JPH05283851A - Manufacture of printed-circuit board - Google Patents
Manufacture of printed-circuit boardInfo
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- JPH05283851A JPH05283851A JP10559692A JP10559692A JPH05283851A JP H05283851 A JPH05283851 A JP H05283851A JP 10559692 A JP10559692 A JP 10559692A JP 10559692 A JP10559692 A JP 10559692A JP H05283851 A JPH05283851 A JP H05283851A
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- polyimide precursor
- resin layer
- precursor resin
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はプリント配線板の絶縁保
護層の形成方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming an insulating protective layer on a printed wiring board.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来回路基板の絶縁保護方法としてはス
クリーン印刷されたインクにより保護する方法（特開昭
６２−２６３６９２号公報）、カバーレイフィルムと呼
ばれる接着剤付きフィルムをラミネートする方法（特開
昭６３−１１０２２４号公報）等が既に実施されてい
る。2. Description of the Related Art As a conventional insulation protection method for a circuit board, a method of protecting it with a screen-printed ink (JP-A-62-263692) and a method of laminating a film with an adhesive called a cover lay film (JP-A-62-263692) JP-A-63-110224) and the like have already been implemented.
【０００３】前者は一般的に耐熱性のない樹脂で構成さ
れており、またスクリーンを用いて設けるためその印刷
精度により最近のファインのパターンに対応出来ない面
があった。後者においても耐熱性の優れたポリイミドフ
ィルムを使用することにより信頼性の点では優れている
が、その加工工程は金型により打ち抜いた後、熱プレス
によりラミネートするという煩雑な工程を必要とし、ま
た打ち抜き精度が低いことにより同様にファインパター
ンに対応しにくいという問題があった。The former is generally composed of a resin having no heat resistance, and since it is provided by using a screen, there is a surface which cannot cope with the recent fine pattern due to its printing accuracy. Also in the latter is excellent in reliability by using a polyimide film having excellent heat resistance, the processing step requires a complicated step of laminating by hot pressing after punching with a mold, and There is also a problem that it is difficult to deal with fine patterns due to low punching accuracy.
【０００４】一方ポリイミド樹脂を種々の方法により回
路上に直接設けた後、薬品によりエッチングしてパター
ン化する方法（特開昭６２−１１３４９４号公報等）に
ついても一部実施されてはいるが、この際にはヒドラジ
ン、エチレンジアミン等の危険な薬品を用いねばなら
ず、またそのエッチングに長時間かかるといった問題が
あった。On the other hand, a method of forming a polyimide resin directly on a circuit by various methods and then patterning by etching with a chemical (Japanese Patent Laid-Open No. 62-113494, etc.) has been partially implemented. At this time, dangerous chemicals such as hydrazine and ethylenediamine must be used, and the etching takes a long time.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は信頼性
と加工精度に優れ、かつ作業性に優れたプリント配線板
の絶縁保護層の製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an insulating protective layer for a printed wiring board, which is excellent in reliability and processing accuracy and workability.
【０００６】[0006]
【課題を解決する手段】すなわち本発明は、露出された
回路を有する絶縁基板上にポリイミド前駆体樹脂層を形
成後、該樹脂層をアルカリ溶液によりパターン化し、更
にその後硬化することを特徴とするプリント配線板の製
造方法である。That is, the present invention is characterized in that after a polyimide precursor resin layer is formed on an insulating substrate having an exposed circuit, the resin layer is patterned with an alkaline solution and then cured. It is a manufacturing method of a printed wiring board.
【０００７】本発明における絶縁基板としてはガラスエ
ポキシ基板、ガラスマレイミド基板等の硬質基板、及び
ポリイミドフィルムを接着剤で導体と張り合わせたフレ
キシブル基板、無接着剤ポリイミドフレキシブル基板等
が挙げられる。特にパターン形成後の硬化時に高温が必
要となることから、好ましくは耐熱性の高いガラスマレ
イミド基板又は無接着剤ポリイミドフレキシブル基板で
ある。特に厚さ０．５ｍｍ以下のフレキシブルプリント
基板においては本発明による絶縁保護層は熱膨張係数を
低くすることが可能であり従来問題となっていたフレキ
シブルプリント配線板の反りを抑えられ特に有効であ
る。Examples of the insulating substrate in the present invention include a hard substrate such as a glass epoxy substrate and a glass maleimide substrate, a flexible substrate in which a polyimide film is bonded to a conductor with an adhesive, and an adhesiveless polyimide flexible substrate. In particular, a glass maleimide substrate or a non-adhesive polyimide flexible substrate having high heat resistance is preferable because a high temperature is required at the time of curing after pattern formation. Particularly, in a flexible printed circuit board having a thickness of 0.5 mm or less, the insulating protective layer according to the present invention can reduce the coefficient of thermal expansion, and can suppress the warpage of the flexible printed circuit board, which has been a problem in the past, and is particularly effective. ..
【０００８】ポリイミド前駆体樹脂はジアミン化合物と
酸無水物化合物とを極性溶媒中０〜２００℃で反応させ
て合成される。この際イミド化反応が起きると溶解性が
低下したり、パターニングの際エッチング時間が長くな
り好ましくない。The polyimide precursor resin is synthesized by reacting a diamine compound and an acid anhydride compound in a polar solvent at 0 to 200 ° C. At this time, if the imidization reaction occurs, the solubility is lowered, and the etching time becomes long during patterning, which is not preferable.
【０００９】極性溶媒としてはN-メチルピロリドン（Ｎ
ＭＰ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルア
セトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルスルフォキシド（Ｄ
ＭＳＯ）、硫酸ジメチル、スルホラン、ブチロラクト
ン、クレゾール、フェノール、ハロゲン化フェノール、
シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、
ジグライム等が挙げられる。N-methylpyrrolidone (N
MP), dimethylformamide (DMF), dimethylacetamide (DMAc), dimethylsulfoxide (D
MSO), dimethyl sulfate, sulfolane, butyrolactone, cresol, phenol, halogenated phenol,
Cyclohexanone, dioxane, tetrahydrofuran,
Examples include diglyme.
