JP3032600B2 - Optical information recording medium - Google Patents
Optical information recording mediumInfo
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- JP3032600B2 JP3032600B2 JP3103253A JP10325391A JP3032600B2 JP 3032600 B2 JP3032600 B2 JP 3032600B2 JP 3103253 A JP3103253 A JP 3103253A JP 10325391 A JP10325391 A JP 10325391A JP 3032600 B2 JP3032600 B2 JP 3032600B2
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- recording
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は光情報記録媒体に関し、
詳しくは、光ビームを照射することにより記録層材料に
相変化を生じさせ、情報の記録、再生を行い、かつ、書
換えが可能ないわゆる相変化型光情報記録媒体に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical information recording medium,
More specifically, the present invention relates to a so-called phase-change optical information recording medium capable of causing a phase change in a recording layer material by irradiating a light beam, recording and reproducing information, and rewritable.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生及び消去可能な光メモリー媒体の一
つとして、結晶−非晶質層間あるいは結晶−結晶相間の
転移を利用する、いわゆる相変化型記録媒体がよく知ら
れている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームに
よるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系
もより単純であることなどから最近その研究開発が活発
になっている。その代表的な記録材料としては、USP 3,
530,441に開示されているような、Ge−Te、Ge−Te−Sb
−S、Ge−Te−S、Ge−Se−S、Ge−Se−Sb、Ge−As−S
e、In−Te、Se−Te、Se−Asなどのいわゆるカルコゲン
系合金材料があげられる。又、安定性、高速結晶化など
の向上を目的にGe−Te系にＡｕ（特開昭61−219692）、
Ｓｎ及びＡｕ（特開昭61−270190）、Ｐｄ（特開昭62−
19490)等を添加した材料の提案や、記録／消去の繰返し
性能向上を目的にGe−Te−Se−Sbの組成比を特定した材
料（特開昭62−73438)の提案などもなされている。しか
しながら、そのいずれもが相変化型書換え可能光メモリ
ー媒体として要求される諸特性のすべてを満足しうるも
のとはいえない。2. Description of the Related Art As one of optical memory media capable of recording, reproducing and erasing information by irradiation of electromagnetic waves, especially laser beams, a so-called phase change utilizing a transition between a crystal and an amorphous layer or between a crystal and a crystal phase. Type recording media are well known. In particular, overwriting with a single beam, which is difficult with a magneto-optical memory, is possible, and the drive-side optical system is simpler. Typical recording materials include USP 3,
Ge-Te, Ge-Te-Sb as disclosed in US Pat.
-S, Ge-Te-S, Ge-Se-S, Ge-Se-Sb, Ge-As-S
So-called chalcogen-based alloy materials such as e, In-Te, Se-Te, and Se-As are exemplified. Au (Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-219692) was added to the Ge-Te system for the purpose of improving stability and high-speed crystallization.
Sn and Au (JP-A-61-270190), Pd (JP-A-62-270190)
19490), and a material in which the composition ratio of Ge-Te-Se-Sb is specified (JP-A-62-73438) for the purpose of improving the recording / erasing repeatability. . However, none of them can satisfy all of the properties required for a phase-change rewritable optical memory medium.
【０００３】また、特開昭63-251290号公報には、結晶
状態が実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録
層を形成した光情報記録媒体（以降「光記録媒体」と略
記することがある）が提案されている。ここでの“実質
的に三元以上の多元化合物単相”とは、三元以上の化学
量論組成をもった化合物（例えばＩｎ3ＳｂＴｅ2など）
を記録層中に９０原子％以上含むものとされている。そ
して、このような記録層を用いることにより、高速記
録、高速消去が可能となるとしている。だが、このもの
では記録、消去に要するレ−ザ−パワ−は未だ充分では
なく、消去比も低い（消し残りが大きい）等の欠点を有
している。Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-251290 discloses an optical information recording medium (hereinafter abbreviated as “optical recording medium”) having a recording layer formed of a single phase of a multi-component compound having a crystalline state of substantially three or more. May be proposed). Here, the “substantially ternary or more multi-component compound single phase” refers to a compound having a ternary or more stoichiometric composition (eg, In 3 SbTe 2 ).
