JPH05267146A - Resist applicator - Google Patents
Resist applicatorInfo
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- JPH05267146A JPH05267146A JP6458892A JP6458892A JPH05267146A JP H05267146 A JPH05267146 A JP H05267146A JP 6458892 A JP6458892 A JP 6458892A JP 6458892 A JP6458892 A JP 6458892A JP H05267146 A JPH05267146 A JP H05267146A
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- JP
- Japan
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- wafer
- resist
- spin chuck
- rotated
- semiconductor substrate
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- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はレジスト塗布装置、特に
リソグラフィーに用いられるレジスト塗布に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist coating apparatus, and more particularly to a resist coating used for lithography.
【0002】[0002]
【従来の技術】図4は従来のレジスト塗布装置の断面構
成図である。図4において、1は半導体基板であるウェ
ハーである。2はウェハー1を設置するスピンチャック
である。3はスピンチャック2の下部に片側を取り付つ
けたスピンチャック軸である。4はウェハー1とスピン
チャック2とスピンチャック軸3を回転させるモーター
である。5はウェハー1とスピンチャック2とスピンチ
ャック軸3がモーター4により回転した場合に振り切ら
れるレジストを回収するカップである。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a sectional view of a conventional resist coating apparatus. In FIG. 4, 1 is a wafer which is a semiconductor substrate. Reference numeral 2 is a spin chuck for mounting the wafer 1. Reference numeral 3 is a spin chuck shaft having one side attached to the lower portion of the spin chuck 2. Reference numeral 4 is a motor for rotating the wafer 1, the spin chuck 2, and the spin chuck shaft 3. Reference numeral 5 denotes a cup that collects the resist that is shaken off when the wafer 1, the spin chuck 2, and the spin chuck shaft 3 are rotated by the motor 4.
【0003】また、図5は図4の従来の装置で形成され
たレジスト薄膜の平面図である。図5において、6はウ
ェハー1とスピンチャック2と接触した領域、7はそれ
以外の領域を示す。領域6はウェハー1にスピンチャッ
ク2が接触し、レジストを回転塗布すると、スピンチャ
ック2が接触した面積のレジスト膜厚がスピンチャック
2が接触していない領域7の膜厚と異なる。このような
様子は肉眼で、図5に示すような模様となって見える。FIG. 5 is a plan view of a resist thin film formed by the conventional device shown in FIG. In FIG. 5, 6 indicates a region in contact with the wafer 1 and the spin chuck 2, and 7 indicates a region other than that. When the spin chuck 2 is in contact with the wafer 1 in the region 6 and the resist is spin-coated, the resist film thickness of the area contacted by the spin chuck 2 is different from the film thickness of the region 7 not contacted by the spin chuck 2. Such a state appears to the naked eye as a pattern as shown in FIG.
【0004】上記のようなレジスト塗布装置について、
以下そのレジスト塗布工程を説明する。レジストを塗布
するウェハー1は周囲と同じ温度である。次に、ウェハ
ー1をスピンチャック2上にセットする。この後スピン
チャック2を通してウェハー1を真空でひく。その後レ
ジスト滴下を行う。この滴下方法には2通りある。Regarding the resist coating apparatus as described above,
The resist coating process will be described below. The wafer 1 on which the resist is applied has the same temperature as the surroundings. Next, the wafer 1 is set on the spin chuck 2. Then, the wafer 1 is evacuated through the spin chuck 2. After that, resist is dropped. There are two methods for this dropping.
【0005】一つめは、ウェハー1を静止した状態で、
ウェハー1の中心部に、レジストを滴下する。レジスト
塗布後、ウェハー1を回転させてレジスト薄膜を形成す
る。First, with the wafer 1 stationary,
A resist is dropped on the center of the wafer 1. After applying the resist, the wafer 1 is rotated to form a resist thin film.
【0006】2つめは、回転した状態で、ウェハー1の
中心部に、レジストを滴下する。この後ウェハー1を異
なる回転数で回転させて、レジスト薄膜を形成する。Secondly, the resist is dropped on the central portion of the wafer 1 in a rotated state. After that, the wafer 1 is rotated at different rotation numbers to form a resist thin film.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来技術の装置では、領域6はスピンチャックがあ
るので下から風がウェハー1に当たらない。そのため、
ウェハー1上のレジストは冷却されない。それに対し、
領域7はスピンチャックがなく、下からの風によってウ
ェハー1が冷却される。シリコンの熱伝導率が高い為
に、その上のレジストも冷却される。However, in the prior art device as described above, since the region 6 has the spin chuck, the wind does not hit the wafer 1 from below. for that reason,
The resist on the wafer 1 is not cooled. For it,
The area 7 has no spin chuck, and the wafer 1 is cooled by the wind from below. Due to the high thermal conductivity of silicon, the resist on it is also cooled.
