JPH05299494A - 静電吸着装置 - Google Patents
静電吸着装置Info
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- JPH05299494A JPH05299494A JP10316192A JP10316192A JPH05299494A JP H05299494 A JPH05299494 A JP H05299494A JP 10316192 A JP10316192 A JP 10316192A JP 10316192 A JP10316192 A JP 10316192A JP H05299494 A JPH05299494 A JP H05299494A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、静電吸着装置に関し、ウェーハと
高周波印加電極間の静電容量を大きくしてプラズマのセ
ルフバイアス電位を高めることができ、イオンのウェー
ハへの入射効率を高めてウェーハの処理効率を向上させ
ることができる静電吸着装置を提供することを目的とす
る。 【構成】 高周波印加電極１上に第１の絶縁膜４が形成
され、該第１の絶縁膜４上に静電吸着電極５が形成さ
れ、該静電吸着電極５上に第２の絶縁膜７が形成され、
該第２の絶縁膜７上にウェーハ８が静電吸着されてなる
静電吸着装置において、該高周波印加電極１と該静電吸
着電極５間の該第１の絶縁膜４の膜厚を0.1ｍｍ以上１
ｍｍ以下にするか、あるいは該第１の絶縁膜４の比誘電
率を３以上にするか、あるいは該第１の絶縁膜４の面積
を該ウェーハ８面積の80％以上にするか、若しくは、該
第１の絶縁膜４の比抵抗を1012Ωｃｍ以下にするように
構成する。
高周波印加電極間の静電容量を大きくしてプラズマのセ
ルフバイアス電位を高めることができ、イオンのウェー
ハへの入射効率を高めてウェーハの処理効率を向上させ
ることができる静電吸着装置を提供することを目的とす
る。 【構成】 高周波印加電極１上に第１の絶縁膜４が形成
され、該第１の絶縁膜４上に静電吸着電極５が形成さ
れ、該静電吸着電極５上に第２の絶縁膜７が形成され、
該第２の絶縁膜７上にウェーハ８が静電吸着されてなる
静電吸着装置において、該高周波印加電極１と該静電吸
着電極５間の該第１の絶縁膜４の膜厚を0.1ｍｍ以上１
ｍｍ以下にするか、あるいは該第１の絶縁膜４の比誘電
率を３以上にするか、あるいは該第１の絶縁膜４の面積
を該ウェーハ８面積の80％以上にするか、若しくは、該
第１の絶縁膜４の比抵抗を1012Ωｃｍ以下にするように
構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、静電吸着装置に係り、
プラズマＣＶＤ、プラズマエッチング等の処理部に用い
られる静電吸着装置に適用することができ、特に、ウェ
ーハと高周波印加電極間の静電容量を大きくしてイオン
のウェーハへの入射効率を高めることができる静電吸着
装置に関する。
プラズマＣＶＤ、プラズマエッチング等の処理部に用い
られる静電吸着装置に適用することができ、特に、ウェ
ーハと高周波印加電極間の静電容量を大きくしてイオン
のウェーハへの入射効率を高めることができる静電吸着
装置に関する。
【０００２】近年、半導体製造工程等で、絶縁膜や導電
膜等の各膜の加工工程で用いられるプラズマＣＶＤ、プ
ラズマエッチング、スパッタエッチング、反応性スパッ
タエッチング、ＥＣＲ、ＣＶＤ、ＥＣＲ エッチング等
の処理における処理部に静電吸着装置を用いることは、
プロセスの重要な制御要因である温度制御のために重要
な技術となってきつつある。
膜等の各膜の加工工程で用いられるプラズマＣＶＤ、プ
ラズマエッチング、スパッタエッチング、反応性スパッ
タエッチング、ＥＣＲ、ＣＶＤ、ＥＣＲ エッチング等
の処理における処理部に静電吸着装置を用いることは、
プロセスの重要な制御要因である温度制御のために重要