Is contained in the recording layer at 90 atomic% or more. The use of such a recording layer enables high-speed recording and high-speed erasing. However, this method has the disadvantages that the laser power required for recording and erasing is not yet sufficient, and the erasing ratio is low (the erasure remains large).
【０００４】更に、特開平1-277338号公報には（Ｓｂa
Ｔｅ1-a ）1-Y ＭY （ここで0.4 ≦ａ＜0.7 、Ｙ≦0.2
であり、ＭはAg、Al、As、Au、Bi、Cu、Ga、Ge、In、P
b、Pt、Se、Si、Sn及びZnからなる群から選ばれる少な
くとも１種である。）で表される組成の合金からなる記
録層を有する光記録媒体が提案されている。この系の基
本はSb2Te3であり、Ｓｂ過剰にすることにより、高速消
去、繰返し特性を向上させ、Ｍの添加により高速消去を
促進させている。加えて、ＤＣ光による消去率も大きい
としている。しかし、この文献にはオ−バ−ライト時の
消去率は示されておらず（本発明者らの検討結果では消
し残りが認められた）、記録感度も不十分である。[0004] Further, in JP-A-1-277338 (Sb a
Te 1-a ) 1-Y M Y (where 0.4 ≦ a <0.7, Y ≦ 0.2
And M is Ag, Al, As, Au, Bi, Cu, Ga, Ge, In, P
It is at least one selected from the group consisting of b, Pt, Se, Si, Sn and Zn. An optical recording medium having a recording layer made of an alloy having a composition represented by (1) has been proposed. The basis of this system is Sb 2 Te 3. Excessive Sb improves high-speed erasure and repetition characteristics, and addition of M promotes high-speed erasure. In addition, the erasing rate by DC light is also high. However, this document does not show the erasing rate during overwriting (the result of the study by the present inventors shows that the erasing remains), and the recording sensitivity is insufficient.
【０００５】同様に、特開昭60-177446号公報では記録
層に（Ｉｎ1-X ＳｂX ）1-Y ＭY （0.55≦Ｘ≦0.80、0
≦Ｙ≦0.20であり、ＭはAu、Ag、Cu、Pd、Pt、Al、Si、
Ge、Ga、Sn、Te、Se、Biである。）なる合金を用い、ま
た、特開昭63-228433号公報では記録層にGeTe-Sb2Te3-S
b（過剰）なる合金を用いているが、いずれも感度、消
去比等の特性を満足するものではない。これまでみてき
たように、光記録媒体においては、特に記録感度、消去
感度の向上、オ−バ−ライト時の消し残りによる消去比
低下の防止、並びに記録部、未記録部の長寿命化が解決
すべき最重要課題となっている。中でも、レ−ザ−光照
射時間が１００ｎｓｅｃ以下という条件下で光記録媒体
面でのレ−ザ−書き込みパワ−については、現在までの
報告例のいずれもが、１５mW程度以上のパワ−を必要と
しており、転送速度向上のためには大きな障壁となって
いる。それに加え、記録、消去の繰返し時に発生する熱
により、記録層、耐熱保護層等が損傷を受け、特性劣化
を招来することから、繰返し性能向上に対しても大きな
障害となっている。Similarly, in Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 60-177446, (In 1 -X Sb x ) 1 -Y M Y (0.55 ≦ X ≦ 0.80, 0
≦ Y ≦ 0.20, and M is Au, Ag, Cu, Pd, Pt, Al, Si,
Ge, Ga, Sn, Te, Se, and Bi. ), And JP-A-63-228433 discloses that a GeTe-Sb 2 Te 3 -S
Although an alloy of b (excess) is used, none of them satisfy characteristics such as sensitivity and erasing ratio. As has been seen so far, in the optical recording medium, particularly, the recording sensitivity and the erasing sensitivity are improved, the erasing ratio is prevented from being reduced due to the unerased portion during overwriting, and the life of the recorded and unrecorded portions is prolonged. This is the most important issue to be solved. Above all, as for the laser writing power on the optical recording medium under the condition that the laser light irradiation time is 100 nsec or less, all of the reports to date require a power of about 15 mW or more. This is a big barrier to improving the transfer speed. In addition, the heat generated at the time of repetition of recording and erasing damages the recording layer, the heat-resistant protective layer, and the like, resulting in deterioration of the characteristics.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な欠点、不都合を解消し、良質の相変化型光情報記録媒
体を提供するものである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a high-quality phase-change type optical information recording medium which solves the above-mentioned disadvantages and disadvantages.
