JPH0529167A

JPH0529167A - 変流装置

Info

Publication number: JPH0529167A
Application number: JP3206250A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Numakura; 弘沼倉; Seiichi Hamazaki; 誠一浜崎
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1991-07-24
Filing date: 1991-07-24
Publication date: 1993-02-05

Abstract

(57)【要約】【目的】高精度の変流装置を得る。【構成】磁路体２の透磁率が最大透磁率μ_mになるよ
うに電源５と抵抗６とからなる電流流入手段にて巻線３
にバイアス磁界用直流電流Ｉ_Bが流されている。この
時、検出抵抗４に電流Ｉ_Cが流れ、検出抵抗４の両端間
にはバイアス電圧が生じている。この状態において、被
検出体１に被検出電流Ｉ₁が流れると、電磁誘導の原理
に基づいて巻線３に被検出電流Ｉ₁を検出電流Ｉ₂が流れ
る。この検出電流Ｉ₂は結合係数Ｋが高くかつ略一定の
範囲が広くされているので、精度の高い検出電流Ｉ₂が
得られている。検出電流Ｉ₂が巻線３に流れると、この
検出電流Ｉ₂は検出抵抗４に流れ、検出抵抗４の両端に
は検出電圧Ｅ_bが現れる。この検出電圧Ｅ_bは出力回路７
に入力されて処理され、バイアス電圧が消去された出力
電圧Ｅが出力されることになる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、被検出電流が流れる
被検出体と鎖交する磁路体に巻回された巻線によって被
検出電流を変流して検出電流として取り出す変流装置に
関するものであり、例えば、変成器、電力量計あるいは
交流電流センサなどに用いられるものである。

【０００２】

【従来の技術】図１２は、例えば「センサ・インターフ
ェーシングＮｏ．３」（ＣＱ出版株式会社発行、昭和６
２年２月１０日第６版発行）のＰ．Ｐ．１１１〜１１７
に示された従来の変流装置であり、図１２において、１
は被検出電流Ｉ₁が流れる導体（電線）からなる被検出
体、２はこの被検出体と鎖交する鉄心からなる磁路体
で、上記被検出体１を取り囲んでいるものである。３は
上記磁路体１に巻回され、上記被検出体１に流れる被検
出電流を変流した検出電流１₂が流れる巻線で、券回数
Ｎ₂で券回されているものである。４はこの巻線の両端
間に接続され、上記巻線３に流れる検出電流Ｉ₂を出力
電圧Ｅに変換するための抵抗値Ｒを持った検出抵抗であ
る。

【０００３】次に、このように構成された従来の変流装
置の動作について説明する。まず、被検出体１に被検出
電流１₁が流れると、電磁誘導の原理に基づいて巻線３
に被検出電流Ｉ₁を変流した検出電流Ｉ₂が流れる。この
検出電流Ｉ₂は次の数１によって表される。

【０００４】

【数１】

【０００５】上記数１において、Ｋは結合係数、Ｎ₁は
被検出体１の券回数であり、この従来例では導体である
ので１である。上記数１によって示された検出電流Ｉ₂
が巻線に流れると、この検出電流Ｉ₂は検出抵抗４に流
れ、検出抵抗４の両端には出力電圧Ｅ（＝Ｒ×Ｉ₂）が
現れることになる。従って、検出抵抗４の抵抗値Ｒを適
当に選択することにより、所望の出力電圧Ｅの値を得る
ことが出きるものである。

【０００６】ところで、被検出体１に流れる被検出電流
Ｉ₁に対する出力電圧Ｅの関係は図１３に示す関係にな
っているものである。つまり、被検出体１に流れる被検
出電流Ｉ₁は次の数２によって表される。

【０００７】

【数２】

【０００８】この数２における結合係数Ｋは、被検出体
１に流れる被検出電流Ｉ₁の電流値によって一定ではな
く、図１４に示すように、被検出電流Ｉ₁がある値より
小さいときは、被検出電流Ｉ₁の増加とともに比例して
増加し、ある値より大きくなると徐々に増加し、ある値
を越えると減少するという傾向を持っているものであ
る。従って、被検出電流Ｉ₁を変流した検出電流Ｉ₂は数
１からも判るように被検出電流Ｉ₁に比例した電流にな
らず、出力電圧Ｅも図１３に示すように被検出電流Ｉ₁
に比例した電圧にならないものである。

