JPH05275510A - Substrate treating device - Google Patents
Substrate treating deviceInfo
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- JPH05275510A JPH05275510A JP7144092A JP7144092A JPH05275510A JP H05275510 A JPH05275510 A JP H05275510A JP 7144092 A JP7144092 A JP 7144092A JP 7144092 A JP7144092 A JP 7144092A JP H05275510 A JPH05275510 A JP H05275510A
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、超ＬＳＩ等の半導体デ
バイス等を製造する際に、基板を処理室内に導いて薄膜
成長等の所定の処理を行う基板処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for guiding a substrate into a processing chamber and performing a predetermined processing such as thin film growth when manufacturing a semiconductor device such as a VLSI.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば基板（半導体ウェハ）の表面に薄
膜を成長させる薄膜成長技術は、半導体デバイスの高性
能化のためのキー・テクノロジーの一つであり、特にＣ
ＶＤ（化学的気相成長）法による薄膜成長は、半導体製
造工程において広く用いられている。2. Description of the Related Art For example, a thin film growth technique for growing a thin film on the surface of a substrate (semiconductor wafer) is one of the key technologies for improving the performance of semiconductor devices.
Thin film growth by the VD (Chemical Vapor Deposition) method is widely used in semiconductor manufacturing processes.
【０００３】従来、この種の薄膜成長装置等の基板処理
装置は、半導体ウェハ等の基板表面に薄膜成長等の所定
の処理を施すようにしたもので、この成長後の薄膜等の
評価は、次工程において、即ち表面に薄膜を形成した基
板を薄膜形成装置（基板処理装置）より搬出した後に他
の装置によって行うことが一般に行われていた。Conventionally, a substrate processing apparatus such as a thin film growth apparatus of this type is designed to perform a predetermined process such as thin film growth on the surface of a substrate such as a semiconductor wafer. It is generally performed in the next step, that is, after carrying out a substrate having a thin film formed on its surface from a thin film forming apparatus (substrate processing apparatus), using another apparatus.
【０００４】ここに、成長した薄膜の評価結果等が判明
するまでには、かなりの時間を要するのが現状である。At present, it takes a considerable amount of time for the evaluation results of the grown thin film to be known.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例のように、成長した薄膜等の処理の評価を他の装置
で行うと、この評価結果が判明するのにかなりの時間が
かかることと相待って、処理から評価までの間に薄膜表
面が汚染されてしまったり、膜物性が変化してしまうこ
とがあるといった問題点があった。However, when the evaluation of the treatment of the grown thin film or the like is performed by another apparatus as in the above-mentioned conventional example, it takes a considerable time for the evaluation result to be known. Waiting, there are problems that the surface of the thin film may be contaminated or the physical properties of the film may change between the processing and the evaluation.
【０００６】特に枚葉式装置においては、処理した基板
の品質保証の点で、処理の評価を高い頻度で行う必要が
あり、他の装置で評価を行うことは非常な手間となる。
また、処理の評価結果が判明するのに時間を要すると、
不良処理を長時間行う結果となり、好ましくない。Particularly in the single-wafer type apparatus, it is necessary to evaluate the processing with a high frequency in terms of quality assurance of the processed substrate, and it is very troublesome to evaluate the processing with other apparatuses.
Also, if it takes time to find out the evaluation result of the process,
This is not preferable because it results in poor processing for a long time.
【０００７】本発明は上記に鑑み、成長した薄膜等の評
価を成長したままの状態に近い状態で迅速に行うことが
でき、基板処理装置としての稼働率を向上させ、かつ薄
膜成長等の歩留まりを向上させるようにしたものを提供
することを目的とする。In view of the above, the present invention enables rapid evaluation of a grown thin film or the like in a state close to the as-grown state, improves the operating rate as a substrate processing apparatus, and yields such as thin film growth. The purpose is to provide something that is designed to improve.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る基板処理装置は、基板を処理室内に導
いて所定の処理を行う基板処理装置において、前記処理
室に気密に連通して該処理室との間で基板の出入れを行
うことができるようにした検査室を設けたことを特徴と
するものであり、前記検査室で、基板の所定の処理前及
び処理後の検査を各々行うようにすることもできる。In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate processing apparatus for guiding a substrate into a processing chamber and performing a predetermined processing, in which the substrate is hermetically communicated with the processing chamber. And an inspection chamber capable of loading and unloading the substrate with the processing chamber. In the inspection chamber, the substrate is inspected before and after predetermined processing. It is also possible to perform each of these.