な技術となってきつつある。
【０００３】
【従来の技術】従来の半導体製造に用いられる静電吸着
装置においては、カプリングコンデンサーを介してＲＦ
電源が接続されたＲＦ電極上に絶縁膜が形成され、この
絶縁膜上にＲＦフィルターが接続された静電吸着電極が
形成され、この静電吸着電極上に絶縁膜が形成され、こ
の絶縁膜上にウェーハが静電吸着されてなるものが知ら
れている。この静電吸着装置はウェーハの平面度を矯正
するとともに、真空中での熱伝達を行う方法として用い
られていた。このため、静電吸着電極とウェーハ間の絶
縁膜について、絶縁耐圧がもつかぎり薄くする等して吸
着力を大きくする工夫がなされてきた。
装置においては、カプリングコンデンサーを介してＲＦ
電源が接続されたＲＦ電極上に絶縁膜が形成され、この
絶縁膜上にＲＦフィルターが接続された静電吸着電極が
形成され、この静電吸着電極上に絶縁膜が形成され、こ
の絶縁膜上にウェーハが静電吸着されてなるものが知ら
れている。この静電吸着装置はウェーハの平面度を矯正
するとともに、真空中での熱伝達を行う方法として用い
られていた。このため、静電吸着電極とウェーハ間の絶
縁膜について、絶縁耐圧がもつかぎり薄くする等して吸
着力を大きくする工夫がなされてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の静電吸着装置では、静電吸着電極上に形成された絶縁
膜表面にウェーハを静電吸着するのを、ウェーハと静電
吸着電極間の絶縁膜を薄くする等規定して行っていたた
め、十分な静電吸着力でウェーハを絶縁膜表面に静電吸
着することができるという利点を有する。このため、静
電吸着電極と高周波印加電極との間の絶縁膜については
考慮されていず、この絶縁膜の静電容量は考慮されてい
なかった。このため、静電吸着電極と高周波印加電極と
の間の絶縁膜の厚さを機械的強度が十分となるように厚
く（３ｍｍ以上）すると、プラズマのセルフバイアス電
圧の低下を招き、反応性スパッタエッチング処理等では
処理の異方性の低下、処理速度の低下という問題が発生
した。
の静電吸着装置では、静電吸着電極上に形成された絶縁
膜表面にウェーハを静電吸着するのを、ウェーハと静電
吸着電極間の絶縁膜を薄くする等規定して行っていたた
め、十分な静電吸着力でウェーハを絶縁膜表面に静電吸
着することができるという利点を有する。このため、静
電吸着電極と高周波印加電極との間の絶縁膜については
考慮されていず、この絶縁膜の静電容量は考慮されてい
なかった。このため、静電吸着電極と高周波印加電極と
の間の絶縁膜の厚さを機械的強度が十分となるように厚
く（３ｍｍ以上）すると、プラズマのセルフバイアス電
圧の低下を招き、反応性スパッタエッチング処理等では
処理の異方性の低下、処理速度の低下という問題が発生
した。
【０００５】そこで、本発明は、ウェーハと高周波印加
電極間の静電容量を大きくしてプラズマのセルフバイア
ス電位を高めることができ、イオンのウェーハへの入射
効率を高めてウェーハの処理効率を向上させることがで
きる静電吸着装置を提供することを目的としている。
電極間の静電容量を大きくしてプラズマのセルフバイア
ス電位を高めることができ、イオンのウェーハへの入射
効率を高めてウェーハの処理効率を向上させることがで
きる静電吸着装置を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による静電吸着装
置は上記目的達成のため、高周波印加電極上に第１の絶
縁膜が形成され、該第１の絶縁膜上に静電吸着電極が形
成され、該静電吸着電極上に第２の絶縁膜が形成され、
該第２の絶縁膜上にウェーハが静電吸着されてなる静電
吸着装置において、該高周波印加電極と該静電吸着電極
間の該第１の絶縁膜の膜厚を0.1 ｍｍ以上１ｍｍ以下に
するか、あるいは該第１の絶縁膜の比誘電率を３以上に
するか、あるいは該第１の絶縁膜の面積を該ウェーハ面
