JPH05289313A - ガラスマスク - Google Patents
ガラスマスクInfo
- Publication number
- JPH05289313A JPH05289313A JP9545192A JP9545192A JPH05289313A JP H05289313 A JPH05289313 A JP H05289313A JP 9545192 A JP9545192 A JP 9545192A JP 9545192 A JP9545192 A JP 9545192A JP H05289313 A JPH05289313 A JP H05289313A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass mask
- transparent conductive
- glass
- conductive film
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ホコリの付着を防止するとともにパターンの
静電破壊を防止することができるガラスマスクを提供す
る。 【構成】 ガラス基板１の少なくとも一方の面に透明導
電膜３が形成されてなるガラスマスク。
静電破壊を防止することができるガラスマスクを提供す
る。 【構成】 ガラス基板１の少なくとも一方の面に透明導
電膜３が形成されてなるガラスマスク。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置を製造する際
のホトリソグラフィ工程などに使用するガラスマスクに
関する。さらに詳しくは、ガラスマスクの製造時または
使用時にガラスマスクにホコリが付着することがなく、
製品の歩留りを向上させることができるとともに、パタ
ーンの静電破壊を防止することができるガラスマスクに
関する。
のホトリソグラフィ工程などに使用するガラスマスクに
関する。さらに詳しくは、ガラスマスクの製造時または
使用時にガラスマスクにホコリが付着することがなく、
製品の歩留りを向上させることができるとともに、パタ
ーンの静電破壊を防止することができるガラスマスクに
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩのパターンをシリコンウエ
ハに形成するためにガラスマスクが用いられているが、
このガラスマスクにホコリやゴミ（以下、ホコリで代表
させる）が付着すると、ピンホールやパターンくずれな
どのパターン欠陥が発生し、不良品ができてしまう。こ
のため、従来より、ガラスマスク上のホコリを取り去る
方法として、純水、イソプロピルアルコールなどの液体
でガラスマスクを洗浄する方法、チッ素などの気体を用
いてガラスマスク上のホコリを吹き飛ばす方法、または
ガラスマスクの片面もしくは両面にペリクルと呼ばれる
フィルムをガラスマスクに密着してもしくはガラスマス
ク表面から一定間隔をあけて貼り付ける方法が採用され
ている。
ハに形成するためにガラスマスクが用いられているが、
このガラスマスクにホコリやゴミ（以下、ホコリで代表
させる）が付着すると、ピンホールやパターンくずれな
どのパターン欠陥が発生し、不良品ができてしまう。こ
のため、従来より、ガラスマスク上のホコリを取り去る
方法として、純水、イソプロピルアルコールなどの液体
でガラスマスクを洗浄する方法、チッ素などの気体を用
いてガラスマスク上のホコリを吹き飛ばす方法、または
ガラスマスクの片面もしくは両面にペリクルと呼ばれる
フィルムをガラスマスクに密着してもしくはガラスマス
ク表面から一定間隔をあけて貼り付ける方法が採用され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、洗浄液
や気体を用いる方法は、洗浄によって一時的にホコリを
除去することはできるが、その後に新たに付着するホコ
リに対しては何の効力もない。そして、これを防止する
ため、ガラスマスクを製造および使用する環境は、マス
ク上に描かれたパターンに応じて高水準のクリーン度が
要求され、そのため環境維持にコストがかかりすぎると
いう問題がある。
や気体を用いる方法は、洗浄によって一時的にホコリを
除去することはできるが、その後に新たに付着するホコ
リに対しては何の効力もない。そして、これを防止する
ため、ガラスマスクを製造および使用する環境は、マス
ク上に描かれたパターンに応じて高水準のクリーン度が
要求され、そのため環境維持にコストがかかりすぎると
いう問題がある。
【０００４】一方、ペリクルを用いる方法は、材料費を
はじめとして製造費および検査費がかさみ、コストアッ
プの要因となっている。
はじめとして製造費および検査費がかさみ、コストアッ
プの要因となっている。
【０００５】さらに、ガラスマスクにおいてはマスクに
静電気が帯電し、隣接するパターン間でショートが発生
し、マスクが破壊されてしまう静電破壊という現象が発
生することがあるが、前述した方法ではいずれもこの静
電破壊を効果的に防止することができない。
静電気が帯電し、隣接するパターン間でショートが発生
し、マスクが破壊されてしまう静電破壊という現象が発
生することがあるが、前述した方法ではいずれもこの静
電破壊を効果的に防止することができない。
【０００６】本発明は、叙上の事情に鑑み、前記従来技
術の有する欠点が解消されたガラスマスクを提供するこ
とを目的とする。すなわち、本発明の目的は、ガラスマ
スクにホコリが付着するのを防ぐとともに、ガラスマス
ク製造時および使用時の静電破壊を防止することができ
るガラスマスクを提供することを目的とする。
術の有する欠点が解消されたガラスマスクを提供するこ