【０００９】ここで、さらに、この結合係数Ｋが被検出
体１に流れる被検出電流Ｉ₁の電流値によって一定にな
らない点について図１５を用いて詳細に説明する。この
図１５における被検出体１（一次巻線）と巻線３（二次
巻線）との結合係数Ｋは次の数３によって表される。

【００１０】

【数３】

【００１１】この数３において、Ｌ₁は被検出体１の自
己インダクタンス、Ｌ₂は巻線３の自己インダクタン
ス、Ｍは被検出体１と巻線３との相互コンダクダンスで
ある。そして、被検出体１の自己インダクタンスＬ₁、
巻線３の自己インダクタンスＬ₂及び被検出体１と巻線
３との相互コンダクダンスＭは次の数４によって表され
る。

【００１２】

【数４】

【００１３】この数４において、Ｎ₁は被検出体１の巻
回数、Ｎ₂は巻線３の巻回数、Φは被検出体１と巻線３
との相互磁束（主磁束）、Φ₁は被検出体１の漏れ磁
束、Φ₂は巻線３の漏れ磁束である。この数４を数３に
代入して結合係数Ｋを求めると、次の数５になる。

【００１４】

【数５】

【００１５】この数５から判るように、結合係数Ｋを理
想状態である１にするには、被検出体１の漏れ磁束Φ₁
及び巻線３の漏れ磁束Φ₂を零にすれば良いが、現実的
には不可能なものである。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の変流装
置にあっては、上記で述べたように結合係数Ｋが一定で
ないため、特に、磁路体２を安価な硅素鋼板で形成した
場合、透磁率μが低いため、被検出体１の漏れ磁束Φ₁
及び巻線３の漏れ磁束Φ₂が大きく、結合係数Ｋが低く
なり、被検出体１の被検出電流Ｉ₁を変流した巻線３の
検出電流Ｉ₂の精度が悪いという問題点を有していた。

【００１７】また、結合係数Ｋを高める方法として、磁
路体２を透磁率μの高い材料、例えば、パーマロイを用
いて被検出体１と巻線３との相互磁束Φを増加させると
ともに被検出体１の漏れ磁束Φ₁及び巻線３の漏れ磁束
Φ₂を減少させることが考えられる。しかるに、磁路体
２として透磁率μの高いパーマロイなどを用いると高価
格になってしまうという問題点を有することになってし
まう。

【００１８】この発明は、上記した点に鑑みてなされた
ものであり、例え、低価格の透磁率の低い材料のものを
磁路体に用いたとしても、高精度の変流装置を得ること
を目的としているものである。また、透磁率の高い材料
のものを磁路体に用いた場合には、さらに高精度の変流
装置を得ることを目的としているものである。さらに、
精度を同じにした場合には大きな出力電圧が得られる変
流装置を得ることを目的としているものである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】この発明の第１の発明に
係わる変流装置は、被検出電流が流れる導体または巻線
からなる被検出体と鎖交する磁路体と、この磁路体に巻
回され検出電流が流れる巻線と、磁路体に一定の磁束を
付与する磁束付与手段とを設けたものである。

【００２０】この発明の第２の発明に係わる変流装置
は、被検出電流が流れる被検出体と鎖交する磁路体と、
この磁路体に巻回され検出電流が流れる巻線と、この巻
線に一定の直流電流を流す電流流入手段とを設けたもの
である。

【００２１】この発明の第３の発明に係わる変流装置
は、被検出電流が流れる被検出体と鎖交する磁路体と、
この磁路体に巻回され検出電流が流れる巻線と、磁路体
と鎖交し、一定の直流電流が流される巻線または導体か
らなる電流流入体とを設けたものである。

【００２２】この発明の第４の発明に係わる変流装置
は、被検出電流が流れる被検出体と鎖交する磁路体と、
この磁路体に巻回され検出電流が流れる巻線と、磁路体
に取り付けられた永久磁石とを設けたものである。

【００２３】この発明の第５の発明に係わる変流装置
は、被検出電流が流れる被検出体と鎖交する磁路体と、
この磁路体に巻回され検出電流が流れる巻線と、磁路体
の透磁率を増大させる透磁率増加手段とを設けたもので
ある。