積の80％以上にするか、若しくは該第１の絶縁膜の比抵
抗を1012Ωｃｍ以下にするものである。
置は上記目的達成のため、高周波印加電極上に第１の絶
縁膜が形成され、該第１の絶縁膜上に静電吸着電極が形
成され、該静電吸着電極上に第２の絶縁膜が形成され、
該第２の絶縁膜上にウェーハが静電吸着されてなる静電
吸着装置において、該高周波印加電極と該静電吸着電極
間の該第１の絶縁膜の膜厚を0.1 ｍｍ以上１ｍｍ以下に
するか、あるいは該第１の絶縁膜の比誘電率を３以上に
するか、あるいは該第１の絶縁膜の面積を該ウェーハ面
積の80％以上にするか、若しくは該第１の絶縁膜の比抵
抗を1012Ωｃｍ以下にするものである。
【０００７】本発明においては、前記ウェーハと前記静
電吸着電極間の前記第２の絶縁膜の膜厚を0.1 ｍｍ以上
１ｍｍ以下にするか、あるいは該第２の絶縁膜の比誘電
率を３以上にするか、あるいは該第２の絶縁膜の面積を
該ウェーハ面積の80％以上にするか、若しくは該第２の
絶縁膜の比抵抗を1012Ωｃｍ以下にする場合であっても
よく、この場合、本発明の効果を効率良く得ることがで
きる他、静電チェックの吸着力も十分得ることができ
る。
電吸着電極間の前記第２の絶縁膜の膜厚を0.1 ｍｍ以上
１ｍｍ以下にするか、あるいは該第２の絶縁膜の比誘電
率を３以上にするか、あるいは該第２の絶縁膜の面積を
該ウェーハ面積の80％以上にするか、若しくは該第２の
絶縁膜の比抵抗を1012Ωｃｍ以下にする場合であっても
よく、この場合、本発明の効果を効率良く得ることがで
きる他、静電チェックの吸着力も十分得ることができ
る。
【０００８】本発明においては、２極式静電吸着装置に
好ましく適用させることができる。本発明による静電吸
着装置は上記目的達成のため、静電吸着電極を兼ねた高
周波印加電極上に絶縁膜が形成され、該絶縁膜上にウェ
ーハが静電吸着されてなる静電吸着装置において、該静
電吸着電極を兼ねた高周波印加電極と該ウェーハ間の該
絶縁膜の膜厚を0.1 ｍｍ以上１ｍｍ以下にするか、ある
いは該絶縁膜の比誘電率を３以上にするか、あるいは該
絶縁膜の面積を該ウェーハ面積の80％以上にするか、若
しくは該絶縁膜の比抵抗を1012Ωｃｍ以下にするもので
ある。
好ましく適用させることができる。本発明による静電吸
着装置は上記目的達成のため、静電吸着電極を兼ねた高
周波印加電極上に絶縁膜が形成され、該絶縁膜上にウェ
ーハが静電吸着されてなる静電吸着装置において、該静
電吸着電極を兼ねた高周波印加電極と該ウェーハ間の該
絶縁膜の膜厚を0.1 ｍｍ以上１ｍｍ以下にするか、ある
いは該絶縁膜の比誘電率を３以上にするか、あるいは該
絶縁膜の面積を該ウェーハ面積の80％以上にするか、若
しくは該絶縁膜の比抵抗を1012Ωｃｍ以下にするもので
ある。
【０００９】本発明において、膜厚の下限を0.1 ｍｍと
したのは、0.1 ｍｍより小さくすると、絶縁性能が著し
く劣ってしまい実用上好ましくないからであり、膜厚の
上限を１ｍｍとしたのは、１ｍｍより大きくすると、ウ
ェーハとＲＦ電極間の静電容量が小さくなって実用上好
ましくないからである。また、比誘電率の上限を３とし
たのは、３より小さくすると、ウェーハとＲＦ電極間の
静電容量が小さくなって実用上好ましくないからであ
り、また面積をウェーハ面積の80％以上にしたのは、80
％より小さくすると、ウェーハとＲＦ電極間の静電容量
が小さくなって実用上好ましくないからである。なお、
面積はウェーハ面積の100 ％以下が好ましく、この場
合、絶縁膜が（スパッタ等）処理されることなくウェー
ハのみを処理することができる。比抵抗の上限を1012Ω
ｃｍとしたのは、1012Ωｃｍより大きくすると、ウェー
ハとＲＦ電極間の結合容量が小さくなって実用上好まし
くないからである。
したのは、0.1 ｍｍより小さくすると、絶縁性能が著し
く劣ってしまい実用上好ましくないからであり、膜厚の
上限を１ｍｍとしたのは、１ｍｍより大きくすると、ウ
