excellent in resolution is mainly used.

【０００４】上記のような処理を行う場合、ウエハ等の
被処理体の表面にスピンコート法によってレジスト液を
塗布する処理が行われるが、この塗布処理の際、塗布直
後における膜厚は均一であるが、回転が停止して遠心力
が働かなくなった後や時間が経つに従い表面張力の影響
でウエハ周辺部でレジスト液が盛り上がるように厚くな
り、また、レジスト液がウエハの下面周辺部にまで回り
込んで不要な膜が形成される現象が発生する。このよう
にウエハの周辺部に不均一な膜が形成されると、集積回
路パターン等の現像時に周辺部のレジスト膜が完全に除
去されずに残存することになり、その後のウエハの搬送
工程中にその残存したレジストが剥がれ、パーティクル
発生の原因となる。In performing the above-described processing, a processing of applying a resist solution to the surface of an object to be processed such as a wafer by a spin coating method is performed. In this coating processing, the film thickness immediately after the application is uniform. However, after the rotation stops and the centrifugal force stops working, and as time goes by, the resist solution becomes thicker so that the resist solution swells around the wafer due to the effect of surface tension, and the resist solution reaches the lower surface periphery of the wafer. A phenomenon occurs in which an unnecessary film is formed by wrapping around. When a non-uniform film is formed on the peripheral portion of the wafer in this way, the resist film on the peripheral portion remains without being completely removed during the development of an integrated circuit pattern or the like. The remaining resist is peeled off, causing particles to be generated.

【０００５】そこで、従来では、ウエハの表面にレジス
ト液を塗布した後、ウエハの周辺部の不要な塗布膜を除
去する処理が行われている。この不要レジスト膜を除去
する手段の１つとして、被処理体の周辺部に沿って光照
射手段を相対的に移動させて、被処理体の周辺部の不要
レジスト膜を露光する露光装置が使用されている（実公
平５−３０３４８号公報、実公平５−３０３４９号公
報、特開平５−２５９０６９号公報参照）。Therefore, conventionally, after a resist solution is applied to the surface of a wafer, a process of removing an unnecessary coating film on a peripheral portion of the wafer has been performed. As one of means for removing the unnecessary resist film, an exposure apparatus that relatively moves a light irradiation unit along a peripheral portion of the object to be processed and exposes the unnecessary resist film in a peripheral portion of the object to be processed is used. (See Japanese Utility Model Publication No. 5-30348, Japanese Utility Model Publication No. 5-30349, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-25969).

【０００６】上記露光装置は、ウエハの周辺部の不要レ
ジスト膜に円形又は矩形状の照射パターンのＵＶ（紫外
線）光を照射するものである。The above exposure apparatus irradiates a UV (ultraviolet) light in a circular or rectangular irradiation pattern onto an unnecessary resist film on the periphery of a wafer.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、照射パ
ターンが円形のものにおいては、図１１に示すように、
実用上均一と見なされるＵＶ照度分布に範囲があり、Ｕ
Ｖ照度分布中心に対して例えば半径２．５ｍｍの範囲が
限度であるため、被処理体の周辺部の被露光領域の外周
側及び内周側と周辺中心側においては、回転時の周速度
の相違によりその露光量が相違するため、不均一な露光
となり、露光後に現像を行った後に部分的にレジストが
残存するという問題があり、光照射パターンとしては不
適当であった。これに対し、照射パターンが矩形状のも
のは、図１２に示すように、被処理体であるウエハＷに
塗布されたレジスト膜のカットエッジ部ａで必要露光量
を満たすが、ウエハＷの外周部での露光量は内周部と比
較して減少するため、図１３に示すように、照度むらが
生じ、露光不良が起こりレジスト残りが発生したりする
可能性がある。これを解決するには、光源の照度を増大
し、光照射パターンを拡大することにより露光量を多く
得ることが考えられるが、単に照度を増大させると、レ
ジスト膜に発泡現象が発生してしまい回路パターンに支
障をきたすという問題がある。また、照度をあげずに露
光時間を長くすることも考えられるが、スループットの
向上を企図すべく露光時間を短縮化する傾向にある現状
にそぐわないという問題もある。However, when the irradiation pattern is circular, as shown in FIG.
There is a range in the UV illuminance distribution that is considered to be uniform in practice,
For example, since the range of the radius of 2.5 mm is the limit to the center of the V illuminance distribution, the peripheral speed at the time of rotation on the outer peripheral side and the inner peripheral side and the peripheral center side of the exposed area in the peripheral part of the object to be processed is limited. Due to the difference, the exposure amount is different, resulting in non-uniform exposure, and there is a problem that a resist partially remains after development after exposure, which is unsuitable as a light irradiation pattern. On the other hand, when the irradiation pattern is rectangular, as shown in FIG. 12, the required exposure amount is satisfied at the cut edge portion a of the resist film applied to the wafer W to be processed. Since the exposure amount in the portion is smaller than that in the inner peripheral portion, as shown in FIG. 13, there is a possibility that uneven illuminance occurs, exposure failure occurs, and the resist remains. In order to solve this, it is conceivable to increase the exposure amount by increasing the illuminance of the light source and enlarging the light irradiation pattern. However, simply increasing the illuminance causes a bubbling phenomenon to occur in the resist film. There is a problem that circuit patterns are hindered. In addition, it is conceivable to increase the exposure time without increasing the illuminance. However, there is a problem that the exposure time is not suitable for the purpose of improving the throughput.

【０００８】また、図１４に示すように、ウエハＷに深
い溝ｈ（トレンチコート）を掘り、その中にキャパシタ
や素子分離領域を形成するようにしたトレンチ技術にお
いては、トレンチコートｈをエッチングする際にレジス
ト残存部分の存在によってウエハＷ周辺部もエッチング
されて凹所ｃが生じるという問題があった。Further, as shown in FIG. 14, in trench technology in which a deep groove h (trench coat) is dug in a wafer W and a capacitor and an element isolation region are formed therein, the trench coat h is etched. In this case, there is a problem that the peripheral portion of the wafer W is also etched due to the presence of the remaining resist, and a recess c is formed.

