JPH05289134A - 非線形光学装置の製造方法 - Google Patents
非線形光学装置の製造方法Info
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- JPH05289134A JPH05289134A JP4091198A JP9119892A JPH05289134A JP H05289134 A JPH05289134 A JP H05289134A JP 4091198 A JP4091198 A JP 4091198A JP 9119892 A JP9119892 A JP 9119892A JP H05289134 A JPH05289134 A JP H05289134A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光出力特性に優れた非線形光学装置を製造効
率よく歩留りよく得ることができるようにする。 【構成】 単分域化された強誘電体１に光導波路２を作
製し、この光導波路２に基本波光源を光学的に結合させ
て後周期ドメイン構造を形成する。
率よく歩留りよく得ることができるようにする。 【構成】 単分域化された強誘電体１に光導波路２を作
製し、この光導波路２に基本波光源を光学的に結合させ
て後周期ドメイン構造を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非線形光学装置の製造
方法例えば光第２高調波発生素子（以下ＳＨＧ素子とい
う）の製造方法に係る。
方法例えば光第２高調波発生素子（以下ＳＨＧ素子とい
う）の製造方法に係る。
【０００２】
【従来の技術】ＳＨＧ素子は、周波数ωの基本波を導入
して２ωの周波数の第２高調波の光を発生するものであ
る。
して２ωの周波数の第２高調波の光を発生するものであ
る。
【０００３】したがって、このＳＨＧ素子を例えば半導
体レーザと組合せることによって例えば近赤外光を緑色
光の短波長光源とすることができ、半導体レーザによっ
て得られる単一波長光の実現可能の波長範囲の拡大化を
はかることができ、これに伴ってレーザの利用範囲の拡
大化と各技術分野でのレーザ利用の最適化をはかること
ができる。例えば、レーザ光の短波長化によってレーザ
光を用いた光記録再生、光磁気記録再生等において、そ
の記録密度の向上、解像度の向上をはかることができ
る。
体レーザと組合せることによって例えば近赤外光を緑色
光の短波長光源とすることができ、半導体レーザによっ
て得られる単一波長光の実現可能の波長範囲の拡大化を
はかることができ、これに伴ってレーザの利用範囲の拡
大化と各技術分野でのレーザ利用の最適化をはかること
ができる。例えば、レーザ光の短波長化によってレーザ
光を用いた光記録再生、光磁気記録再生等において、そ
の記録密度の向上、解像度の向上をはかることができ
る。
【０００４】このＳＨＧ素子において、光導波路中に光
の閉じ込めを行う光導波路形ＳＨＧ素子は、バルク型Ｓ
ＨＧ素子に比して高効率化がはかられる。さらに、ＳＨ
Ｇ素子例えば光導波路型ＳＨＧ素子においてその光導波
方向に周期的に分極が反転する分極反転構造いわゆるド
メイン反転構造を設け、位相周期を基本波の波長に対応
して選定することによって高出力化をはかられることが
知られている。
の閉じ込めを行う光導波路形ＳＨＧ素子は、バルク型Ｓ
ＨＧ素子に比して高効率化がはかられる。さらに、ＳＨ
Ｇ素子例えば光導波路型ＳＨＧ素子においてその光導波
方向に周期的に分極が反転する分極反転構造いわゆるド
メイン反転構造を設け、位相周期を基本波の波長に対応
して選定することによって高出力化をはかられることが
知られている。
【０００５】また、光導波路を有するチェレンコフ放射
型のＳＨＧ素子においては、光導波路に基本波を導入す
るとき基板内に第２高調波の放射方向が基板内方向にあ
るため実際の使用において配置的問題などが生じるが、
このチェレンコフ放射型ＳＨＧにおいてもその光導波路
に周期的に分極が反転するドメイン反転構造を設けるこ
とによってチェレンコフ放射角を小さくし、さらに出力
ビームスポット形状を整えるようにしたチェレンコフ放
射型ＳＨＧの提案もなされている（特開平２−９３６２
４号参照）。