【００２４】

【作用】この発明の第１の発明にあっては、磁束付与手
段が、磁路体に一定の磁束を生じさせるバイアス磁界を
加え、磁路体の透磁率を増加させて、被検出体と巻線と
の結合係数を増加せしめる。

【００２５】この発明の第２の発明にあっては、電流流
入手段が、巻線に一定電流を流して磁路体に一定の磁束
を生じさせ、磁路体の透磁率を増加させて、被検出体と
巻線との結合係数を増加せしめる。

【００２６】この発明の第３の発明にあっては、電流流
入体が、一定の直流電流を流されることによって磁路体
に一定の磁束を生じさせ、磁路体の透磁率を増加させ
て、被検出体と巻線との結合係数を増加せしめる。

【００２７】この発明の第４の発明にあっては、永久磁
石が磁路体に一定の磁束を生じさせ、磁路体の透磁率を
増加させて、被検出体と巻線との結合係数を増加せしめ
る。

【００２８】この発明の第５の発明にあっては、透磁率
増加手段が、磁路体の透磁率を増加させて、被検出体と
巻線との結合係数を増加せしめる。

【００２９】

【実施例】実施例１．以下に、この発明の実施例１を図
１に基づいて説明すると、図１において、上記図１２に
示した従来例と同一符号は同一または相当部分を示して
いるものであり、５は直流電圧Ｖを発生する直流バイア
ス磁界印加用の電源で、マイナス側端子が巻線３の一端
に接続されている。６はこの電源のプラス側端子と巻線
３の他端との間に接続された直流バイアス磁界設定用の
抵抗で、抵抗値Ｒｂを有している。そして、これら電源
５と抵抗６とによって巻線３に一定の直流電流Ｉ_Bを流
す電流流入手段を構成しているものであり、磁路体２に
一定の磁束（Ｉ_B×Ｎ₂…直流バイアス磁界）を付与する
磁束付与手段として機能するとともに、磁路体２の透磁
体２の透磁率を増大させる透磁率増加手段として機能す
るものである。

【００３０】７は検出抵抗４によって検出された検出電
圧Ｅ_bの信号を処理して出力電圧Ｅを出力する出力回路
で、この実施例１にあっては巻線３の他端と一方の出力
端との間に接続されたコンデンサ７ａと、このコンデン
サ７ａの他方の電極と巻線３の一端との間に接続された
抵抗７ｂとからなるバイパスフィルタによって構成され
ているものである。

【００３１】次に、この様に構成された変流装置におい
て、電流流入手段を設けたことにより、磁路体２の透磁
率が増加し、被検出体１と巻線３との結合係数が向上す
ることについて説明する。図２は磁路体における磁化力
Ｈ（直流バイアス磁界）に対する透磁率μとの関係を示
す図である。この図２から判るように磁化力Ｈが０（ａ
点、上記従来例に相当）の時の透磁率μ_iに対して電源
５と抵抗６とからなる電流流入手段によって巻線３に電
流Ｉ_Bを流すことにより、磁路体２の磁化力Ｈを増加さ
せると、磁路体２の透磁率が上昇しているものである。

【００３２】電源５と抵抗６とからなる電流流入手段に
よって巻線３に流すバイアス磁界用電流Ｉ_Bと巻線３の
券回数Ｎ₂を適当に選択することによって磁路体２のバ
イアス磁化力Ｈを図示ｂ点に設定すると、磁路体２の透
磁率を最大透磁率μ_mにすることができる。したがっ
て、この実施例１のものにあっては、最大透磁率μ_mに
なるように設定されている。ただし、この最大透磁率μ
_mになる磁化力であるｂ点未満であっても良く、また、
ｂ点を越えたものであっても良い。しかし、ｂ点を越え
ると透磁率が磁化力０の時より高いものの急激に低下す
るため、動作の安定性、信頼性の点で問題が生じるので
好ましくはない。

【００３３】そして、磁路体２の透磁率を最大透磁率μ
_mとした場合、被検出体１における被検出電流Ｉ₁に対す
る被検出体１と巻線３との結合係数Ｋの関係は図３に示
すようになる。この図３から判るように、従来例のもの
の図１４に示したものに対して全体的に結合係数がかた
くなており、しかも、略一定の範囲が広くなっているも
のである。