【０００９】また、光照射パターンが矩形状のものにお
いては、ウエハＷのオリフラＷａ部分を露光する際、図
１２に想像線で示すように、矩形状のマスクｂを回転さ
せずに、ウエハＷの中心方向に移動させて露光すると、
オリフラＷａ部の中央部以外においてはマスクｂはオリ
フラＷａ辺に対して斜めに位置することになるために、
オリフラＷａ部では照射量が少なくなり、疎露光部が生
じる。この疎露光部は照射量が少ないため、後にウエハ
Ｗを現像したときにレジスト部がなだらかに除去され、
いわゆるだれ現象が生じ、レジスト膜をシャープに除去
することができない。この問題を解決するために、出願
人は先にウエハのオリフラ部を露光するに際し、光照射
手段の矩形状光照射パターン（マスク）の一辺をオリフ
ラに平行になるように光照射手段の光照射の位置を制御
するようにして、ウエハＷのオリフラ部を均一に露光す
る方法を開発した（特開平５−２５９０６９号公報参
照）。この露光方法によれば、オリフラ部の露光を均一
にすることは可能であるが、光照射パターンが矩形状に
形成される限り、上述したように、外周部においては、
内周側と外周側とで照度むらが生じ、露光不良が起こる
可能性がある。In the case where the light irradiation pattern is rectangular, when exposing the orientation flat Wa portion of the wafer W, as shown by imaginary lines in FIG. Exposure by moving it toward the center of
Since the mask b is located obliquely to the side of the orientation flat Wa except for the center of the orientation flat Wa,
In the orientation flat Wa portion, the irradiation amount is reduced, and a sparse exposure portion is generated. Since the sparsely exposed portion has a small irradiation amount, the resist portion is gently removed when the wafer W is developed later,
A so-called dripping phenomenon occurs, and the resist film cannot be removed sharply. In order to solve this problem, when the applicant first exposes the orientation flat of the wafer, the light irradiation of the light irradiation means is set so that one side of the rectangular light irradiation pattern (mask) of the light irradiation means is parallel to the orientation flat. A method for uniformly exposing the orientation flat portion of the wafer W by controlling the position of the wafer W has been developed (see Japanese Patent Application Laid-Open No. H5-25969). According to this exposure method, it is possible to make the exposure of the orientation flat portion uniform, but as long as the light irradiation pattern is formed in a rectangular shape, as described above, in the outer peripheral portion,
Irradiation unevenness occurs between the inner and outer peripheral sides, and exposure failure may occur.

【００１０】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、照度を上げることなく、かつ露光時間を短縮して、
露光処理を行えるようにした露光装置を提供することを
目的とするものである。[0010] The present invention has been made in view of the above circumstances, and without increasing the illuminance and reducing the exposure time,
It is an object of the present invention to provide an exposure apparatus capable of performing an exposure process.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の露光装置は、被処理体と、光照射
手段とを、相対的に移動させて、上記被処理体の周辺部
を所定の幅に渡って露光する露光装置を前提とし、上記
光照射手段の光照射形状が、上記被処理体の周辺部に位
置する内側辺と、この内側辺の端部から外向きに所定角
度で拡開する傾斜辺とを具備し、上記光照射形状の傾斜
辺の内側辺に接する線に対する角度（θ）を、上記被処
理体の半径（Ｒ）、切欠部の長さ（Ｐ）としたとき、θ
＝ｓｉｎ ^-1 （Ｐ／２）／Ｒ に基いて設定することを特
徴とするものである（請求項１）。In order to achieve the above object, a first exposure apparatus of the present invention moves a workpiece and a light irradiating means relatively to each other, and Assuming an exposure apparatus that exposes the peripheral portion over a predetermined width, the light irradiation shape of the light irradiation unit is such that the inner side located at the peripheral portion of the object to be processed and the inner side positioned outward from the end of the inner side. comprising an inclined edges diverging at a predetermined angle, the inclination of the light irradiation shape
The angle (θ) with respect to the line tangent to the inner side of the side
When the radius of the body (R) and the length of the notch (P) are given, θ
= Sin ^-1 (P / 2) / R. (Claim 1)

【００１２】また、この発明の第２の露光装置は、被処
理体と、紫外線光照射手段とを、相対的に移動させて、
上記被処理体の表面に塗布されたレジストの周辺部を所
定の幅に渡って露光する露光装置を前提とし、上記光照
射手段の光照射形状が、上記被処理体の周辺部に位置す
る内側辺と、この内側辺の端部から外向きに所定角度で
拡開する傾斜辺とを具備し、上記内側辺の長さを、１．
５〜３．５ｍｍとし、上記光照射形状の傾斜辺の内側辺
に接する線に対する角度（θ）を、上記被処理体の半径
（Ｒ）、切欠部の長さ（Ｐ）としたとき、θ＝ｓｉｎ ^-1
（Ｐ／２）／Ｒに基いて設定することを特徴とするもの
である（請求項２）。Further, in the second exposure apparatus of the present invention, the object to be processed and the ultraviolet light irradiation means are relatively moved,
Assuming an exposure apparatus that exposes the peripheral portion of the resist applied on the surface of the object over a predetermined width, the light irradiation shape of the light irradiating means is such that the inner side positioned at the peripheral portion of the object is exposed. A side, and an inclined side that expands outward from an end of the inner side at a predetermined angle, and the length of the inner side is 1.
5 to 3.5 mm , the inner side of the inclined side of the light irradiation shape
Angle (θ) with respect to the line tangent to the radius of the object to be processed
(R), notch length (P), θ = sin ⁻¹
It is set based on (P / 2) / R (claim 2).

【００１３】この発明において、上記光照射手段の光照
射形状の内側辺は被処理体の周辺部に位置するものであ
れば直線であっても差し支えないが、好ましくは内側辺
は、被処理体の中心を中心とする円の円周に近似する曲
率を有する方がよい（請求項３）。In the present invention, the inner side of the light irradiation shape of the light irradiating means may be a straight line as long as it is located at a peripheral portion of the object to be processed. It is better to have a curvature approximating the circumference of a circle centered on the center of (Claim 3).

