JPH05273198A - 半導体シリコン基板表面及び基板上薄膜表面の分析方法 - Google Patents
半導体シリコン基板表面及び基板上薄膜表面の分析方法Info
- Publication number
- JPH05273198A JPH05273198A JP4068605A JP6860592A JPH05273198A JP H05273198 A JPH05273198 A JP H05273198A JP 4068605 A JP4068605 A JP 4068605A JP 6860592 A JP6860592 A JP 6860592A JP H05273198 A JPH05273198 A JP H05273198A
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- JP
- Japan
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- thin film
- hydrofluoric acid
- semiconductor silicon
- silicon substrate
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- Investigating And Analyzing Materials By Characteristic Methods (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体シリコン基板及び基板上薄膜表面に存
するフッ素化合物が低昇華点である元素を、昇華させず
に分解、回収して分析する。 【構成】 基板上に分解回収液を滴下して全面を分解
し、分解回収液中の不純物成分を高感度分析装置で分析
する分析方法の分解回収液として糖を含むフッ酸にす
る。
するフッ素化合物が低昇華点である元素を、昇華させず
に分解、回収して分析する。 【構成】 基板上に分解回収液を滴下して全面を分解
し、分解回収液中の不純物成分を高感度分析装置で分析
する分析方法の分解回収液として糖を含むフッ酸にす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体シリコン基板表
面及び基板上薄膜表面の分析方法に関し、特にフッ素化
合物が低昇華点である元素を分析する分析方法に関す
る。
面及び基板上薄膜表面の分析方法に関し、特にフッ素化
合物が低昇華点である元素を分析する分析方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子工業分野ではデバイスの微細化に伴
い、使用する材料や製造工程に起因する金属不純物によ
るウエハ汚染（金属汚染）が問題になっている。そし
て、この問題を解決するために金属不純物の超高感度分
析が必要となってきている。
い、使用する材料や製造工程に起因する金属不純物によ
るウエハ汚染（金属汚染）が問題になっている。そし
て、この問題を解決するために金属不純物の超高感度分
析が必要となってきている。
【０００３】近年、ＬＳＩ製造プロセスではゲルマニウ
ム等のフッ素化合物が低昇華点である元素が使われるよ
うになってきた。そして、これらの元素によるウエハ汚
染、ライン汚染のおそれがあるため、これらの元素の精
密な分析が必要となってきた。
ム等のフッ素化合物が低昇華点である元素が使われるよ
うになってきた。そして、これらの元素によるウエハ汚
染、ライン汚染のおそれがあるため、これらの元素の精
密な分析が必要となってきた。
【０００４】従来、半導体シリコン基板表面及び基板上
薄膜表面の分析方法としては、先ず基板上をフッ酸のみ
の蒸気で分解し、その後フッ酸、フッ酸と硝酸、フッ酸
と過酸化水素、塩酸と過酸化水素のいずれかの液を回収
液として基板上に滴下し、その回収液を化学的分析する
ことにより分析を行っていた（特開平２−２８５３３号
参照）。
薄膜表面の分析方法としては、先ず基板上をフッ酸のみ
の蒸気で分解し、その後フッ酸、フッ酸と硝酸、フッ酸
と過酸化水素、塩酸と過酸化水素のいずれかの液を回収
液として基板上に滴下し、その回収液を化学的分析する
ことにより分析を行っていた（特開平２−２８５３３号
参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の分析方
法では、基板上の不純物成分をフッ酸のみの蒸気で分解
させるときに、フッ素化合物が低昇華点である元素は昇
華されてしまうため、回収液に回収することができず分
析できないという問題点があった。
法では、基板上の不純物成分をフッ酸のみの蒸気で分解
させるときに、フッ素化合物が低昇華点である元素は昇
華されてしまうため、回収液に回収することができず分
析できないという問題点があった。
【０００６】本発明の課題は、フッ素化合物が低昇華点
である元素を昇華させることなく回収し、分析すること
が可能な分析方法を提供することにある。
である元素を昇華させることなく回収し、分析すること
が可能な分析方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の分析方法は、半
導体シリコン基板表面及び基板上薄膜表面に存する、フ
ッ素化合物が低昇華点である元素を分析する方法におい
て、前記半導体シリコン基板表面及び基板上薄膜表面を
糖を含有するフッ酸で処理する如くした分析方法であ