【００１０】ジアミン化合物としてはｐ−フェニレンジ
アミン、ｍ−フェニレンジアミン、2'−メトキシ−4,4'
−ジアミノベンズアニリド、4,4'−ジアミノジフェニル
エーテル、ジアミノトルエン、4,4'−ジアミノジフェニ
ルメタン、3,3'−ジメチル−4,4'−ジアミノジフェニル
メタン、3,3'−ジメチル−4,4'−ジアミノジフェニルメ
タン、2,2 −ビス〔4-(4−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン、1,2-ビス（アニリノ）エタン、ジアミノ
ジフェニルスルホン、ジアミノベンズアニリド、ジアミ
ノベンゾエート、ジアミノジフェニルスルフィド、2,2-
ビス（p-アミノフェニル）プロパン、2,2-ビス（p-アミ
ノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、1,5-ジアミノナ
フタレン、ジアミノトルエン、ジアミノベンゾトリフル
オライド、1,4-ビス（p-アミノフェノキシ）ベンゼン、
4,4'−（p-アミノフェノキシ）ビフェニル、ジアミノア
ントラキノン、4,4'−ビス(3−アミノフェノキシフェニ
ル）ジフェニルスルホン、1,3-ビス（アニリノ）ヘキサ
フルオロプロパン、1,4-ビス（アニリノ）オクタフルオ
ロプロパン、1,5-ビス（アニリノ）デカフルオロプロパ
ン、1,7-ビス（アニリノ）テトラデカフルオロプロパ
ン、下記一般式As the diamine compound, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2'-methoxy-4,4 '.
-Diaminobenzanilide, 4,4'-diaminodiphenyl ether, diaminotoluene, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dimethyl-4,4 ' -Diaminodiphenylmethane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,2-bis (anilino) ethane, diaminodiphenyl sulfone, diaminobenzanilide, diaminobenzoate, diaminodiphenyl sulfide, 2,2 -
Bis (p-aminophenyl) propane, 2,2-bis (p-aminophenyl) hexafluoropropane, 1,5-diaminonaphthalene, diaminotoluene, diaminobenzotrifluoride, 1,4-bis (p-aminophenoxy) benzene,
4,4 '-(p-aminophenoxy) biphenyl, diaminoanthraquinone, 4,4'-bis (3-aminophenoxyphenyl) diphenylsulfone, 1,3-bis (anilino) hexafluoropropane, 1,4-bis ( Anilino) octafluoropropane, 1,5-bis (anilino) decafluoropropane, 1,7-bis (anilino) tetradecafluoropropane, the following general formula
【化３】 で表されるジアミノシロキサン、2,2-ビス〔4-（p-アミ
ノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、2,
2-ビス〔4-（3-アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフ
ルオロプロパン、2,2-ビス〔4-（2-アミノフェノキシ）
フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス〔4-（4-
アミノフェノキシ）−3,5-ジメチルフェニル〕ヘキサフ
ルオロプロパン、2,2-ビス〔4-（4-アミノフェノキシ）
−3,5-ジトリフルオロメチルフェニル〕ヘキサフルオロ
プロパン、p-ビス（4-アミノ−2-トリフルオロメチルフ
ェノキシ）ベンゼン、4,4'−ビス（4-アミノ−2-トリフ
ルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、4,4'−ビス（4-
アミノ−3-トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニ
ル、4,4'−ビス（4-アミノ−2-トリフルオロメチルフェ
ノキシ）ジフェニルスルホン、4,4'−ビス（4-アミノ−
5-トリフルオロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホ
ン、2,2-ビス〔4-（4-アミノ−3-トリフルオロメチルフ
ェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、ベンジ
ジン、3,3',5,5'-テトラメチルベンジジン、オクタフル
オロベンジジン、3,3'−メトキシベンジジン、o-トリジ
ン、m-トリジン、2,2',5,5',6,6'−ヘキサフルオロトリ
ジン、4,4''-ジアミノターフェニル、4,4'''−ジアミノ
クォーターフェニル等のジアミン類、並びにこれらのジ
アミンとホスゲン等の反応によって得られるジイソシア
ネート類がある。[Chemical 3] A diaminosiloxane represented by 2,2-bis [4- (p-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,
2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (2-aminophenoxy)
Phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-
Aminophenoxy) -3,5-dimethylphenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy)
−3,5-Ditrifluoromethylphenyl] hexafluoropropane, p-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) benzene, 4,4′-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) biphenyl , 4,4'-bis (4-
Amino-3-trifluoromethylphenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) diphenyl sulfone, 4,4'-bis (4-amino-
5-trifluoromethylphenoxy) diphenyl sulfone, 2,2-bis [4- (4-amino-3-trifluoromethylphenoxy) phenyl] hexafluoropropane, benzidine, 3,3 ′, 5,5′-tetramethyl Benzidine, octafluorobenzidine, 3,3'-methoxybenzidine, o-tolidine, m-tolidine, 2,2 ', 5,5', 6,6'-hexafluorotridine, 4,4 ''-diaminoterphenyl , 4,4 ″ ′-diaminoquaterphenyl and the like, and diisocyanates obtained by reacting these diamines with phosgene and the like.
【００１１】またテトラカルボン酸無水物並びにその誘
導体としては次の様なものが挙げられる。なお、ここで
はテトラカルボン酸として例示するが、これらのエステ
ル化物、酸無水物、酸塩化物も勿論使用できる。ピロメ
リット酸、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸、3,
3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸、3,3',4,4'-
ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、3,3',4,4'-ジフ
ェニルエーテルテトラカルボン酸、2,3,3',4'-ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸、2,3,6,7-ナフタレンテトラカ
ルボン酸、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸、3,
3',4,4'-ジフェニルメタンテトラカルボン酸、2,2-ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル) プロパン、2,2-ビス(3,4
−ジカルボキシフェニル) ヘキサフルオロプロパン、3,
4,9,10- テトラカルボキシペリレン、2,2-ビス[4-(3,4-
ジカルボキシフェノキシ) フェニル] プロパン、2,2-ビ
ス[4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ) フェニル] ヘキサ
フルオロプロパン、ブタンテトラカルボン酸、シクロペ
ンタンテトラカルボン酸等がある。また、トリメリット
酸及びその誘導体も挙げられる。The tetracarboxylic acid anhydride and its derivative include the following. Although tetracarboxylic acid is exemplified here, ester compounds, acid anhydrides and acid chlorides thereof can of course be used. Pyromellitic acid, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 3,
3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid, 3,3', 4,4'-
Diphenyl sulfone tetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4'-diphenyl ether tetracarboxylic acid, 2,3,3', 4'-benzophenone tetracarboxylic acid, 2,3,6,7-naphthalene tetracarboxylic acid, 1 , 2,5,6-naphthalenetetracarboxylic acid, 3,
3 ', 4,4'-diphenylmethanetetracarboxylic acid, 2,2-bis
(3,4-dicarboxyphenyl) propane, 2,2-bis (3,4
-Dicarboxyphenyl) hexafluoropropane, 3,
4,9,10- Tetracarboxyperylene, 2,2-bis [4- (3,4-
Dicarboxyphenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] hexafluoropropane, butanetetracarboxylic acid, cyclopentanetetracarboxylic acid and the like. Further, trimellitic acid and its derivatives are also included.