【００１４】[0014]

【作用】この発明の露光装置によれば、光照射手段の光
照射形状が、被処理体の周辺部に位置する内側辺と、こ
の内側辺の端部から外向きに所定角度で拡開する傾斜辺
とを具備し、光照射形状の傾斜辺の内側辺に接する線に
対する角度（θ）を、被処理体の半径（Ｒ）、切欠部の
長さ（Ｐ）としたとき、θ＝ｓｉｎ ^-1 （Ｐ／２）／Ｒ
に基いて設定するので、被処理体と光照射手段とを相対
的に移動させて被処理体の周辺部を露光処理する際、被
処理体の円形状部においては、内側辺が被処理体の中心
側の周縁部に接し、この内側辺の端部から傾斜辺が拡開
した状態で、被処理体の周辺部を露光することができ
る。したがって、被処理体の周辺部の内周部と外周部と
を有効に露光することができ、露光不良によるレジスト
残り等を防止することができる。According to the exposure apparatus of the present invention, the light irradiation shape of the light irradiation means expands outward at a predetermined angle outward from the inner side located at the peripheral portion of the object to be processed and the end of the inner side. With a sloping side, and a line tangent to the inner side of the sloping side of the light irradiation shape
The angle (θ) with respect to the radius (R) of the object to be processed and the notch
Assuming the length (P), θ = sin ^-1 (P / 2) / R
Therefore, when the processing object and the light irradiation unit are relatively moved to perform the exposure processing on the peripheral portion of the processing object, in the circular portion of the processing object, the inner side is the processing object. The peripheral portion of the object to be processed can be exposed in a state in which the inclined side is in contact with the peripheral edge on the center side of the object and the inclined side is widened from the end of the inner side. Therefore, the inner peripheral portion and the outer peripheral portion of the peripheral portion of the object to be processed can be effectively exposed, and the resist remaining due to exposure failure can be prevented.

【００１５】また、被処理体の切欠部を露光処理する場
合は、傾斜辺が被処理体の中心側の周縁部に接するよう
に移動しながら露光することで、切欠部の露光不良によ
るレジスト残等を防止することができる。In the case where the notch of the object is subjected to the exposure processing, the exposure is performed while the inclined side is moved so as to be in contact with the peripheral edge on the center side of the object. Etc. can be prevented.

【００１６】[0016]

【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細
に説明する。ここでは、この発明の露光装置を半導体ウ
エハの塗布・現像処理システムに適用した場合について
説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Here, a case where the exposure apparatus of the present invention is applied to a semiconductor wafer coating / developing processing system will be described.

【００１７】上記半導体ウエハの塗布・現像処理システ
ム１は、図１に示すように、その一端側に被処理体とし
て例えば多数枚の半導体ウエハＷ（以下にウエハとい
う）を収容する複数のカセット２を例えば４個直線状に
載置可能に構成したキャリアステーション３を有し、こ
のキャリアステーション３のカセット２前面部には移動
可能でウエハＷの搬入・搬出及びウエハＷの位置決めを
行う補助アーム４が設けられている。また、塗布・現像
処理システム１の中央部にてその長さ方向に移動可能に
設けられると共に、補助アーム４からウエハＷを受け渡
されるメインアーム５が設けられており、このメインア
ーム５の移送路の両側には各種処理機構が配置されてい
る。具体的には、これらの処理機構としてはキャリアス
テーション３側の一側方には、プロセスステーション６
として例えばウエハＷをブラシ洗浄するためのブラシス
クラバ７及び高圧ジェット水により洗浄を施すための高
圧ジェット洗浄機７Ａが並設され、その隣には、２基の
加熱装置９が積み重ねて設けられると共に、メインアー
ム５の移送路の他方側には現像装置８が２基並設されて
いる。As shown in FIG. 1, the semiconductor wafer coating / developing processing system 1 includes a plurality of cassettes 2 each of which accommodates, for example, a large number of semiconductor wafers W (hereinafter, referred to as wafers) as an object to be processed. And a carrier arm 3 configured to be able to place four wafers in a straight line, for example. Is provided. In addition, a main arm 5 is provided at the center of the coating / developing processing system 1 so as to be movable in its length direction, and a main arm 5 for transferring the wafer W from the auxiliary arm 4 is provided. Various processing mechanisms are arranged on both sides of the road. Specifically, these processing mechanisms include a process station 6 on one side of the carrier station 3 side.
For example, a brush scrubber 7 for brush cleaning a wafer W and a high-pressure jet cleaning machine 7A for performing cleaning with high-pressure jet water are provided side by side, and two heating devices 9 are provided next to each other while being stacked. On the other side of the transfer path of the main arm 5, two developing devices 8 are arranged in parallel.

【００１８】更に、上記プロセスステーション６の側方
には、接続用ユニット１０を介してもう一つのプロセス
ステーション６Ａとして例えばウエハＷにフォトレジス
トを塗布する前にこれを疎水化処理するアドヒージョン
処理装置１１が設けられ、この下方にはクーリング装置
１２が配置されている。これら装置１１，１２の側部に
は加熱装置９が２列で２個ずつ積み重ねられて配置され
ている。Further, on the side of the process station 6, an adhesion processing apparatus 11 is provided as another process station 6A via a connection unit 10 for applying a hydrophobic treatment to a wafer W, for example, before applying a photoresist to the wafer W. Is provided, and a cooling device 12 is disposed below the cooling device. On the side of these devices 11, 12, two heating devices 9 are arranged in two rows.

【００１９】また、メインアーム５の移送路を挟んでこ
れら加熱装置９やアドヒージョン処理装置１１等の反対
側には、この発明の露光装置１３と、ウエハＷにフォト
レジスト液を塗布するレジスト塗布装置１４が並設され
ている。なお、図示されないがこれらレジスト塗布装置
１３の側部には、インターフェースユニットを介してレ
ジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露光装
置等が設けられている。On the opposite side of the heating device 9 and the adhesion processing device 11 across the transfer path of the main arm 5, an exposure device 13 of the present invention and a resist coating device for coating a photoresist liquid on the wafer W are provided. 14 are provided side by side. Although not shown, an exposure device for exposing a predetermined fine pattern to the resist film via an interface unit is provided at a side portion of the resist coating device 13.

【００２０】この発明の露光装置１３は、図２に示すよ
うに、ウエハＷを吸着保持して水平方向に回転する載置
台２１と、この載置台２１上に載置されたウエハＷのオ
リフラＷａ部（切欠部）を検出するオリフラ検出手段３
０と、ウエハＷの表面に塗布されたレジスト膜の周辺部
にＵＶ（紫外線）光を照射する光照射手段４０とを具備
してなる。As shown in FIG. 2, the exposure apparatus 13 according to the present invention comprises a mounting table 21 which holds a wafer W by suction and rotates in a horizontal direction, and an orientation flat Wa of the wafer W mounted on the mounting table 21. Detecting means 3 for detecting a notch (notch)
0 and light irradiating means 40 for irradiating UV (ultraviolet) light to the periphery of the resist film applied to the surface of the wafer W.

