JPH05294069A - Optical data recording device and medium - Google Patents
Optical data recording device and mediumInfo
- Publication number
- JPH05294069A JPH05294069A JP4102914A JP10291492A JPH05294069A JP H05294069 A JPH05294069 A JP H05294069A JP 4102914 A JP4102914 A JP 4102914A JP 10291492 A JP10291492 A JP 10291492A JP H05294069 A JPH05294069 A JP H05294069A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording layer
- recording
- substrate
- layer
- atomic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は光情報記録媒体に関し、
光ビームを照射することにより記録層材料に反射率変化
を生じさせ、情報の記録、再生を行い、かつ書換が可能
である情報記録媒体、特に書換え可能なコンパクトディ
スクに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical information recording medium,
The present invention relates to an information recording medium capable of recording / reproducing information and rewriting by changing the reflectance of a recording layer material by irradiating a light beam, and particularly to a rewritable compact disc.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非晶質相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく
知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。その代表的な例として、ＵＳＰ３
５３０４４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ，Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−
Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｔ
ｅ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン
系合金材料があげられる。また安定性、高速結晶化など
の向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２
１９６９２）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９
０）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０）などを添加した
材料の提案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的に
Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を
特定した材料（特開昭６２−７３４３８）の提案なども
なされている。しかしながら、そのいずれもが相変化形
書換可能光メモリー媒体として要求される諸特性のすべ
てを満足しうるものとはいえない。2. Description of the Related Art As one of optical memory media capable of recording, reproducing and erasing information by irradiation of electromagnetic waves, especially laser beams, so-called phase utilizing a transition between crystal-amorphous phase or crystal-crystal phase. Variant recording media are well known. In particular, since it is possible to overwrite with a single beam, which is difficult for a magneto-optical memory, and the optical system on the drive side is simpler, research and development has recently become active. As a typical example, USP3
Ge-Te, G, as disclosed in 530441.
e-Te-Sb-S, Ge-Te-S, Ge-Se-
S, Ge-Se-Sb, Ge-As-Se, In-T
Examples include so-called chalcogen-based alloy materials such as e, Se-Te, and Se-As. Further, for the purpose of improving stability, high-speed crystallization, etc., a Ge--Te system containing Au (JP-A-61-2
19692), Sn and Au (JP-A-61-27019).
0), Pd (JP-A-62-19490) and the like, and the composition ratio of Ge-Te-Se-Sb and Ge-Te-Sb was specified for the purpose of improving the recording / erasing repetition performance. Proposals for materials (JP-A-62-73438) have also been made. However, none of them can satisfy all the characteristics required for the phase-change rewritable optical memory medium.
【０００３】又、特開昭６３−２５１２９０では結晶状
態が実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録層
を形成した光情報記録媒体（以降「光記録媒体」と略記
する）が提案されている。ここで「実質的に三元以上の
多元化合物単層」とは三元以上の化学量論組成を持った
化合物（たとえばＩｎ3ＳｂＴｅ2など）を記録層中に９
０原子％以上含むものとされている。このような記録層
を用いることにより高速記録、高速消去が可能となると
している。しかしながらこのものでは記録、消去に要す
るレーザーパワーが未だ十分ではなく、消去比も低い
（消し残りが大きい）などの欠点を有している。Further, Japanese Patent Laid-Open No. 63-251290 proposes an optical information recording medium (hereinafter abbreviated as "optical recording medium") having a recording layer formed of a multi-component compound single phase whose crystal state is substantially ternary or more. Has been done. Here, “substantially ternary or higher multi-component compound monolayer” means that a compound having a stoichiometric composition of ternary or higher (for example, In 3 SbTe 2 ) is used in the recording layer.
It is supposed to contain 0 atomic% or more. It is said that high-speed recording and high-speed erasing can be performed by using such a recording layer. However, this method has drawbacks such that the laser power required for recording and erasing is not yet sufficient, and the erasing ratio is low (erasure remaining is large).