ェーハとＲＦ電極間の静電容量が小さくなって実用上好
ましくないからである。また、比誘電率の上限を３とし
たのは、３より小さくすると、ウェーハとＲＦ電極間の
静電容量が小さくなって実用上好ましくないからであ
り、また面積をウェーハ面積の80％以上にしたのは、80
％より小さくすると、ウェーハとＲＦ電極間の静電容量
が小さくなって実用上好ましくないからである。なお、
面積はウェーハ面積の100 ％以下が好ましく、この場
合、絶縁膜が（スパッタ等）処理されることなくウェー
ハのみを処理することができる。比抵抗の上限を1012Ω
ｃｍとしたのは、1012Ωｃｍより大きくすると、ウェー
ハとＲＦ電極間の結合容量が小さくなって実用上好まし
くないからである。
【００１０】
【作用】図１は本発明の原理説明図のための静電吸着装
置の構成を示す断面図である。図１において、１はカプ
リングコンデンサー２を介してＲＦ電源３と接続された
ＲＦ電極であり、４はこのＲＦ電極１上に形成された絶
縁膜であり、５はこの絶縁膜４上に形成されたＲＦフィ
ルター６と接続された一極式の静電吸着電極であり、７
はこの静電吸着電極５上に形成された絶縁膜であり、８
はこの絶縁膜７上に静電吸着されるウェーハである。
置の構成を示す断面図である。図１において、１はカプ
リングコンデンサー２を介してＲＦ電源３と接続された
ＲＦ電極であり、４はこのＲＦ電極１上に形成された絶
縁膜であり、５はこの絶縁膜４上に形成されたＲＦフィ
ルター６と接続された一極式の静電吸着電極であり、７
はこの静電吸着電極５上に形成された絶縁膜であり、８
はこの絶縁膜７上に静電吸着されるウェーハである。
【００１１】図１に示す式から判るように、静電チェ
ックの吸着力Ｆは静電吸着電極５とウェーハ８間の絶縁
膜７の厚さ（距離ｄａ）を適宜小さくすることにより大
きくすることができる。また、式から判るように、
ウェーハ８のＲＦ結合容量Ｃはウェーハ８とＲＦ電極１
間の静電容量Ｃｗを大きくすることにより大きくするこ
とができ、この静電容量ＣｗはＲＦ電極１と静電吸着電
極５間の絶縁膜４の厚さ（距離ｄｂ）を薄くするか、あ
るいは比誘電率εを高くするか、若しくは面積Ｓを広く
とることにより大きくすることができる。
ックの吸着力Ｆは静電吸着電極５とウェーハ８間の絶縁
膜７の厚さ（距離ｄａ）を適宜小さくすることにより大
きくすることができる。また、式から判るように、
ウェーハ８のＲＦ結合容量Ｃはウェーハ８とＲＦ電極１
間の静電容量Ｃｗを大きくすることにより大きくするこ
とができ、この静電容量ＣｗはＲＦ電極１と静電吸着電
極５間の絶縁膜４の厚さ（距離ｄｂ）を薄くするか、あ
るいは比誘電率εを高くするか、若しくは面積Ｓを広く
とることにより大きくすることができる。
【００１２】そこで、本発明では、静電吸着装置の静電
吸着電極５とＲＦ電極１の間の絶縁膜４の膜厚（0.1 ｍ
ｍ以上１ｍｍ以下）を薄くするか、あるいは絶縁膜４の
比誘電率（３以上）を高くするか、あるいは絶縁膜４の
面積（ウェーハ８面積の80％以上）を広くとるか、若し
くは絶縁膜４の比抵抗（1012Ωｃｍ以下）を低くするよ
うに構成したため、ウェーハ８とＲＦ電極１間の静電容
量Ｃｗを大きくすることができる。このため、プラズマ
のセルフバイアス電位を高めることができ、イオンのウ
ェーハ８への入射効率を高めてウェーハ８の処理効率を
向上させることができる。これについては図面を用いて
具体的に説明する。なお、ここでは絶縁膜４と絶縁膜７
のトータル膜厚（ＲＦ電極１とウェーハ８間の距離ｄａ
＋ｄｂ）を振っている場合を示しているが、式から判
るように少なくとも絶縁膜４の膜厚（距離ｄａ）を小さ
くすれば本発明の効果を得ることができる。
吸着電極５とＲＦ電極１の間の絶縁膜４の膜厚（0.1 ｍ
ｍ以上１ｍｍ以下）を薄くするか、あるいは絶縁膜４の
比誘電率（３以上）を高くするか、あるいは絶縁膜４の
面積（ウェーハ８面積の80％以上）を広くとるか、若し
くは絶縁膜４の比抵抗（1012Ωｃｍ以下）を低くするよ