型のＳＨＧ素子においては、光導波路に基本波を導入す
るとき基板内に第２高調波の放射方向が基板内方向にあ
るため実際の使用において配置的問題などが生じるが、
このチェレンコフ放射型ＳＨＧにおいてもその光導波路
に周期的に分極が反転するドメイン反転構造を設けるこ
とによってチェレンコフ放射角を小さくし、さらに出力
ビームスポット形状を整えるようにしたチェレンコフ放
射型ＳＨＧの提案もなされている（特開平２−９３６２
４号参照）。
【０００６】上述したように周期ドメイン構造を有する
光導波路型ＳＨＧ素子は、その光出力特性の向上がはか
られるものであり、周期ドメイン構造の反転周期の選定
によって、導入する基本波波長の選定の自由度が高めら
れるものの、一旦その分極ドメイン反転周期が設定され
れば基本波の波長に対する余裕度は小さく高々１ｎｍし
か存在しない。
光導波路型ＳＨＧ素子は、その光出力特性の向上がはか
られるものであり、周期ドメイン構造の反転周期の選定
によって、導入する基本波波長の選定の自由度が高めら
れるものの、一旦その分極ドメイン反転周期が設定され
れば基本波の波長に対する余裕度は小さく高々１ｎｍし
か存在しない。
【０００７】一方、基本波光源として半導体レーザを用
いる場合、半導体レーザのその発振共振器を形成する活
性層等の厚さのばらつき等によってレーザ毎に発振波長
にばらつきが生じるものであり、通常この発振波長のば
らつきは、数ｎｍである。
いる場合、半導体レーザのその発振共振器を形成する活
性層等の厚さのばらつき等によってレーザ毎に発振波長
にばらつきが生じるものであり、通常この発振波長のば
らつきは、数ｎｍである。
【０００８】したがって、例えば半導体レーザとＳＨＧ
素子を組合せてこれらを光学的に結合して一体化して短
波長光源として用いる場合等においては、半導体レーザ
とＳＨＧ素子のそれぞれの特性を精度よく測定して、そ
の結果から良好な組合せを選定する必要があり、このよ
うな作用は煩雑であって製造効率が低く、また充分な光
出力が得られる出力特性に優れた短波長光源を歩留りよ
く得ることが難しいという問題点がある。
素子を組合せてこれらを光学的に結合して一体化して短
波長光源として用いる場合等においては、半導体レーザ
とＳＨＧ素子のそれぞれの特性を精度よく測定して、そ
の結果から良好な組合せを選定する必要があり、このよ
うな作用は煩雑であって製造効率が低く、また充分な光
出力が得られる出力特性に優れた短波長光源を歩留りよ
く得ることが難しいという問題点がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した非
線形光学装置、特に例えば図５に示すように、強誘電体
１に光導波路２を有し、これに矢印で交互に示すように
周期ドメイン構造１１即ち周期分極反転構造が設けられ
て光導波路２に基本波光源ＬＤを光学的に結合する非線
形光学装置の製造方法において、出力特性に優れたこの
種装置を高い歩留りをもって製造することができるよう
にする。
線形光学装置、特に例えば図５に示すように、強誘電体
１に光導波路２を有し、これに矢印で交互に示すように
周期ドメイン構造１１即ち周期分極反転構造が設けられ
て光導波路２に基本波光源ＬＤを光学的に結合する非線
形光学装置の製造方法において、出力特性に優れたこの
種装置を高い歩留りをもって製造することができるよう
にする。
【００１０】すなわち、本発明においては、先に本出願
人が提案した例えば特開平２−１８７７３５号に開示さ
れた方法あるいは同様に本出願人の出願に係わる特願平
３−１０７３９２号による分極反転制御方法すなわちド
メイン反転構造の形成方法によれば低温例えば１５０℃
未満で周期ドメイン構造を形成する方法を提案したこと
に基づき、この方法との組合せ利用によって、基本波光
源を光学的に結合させた状態で、即ち最終構造で、高効
率を有し出力特性に優れた非線形光学装置を製造効率よ
く歩留り高く得ることができるようにする。
人が提案した例えば特開平２−１８７７３５号に開示さ
れた方法あるいは同様に本出願人の出願に係わる特願平
３−１０７３９２号による分極反転制御方法すなわちド
メイン反転構造の形成方法によれば低温例えば１５０℃
未満で周期ドメイン構造を形成する方法を提案したこと
に基づき、この方法との組合せ利用によって、基本波光