【０００４】更に特開平１−２７７３３８号公報には
（ＳｂaＴｅ1-a）1-YＭY（ここで０．４≦ａ＜０．７，
Ｙ≦０．２であり、ＭはＡｇ，Ａｌ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂ
ｉ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｓｅ，Ｓ
ｉ，Ｓｎ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも１
種である）で表わされる組成の合金からなる記録層を有
する光記録媒体が提案されている。この系の基本はＢｂ
2Ｔｅ3であり、Ｓｂ過剰にすることにより、高速消去、
繰返し特性を向上させ、Ｍの添加により高速消去を促進
させている。加えてＤＣ光による消去率も大きいとして
いる。しかし、この文献にはオーバーライト時の消去率
は示されておらず（本発明者らの検討結果では消し残り
が認められた）、記録感度も不十分である。[0004] Further in JP-A-1-277338 (Sb a Te 1-a ) 1-Y M Y ( wherein 0.4 ≦ a <0.7,
Y ≦ 0.2, M is Ag, Al, As, Au, B
i, Cu, Ga, Ge, In, Pb, Pt, Se, S
at least 1 selected from the group consisting of i, Sn and Zn
The optical recording medium having a recording layer made of an alloy having a composition represented by (1) is proposed. The basis of this system is Bb
2 Te 3 and high-speed erasing by making Sb excessive
The repetition characteristics are improved, and the addition of M promotes high-speed erasing. In addition, the erasing rate by DC light is also high. However, this document does not show the erasing rate at the time of overwriting (the results of the study by the present inventors showed the unerased portion), and the recording sensitivity is insufficient.
【０００５】同様に特開昭６０−１７７４４６号公報で
は記録層に（Ｉｎ1-XＳｂX）1-YＭY（０．５５≦Ｘ≦
０．８０，０≦Ｙ≦０．２０であり、ＭはＡｕ，Ａｇ，
Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓｎ，Ｔ
ｅ，Ｓｅ，Ｂｉである）なる合金を用い、また、特開昭
６３−２２８４３３号公報では記録層にＧｅＴｅ−Ｓｂ
2Ｔｅ3−Ｓｂ（過剰）なる合金を用いているが、いずれ
も感度、消去比等の特性を満足するものではない。Similarly, in JP-A-60-177446, (In 1-X Sb X ) 1-Y M Y (0.55≤X≤
0.80,0 ≦ Y ≦ 0.20, and M is Au, Ag,
Cu, Pd, Pt, Al, Si, Ge, Ga, Sn, T
e, Se, Bi), and GeTe-Sb is used as the recording layer in JP-A-63-228433.
Although an alloy of 2 Te 3 -Sb (excess) is used, none of them satisfies the characteristics such as sensitivity and erase ratio.
【０００６】これまでみてきたように、光記録媒体にお
いては、特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライ
ト時の消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録
部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっ
ている。As has been seen so far, in the optical recording medium, in particular, the recording sensitivity and the erasing sensitivity are improved, the reduction of the erasing ratio due to the unerased portion at the time of overwriting is prevented, and the life of the recorded portion and the unrecorded portion is extended. It is the most important issue to be solved.
【０００７】一方、書換え可能コンパクトディスクに関
しては、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系で開発が進められている
が、反射率が約３０％と低く、現状のコンパクトディス
クドライブで再生することができないものとなってい
る。On the other hand, the rewritable compact disc is being developed in the Ge-Sb-Te system, but the reflectance is as low as about 30% and it cannot be reproduced by the present compact disc drive. ing.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記のような
欠点、不都合を解消し、良質の光情報記録媒体を提供す
るものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above drawbacks and inconveniences and provides a high quality optical information recording medium.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は記録層が少なく
ともＡｇを含み、光ビームの照射条件により、溶融凝固
する際にＡｇの拡散、偏析をおこさせることにより反射
率変化をおこさせて記録、消去を行うことを特徴として
いる。According to the present invention, the recording layer contains at least Ag, and the reflectance is changed by causing diffusion and segregation of Ag during melting and solidification depending on irradiation conditions of a light beam. It is characterized by erasing.