【０００９】[0009]
【作用】上記のように構成した本発明によれば、例えば
薄膜成長等の所定の処理を施した基板を、そのままに近
い状態で検査室に搬送してここで所定処理例えば薄膜等
の検査を行うことができ、これによって膜表面の汚染や
膜特性の変化の影響を最小限に抑えることができる。ま
た、基板の所定の処理前及び処理後の検査を各々行うこ
とにより、非破壊で薄膜の膜厚を評価する等、両者を組
合わせることによりいずれか一方の評価のみでは判断で
きない評価項目も評価することができる。また、処理前
の基板が不良の時は、その後の処理を行わない手段を取
ることができ、生産性が向上する。処理後の基板の検査
結果が不良の際は、基板処理装置の異常等がすぐに判明
するため、不良処理を続行することを防止できる。According to the present invention configured as described above, a substrate which has been subjected to a predetermined process such as thin film growth is conveyed to an inspection chamber in a state close to the state where it is subjected to a predetermined process such as an inspection of a thin film. It is possible to minimize the influence of contamination of the film surface and changes in the film characteristics. In addition, evaluation of the evaluation items that cannot be judged by only one of the evaluations by combining the two, such as non-destructive evaluation of the film thickness of the thin film by performing the pre-processing and post-processing inspections of the substrate, respectively. can do. Further, when the substrate before the processing is defective, it is possible to take a means of not performing the subsequent processing, and the productivity is improved. When the inspection result of the substrate after the processing is defective, abnormality of the substrate processing apparatus and the like are immediately detected, so that the defective processing can be prevented from being continued.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１１】図１は、薄膜成長装置に適用した本発明の
第１の実施例を示すもので、この薄膜成長装置１には、
２つの処理室、即ち薄膜成長を行わせる処理室（以下、
薄膜成長室という）２と基板にエッチング等の前処理を
施す処理室（同じく、基板前処理室）３とが備えられ、
この各処理室２，３は、ゲートバルブ４，５を介して検
査室６に接続されている。更にこの検査室６には、ゲー
トバルブ７，８を介して不良基板保管室９及びロード・
アンロード室１０がそれぞれ接続されているとともに、
これらの制御を行う制御装置１１が備えられている。FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention applied to a thin film growth apparatus.
Two processing chambers, that is, a processing chamber for growing a thin film (hereinafter,
A thin film growth chamber) 2 and a processing chamber (also a substrate pretreatment chamber) 3 for performing a pretreatment such as etching on the substrate,
The processing chambers 2 and 3 are connected to the inspection chamber 6 via gate valves 4 and 5. Further, the inspection chamber 6 is provided with a defective substrate storage chamber 9 and a load / unload chamber via gate valves 7 and 8.
While the unload chambers 10 are connected to each other,
A control device 11 that performs these controls is provided.
【００１２】そして、カセット等に収容されてクリーン
ルーム等から搬送されてきた基板は、ロード・アンロー
ド室１０にセットされた後、このロード・アンロード室
１０は、真空もしくは不活性ガス雰囲気もしくはその他
のガス、例えばＨ2 等の雰囲気に置換される。そして基
板はゲートバルブ８の開閉動作に連動して一枚ずつ検査
室６に送られ、ここで基板厚みの面内分布等が測定さ
れ、この測定後の基板は、ゲートバルブ５に連動して基
板前処理室３に搬送される。Substrates stored in a cassette or the like and transported from a clean room or the like are set in the load / unload chamber 10, and then the load / unload chamber 10 is evacuated or in an inert gas atmosphere or otherwise. The gas is replaced with an atmosphere of H 2 or the like. Then, the substrates are sent to the inspection chamber 6 one by one in synchronization with the opening / closing operation of the gate valve 8, where the in-plane distribution of the substrate thickness and the like are measured, and the substrates after this measurement are interlocked with the gate valve 5. It is transported to the substrate pretreatment chamber 3.
【００１３】この基板前処理室３は、基板の表面に形成
された自然酸化膜を除去する等の前処理を行うためのも
のであり、例えば真空引きした後、ＨＦ（フッ化水素）
ガスや水蒸気等のガスを基板の表面に吹付けることによ
り、基板表面の自然酸化膜のドライエッチングを行う。
この基板処理室３での前処理が終了した基板は、再びゲ
ートバルブ５に連動して検査室６に送られる。The substrate pretreatment chamber 3 is for performing pretreatment such as removing a natural oxide film formed on the surface of the substrate. For example, after evacuating, HF (hydrogen fluoride) is used.