源を光学的に結合させた状態で、即ち最終構造で、高効
率を有し出力特性に優れた非線形光学装置を製造効率よ
く歩留り高く得ることができるようにする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明において
は、単分域化された強誘電体に先ず光導波路を作製し、
この光導波路に基本波光源を光学的に結合させて後に、
強誘電体に周期ドメイン構造を形成する手順を採る。
は、単分域化された強誘電体に先ず光導波路を作製し、
この光導波路に基本波光源を光学的に結合させて後に、
強誘電体に周期ドメイン構造を形成する手順を採る。
【００１２】また、本発明においては、単分域化された
強誘電体に光導波路を作製し、この光導波路に基本波光
源を光学的に結合させ、その後この結合状態で光導波路
の基本波光源の結合部とは反対側の端部から導出される
基本波光源からの光の波長を測定して、これを基に基本
波の波長に対して位相整合する効果を有する周期ドメイ
ン構造を形成する。更に、本発明においては、単分域化
された強誘電体に光導波路を作製し、この光導波路に基
本波光源を光学的に結合させ、その後この結合状態で光
導波路の基本波光源の結合部とは反対側の端部から導出
される上記基本波光源からの光の波長を測定し、その
後、強誘電体を挟んで少なくとも一方が、測定された基
本波波長に対して位相整合する周期ドメイン構造のパタ
ーンに対応するパターンとされた第１及び第２の電極間
に、１ｋＶ／ｍｍ〜１００ｋＶ／ｍｍの電極を、３００
℃以下望ましくは１５０℃未満の温度下で印加して上記
強誘電体に周期ドメイン構造を形成する。
強誘電体に光導波路を作製し、この光導波路に基本波光
源を光学的に結合させ、その後この結合状態で光導波路
の基本波光源の結合部とは反対側の端部から導出される
基本波光源からの光の波長を測定して、これを基に基本
波の波長に対して位相整合する効果を有する周期ドメイ
ン構造を形成する。更に、本発明においては、単分域化
された強誘電体に光導波路を作製し、この光導波路に基
本波光源を光学的に結合させ、その後この結合状態で光
導波路の基本波光源の結合部とは反対側の端部から導出
される上記基本波光源からの光の波長を測定し、その
後、強誘電体を挟んで少なくとも一方が、測定された基
本波波長に対して位相整合する周期ドメイン構造のパタ
ーンに対応するパターンとされた第１及び第２の電極間
に、１ｋＶ／ｍｍ〜１００ｋＶ／ｍｍの電極を、３００
℃以下望ましくは１５０℃未満の温度下で印加して上記
強誘電体に周期ドメイン構造を形成する。
【００１３】
【作用】上述したように本発明方法によれば、低温での
周期ドメイン構造が形成可能で、かつ周期ドメインを深
く形成できる方法を用いることによって、この周期ドメ
イン構造の形成前に、光導波路を形成しておくものであ
り、このようにすることによって、光導波路に光源とし
て用いる半導体レーザ等の基本波光源を結合して、その
後、この状態で測定した基本波波長に基くドメイン構造
の周期を決定して位相整合可能な周期構造を有するドメ
イン反転構造を形成するので基本波光源に対して高変換
効率を有するＳＨＧ素子等の線形光学装置を歩留りよく
得ることができ、また確実にその目的とする非線形光学
装置が得られ、従前におけるように半導体レーザと例え
ばＳＨＧ素子の両者を１つ１つ測定して良好なものを組
合せていく場合に比し格段に製造効率の向上がはかられ
る。
周期ドメイン構造が形成可能で、かつ周期ドメインを深
く形成できる方法を用いることによって、この周期ドメ
イン構造の形成前に、光導波路を形成しておくものであ
り、このようにすることによって、光導波路に光源とし
て用いる半導体レーザ等の基本波光源を結合して、その
後、この状態で測定した基本波波長に基くドメイン構造
の周期を決定して位相整合可能な周期構造を有するドメ
イン反転構造を形成するので基本波光源に対して高変換
効率を有するＳＨＧ素子等の線形光学装置を歩留りよく
得ることができ、また確実にその目的とする非線形光学
装置が得られ、従前におけるように半導体レーザと例え
ばＳＨＧ素子の両者を１つ１つ測定して良好なものを組
合せていく場合に比し格段に製造効率の向上がはかられ
る。
【００１４】そして、上述の分極反転（ドメイン反転）