【００１０】本発明者らは記録材料として前記のような
ものを用いれば前記課題を達成しうることを確かめた。
本発明はそれによりなされたものである。The present inventors have confirmed that the above object can be achieved by using the above-mentioned recording material.
The present invention has been made thereby.
【００１１】本発明をさらに詳細に説明すると、本発明
に係る記録層は少なくともＡｇを含み、好適には ＡｇX（ＭYＱ100-Y）100-X Ｘ，Ｙは原子％で ４０≦Ｘ≦７０ ５０≦Ｙ≦８０ Ｍはカルコゲン元素、ＱはIVｂ族元素、あるいは ＡｇX（ＭYＬ100-Y）100-X Ｘ，Ｙは原子％で ４０≦Ｘ≦７０ ６０≦Ｙ≦９０ Ｍはカルコゲン元素、ＬはIIｂ族元素、であらわされる
ものである。The present invention will be described in more detail. The recording layer according to the present invention contains at least Ag, and preferably Ag X ( MY Q 100-Y ) 100-X X, Y is 40% or less in atomic%. ≦ 70 50 ≦ Y ≦ 80 M is a chalcogen element, Q is an IVb group element, or Ag X ( MY L 100-Y ) 100-X X and Y are atomic% 40 ≦ X ≦ 70 60 ≦ Y ≦ 90 M Is a chalcogen element, and L is a IIb group element.
【００１２】また本発明に係る保護層はＡｌＮ、ＳｉＮ
等の窒素化合物である。前記記録層と窒素化合物保護層
を組合せて用いることにより、反射率が６０％から７０
％で、Ｃ／Ｎが高く、繰返し特性に優れた光情報記録媒
体、特に書換え可能コンパクトディスクを得ることがで
きる。The protective layer according to the present invention is made of AlN, SiN.
And nitrogen compounds. By using the recording layer and the nitrogen compound protective layer in combination, the reflectance is 60% to 70%.
%, It is possible to obtain an optical information recording medium having a high C / N and an excellent repeatability, particularly a rewritable compact disc.
【００１３】高い反射率が得られる理由は記録層が光ビ
ームの照射により、溶融、凝固する際にＡｇの拡散、偏
析が生じ、低パワー照射部領域の方が高パワー照射部領
域に比べ、Ａｇ濃度が増加するためである。したがって
記録層中のＡｇの組成比が低下してくると反射率の低下
が生じるためＡｇは４０％以上は必要である。一方、組
成比が７０％以上になると十分なＣ／Ｎが得られなくな
る。またカルコゲン元素とＧｅ等のIVｂ族元素あるいは
Ｚｎ等のIIｂ族元素との比は繰返し特性に影響し、IVｂ
族元素の場合５０％から８０％、IIｂ族元素では６０％
から９０％のカルコゲン元素が必要となる。The reason why a high reflectance is obtained is that when the recording layer is irradiated with a light beam, Ag is diffused and segregated when the recording layer is melted and solidified, and the low power irradiation area is higher than the high power irradiation area. This is because the Ag concentration increases. Therefore, when the composition ratio of Ag in the recording layer is lowered, the reflectance is lowered, so Ag is required to be 40% or more. On the other hand, when the composition ratio is 70% or more, sufficient C / N cannot be obtained. Further, the ratio of the chalcogen element to the IVb group element such as Ge or the IIb group element such as Zn has an influence on the repeating characteristics.
50% to 80% for group elements, 60% for IIb elements
To 90% of the chalcogen element is required.
【００１４】また保護層材料として前記窒化物の代わり
に酸化物層を用いると繰返し特性の低下が生じる。Further, if an oxide layer is used as the protective layer material instead of the above-mentioned nitride, the repeated characteristics are deteriorated.