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に記録
層が形成されたものであって、記録層がＡｇ、Ｓｂ、Ｔ
ｅと共に、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なくとも一種を含有
し、記録時に一様なアモルファス相を形成し、消去時に
ＡｇＳｂＴｅ2相が相分離して結晶化する事を特徴とし
ている。本発明者らは、記録層材料として前記のような
相変化を行うものを用いれば前記課題を達成しうること
を確かめた。本発明はそれによりなされたものである。According to the present invention, a recording layer is formed on a substrate, and the recording layer is made of Ag, Sb, T
Contains at least one of In, Ge, and Se with e
In addition , a uniform amorphous phase is formed during recording, and the AgSbTe 2 phase is separated and crystallized during erasing. The present inventors have confirmed that the above object can be achieved by using a material that undergoes the above-described phase change as a recording layer material. The present invention has been made.
【０００７】本発明をさらに詳細に説明すると、本発明
に係る記録層は構成元素としてＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅを含む
ものである。これらに加えてＩｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なく
とも一種を構成元素としている。これらの元素は記録時
には一様なアモルファス相を形成している。一方、消去
時にはＡｇＳｂＴｅ2相とＸ相に分相して結晶化する。
この場合ＡｇＳｂＴｅ2相は結晶化するが、Ｘ相は結晶
化してもアモルファス状態でもよい。Ｘ相は単相でもよ
いし、複数の相でもよい。Ｘ相としては、Ａｇ、Ｓｂ、
Ｔｅ、Ｉｎなどの単元素からなるものや、Ｉｎ−Ｓｂ、
Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅなど
の多元素からなるものがある。Ｘ相としては光吸収係数
が１０2ｃｍ~1以上のものが望ましい。また、記録層に
は他の不純物（例えば酸素など）が微量（１原子％以
下）含まれていてもよい。この様な記録層はスパッタリ
ング、蒸着などの薄膜製膜法によって基板上に製膜す
る。基板上に堆積した膜はアモルファス状態であること
が多いが、これを熱処理してＡｇＳｂＴｅ2相とＸ相に
相分離させることにより初期化する。熱処理方法として
はレーザービームによる方法、ヒーターによる方法など
がある。レーザービームによる場合、レーザービーム強
度、基板（ディスク）回転数を制御することにより熱処
理条件を任意に選択できるため好適である。The present invention will be described in further detail. The recording layer according to the present invention contains Ag, Sb, and Te as constituent elements. In addition to these, In, Ge, Se
Both have one kind as a constituent element. These elements form a uniform amorphous phase during recording. On the other hand, at the time of erasing, the phase is separated into an AgSbTe 2 phase and an X phase and crystallized.
In this case, the AgSbTe 2 phase is crystallized, but the X phase may be crystallized or in an amorphous state. The X phase may be a single phase or a plurality of phases. As the X phase, Ag, Sb,
One made of a single element such as Te or In, In-Sb,
Some include multiple elements such as Sb-Te, In-Sb-Te, and Ag-In-Te. As the X phase, those having a light absorption coefficient of 10 2 cm to 1 or more are desirable. Further, the recording layer may contain a small amount (1 atomic% or less) of another impurity (for example, oxygen or the like). Such a recording layer is formed on a substrate by a thin film forming method such as sputtering or vapor deposition. Although a film deposited on a substrate is often in an amorphous state, it is initialized by heat-treating the film to separate it into an AgSbTe 2 phase and an X phase. Examples of the heat treatment method include a method using a laser beam and a method using a heater. The use of a laser beam is preferable because heat treatment conditions can be arbitrarily selected by controlling the laser beam intensity and the number of rotations of the substrate (disk).