【００１２】また、反応性官能基を有する化合物で変成
し、架橋構造やラダー構造を導入することもできる。例
えば、次のような方法がある。 （Ａ）下記一般式（３）で表される化合物で変成するこ
とによって、ピロロン環やイソインドロキナゾリンジオ
ン環等を導入する。It is also possible to introduce a crosslinked structure or a ladder structure by modifying with a compound having a reactive functional group. For example, there are the following methods. (A) A pyrrolone ring, an isoindoloquinazolinedione ring or the like is introduced by modification with a compound represented by the following general formula (3).
【化４】 （Ｂ）重合性不飽和結合を有するアミン、ジアミン、ジ
カルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸の誘導
体で変成して硬化時に橋かけ構造を形成する。不飽和化
合物としては、マレイン酸、ナジック酸、テトラヒドロ
フタル酸、エチニルアニリン等が使用できる。 （Ｃ）フェノール性水酸基あるいはカルボン酸を有する
芳香族アミンで変成し、この水酸基又はカルボキシル基
と反応しうる橋かけ剤を形成する。[Chemical 4] (B) It is modified with a derivative of an amine, a diamine, a dicarboxylic acid, a tricarboxylic acid or a tetracarboxylic acid having a polymerizable unsaturated bond to form a crosslinked structure during curing. As the unsaturated compound, maleic acid, nadic acid, tetrahydrophthalic acid, ethynylaniline and the like can be used. (C) It is modified with an aromatic amine having a phenolic hydroxyl group or a carboxylic acid to form a crosslinking agent capable of reacting with the hydroxyl group or the carboxyl group.
【００１３】この様なポリイミド前駆体樹脂層を回路基
板上に設けるわけであるが、その樹脂層の硬化後の熱膨
張係数は３×１０-5／℃以下であることが好ましい。特
にフレキシブルプリント基板等の柔軟な回路上に設ける
場合、熱膨張係数が３×１０-5／℃を越えるとイミド化
反応等の高温熱処理後冷却時に回路が反ってしまい、実
用上支障が生じやすい。Such a polyimide precursor resin layer is provided on the circuit board, and the thermal expansion coefficient of the resin layer after curing is preferably 3 × 10 -5 / ° C. or less. Especially when provided on a flexible circuit such as a flexible printed circuit board, if the coefficient of thermal expansion exceeds 3 × 10 −5 / ° C., the circuit will warp during cooling after high-temperature heat treatment such as imidization reaction, which is likely to cause practical problems. ..
【００１４】更に好ましくは下記一般式（１）あるいは
一般式（２）で示される繰り返し単位を有するポリイミ
ド前駆体であり、熱膨張係数が小さく、かつ屈曲性等の
機械的特性に優れている。More preferred is a polyimide precursor having a repeating unit represented by the following general formula (1) or general formula (2), which has a small coefficient of thermal expansion and is excellent in mechanical properties such as flexibility.
【化５】 [Chemical 5]
【化６】 [Chemical 6]
【００１５】これらの繰り返し単位の他に熱膨張係数の
コントロール、あるいは機械的特性の調整等を目的とし
て、前期化合物等を用いて共重合あるいはブレンドする
ことも可能である。また種々の特性改良を目的として無
機質、有機質、又は金属等の粉末、繊維、チョプドスト
ランド等を混合して使用することもできる。また硬化時
の回路の酸化を防ぐ目的で酸化防止剤等の添加剤あるい
は接着性の向上を目的としてシランカップリング剤を加
えることも可能である。また可とう性の向上あるいは流
れ性、接着性の向上等を目的として異種のポリマーをブ
レンドすることも可能である。In addition to these repeating units, it is also possible to copolymerize or blend with a compound of the preceding term for the purpose of controlling the coefficient of thermal expansion, adjusting the mechanical properties and the like. Further, for the purpose of improving various characteristics, powders of inorganic, organic, metal or the like, fibers, chopped strands and the like can be mixed and used. It is also possible to add an additive such as an antioxidant or a silane coupling agent for the purpose of improving adhesiveness in order to prevent oxidation of the circuit during curing. It is also possible to blend different polymers for the purpose of improving flexibility, flowability, and adhesiveness.
【００１６】また末端基を種々の目的で変成することも
可能である。例えば酸無水物末端をエステル化して溶液
状態での反応を抑え硬化時に反応させ高分子量化を図る
方法、あるいはアセチル基を末端に形成し接着力等の改
善を図る等の方法が存在する。It is also possible to modify the end groups for various purposes. For example, there are a method of esterifying the acid anhydride terminal to suppress the reaction in a solution state and reacting at the time of curing to increase the molecular weight, or a method of forming an acetyl group at the terminal to improve the adhesive strength and the like.
【００１７】ポリイミド前駆体樹脂層の厚みは２μｍか
ら３００μｍが好ましく、それ未満であると、回路の絶
縁に対する信頼性に乏しく、また折り曲げ等の機械的特
性が低い。３００μｍを超えるとイミド化反応の際劣化
反応が生じやすく好ましくない。The thickness of the polyimide precursor resin layer is preferably 2 μm to 300 μm, and if it is less than that, the reliability of insulation of the circuit is poor and the mechanical properties such as bending are low. If it exceeds 300 μm, a deterioration reaction tends to occur during the imidization reaction, which is not preferable.
【００１８】ポリイミド前駆体樹脂の還元粘度はジアミ
ン化合物量とテトラカルボン酸量によりコントロール可
能であるが、好ましくは０．３〜２．０の範囲である。
アルカリ溶液によりパターン化する際、２．０を超える
還元粘度を有するポリイミド前駆体樹脂はエッチングに
時間がかかり、綺麗にエッチングできずに膜が残る場合
もある。また、０．３未満であると得られる塗膜が脆く
好ましくない。The reduced viscosity of the polyimide precursor resin can be controlled by the amount of diamine compound and the amount of tetracarboxylic acid, but is preferably in the range of 0.3 to 2.0.
When patterning with an alkaline solution, a polyimide precursor resin having a reduced viscosity of more than 2.0 takes a long time to etch, and it may not be possible to perform a clean etching to leave a film. Further, if it is less than 0.3, the resulting coating film is fragile and is not preferable.