【００１５】記録層の膜厚は１００〜３０００Å、好適
には２００〜１０００Åとするのがよい。一方、保護層
の膜厚は２００〜５０００、好適には５００〜３０００
Åとするのがよい。これらの層はスパッタリング、蒸着
などの薄膜製膜法によって基板上に製膜される。The thickness of the recording layer is 100 to 3000Å, preferably 200 to 1000Å. On the other hand, the thickness of the protective layer is 200 to 5000, preferably 500 to 3000.
It is good to say Å. These layers are formed on the substrate by a thin film forming method such as sputtering or vapor deposition.
【００１６】本発明で用いられる基板は通常ガラス、セ
ラミックス、あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、
コストの点で好適である。樹脂の代表例としてはポリカ
ーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリス
チレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹
脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン
系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂など
があげられるが、加工性、光学特性などの点でポリカー
ボネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板の
形状としてはディスク状、カード状あるいはシート状で
あってもよい。The substrate used in the present invention is usually glass, ceramics, or resin.
It is preferable in terms of cost. Typical examples of the resin include polycarbonate resin, acrylic resin, epoxy resin, polystyrene resin, acrylonitrile-styrene copolymer resin, polyethylene resin, polypropylene resin, silicon resin, fluorine resin, ABS resin and urethane resin. Polycarbonate resin and acrylic resin are preferable in terms of processability and optical characteristics. The shape of the substrate may be disk-shaped, card-shaped or sheet-shaped.
【００１７】記録、再生および消去に用いる電磁波とし
てはレーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤
外線、マイクロ波など種々のものが採用可能であるが、
ドライブに取付ける際、小型でコンパクトな半導体レー
ザーが最適である。As the electromagnetic wave used for recording, reproducing and erasing, various kinds such as laser light, electron beam, X-ray, ultraviolet ray, visible ray, infrared ray and microwave can be adopted.
When mounted in a drive, a small and compact laser diode is the best choice.
【００１８】[0018]
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。但しこれらの実施例は本発明をなんら制限するも
のではない。EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples. However, these examples do not limit the present invention.
【００１９】実施例１ ピッチ約１．６μｍ、深さ約７００Åの溝付きで、厚さ
１．２ｍｍの８６ｍｍφのポリカーボネート基板上にｒ
ｆスパッタリング法により下部（基板側）耐熱保護層、
記録層、上部耐熱保護層、反射層を順次積層し、評価用
光ディスクを作製した。Example 1 On a polycarbonate substrate of 86 mmφ having a pitch of about 1.6 μm and a depth of about 700 Å and a thickness of 1.2 mm, a r substrate was used.
f Lower (substrate side) heat-resistant protective layer by sputtering method,
A recording layer, an upper heat-resistant protective layer, and a reflective layer were sequentially laminated to produce an evaluation optical disc.
【００２０】記録層はＡｇX（Ｔｅ60Ｇｅ40）100-Xであ
らわされる組成とした。ターゲット組成を変えて、膜中
組成としてＸ＝３０〜９０の範囲のディスクを作成し
た。The recording layer had a composition represented by Ag X (Te 60 Ge 40 ) 100-X . By changing the target composition, a disk having a composition in the range of X = 30 to 90 was prepared.
【００２１】下部保護層としてＳｉＯ2（約２０００
Å）とＳｉ3Ｎ4（約２０００Å）、上部保護層としてＳ
ｉＯ2（約１０００Å）とＳｉ3Ｎ4（約１０００Å）、
反射層としてＡｌ（約５００Å）を使用した。As a lower protective layer, SiO 2 (about 2000
Å) and Si 3 N 4 (about 2000 Å), S as the upper protective layer
iO 2 (about 1000Å) and Si 3 N 4 (about 1000Å),
Al (about 500 Å) was used as the reflective layer.