る。
導体シリコン基板表面及び基板上薄膜表面に存する、フ
ッ素化合物が低昇華点である元素を分析する方法におい
て、前記半導体シリコン基板表面及び基板上薄膜表面を
糖を含有するフッ酸で処理する如くした分析方法であ
る。
【０００８】更に、本発明の分析方法は、前記半導体シ
リコン基板表面及び基板上薄膜表面に糖を含有するフッ
酸回収液を滴下して基板上を分解し、この分解回収液を
回収して当該回収液中の不純物成分を分析する方法であ
る。
リコン基板表面及び基板上薄膜表面に糖を含有するフッ
酸回収液を滴下して基板上を分解し、この分解回収液を
回収して当該回収液中の不純物成分を分析する方法であ
る。
【０００９】更に、本発明の分析方法は、前記半導体シ
リコン基板表面及び基板上薄膜表面を糖を含有するフッ
酸蒸気で分解し、その後前記基板上の分解物を分解回収
液を用いて回収する如くした分析方法である。
リコン基板表面及び基板上薄膜表面を糖を含有するフッ
酸蒸気で分解し、その後前記基板上の分解物を分解回収
液を用いて回収する如くした分析方法である。
【００１０】更に他の本発明の分析方法は、前記分解回
収液として純水を用いた分析方法である。
収液として純水を用いた分析方法である。
【００１１】
【作用】半導体シリコン基板表面及び基板上薄膜表面を
糖を含有するフッ酸で処理することにより、フッ素化合
物が低昇華点である元素の昇華を抑制することができ、
当該元素を含んだ液を回収し、分析することができるよ
うになった。
糖を含有するフッ酸で処理することにより、フッ素化合
物が低昇華点である元素の昇華を抑制することができ、
当該元素を含んだ液を回収し、分析することができるよ
うになった。
【００１２】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１３】本発明に係わる実施例では、ゲルマニウム
で汚染させたウエハをフッ酸のみの蒸気を使わずに、糖
を含むフッ酸で処理を行なうことにより好結果を得たも
のである。
で汚染させたウエハをフッ酸のみの蒸気を使わずに、糖
を含むフッ酸で処理を行なうことにより好結果を得たも
のである。
【００１４】図１は、本発明に係わる第１の実施例にお
ける処理方法のフローチャートを示す。半導体シリコン
基板表面又は基板上薄膜表面に、分解回収液として糖を
含むフッ酸を滴下してウエハ上全面を分解し、分解終了
後、分解回収液中の不純物成分を高感度分析装置で分析
する。
ける処理方法のフローチャートを示す。半導体シリコン
基板表面又は基板上薄膜表面に、分解回収液として糖を
含むフッ酸を滴下してウエハ上全面を分解し、分解終了
後、分解回収液中の不純物成分を高感度分析装置で分析
する。
【００１５】図２は、１×１０13原子／ｃｍ2 のゲルマ
ニウムで汚染させたシリコンウエハを、図１で示す処理
を行い、分析した結果と従来技術とを比較して示してあ
る。分解回収液としては、従来から知られているフッ酸
のみと、本発明の糖を含んだフッ酸の２種類を比較のた
めに用いて、それぞれのゲルマニウムの回収率を測定し
た結果を示すものである。
ニウムで汚染させたシリコンウエハを、図１で示す処理
を行い、分析した結果と従来技術とを比較して示してあ
る。分解回収液としては、従来から知られているフッ酸
のみと、本発明の糖を含んだフッ酸の２種類を比較のた
めに用いて、それぞれのゲルマニウムの回収率を測定し
た結果を示すものである。
【００１６】図２では、１枚の汚染ウエハで５回回収操
作を繰り返したときの各回のゲルマニウムの回収率を示
している。 この結果から、フッ酸のみでも多少回収さ
れてはいるが、本発明の実施例に係わる糖を含むフッ酸
を分解回収液として用いることにより、全量回収、分析
が可能となる。しかも、１回の回収操作でほぼ全量を回
収することができる。このときの定量下限は、５×１０
9 原子／ｃｍ2 であり、データの再現性も良いことか
ら、本発明に係わる分析方法の問題はない。即ち、シリ
コンウエハ上のゲルマニウムを分析対象とする場合、分
解回収液として糖を含むフッ酸を用いることにより、全
量を定量分析できるようになった。
作を繰り返したときの各回のゲルマニウムの回収率を示
している。 この結果から、フッ酸のみでも多少回収さ
れてはいるが、本発明の実施例に係わる糖を含むフッ酸
を分解回収液として用いることにより、全量回収、分析
が可能となる。しかも、１回の回収操作でほぼ全量を回
収することができる。このときの定量下限は、５×１０
9 原子／ｃｍ2 であり、データの再現性も良いことか
ら、本発明に係わる分析方法の問題はない。即ち、シリ
コンウエハ上のゲルマニウムを分析対象とする場合、分
解回収液として糖を含むフッ酸を用いることにより、全
量を定量分析できるようになった。
【００１７】第２の実施例では、基板上をフッ酸蒸気で
分解し、基板上の分解物を回収液により回収して、その
回収液中の不純物成分を高感度分析装置で分析する分析
方法でフッ酸蒸気に糖を含有させて処理を行ったときの
分析例である。
分解し、基板上の分解物を回収液により回収して、その
回収液中の不純物成分を高感度分析装置で分析する分析
方法でフッ酸蒸気に糖を含有させて処理を行ったときの
分析例である。
【００１８】図３は、本発明に係わる第２の実施例にお
ける処理方法のフローチャートを示す。半導体シリコン
基板表面及び基板上薄膜表面を、糖を含むフッ酸蒸気で
基板上全面を分解し、その後基板上に純水回収液を滴下
