JPH05268425A

JPH05268425A - 半導体レーザ出力制御装置

Info

Publication number: JPH05268425A
Application number: JP4061803A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Kaneko; 良雄金子; Shuichi Yamazaki; 修一山崎; Nobuyuki Sato; 信行佐藤; Koichi Yamazaki; 幸一山崎; Kenichi Ono; 健一小野; Kenji Yamakawa; 健志山川; Hideo Nakagawa; 日出男中川
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1992-03-18
Filing date: 1992-03-18
Publication date: 1993-10-15

Abstract

(57)【要約】【目的】待機状態の環境温度の低下による半導体レー
ザの劣化を防止することが可能な半導体レーザ出力制御
装置を提供する。【構成】半導体レーザからのレーザビームを偏向手段
により偏向し、感光体駆動制御手段により駆動される感
光体上を走査してその表面上に情報を書込むレーザビー
ム走査装置を備え、半導体レーザのレーザ出力を光検出
手段１２により検出し、光検出手段１２の出力信号と基
準信号とを比較手段１６により比較し、その比較手段１
６からの出力信号により半導体レーザに流す電流値を制
御することにより半導体レーザの出力制御を行う半導体
レーザ出力制御装置において、タイミング信号を発生す
るタイマー２１を設け、レーザビーム走査装置の情報書
込待機時に、タイマー２１からの出力に応じて半導体レ
ーザの出力制御を行うレーザ出力制御手段２２を設け
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザプリンタ、レー
ザ複写機等に使用される半導体レーザ出力制御装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、レーザ光源として半導体レーザを
用いたレーザ複写機等においては、半導体レーザの出力
を安定化させるために、カウンタ等を用いた半導体レー
ザ出力制御装置が備えられている。そこで、今、その半
導体レーザ出力制御装置の一例を図１４に基づいて説明
する。

【０００３】半導体レーザ１より出射されたレーザビー
ムは、コリメータレンズ２によりコリメートされて偏向
手段としての回転多面鏡３ａにより偏向され、ｆθレン
ズ４により拡大走査され、その走査光はミラー５，６、
カバーガラス７を順次介して、感光体８の面上に結像さ
れ、これにより画像の記録が行われる。なお、前記回転
多面鏡３ａと、前記ｆθレンズ４と、前記ミラー５，６
とは、レーザビーム走査装置３をなしている。そして、
この場合、光検出手段としての光検出器９は、情報書込
領域外に設けられ、回転多面鏡３ａで偏向されたレーザ
ビームを検出して同期信号ａを発生する。この同期信号
ａは、信号処理回路１０に送られる。この信号処理回路
１０では、情報信号ｂを半導体レーザ駆動回路１１に印
加するが、そのタイミングを光検出器９からの同期信号
ａにより制御する。その半導体レーザ駆動回路１１は、
信号処理回路１０からの情報信号ｂに応じて半導体レー
ザ１を駆動制御する。これにより、情報信号ｂで変調さ
れたレーザビームが感光体８に照射されて静電潜像が形
成される。また、半導体レーザ１から後方に出射される
レーザビームは、光検出器１２に入射して光強度が検出
され、この検出された出力信号は制御回路１３に送られ
る。この制御回路１３は、その出力信号に応じて半導体
レーザ駆動回路１１を制御し、これにより半導体レーザ
１の出力光量を一定に制御する。図１５は、レーザビー
ム走査装置３等のレーザ光出射部が筐体１４内に収めら
れている様子を示したものである。

【０００４】図１６は、半導体レーザ駆動回路１１及び
その制御回路１３の構成を詳細に示すものである。半導
体レーザ１から後方に出射されたレーザビームは、フォ
トダイオードよりなる光検出器１２に入射し、レーザビ
ームの光強度に比例した電流を出力する。この電流は、
制御回路１３内の増幅器１５により電圧に変換され、比
較手段としての比較器１６に送られることにより基準電
圧Ｖref と比較される。この比較器１６の出力電圧は、
これに入力される電圧の大小関係により高レベル又は低
レベルとなりアップダウンカウンタ１７のカウントモー
ドを制御する。その一例として、半導体レーザ１からの
レーザビームの強度が基準値よりも弱い時には、比較器
１６の出力が低レベルになり、アップダウンカウンタ１
７はアップカウンタとして動作する状態となる。タイミ
ング信号Ｔ₁ によりエッジ検出回路１８がアップダウン
カウンタ１７へのイネーブル信号Ｅｎを解除すると、ア
ップダウンカウンタ１７は発振器１９からのクロック信
号Ｃｋによりその計数値が増加していく。このアップダ
ウンカウンタ１７の計数力は、Ｄ／Ａ変換器２０に送ら
れここでアナログ量に変換され、半導体レーザ駆動回路
１１に入力され、これにより半導体レーザ１の駆動出力
の制御が行われる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】一般に、レーザ複写機
では、周囲の環境温度の変化がゆるやかであり、半導体
レーザ１とその取付け金具の熱容量の影響で、その半導
体レーザ１の出力変動は短時間では無視することができ
る。そこで、レーザ複写機においては、半導体レーザ１
の出力制御を行うタイミング信号Ｔ₁ を、電源投入
時、プリントＯＮ時、紙間等の時に発生させ、半導
体レーザ１の出力を制御していた。また、レーザビーム
走査装置の情報書込停止時、すなわち、「待機状態」に
おいては、半導体レーザ１は全く出力させないか、或い
は、同期信号ａを発生させるために情報書込領域以外で
の短い時間のみ出力させるようにしていた。また、この
ような待機状態においては、画像出力をさせることはな
く、半導体レーザ１の出力光量を一定にしておく必要は
ないため、前述したような半導体レーザ１の出力制御の
動作は行われていなかった。

【０００６】図１７は、各温度におけるレーザ（ＬＤ）
駆動電流に対する半導体レーザ１の出力光量の特性を示
したものである。そこで、温度を低温、中温度、高温度
の場合に分けて示すと、温度が高温になるほど、ＬＤ駆
動電流に対する光量は低下する。言い替えると、温度が
高くなるほど同じ光量を得るには、大きな駆動電流が必
要となる。このように半導体レーザ１の出力光量は温度
に対して非常に不安定であるため、前述したようなレー
ザビームの出力制御が行われていた。

【０００７】しかし、従来のレーザ複写機等において
は、待機時においてはレーザ出力制御が行われておら
ず、このためその待機時に装置の環境温度が大きく低下
したような場合、環境温度が高い状態でのＬＤ駆動電流
の大きさで半導体レーザ１を駆動させてしまうことにな
り、これにより定格出力以上の出力をさせて半導体レー
ザ１自身を劣化させてしまう恐れがあった。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
半導体レーザからのレーザビームを偏向手段により偏向
し、感光体駆動制御手段により駆動される感光体上を走
査してその表面上に情報を書込むレーザビーム走査装置
を備え、前記半導体レーザのレーザ出力を光検出手段に
より検出し、前記光検出手段の出力信号と基準信号とを
比較手段により比較し、その比較手段からの出力信号に
より前記半導体レーザに流す電流値を制御することによ
り前記半導体レーザの出力制御を行う半導体レーザ出力
制御装置において、タイミング信号を発生するタイマー
を設け、前記レーザビーム走査装置の情報書込待機時
に、前記タイマーからの出力に応じて前記半導体レーザ
の出力制御を行うレーザ出力制御手段を設けた。