【００２１】上記載置台２１は回転軸２２を介して駆動
モータ２３に連結されて、水平方向に回転され得るよう
に構成され、また、図示しない昇降シリンダによって上
下方向に昇降可能に配設され、更に、載置台２１の載置
面に設けられた吸着用小孔（図示せず）を回転軸２２内
を介して図示しない真空装置に接続することで、ウエハ
Ｗを吸着保持し得るように構成されている。また、図示
しない移動機構により、上記載置台２１等は光照射手段
４０の方向に前進、後退可能に構成されている。The mounting table 21 is connected to a driving motor 23 via a rotary shaft 22 so as to be rotatable in the horizontal direction. The mounting table 21 is arranged so as to be vertically movable by a lifting cylinder (not shown). Further, a small suction hole (not shown) provided on the mounting surface of the mounting table 21 is connected to a vacuum device (not shown) via the inside of the rotating shaft 22 so that the wafer W can be suction-held. Have been. The mounting table 21 and the like are configured to be able to advance and retreat in the direction of the light irradiation means 40 by a moving mechanism (not shown).

【００２２】上記オリフラ検出手段３０は、載置台２１
上に載置されたウエハＷの周辺部の表裏面に対峙する発
光部３１と受光部３２とで構成されている。このオリフ
ラ検出手段３０にて検出された信号は、例えば中央演算
処理装置（ＣＰＵ）にて形成される制御部５０に伝達さ
れ、制御部５０に予め入力された情報と比較演算処理さ
れた後、制御部５０から制御信号が駆動モータ２３及び
光照射手段４０の駆動部４０Ａに伝達されるように構成
されている。The orientation flat detecting means 30 is mounted on the mounting table 21.
The light emitting unit 31 and the light receiving unit 32 face the front and back surfaces of the peripheral portion of the wafer W mounted thereon. The signal detected by the orientation flat detecting means 30 is transmitted to a control unit 50 formed, for example, by a central processing unit (CPU), and is compared with information input in advance to the control unit 50. The control unit 50 is configured to transmit a control signal to the drive motor 23 and the drive unit 40A of the light irradiation unit 40.

【００２３】一方、上記光照射手段４０は、図３及び図
４に示すように、図示しないＵＶ光源からの露光用の光
を導くための例えば光ファイバあるいは液体ファイバに
て形成される光導管４１と、この光導管４１の先端部に
取付けられる筒体４２内に設けられる絞り４３及びレン
ズ群４４と、筒体４２の先端に装着され、ＵＶ光をウエ
ハＷの周辺部に照射する光照射パターンを形成するため
の開口部を有するマスク４５とで構成されている。ま
た、光照射駆動部４０Ａの図示しない移動機構により、
上記光照射手段４０は、上記載置台２１の回転中心方向
に前進、後退可能に構成されている。On the other hand, as shown in FIGS. 3 and 4, the light irradiating means 40 includes an optical conduit 41 formed of, for example, an optical fiber or a liquid fiber for guiding exposure light from a UV light source (not shown). A diaphragm 43 and a lens group 44 provided in a cylindrical body 42 attached to the distal end of the light conduit 41; and a light irradiation pattern mounted on the distal end of the cylindrical body 42 and irradiating UV light to a peripheral portion of the wafer W. And a mask 45 having an opening for forming. In addition, a moving mechanism (not shown) of the light irradiation driving unit 40A allows
The light irradiation means 40 is configured to be able to move forward and backward in the direction of the rotation center of the mounting table 21.

【００２４】上記マスク４５に形成される開口部４５Ａ
の形状は、ウエハＷの中心側に向って配置される内側辺
４６と、この内側辺４６の両端部を通る直線に対して外
向きに所定角度θで拡開する傾斜辺４７とを具備する台
形部を有する六角形状に形成されている（図４参照）。
言い換えれば、光照射パターンが、内側辺４６部分に対
し外向きに広がっている形状に形成されている。この場
合、内側辺４６は直線であってもよいが、図６に示すよ
うに、ウエハＷの中心を中心とする円Ｗｂの曲面に近似
する曲率を有する円弧面４８にする方がより一層円Ｗｂ
に沿って露光できる点で好ましい。この円弧面４８を直
径８インチウエハ用に形成すると、内側辺４６の両端を
結ぶ直線と円弧面４８との最大の隙間は約８μｍとな
る。Opening 45A formed in mask 45
Has an inner side 46 arranged toward the center side of the wafer W, and an inclined side 47 expanding outward at a predetermined angle θ outward with respect to a straight line passing through both ends of the inner side 46. It is formed in a hexagonal shape having a trapezoidal portion (see FIG. 4).
In other words, the light irradiation pattern is formed in a shape that extends outward with respect to the inner side 46 portion. In this case, the inner side 46 may be a straight line, but as shown in FIG. 6, a circular arc surface 48 having a curvature approximating the curved surface of the circle Wb centered on the center of the wafer W is more circular. Wb
Is preferable in that it can be exposed along. If this arc surface 48 is formed for an 8-inch diameter wafer, the maximum gap between the straight line connecting both ends of the inner side 46 and the arc surface 48 is about 8 μm.

【００２５】また、内側辺４６の長さＬａは、ウエハＷ
の表面に塗布されたレジスト膜の除去に適切な露光量が
得られる寸法に設定されている。つまり、露光量が不足
すると、レジスト残りが発生し、逆に露光量が多いと、
レジスト発泡が生じるので、これらを考慮して適切な露
光量が得られる寸法にする必要がある。The length La of the inner side 46 is
The dimensions are set so that an exposure amount appropriate for removing the resist film applied to the surface of the substrate can be obtained. In other words, when the exposure amount is insufficient, the resist remains, and when the exposure amount is large,
Since resist bubbling occurs, it is necessary to consider these factors and to make the dimensions such that an appropriate exposure amount can be obtained.

【００２６】一般に、露光量Ａ（ｍＪ／ｃｍ2 ）は、以
下の式によって求められる。 Ａ＝Ｂ×Ｔ×Ｍs／Ｓ（ｍＪ／ｃｍ2 ） …（１） ここで、Ａ：露光量（ｍＪ／ｃｍ2 ），Ｂ：ランプ照度
（ｍＷ／ｃｍ2），Ｔ：露光時間（ｓｅｃ）， ＭS：
マスク面積（ｍｍ2），Ｓ：全露光面積（ｍｍ2 ）であ
る。Generally, the exposure amount A (mJ / cm 2) is obtained by the following equation. A = B × T × Ms / S (mJ / cm 2) (1) where A: exposure amount (mJ / cm 2), B: lamp illuminance (mW / cm 2), T: exposure time (sec), MS :
Mask area (mm2), S: total exposure area (mm2).