【００１９】この様にして得られたポリイミド前駆体を
回路絶縁基板上に形成するわけであるが、その形成方法
としては任意の方法が可能である。１つの方法としては
そのポリイミド前駆体樹脂溶液を塗工、乾燥する方法で
あり、スクリーン印刷、ロールコート、ダイコート等に
より可能である。その際の乾燥温度としてはイミド化反
応が起きない２００℃以下が好ましい。もう１つの方法
としては、あらかじめフィルム状にしたポリイミド前駆
体をラミネートする手法である。この際回路間の充填性
を良くするために加熱したり溶剤を界面に含ませたりす
ることも可能である。The polyimide precursor thus obtained is formed on a circuit insulating substrate, and any method can be used for forming the same. One method is coating and drying the polyimide precursor resin solution, which can be performed by screen printing, roll coating, die coating, or the like. The drying temperature at that time is preferably 200 ° C. or lower at which the imidization reaction does not occur. Another method is a method of laminating a polyimide precursor which has been formed into a film in advance. At this time, in order to improve the filling property between the circuits, it is possible to heat or to add a solvent to the interface.
【００２０】この様にして得られたポリイミド前駆体樹
脂層をパターン化するわけであるが、その形成方法は次
の方法が可能である。１つの方法としてはその樹脂層上
に更に感光性樹脂層を設けて感光性樹脂をパターン化し
た後アルカリによりポリイミド前駆体樹脂層をエッチン
グする方法であり、もう１つの方法としてはポリイミド
前駆体樹脂層上にスクリーン印刷により耐アルカリ性の
インクでパターンを形成した後アルカリによりエッチン
グする方法である。The polyimide precursor resin layer thus obtained is patterned, and the method for forming the layer is as follows. One method is to further form a photosensitive resin layer on the resin layer, pattern the photosensitive resin, and then etch the polyimide precursor resin layer with an alkali. Another method is to use the polyimide precursor resin. This is a method of forming a pattern on the layer with an alkali-resistant ink by screen printing and then etching with an alkali.
【００２１】前者は精度の高いパターンを得ることが可
能である。感光性樹脂層としては任意の構造が選択可能
であり、ネガ型ポジ型いずれも可能である。感光性樹脂
は通常紫外線反応型、電子線反応型等があり、構成とし
てはベースオリゴマー、反応性希釈剤、光開始剤、光増
感剤、顔料、重合防止剤等により成っている。ベースオ
リゴマー例としてはエポキシアクリレート、ウレタンア
クリレート、ポリエステルアクリレート等がある。The former can obtain a highly accurate pattern. Any structure can be selected as the photosensitive resin layer, and both negative and positive types can be used. The photosensitive resin is usually of ultraviolet reaction type, electron beam reaction type, etc., and is composed of a base oligomer, a reactive diluent, a photoinitiator, a photosensitizer, a pigment, a polymerization inhibitor and the like. Examples of base oligomers include epoxy acrylate, urethane acrylate, polyester acrylate and the like.
【００２２】その厚みとしては２μｍから１００μｍま
でが好ましく、それ未満であれば加工精度は高いもの
の、膜強度が不足しポリイミド前駆体樹脂層をエッチン
グする際剥がれ等の問題を生じやすい。１００μｍを越
えると強度が大きく信頼性は高いものの、加工精度が落
ち、また高価になる。The thickness is preferably from 2 μm to 100 μm, and if it is less than that, the processing accuracy is high, but the film strength is insufficient, and problems such as peeling when etching the polyimide precursor resin layer are likely to occur. If it exceeds 100 μm, the strength is high and the reliability is high, but the processing accuracy is lowered and the cost becomes high.
【００２３】感光性樹脂の積層方法としてはポリイミド
前駆体樹脂層上にロール塗工、スクリーン印刷等により
塗工する方法、あるいはあらかじめフィルム化した感光
性樹脂をポリイミド前駆体樹脂層上にラミネートする方
法、更にはポリイミド前駆体樹脂層と感光性樹脂層の２
層構造のフィルムをあらかじめ作成してそれを回路基板
上にラミネートする方法がある。As a method of laminating the photosensitive resin, a method of coating the polyimide precursor resin layer by roll coating, screen printing or the like, or a method of laminating a photosensitive resin which has been filmed in advance on the polyimide precursor resin layer In addition, 2 of polyimide precursor resin layer and photosensitive resin layer
There is a method in which a film having a layered structure is prepared in advance and is laminated on a circuit board.
【００２４】後者の耐アルカリ性のインクによりパター
ン化する方法はより簡略化された工程を採りうるが、パ
ターン精度は前者に劣る。インクの特性としてはポリイ
ミド前駆体樹脂層をエッチングするアルカリへの耐性が
必要である。The latter method of patterning with an alkali-resistant ink can take more simplified steps, but the pattern accuracy is inferior to the former. Ink characteristics are required to have resistance to an alkali that etches the polyimide precursor resin layer.
【００２５】アルカリ溶液としては通常の水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、アンモニア、ヒドラジン等の無
機系薬品、エチレンジアミン、ピリジン等の有機系薬
品、あるいはそれらの混合系いずれも可能である。更に
エッチング速度を上げるために有機溶剤の存在下で行う
ことも可能である。The alkaline solution may be a conventional inorganic chemical such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, ammonia or hydrazine, an organic chemical such as ethylenediamine or pyridine, or a mixture thereof. It is also possible to perform in the presence of an organic solvent to further increase the etching rate.
【００２６】またエッチング速度を上げるために加熱し
ても差支えなく、シャワー状で薬剤を当てればより効率
的にエッチングできる。There is no problem even if it is heated in order to increase the etching rate, and if the chemical is applied in a shower shape, the etching can be carried out more efficiently.
【００２７】この様にパターニングした後、最上層の感
光性樹脂層もしくはインクを薬品により剥離する。この
際溶解性の高い有機系薬品、あるいは分解性の高い酸系
等の薬品が使用されるが、ポリイミド前駆体樹脂層によ
り悪影響を与えない薬品を選択する。After patterning in this manner, the uppermost photosensitive resin layer or ink is peeled off with a chemical. At this time, an organic chemical having a high solubility or an acid chemical having a high decomposability is used, but a chemical that does not adversely affect the polyimide precursor resin layer is selected.