【０００９】請求項２記載の発明は、半導体レーザから
のレーザビームを偏向手段により偏向し、感光体駆動制
御手段により駆動される感光体上を走査してその表面上
に情報を書込むレーザビーム走査装置を備え、前記半導
体レーザのレーザ出力を光検出手段により検出し、前記
光検出手段の出力信号と基準信号とを比較手段により比
較し、その比較手段からの出力信号により前記半導体レ
ーザに流す電流値を制御することにより前記半導体レー
ザの出力制御を行う半導体レーザ出力制御装置におい
て、前記レーザビーム走査装置の温度を検出する温度検
出手段を設け、前記レーザビーム走査装置の情報書込待
機時に、前記温度検出手段からの出力に応じて前記半導
体レーザの出力制御を行うレーザ出力制御手段を設けた
ことを特徴とする半導体レーザ出力制御装置。

【００１０】請求項３記載の発明は、半導体レーザから
のレーザビームを偏向手段により偏向し、感光体駆動制
御手段により駆動される感光体上を走査してその表面上
に情報を書込むレーザビーム走査装置を備え、前記半導
体レーザのレーザ出力を光検出手段により検出し、前記
光検出手段の出力信号と基準信号とを比較手段により比
較し、その比較手段からの出力信号により前記半導体レ
ーザに流す電流値を制御することにより前記半導体レー
ザの出力制御を行う半導体レーザ出力制御装置におい
て、前記レーザビーム走査装置の情報書込待機時に、前
記光検出手段からの出力に応じて前記半導体レーザの出
力制御を行うレーザ出力制御手段を設けた。

【００１１】請求項４記載の発明は、請求項１，２又は
３記載の発明において、レーザ出力制御手段には、レー
ザビーム走査装置の情報書込待機時に、レーザビームの
情報書込領域以外にて半導体レーザの出力制御を行うよ
うにレーザビーム結像位置制御手段を設けた。

【００１２】請求項５記載の発明は、請求項１，２又は
３記載の発明において、レーザ出力制御手段には、レー
ザビーム走査装置の情報書込待機時に、偏向手段の停止
回転位置を制御してレーザビームを情報書込領域以外に
停止させた状態で半導体レーザの出力制御を行うように
レーザビーム結像位置制御手段を設けた。

【００１３】請求項６記載の発明は、請求項１，２又は
３記載の発明において、レーザ出力制御手段には、レー
ザビーム走査装置の情報書込待機時に、感光体を駆動し
た状態で半導体レーザの出力制御を行うようにレーザビ
ーム結像位置制御手段を設けたことを特徴とする請求項
１，２又は３記載の半導体レーザ出力制御装置。

【００１４】請求項７記載の発明には、請求項１，２又
は３記載の発明において、レーザビームの出射光路上に
そのレーザビームを遮断する遮断手段を設け、レーザ出
力制御手段は、レーザビーム走査装置の情報書込待機時
に、前記遮断手段によりレーザビームが遮断された状態
で半導体レーザの出力制御を行うようにレーザビーム結
像位置制御手段を設けた。

【００１５】請求項８記載の発明には、請求項１，２又
は３記載の発明において、レーザビームの出射光路上に
ビーム反射手段のレーザビームに対する入射角度を偏向
するビーム角度偏向手段を設け、レーザ出力制御手段
は、レーザビーム走査装置の情報書込待機時に、前記ビ
ーム角度偏向手段によりレーザビームを感光体上から退
避させた状態で半導体レーザの出力制御を行うようにレ
ーザビーム結像位置制御手段を設けた。

【００１６】請求項９記載の発明には、請求項１，２又
は３記載の発明において、レーザビームの出射光路上に
配置されたレンズをその光軸方向に移動させるレンズ移
動手段を設け、レーザ出力制御手段は、レーザビーム走
査装置の情報書込待機時に、前記レンズ移動手段により
前記レンズを移動させ前記レーザビームの結像位置が感
光体上より移動した状態で半導体レーザの出力制御動作
を行うようにレーザビーム結像位置制御手段を設けた。

【００１７】請求項１０記載の発明は、請求項１記載の
発明において、タイマーから出力されたタイミング信号
に応じて感光体を短時間駆動させる感光体短時間駆動制
御手段を設け、この感光体短時間駆動制御手段の駆動前
後の前記感光体上へ照射されるレーザビームの結像位置
が異なるように制御するレーザビーム結像位置制御手段
を設けた。

【００１８】請求項１１記載の発明は、請求項２又は３
記載の発明において、タイミング信号を発生するタイマ
ーを設け、このタイマーから出力されたタイミング信号
に応じて感光体を短時間駆動させる感光体短時間駆動制
御手段を設け、この感光体短時間駆動制御手段の駆動前
後の前記感光体上へ照射されるレーザビームの結像位置
が異なるように制御するレーザビーム結像位置制御手段
を設けた。

【００１９】

【作用】請求項１記載の発明においては、待機状態にお
いて、環境温度が大きく低下しても、その待機中にある
一定の時間間隔で半導体レーザの出力制御を行わせるこ
とが可能となる。

【００２０】請求項２記載の発明においては、待機状態
において、環境感度が大きく低下しても、その待機中に
半導体レーザの温度を検出してその温度変化がある一定
レベルとなる度に半導体レーザの出力制御を行わせるこ
とが可能となる。

【００２１】請求項３記載の発明においては、待機状態
において、環境温度が大きく低下しても、その待機中に
半導体レーザの出力をモニターし、その出力変化がある
一定レベルとなる度に半導体レーザの出力制御を行わせ
ることが可能となる。

【００２２】請求項４記載の発明においては、待機状態
中に半導体レーザの出力制御を行っても、レーザビーム
が情報書込領域外を走査している時にのみ半導体レーザ
を発光させることが可能する。

【００２３】請求項５記載の発明においては、待機状態
中に半導体レーザの出力制御を行ってもポリゴンモータ
を停止させ、レーザビームが情報書込領域外に静止して
いる状態で半導体レーザを発光させることが可能とな
る。

【００２４】請求項６記載の発明においては、待機状態
中に半導体レーザの出力制御を行っても、レーザビーム
が露光される時には感光体を回転させることが可能とな
る。

【００２５】請求項７記載の発明においては、待機状態
中に半導体レーザの出力制御を行っても、レーザビーム
は遮断手段により遮断され、これにより静止した感光体
上をレーザビームが露光するようなことをなくすことが
可能となる。

【００２６】請求項８記載の発明においては、待機状態
中に半導体レーザの出力制御を行っても、レーザビーム
は感光体外へ退避した状態となるため、静止した感光体
上をレーザビームが露光するようなことをなくすことが
可能となる。

【００２７】請求項９記載の発明においては、待機状態
中に半導体レーザの出力制御を行っても、レーザビーム
は感光体上では結像せず、レーザビームの露光による感
光体上への影響を小さくさせることが可能となる。