【００３４】次に、この実施例１のものの動作について
説明する。まず、磁路体２の透磁率が最大透磁率μ_mに
なるように電源５と抵抗６とからなる電流流入手段によ
って巻線３にバイアス磁界用直流電流Ｉ_Bが流れるよう
にされている。この時、電源５から抵抗６に電流Ｉ_Aが
流れ、検出抵抗４に電流Ｉ_C（＝Ｉ_A−Ｉ_B）が流れ、検
出抵抗４の両端間には図４に示すようにバイアス電圧
（＝Ｉ_C×Ｒ）が生じている。

【００３５】この状態において、被検出体１に図５に示
す被検出電流Ｉ₁が流れると、電磁誘導の原理に基づい
て巻線３に被検出電流Ｉ₁を変流した検出電流Ｉ₂が流れ
る。この検出電流Ｉ₂は上記数１によって表される。こ
の実施例１においては結合係数Ｋが図３に示すように高
くかつ略一定の範囲が広いので、精度の高い検出電流Ｉ
₂が得られているものである。上記数１によって示され
た検出電流Ｉ₂が巻線３に流れると、この検出電流Ｉ₂は
検出抵抗４に流れ、検出抵抗４の両端には図６に示すよ
うに検出電圧Ｅ_b（＝Ｒ×Ｉ₂＋Ｒ×Ｉ_C）が現れること
になる。

【００３６】この検出電圧Ｅ_bは出力回路７に入力され
て処理され、図７に示すようなバイアス電圧が消去され
た出力電圧Ｅが出力されることになるものである。そし
て、被検出体１に流れる被検出電流Ｉ₁に対する出力電
圧Ｅの関係は図８に示す関係になっているものである。
この図８から判るように、被検出電流Ｉ₁に対する出力
電圧Ｅが従来例のものを示した図１３に比べて全体的に
高い電圧が得られ、しかも、検出抵抗４の抵抗値Ｒが５
ＫΩまでは直線部分、つまり比例関係になっている部分
が広範囲にわたっているものである。従って、上記に示
した実施例１のものにあっては簡単な回路を付加するだ
けで精度の高い変流装置が得られているものである。

【００３７】実施例２．図９はこの発明の実施例２を示
すものであり、上記実施例１のものが電流流入手段を電
源５と抵抗６によって構成したものであるのに対して、
マイナス側端子が巻線３の一端に接続された直流電圧Ｖ
_Bを発生する直流バイアス磁界印加用の電源８と、この
電源８のプラス側端子に非反転入力端が接続されるとと
もに反転入力端が巻線３の他端に接続される演算増幅器
９と、この演算増幅器９の反転入力端と出力端との間に
接続される抵抗１０とによって構成される電流ー電圧変
換回路によって構成したものであり、演算増幅器９の出
力端に検出電圧Ｅ_bが得られ、この検出電圧Ｅ_bが出力回
路７によって処理され、出力電圧Ｅが出力されるもので
ある。この実施例２のものにあっても上記した実施例１
のものと同様な効果を奏するものである。

【００３８】実施例３．図１０はこの発明の実施例３を
示すものであり、図１０において図１に示した実施例１
のものと同一符号は同一または相当部分を示しているも
のであり、１１は直流電圧Ｖを発生する直流バイアス磁
界印加用の電源、１２はこの電源のプラス側端子に一端
が接続された直流バイアス磁界設定用の抵抗で、抵抗値
Ｒｂを有している。１３は磁路体２と鎖交し、上記電源
１１及び抵抗１２によって一定の直流電流が流される電
流流入体で、この実施例３においては、磁路体２に券回
され、一端が上記抵抗１２の他端に接続されるとともに
他端が上記電源１１のマイナス側端子に接続される巻線
によって構成されているものである。

【００３９】そして、これら電源１１と抵抗１２と電流
流入体１３とによって磁路体２に一定の磁束（Ｉ_B×Ｎ₂
…直流バイアス磁界）を付与する磁束付与手段として機
能するとともに、磁路体２の透磁率を増大させる透磁率
増加手段として機能するものである。