【００２７】上記（１）式より、ランプ照度アップとマ
スク面積拡大で、露光量をより多く得ることがわかる。
しかし、ランプ照度アップは、レジスト発泡の問題があ
る。また、ＵＶ照度分布は、図１１に示すような範囲が
あり、更には、ウエハＷの円周部の外周は円弧状に露光
し、オリフラＷａ部は直線状に露光するため、マスク形
状すなわち光照射形状に制限が生じる。From the above equation (1), it can be seen that a greater exposure can be obtained by increasing the illuminance of the lamp and enlarging the mask area.
However, increasing the lamp illuminance has a problem of resist foaming. The UV illuminance distribution has a range as shown in FIG. 11, and furthermore, the outer periphery of the circumferential portion of the wafer W is exposed in an arc shape, and the orientation flat Wa portion is exposed in a straight line. The irradiation shape is limited.

【００２８】また、上記（１）式の面積を長さで表す
と、露光量Ａ（ｍＪ／ｃｍ2 ）は以下の式で表される。 Ａ＝Ｂ×Ｔ×ＭL／Ｌ（ｍＪ／ｃｍ2 ） …（２） ここで、ＭL：マスク辺長（ｍｍ）， Ｌ：全露光長さ
（ｍｍ）である。When the area of the above equation (1) is represented by a length, the exposure amount A (mJ / cm 2) is represented by the following equation. A = B × T × ML / L (mJ / cm 2) (2) where ML: mask side length (mm), L: total exposure length (mm).

【００２９】上記（２）式によると、マスク４５の辺の
長さ（ＭL）が短いと、露光量が少なく露光不良が生じ
てしまうことになる。According to the above equation (2), when the length (ML) of the side of the mask 45 is short, the exposure amount is small and an exposure failure occurs.

【００３０】したがって、内側辺４６の長さを適切な露
光量が得られる長さ寸法に設定する必要がある。直径８
インチウエハを例にとって下記の条件のときのマスク４
５の辺長と、露光量の関係を調べたところ、図７のグラ
フに示されるようになる。Therefore, it is necessary to set the length of the inner side 46 to a length at which an appropriate exposure can be obtained. Diameter 8
Using an inch wafer as an example, the mask 4 under the following conditions
When the relationship between the side length of No. 5 and the exposure amount was examined, the graph shown in FIG. 7 was obtained.

【００３１】★条件 ・ウエハＷの直径 …２００（ｍｍ） ・露光時間 …４０（ｓｅｃ） ・レジストカット幅…４（ｍｍ） ・ランプ照度 …１２００（ｍＷ／ｃｍ2 ・必要露光量 …２００（ｍＷ／ｃｍ2 ） ・ＭＬの範囲 …０〜５．０（ｍｍ）。★ Conditions ・ Diameter of wafer W: 200 (mm) ・ Exposure time: 40 (sec) ・ Resist cut width: 4 (mm) ・ Lamp illuminance: 1200 (mW / cm 2 ・ Required exposure amount: 200 (mW / cm2)-ML range: 0 to 5.0 (mm).

【００３２】ＵＶ照度分布は図１１のグラフに示すよう
に円状で、ある範囲で減少するが、半径Ｌ＝２．５ｍｍ
以内からは、露光量はあまり変化しない。The UV illuminance distribution is circular as shown in the graph of FIG. 11 and decreases in a certain range, but the radius L = 2.5 mm
From within, the exposure does not change much.

【００３３】Ｌ＝２．５ｍｍのときの露光量を上記
（２）式から求めると、 Ａ＝１２００×４０×２．５／（２００−４×２）×π
≒２００（ｍＪ／ｃｍ2 ） …（３） 上記（２）式、（３）式より、上記内側辺４６の長さＬ
ａを２．５ｍｍに設定することにより、ウエハＷの周辺
部におけるレジストカットエッジ部（中心側周縁部）に
必要な露光量のＵＶ光を照射することができ、処理時間
を短縮してもレジスト残りを生じることなく、レジスト
除去を可能にすることができる。実用上、Ｌａ＝１．５
〜３．５ｍｍに設定することも可能である。When the exposure amount when L = 2.5 mm is obtained from the above equation (2), A = 1200 × 40 × 2.5 / (200−4 × 2) × π
≒ 200 (mJ / cm 2) (3) From the above equations (2) and (3), the length L of the inner side 46 is determined.
By setting a to 2.5 mm, it is possible to irradiate the resist cut edge portion (center-side peripheral portion) in the peripheral portion of the wafer W with a necessary amount of UV light, and to reduce the resist even if the processing time is reduced. The resist can be removed without leaving any residue. Practically, La = 1.5
It is also possible to set it to 3.5 mm.

【００３４】なお、マスク４５が２．５×５（ｍｍ）の
長方形であるとすると、レジストカットエッジ部（中心
側周縁部）では必要露光量を満たすが、ウエハ外周での
露光量は約１９０（ｍＪ／ｃｍ2 ）になり、照度むらを
考慮すれば露光不良が起こる可能性がある。したがっ
て、確実に露光するには、マスク形状はウエハ中心から
外周に向って広がりをもったものが理想的である。If the mask 45 is a rectangle of 2.5 × 5 (mm), the required exposure amount is satisfied at the resist cut edge portion (center side peripheral portion), but the exposure amount at the outer periphery of the wafer is approximately 190. (MJ / cm 2), and there is a possibility that exposure failure may occur if uneven illuminance is considered. Therefore, for reliable exposure, it is ideal that the shape of the mask spreads from the center of the wafer toward the outer periphery.