【００２８】請求項１０，１１記載の発明においては、
待機状態中に一定の時間毎に感光体上のレーザビーム結
像位置が移動するため、レーザビームの出力制御を行っ
ても常に感光体上の同一位置にレーザビームが照射され
るようなことはなく、感光体への露光による影響を小さ
くさせることが可能となる。

【００２９】

【実施例】請求項１記載の発明の一実施例を図１〜図３
に基づいて説明する。なお、従来技術（図１４〜図１
６）と同一部分についての説明は省略し、その同一部分
については同一符号を用いる。

【００３０】図１は、半導体レーザ出力制御装置の構成
を示すものである。この装置は、半導体レーザ１からの
レーザビームを回転多面鏡３ａにより偏向し、図示しな
い感光体駆動制御手段により駆動される感光体８上を走
査してその表面上に情報を書込むレーザビーム走査装置
３を備え、半導体レーザ１のレーザ出力を光検出器１２
により検出し、その光検出器１２の出力信号と基準信号
とを比較器１６により比較し、その比較器１６からの出
力信号により半導体レーザ１に流す電流値を制御するこ
とにより半導体レーザ１の出力制御を行うというもので
ある。

【００３１】このような半導体レーザ出力制御装置にお
いて、本実施例では、タイミング信号Ｔ₂ を発生するタ
イマー２１を設け、レーザビーム走査装置３の情報書込
みの待機時に、タイマー２１からの出力に応じて半導体
レーザ１の出力制御を行うレーザ出力制御手段２２を設
けたものである。この場合、レーザ出力制御手段２２
は、エッジ検出回路１８から半導体レーザ駆動回路１１
までの回路を含めた構成となっている。

【００３２】このような構成において、以下、タイマー
２１とレーザ出力制御手段の働きを中心に説明してい
く。タイマー２１は、複写機が待機状態であることを示
すレディー信号Ｔ₀ が、本体の制御回路から入力されて
いる時のみに動作を行う。このタイマー２１は、待機状
態にある一定時間間隔ｔp でタイミング信号Ｔ₂ をエッ
ジ検出回路１８に出力する。このエッジ検出回路１８で
は、タイミング信号Ｔ₁或いはＴ₂ によりアップダウン
カウンタ１７へのイネーブル信号Ｅｎを解除する。この
イネーブル信号Ｅｎの解除により、従来技術でも述べた
ような半導体レーザ１の光量制御が行われる。これによ
り、タイミング信号Ｔ₁ により従来と同様のタイミング
（電源投入時、プリントＯＮ時、紙挿入間等）で“出力
制御”を行うことができる。また、待機状態において
も、タイマー２１からのタイミング信号Ｔ₂ により、あ
る一定間隔で“出力制御”を行うことができる。

【００３３】ここで、半導体レーザ１のレーザ出力制御
の具体例を図２及び図３に基づいて説明する。図２は、
待機状態において、図３に示すような環境温度の変化が
生じた時の、半導体レーザ１（ＬＤ）の温度、ＬＤの出
力、タイミング信号Ｔ₂ の発生時期、そのタイミング信
号Ｔ₂ によるＬＤの出力制御の様子を示したものであ
る。この場合、待機状態において、図３に示すような環
境温度の変化がある場合、ＬＤの出力制御を行わない
と、図２の破線ａで示すようにＬＤを定格出力以上で出
力させてしまう恐れがある。このようなことから本実施
例では、複写機が待機状態となった時点から、波形ｂに
示すようにｔp の時間間隔でタイマー２１からタイミン
グ信号Ｔ₂ を発生させる。これにより、ある一定間隔で
前述したような出力制御が行われ、ＬＤの出力は波形ｃ
に示すようになり、待機状態の初期の時点の出力からは
大きく変化しない。

【００３４】上述したように、書込みでない待機状態に
おいて、環境温度が大きく低下しても、その待機中に、
ある一定の時間間隔で半導体レーザの出力制御を行わせ
ることが可能なため、その半導体レーザを定格出力以上
の出力で発光させるようなことがなく、これにより半導
体レーザ自身の劣化を防ぐことができる。なお、タイマ
ー２１から出力されるタイミング信号Ｔ₂ を頻繁に出力
させる必要はなく、その間隔ｔp を例えば１０分とか２
０分とかいう間隔とするようにしてもよい。

【００３５】次に、請求項２記載の発明の一実施例を図
４及び図５に基づいて説明する。なお、請求項１記載の
発明（図１）と同一部分についての説明は省略し、その
同一部分については同一符号を用いる。

【００３６】本実施例では、図４に示す半導体レーザ出
力制御装置において、レーザビーム走査装置３の温度を
検出する温度検出手段としての温度検出器２３を設け、
レーザビーム走査装置３の情報書込待機時に、温度検出
器２３からの出力に応じて半導体レーザ１の出力制御を
行うレーザ出力制御手段２４を設けたものである。この
場合、レーザ出力制御手段２４は、温度検出器２３が接
続されたタイミング信号Ｔ₃ を発生するタイミング信号
発生回路２５、タイミング信号Ｔ₃ が送られるエッジ検
出回路１８等により構成されている。

【００３７】このような構成において、温度検出器２３
（例えば、サーミスタ）は、装置内部の半導体レーザ１
の近傍に配置されており、これにより半導体レーザ１の
温度を検出している。タイミング信号発生回路２５は、
複写機が待機状態であることを示すレディー信号Ｔ₀ が
本体制御回路から入力されている時のみにタイミング信
号Ｔ₃ を発生する。タイミング信号発生回路２５は、待
機状態において、温度変化がある一定の温度ｔａだけ生
じる毎にタイミング信号Ｔ₃ をエッジ検出回路１８に出
力する。このエッジ検出回路１８は、タイミング信号Ｔ
₁ 或いはＴ₃ によりアップダウンカウンタ１７へのイネ
ーブル信号Ｅｎを解除する。このイネーブル信号Ｅｎの
解除により、半導体レーザ１の光量制御が行われる。こ
れにより、タイミング信号Ｔ₁ により従来と同様のタイ
ミング（電源投入時、プリントＯＮ時、紙挿入間等）で
“出力制御”を行うことができる。また、待機状態にお
いても、タイマー２１からのタイミング信号Ｔ₃ によ
り、ある一定の温度変化が生じる毎に“出力制御”を行
うことができる。

【００３８】ここで、半導体レーザ１のレーザ出力制御
の具体例を図５に基づいて説明する。今、複写機が待機
状態となった時点のＬＤの温度Ｔｏからｎ×ｔａの温度
変化があると、タイミング信号発生回路２５からタイミ
ング信号Ｔ₃ が発生する。これにより、タイミング信号
Ｔ₃ により出力制御が行われ、ＬＤの出力は波形ｄのよ
うになり、待機状態となった時点の出力からは大きく変
化しない。

【００３９】上述したように、待機状態において、環境
温度が大きく低下しても、その待機中に半導体レーザ１
の温度を検出してその温度変化がある一定レベルとなる
度に半導体レーザ１の出力制御を行わせるようにしたの
で、半導体レーザを定格出力以上の出力で発光させるよ
うなことがなくなり、素子の劣化を防止することができ
る。