うに構成したため、ウェーハ８とＲＦ電極１間の静電容
量Ｃｗを大きくすることができる。このため、プラズマ
のセルフバイアス電位を高めることができ、イオンのウ
ェーハ８への入射効率を高めてウェーハ８の処理効率を
向上させることができる。これについては図面を用いて
具体的に説明する。なお、ここでは絶縁膜４と絶縁膜７
のトータル膜厚（ＲＦ電極１とウェーハ８間の距離ｄａ
＋ｄｂ）を振っている場合を示しているが、式から判
るように少なくとも絶縁膜４の膜厚（距離ｄａ）を小さ
くすれば本発明の効果を得ることができる。
【００１３】本発明では、図２に示す様に、ウェーハ８
とＲＦ電極１間の絶縁膜４、７の厚さを薄くすると、Ｒ
Ｆ電極１とウェーハ８間の静電容量Ｃｗを増加させるこ
とができるのが判る。これに伴い、ＲＦのカプリングコ
ンデンサーとの合成容量Ｃも図３に示すように増加させ
ることができる。そして、これに伴い、図４に示すよう
に、ウェーハのＲＦバイアス電位も高くすることがで
き、イオンのウェーハへの入射効率を高くすることがで
きる。更に、図５に示すように、エッチングレートを大
きくすることができる。なお、図５はＳｉＯ2 の反応性
スパッタエッチングにおけるエッチングレートを示す図
である。
とＲＦ電極１間の絶縁膜４、７の厚さを薄くすると、Ｒ
Ｆ電極１とウェーハ８間の静電容量Ｃｗを増加させるこ
とができるのが判る。これに伴い、ＲＦのカプリングコ
ンデンサーとの合成容量Ｃも図３に示すように増加させ
ることができる。そして、これに伴い、図４に示すよう
に、ウェーハのＲＦバイアス電位も高くすることがで
き、イオンのウェーハへの入射効率を高くすることがで
きる。更に、図５に示すように、エッチングレートを大
きくすることができる。なお、図５はＳｉＯ2 の反応性
スパッタエッチングにおけるエッチングレートを示す図
である。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。 （実施例１）図６は、本発明の実施例１に則した静電吸
着装置の構造を示す断面図であり、ここでは一極式の静
電吸着装置を示している。図６において、図１と同一符
号は同一または担当部分を示す。本実施例では、静電吸
着装置の静電吸着電極５とＲＦ電極１間の絶縁膜４の膜
厚と、静電吸着電極５とウェーハ８間の絶縁膜７の膜厚
を各々0.3ｍｍにして構成する。このため、前述の如く
静電チェックの吸着力を十分とった状態でウェーハ８と
ＲＦ電極１間の静電容量を大きくすることができ、プラ
ズマのセルフバイアス電位を高めることができる。従っ
て、イオンのウェーハ８への入射効率を高めてウェーハ
８の処理効率を向上させることができる。
着装置の構造を示す断面図であり、ここでは一極式の静
電吸着装置を示している。図６において、図１と同一符
号は同一または担当部分を示す。本実施例では、静電吸
着装置の静電吸着電極５とＲＦ電極１間の絶縁膜４の膜
厚と、静電吸着電極５とウェーハ８間の絶縁膜７の膜厚
を各々0.3ｍｍにして構成する。このため、前述の如く
静電チェックの吸着力を十分とった状態でウェーハ８と
ＲＦ電極１間の静電容量を大きくすることができ、プラ
ズマのセルフバイアス電位を高めることができる。従っ
て、イオンのウェーハ８への入射効率を高めてウェーハ
８の処理効率を向上させることができる。
【００１５】なお、実施例１では、絶縁膜４、７の膜厚
を小さくしてＲＦ電極１とウェーハ８間の静電容量を大
きくする場合について説明したが、本発明においては、
絶縁膜４、７の比誘電率（３以上）を大きくする場合
や、絶縁膜４、７面積を（ウェーハ８面積に対して80％
以上）を広くする場合、あるいは絶縁膜４、７の比抵抗
（1012Ωｃｍ以下）を小さくする場合であってもよい。 （実施例２）図７は本発明の実施例２に則した静電吸着
装置の構造を示す断面図であり、ここでは２極式の静電
吸着装置を示している。図７において、図１、６と同一