【００３５】上記傾斜辺４７の角度θ（ウエハ中心側の
周縁部に接する線と傾斜辺４７のなす角度）は、ウエハ
Ｗの直径（半径：Ｒ）、オリフラＷａの長さＰがほぼ一
定であるので、ウエハサイズによって決まる。すなわ
ち、角度θは下式（４）に基いて求めることができる
（図５参照）。すなわち、 θ＝ｓｉｎ^-1（Ｐ／２）／Ｒ（度） …（４） 上記（４）式により、６インチウエハの場合は、θ≒２
４（度）、８インチウエハの場合は、θ≒１８（度）と
なる。このように傾斜辺４７の角度θを上記（４）式に
基いて設定することにより、図５に示すように、ウエハ
Ｗの円周部とオリフラ部の接する部分の露光不良を解消
することができ、いわゆる“だれ幅”の改善を図ること
ができる。また、傾斜辺４７の長さＬｂを、上述した理
由で内側辺４６の長さＬａと同じ長さ２．５ｍｍに設定
することにより、オリフラＷａ部におけるレジストカッ
トエッジ部に必要な露光量のＵＶ光を照射することがで
きる。なお、光照射手段４０の下端部マスク４５とウエ
ハＷ上面の被露光部分との間隔は、例えば０．５〜１．
０ｍｍ程度に設定される。したがって、マスク４５の開
口部４５Ａから出たＵＶ光は、この開口部４５Ａの形状
とほぼ同一の光照射パターンでウエハＷ面を照射する。The angle θ of the inclined side 47 (the angle formed between the line contacting the peripheral portion on the wafer center side and the inclined side 47) is such that the diameter (radius: R) of the wafer W and the length P of the orientation flat Wa are substantially constant. Depends on the wafer size. That is, the angle θ can be obtained based on the following equation (4) (see FIG. 5). That is, θ = sin ⁻¹ (P / 2) / R (degree) (4) According to the above equation (4), for a 6-inch wafer, θ ウ エ ハ 2
In the case of a 4 (degree) and 8-inch wafer, θ ≒ 18 (degree). As described above, by setting the angle θ of the inclined side 47 based on the above equation (4), it is possible to eliminate the exposure failure at the portion where the circumferential portion of the wafer W and the orientation flat portion contact each other, as shown in FIG. It is possible to improve the so-called “slope width”. Further, by setting the length Lb of the inclined side 47 to 2.5 mm, which is the same as the length La of the inner side 46 for the above-described reason, the UV of the exposure amount necessary for the resist cut edge portion in the orientation flat Wa portion is obtained. Light can be applied. The distance between the lower end mask 45 of the light irradiation means 40 and the exposed portion on the upper surface of the wafer W is, for example, 0.5 to 1.
It is set to about 0 mm. Therefore, the UV light emitted from the opening 45A of the mask 45 irradiates the surface of the wafer W with the same light irradiation pattern as the shape of the opening 45A.

【００３６】次に、上記のように構成される光照射手段
４０を用いて、ウエハＷの周辺部のレジストを露光する
場合の手順を、図８を参照して説明する。まず、メイン
アーム５によって、ウエハＷの中心と載置台２１の回転
中心とが一致するような状態で、載置台２１上に載置さ
れたウエハＷのオリフラＷａの位置をオリフラ検出手段
３０にて検出して、その検出信号を制御部５０に伝達
し、制御部５０からの制御信号により駆動モータ２３を
駆動すると共に、載置台２１を所定角度回転して、光照
射手段４０の直下位置にウエハＷの円周部と一方のオリ
フラ端部との接する露光始点箇所をセットする。この
際、光照射手段４０のマスク４５の内側辺４６がウエハ
Ｗのレジストカットエッジ部すなわちレジスト膜の内側
周縁部Ｗｂに接する状態にセットされる。Next, a procedure for exposing the resist in the peripheral portion of the wafer W using the light irradiation means 40 having the above-described configuration will be described with reference to FIG. First, the position of the orientation flat Wa of the wafer W placed on the mounting table 21 is determined by the orientation flat detecting means 30 by the main arm 5 in a state where the center of the wafer W and the rotation center of the mounting table 21 coincide with each other. The detection signal is transmitted to the control unit 50, and the drive motor 23 is driven by the control signal from the control unit 50, and the mounting table 21 is rotated by a predetermined angle so that the wafer is positioned immediately below the light irradiation unit 40. An exposure start point where the circumference of W and one end of the orientation flat comes into contact is set. At this time, the inner side 46 of the mask 45 of the light irradiation means 40 is set in a state of being in contact with the resist cut edge portion of the wafer W, that is, the inner peripheral portion Wb of the resist film.

【００３７】次に、載置台２１、光照射手段４０のどち
らか片方を、又は両方を移動させて所定の露光位置に設
定し、光照射手段４０の光源を点灯してＵＶ光をウエハ
Ｗ周辺部に照射すると共に、駆動モータ２３を駆動して
載置台２１及びウエハＷを反時計方向に回転してウエハ
Ｗの円周部の不要レジスト部分をハッチングで示すよう
に露光する（図８（ａ）参照）。Next, one or both of the mounting table 21 and the light irradiation means 40 are moved to set a predetermined exposure position, and the light source of the light irradiation means 40 is turned on to emit UV light around the wafer W. In addition, the driving motor 23 is driven to rotate the mounting table 21 and the wafer W in a counterclockwise direction to expose an unnecessary resist portion on the circumferential portion of the wafer W as shown by hatching (FIG. 8A )reference).

【００３８】このようにしてウエハＷの円周部の不要レ
ジストの露光が終了すると、ウエハＷの円周部と他方の
オリフラ端部の接する部分が、マスク４５の傾斜辺４７
と平行となる（図８（ｂ）参照）。この際、マスク４５
の傾斜辺４７がオリフラ部のレジストカットエッジ部に
接する。この状態で、ウエハＷを回転させながら、例え
ば載置台２１すなわちウエハＷを光照射手段４０方向に
移動させつつ、光照射手段４０とオリフラＷａ部とを相
対的に直線移動させながらＵＶ光を照射し、オリフラＷ
ａ部の不要レジストを露光して、ウエハＷの周辺部の不
要レジストの露光を完了する（図８（ｃ）参照）。When the exposure of the unnecessary resist on the circumferential portion of the wafer W is completed in this way, the portion where the circumferential portion of the wafer W and the other end of the orientation flat are in contact is the inclined side 47 of the mask 45.
(See FIG. 8B). At this time, the mask 45
Is in contact with the resist cut edge of the orientation flat. In this state, while rotating the wafer W, for example, moving the mounting table 21, that is, the wafer W in the direction of the light irradiation unit 40, and irradiating the UV light while relatively linearly moving the light irradiation unit 40 and the orientation flat Wa unit. And Ori-Fla W
By exposing the unnecessary resist in the portion a, the exposure of the unnecessary resist in the peripheral portion of the wafer W is completed (see FIG. 8C).