【００４０】なお、本実施例においては、温度検出器２
３を半導体レーザ１の近傍に取付けた例について述べた
が、これに限るものではなく他の場所に設置するように
してもよい。このような場合には、温度測定点の温度
と、半導体レーザ部の温度との関係を予め求めておき、
測定された温度から半導体レーザ部の温度を予測して、
これによりタイミング信号Ｔ₃ を発生させるようにすれ
ばよい。

【００４１】次に、請求項３記載の発明の一実施例を図
６及び図７に基づいて説明する。なお、請求項１記載の
発明（図１）と同一部分についての説明は省略し、その
同一部分については同一符号を用いる。

【００４２】本実施例では、図６に示す半導体レーザ出
力制御装置において、レーザビーム走査装置３の情報書
込待機時に、光検出器１２からの出力に応じて半導体レ
ーザ１の出力制御を行うレーザ出力制御手段２６を設け
たものである。この場合、レーザ出力制御手段２６は、
タイミング信号Ｔ₄ を発生するタイミング信号発生回路
２５、エッジ検出回路１８等により構成されている。タ
イミング信号発生回路２５には、増幅器１５からの出力
信号が送られるようになっている。

【００４３】このような構成において、タイミング信号
発生回路２５は、複写機が待機状態であることを示すレ
ディー信号Ｔ₀ が本制御回路から入力されている時のみ
にタイミング信号Ｔ₄ を出力する。また、タイミング信
号発生回路２５には、半導体レーザ１からのレーザビー
ムの強度に比例する信号が、増幅器１５を介して入力さ
れる。そして、そのタイミング信号発生回路２５は、待
機状態において、増幅器１５からの出力の変化がある一
定値Ｖｐだけ生じる度にタイミング信号Ｔ₄ をエッジ検
出回路１８に出力する。このエッジ検出回路１８は、タ
イミング信号Ｔ₁ 或いはＴ₄ によりアップダウンカウン
タ１７へのイネーブル信号Ｅｎを解除する。このイネー
ブル信号Ｅｎの解除により、ＬＤの光量制御を行うこと
ができる。これにより、タイミング信号Ｔ₁ により従来
と同様なタイミングで出力制御を行うことができる。ま
た、待機状態においても、タイミング信号発生回路２５
からのタイミング信号Ｔ₄ により、レーザビームの強度
にある一定の出力差が生じる度に出力制御を行うことが
できる。

【００４４】ここで、半導体レーザ１のレーザ出力制御
の具体例を図７に基づいて説明する。複写機が待機状態
となった時の光検出器１２の出力Ｖref からＶｐの出力
があると、タイミング信号発生回路２５からタイミング
信号Ｔ₄ が発生する。このタイミング信号Ｔ₄ により出
力制御が行われ、ＬＤの出力は波形ｅのようになり、待
機状態となった時点の出力から大きく変化しない。

【００４５】上述したように、待機状態において、環境
温度が大きく低下しても、この待機状態中に半導体レー
ザ１の出力をモニターして、この出力変化がある一定レ
ベルとなる度に半導体レーザ１の出力制御を行うことが
できるため、半導体レーザ１を定格出力以上の出力で発
光させるようなことがなくなり、これにより素子の劣化
を防止することが可能となる。

【００４６】なお、本実施例においては、待機状態にお
けるＬＤの出力をモニターするために、ＬＤを出力させ
る必要がある。そこで、待機状態においては、同期信号
を発生させるために、情報書込み領域外でＬＤを発光さ
せている時のＬＤの出力をモニターするようにすればよ
い。さらに、ここでは、半導体レーザ１の出力のモニタ
ーを光検出器１２により行う場合の例について述べた
が、この他の手段としてその出力をモニターするように
してもよく、例えば、同期信号を発生させるために用い
ている光検出器１２の出力をモニターするようにしても
よい。

【００４７】ところで、通常における複写機の待機状態
においては、感光体８は回転せず停止状態にある。この
ためそのような待機状態において、請求項１〜３記載の
発明の出力制御の動作を行わせると、出力制御の動作を
行う度にレーザビームを停止した感光体８の同一箇所に
露光させることになり、これにより感光体８のある一部
分だけを劣化させる恐れがある。そこで、このような不
具合を防止することを目的として、以下に述べるような
請求項４〜９記載の発明についての説明を順次行ってい
くことにする。

【００４８】そこで、請求項４記載の発明の一実施例を
図８に基づいて説明する。図８は、請求項１記載の発明
（図１参照）を用い、待機状態において、出力制御を行
わせた時の感光体８の表面の劣化を防止するための例に
ついて述べたものである。なお、本実施例は、請求項１
記載の発明の他に、請求項２〜３記載の発明の場合にも
適用させることが可能である。

【００４９】レーザ出力制御手段２２には、レーザビー
ム走査装置３の情報書込待機時に、レーザビームの情報
書込領域以外にて半導体レーザ１の出力制御を行わせる
ためにレーザビーム結像位置制御手段としての信号処理
回路２７が設けられている。この信号処理回路２７に
は、複写機が待機状態であることを示すレディー信号Ｔ
₀ が本体制御回路から入力されていると共に、光検出器
９からの同期信号によりタイミングを制御し、待機状態
においては、情報書込領域外のみにおいて半導体レーザ
１を駆動させる。このようなことから、待機状態におい
ては出力制御はレーザビームが情報書込領域外を走査し
ている時のみに行われることになる。

【００５０】上述したように、待機状態中に半導体レー
ザ１の出力制御を行っても、レーザビームが情報書込領
域外を走査している時にのみ半導体レーザ１を発光させ
るため、静止した感光体８上をレーザビームが露光する
ことをなくすことができ、これにより感光体８の表面の
劣化を防止することができる。

【００５１】次に、請求項５記載の発明の一実施例を図
９に基づいて説明する。図９は、請求項１記載の発明
（図１参照）を用い、待機状態において、出力制御を行
わせた時の感光体８の表面の劣化を防止するための例に
ついて述べたものである。なお、本実施例は、請求項１
記載の発明の他に、請求項２〜３記載の発明の場合にも
適用させることが可能である。

【００５２】レーザ出力制御手段２２には、レーザビー
ム走査装置３の情報書込待機時に、偏向手段としての回
転多面鏡３ａ（ポリゴンミラー）の停止回転位置を制御
してレーザビームを情報書込領域以外に停止させた状態
で半導体レーザ１に出力制御を行わせるために、レーザ
ビーム結像位置制御手段としてのポリゴンモータ制御回
路２８が設けられている。このポリゴンモータ制御回路
２８は、ポリゴンモータ３ｂの回転を制御する。そこ
で、このようなポリゴンモータ制御回路２８を設けた理
由について述べる。前述した請求項４記載の発明におい
ては、同期信号を用いて出力制御を情報書込領域外で行
わせるようにしていた。しかし、この情報書込領域外を
レーザビームが走査している時間は非常に短いため、出
力制御を高速で行わせなくてはならず、回路上の制約を
受ける。そこで、本実施例では、待機状態において出力
制御を行わせる時にポリゴンモータ３ｂの回転を停止さ
せると共に、ポリゴンモータ３ｂの回転停止位置を制御
してレーザビームを情報書込領域外へ向かわせるように
したものである。