とを目的とする。すなわち、本発明の目的は、ガラスマ
スクにホコリが付着するのを防ぐとともに、ガラスマス
ク製造時および使用時の静電破壊を防止することができ
るガラスマスクを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のガラスマスク
は、少なくとも一方の面に透明導電膜が形成されてなる
ことを特徴としている。
は、少なくとも一方の面に透明導電膜が形成されてなる
ことを特徴としている。
【０００８】
【作用】本発明のガラスマスクにおいては、その表面に
導電性コーティング液が塗布されて透明導電膜が形成さ
れており、静電気が帯電しないので、ホコリがマスク上
に吸い寄せられることがない。また、ガラスマスクに形
成されたパターンに静電気が帯電しないため、パターン
間でのショートは発生せず、静電破壊が起らない。しか
も導電膜は透明であるため、露光の際のパターンには何
ら悪影響を及ぼさない。
導電性コーティング液が塗布されて透明導電膜が形成さ
れており、静電気が帯電しないので、ホコリがマスク上
に吸い寄せられることがない。また、ガラスマスクに形
成されたパターンに静電気が帯電しないため、パターン
間でのショートは発生せず、静電破壊が起らない。しか
も導電膜は透明であるため、露光の際のパターンには何
ら悪影響を及ぼさない。
【０００９】
【実施例】つぎに添付図面に基づき本発明のガラスマス
クを詳細に説明する。
クを詳細に説明する。
【００１０】図１〜４は本発明の一実施例にかかわるガ
ラスマスクの製造工程説明図、図５〜８は本発明の他の
実施例にかかわるガラスマスクの製造工程説明図であ
る。
ラスマスクの製造工程説明図、図５〜８は本発明の他の
実施例にかかわるガラスマスクの製造工程説明図であ
る。
【００１１】図４は本発明の一実施例にかかわるガラス
マスクを表わしており、該ガラスマスクは、ガラス基板
１上にパターンを形成する金属膜２を設け、さらにその
上に透明導電膜３を設けた構成となっている。
マスクを表わしており、該ガラスマスクは、ガラス基板
１上にパターンを形成する金属膜２を設け、さらにその
上に透明導電膜３を設けた構成となっている。
【００１２】金属膜２は、本発明においてとくに限定さ
れないが、クロム単層構造またはクロム／酸化クロムの
２層構造からなるものを代表例としてあげることができ
る。金属膜２は、印刷法や真空蒸着、スパッタリングな
ど通常の方法によりガラス基板１上に形成することがで
きる。
れないが、クロム単層構造またはクロム／酸化クロムの
２層構造からなるものを代表例としてあげることができ
る。金属膜２は、印刷法や真空蒸着、スパッタリングな
ど通常の方法によりガラス基板１上に形成することがで
きる。
【００１３】透明透電膜３は、アンチモン含有酸化スズ
（ＡＴＯ）、スズ含有酸化インジウム（ＩＴＯ）などの
微粒子を含む導電性のコーティング液をスピンコートや
スプレー法などによりガラス基板１上に塗布し、乾燥さ
せることにより形成することができる。透明導電膜３の
膜厚は、ホトリソグラフィ工程からは正確なパターン形
成のため、薄いほど好ましいが、静電気が帯電しないよ
うに導電性をもたせることが目的であり、通常は数μｍ
から数十μｍの範囲である。
（ＡＴＯ）、スズ含有酸化インジウム（ＩＴＯ）などの
微粒子を含む導電性のコーティング液をスピンコートや
スプレー法などによりガラス基板１上に塗布し、乾燥さ
せることにより形成することができる。透明導電膜３の
膜厚は、ホトリソグラフィ工程からは正確なパターン形
成のため、薄いほど好ましいが、静電気が帯電しないよ
うに導電性をもたせることが目的であり、通常は数μｍ
から数十μｍの範囲である。
【００１４】この被膜厚さは溶媒の量により調整するこ
とができ、細かいパターンを形成するばあいには、でき
るだけ薄く形成することが好ましい。
とができ、細かいパターンを形成するばあいには、でき
るだけ薄く形成することが好ましい。
【００１５】透明導電膜３は、パターンが形成される側
だけに形成してもよいし、図４に示されるようにガラス
基板１の両面に形成するようにしてもよい。ガラス基板
の両面に透明導電膜を形成すると、片面だけに形成する
ばあいに比べ、両面共導電性を有し、いずれの面にもホ
コリが付着しにくいという効果がある。
だけに形成してもよいし、図４に示されるようにガラス
基板１の両面に形成するようにしてもよい。ガラス基板
の両面に透明導電膜を形成すると、片面だけに形成する
ばあいに比べ、両面共導電性を有し、いずれの面にもホ
コリが付着しにくいという効果がある。
【００１６】このガラスマスクの製法は、まず図１に示
すようにガラス基板１が準備され、形成されるべきパタ
ーン２が印刷法などによりガラス基板１の一面に形成さ
れる（図２参照）。つぎに、ガラス基板を回転させなが
ら、導電性コーティング液が滴下されることにより0.5
〜５μｍの厚さにスピンコートされ、50〜120 ℃、約30
分間の乾燥により、0.5 〜５μｍ厚の透明導電膜３が形
成される（図３参照）。同様にガラス基板１の裏面にも
透明導電膜３が形成される（図４参照）。
すようにガラス基板１が準備され、形成されるべきパタ
ーン２が印刷法などによりガラス基板１の一面に形成さ
れる（図２参照）。つぎに、ガラス基板を回転させなが
ら、導電性コーティング液が滴下されることにより0.5
〜５μｍの厚さにスピンコートされ、50〜120 ℃、約30
分間の乾燥により、0.5 〜５μｍ厚の透明導電膜３が形
成される（図３参照）。同様にガラス基板１の裏面にも
透明導電膜３が形成される（図４参照）。
【００１７】透明導電膜３は、前述の製法例のようにマ
スクパターンを構成する金属膜２を形成したのちに形成