制御方法によれば、分極反転領域の形状を制御性よくま
た結晶劣化を生じることなく形成することができた。
制御方法によれば、分極反転領域の形状を制御性よくま
た結晶劣化を生じることなく形成することができた。
【００１５】これは次に述べる理由に因るものと思われ
る。即ち一般的にはＬＮ（ＬｉＮｂＯ3 ）単結晶のよう
な、高電圧を印加すると結晶が破壊される強誘電体材料
においては、結晶破壊が生じない程度の電圧を印加して
も分極反転が生じないとされており、従来は結晶破壊を
生じさせない程度の比較的低い電圧の印加によって分極
反転を生じさせるために、即ち抗電界を下げるために、
高温下において比較的低い電圧、即ち例えば数Ｖ／ｍｍ
〜数百Ｖ／ｍｍ程度の電圧を印加して分極反転を形成し
ていた。
る。即ち一般的にはＬＮ（ＬｉＮｂＯ3 ）単結晶のよう
な、高電圧を印加すると結晶が破壊される強誘電体材料
においては、結晶破壊が生じない程度の電圧を印加して
も分極反転が生じないとされており、従来は結晶破壊を
生じさせない程度の比較的低い電圧の印加によって分極
反転を生じさせるために、即ち抗電界を下げるために、
高温下において比較的低い電圧、即ち例えば数Ｖ／ｍｍ
〜数百Ｖ／ｍｍ程度の電圧を印加して分極反転を形成し
ていた。
【００１６】しかしながら、結晶破壊は、実際は電圧印
加を行う電極の形状、その電極幅等に依存することが究
明された。即ち、このような結晶破壊は圧電効果による
もので、対称とする強誘電体材料に応じて電極幅等を適
切に選定することによって、電極付近に発生する応力を
分散させることができ、試料の力学的破壊即ち結晶破壊
を生じさせることなく強誘電体材料の分極反転を行うこ
とができる。
加を行う電極の形状、その電極幅等に依存することが究
明された。即ち、このような結晶破壊は圧電効果による
もので、対称とする強誘電体材料に応じて電極幅等を適
切に選定することによって、電極付近に発生する応力を
分散させることができ、試料の力学的破壊即ち結晶破壊
を生じさせることなく強誘電体材料の分極反転を行うこ
とができる。
【００１７】また本発明方法では単分域化された強誘電
体１に、その分極方向に対向電極を配置し、両電極間に
電圧を印加するものであるが、このとき、強誘電体の自
発分極の向きに対して垂直な方向に生じる電界成分を小
として、圧電効果によって生じる応力の発生を小とする
ことによって、結晶歪みや結晶破壊を抑制することがで
きるのである。
体１に、その分極方向に対向電極を配置し、両電極間に
電圧を印加するものであるが、このとき、強誘電体の自
発分極の向きに対して垂直な方向に生じる電界成分を小
として、圧電効果によって生じる応力の発生を小とする
ことによって、結晶歪みや結晶破壊を抑制することがで
きるのである。
【００１８】
【実施例】本発明による非線形光学装置の製造方法の実
施例について詳細に説明する。例えば図１にその略線的
断面図を示すように、まず単分域化された強誘電体１に
光導波路２を形成する。
施例について詳細に説明する。例えば図１にその略線的
断面図を示すように、まず単分域化された強誘電体１に
光導波路２を形成する。
【００１９】この強誘電体１は精度よい平面に光学的に
研磨された例えば厚さ１００μｍの強誘電体１例えばＫ
ＴｉＯＰＯ4 （ＫＴＰ）、ＬｉＮｂＯ3 （ＬＮ）、Ｌｉ
ＴａＯ3 等の非線形光学材料の単結晶により成る。
研磨された例えば厚さ１００μｍの強誘電体１例えばＫ
ＴｉＯＰＯ4 （ＫＴＰ）、ＬｉＮｂＯ3 （ＬＮ）、Ｌｉ
ＴａＯ3 等の非線形光学材料の単結晶により成る。
【００２０】そして、この強誘電体１を、その例えば厚
さ方向に単分域化する。
さ方向に単分域化する。
【００２１】この単分域化は、例えばそのキュリー温度
直下の例えば１２００℃程度まで昇温して一定の方向、
具体的には例えばＬＮにおいてｃ軸方向に外部直流電圧
を全面的に印加することによって、全面的にｃ軸方向に
単分域化することができる。
直下の例えば１２００℃程度まで昇温して一定の方向、
具体的には例えばＬＮにおいてｃ軸方向に外部直流電圧
を全面的に印加することによって、全面的にｃ軸方向に
単分域化することができる。
【００２２】また、この強誘電体１には、光導波路２が
形成される。
形成される。