【００５３】ポリゴンモータ制御回路２８には、レディ
ー信号Ｔ₀ 及び光検出器９からの同期信号ａが入力され
るようになっており、待機状態においては、ポリゴンモ
ータ３ｂの回転を停止させるように制御していると共
に、その回転角も制御しており、同期信号を用いてレー
ザビームが情報書込領域外へ向かうようにしている。従
って、待機状態における出力制御は、レーザビームが情
報書込領域外へ向いた状態で行われることになるため、
レーザビームの照射による感光体８の情報書込領域上の
劣化を防止することができる。

【００５４】なお、本実施例においては、待機状態にお
いては、常にポリゴンモータ３ｂをレーザビームが情報
書込領域外へ向かうように制御させた場合について述べ
たが、実際には、出力制御を行う時のみ、ポリゴンモー
タ３ｂをレーザビームが情報書込領域外へ向かうように
制御すればよい。そこで、待機状態に出力制御を行うタ
イミング信号Ｔ₂ により、ポリゴンモータ３ｂの回転制
御（停止及び回転角制御）を行わせるようにしてもよ
い。

【００５５】次に、請求項６記載の発明の一実施例を図
１０に基づいて説明する。図１０は請求項１記載の発明
（図１参照）を用い、待機状態において、出力制御を行
わせた時の感光体８の表面の劣化を防止するための例に
ついて述べたものである。なお、本実施例は、請求項１
記載の発明の他に、請求項２〜３記載の発明の場合にも
適用させることが可能である。

【００５６】レーザ出力制御手段には、レーザビーム走
査装置の情報書込待機時に、感光体８を駆動した状態で
半導体レーザ１の出力制御を行わせるために、レーザビ
ーム結像位置制御手段としての感光体駆動制御回路２９
が設けられている。この感光体駆動制御回路２９には、
タイマー２１からタイミング信号Ｔ₂ が入力され、この
タイミング信号Ｔ₂ により出力制御が行われる時には、
感光体モータ３０を駆動させて感光体８を回転させるよ
うに制御する。このため、待機状態に出力制御が行われ
る時には、感光体８は回転している状態となり、感光体
８の同一箇所を繰り返して走査露光するというようなこ
とがなくなり、これにより感光体８表面の劣化を防止す
ることができる。

【００５７】次に、請求項７記載の発明の一実施例を図
１１に基づいて説明する。図１１は請求項１記載の発明
（図１参照）を用い、待機状態において、出力制御を行
わせた時の感光体８の表面の劣化を防止するための例に
ついて述べたものである。なお、本実施例は、請求項１
記載の発明の他に、請求項２〜３記載の発明の場合にも
適用させることが可能である。

【００５８】筐体１４内のレーザビームの出射口の付近
にはシャッター３１が配置されており、このシャッター
３１はソレノイド３２により矢印方向に移動できるよう
になっている。これらシャッター３１とソレノイド３２
とは、遮断手段３３を構成している。また、レーザ出力
制御手段２２には、レーザビーム走査装置３の情報書込
待機時に、前記遮断手段３３によりレーザビームが遮断
された状態で半導体レーザ１の出力制御を行わせるため
に、レーザビーム結像位置制御手段としてのソレノイド
駆動制御回路３４が設けられている。

【００５９】このソレノイド駆動制御回路３４には、タ
イマー２１からタイミング信号Ｔ₂が入力され、出力制
御が行われる時には、ソレノイド３２を駆動し、シャッ
ター３１を図中左方向へ移動させるように制御する。こ
れにより待機状態において出力制御が行われる時には、
そのシャッター３１により出射口が閉じられ、レーザビ
ームは感光体８の面上に照射されなくなる。

【００６０】上述したように、シャッター３１を用いて
レーザビームの遮断を行うことにより、感光体８上をレ
ーザビームが露光することがなくなり、これにより感光
体８の表面上の劣化を防止することができる。

【００６１】なお、本実施例では、シャッター３１を出
射口に配置した場合について述べたが、シャッター３１
の位置はこの位置に限られるものではなく、レーザビー
ムの光路上のどこの位置でもよい。その一例として、コ
リメートレンズ２とポリゴンミラー３ａとの間の光路上
に配置するようにしてもよい。また、シャッター３１
は、機械（メカ）的な構造の他に、液晶シャッター等の
光学的なものを用いるようにしてもよい。また、ここで
は、シャッター等によるレーザビームの遮断を待機状態
において出力制御が行われる時のみに実行させる場合に
ついて述べたが、待機状態においては感光体８上をレー
ザビームにより露光させる必要はない。そこで、待機状
態においては、常にレーザビームを遮断させるようにし
てもよく、この場合には、例えば、レディー信号により
ソレノイド３２を駆動制御させるような構成とすればよ
い。

【００６２】次に、請求項８記載の発明の一実施例を図
１２に基づいて説明する。図１２は請求項１記載の発明
（図１参照）を用い、待機状態において、出力制御を行
わせた時の感光体８の表面の劣化を防止するための例に
ついて述べたものである。なお、本実施例は、請求項１
記載の発明の他に、請求項２〜３記載の発明の場合にも
適用させることが可能である。

【００６３】筐体１４内のレーザビームの出射光路上に
は、ミラー３５が配設されている。このミラー３５に
は、スプリング３６とソレノイド３７とが取付けられて
いる。ミラー３５はＰを支点として回転自在に設けられ
ている。これらミラー３５と、スプリング３６と、ソレ
ノイド３７とは、ビーム角度偏向手段３８を構成してい
る。また、レーザ出力制御手段２２には、レーザビーム
走査装置３の情報書込待機時に、ビーム角度偏向手段３
８によりレーザビームを感光体８上から退避させた状態
で半導体レーザの出力制御を行わせるために、レーザビ
ーム結像位置制御手段としてのソレノイド駆動制御回路
３９が設けらている。

【００６４】このソレノイド駆動制御回路３９には、タ
イマー２１からタイミング信号Ｔ₂が入力され、このタ
イミング信号Ｔ₂ により出力制御が行われる時にはソレ
ノイド３７を駆動し、このソレノイド３７によりミラー
３５はＰ点を支点として時計方向に回転させられる。こ
のため、待機状態に出力制御が行われる時には、ミラー
３５のレーザビームに対する角度が変えられ、これによ
りミラー３５による反射光が感光体８の面上から退避し
露光されなくなる。

【００６５】上述したように、ミラー３５を用いてレー
ザビームを感光体８の表面から退避させることにより、
感光体８の表面の劣化を防止することができる。

【００６６】なお、本実施例では、レーザビームを感光
体８の面上から退避させる方法として、ミラー３５の傾
きを変更させる場合の例について述べたが、これに限る
ものではなく、レーザビーム光路上の光学部品の傾きを
変更させることによりレーザビームを感光体８の面上か
ら退避させることもでき、例えば、ポリゴンミラー３ａ
の角度を偏向させるようにしてもよい。また、ここで
は、ミラー３５等の角度を偏向させてレーザビームを感
光体８上から退避させる動作を待機状態において出力制
御が行われる時のみに実行させる場合について述べた
が、その待機状態においてはレーザビームを感光体８の
面上から常に退避させるようにしてもよい。次に、請求
項９記載の発明の一実施例を図１３に基づいて説明す
る。図１３は請求項１記載の発明（図１参照）を用い、
待機状態において、出力制御を行わせた時の感光体８の
表面の劣化を防止するための例について述べたものであ
る。なお、本実施例は、請求項１記載の発明の他に、請
求項２〜３記載の発明の場合にも適用させることが可能
である。