【００３９】上記のようにして、周辺部の一定幅に渡っ
てＵＶ光が露光されたウエハＷは、レジスト塗布装置１
３から現像装置８に搬送されて、現像されることによっ
て、不要レジストの除去が行われる。この結果、ウエハ
Ｗの円形部及びオリフラＷａ部の周辺部における内側周
縁部Ｗｂは、図９に示すように、シャープにカットさ
れ、レジスト残りを生ずることなく不要レジストが除去
される。また、オリフラＷａ部においても“だれ幅”が
生じることなく不要レジストをシャープにカットするこ
とができる。更に、ウエハＷにトレンチコートｈを掘る
ようにした場合においても、ウエハＷ周辺部にレジスト
残存部分がないので、このトレンチコートｈをエッチン
グする際に、ウエハＷ周辺部がエッチングされることも
ない（図１０参照）。As described above, the wafer W, which has been exposed to UV light over a certain width in the peripheral portion, is placed on the resist coating device 1
The unnecessary resist is removed by being transported from 3 to the developing device 8 and developed. As a result, as shown in FIG. 9, the inner peripheral edge portion Wb in the peripheral portion of the circular portion and the orientation flat Wa portion of the wafer W is sharply cut, and unnecessary resist is removed without remaining resist. In addition, unnecessary resist can be sharply cut without causing a "slope width" in the orientation flat Wa portion. Furthermore, even when the trench coat h is dug in the wafer W, there is no remaining resist in the peripheral portion of the wafer W. Therefore, when the trench coat h is etched, the peripheral portion of the wafer W is not etched. (See FIG. 10).

【００４０】なお、上記実施例では、マスク４５のパタ
ーンすなわち光照射形状が、ウエハＷの中心側の周縁部
Ｗｂに接する内側辺４６と、この内側辺４６の両端から
角度θで外向きに伸びる傾斜辺４７を具備する六角形状
の場合について説明したが、上記内側辺４６と傾斜辺４
７を具備するものであれば、図４に想像線で示すような
台形状であってもよい。また、傾斜辺４７は必ずしも２
つ設ける必要はなく、内側辺４６の一端部に設けてもよ
い。In the above embodiment, the pattern of the mask 45, that is, the light irradiation shape extends outward at an angle θ from the inner side 46 in contact with the peripheral edge Wb on the center side of the wafer W and both ends of the inner side 46. The hexagonal shape having the inclined side 47 has been described.
7 may have a trapezoidal shape as indicated by imaginary lines in FIG. The inclined side 47 is not necessarily 2
There is no need to provide one, and it may be provided at one end of the inner side 46.

【００４１】また、上記実施例では、載置台２１の回転
によりウエハＷを回転させてウエハＷの円形部の周辺部
に光照射手段４０からＵＶ光を照射させ、オリフラＷａ
部においては光照射手段４０を固定してウエハＷを回転
させながら、ウエハＷを光照射手段４０方向に移動させ
て光照射手段４０からＵＶ光を照射させているが、逆に
ウエハＷを固定して光照射手段４０をウエハＷの円形部
に移動させてオリフラＷａ部に光照射手段４０からＵＶ
光を照射するようにしてもよく、あるいは、ウエハＷと
光照射手段４０の双方を移動させてオリフラ部Ｗａ部に
光照射手段４０からＵＶ光を照射するようにしてもよ
い。In the above embodiment, the wafer W is rotated by the rotation of the mounting table 21 to irradiate the periphery of the circular portion of the wafer W with UV light from the light irradiating means 40, and the orientation flat Wa
In the section, the wafer W is moved in the direction of the light irradiating means 40 to irradiate the UV light from the light irradiating means 40 while the light irradiating means 40 is fixed and the wafer W is rotated. The light irradiating means 40 is moved to the circular portion of the wafer W, and the light
The light irradiation may be performed, or both the wafer W and the light irradiation unit 40 may be moved to irradiate the orientation flat Wa unit with the UV light from the light irradiation unit 40.

【００４２】更に、上記実施例では、オリフラ部を露光
するに際し、マスク４５の傾斜辺４７がオリフラ部のレ
ジストカットエッジ部に接するように配置した状態でＵ
Ｖ光を照射する例について説明したが、光照射駆動部４
０Ａに光照射手段のθ回転機構を更に設け、内側辺４７
が上記レジストカットエッジ部と平行状態になるように
駆動制御して、ＵＶ光を照射するようにしてもよい。Further, in the above embodiment, when exposing the orientation flat portion, the mask 45 is placed in a state where the inclined side 47 is arranged so as to be in contact with the resist cut edge portion of the orientation flat portion.
Although the example in which the V light is irradiated has been described, the light irradiation drive unit 4
0A is further provided with a θ rotation mechanism of the light irradiating means.
May be controlled so as to be in a state parallel to the above-described resist cut edge portion, and may be irradiated with UV light.

【００４３】なお、上記実施例では、この発明の露光装
置が半導体ウエハの塗布・現像処理システムに組み込ま
れる場合について説明したが、この発明の露光装置は単
独の装置としても使用できることは勿論である。また、
上記実施例では、被処理体が半導体ウエハの場合につい
て説明したが、この発明の露光装置は、周辺部に平坦状
切欠部を有する円形のものであれば半導体ウエハ以外の
処理においても同様に使用することができることは勿論
である。In the above embodiment, the case where the exposure apparatus of the present invention is incorporated in a coating / developing system for a semiconductor wafer has been described. However, the exposure apparatus of the present invention can be used as a single apparatus. . Also,
In the above embodiment, the case where the object to be processed is a semiconductor wafer has been described. However, the exposure apparatus of the present invention can be similarly used in processing other than a semiconductor wafer as long as the object has a circular shape having a flat notch in the periphery. Of course you can.

【００４４】[0044]

【発明の効果】以上に説明したように、この発明の露光
装置によれば、光照射手段の光照射形状が、被処理体の
周辺部に位置する内側辺と、この内側辺の端部から外向
きに所定角度で拡開する傾斜辺とを具備し、光照射形状
の傾斜辺の内側辺に接する線に対する角度（θ）を、被
処理体の半径（Ｒ）、切欠部の長さ（Ｐ）としたとき、
θ＝ｓｉｎ ^-1 （Ｐ／２）／Ｒに基いて設定することを特
徴とするので、短時間において被処理体の円形部及び平
坦状切欠部の周辺部を十分かつ均一に露光することがで
き、露光不良によるレジスト残り等を防止することがで
きる。また、被処理体の平坦状切欠部における露光不良
によるレジスト残りを防止すると共に、“だれ幅”を除
去して不要レジストをシャープに除去することができ
る。As described above, according to the exposure apparatus of the present invention, the light irradiation shape of the light irradiating means can be changed from the inner side located at the periphery of the object to be processed and the end of the inner side. Light illuminating shape with inclined sides that expand outward at a predetermined angle
The angle (θ) with respect to the line tangent to the inner side of the
When the radius (R) of the processing body and the length (P) of the notch are defined as
It should be set based on θ = sin ^-1 (P / 2) / R.
Since the symptom, the peripheral portion of the circular portion and the flat cutout portion of the specimen can be sufficiently and uniformly exposed in a short time, it is possible to prevent the resist remaining due exposure failure. In addition, it is possible to prevent the resist remaining due to poor exposure at the flat notch portion of the object to be processed, and to remove the “droop width” to sharply remove unnecessary resist.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】この発明の露光装置を組み込んだ半導体ウエハ
の塗布・現像システムを示す概略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing a semiconductor wafer coating / developing system incorporating an exposure apparatus of the present invention.