【００２２】光デイスクの評価は８３０ｎｍの半導体レ
ーザー光をＮＡ０．５のレンズを通して記録層面で、約
１μｍφのスポット径にしぼり込み、基板側から照射す
ることにより行った。ディスクの線速度は１．３ｍ／ｓ
ｅｃとした。周波数７２０ｋＨｚ、２００ｋＨｚのオー
バーライトで評価した。The optical disk was evaluated by irradiating a semiconductor laser beam of 830 nm through a lens of NA 0.5 on the recording layer surface to a spot diameter of about 1 μmφ and irradiating from the substrate side. The linear velocity of the disk is 1.3m / s
ec. Evaluation was performed by overwriting at frequencies of 720 kHz and 200 kHz.
【００２３】図１にＡｇの組成比と反射率、Ｃ／Ｎの関
係を示す。Ａｇの組成比が４０％より小さくなると反射
率が急激に低下する。また７０％を越えるとＣ／Ｎが低
下する。FIG. 1 shows the relationship between the Ag composition ratio, the reflectance, and the C / N ratio. When the composition ratio of Ag is less than 40%, the reflectance sharply decreases. Further, if it exceeds 70%, the C / N decreases.
【００２４】図２はＡｇの組成比を５５％に固定しＧｅ
に対するＴｅの比をＹ＝４０〜９０の範囲で変えた場合
の繰返し特性の変化を示している。繰返し特性は消去比
の低下が１０ｄＢになる回数で示している。保護層とし
てＳｉＯ2を用いた場合とＳｉ3Ｎ4を用いた場合を比較
で示した。ＳｉＯ2を用いた場合、Ｔｅの組成比によら
ず、繰返し特性が悪い。Ｓｉ3Ｎ4を用いたディスクでは
Ｙが５０より小さいかあるいは８０を越えると繰返し特
性が低下する。In FIG. 2, the composition ratio of Ag is fixed at 55% and Ge is
9 shows the change in the repeating characteristics when the ratio of Te to Y is changed in the range of Y = 40 to 90. The repetition characteristics are shown by the number of times that the reduction of the erase ratio becomes 10 dB. A comparison is made between the case where SiO 2 is used as the protective layer and the case where Si 3 N 4 is used. When SiO 2 is used, the repeatability is poor regardless of the composition ratio of Te. In the case of a disk using Si 3 N 4 , if Y is less than 50 or exceeds 80, the repeating characteristics deteriorate.
【００２５】実施例２ 実施例１と同様にして記録層がＡｇX（ＴｅYＺ
ｎ100-Y）100-Xの場合についてディスク特性を評価し
た。Example 2 The recording layer was Ag X (Te Y Z) in the same manner as in Example 1.
n 100-Y ) The disk characteristics were evaluated for 100-X .
【００２６】図３はＡｇX（Ｔｅ70Ｚｎ30）100-Xについ
てＡｇの組成比と反射率、Ｃ／Ｎの関係を示している。
Ａｇの組成比が４０％より小さくなると反射率が低下す
る。７０％を越えるとＣ／Ｎの低下がおこっている。FIG. 3 shows the relationship between the composition ratio of Ag, reflectance and C / N for Ag X (Te 70 Zn 30 ) 100-X .
When the composition ratio of Ag is less than 40%, the reflectance decreases. If it exceeds 70%, the C / N is lowered.
【００２７】図４はＡｇの組成比を５５％に固定してＺ
ｎに対するＴｅの比をＹ＝４０〜１００の範囲で変えた
場合の繰返し特性の変化を示している。実施例１と同様
にＳｉＯ2を用いた場合には繰返し特性は悪い。Ｓｉ3Ｎ
4を用いたディスクではＹ＝６０〜９０の範囲で良好な
特性を示している。FIG. 4 shows that the composition ratio of Ag is fixed at 55% and Z
It shows a change in repetitive characteristics when the ratio of Te to n is changed in the range of Y = 40 to 100. When SiO 2 is used as in Example 1, the repetitive characteristics are poor. Si 3 N
The disk using 4 shows good characteristics in the range of Y = 60 to 90.