【００４０】この実施例３のものにあっても、上記した
実施例１のものと同様な効果を奏する他、実施例１のも
ののように出力回路７を設けなくても良いという効果を
も奏するものである。なお、この実施例３のものにあっ
ては、電流流入体１３として巻線を用いたものを示した
が、これに限られるものではなく、磁路体２と鎖交した
ものであれば良く、例えば電線のような導体であっても
良いものである。また、この実施例３のものにあって
は、電流流入体１３に電流を流入するために電源１１を
設けているが、この電源１１は、特に、設ける必要がな
く、変流装置に流入する電流あるいは他の電子回路に流
入する電流を電流流入体１３に流入させるようにしても
良いものである。

【００４１】実施例４．図１１はこの発明の実施例４を
示すものであり、図１１において図１に示した実施例１
のものと同一符号は同一または相当部分を示しているも
のであり、２は被検出体１と鎖交する鉄心からなる磁路
体で、被検出体１を取り囲み、一部に切り欠き部が形成
されているものである。１４は磁路体２の切り欠き部に
配設された永久磁石で、磁路体２に一定の磁束（直流バ
イアス磁界）を付与する磁束付与手段として機能すると
ともに、磁路体２の透磁率率を増大させる透磁率増加手
段として機能するものである。

【００４２】この実施例４のものにあっても、上記した
実施例１のものと同様な効果を奏する他、実施例１のも
ののように出力回路７を設けなくても良く、さらに、上
記実施例１及び実施例２のように磁路体２に一定の磁束
を付与するために電流を流す必要がないため省電力化が
図れるという効果をも奏するものである。

【００４３】なお、上記実施例４に示す永久磁石１４を
磁路体２に設けたものを、上記実施例１ないし３に示し
たものの磁路体２に置き換えて相乗効果を得るようにし
ても良いものである。また、上記実施例１ないし４に示
したものにあって、被検出体１として電線のような導体
を用いたものとしたがこれに限られるものではなく、巻
線であっても良いものである。さらに、上記実施例１な
いし４のものにおける磁路体２は硅素鋼板でも良く、ま
た、パーマロイのように高透磁率のものであっても良い
ものである。

【００４４】

【発明の効果】この発明の第１の発明は、以上に述べた
ように、被検出電流が流れる導体または巻線からなる被
検出体と鎖交する磁路体と、この磁路体に巻回され検出
電流が流れる巻線と、磁路体に一定の磁束を付与する磁
束付与手段とを設けたので、磁路体の透磁率が高めら
れ、被検出体と巻線との結合係数が改善されて高精度の
変流装置が得られるという効果を有するものである。

【００４５】この発明の第２の発明は、被検出電流が流
れる被検出体と鎖交する磁路体と、この磁路体に巻回さ
れ、検出電流が流れる巻線と、この巻線に一定の直流電
流を流す電流流入手段とを設けたので、磁路体に一定の
磁束が付与され、磁路体の透磁率が高められ、被検出体
と巻線との結合係数が改善されて高精度の変流装置が得
られるという効果を有するものである。

【００４６】この発明の第３の発明は、被検出電流が流
れる被検出体と鎖交する磁路体と、この磁路体に巻回さ
れ、検出電流我流れる巻線と、磁路体と鎖交し、一定の
直流電流が流される巻線または導体からなる電流流入体
とを設けたので、磁路体に一定の磁束が付与され、磁路
体の透磁率が高められ、被検出体と巻線との結合係数が
改善されて高精度の変流装置が得られるという効果を有
するものである。

【００４７】この発明の第４の発明は、被検出電流が流
れる被検出体と鎖交磁路体と、この磁路体に巻回され、
検出電流が流れる巻線と、磁路体に取り付けられた永久
磁石とを設けたので、省電力の元に、磁路体に一定の磁
束が付与され、磁路体の透磁率が高められ、被検出体と
巻線との結合係数が改善されて高精度の変流装置が得ら
れるという効果を有するものである。

【００４８】この発明の第５の発明は、被検出電流が流
れる被検出体と鎖交する磁路体と、この磁路体に巻回さ
れ、検出電流が流れる巻線と、磁路体の透磁率を増大さ
せる透磁率増加手段とを設けたので、被検出体と巻線と
の結合係数が改善されて高精度の変流装置が得られると
いう効果を有するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１を示す構成図。