【００２３】例えば厚さ１００μｍのＬＮ単結晶体基板
による強誘電体１において、その自発分極の正側の面に
光導波路２を作製する。
による強誘電体１において、その自発分極の正側の面に
光導波路２を作製する。
【００２４】この光導波路２は、例えば強誘電体１の一
主面１Ｓ側に周知のイオン交換、即ちプロトン交換法等
を用いて形成し得る。この場合、光導波路２の両端面２
ａ及び２ｂはそれぞれ精度よく平面に光学的研磨されて
いるものである。
主面１Ｓ側に周知のイオン交換、即ちプロトン交換法等
を用いて形成し得る。この場合、光導波路２の両端面２
ａ及び２ｂはそれぞれ精度よく平面に光学的研磨されて
いるものである。
【００２５】また強誘電体１の自発分極の負側の主面１
ｂには直接的に、蒸着、スパッタ等によって例えば厚さ
４００ｎｍのＡｌ電極３が被着されている。
ｂには直接的に、蒸着、スパッタ等によって例えば厚さ
４００ｎｍのＡｌ電極３が被着されている。
【００２６】そして、この光導波路２を有する強誘電体
１とその基本波光源としての例えば半導体レーザとを機
械的かつ光学的に結合する。すなわち、半導体レーザの
出射端を光導波路２の入射端例えば一方の端面２ａに近
接対向させた状態で半導体レーザと強誘電体１とを機械
的に一体化する。
１とその基本波光源としての例えば半導体レーザとを機
械的かつ光学的に結合する。すなわち、半導体レーザの
出射端を光導波路２の入射端例えば一方の端面２ａに近
接対向させた状態で半導体レーザと強誘電体１とを機械
的に一体化する。
【００２７】この一体化は、例えば図２に示すように、
強誘電体１をＬ字治具４により半導体レーザチップ５が
取付けられた例えばＣｕ等より成るヒートシンク６上
に、半導体レーザの光の出射端を光導波路２の入射端面
２ａと近接対向させて例えばポリカーボネート等の透明
の接着剤７によって機械的及び光学的に接合する。
強誘電体１をＬ字治具４により半導体レーザチップ５が
取付けられた例えばＣｕ等より成るヒートシンク６上
に、半導体レーザの光の出射端を光導波路２の入射端面
２ａと近接対向させて例えばポリカーボネート等の透明
の接着剤７によって機械的及び光学的に接合する。
【００２８】このようにすると半導体レーザが強誘電体
１の光導波路２に効率よく光学的に結合される。
１の光導波路２に効率よく光学的に結合される。
【００２９】尚、強誘電体１の光導波路２上には、必要
に応じて窒化シリコン、酸化シリコン、アルミナ、酸化
タンタル等のクラッド層が設けられる。
に応じて窒化シリコン、酸化シリコン、アルミナ、酸化
タンタル等のクラッド層が設けられる。
【００３０】この状態で強誘電体１上の光導波路２の他
端面２ｂから出射される基本波の波長を測定する。そし
て、この測定した波長に応じて光導波路の周期ドメイン
構造の周期を決定する。
端面２ｂから出射される基本波の波長を測定する。そし
て、この測定した波長に応じて光導波路の周期ドメイン
構造の周期を決定する。
【００３１】次に、この決定された周期をもって図５で
示した周期ドメイン構造１１を強誘電体１に形成する。
示した周期ドメイン構造１１を強誘電体１に形成する。
【００３２】この場合、最終的に得るすなわち測定され
た基本波光源の波長に対応して決められた周期を有する
周期ドメイン構造に一致する電極パターンを有する電極
基板１２を用意する。この電極基板１２は図４に示すよ
うに例えば精度よく平面に光学的に研磨された石英基板
等の絶縁基板１３上に全面的にＡｌ等の電極層を例えば
厚さ２００ｎｍに蒸着スパッタ等によって被着し、これ
をリソグラフィ技術で前述した測定された基本波の位相
整合が可能な所要の周期構造を有する例えば櫛形状、格
子状等の平行パターンにパターニングしたパターン電極
１４を形成する。
た基本波光源の波長に対応して決められた周期を有する
周期ドメイン構造に一致する電極パターンを有する電極
基板１２を用意する。この電極基板１２は図４に示すよ
うに例えば精度よく平面に光学的に研磨された石英基板
等の絶縁基板１３上に全面的にＡｌ等の電極層を例えば
厚さ２００ｎｍに蒸着スパッタ等によって被着し、これ
をリソグラフィ技術で前述した測定された基本波の位相
整合が可能な所要の周期構造を有する例えば櫛形状、格
子状等の平行パターンにパターニングしたパターン電極
１４を形成する。