【０００８】ところで、記録パワ−(Pw)のレ−ザ−ビ−
ムを照射した場合、記録層のＡｇＳｂＴｅ2相とＸ相は
溶融後急冷されて一様なアモルファス状態になる。つぎ
にこのアモルファス状態の記録部に消去パワ−(Pe)のレ
−ザ−ビ−ムを照射すると初期化の場合と同様にＡｇＳ
ｂＴｅ2相とＸ相に相分離してＡｇＳｂＴｅ2の結晶化が
起こる（消去）。この様に消去時に一様なアモルファス
相からの相分離でＡｇＳｂＴｅ2相ができ、これが結晶
化することにより、ディスクの反射率が変化して、ここ
に記録、消去が行われると共に、著しく高い消去比が得
られるようになる。Incidentally, the laser power of the recording power (Pw) is
When the recording medium is irradiated, the AgSbTe 2 phase and the X phase of the recording layer are quenched after being melted, and become a uniform amorphous state. Next, when the recording portion in the amorphous state is irradiated with a laser beam of erasing power (Pe), AgS is applied as in the case of initialization.
The phase separation into the bTe 2 phase and the X phase causes crystallization of AgSbTe 2 (erasing). As described above, the AgSbTe 2 phase is formed by a uniform phase separation from the amorphous phase at the time of erasing, and the AgSbTe 2 phase is crystallized, thereby changing the reflectivity of the disk. Ratio can be obtained.
【０００９】高い消去比が得られるメカニズムは必ずし
も明確にはなっていないが、つぎのように考えることが
できる。ＡｇＳｂＴｅ2は元々結晶化しやすい物質であ
るため、相分離によってＡｇＳｂＴｅ2を得ることで高
消去率が期待できる。逆に結晶化しやすいために記録時
（アモルファス状態）での安定性に問題があった。とこ
ろが本発明の記録層では記録部の状態はＡｇＳｂＴｅ2
（アモルファス）とは異なった状態（例えばAg-In-Te-S
b）であるため、安定性を改善することができる。つま
りこの系では記録、消去の過程が単純な結晶化過程では
なくて、結晶化スピ−ドの速いＡｇＳｂＴｅ2相の相分
離過程になっているために、結晶化スピ−ドが速く（つ
まり高い消去比が得られる）なおかつ記録状態が安定に
なっていると思われる。ここでの相分離の起こり易さは
アモルファス状態の組成、従って相分離で生じるＸ相に
依存する。前述のようにＸ相としてはいろいろな系を用
いることができるが、高消去率の点でIn-Sb、In-Sb-Te
などが好適である。またＸ相は記録層の熱伝導率にも影
響を与えるため、Ｘ相の組成を選択することによりオ−
バ−ライトモ−ドでのＣ／Ｎ、消去率を改善することが
できる。Although the mechanism for obtaining a high erase ratio is not always clear, it can be considered as follows. Since AgSbTe 2 is originally a substance that is easily crystallized, a high erasure rate can be expected by obtaining AgSbTe 2 by phase separation. Conversely, there is a problem in stability during recording (amorphous state) due to easy crystallization. However, in the recording layer of the present invention, the state of the recording portion is AgSbTe 2
(Amorphous) and different states (eg Ag-In-Te-S
b), the stability can be improved. In other words, in this system, the process of recording and erasing is not a simple crystallization process but a phase separation process of the AgSbTe 2 phase having a high crystallization speed. An erase ratio is obtained) and the recording state is considered to be stable. The likelihood of phase separation here depends on the composition in the amorphous state, and therefore on the X phase generated by the phase separation. As described above, various systems can be used as the X phase, but from the viewpoint of high erasure rate, In-Sb, In-Sb-Te
And the like are preferred. The X phase also affects the thermal conductivity of the recording layer.
It is possible to improve the C / N and the erasing rate in the flash mode.