【００２８】洗浄はエッチングに用いたアルカリ系の薬
品を除去するのに重要な工程であり、不十分であれば以
降の硬化時にポリイミド前駆体樹脂層もしくはポリイミ
ド樹脂層の劣化が生じやすい。より好ましくはイオン交
換水、蒸留水を使用すべきである。The cleaning is an important step for removing the alkaline chemical used for etching, and if insufficient, the polyimide precursor resin layer or the polyimide resin layer is likely to deteriorate during subsequent curing. More preferably, ion-exchanged water or distilled water should be used.
【００２９】硬化工程は残存溶媒の除去及びイミド化反
応の促進し、ポリイミド樹脂層の耐熱性を上げ、また低
熱膨張化するためにも有効であるが、その温度条件は任
意に選択可能である。特にイミド化反応を十分行うため
には最高の熱処理温度としては２００℃以上、より好ま
しくは２５０℃以上の処理が必要である。The curing step is effective for removing the residual solvent and promoting the imidization reaction, increasing the heat resistance of the polyimide resin layer, and reducing the thermal expansion coefficient thereof, but the temperature conditions can be arbitrarily selected. .. In particular, in order to sufficiently carry out the imidization reaction, the highest heat treatment temperature is required to be 200 ° C. or higher, more preferably 250 ° C. or higher.
【００３０】この際回路の酸化を防ぎ、また樹脂の劣化
を小さくする目的で不活性雰囲気下で行っても差支えな
い。At this time, there is no problem even if it is carried out in an inert atmosphere for the purpose of preventing oxidation of the circuit and reducing deterioration of the resin.
【００３１】[0031]
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
詳しく説明する。EXAMPLES The present invention will be described in more detail below by showing Examples of the present invention.
【００３２】なお、熱膨張係数はイミド化反応が十分終
了した試料を用い、サーモメカニカルアナライザー（Ｔ
ＭＡ）を用いて行い、２５０℃に昇温後１０℃／ｍｉｎ
で冷却して２４０℃から１００℃までの平均の熱膨張係
数を算出して求めた。For the coefficient of thermal expansion, a thermomechanical analyzer (T
MA), and after raising the temperature to 250 ° C., 10 ° C./min
It was cooled by and the average thermal expansion coefficient from 240 ° C. to 100 ° C. was calculated and obtained.
【００３３】耐ハンダ性は、７６％ＲＨで２４時間放置
した回路をハンダ浴に１分間浸漬し、膨れ、剥がれの生
じない最高の温度を１０℃刻みで調べた。With respect to the solder resistance, a circuit left at 76% RH for 24 hours was immersed in a solder bath for 1 minute, and the maximum temperature at which swelling and peeling did not occur was examined at intervals of 10 ° C.
【００３４】加工精度は直径が１０μｍ刻みで異なる円
形のパターンを用いポリイミド前駆体樹脂層をエッチン
グ加工して目視により良好な形状を有する直径の大きさ
により判定した。The processing accuracy was evaluated by visually observing the polyimide precursor resin layer by using circular patterns having different diameters in steps of 10 μm and visually observing the size of the diameter.
【００３５】還元粘度は以下の式に基づいて算出した。 還元粘度＝ｌｎ（ｔ／ｔ0 ）／Ｃ ここで、Ｃは溶液１dl中のポリマーのグラム数を、ｔ0
は溶剤のみの流下時間を、また、ｔは溶液の流下時間を
それぞれ示す。The reduced viscosity was calculated based on the following formula. Reduced viscosity = ln (t / t 0 ) / C where C is the number of grams of polymer in 1 dl of solution, t 0
Represents the flow-down time of the solvent alone, and t represents the flow-down time of the solution.
【００３６】合成例１ 温度計、塩化カルシウム管、攪拌棒及び窒素吸込口を取
り付けた３００ｍｌの４つ口フラスコに毎分２００ｍｌ
の窒素を流しながら、2'−メトキシ−4,4'−ジアミノベ
ンズアニリドを０．０７モル及び4,4'−ジアミノジフェ
ニルエーテル、０．０３モルを２２０ｍｌのＤＭＡｃ
（ジメチルアセトアミド）中に攪拌溶解させた。この溶
液を水冷浴中で１０℃以下に冷却しながら、ＰＭＤＡ
（無水ピロメリット酸）０．９５モルを徐々に添加し反
応させた。その後約２時間室温で攪拌を続け重合反応を
行なった。褐色透明の粘稠なポリイミド前駆体溶液が得
られた。還元粘度は０．８０であった。Synthesis Example 1 200 ml / min in a 300 ml four-necked flask equipped with a thermometer, a calcium chloride tube, a stir bar and a nitrogen inlet.
2'-methoxy-4,4'-diaminobenzanilide, 0.07 mol and 4,4'-diaminodiphenyl ether, 0.03 mol, 220 ml DMAc.
It was stirred and dissolved in (dimethylacetamide). While cooling this solution to below 10 ° C in a water-cooled bath, PMDA
0.95 mol of (pyromellitic anhydride) was gradually added and reacted. Thereafter, stirring was continued at room temperature for about 2 hours to carry out a polymerization reaction. A brown transparent viscous polyimide precursor solution was obtained. The reduced viscosity was 0.80.
【００３７】合成例２ 温度計、塩化カルシウム管、攪拌棒及び窒素吸込口を取
り付けた３００ｍｌの４つ口フラスコに毎分２００ｍｌ
の窒素を流しながら、パラフェニレンジアミン、０．０
８モル、及び4,4'−ジアミノジフェニルエーテル、０．
０２モルを２２０ｍｌのＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン）中に攪拌溶解させた。この溶液を水冷浴中で１
０℃以下に冷却しながら、3,3',4,4'-ビフェニルテトラ
カルボン酸無水物を０．９３モルを徐々に添加し反応さ
せた。その後約２時間室温で攪拌を続け重合反応を行な
った。褐色透明の粘稠なポリイミド前駆体溶液が得られ
た。還元粘度は０．７０であった。Synthesis Example 2 200 ml / min in a 300 ml four-necked flask equipped with a thermometer, a calcium chloride tube, a stir bar and a nitrogen inlet.
Paraphenylene diamine, 0.0
8 moles, and 4,4'-diaminodiphenyl ether, 0.
02 mol was dissolved in 220 ml of NMP (N-methyl-2-pyrrolidone) with stirring. 1 this solution in a water bath
While cooling to 0 ° C. or lower, 0.93 mol of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic acid anhydride was gradually added and reacted. Thereafter, stirring was continued at room temperature for about 2 hours to carry out a polymerization reaction. A brown transparent viscous polyimide precursor solution was obtained. The reduced viscosity was 0.70.