【００６７】半導体レーザ１の出射光路上には、レンズ
としてのコリメートレンズ２ａが配設されている。この
コリメートレンズ２ａは、ソレノイド４０により光軸方
向（矢印方向）に移動できるようになっている。これら
コリメートレンズ２ａと、ソレノイド４０とは、レンズ
移動手段４１を構成している。また、レーザ出力制御手
段２２には、レーザビーム走査装置３の情報書込待機時
に、レンズ移動手段４１によりコリメートレンズ２ａを
移動させレーザビームの結像位置が感光体８上より移動
した状態で半導体レーザ１の出力制御動作を行わせるた
めにレーザビーム結像位置制御手段としてのソレノイド
駆動制御回路４２が設けられている。

【００６８】通常時（コピー動作時）には、ソレノイド
４０は駆動されないため、コリメートレンズ２ａは正規
の箇所に位置し、半導体レーザ１から出射されたレーザ
ビームを正確にコリメートする。一方、待機状態におい
て出力制御が行われる時には、タイマー２１からのタイ
ミング信号Ｔ₂ がソレノイド駆動制御回路４２に入力さ
れ、これによりソレノイド４０が駆動され、コリメート
レンズ２ａが正規の箇所から光軸方向に移動する。この
移動によりレーザビームはコリメートされない状態とな
り、感光体８上では結像位置がずれた位置となり、レー
ザビームは結像されずボケた状態となる。このように感
光体８の面上のボケた状態でのレーザビームの単位面積
当たりの光強度は、結像された状態での光強度と比べて
非常に小さなものとすることができるため、感光体８の
面上に与える影響も非常に小さなものとすることができ
る。

【００６９】上述したように、待機状態において出力制
御を行わせる場合に、レーザビームの光路上のコリメー
トレンズ２ａを光軸方向に移動させることにより、感光
体８から結像位置をずらし（デフォーカスし）、これに
よりレーザビームの露光により感光体８の表面に与える
影響を小さくし劣化を防止させることができる。

【００７０】なお、本実施例においては、レーザビーム
の光路上のコリメートレンズ２ａを光軸方向に移動させ
る動作を、待機状態において出力制御が行われる時のみ
実行させる場合について述べたが、この他に待機状態に
おいては常にデフォーカスさせるようにしてもよい。

【００７１】また、これまで述べた請求項７〜９の発明
の実施例（図１１〜図１３）において、シャッター３
１、ミラー３５、コリメートレンズ２ａを移動又は回転
させる手段として、それぞれソレノイド３２，３７，４
０を使用した場合の例について述べたが、この他に例え
ば、圧電アクチュエータ、モータにラックとピニオンを
組み合わせた構成とすることも可能である。

【００７２】次に、請求項１０記載の発明の一実施例に
ついて説明する。本実施例は、請求項１記載の発明（図
１参照）を用い、待機状態において、出力制御を行わせ
た時の感光体８の表面の劣化を防止するための例につい
て述べたものである。

【００７３】図１の装置において、タイマー２１から出
力されたタイミング信号Ｔ₂ に応じて感光体８を短時間
駆動させる図示しない感光体短時間駆動制御手段が設け
られている。また、その感光体短時間駆動制御手段の駆
動前後の前記感光体８上へ照射されるレーザビームの結
像位置が異なるように制御する図示しないレーザビーム
結像位置制御手段が設けられている。

【００７４】このような構成において、感光体短時間駆
動制御手段及びレーザビーム結像位置制御手段を用い
て、待機状態中に一定の時間毎に、感光体８の面上での
レーザビーム結像位置を移動させることができるため、
レーザビームの出力制御を行っても常に感光体８面上の
同一位置にレーザビームが照射されることがなく、感光
体８への露光による影響を小さくでき、これにより感光
体８の表面の劣化を防止させることができる。しかも、
この場合、待機状態中の感光体８の駆動時間も短いた
め、騒音も出にくくなる。

【００７５】次に、請求項１１記載の発明の一実施例に
ついて説明する。本実施例は、請求項２，３記載の発明
（図４，６参照）を用い、待機状態において、出力制御
を行わせた時の感光体８面上の劣化を防止するための例
について述べたものである。

【００７６】図１の装置において、タイミング信号Ｔ₂
を発生するタイマー（図１のタイマー２１参照）を設
け、このタイマーから出力されたタイミング信号Ｔ₂ に
応じて感光体８を短時間駆動させる図示しない感光体短
時間駆動制御手段を設け、この感光体短時間駆動制御手
段の駆動前後の感光体８面上へ照射されるレーザビーム
の結像位置が異なるように制御する図示しないレーザビ
ーム結像位置制御手段を設けたものである。

【００７７】このような構成において、タイマー、感光
体短時間駆動制御手段、レーザビーム結像位置制御手段
を用いて、待機状態中に一定の時間毎に、感光体８の面
上でのレーザビーム結像位置を移動させることができる
ため、レーザビームの出力制御を行っても常に感光体８
面上の同一位置にレーザビームが照射されることがな
く、感光体８への露光による影響を小さくでき、これに
より感光体８の表面の劣化を防止させることができる。
しかも、この場合、待機状態中の感光体８の駆動時間も
短いため、騒音も出にくくなる。

【００７８】

【発明の効果】請求項１記載の発明は、半導体レーザか
らのレーザビームを偏向手段により偏向し、感光体駆動
制御手段により駆動される感光体上を走査してその表面
上に情報を書込むレーザビーム走査装置を備え、前記半
導体レーザのレーザ出力を光検出手段により検出し、前
記光検出手段の出力信号と基準信号とを比較手段により
比較し、その比較手段からの出力信号により前記半導体
レーザに流す電流値を制御することにより前記半導体レ
ーザの出力制御を行う半導体レーザ出力制御装置におい
て、タイミング信号を発生するタイマーを設け、前記レ
ーザビーム走査装置の情報書込待機時に、前記タイマー
からの出力に応じて前記半導体レーザの出力制御を行う
レーザ出力制御手段を設けたので、待機状態において、
環境温度が大きく低下しても、その待機中にある一定の
時間間隔で半導体レーザの出力制御を行わせることが可
能なため、半導体レーザを定格出力以上の出力で発光さ
せて劣化を防止させることができるものである。

【００７９】請求項２記載の発明は、半導体レーザから
のレーザビームを偏向手段により偏向し、感光体駆動制
御手段により駆動される感光体上を走査してその表面上
に情報を書込むレーザビーム走査装置を備え、前記半導
体レーザのレーザ出力を光検出手段により検出し、前記
光検出手段の出力信号と基準信号とを比較手段により比
較し、その比較手段からの出力信号により前記半導体レ
ーザに流す電流値を制御することにより前記半導体レー
ザの出力制御を行う半導体レーザ出力制御装置におい
て、前記レーザビーム走査装置の温度を検出する温度検
出手段を設け、前記レーザビーム走査装置の情報書込待
機時に、前記温度検出手段からの出力に応じて前記半導
体レーザの出力制御を行うレーザ出力制御手段を設けた
ので、待機状態において、環境感度が大きく低下して
も、その待機中に半導体レーザの温度を検出してその温
度変化がある一定レベルとなる度に半導体レーザの出力
制御を行わせることが可能なため、半導体レーザを定格
出力以上の出力で発光させて劣化を防止させることがで
きるものである。