【００１０】本発明に係る記録層によれば、 （１）光吸収率が大きくなり、記録、消去感度が向上す
る。 （２）転移前後の光学的コントラストが大きくなりＣ／
Ｎが向上する。 （３）オ−バ−ライト時の消去比が飛躍的に向上する。 等も認められた。本発明の光情報記録媒体は、基本的に
は、かかる記録層が200〜10000Å厚、好ましくは500〜3
000Å厚、更に好ましくは700〜2000Å厚で基板上に形成
されたものからなっている。本発明で用いられる基板は
通常、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂であり、樹
脂基板が成形性、コスト等の点で好適である。樹脂の代
表例としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−ス
チレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレ
ン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、
ウレタン樹脂等があげられるが、加工性、光学特性等の
点でポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好まし
い。又、基板の形状としてはディスク状、カード状ある
いはシート状であってもよい。According to the recording layer of the present invention, (1) the light absorption is increased, and the recording and erasing sensitivity is improved. (2) The optical contrast before and after the transition increases and C /
N is improved. (3) The erasing ratio during overwriting is dramatically improved. And so on. The optical information recording medium of the present invention basically has such a recording layer having a thickness of 200 to 10,000 mm, preferably 500 to 3
It has a thickness of 000 mm, more preferably 700 to 2000 mm, formed on a substrate. The substrate used in the present invention is usually glass, ceramics, or resin, and a resin substrate is suitable in terms of moldability, cost, and the like. Representative examples of the resin include polycarbonate resin, acrylic resin, epoxy resin, polystyrene resin, acrylonitrile-styrene copolymer resin, polyethylene resin, polypropylene resin, silicone resin, fluorine resin, ABS resin,
Examples thereof include urethane resins, and polycarbonate resins and acrylic resins are preferable in view of workability, optical characteristics, and the like. The shape of the substrate may be a disk shape, a card shape or a sheet shape.
【００１１】本発明の光情報記録媒体には、必要に応じ
て、耐熱保護層、表面保護層、反射層、放熱層、接着層
等の補助層が設けられてもよい。耐熱性保護層の材料と
しては、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2等の金属酸
化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの
窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4等の硫化物、Ｓｉ
Ｃ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化
物やダイヤモンド状カーボンあるいはそれらの混合物が
あげられる。必要に応じては、不純物を含んでいてもよ
い。このような耐熱性保護層は各種気相成膜法、例えば
真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光
ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法
等によって形成できる。The optical information recording medium of the present invention may be provided with auxiliary layers such as a heat-resistant protective layer, a surface protective layer, a reflective layer, a heat-radiating layer, and an adhesive layer, if necessary. Materials for the heat-resistant protective layer include SiO, SiO 2 , ZnO, SnO 2 , and Al.
Metal oxides such as 2 O 3 , TiO 2 , In 2 O 3 , MgO, ZrO 2 , nitrides such as Si 3 N 4 , AlN, TiN, BN, ZrN, ZnS, In 2 S 3 , TaS 4 and the like Sulfide, Si
Examples thereof include carbides such as C, TaC, B 4 C, WC, TiC, and ZrC, diamond-like carbon, and mixtures thereof. If necessary, impurities may be contained. Such a heat-resistant protective layer can be formed by various vapor phase film forming methods, for example, a vacuum evaporation method, a sputtering method, a plasma CVD method, a photo CVD method, an ion plating method, an electron beam evaporation method and the like.
【００１２】耐熱性保護層の膜厚としては200〜5000
Å、好適には500〜3000Åとするのがよい。200Åより薄
くなると耐熱性保護層としての機能を果たさなくなり、
逆に5000Åより厚くなると、感度低下をきたしたり、界
面剥離を生じやすくなる。又、必要に応じて保護層を多
層化することもできる。反射層と放熱層を兼ねるものと
して、Al、Auなどの薄膜（200〜2000Å厚くらい）が用
いられる。本発明における相変化材料は単層のみなら
ず、多層膜あるいは超微粒子状の相変化物質を耐熱性マ
トリックス中に分散せしめたようなものであってもよ
い。記録層の製膜法としては、前記気相成膜法以外にゾ
ル−ゲル法のような湿式プロセスも適用可能である。The thickness of the heat-resistant protective layer is 200 to 5000
Å, preferably 500-3000Å. If it is thinner than 200 mm, it will not function as a heat-resistant protective layer,
On the other hand, when the thickness is more than 5000 °, the sensitivity is lowered and interface peeling is liable to occur. Further, if necessary, the protective layer can be multi-layered. A thin film (about 200 to 2000 mm thick) of Al, Au, or the like is used as a material that functions as both the reflection layer and the heat radiation layer. The phase change material in the present invention is not limited to a single layer, but may be a multilayer film or an ultrafine particulate phase change material dispersed in a heat resistant matrix. As a method of forming the recording layer, a wet process such as a sol-gel method can be applied in addition to the vapor phase film forming method.