A natural oxide film on the substrate surface is dry-etched by spraying a gas such as gas or water vapor onto the surface of the substrate.
The substrate which has been pretreated in the substrate processing chamber 3 is sent to the inspection chamber 6 again in conjunction with the gate valve 5.
【００１４】次に、検査室６内で前処理終了後の基板の
表面分析が行われて自然酸化膜の有無が確認され、自然
酸化膜が除去されたと確認された基板のみがゲートバル
ブ４と連動して薄膜成長室２に送られる。自然酸化膜が
除去されていない基板は、再び基板前処理室３に送られ
て再度自然酸化膜の除去が行われ、一定回数以上自然酸
化膜除去作業を行っても自然酸化膜が除去されない基板
に対しては、薄膜成長を行うことなく、不良基板保管室
９またはロード・アンロード室１０に送る。なお、基板
の表面分析は、検査室６ではなく、基板前処理室３で行
うようにすることもできる。Next, the surface analysis of the substrate after the pretreatment is performed in the inspection chamber 6 to confirm the presence or absence of the natural oxide film, and only the substrate confirmed to have the natural oxide film removed is the gate valve 4. It is sent to the thin film growth chamber 2 in conjunction. The substrate from which the natural oxide film has not been removed is again sent to the substrate pretreatment chamber 3 to remove the natural oxide film again, and the natural oxide film is not removed even after performing the natural oxide film removal operation a certain number of times or more. In contrast, the defective substrate is sent to the defective substrate storage chamber 9 or the load / unload chamber 10 without performing thin film growth. The surface analysis of the substrate may be performed in the substrate pretreatment chamber 3 instead of the inspection chamber 6.
【００１５】薄膜成長室２においては、例えば基板を加
熱しつつ、ＳｉＨ4 とＨ2 ガスを供給して、例えばＳｉ
（シリコン）単結晶基板である半導体ウェハ等の基板の
薄膜成長を行い、この薄膜成長が終了した基板をゲート
バルブ４と連動して検査室６に送る。In the thin film growth chamber 2, for example, while heating the substrate, SiH4 and H2 gas are supplied to supply SiH4 and H2 gas, for example.
A substrate such as a semiconductor wafer which is a (silicon) single crystal substrate is subjected to thin film growth, and the substrate on which the thin film growth is completed is sent to the inspection chamber 6 in conjunction with the gate valve 4.
【００１６】薄膜成長が終了した基板に対して、検査室
６内で成長膜の膜厚、抵抗率、組成、表面状態、パーテ
ィクル、金属不純物、結晶欠陥、膜界面状態等の評価項
目の中で、必要とされる検査項目に対する検査を行う。Among the evaluation items such as film thickness, resistivity, composition, surface condition, particles, metal impurities, crystal defects, film interface condition, etc. of the grown film in the inspection chamber 6 for the substrate on which the thin film growth is completed. , Inspect necessary inspection items.
【００１７】ここに、膜厚は、膜成長後の基板と薄膜の
厚みを合わせた厚みの面内分布を測定し、薄膜成長前の
基板厚みの測定結果を合わせて判断することにより成長
した薄膜の膜厚を算出することができる。例えばこのよ
うにして、膜厚を算出することにより、通常破壊しなく
ては測定することができないような試料においても、非
破壊で確実に膜厚を測定することができる。Here, the film thickness is a thin film grown by measuring the in-plane distribution of the total thickness of the substrate and the thin film after the film growth and judging the combined measurement result of the substrate thickness before the thin film growth. The film thickness of can be calculated. For example, by calculating the film thickness in this manner, it is possible to reliably measure the film thickness nondestructively even in a sample that cannot be normally measured without breaking.
【００１８】抵抗率の測定は、例えば四端子法により接
触式で行うことができる。測定場所は、基板のオリフラ
（オリエンテーショントフラット）に対して常に一定の
場所で行うのであるが、この場所は、基板上のデバイス
として使用しない場所であることが望ましい。また、渦
電流法等により非接触で測定することもできる。The resistivity can be measured by a contact method, for example, by the four-terminal method. The measurement location is always a fixed location with respect to the orientation flat of the substrate, but it is desirable that this location is not used as a device on the substrate. It is also possible to perform non-contact measurement by the eddy current method or the like.