【００２８】実施例１および２で作製したディスクにつ
いて記録層のマーク部、マーク間の組成分析をおこなっ
たところ、どのディスクに関してもマーク部のＡｇ濃度
はマーク間のＡｇ濃度に比べ、著しく低下していること
が確認された。これらのディスクの反射率は各部のＡｇ
濃度におおむね対応しており、Ａｇの拡散、偏析が記
録、消去の原因となっていることを裏付けている。When the composition of the marks in the recording layer and the composition between the marks of the discs manufactured in Examples 1 and 2 were analyzed, the Ag concentration in the marks of all the discs was significantly lower than the Ag concentration between the marks. Was confirmed. The reflectance of these disks is Ag of each part.
It is generally compatible with the density, demonstrating that Ag diffusion and segregation cause recording and erasing.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上説明したように本発明によればＣ／
Ｎが高く、繰返し特性に優れた光情報記録媒体を得るこ
とができる。As described above, according to the present invention, C /
It is possible to obtain an optical information recording medium having high N and excellent repeatability.
【図１】実施例１に示した光情報記録媒体のＡｇの組成
比と反射率、Ｃ／Ｎとの関係を示すグラフ。FIG. 1 is a graph showing the relationship between the Ag composition ratio, reflectance, and C / N of the optical information recording medium shown in Example 1.
【図２】同光情報記録媒体のＧｅに対するＴｅの組成Ｙ
と繰返し回数との関係を示すグラフ。FIG. 2 is a composition Y of Te with respect to Ge in the optical information recording medium.
And a graph showing the relationship between the number of repetitions.
【図３】実施例２に示した光情報記録媒体のＡｇの組成
比と反射率、Ｃ／Ｎの関係を示すグラフ。FIG. 3 is a graph showing the relationship between Ag composition ratio, reflectance, and C / N of the optical information recording medium shown in Example 2.
【図４】同光情報記録媒体のＺｎに対するＴｅの組成
（Ｙ）と繰返し回数との関係を示すグラフ。FIG. 4 is a graph showing the relationship between the composition (Y) of Te with respect to Zn and the number of repetitions of the optical information recording medium.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hiroko Iwasaki 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Inside Ricoh Co., Ltd.
Claims (5)
記録層が少なくともＡｇを含み、光ビームの照射条件に
より記録層を溶融し、凝固時のＡｇの拡散、偏析により
反射率変化をおこさせて記録、消去をおこなうことを特
徴とする情報記録方式。1. A recording layer is formed on a substrate, and the recording layer contains at least Ag. The recording layer is melted under the irradiation condition of a light beam, and the reflectance change due to Ag diffusion and segregation during solidification. An information recording method characterized in that recording and erasing are performed by causing it to occur.
記録層が ＡｇX（ＭYＱ100-Y）100-X Ｘ，Ｙは原子％で ４０≦Ｘ≦７０ ５０≦Ｙ≦８０ Ｍはカルコゲン元素、ＱはIVｂ族元素、であらわされる
ことを特徴とする光情報記録媒体。2. A recording layer is formed on a substrate, and the recording layer is Ag X (M Y Q 100-Y ) 100-X X, Y is atomic% 40 ≦ X ≦ 70 50 ≦ Y ≦ 80 An optical information recording medium characterized in that M is a chalcogen element and Q is a group IVb element.
記録層が ＡｇX（ＭYＬ100-Y）100-X Ｘ，Ｙは原子％で ４０≦Ｘ≦７０ ６０≦Ｙ≦９０ Ｍはカルコゲン元素、ＬはIIｂ族元素、であらわされる
ことを特徴とする光情報記録媒体。3. A recording layer is formed on a substrate, and the recording layer is Ag X (M Y L 100-Y ) 100-X X, Y is atomic% 40 ≦ X ≦ 70 60 ≦ Y ≦ 90 An optical information recording medium, wherein M is a chalcogen element and L is a IIb group element.