符号は同一または相当部分を示す。本実施例は２極式の
静電吸着電極５を用いて構成した場合であり、実施例１
と同様に静電吸着電極５とＲＦ電極１間の絶縁膜４の膜
厚と、静電吸着電極５とウェーハ８間の絶縁膜７の膜厚
とを各々0.3ｍｍにして構成する。このため、前述の如
く静電チェックの吸着力を十分とった状態でウェーハ８
をＲＦ電極１間の静電容量を大きくすることができ、プ
ラズマのセルフバイアス電位を高めることができる。従
って、イオンのウェーハ８への入射効率を高めてウェー
ハ８の処理効率を向上させることができる。
を小さくしてＲＦ電極１とウェーハ８間の静電容量を大
きくする場合について説明したが、本発明においては、
絶縁膜４、７の比誘電率（３以上）を大きくする場合
や、絶縁膜４、７面積を（ウェーハ８面積に対して80％
以上）を広くする場合、あるいは絶縁膜４、７の比抵抗
（1012Ωｃｍ以下）を小さくする場合であってもよい。 （実施例２）図７は本発明の実施例２に則した静電吸着
装置の構造を示す断面図であり、ここでは２極式の静電
吸着装置を示している。図７において、図１、６と同一
符号は同一または相当部分を示す。本実施例は２極式の
静電吸着電極５を用いて構成した場合であり、実施例１
と同様に静電吸着電極５とＲＦ電極１間の絶縁膜４の膜
厚と、静電吸着電極５とウェーハ８間の絶縁膜７の膜厚
とを各々0.3ｍｍにして構成する。このため、前述の如
く静電チェックの吸着力を十分とった状態でウェーハ８
をＲＦ電極１間の静電容量を大きくすることができ、プ
ラズマのセルフバイアス電位を高めることができる。従
って、イオンのウェーハ８への入射効率を高めてウェー
ハ８の処理効率を向上させることができる。
【００１６】なお、実施例２では、絶縁膜４、７の膜厚
を小さくしてＲＦ電極１とウェーハ８間の静電容量を大
きくする場合について説明したが、本発明においては、
絶縁膜４、７の比誘電率（３以上）を大きくする場合
や、絶縁膜４、７面積（ウェーハ８面積に対して80％以
上）を広くする場合、あるいは絶縁膜４、７の比抵抗を
（1012Ωｃｍ以下）を小さくする場合であってもよい。 （実施例３）図８は、本発明の実施例３に則した静電吸
着装置の構造を示す断面図であり、ここでは一極式の静
電吸着装置を示している。図８において、図１、６、７
と同一符号は同一または相当部分を示し、11は静電吸着
電極を兼ねた高周波印加電極であり、12はこの静電吸着
電極を兼ねた高周波印加電極11に形成された絶縁膜であ
る。
を小さくしてＲＦ電極１とウェーハ８間の静電容量を大
きくする場合について説明したが、本発明においては、
絶縁膜４、７の比誘電率（３以上）を大きくする場合
や、絶縁膜４、７面積（ウェーハ８面積に対して80％以
上）を広くする場合、あるいは絶縁膜４、７の比抵抗を
（1012Ωｃｍ以下）を小さくする場合であってもよい。 （実施例３）図８は、本発明の実施例３に則した静電吸
着装置の構造を示す断面図であり、ここでは一極式の静
電吸着装置を示している。図８において、図１、６、７
と同一符号は同一または相当部分を示し、11は静電吸着
電極を兼ねた高周波印加電極であり、12はこの静電吸着
電極を兼ねた高周波印加電極11に形成された絶縁膜であ
る。
【００１７】本実施例では、静電吸着装置の静電吸着電
極を兼ねた高周波印加電極11とウェーハ８間の絶縁膜12
の膜厚を0.3ｍｍにして構成する。このため、この静電
チェックの吸着力を十分とった状態でウェーハ８と静電
吸着電極を兼ねた高周波印加電極11間の静電容量を大き
くすることができ、プラズマのセルフバイアス２電位を
高めることができる。従って、イオンのウェーハ８への
入射効率を高めてウェーハ８の処理効率を向上させるこ
とができる。
極を兼ねた高周波印加電極11とウェーハ８間の絶縁膜12
の膜厚を0.3ｍｍにして構成する。このため、この静電
チェックの吸着力を十分とった状態でウェーハ８と静電
吸着電極を兼ねた高周波印加電極11間の静電容量を大き