して回収して、回収液中の不純物成分を高感度分析装置
で分析する。
ける処理方法のフローチャートを示す。半導体シリコン
基板表面及び基板上薄膜表面を、糖を含むフッ酸蒸気で
基板上全面を分解し、その後基板上に純水回収液を滴下
して回収して、回収液中の不純物成分を高感度分析装置
で分析する。
【００１９】図４は、１×１０13原子／ｃｍ2 のゲルマ
ニウムで汚染させたシリコンウエハを図３で示す処理を
行い分析した結果と従来技術とを比較して示したもので
ある。比較のために、従来から知られているフッ酸蒸気
のみと本発明の糖を含むフッ酸蒸気の２種類で分解を行
い、純水回収液で回収したそれぞれの回収率の差を見て
いる。また、図４は、１枚の汚染ウエハで５回回収操作
を繰り返したときの各回の回収率を示している。
ニウムで汚染させたシリコンウエハを図３で示す処理を
行い分析した結果と従来技術とを比較して示したもので
ある。比較のために、従来から知られているフッ酸蒸気
のみと本発明の糖を含むフッ酸蒸気の２種類で分解を行
い、純水回収液で回収したそれぞれの回収率の差を見て
いる。また、図４は、１枚の汚染ウエハで５回回収操作
を繰り返したときの各回の回収率を示している。
【００２０】この結果から、フッ酸蒸気のみで分解し純
水回収を行った従来技術ではゲルマニウムの回収率が悪
く、本発明に係わる糖を含むフッ酸で分解し純水回収を
行った場合は、全量回収、分析が可能となった。しか
も、１回の回収操作でほぼ全量を回収することができ、
このときの定量下限は、７×１０9 原子／ｃｍ2 であ
り、データの再現性も良い。
水回収を行った従来技術ではゲルマニウムの回収率が悪
く、本発明に係わる糖を含むフッ酸で分解し純水回収を
行った場合は、全量回収、分析が可能となった。しか
も、１回の回収操作でほぼ全量を回収することができ、
このときの定量下限は、７×１０9 原子／ｃｍ2 であ
り、データの再現性も良い。
【００２１】このことにより、シリコンウエハ上のゲル
マニウムを分析するには、糖を含むフッ酸蒸気で分解を
行うことにより、全量を定量分析することができる。従
って、基板上のフッ素化合物が低昇華点である元素の分
解、回収には、分解回収液を糖を含むフッ酸にするか又
は糖を含むフッ酸蒸気で分解することにより、高感度に
これら元素を分析することが可能となった。なお、上記
本発明の実施例においては汚染金属としてゲルマニウム
の例につき説明したが、この他に当該元素のフッ素化合
物が低昇華点特性を有する元素にも適用することができ
る。
マニウムを分析するには、糖を含むフッ酸蒸気で分解を
行うことにより、全量を定量分析することができる。従
って、基板上のフッ素化合物が低昇華点である元素の分
解、回収には、分解回収液を糖を含むフッ酸にするか又
は糖を含むフッ酸蒸気で分解することにより、高感度に
これら元素を分析することが可能となった。なお、上記
本発明の実施例においては汚染金属としてゲルマニウム
の例につき説明したが、この他に当該元素のフッ素化合
物が低昇華点特性を有する元素にも適用することができ
る。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、半導体シリコン基
板表面及び基板上薄膜表面のフッ素化合物が低昇華点で
ある元素を分析するには、分解回収液を基板上に滴下し
て分解し、分解回収液を回収して、回収液中の不純物成
分を高感度分析装置で分析する分析方法の分解回収液と
して糖を含むフッ酸にする。または、基板上をフッ酸蒸
気で分解し、基板上の分解物を純水回収液で回収して、
その回収液中の不純物成分を高感度分析装置で分析する
分析方法のフッ酸蒸気に糖を含有させることにより、従
来、昇華してしまって分析することのできなかったこれ
ら元素を定量的で、かつ高感度に分析することが可能と
なった。
板表面及び基板上薄膜表面のフッ素化合物が低昇華点で
ある元素を分析するには、分解回収液を基板上に滴下し
て分解し、分解回収液を回収して、回収液中の不純物成
分を高感度分析装置で分析する分析方法の分解回収液と
して糖を含むフッ酸にする。または、基板上をフッ酸蒸
気で分解し、基板上の分解物を純水回収液で回収して、
その回収液中の不純物成分を高感度分析装置で分析する
分析方法のフッ酸蒸気に糖を含有させることにより、従
来、昇華してしまって分析することのできなかったこれ
ら元素を定量的で、かつ高感度に分析することが可能と
なった。
【００２３】よって、本発明の分析方法を行うことによ
り、半導体製造におけるこれら元素の金属汚染の低減が
可能となり、高品質、高生産歩留りの半導体製品を製造
することができる。
り、半導体製造におけるこれら元素の金属汚染の低減が
可能となり、高品質、高生産歩留りの半導体製品を製造
することができる。
【図１】 本発明の第１の実施例に係わる分析方法を説
明するためのフローチャート図。
明するためのフローチャート図。
【図２】 本発明の第１の実施例により分析したときの
回収率を従来例と比較して示す特性図である。
回収率を従来例と比較して示す特性図である。
【図３】 本発明の第２の実施例に係わる分析方法を説
明するためのフローチャート図。
明するためのフローチャート図。
【図４】 本発明の第２の実施例により分析したときの
回収率を従来例と比較して示す特性図である。
回収率を従来例と比較して示す特性図である。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体シリコン基板表面及び基板上薄膜