【００１９】そして、これらの検査において、成長する
膜の仕様から外れている薄膜成長後の基板は、薄膜（成
長膜）として不合格であると制御装置１１で判断され
る。また、検査結果は、各基板に対する検査結果として
制御装置１１に記録保存され、後工程で参照できるよう
なされている。In these inspections, the control device 11 judges that the substrate after the thin film growth, which is out of the specification of the growing film, is rejected as a thin film (growth film). The inspection result is recorded and stored in the control device 11 as the inspection result for each board so that it can be referred to in a later step.
【００２０】前記薄膜成長室は、バッチ式でも枚葉式で
も良いが、枚葉式の場合において、検査は、基板上の成
長膜でも、またテストピースを使用する場合には、同時
に成長を行ったテストピースでも良い。The thin-film growth chamber may be of a batch type or a single-wafer type, but in the case of the single-wafer type, the inspection is performed on the growth film on the substrate, and when the test piece is used, the growth is performed simultaneously. It can be a test piece.
【００２１】金属不純物の検査は、例えば発光分析によ
り行うことができるが、この検査には、一般にかなり長
い時間がかかり、この時間は、薄膜成長の時間より長い
ため、抜き取り検査としている。なお、検査室６内に複
数の検査装置を用意することにより、検査のスループッ
トを向上させることができる。The metal impurities can be inspected by, for example, emission analysis, but this inspection generally takes a considerably long time, and since this time is longer than the thin film growth time, it is a sampling inspection. By providing a plurality of inspection devices in the inspection room 6, the inspection throughput can be improved.
【００２２】ここに、不良基板が連続的に発生する場合
には、制御装置１１により警報を発し、不良率を最小限
に抑えるようなっているが、装置１を自動的に停止させ
るようにすることもできる。また、膜成長条件にフィー
ドバック可能な場合には、検査結果が膜仕様標準値より
大きな偏差を示した場合にフィードバックをかけるよう
にすることもできる。Here, when defective substrates are continuously generated, an alarm is issued by the control device 11 to minimize the defective rate, but the device 1 is automatically stopped. You can also Further, when the feedback can be provided to the film growth condition, the feedback can be provided when the inspection result shows a deviation larger than the standard value of the film specification.
【００２３】不合格となった基板は、その後の検査若し
くはプロセスを省略するように制御されるが、一連の処
理工程より特定の基板を取り除くことが困難な場合に
は、そのまま処理を続行させることもできる。The rejected substrate is controlled so as to omit the subsequent inspection or process, but if it is difficult to remove a specific substrate from a series of treatment steps, the treatment should be continued as it is. You can also
【００２４】なお、上記処理シーケンスは、一例であっ
てこれに限定されるものではないことは勿論であり、例
えば、必要に応じて、前処理工程を含む薄膜成長前の検
査を省略することもできる。The above processing sequence is, of course, an example and not limited to this. For example, if necessary, the inspection before the thin film growth including the pretreatment step may be omitted. it can.
【００２５】上述の一連の工程で、基板が大気等の装置
外のガスにさらされないことが望ましいが、本実施例は
これに限定されるものではない。In the series of steps described above, it is desirable that the substrate is not exposed to the gas such as the atmosphere outside the apparatus, but the present embodiment is not limited to this.
【００２６】装置全体を真空、もしくは不活性ガスもし
くはその他の制御されたガス雰囲気中においてもよい。The entire apparatus may be in vacuum or in an inert gas or other controlled gas atmosphere.
【００２７】図２は、薄膜成長装置に適用した第２の実
施例を示すもので、本実施例における薄膜成長装置２０
は、２つのロード・アンロード室２１，２２と、２個の
ハンドラ室２９，３８と、これらの各ハンドラ室２９，
３８に接続された合計４個の処理室、即ち前処理を施す
処理室（以下、基板前処理室という）３４、薄膜成長を
行う２つの処理室（同じく、薄膜成長室）５０，５１及
び基板に設けられたオリフラ（オリエンテーションフラ
ット）を介してこの位置合わせを行う処理室（同じく、
オリフラ室）４３と、前記ハンドラ室２９，３８に接続
されて前記実施例と同様な各種の測定を行う測定室５８
とを備えたものである。FIG. 2 shows a second embodiment applied to a thin film growth apparatus, which is a thin film growth apparatus 20 in this embodiment.
Are two load / unload chambers 21 and 22, two handler chambers 29 and 38, and these handler chambers 29 and 38,
A total of four processing chambers connected to 38, that is, a processing chamber for performing pretreatment (hereinafter referred to as a substrate pretreatment chamber) 34, two processing chambers for performing thin film growth (also thin film growth chambers) 50 and 51, and a substrate. A processing chamber (also,
Orientation flat chamber) 43 and a measurement chamber 58 connected to the handler chambers 29 and 38 for performing various measurements similar to those in the above-described embodiment.