【００３８】合成例３ 温度計、塩化カルシウム管、攪拌棒及び窒素吸込口を取
り付けた３００ｍｌの４つ口フラスコに毎分２００ｍｌ
の窒素を流しながら、4,4'−ジアミノジフェニルメタ
ン、０．１０モルを２２０ｍｌのＤＭＡｃ（ジメチルア
セトアミド）中に攪拌溶解させた。この溶液を水冷浴中
で１０℃以下に冷却しながら、ＢＴＤＡ（3,3',4,4'-ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸無水物）０．９５モルを
徐々に添加し反応させた。その後約２時間室温で攪拌を
続け重合反応を行なった。黄色透明の粘稠なポリイミド
前駆体溶液が得られた還元粘度は０．７０であった。。Synthesis Example 3 200 ml / min in a 300 ml four-necked flask equipped with a thermometer, a calcium chloride tube, a stir bar and a nitrogen inlet.
4,4'-diaminodiphenylmethane (0.10 mol) was dissolved with stirring in 220 ml of DMAc (dimethylacetamide) while flowing nitrogen. While cooling this solution to 10 ° C. or lower in a water cooling bath, 0.95 mol of BTDA (3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic acid anhydride) was gradually added and reacted. Thereafter, stirring was continued at room temperature for about 2 hours to carry out a polymerization reaction. The reduced viscosity at which a yellow transparent viscous polyimide precursor solution was obtained was 0.70. ..
【００３９】合成例４ 温度計、塩化カルシウム管、攪拌棒及び窒素吸込口を取
り付けた３００ｍｌの４つ口フラスコに毎分２００ｍｌ
の窒素を流しながら、2'−メトキシ−4,4'−ジアミノベ
ンズアニリドを０．０７モル及び4,4'−ジアミノジフェ
ニルエーテル、０．０３モルを２２０ｍｌのＤＭＡｃ
（ジメチルアセトアミド）中に攪拌溶解させた。この溶
液を水冷浴中で１０℃以下に冷却しながら、ＰＭＤＡ
（無水ピロメリット酸）１．０１モルを徐々に添加し反
応させた。その後約２時間室温で攪拌を続け重合反応を
行なった。褐色透明の粘稠なポリイミド前駆体溶液が得
られた。還元粘度は３．１０であった。Synthesis Example 4 200 ml / min in a 300 ml four-necked flask equipped with a thermometer, a calcium chloride tube, a stir bar and a nitrogen inlet.
2'-methoxy-4,4'-diaminobenzanilide, 0.07 mol and 4,4'-diaminodiphenyl ether, 0.03 mol, 220 ml DMAc.
It was stirred and dissolved in (dimethylacetamide). While cooling this solution to below 10 ° C in a water-cooled bath, PMDA
(Pyromellitic anhydride) 1.01 mol was gradually added and reacted. Thereafter, stirring was continued at room temperature for about 2 hours to carry out a polymerization reaction. A brown transparent viscous polyimide precursor solution was obtained. The reduced viscosity was 3.10.
【００４０】合成例５ 温度計、塩化カルシウム管、攪拌棒及び窒素吸込口を取
り付けた３００ｍｌの４つ口フラスコに毎分２００ｍｌ
の窒素を流しながら、2'−メトキシ−4,4'−ジアミノベ
ンズアニリドを０．０７モル及び4,4'−ジアミノジフェ
ニルエーテル、０．０３モルを２２０ｍｌのＤＭＡｃ
（ジメチルアセトアミド）中に攪拌溶解させた。この溶
液を水冷浴中で１０℃以下に冷却しながら、ＰＭＤＡ
（無水ピロメリット酸）０．８８モルを徐々に添加し反
応させた。その後約２時間室温で攪拌を続け重合反応を
行なった。褐色透明の粘稠なポリイミド前駆体溶液が得
られた。還元粘度は０．２０であった。Synthesis Example 5 200 ml / min in a 300 ml four-necked flask equipped with a thermometer, a calcium chloride tube, a stirring bar and a nitrogen inlet.
2'-methoxy-4,4'-diaminobenzanilide, 0.07 mol and 4,4'-diaminodiphenyl ether, 0.03 mol, 220 ml DMAc.
It was stirred and dissolved in (dimethylacetamide). While cooling this solution to below 10 ° C in a water-cooled bath, PMDA
0.88 mol of (pyromellitic anhydride) was gradually added and reacted. Thereafter, stirring was continued at room temperature for about 2 hours to carry out a polymerization reaction. A brown transparent viscous polyimide precursor solution was obtained. The reduced viscosity was 0.20.
【００４１】実施例１ 市販の直間法フィルム乳剤〔村上スクリーン（株）製、
ＭＳ−ＦＩＬＭ（ジアゾ系乳剤３０μｍ／離形ポリエス
テルフィルム７５μｍ）〕の乳剤面上に合成例１で得ら
れたポリイミド前駆体樹脂溶液を、乾燥後の厚みが５０
μｍになるようにアプリケーターを用いて塗工した。１
３０℃の熱風式循環オーブンで４分間乾燥して、離形ポ
リエステルフィルム／感光性樹脂層／ポリイミド前駆体
樹脂層の３層構造の積層体を得た。Example 1 Commercially available direct film emulsion [manufactured by Murakami Screen Co., Ltd.,
MS-FILM (diazo emulsion 30 μm / releasing polyester film 75 μm)], the polyimide precursor resin solution obtained in Synthesis Example 1 was dried to a thickness of 50
The coating was carried out using an applicator so as to have a thickness of μm. 1
It was dried for 4 minutes in a hot air circulation oven at 30 ° C. to obtain a laminate having a three-layer structure of release polyester film / photosensitive resin layer / polyimide precursor resin layer.
【００４２】この積層体をあらかじめ回路加工しておい
た無接着剤銅張積層板〔新日鐵化学（株）製、エスパネ
ックス（圧延銅箔３５μｍ／ポリイミド３５μｍ）〕と
ラミネートした。回路は線幅３００μｍ／線間３００μ
ｍの平行回路で、ラミネーター（大成ラミネーター
（株）製、ＳＴラミネーター ８Ｂ−５５０ＩＤ）を用
い、ＤＭＡｃとエタノールを１対３で混合した溶液を霧
吹きを用い回路表面を濡らした後、９０℃のロール温度
で回路全面にラミネートした。ポリイミド前駆体樹脂層
はきれいに回路間に充填され気泡の巻き込みも見られな
かった。This laminate was laminated with an adhesive-free copper clad laminate which had been circuit-processed in advance [Espanex (rolled copper foil 35 μm / polyimide 35 μm), manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.]. Circuit has a line width of 300 μm / line spacing of 300 μ
In a parallel circuit of m, using a laminator (manufactured by Taisei Laminator Co., Ltd., ST Laminator 8B-550ID), a solution prepared by mixing DMAc and ethanol in a ratio of 1: 3 was used to wet the circuit surface by spraying, and then the roll was kept at 90 ° C. Laminated over the entire circuit at temperature. The polyimide precursor resin layer was finely filled between the circuits, and no entrainment of bubbles was observed.