【００８０】請求項３記載の発明は、半導体レーザから
のレーザビームを偏向手段により偏向し、感光体駆動制
御手段により駆動される感光体上を走査してその表面上
に情報を書込むレーザビーム走査装置を備え、前記半導
体レーザのレーザ出力を光検出手段により検出し、前記
光検出手段の出力信号と基準信号とを比較手段により比
較し、その比較手段からの出力信号により前記半導体レ
ーザに流す電流値を制御することにより前記半導体レー
ザの出力制御を行う半導体レーザ出力制御装置におい
て、前記レーザビーム走査装置の情報書込待機時に、前
記光検出手段からの出力に応じて前記半導体レーザの出
力制御を行うレーザ出力制御手段を設けたので、待機状
態において、環境温度が大きく低下しても、その待機中
に半導体レーザの出力をモニターし、その出力変化があ
る一定レベルとなる度に半導体レーザの出力制御を行わ
せることが可能なため、半導体レーザを定格出力以上の
出力で発光させて劣化を防止させることができるもので
ある。

【００８１】請求項４記載の発明は、請求項１，２又は
３記載の発明において、レーザ出力制御手段には、レー
ザビーム走査装置の情報書込待機時に、レーザビームの
情報書込領域以外にて半導体レーザの出力制御を行うよ
うにレーザビーム結像位置制御手段を設けたので、待機
状態中に半導体レーザの出力制御を行っても、レーザビ
ームが情報書込領域外を走査している時にのみ半導体レ
ーザを発光させることが可能なため、静止した状態の感
光体の面上をレーザビームが露光することはなく、これ
により感光体面上の劣化を防止させることができるもの
である。

【００８２】請求項５記載の発明は、請求項１，２又は
３記載の発明において、レーザ出力制御手段には、レー
ザビーム走査装置の情報書込待機時に、偏向手段の停止
回転位置を制御してレーザビームを情報書込領域以外に
停止させた状態で半導体レーザの出力制御を行うように
レーザビーム結像位置制御手段を設けたので、待機状態
中に半導体レーザの出力制御を行ってもポリゴンモータ
を停止させ、レーザビームが情報書込領域外に静止して
いる状態で半導体レーザを発光させることが可能なた
め、静止した状態の感光体の面上をレーザビームが露光
することはなく、これにより感光体面上の劣化を防止さ
せることができるものである。

【００８３】請求項６記載の発明は、請求項１，２又は
３記載の発明において、レーザ出力制御手段には、レー
ザビーム走査装置の情報書込待機時に、感光体を駆動し
た状態で半導体レーザの出力制御を行うようにレーザビ
ーム結像位置制御手段を設けたので、待機状態中に半導
体レーザの出力制御を行っても、レーザビームが露光さ
れる時には感光体を回転させることが可能なため、感光
体面上の劣化を防止させることができるものである。

【００８４】請求項７記載の発明は、請求項１，２又は
３記載の発明において、レーザビームの出射光路上にそ
のレーザビームを遮断する遮断手段を設け、レーザ出力
制御手段は、レーザビーム走査装置の情報書込待機時
に、前記遮断手段によりレーザビームが遮断された状態
で半導体レーザの出力制御を行うようにレーザビーム結
像位置制御手段を設けたので、待機状態中に半導体レー
ザの出力制御を行っても、レーザビームは遮断手段によ
り遮断され、これにより静止した感光体上をレーザビー
ムが露光するようなことをなくすことが可能なため、感
光体面上の劣化を防止させることができるものである。

【００８５】請求項８記載の発明は、請求項１，２又は
３記載の発明において、レーザビームの出射光路上にビ
ーム反射手段のレーザビームに対する入射角度を偏向す
るビーム角度偏向手段を設け、レーザ出力制御手段は、
レーザビーム走査装置の情報書込待機時に、前記ビーム
角度偏向手段によりレーザビームを感光体上から退避さ
せた状態で半導体レーザの出力制御を行うようにレーザ
ビーム結像位置制御手段を設けたので、待機状態中に半
導体レーザの出力制御を行っても、レーザビームは感光
体外へ退避した状態となるため、静止した感光体上をレ
ーザビームが露光するようなことはなくすことが可能な
ため、感光体面上の劣化を防止させることができるもの
である。

【００８６】請求項９記載の発明は、請求項１，２又は
３記載の発明において、レーザビームの出射光路上に配
置されたレンズをその光軸方向に移動させるレンズ移動
手段を設け、レーザ出力制御手段は、レーザビーム走査
装置の情報書込待機時に、前記レンズ移動手段により前
記レンズを移動させ前記レーザビームの結像位置が感光
体上より移動した状態で半導体レーザの出力制御動作を
行うようにレーザビーム結像位置制御手段を設けたの
で、待機状態中に半導体レーザの出力制御を行っても、
レーザビームは感光体上では結像せず、レーザビームの
露光による感光体上への影響を小さくさせることが可能
なため、感光体面上の劣化を防止させることができるも
のである。

【００８７】請求項１０記載の発明は、請求項１記載の
発明において、タイマーから出力されたタイミング信号
に応じて感光体を短時間駆動させる感光体短時間駆動制
御手段を設け、この感光体短時間駆動制御手段の駆動前
後の前記感光体上へ照射されるレーザビームの結像位置
が異なるように制御するレーザビーム結像位置制御手段
を設けたので、待機状態中に一定の時間毎に感光体上の
レーザビーム結像位置が移動するため、レーザビームの
出力制御を行っても常に感光体上の同一位置にレーザビ
ームが照射されるようなことはなく、感光体への露光に
よる影響を小さくさせることが可能なため、感光体面上
の劣化を防止させることができ、しかも、待機状態中の
感光体駆動時間も短いため騒音も低減させることができ
るものである。

【００８８】請求項１１記載の発明は、請求項２又は３
記載の発明において、タイミング信号を発生するタイマ
ーを設け、このタイマーから出力されたタイミング信号
に応じて感光体を短時間駆動させる感光体短時間駆動制
御手段を設け、この感光体短時間駆動制御手段の駆動前
後の前記感光体上へ照射されるレーザビームの結像位置
が異なるように制御するレーザビーム結像位置制御手段
を設けたので、請求項１０記載の発明と同様な効果を得
ることができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１記載の発明の一実施例である半導体レ
ーザ出力制御装置の様子を示すブロック図である。