【００１３】気相成膜法の中では、膜の特性、成膜の容
易さ等の点で高周波（ｒｆ）スパッタ法が好適な方法で
ある。 ｒｆスパッタ法の代表的な記録層作製条件としては、 タ−ゲット：(AgSbTe2)(In1.5Sb3.5Te) スパッタ（反応）時圧力：0.5〜20Ｐａ ｒｆパワ−：20Ｗ〜1ＫＷ スパッタガス：Ａｒ＋（Ｏ2：膜中酸素量制御時） スパッタ時間：10秒〜20分 等が挙げられるが、製膜法及び条件については何ら限定
されるものではない。記録、再生及び消去に用いる電磁
波としては、レ−ザ−光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視
光線、赤外線、マイクロ波等種々のものが採用可能であ
るが、ドライブに取り付ける際、小型でコンパクトな半
導体レ−ザ−のビ−ムが最適である。Among the vapor deposition methods, a high frequency (rf) sputtering method is a preferable method in terms of film characteristics, ease of film formation, and the like. Typical recording layer preparation conditions of rf sputtering, data - target: (AgSbTe 2) (.. In 1 5 Sb 3 5 Te) sputtering (reactive) when the pressure: 0.5～20Pa rf power -: 20W～1KW Sputtering gas: Ar + (O 2 : when controlling the amount of oxygen in the film) Sputtering time: 10 seconds to 20 minutes, but the film forming method and conditions are not limited at all. Various types of electromagnetic waves such as laser light, electron beam, X-ray, ultraviolet ray, visible light, infrared ray, and microwave can be used for recording, reproducing, and erasing. A compact semiconductor laser beam is optimal.
【００１４】[0014]
【実施例】以下、実施例および比較例によって本発明を
具体的に説明する。 実施例１、比較例１及び２ ピッチ約1.6μm、深さ約700Åの溝付きで、厚さ1.2mmの
86mmφのポリカーボネート基板上にｒｆスパッタリング
法により下部（基板側）耐熱保護層、記録層、上部耐熱
保護層、反射層を順次積層し、３種類の評価用光ディス
クを作製した。各層に用いた材料と膜厚とを下記表１に
示した。なお共通して、下部耐熱保護層としてはSi3N4
（約2000Å厚）、上部耐熱保護層としてはSi3N4（約100
0Å厚）、反射層としてはAl(約500Å厚)とした。光ディ
スクの評価は830nmの半導体レーザー光をNA 0.5のレン
ズを通して記録層面で約1μmφのスポット径にしぼり込
み基板側から照射することにより行った。成膜後の記録
膜は非晶質であったが、測定に際し最初に記録層面で4
〜10mWのＤＣ光でディスク全面を十分に結晶化させ、そ
れを初期（未記録）状態とした。ディスクの線速度は7m
/secとした。記録の書き込み条件は、線速度7m/s、周波
数4MHz一定とし、レ−ザ−パワ−(Pw)を7〜14mWまで変
化させた。読み取りパワ−(Pr)は1.0mWとした。Ｃ／Ｎ
（キャリア対ノイズ比）値が飽和もしくは最大となった
時のレ−ザ−パワ−(Pw)と最適消去パワ−(Pe)、並び
に、得られたＣ／Ｎ値及び消去比をも併せて表１に示
す。The present invention will be specifically described below with reference to examples and comparative examples. Example 1, Comparative Examples 1 and 2 A groove having a pitch of about 1.6 μm and a depth of about 700 ° and a thickness of 1.2 mm
A lower (substrate-side) heat-resistant protective layer, a recording layer, an upper heat-resistant protective layer, and a reflective layer were sequentially laminated on an 86 mmφ polycarbonate substrate by rf sputtering to produce three types of optical discs for evaluation. The material and film thickness used for each layer are shown in Table 1 below. In common, the lower heat-resistant protective layer is Si 3 N 4
(Approximately 2000 mm thick) and Si 3 N 4 (approximately 100
0) and the reflective layer was Al (about 500). The evaluation of the optical disk was performed by irradiating the semiconductor laser light of 830 nm through the lens of NA 0.5 to a spot diameter of about 1 μmφ on the recording layer surface and irradiating from the substrate side. The recording film after film formation was amorphous.