くすることができ、プラズマのセルフバイアス２電位を
高めることができる。従って、イオンのウェーハ８への
入射効率を高めてウェーハ８の処理効率を向上させるこ
とができる。
【００１８】なお、実施例３では、絶縁膜12の膜厚を小
さくして静電吸着電極を兼ねた高周波印加電極11とウェ
ーハ８間の静電容量を大きくする場合について説明した
が、本発明においては、絶縁膜12の比誘電率（３以上）
を大きくする場合や、絶縁膜12の面積（ウェーハ８面積
に対して80％以上）を広くする場合、あるいは絶縁膜12
の比抵抗（1012Ωｃｍ以下）を小さくする場合であって
もよい。
さくして静電吸着電極を兼ねた高周波印加電極11とウェ
ーハ８間の静電容量を大きくする場合について説明した
が、本発明においては、絶縁膜12の比誘電率（３以上）
を大きくする場合や、絶縁膜12の面積（ウェーハ８面積
に対して80％以上）を広くする場合、あるいは絶縁膜12
の比抵抗（1012Ωｃｍ以下）を小さくする場合であって
もよい。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、ウェーハと高周波印加
電極間の静電容量を大きくしてプラズマのセルフバイア
ス電位を高めることができ、イオンのウェーハへの入射
効率を高めてウェーハの処理効率を向上させることがで
きるという効果がある。
電極間の静電容量を大きくしてプラズマのセルフバイア
ス電位を高めることができ、イオンのウェーハへの入射
効率を高めてウェーハの処理効率を向上させることがで
きるという効果がある。
【図１】本発明の原理説明のための静電吸着装置の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明の原理説明のためのＲＦ電極とウェーハ
間距離を振った時のウェーハとＲＦ電極間の静電容量を
示す図である。
間距離を振った時のウェーハとＲＦ電極間の静電容量を
示す図である。
【図３】本発明の原理説明のためのＲＦ電極とウェーハ
間距離を振った時のウェーハのＲＦ結合容量を示す図で
ある。
間距離を振った時のウェーハのＲＦ結合容量を示す図で
ある。
【図４】本発明の原理説明のためのＲＦ電極とウェーハ
間距離を振った時のＲＦバイアス電位を示す図である。
間距離を振った時のＲＦバイアス電位を示す図である。
【図５】本発明の原理説明のためのＲＦ電極とウェーハ
間距離を振った時のＳｉＯ2 エッチングレートを示す図
である。
間距離を振った時のＳｉＯ2 エッチングレートを示す図
である。
【図６】本発明の実施例１に則した静電吸着装置の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図７】本発明の実施例２に則した静電吸着装置の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図８】本発明の実施例３に則した静電吸着装置の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１ ＲＦ電極 ２ カプリングコンデンサー ３ ＲＦ電源 ４ 絶縁膜 ５、５ａ、５ｂ 静電吸着電極 ６ ＲＦフィルター ７ 絶縁膜 ８ ウェーハ 11 静電吸着電極を兼ねた高周波印加電極 12 絶縁膜
Claims (4)
- 【請求項１】 高周波印加電極（１）上に第１の絶縁膜
（４）が形成され、該第１の絶縁膜（４）上に静電吸着
電極（５）が形成され、該静電吸着電極（５）上に第２
の絶縁膜（７）が形成され、該第２の絶縁膜（７）上に
ウェーハ（８）が静電吸着されてなる静電吸着装置にお
いて、 該高周波印加電極（１）と該静電吸着電極（５）間の該
第１の絶縁膜（４）の膜厚を0.1 ｍｍ以上１ｍｍ以下に
するか、あるいは該第１の絶縁膜（４）の比誘電率を３
以上にするか、あるいは該第１の絶縁膜（４）の面積を
該ウェーハ（８）面積の80％以上にするか、若しくは該
第１の絶縁膜（４）の比抵抗を1012Ωｃｍ以下にするこ