【００４３】更にその離形フィルムに接触して３ｃｍ×
１０ｃｍのパターンを有するネガフィルムを置き、放電
灯露光装置（ハイテック（株）製、３０００ＮＥＬ）を
用いて約１０００ｍｍＮＪ／ｃｍ2 の露光を行った後、
離形フィルムを剥がし、簡易縦型シャワー装置を用いて
水温２３℃、水圧１ｋｇ／ｃｍ2 で８０秒間水により現
像した。Furthermore, by contacting the release film, 3 cm ×
After placing a negative film having a pattern of 10 cm and performing exposure of about 1000 mmNJ / cm 2 using a discharge lamp exposure device (3000 NEL manufactured by Hitec Co., Ltd.),
The release film was peeled off, and development was carried out with water at a water temperature of 23 ° C. and a water pressure of 1 kg / cm 2 for 80 seconds using a simple vertical shower device.
【００４４】更に８０℃で１分程度乾燥した後、５％水
酸化ナトリウム溶液を用いて簡易縦型シャワー装置によ
り、液温３３℃で水圧１．５ｋｇ／ｃｍ2 、６０秒間エ
ッチング加工を行なった。剥き出しとなっていたポリイ
ミド前駆体樹脂層は残渣なくエッチング除去されてい
た。After further drying at 80 ° C. for about 1 minute, etching processing was performed for 60 seconds at a liquid temperature of 33 ° C. and a water pressure of 1.5 kg / cm 2 with a simple vertical shower apparatus using a 5% sodium hydroxide solution. .. The exposed polyimide precursor resin layer was removed by etching without any residue.
【００４５】続いて剥離液（村上スクリーン（株）製、
ＳＴＲＩＰ ＳＵＰＥＲ）を用いて水圧１．０ｋｇ／ｃ
ｍ2 で２分間シャワーを行い、残っていた感光性樹脂層
の除去を行なった。次に得られた基板を熱風オーブン中
で１３０℃、１０分間熱処理を行なった後、１６０、２
００、２５０、３００℃で各２分間段階的に熱処理し
た。Subsequently, a stripper (manufactured by Murakami Screen Co., Ltd.,
STRIP SUPER) water pressure 1.0kg / c
A shower was performed at m 2 for 2 minutes to remove the remaining photosensitive resin layer. Next, after heat-treating the obtained substrate in a hot air oven at 130 ° C. for 10 minutes, 160, 2
Heat treatment was performed stepwise at 00, 250 and 300 ° C. for 2 minutes each.
【００４６】得られたフレキシブルプリント基板は絶縁
層として３３μｍのポリイミド層を有し、その断面を顕
微鏡で観察したところ、回路を均一な厚みで空隙なく覆
っていた。また基板の外観は極めて良好な平面性を有し
ていた。特性としては耐はんだ性は３５０℃の高温まで
耐え、また回路にそって手で折り曲げても切れたりせ
ず、高い機械的特性を有していた。この絶縁樹脂層の熱
膨張係数を別途調べたところ、２．１×１０-5／℃であ
った。The obtained flexible printed board had a polyimide layer of 33 μm as an insulating layer, and its cross section was observed with a microscope. As a result, the circuit was covered with a uniform thickness without voids. The appearance of the substrate had a very good flatness. As a characteristic, the soldering resistance was high up to a high temperature of 350 ° C., and did not break even if it was bent by hand along the circuit, and had high mechanical characteristics. When the coefficient of thermal expansion of this insulating resin layer was examined separately, it was 2.1 × 10 −5 / ° C.
【００４７】実施例２ 合成例２で得たポリイミド前駆体樹脂溶液を用いて、実
施例１と同様にして加工、評価を行なった。耐ハンダ性
は３３０℃で折り曲げ性も良好であり、基板の平面性も
優れていた。また加工精度も同様に１００μｍであっ
た。熱膨張係数は２．３×１０-5／℃であった。Example 2 Using the polyimide precursor resin solution obtained in Synthesis Example 2, processing and evaluation were carried out in the same manner as in Example 1. The solder resistance was 330 ° C., the bendability was good, and the flatness of the substrate was excellent. The processing accuracy was also 100 μm. The coefficient of thermal expansion was 2.3 × 10 -5 / ° C.
【００４８】実施例３ 合成例３で得たポリイミド前駆体樹脂溶液を用いて、実
施例１と同様にして加工、評価を行なった。耐ハンダ性
は３３０℃で折り曲げ性も良好であったが、基板の平面
性は３ｃｍ×１０ｃｍのパターンで実験台上で１２ｍｍ
程度のコーナーの立ち上がりがあった。しかし使用には
差し支えの無いレベルである。熱膨張係数は５．２×１
０-5／℃であった。Example 3 Using the polyimide precursor resin solution obtained in Synthesis Example 3, processing and evaluation were carried out in the same manner as in Example 1. The solder resistance was 330 ° C and the bending property was also good, but the flatness of the substrate was a pattern of 3 cm x 10 cm and 12 mm on the bench.
There was a rise in the corner. However, the level is safe for use. Thermal expansion coefficient is 5.2 x 1
Was 0 -5 / ° C..
【００４９】実施例４ 合成例４で得たポリイミド前駆体樹脂溶液を用いて、実
施例１と同様にして加工、評価を行なった。但し、アル
カリエッチングの際同条件で３分間必要とし、そのため
加工状態がサイドエッチングによりかなり悪化してい
た。耐ハンダ性は３３０℃で折り曲げ性も良好であった
が、基板の平面性も優れていた。熱膨張係数は２．０×
１０-5／℃であった。Example 4 Using the polyimide precursor resin solution obtained in Synthesis Example 4, processing and evaluation were carried out in the same manner as in Example 1. However, the alkaline etching required 3 minutes under the same conditions, and therefore the processing state was considerably deteriorated by the side etching. The solder resistance was 330 ° C. and the bending property was good, but the flatness of the substrate was also excellent. Thermal expansion coefficient is 2.0 ×
It was 10 -5 / ° C.