してもよいし（図４参照）、また図５〜８に他の製法例
を示すように金属膜２を形成する前にガラス基板１上に
形成するようにしてもよい。すなわち、ガラス基板１が
準備され（図５参照）、前述と同様に順次両面に透明導
電膜３が形成され（図６〜７参照）たのち、金属膜２の
パターンが印刷法などにより形成されるものである（図
８参照）。ただし、マスクパターンの加工精度の点から
は、金属膜２形成後に透明導電膜を形成するのが好まし
い。
スクパターンを構成する金属膜２を形成したのちに形成
してもよいし（図４参照）、また図５〜８に他の製法例
を示すように金属膜２を形成する前にガラス基板１上に
形成するようにしてもよい。すなわち、ガラス基板１が
準備され（図５参照）、前述と同様に順次両面に透明導
電膜３が形成され（図６〜７参照）たのち、金属膜２の
パターンが印刷法などにより形成されるものである（図
８参照）。ただし、マスクパターンの加工精度の点から
は、金属膜２形成後に透明導電膜を形成するのが好まし
い。
【００１８】液晶表示盤などにおいて、従来よりガラス
基板にＡＴＯやＩＴＯなどの透明導電膜が形成されてい
るが、このものの形成はプラズマスパッタリング法など
で行われており、高価な装置で工数を必要とし、半導体
装置のマスクなどに使用される多種多量で安価に製造さ
れることを必要とするガラスマスクには適用できず、実
用化されていなかった。しかし、本発明によりＡＴＯや
ＩＴＯの微粒子を含む導電性コーティング液を塗布して
乾燥させることにより簡単に透明導電膜が形成され、透
明導電膜が形成されたガラスマスクが実現できた。その
結果、従来部屋のクリーン度の限界による僅かのホコリ
の浮遊でも不良品発生の原因となっていたが、ホコリの
付着を防止でき、ホコリによる不良品を激減できる。
基板にＡＴＯやＩＴＯなどの透明導電膜が形成されてい
るが、このものの形成はプラズマスパッタリング法など
で行われており、高価な装置で工数を必要とし、半導体
装置のマスクなどに使用される多種多量で安価に製造さ
れることを必要とするガラスマスクには適用できず、実
用化されていなかった。しかし、本発明によりＡＴＯや
ＩＴＯの微粒子を含む導電性コーティング液を塗布して
乾燥させることにより簡単に透明導電膜が形成され、透
明導電膜が形成されたガラスマスクが実現できた。その
結果、従来部屋のクリーン度の限界による僅かのホコリ
の浮遊でも不良品発生の原因となっていたが、ホコリの
付着を防止でき、ホコリによる不良品を激減できる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明のガラスマ
スクにおいてはガラス基板の表面に透明導電膜を形成し
てガラスマスク自体に導電性をもたせているので、以後
の製造工程および使用時にマスク表面にホコリが付着す
るのが防止される。その結果、ガラスマスク上のパター
ンがくずれることがなく、製品の歩留りを向上させるこ
とができる。
スクにおいてはガラス基板の表面に透明導電膜を形成し
てガラスマスク自体に導電性をもたせているので、以後
の製造工程および使用時にマスク表面にホコリが付着す
るのが防止される。その結果、ガラスマスク上のパター
ンがくずれることがなく、製品の歩留りを向上させるこ
とができる。
【００２０】また、マスクに静電気が帯電しなくなるの
で、静電気によるパターンの静電破壊が防止され、さら
に製品の歩留りが向上される。
で、静電気によるパターンの静電破壊が防止され、さら
に製品の歩留りが向上される。
【図１】本発明のガラスマスクの一実施例の製造工程説
明図である。
明図である。
【図２】本発明のガラスマスクの一実施例の製造工程説
明図である。
明図である。
【図３】本発明のガラスマスクの一実施例の製造工程説
明図である。
明図である。
【図４】本発明のガラスマスクの一実施例の製造工程説
明図である。
明図である。
【図５】本発明のガラスマスクの他の実施例の製造工程
説明図である。
説明図である。
【図６】本発明のガラスマスクの他の実施例の製造工程
説明図である。
説明図である。
【図７】本発明のガラスマスクの他の実施例の製造工程
説明図である。
説明図である。
【図８】本発明のガラスマスクの他の実施例の製造工程
説明図である。
説明図である。
１ ガラス基板 ２ 金属膜 ３ 透明導電膜
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも一方の面に透明導電膜が形成
されてなることを特徴とするガラスマスク。 - 【請求項２】 前記透明導電膜がアンチモン含有酸化ス
ズの微粒子を含む導電性コーティング液の塗布により形
成された請求項１記載のガラスマスク。 - 【請求項３】 前記透明導電膜がスズ含有酸化インジウ
ムの微粒子を含む導電性コーティング液の塗布により形
成された請求項１記載のガラスマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9545192A JPH05289313A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | ガラスマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9545192A JPH05289313A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | ガラスマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05289313A true