表面に存する、フッ素化合物が低昇華点である元素を分
析する方法において、前記半導体シリコン基板表面及び
基板上薄膜表面を糖を含有するフッ酸で処理することを
特徴とする半導体シリコン基板表面及び基板上薄膜表面
の分析方法。 - 【請求項２】 前記半導体シリコン基板表面及び基板上
薄膜表面に糖を含有するフッ酸回収液を滴下して基板上
を分解し、前記分解回収液を回収して当該回収液中の不
純物成分を分析することを特徴とする請求項１記載の半
導体シリコン基板表面及び基板上薄膜表面の分析方法。 - 【請求項３】 前記半導体シリコン基板表面及び基板上
薄膜表面を糖を含有するフッ酸蒸気で分解し、その後前
記基板上の分解物を分解回収液を用いて回収することを
特徴とする請求項１記載の半導体シリコン基板表面及び
基板上薄膜表面の分析方法。 - 【請求項４】 前記分解回収液として純水を用いること
を特徴とする請求項３記載の半導体シリコン基板表面及
び基板上薄膜表面の分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4068605A JPH05273198A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | 半導体シリコン基板表面及び基板上薄膜表面の分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4068605A JPH05273198A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | 半導体シリコン基板表面及び基板上薄膜表面の分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05273198A true JPH05273198A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13378579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4068605A Pending JPH05273198A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | 半導体シリコン基板表面及び基板上薄膜表面の分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05273198A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0198944A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-17 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | シリコン半導体基板の表面分析方法 |
| JPH01189558A (ja) * | 1988-01-23 | 1989-07-28 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | Ｓｉ半導体基板の表面分析方法 |
| JPH01272939A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-10-31 | Toshiba Corp | 不純物の測定方法 |
| JPH0228533A (ja) * | 1988-04-25 | 1990-01-30 | Toshiba Corp | 不純物の測定方法及び不純物の回収装置 |
| JPH0413430A (ja) * | 1990-04-29 | 1992-01-17 | Fuji Eng Kk | シート搬送装置 |
-
1992
- 1992-03-26 JP JP4068605A patent/JPH05273198A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0198944A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-17 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | シリコン半導体基板の表面分析方法 |
| JPH01189558A (ja) * | 1988-01-23 | 1989-07-28 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | Ｓｉ半導体基板の表面分析方法 |
| JPH01272939A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-10-31 | Toshiba Corp | 不純物の測定方法 |
| JPH0228533A (ja) * | 1988-04-25 | 1990-01-30 | Toshiba Corp | 不純物の測定方法及び不純物の回収装置 |
| JPH0413430A (ja) * | 1990-04-29 | 1992-01-17 | Fuji Eng Kk | シート搬送装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990922 |