It is equipped with and.
【００２８】即ち、前処理されカセット等に収納され
て、例えばクリーンルーム等から搬送されてきた基板を
収容する第１および第２のロード・アンロード室２１，
２２が設けられ、これらの室２１，２２の扉２３，２４
を開閉操作することにより基板が該室２１，２２内にセ
ットされる。That is, the first and second loading / unloading chambers 21 for accommodating the substrates which have been pretreated and accommodated in a cassette or the like and which have been transported from, for example, a clean room or the like,
22 is provided, and doors 23 and 24 of these chambers 21 and 22 are provided.
The substrate is set in the chambers 21 and 22 by opening and closing.
【００２９】第１或いは第２のロード・アンロード室２
１，２２内にセットされた基板は、ゲートバルブ２５，
２６の開閉動作に連動して第１のハンドラ室２９内に配
置されている第１のハンドラ３０により、このハンドラ
室２９内に搬送され、このハンドラ室２９を介して基板
前処理室３４内へゲートバルブ３３の開閉動作に連動し
て移動させられる。この基板前処理室３４内に基板が収
容されると、例えば真空引きの後、ＨＦ（フッ化水素）
ガス等により基板の表面に付着している自然酸化物をエ
ッチングする前処理が施される。First or second load / unload chamber 2
Substrates set in 1, 22 are gate valves 25,
The first handler 30 arranged in the first handler chamber 29 is interlocked with the opening / closing operation of the substrate 26, and is transported into the handler chamber 29 and into the substrate pretreatment chamber 34 through the handler chamber 29. It is moved in conjunction with the opening / closing operation of the gate valve 33. When the substrate is housed in the substrate pretreatment chamber 34, for example, after evacuating, HF (hydrogen fluoride)
A pretreatment for etching the natural oxide adhering to the surface of the substrate with a gas or the like is performed.
【００３０】自然酸化物が除去された基板は、ゲートバ
ルブ３５の開閉動作に連動して第２のハンドラ室３８内
に第２のハンドラ３９により搬送される。このハンドラ
室３８を通過する基板は、その後ゲートバルブ４２の開
閉動作に連動して第２のハンドラ３９により、オリフラ
室４３へと移動させられる。The substrate from which the natural oxide has been removed is transferred by the second handler 39 into the second handler chamber 38 in conjunction with the opening / closing operation of the gate valve 35. The substrate passing through the handler chamber 38 is then moved to the orientation flat chamber 43 by the second handler 39 in conjunction with the opening / closing operation of the gate valve 42.
【００３１】オリフラ室４３内では、基板のオリフラの
位置検出がなされ、所定の方向に位置合わせされる。こ
のオリフラ合わせが必要無い場合、或いは他の方法でオ
リフラ合わせを実施する場合には、このオリフラ室４３
を独立して設ける必要がないが、このオリフラ室４３内
で基板の厚さを薄膜成長の前後で測定して、薄膜成長膜
の膜厚を測定したりすることに利用することもできる。In the orientation flat chamber 43, the orientation flat of the substrate is detected and aligned in a predetermined direction. When the orientation flat adjustment is not necessary or when the orientation flat adjustment is performed by another method, the orientation flat chamber 43 is used.
Need not be provided independently, but can also be used for measuring the film thickness of the thin film growth film by measuring the thickness of the substrate in the orientation flat chamber 43 before and after the thin film growth.
【００３２】オリフラ合わせ後、基板は、第２のハンド
ラ３９により、ゲートバルブ４６，４７の開閉動作に連
動して第１或いは第２の薄膜成長室５０，５１内に移動
させられる。この各薄膜成長室５０，５１内では、まず
先のエッチング（前処理）時にＨＦガスを用いている場
合には、基板表面に付着しているＦ（フッ素）を紫外線
等を照射することで除去し、その後、所定のガスを供給
しながら所定の薄膜成長を行い、基板の表面に薄膜を形
成する。After the orientation flat alignment, the substrate is moved by the second handler 39 into the first or second thin film growth chamber 50, 51 in conjunction with the opening / closing operation of the gate valves 46, 47. In each of the thin film growth chambers 50 and 51, when HF gas is used during the previous etching (pretreatment), F (fluorine) adhering to the substrate surface is removed by irradiating it with ultraviolet rays or the like. Then, a predetermined thin film is grown while supplying a predetermined gas to form a thin film on the surface of the substrate.