The entire surface of the disk was sufficiently crystallized with DC light of 1010 mW, which was in an initial (unrecorded) state. The linear velocity of the disc is 7m
/ sec. The recording conditions were such that the linear velocity was 7 m / s and the frequency was constant at 4 MHz, and the laser power (Pw) was varied from 7 to 14 mW. The reading power (Pr) was 1.0 mW. C / N
(Carrier-to-noise ratio) The laser power (Pw) and the optimum erase power (Pe) when the value is saturated or maximum, and the obtained C / N value and erase ratio are also shown together. It is shown in Table 1.
【００１５】[0015]
【表１】 続いて、オ−バ−ライト特性を評価した。方法は２つの
書き込み周波数ｆ1＝４ＭＨｚ、ｆ2＝５ＭＨｚで交互に
オ−バ−ライトを実施した。また、オ−バ−ライト時の
書き込みパワ−(Pw)及び消去パワ−(Pe)はディスク７に
よって最適な値を選択した。その他の条件は書き込みテ
スト時と同様にした。表２にその結果を示す。[Table 1] Subsequently, overwrite characteristics were evaluated. In the method, overwriting was alternately performed at two writing frequencies f 1 = 4 MHz and f 2 = 5 MHz. The optimum values of the write power (Pw) and the erase power (Pe) during the overwrite were selected according to the disk 7. Other conditions were the same as in the writing test. Table 2 shows the results.
【００１６】[0016]
【表２】 [Table 2]
【００１７】また、オ−バ−ライトした記録層の記録
部、消去部のそれぞれに電子線回析を行ったところ、記
録部についてはアモルファス特有のブロ−ドなリングパ
タ−ンが観察された。これに対して消去部については記
録部と似たリングパタ−ンに加え、明確な回析斑点が見
られた。この回析斑点はＡｇＳｂＴｅ2の面間隔と一致
しており、消去時にＡｇＳｂＴｅ2が相分離しているこ
とが確認された。また記録部のリング径と消去部のリン
グ径とは異なっており、違ったアモルファス状態になっ
ていることがわかる。したがって、実施例１のディスク
では本発明の特徴である アモルファス←→ＡｇＳｂＴｅ2＋アモルファス (Ag-In-Te-Sb) (In-Te-Sb) なる相分離が記録←→消去でおこっていることがわか
る。When electron beam diffraction was performed on each of the recorded portion and the erased portion of the overwritten recording layer, a broad ring pattern peculiar to amorphous was observed in the recorded portion. On the other hand, in the erased portion, in addition to the ring pattern similar to the recording portion, clear diffraction spots were observed. The diffraction spots coincided with the interplanar spacing of AgSbTe 2 , and it was confirmed that AgSbTe 2 was phase-separated during erasing. Further, the ring diameter of the recording portion and the ring diameter of the erasing portion are different from each other, and it can be seen that they are in different amorphous states. Therefore, in the disk of Example 1, the phase separation of amorphous ← → AgSbTe 2 + amorphous (Ag-In-Te-Sb) (In-Te-Sb), which is a feature of the present invention, occurs during recording ← → erasing. I understand.
【００１８】[0018]
【発明の効果】実施例の記載からも明らかなように、本
発明は相変化型光記録媒体として優れた性能を有し、特
にオ−バ−ライト時の消去比が飛躍的に向上しており、
更に、記録感度の点で高感度化が達成される。As is clear from the description of the embodiments, the present invention has excellent performance as a phase change type optical recording medium, and particularly, the erasing ratio during overwrite is dramatically improved. Yes,
Further, higher sensitivity is achieved in terms of recording sensitivity.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコ−内 (56)参考文献 特開 平３−16783（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−251332（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41M 5/26 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Hiroko Iwasaki 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Ricoh Co., Ltd. (56) References JP-A-3-16783 (JP, A) JP Hei 1-251332 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) B41M 5/26
Claims (1)
記録層がＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅと共に、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅの
少なくとも一種を含有し、記録時に一様なアモルファス
層を形成し、消去時にＡｇＳｂＴｅ2相が相分離して結
晶化することを特徴とする光情報記録媒体。1. A are recording layer is formed on the substrate, the recording layer is Ag, Sb, with Te, an In, Ge, and Se
An optical information recording medium containing at least one kind , wherein a uniform amorphous layer is formed at the time of recording, and the AgSbTe 2 phase is separated and crystallized at the time of erasing.
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