【００３３】そして、この電極基板１２を、図３に示す
ように、そのパターン電極１４が強誘電体１の主面１Ｓ
側に密着するように重ね合わせ、この状態で電極３及び
１４間に直流電源１５の例えばパルス電圧を印加する。
ように、そのパターン電極１４が強誘電体１の主面１Ｓ
側に密着するように重ね合わせ、この状態で電極３及び
１４間に直流電源１５の例えばパルス電圧を印加する。
【００３４】この場合、３００℃以下望ましくは１５０
℃未満の温度下において、強誘電体１の自発分極の負側
の面に被着された電極３側を負電位とし、自発分極の正
側の面の電極１４が正電位となるように１ｋＶ／ｍｍ〜
１００ｋＶ／ｍｍの直流電圧または１個または複数の例
えば１μｓｅｃ〜数分のパルス幅例えば１００μｓｅｃ
のパルス幅を有するパルスを１０〜１００パルス印加し
て図５で示した周期ドメイン構造１１、すなわち分極反
転構造を形成する。
℃未満の温度下において、強誘電体１の自発分極の負側
の面に被着された電極３側を負電位とし、自発分極の正
側の面の電極１４が正電位となるように１ｋＶ／ｍｍ〜
１００ｋＶ／ｍｍの直流電圧または１個または複数の例
えば１μｓｅｃ〜数分のパルス幅例えば１００μｓｅｃ
のパルス幅を有するパルスを１０〜１００パルス印加し
て図５で示した周期ドメイン構造１１、すなわち分極反
転構造を形成する。
【００３５】このようにして強誘電体１に光導波路２と
周期ドメイン構造１１が形成された非線形光学素子例え
ばＳＨＧが形成され、その光導波路２の端面２ａに基本
波光源としての半導体レーザが一体化された目的とする
非線形光学装置が得られる。尚、図中ｄは自発分極方向
を示す。
周期ドメイン構造１１が形成された非線形光学素子例え
ばＳＨＧが形成され、その光導波路２の端面２ａに基本
波光源としての半導体レーザが一体化された目的とする
非線形光学装置が得られる。尚、図中ｄは自発分極方向
を示す。
【００３６】
【発明の効果】上述したように本発明方法によれば、光
導波路を有する強誘電体１に基本波光源をを光学的に結
合した状態で、この光源の波長に適合した周期ドメイン
構造を形成するので、光源の例えば半導体レーザの発振
波長のばらつきに係わりなく、最も適した周期の周期ド
メイン構造１１を形成できることから、変換効率が高い
出力特性にすぐれた非線形光学装置、例えば短波長光源
等を構成できる。
導波路を有する強誘電体１に基本波光源をを光学的に結
合した状態で、この光源の波長に適合した周期ドメイン
構造を形成するので、光源の例えば半導体レーザの発振
波長のばらつきに係わりなく、最も適した周期の周期ド
メイン構造１１を形成できることから、変換効率が高い
出力特性にすぐれた非線形光学装置、例えば短波長光源
等を構成できる。
【００３７】そして、光導波路２を形成してから周期ド
メイン構造を形成するものであるが、この周期ドメイン
構造の形成を上述した低温でのドメイン反転が可能な方
法を採ったことによって先に形成した光導波路２はその
特性に何ら影響が生じないようにすることができる。
メイン構造を形成するものであるが、この周期ドメイン
構造の形成を上述した低温でのドメイン反転が可能な方
法を採ったことによって先に形成した光導波路２はその
特性に何ら影響が生じないようにすることができる。
【図１】本発明による非線形光学装置の一例に用いる光
導波路を有する強誘電体の一例の斜視図である。
導波路を有する強誘電体の一例の斜視図である。
【図２】本発明による非線形光学装置の製造方法の一例
の説明図である。
の説明図である。
【図３】本発明製造方法の一例の説明図である。
【図４】本発明方法で用いる電極基板の一例の斜視図で
ある。
ある。
【図５】周期ドメイン構造の模式的断面図である。
１ 強誘電体 ２ 光導波路 ３ 電極 ５ 半導体レーザチップ １２ 電極基板 １４ パターン電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松本 秀一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 甲賀 祐二 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 木島 公一朗 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 単分域化された強誘電体に光導波路を作