とを特徴とする静電吸着装置 - 【請求項２】 前記ウェーハ（８）と前記静電吸着電極
（５）間の前記第２の絶縁膜（７）の膜厚を0.1 ｍｍ以
上１ｍｍ以下にするか、あるいは該第２の絶縁膜（７）
の比誘電率を３以上にするか、あるいは該第２の絶縁膜
（７）の面積を該ウェーハ（８）面積の80％以上にする
か、若しくは該第２の絶縁膜の比抵抗を1012Ωｃｍ以下
にすることを特徴とする請求項１記載の静電吸着装置。 - 【請求項３】 前記装置は２極式静電吸着装置であるこ
とを特徴とする請求項１乃至４記載の静電吸着装置。 - 【請求項４】 静電吸着電極を兼ねた高周波印加電極
（11）上に絶縁膜（12）が形成され、該絶縁膜（12）上
にウェーハ（８）が静電吸着されてなる静電吸着装置に
おいて、 該静電吸着電極を兼ねた高周波印加電極（11）と該ウェ
ーハ（８）間の該絶縁膜（12）の膜厚を0.1 ｍｍ以上１
ｍｍ以下にするか、あるいは該絶縁膜（12) の比誘電率
を３以上にするか、あるいは該絶縁膜（12）の面積を該
ウェーハ（８）面積の80％以上にするか、若しくは該絶
縁膜（12）の比抵抗を1012Ωｃｍ以下にすることを特徴
とする静電吸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10316192A JPH05299494A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 静電吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10316192A JPH05299494A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 静電吸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299494A true JPH05299494A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14346786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10316192A Withdrawn JPH05299494A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 静電吸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299494A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015162618A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| JP2023010808A (ja) * | 2017-09-29 | 2023-01-20 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
-
1992
- 1992-04-22 JP JP10316192A patent/JPH05299494A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015162618A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| JP2023010808A (ja) * | 2017-09-29 | 2023-01-20 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
| JP2023010807A (ja) * | 2017-09-29 | 2023-01-20 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990706 |