【図２】この発明の実施例における磁路体２における磁
化力に対する透磁率の関係を示す図。

【図３】この発明の実施例における被検出体１の被検出
電流に対する被検出体１と巻線３との結合係数の関係を
示す図。

【図４】この発明の実施例１おけるバイアス電圧を示す
図。

【図５】この発明に実施例１における被検出体１に流れ
る被検出電流を示す図。

【図６】この発明の実施例１における検出電圧を示す
図。

【図７】この発明に実施例１における検出電圧を示す
図。

【図８】この発明の実施例における被検出電流に対する
出力電圧の関係を示す図。

【図９】この発明の実施例２を示す構成図。

【図１０】この発明の実施例３を示す構成図。

【図１１】この発明の実施例４を示す構成図。

【図１２】従来の変流装置を示す構成図。

【図１３】従来の変流装置における被検出電流に対する
出力電圧の関係を示す図。

【図１４】従来の変流装置における被検出体１の被検出
電流に対する被検出体１と巻線３との結合係数の関係を
示す図。

【図１５】従来の変流装置における磁路体２の透磁率と
被検出体１と巻線３との結合係数との関係を説明するた
めの概念図。

【符号の説明】

１被検出体２磁路体３巻線５電流流入手段を構成する電源６電流流入手段を構成する抵抗８電流流入手段を構成する電源９電流流入手段を構成する演算増幅器１０電流流入手段を構成する抵抗１３電流流入体１４永久磁石

【手続補正書】

【提出日】平成３年１１月２０日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００２

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００２】

【従来の技術】図１２は、例えば「センサ・インターフ
ェーシングＮｏ．３」（ＣＱ出版株式会社発行、昭和６
２年２月１０日第６版発行）のｐｐ．１１１〜１１７に
示された従来の変流装置であり、図１２において、１は
被検出電流Ｉ₁が流れる導体（電線）からなる被検出
体、２はこの被検出体と鎖交する鉄心からなる磁路体
で、上記被検出体１を取り囲んでいるものである。３は
上記磁路体１に巻回され、上記被検出体１に流れる被検
出電流を変流した検出電流Ｉ₂ が流れる巻線で、巻回数
Ｎ₂で巻回されているものである。４はこの巻線の両端
間に接続され、上記巻線３に流れる検出電流Ｉ₂を出力
電圧Ｅに変換するための抵抗値Ｒを持った検出抵抗であ
る。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００３

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００３】次に、このように構成された従来の変流装
置の動作について説明する。まず、被検出体１に被検出
電流Ｉ₁ が流れると、電磁誘導の原理に基づいて巻線３
に被検出電流Ｉ₁を変流した検出電流Ｉ₂が流れる。この
検出電流Ｉ₂は次の数１によって表される。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００５

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００５】上記数１において、Ｋは結合係数、Ｎ₁は
被検出体１の巻回数であり、この従来例では導体である
ので１である。上記数１によって示された検出電流Ｉ₂
が巻線に流れると、この検出電流Ｉ₂は検出抵抗４に流
れ、検出抵抗４の両端には出力電圧Ｅ（＝Ｒ×Ｉ₂）が
現れることになる。従って、検出抵抗４の抵抗値Ｒを適
当に選択することにより、所望の出力電圧Ｅの値を得る
ことが出きるものである。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被検出電流が流れる導体または巻線から
なる被検出体と鎖交する磁路体、この磁路体に巻回され
検出電流が流れる巻線、上記磁路体に一定の磁束を付与
する磁束付与手段を備えた変流装置。
【請求項２】被検出電流が流れる被検出体と鎖交する
磁路体、この磁路体に巻回され検出電流が流れる巻線、
この巻線に一定の直流電流を流す電流流入手段を備えた
変流装置。
【請求項３】被検出電流が流れる被検出体と鎖交する
磁路体、この磁路体に巻回され検出電流が流れる巻線、
上記磁路体と鎖交し、一定の直流電流が流れる巻線また
は導体からなる電流流入体を備えた変流装置。
【請求項４】被検出電流が流れる被検出体と鎖交する
磁路体、この磁路体に巻回され検出電流が流れる巻線、
上記磁路体に取り付けられた永久磁石を備えた変流装
置。
【請求項５】被検出電流が流れる被検出体と鎖交する
磁路体、この磁路体に巻回され検出電流が流れる巻線、
上記磁路体の透磁率を増大させる透磁率増加手段を備え
た変流装置。