【図２】この発明の露光装置の概略斜視図である。FIG. 2 is a schematic perspective view of the exposure apparatus of the present invention.

【図３】この発明における光照射手段の概略断面図であ
る。FIG. 3 is a schematic sectional view of a light irradiation unit in the present invention.

【図４】光照射手段の光照射形状を示す概略平面図であ
る。FIG. 4 is a schematic plan view showing a light irradiation shape of a light irradiation unit.

【図５】光照射形状における傾斜辺の角度を求めるため
の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram for obtaining an angle of an inclined side in a light irradiation shape.

【図６】光照射形状の別の形態を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing another form of the light irradiation shape.

【図７】露光量と照射長さとの関係を示すグラフであ
る。FIG. 7 is a graph showing a relationship between an exposure amount and an irradiation length.

【図８】この発明の露光装置の露光手順を示す概略平面
図である。FIG. 8 is a schematic plan view showing an exposure procedure of the exposure apparatus of the present invention.

【図９】露光により不要レジストが除去された状態の拡
大断面図である。FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view showing a state where unnecessary resist has been removed by exposure.

【図１０】露光により不要レジストが除去された状態の
別の拡大断面図である。FIG. 10 is another enlarged cross-sectional view showing a state where unnecessary resist has been removed by exposure.

【図１１】ＵＶ強度とＵＶ照度分布中心からの距離との
関係を示すグラフである。FIG. 11 is a graph showing the relationship between the UV intensity and the distance from the center of the UV illuminance distribution.

【図１２】従来の露光状態を示す概略平面図である。FIG. 12 is a schematic plan view showing a conventional exposure state.

【図１３】従来の露光による不要レジストの除去状態を
示す拡大断面図である。FIG. 13 is an enlarged sectional view showing a state where unnecessary resist is removed by conventional exposure.

【図１４】従来の露光による不要レジストの別の除去状
態を示す拡大断面図である。FIG. 14 is an enlarged sectional view showing another state of removing unnecessary resist by conventional exposure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２１ 載置台 ３０ オリフラ検出手段 ４０ 光照射手段 ４５ マスク（光照射形状） ４６ 内側辺 ４７ 傾斜辺 ４８ 円弧面 ５０ 制御部 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） Ｗａ オリフラ Ｗｂ 内側周縁部 Ｌａ 内側辺４６の長さ Ｌｂ 傾斜辺４７の長さ Reference Signs List 21 mounting table 30 orientation flat detection means 40 light irradiation means 45 mask (light irradiation shape) 46 inner side 47 inclined side 48 arc surface 50 control unit W semiconductor wafer (object to be processed) Wa orientation flat Wb inner peripheral edge La length of inner side 46 Length Lb Length of inclined side 47

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int. Cl. ⁷ , DB name) H01L 21/027 G03F 7/20

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 被処理体と、光照射手段とを、相対的に
移動させて、上記被処理体の周辺部を所定の幅に渡って
露光する露光装置において、 上記光照射手段の光照射形状が、上記被処理体の周辺部
に位置する内側辺と、この内側辺の端部から外向きに所
定角度で拡開する傾斜辺とを具備し、 上記光照射形状の傾斜辺の内側辺に接する線に対する角
度（θ）を、上記被処理体の半径（Ｒ）、切欠部の長さ
（Ｐ）としたとき、 θ＝ｓｉｎ ^-1 （Ｐ／２）／Ｒ に基いて設定することを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus for relatively exposing an object to be processed and a light irradiating means to expose a peripheral portion of the object to be processed over a predetermined width, wherein the light irradiating means emits light. shape, and an inner side located on the periphery of the object to be processed, comprising an inclined edges diverging at a predetermined angle outwardly from the end portion of the inner edge, the inner edge of the inclined side of the light illumination profile Corner to line tangent to
Degree (θ) is the radius (R) of the object to be processed, the length of the notch
An exposure apparatus characterized in that, when (P) is set, θ is set based on θ = sin ⁻¹ (P / 2) / R. 【請求項２】 被処理体と、紫外線光照射手段とを、相
対的に移動させて、上記被処理体の表面に塗布されたレ
ジストの周辺部を所定の幅に渡って露光する露光装置に
おいて、 上記光照射手段の光照射形状が、上記被処理体の周辺部
に位置する内側辺と、この内側辺の端部から外向きに所
定角度で拡開する傾斜辺とを具備し、 上記内側辺の長さを、１．５〜３．５ｍｍとし、 上記光照射形状の傾斜辺の内側辺に接する線に対する角
度（θ）を、上記被処理体の半径（Ｒ）、切欠部の長さ
（Ｐ）としたとき、 θ＝ｓｉｎ ^-1 （Ｐ／２）／Ｒ に基いて設定することを特徴とする露光装置。 2. An exposure apparatus for relatively moving a workpiece and an ultraviolet light irradiating means to expose a peripheral portion of a resist applied on the surface of the workpiece over a predetermined width. The light irradiation shape of the light irradiation means includes an inner side located at a peripheral portion of the object to be processed, and an inclined side that expands outward at a predetermined angle outward from an end of the inner side, The length of the side is 1.5 to 3.5 mm, and the angle with respect to a line that is in contact with the inner side of the inclined side of the light irradiation shape.
Degree (θ) is the radius (R) of the object to be processed, the length of the notch
An exposure apparatus characterized in that, when (P) is set, θ is set based on θ = sin ⁻¹ (P / 2) / R. 【請求項３】 請求項１又は２記載の露光装置におい
て、 内側辺が、被処理体の中心を中心とする円の円周に近似
する曲率を有することを特徴とする露光装置。3. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the inner side has a curvature approximating the circumference of a circle centered on the center of the object to be processed.