JPH05289313A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14138065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9545192A Pending JPH05289313A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | ガラスマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05289313A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10160920A (ja) * | 1996-12-02 | 1998-06-19 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタ及びその製造方法 |
| JP2006267595A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Toshiba Corp | マスクブランクスとその製造方法及び使用方法、並びにマスクとその製造方法及び使用方法 |
| WO2007142272A1 (ja) | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Jemco Inc. | 透明導電膜形成用組成物、透明導電膜及びディスプレイ |
| JP2015149390A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、型、および物品の製造方法 |
-
1992
- 1992-04-15 JP JP9545192A patent/JPH05289313A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10160920A (ja) * | 1996-12-02 | 1998-06-19 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタ及びその製造方法 |
| JP2006267595A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Toshiba Corp | マスクブランクスとその製造方法及び使用方法、並びにマスクとその製造方法及び使用方法 |
| WO2007142272A1 (ja) | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Jemco Inc. | 透明導電膜形成用組成物、透明導電膜及びディスプレイ |
| JP2015149390A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、型、および物品の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4556608A (en) | Photomask blank and photomask | |
| KR100779956B1 (ko) | 포토마스크 블랭크 및 포토마스크 제조방법 | |
| KR100440415B1 (ko) | 액정 표시 소자의 제조 방법 및 그 제조 장치 | |
| JPS5851412B2 (ja) | 半導体装置の微細加工方法 | |
| JPH05289313A (ja) | ガラスマスク | |
| JP2001343632A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JP2737982B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS6111749A (ja) | フオトマスクブランク | |
| JP3050739B2 (ja) | プラスチック液晶表示素子の製造方法 | |
| JPH0334050B2 (ja) | ||
| JPH01135574A (ja) | 蒸着薄膜形成用基板の清浄方法 | |
| JPS5824143A (ja) | フオトマスク | |
| US3309227A (en) | Wax masking process | |
| JP2976984B2 (ja) | スパッタリングによる薄膜形成方法 | |
| JPH0159734B2 (ja) | ||
| JPS62257167A (ja) | フオトマスク用ブランクの製造方法 | |
| JPH01206690A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2015025894A (ja) | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 | |
| JPH05100236A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JP3075479B2 (ja) | 導電性薄膜付き基板とその製造方法 | |
| JPS6255653A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPH0273332A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS63202749A (ja) | フオトマスク | |
| JPH11142826A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2010087525A (ja) | 表面処理方法 |