記録層が ＡｇX（ＭYＱ100-Y）100-X Ｘ，Ｙは原子％で ４０≦Ｘ≦７０ ５０≦Ｙ≦８０ Ｍはカルコゲン元素、ＱはIVｂ族元素、であらわされ、
前記基板と前記記録層との間及び／又は前記記録層の上
に設けられた保護層が窒素化合物であることを特徴とす
る光情報記録媒体。4. A recording layer is formed on a substrate, and the recording layer is Ag X (M Y Q 100-Y ) 100-X X, Y is atomic% 40 ≦ X ≦ 70 50 ≦ Y ≦ 80 M is a chalcogen element, Q is a group IVb element,
An optical information recording medium, wherein a protective layer provided between the substrate and the recording layer and / or on the recording layer is a nitrogen compound.
記録層が ＡｇX（ＭYＬ100-Y）100-X Ｘ，Ｙは原子％で ４０≦Ｘ≦７０ ６０≦Ｙ≦９０ Ｍはカルコゲン元素、ＬはIIｂ族元素、であらわされ、
前記基板と前記記録層との間及び／又は前記記録層の上
に設けられた保護層が窒素化合物であることを特徴とす
る光情報記録媒体。5. A recording layer is formed on a substrate, and the recording layer is Ag X (M Y L 100-Y ) 100-X X, Y is atomic% 40 ≦ X ≦ 70 60 ≦ Y ≦ 90 M is a chalcogen element, L is a IIb group element,
An optical information recording medium, wherein a protective layer provided between the substrate and the recording layer and / or on the recording layer is a nitrogen compound.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4102914A JPH05294069A (en) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | Optical data recording device and medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4102914A JPH05294069A (en) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | Optical data recording device and medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05294069A true JPH05294069A (en) | 1993-11-09 |
Family
ID=14340128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4102914A Pending JPH05294069A (en) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | Optical data recording device and medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05294069A (en) |
-
1992
- 1992-04-22 JP JP4102914A patent/JPH05294069A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100411658B1 (en) | Information recording medium and information memory apparatus | |
| KR100312365B1 (en) | Informat10n recording medium and information recording and reproducing apparatus using the same | |
| US5736657A (en) | Sputtering target | |
| US6652806B2 (en) | Method of producing a sputtering target | |
| JPH08287515A (en) | Optical information recording medium | |
| US5741603A (en) | Optical disc | |
| JP2000229479A (en) | Optical-recording medium | |
| JP2000339751A (en) | Phase-change type optical recording medium | |
| JP2908826B2 (en) | Information recording medium | |
| JPH0737251A (en) | Optical information recording method | |
| JP3032600B2 (en) | Optical information recording medium | |
| JPH05151619A (en) | Optical information recording medium and recording method | |
| JPH11115315A (en) | Optical information recording medium, manufacture thereof, and recording/reproducing method of information using the same | |
| EP1058248A2 (en) | Optical recording medium and recording method using the medium | |
| JPH05294069A (en) | Optical data recording device and medium | |
| JP2002509633A (en) | Rewritable optical information medium | |
| US20050180303A1 (en) | Optical recording medium | |
| TW476942B (en) | Rewritable optical information medium | |
| JPH05185733A (en) | Data recording medium | |
| JP2947938B2 (en) | Optical recording medium | |
| JPH0558047A (en) | Optical data recording medium | |
| JPH05325258A (en) | Optical information recording medium | |
| JP2004311011A (en) | Optical information recording medium, its manufacturing method, and recording method and recording device of information using the medium | |
| JPH09263055A (en) | Target for sputtering, manufacture thereof, photorecording medium using the target, manufacture of the photorecording medium and photorecording method | |
| JP2003338083A (en) | Optical information recording medium and method for manufacturing the same, and method for recording and reproducing the same |