【図２】半導体レーザの出力制御の様子を示す特性図で
ある。

【図３】待機状態における環境温度の変化の様子を示す
特性図である。

【図４】請求項２記載の発明の一実施例である半導体レ
ーザ出力制御装置の様子を示すブロック図である。

【図５】待機状態における環境温度の変化の様子を示す
特性図である。

【図６】請求項３記載の発明の一実施例である半導体レ
ーザ出力制御装置の様子を示すブロック図である。

【図７】待機状態における環境温度の変化の様子を示す
特性図である。

【図８】請求項４記載の発明の一実施例である半導体レ
ーザ出力制御装置の様子を示すブロック図である。

【図９】請求項５記載の発明の一実施例である半導体レ
ーザ出力制御装置の様子を示すブロック図である。

【図１０】請求項６記載の発明の一実施例である半導体
レーザ出力制御装置の様子を示すブロック図である。

【図１１】請求項７記載の発明の一実施例である半導体
レーザ出力制御装置の様子を示す構成図である。

【図１２】請求項８記載の発明の一実施例である半導体
レーザ出力制御装置の様子を示す構成図である。

【図１３】請求項９記載の発明の一実施例である半導体
レーザ出力制御装置の様子を示す構成図である。

【図１４】従来における半導体レーザ出力制御装置の全
体構成を示す構成図である。

【図１５】筐体内に収められたレーザビーム走査装置の
様子を示す側面図である。

【図１６】半導体レーザ出力制御装置の様子を示すブロ
ック図である。

【図１７】半導体レーザの光量特性を示す特性図であ
る。

【符号の説明】

１半導体レーザ３レーザビーム走査装置３ａ偏向手段１２光検出手段１６比較手段２１タイマー２２レーザ出力制御手段２３温度検出手段２４，２６レーザ出力制御手段２７〜２９レーザビーム結像位置制御手段３３遮断手段３４レーザビーム結像位置制御手段３８ビーム角度偏向手段３９レーザビーム結像位置制御手段４１レンズ移動手段４２レーザビーム結像位置制御手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山崎幸一東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内 (72)発明者小野健一東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内 (72)発明者山川健志東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内 (72)発明者中川日出男東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザからのレーザビームを偏向
手段により偏向し、感光体駆動制御手段により駆動され
る感光体上を走査してその表面上に情報を書込むレーザ
ビーム走査装置を備え、前記半導体レーザのレーザ出力
を光検出手段により検出し、前記光検出手段の出力信号
と基準信号とを比較手段により比較し、その比較手段か
らの出力信号により前記半導体レーザに流す電流値を制
御することにより前記半導体レーザの出力制御を行う半
導体レーザ出力制御装置において、タイミング信号を発
生するタイマーを設け、前記レーザビーム走査装置の情
報書込待機時に、前記タイマーからの出力に応じて前記
半導体レーザの出力制御を行うレーザ出力制御手段を設
けたことを特徴とする半導体レーザ出力制御装置。
【請求項２】半導体レーザからのレーザビームを偏向
手段により偏向し、感光体駆動制御手段により駆動され
る感光体上を走査してその表面上に情報を書込むレーザ
ビーム走査装置を備え、前記半導体レーザのレーザ出力
を光検出手段により検出し、前記光検出手段の出力信号
と基準信号とを比較手段により比較し、その比較手段か
らの出力信号により前記半導体レーザに流す電流値を制
御することにより前記半導体レーザの出力制御を行う半
導体レーザ出力制御装置において、前記レーザビーム走
査装置の温度を検出する温度検出手段を設け、前記レー
ザビーム走査装置の情報書込待機時に、前記温度検出手
段からの出力に応じて前記半導体レーザの出力制御を行
うレーザ出力制御手段を設けたことを特徴とする半導体
レーザ出力制御装置。
【請求項３】半導体レーザからのレーザビームを偏向
手段により偏向し、感光体駆動制御手段により駆動され
る感光体上を走査してその表面上に情報を書込むレーザ
ビーム走査装置を備え、前記半導体レーザのレーザ出力
を光検出手段により検出し、前記光検出手段の出力信号
と基準信号とを比較手段により比較し、その比較手段か
らの出力信号により前記半導体レーザに流す電流値を制
御することにより前記半導体レーザの出力制御を行う半
導体レーザ出力制御装置において、前記レーザビーム走
査装置の情報書込待機時に、前記光検出手段からの出力
に応じて前記半導体レーザの出力制御を行うレーザ出力
制御手段を設けたことを特徴とする半導体レーザ出力制
御装置。
【請求項４】レーザ出力制御手段には、レーザビーム
走査装置の情報書込待機時に、レーザビームの情報書込
領域以外にて半導体レーザの出力制御を行うようにレー
ザビーム結像位置制御手段を設けたことを特徴する請求
項１，２又は３記載の半導体レーザ出力制御装置。
【請求項５】レーザ出力制御手段には、レーザビーム
走査装置の情報書込待機時に、偏向手段の停止回転位置
を制御してレーザビームを情報書込領域以外に停止させ
た状態で半導体レーザの出力制御を行うようにレーザビ
ーム結像位置制御手段を設けたことを特徴とする請求項
１，２又は３記載の半導体レーザ出力制御装置。
【請求項６】レーザ出力制御手段には、レーザビーム
走査装置の情報書込待機時に、感光体を駆動した状態で
半導体レーザの出力制御を行うようにレーザビーム結像
位置制御手段を設けたことを特徴とする請求項１，２又
は３記載の半導体レーザ出力制御装置。
【請求項７】レーザビームの出射光路上にそのレーザ
ビームを遮断する遮断手段を設け、レーザ出力制御手段
には、レーザビーム走査装置の情報書込待機時に、前記
遮断手段によりレーザビームが遮断された状態で半導体
レーザの出力制御を行うようにレーザビーム結像位置制
御手段を設けたことを特徴とする請求項１，２又は３記
載の半導体レーザ出力制御装置。
【請求項８】レーザビームの出射光路上にビーム反射
手段のレーザビームに対する入射角度を偏向するビーム
角度偏向手段を設け、レーザ出力制御手段には、レーザ
ビーム走査装置の情報書込待機時に、前記ビーム角度偏
向手段によりレーザビームを感光体上から退避させた状
態で半導体レーザの出力制御を行うようにレーザビーム
結像位置制御手段を設けたことを特徴とする請求項１，
２又は３記載の半導体レーザ出力制御装置。
【請求項９】レーザビームの出射光路上に配置された
レンズをその光軸方向に移動させるレンズ移動手段を設
け、レーザ出力制御手段には、レーザビーム走査装置の
情報書込待機時に、前記レンズ移動手段により前記レン
ズを移動させ前記レーザビームの結像位置が感光体上よ
り移動した状態で半導体レーザの出力制御動作を行うよ
うにレーザビーム結像位置制御手段を設けたことを特徴
とする請求項１，２又は３記載の半導体レーザ出力制御
装置。
【請求項１０】タイマーから出力されたタイミング信
号に応じて感光体を短時間駆動させる感光体短時間駆動
制御手段を設け、この感光体短時間駆動制御手段の駆動
前後の前記感光体上へ照射されるレーザビームの結像位
置が異なるように制御するレーザビーム結像位置制御手
段を設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体レー
ザ出力制御装置。
【請求項１１】タイミング信号を発生するタイマーを
設け、このタイマーから出力されたタイミング信号に応
じて感光体を短時間駆動させる感光体短時間駆動制御手
段を設け、この感光体短時間駆動制御手段の駆動前後の
前記感光体上へ照射されるレーザビームの結像位置が異
なるように制御するレーザビーム結像位置制御手段を設
けたことを特徴とする請求項２又は３記載の半導体レー
ザ出力制御装置。