【００３３】所定の薄膜成長を行った後の基板は、第１
或いは第２の薄膜成長室５０，５１からゲートバルブ４
６，４７の開閉動作に連動して第２のハンドラ３９によ
り第２のハンドラ室３８内へ移動させられる。そして、
このハンドラ室３８を通過した基板は、第２のハンドラ
３９によりゲートバルブ５４の開閉動作に連動して測定
装置５７が配置された測定室５８内へと搬送される。After the predetermined thin film growth, the substrate is the first
Alternatively, from the second thin film growth chamber 50, 51 to the gate valve 4
It is moved into the second handler chamber 38 by the second handler 39 in conjunction with the opening / closing operation of 6, 47. And
The substrate that has passed through the handler chamber 38 is transferred by the second handler 39 into the measuring chamber 58 in which the measuring device 57 is arranged in conjunction with the opening / closing operation of the gate valve 54.
【００３４】この測定室５８内では、第１の実施例と同
様に、薄膜に対する種々の測定・検査が行われる。In the measuring chamber 58, various measurements and inspections are performed on the thin film, as in the first embodiment.
【００３５】それらの測定が終了した後、基板は、ゲー
トバルブ６１の開閉動作に連動して第１のハンドラ３０
により第１のハンドラ室２９内へ搬送され、このハンド
ラ室２９からハンドラ３０により第１或いは第２のロー
ド・アンロード室２１，２２内のカセットに収容されて
一連のシーケンスが終了する。After the measurement is completed, the substrate is interlocked with the opening / closing operation of the gate valve 61 and the first handler 30 is operated.
Is transferred into the first handler chamber 29 by the above, and is accommodated in the cassette in the first or second load / unload chamber 21, 22 by the handler 30 from this handler chamber 29, and a series of sequences is completed.
【００３６】[0036]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、成
長した薄膜等の評価を成長したままの状態に近い状態
で、即ち所定の処理を施した後の状態をそのままの状態
に近い状態で迅速に行うことができ、これによって薄膜
等の歩留まりを向上させるとともに、装置としてのスル
ープットの低下も最小限に抑え、しかも薄膜等の品質保
証も容易となる。As described above, according to the present invention, the evaluation of a grown thin film or the like is in a state close to the state in which it is grown, that is, the state after performing a predetermined process is close to the state as it is. In this way, the yield of thin films and the like can be improved, and the decrease in the throughput of the device can be minimized, and the quality of thin films and the like can be easily guaranteed.
【図１】本発明の第１の実施例の概要構成を示す概要
図。FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a first embodiment of the present invention.
【図２】同じく第２の実施例の概要構成を示す概要図。FIG. 2 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a second embodiment of the same.
１，２０ 薄膜成長装置 ２，５０，５１ 薄膜成長室（処理室） ３，３４ 基板前処理室（処理室） ６，５８ 検査室 １０，２１，２２ ロード・アンロード室 ２９，３８ ハンドラ室 ３０，３９ ハンドラ ４３ オリフラ室（処理室） 1,20 Thin film growth apparatus 2,50,51 Thin film growth chamber (processing chamber) 3,34 Substrate pretreatment chamber (processing chamber) 6,58 Inspection room 10,21,22 Load / unload chamber 29,38 Handler room 30 , 39 Handler 43 Orifla chamber (processing room)
フロントページの続き (72)発明者 本 多 恭 章 東京都中央区銀座四丁目２番11号 東芝機 械株式会社内Front Page Continuation (72) Inventor Kyosho Honda 4-2-11 Ginza, Chuo-ku, Tokyo Inside Toshiba Machine Co., Ltd.
Claims (2)
基板処理装置において、前記処理室に気密に連通して該
処理室との間で基板の出入れを行うことができるように
した検査室を設けたことを特徴とする基板処理装置。1. A substrate processing apparatus for guiding a substrate into a processing chamber for performing a predetermined process, wherein the substrate is communicated in an airtight manner so that the substrate can be taken in and out of the processing chamber. A substrate processing apparatus having an inspection room.
理後の検査を各々行うようにしたことを特徴とする請求
項１記載の基板処理装置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the inspection chamber is configured to inspect each substrate before and after predetermined processing.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7144092A JP3146055B2 (en) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | Substrate processing equipment |
| US08/036,894 US5766360A (en) | 1992-03-27 | 1993-03-25 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| GB9306341A GB2265634B (en) | 1992-03-27 | 1993-03-26 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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-
1992
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