製し、 該光導波路に基本波光源を光学的に結合させ、 その後上記強誘電体に周期ドメイン構造を形成すること
を特徴とする非線形光学装置の製造方法。 - 【請求項２】 単分域化された強誘電体に光導波路を作
製し、 該光導波路に基本波光源を光学的に結合させ、 その後この結合状態で、上記光導波路の基本波光源の結
合部とは反対側の端部から導出させる上記基本波光源か
らの光の波長を測定して、この基本波の波長に対して位
相整合する周期ドメイン構造を形成することを特徴とす
る非線形光学装置の製造方法。 - 【請求項３】 単分域化された強誘電体に光導波路を作
製し、 該光導波路に基本波光源を光学的に結合させ、 その後この結合状態で、上記光導波路の基本波光源の結
合部とは反対側の端部から導出される上記基本波光源か
らの光の波長を測定し、 その後、上記強誘電体を挟んで少なくとも一方が、上記
測定された基本波波長に対して位相整合する周期ドメイ
ン構造のパターンに対応するパターンとされた第１及び
第２の電極間に、１ｋＶ／ｍｍ〜１００ｋＶ／ｍｍの電
界を、３００℃以下の温度下で印加して、上記強誘電体
に周期ドメイン構造を形成することを特徴とする非線形
光学構造の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4091198A JPH05289134A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 非線形光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4091198A JPH05289134A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 非線形光学装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05289134A true JPH05289134A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14019748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4091198A Pending JPH05289134A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 非線形光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05289134A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002099009A (ja) * | 1994-08-31 | 2002-04-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分極反転領域の製造方法ならびにそれを利用した光波長変換素子 |
| JP2003295242A (ja) * | 1994-08-31 | 2003-10-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光波長変換素子 |
-
1992
- 1992-04-10 JP JP4091198A patent/JPH05289134A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002099009A (ja) * | 1994-08-31 | 2002-04-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分極反転領域の製造方法ならびにそれを利用した光波長変換素子 |
| JP2003295242A (ja) * | 1994-08-31 | 2003-10-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光波長変換素子 |
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