【００５０】実施例５ 合成例５で得たポリイミド前駆体樹脂溶液を用いて、実
施例１と同様にして加工、評価を行なった。耐ハンダ性
は３００℃であり、平面性に優れていた。折り曲げ性は
１８０°に折り曲げたところ若干クラックが入った。熱
膨張係数は２．２×１０-5／℃であった。Example 5 Using the polyimide precursor resin solution obtained in Synthesis Example 5, processing and evaluation were carried out in the same manner as in Example 1. The solder resistance was 300 ° C., and the flatness was excellent. The bendability was slightly cracked when it was bent at 180 °. The coefficient of thermal expansion was 2.2 × 10 -5 / ° C.
【００５１】実施例６ 合成例１で得たポリイミド前駆体樹脂溶液を用いて、実
施例１と同様の回路基板上にロールコーターを用いてポ
リイミド前駆体溶液を全面に塗工した。１３０℃で１０
分間乾燥後、３ｃｍ×１０ｃｍのパターンを有するスク
リーン版（２００メッシュ、乳剤厚み３０μｍ）を用い
てその樹脂面上に耐エッチングインク（太陽インキ
（株）製、Ｍ−８５Ｋ）を印刷し、乾燥硬化後実施例１
と同様にアルカリ溶液によりエッチング後、インクをト
リクレンを用いて剥離して更に熱処理を同じ条件で行な
った。耐ハンダ性は３３０℃で折り曲げ性も良好であ
り、基板の平面性も優れていた。熱膨張係数は２．０×
１０-5／℃であった。Example 6 Using the polyimide precursor resin solution obtained in Synthesis Example 1, a circuit board similar to that of Example 1 was coated with the polyimide precursor solution using a roll coater. 10 at 130 ° C
After drying for a minute, an etching resistant ink (manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd., M-85K) was printed on the resin surface using a screen plate (200 mesh, emulsion thickness 30 μm) having a pattern of 3 cm × 10 cm, and dried and cured. Later Example 1
Similarly to the above, after etching with an alkaline solution, the ink was peeled off using trichlene and further heat treatment was performed under the same conditions. The solder resistance was 330 ° C., the bendability was good, and the flatness of the substrate was excellent. Thermal expansion coefficient is 2.0 ×
It was 10 -5 / ° C.
【００５２】実施例６ 実施例１で得たポリイミド前駆体樹脂溶液を用いて、実
施例１と同様の回路基板上にロールコーターを用いてポ
リイミド前駆体溶液を全面に塗工した。更に１３０℃で
１０分間乾燥後、直間法フィルム乳剤〔村上スクリーン
（株）製、ＭＳ−ＦＩＬＭ（ジアゾ系乳剤３０μｍ／離
形ポリエステルフィルム７５μｍ）〕をその樹脂面上に
ラミネートした。その後実施例１と同様にしてポリイミ
ド前駆体樹脂のエッチング、硬化を行なった。耐ハンダ
性は３３０℃で折り曲げ性も良好であり、基板の平面性
も優れていた。熱膨張係数は２．１×１０-5／℃であっ
た。Example 6 Using the polyimide precursor resin solution obtained in Example 1, a polyimide precursor solution was coated on the entire surface of the same circuit board as in Example 1 using a roll coater. After further drying at 130 ° C. for 10 minutes, a direct film emulsion [MS-FILM (manufactured by Murakami Screen Co., Ltd., MS-FILM 30 μm / release polyester film 75 μm)] was laminated on the resin surface. Thereafter, the polyimide precursor resin was etched and cured in the same manner as in Example 1. The solder resistance was 330 ° C., the bendability was good, and the flatness of the substrate was excellent. The coefficient of thermal expansion was 2.1 × 10 -5 / ° C.
【００５３】[0053]
【発明の効果】本発明の製造方法は加工精度が高くかつ
信頼性に優れたプリント配線板を極めて容易に提供しう
るものである。The manufacturing method of the present invention can very easily provide a printed wiring board having high processing accuracy and excellent reliability.
【図１】 絶縁保護層の形成例を示す概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram showing an example of forming an insulating protective layer.
１ 回路 ２ 基板樹脂面 ３ ポリイミド絶縁保護層 1 circuit 2 substrate resin surface 3 polyimide insulation protection layer
Claims (6)
リイミド前駆体樹脂層を形成後、該樹脂層をアルカリ溶
液によりパターン化し、更にその後硬化することを特徴
とするプリント配線板の製造方法。1. A method for producing a printed wiring board, which comprises forming a polyimide precursor resin layer on an insulating substrate having an exposed circuit, patterning the resin layer with an alkaline solution, and further curing the same.
可とう性プリント配線板であることを特徴とする請求項
１項記載のプリント配線板の製造方法。2. The method for producing a printed wiring board according to claim 1, wherein the printed wiring board is a flexible printed wiring board having a thickness of 0.5 mm or less.
０-5／℃以下の熱膨張係数を有することを特徴とする請
求項１記載のプリント配線板の製造方法。3. The polyimide precursor resin after curing is 3 × 1.
The method for producing a printed wiring board according to claim 1, having a coefficient of thermal expansion of 0 -5 / ° C or less.
０以下０．３以上であることを特徴とする請求項１項記
載のプリント配線板の製造方法。4. The reduced viscosity of the polyimide precursor resin is 2.
The method for producing a printed wiring board according to claim 1, wherein the value is 0 or less and 0.3 or more.
（１）の繰り返し単位を有することを特徴とする請求項
１記載のプリント配線板の製造方法。 【化１】 5. The method for producing a printed wiring board according to claim 1, wherein the polyimide precursor resin has a repeating unit represented by the following general formula (1). [Chemical 1]
（２）の繰り返し単位を有することを特徴とする請求項
１記載のプリント配線板の製造方法。 【化２】 6. The method for producing a printed wiring board according to claim 1, wherein the polyimide precursor resin has a repeating unit represented by the following general formula (2). [Chemical 2]
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|---|---|---|---|
| JP10559692A JP3205588B2 (en) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | Manufacturing method of printed wiring board |
| GB9304818A GB2265021B (en) | 1992-03-10 | 1993-03-09 | Photosensitive materials and their use in forming protective layers for printed circuit and process for preparation of printed circuit |
| US08/395,516 US5601905A (en) | 1992-03-10 | 1995-02-27 | Laminate for insulation protection of circuit boards |
| JP2000149672A JP3474519B2 (en) | 1992-03-10 | 2000-05-22 | Method of using laminate and circuit board |
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