【0008】したがって、領域6と領域7はレジストの
乾燥速度、乾燥時間に差が生まれ、スピンチャックと同
じ大きさの塗布むらが発生するという問題点を有してい
た。Therefore, the regions 6 and 7 have a problem that the resist drying speed and the drying time are different from each other, and uneven coating having the same size as that of the spin chuck occurs.
【0009】本発明は上記問題点に鑑み、ウェハー1上
のレジストの乾燥速度、乾燥時間を等しく、スピンチャ
ックと同じ大きさの塗布むらを防止することができるレ
ジスト塗布装置を提供するものである。In view of the above problems, the present invention provides a resist coating apparatus capable of preventing the coating unevenness of the same size as that of the spin chuck by making the drying speed and the drying time of the resist on the wafer 1 equal. ..
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明のレジスト塗布装置は、半導体基板と、前記
半導体基板と同じ大きさで、かつ同一形状のスピンチャ
ックと、前記半導体基板と前記スピンチャックとの形状
を一致させる設置手段と、前記スピンチャックの下部に
取り付けられたスピンチャック軸とを備え、前記スピン
チャック軸を中心として前記半導体基板と前記スピンチ
ャックとを回転させる時、前記半導体基板と前記スピン
チャックと前記スピンチャック軸とに偏心を生じないよ
うにした。In order to solve the above problems, a resist coating apparatus according to the present invention comprises a semiconductor substrate, a spin chuck having the same size and shape as the semiconductor substrate, and the semiconductor substrate. The spin chuck is provided with an installation unit that matches the shape of the spin chuck, and a spin chuck shaft attached to a lower portion of the spin chuck. When the semiconductor substrate and the spin chuck are rotated about the spin chuck shaft, The semiconductor substrate, the spin chuck, and the spin chuck shaft were prevented from being eccentric.
【0011】[0011]
【作用】本発明は上記した構成によって、ウェハーと同
じ大きさ、形状のスピンチャックを用いるので、ウェハ
ーの下には全面にスピンチャックがあり、下から風がウ
ェハーに当たらない。そのためウェハー上のレジストは
冷却されない。The present invention uses the spin chuck having the same size and shape as the wafer according to the above-mentioned structure. Therefore, the spin chuck is provided under the wafer over the entire surface, and the wind does not hit the wafer from below. Therefore, the resist on the wafer is not cooled.
【0012】したがって、ウェハー全面におけるレジス
トの乾燥速度、乾燥時間が等しくなり、スピンチャック
と同じ大きさの塗布むらを防止する事ができる。Therefore, the drying speed and the drying time of the resist on the entire surface of the wafer are equalized, and it is possible to prevent coating unevenness of the same size as the spin chuck.
【0013】[0013]
【実施例】以下本発明の一実施例のレジスト塗布装置に
ついて、図面を参照しながら説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A resist coating apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0014】図1は本発明の実施例におけるレジスト塗
布装置の断面構成図である。図において、8は半導体基
板であるウェハー、9はウェハー8と同じ大きさと形状
のスピンチャックである。10はウェハー8の形状認識
装置である。形状認識装置10はウェハー8のオリフラ
を認識して、ウェハー8の向きをスピンチャック9に合
わせる。11はスピンチャック9の下部に片側を取り付
つけたスピンチャック軸である。スピンチャック軸11
を中心としてウェハー8とスピンチャック9とを回転さ
せる場合、スピンチャック9とスピンチャック軸11と
に偏心を生じないようにする。12はウェハー8とスピ
ンチャック9とスピンチャック軸11を回転させるモー
ターである。13はウェハー8とスピンチャック9とス
ピンチャック軸11がモーター12により回転した場合
に振り切られるレジストを回収するカップである。FIG. 1 is a sectional view of a resist coating apparatus according to an embodiment of the present invention. In the figure, 8 is a wafer which is a semiconductor substrate, and 9 is a spin chuck having the same size and shape as the wafer 8. Reference numeral 10 is a shape recognition device for the wafer 8. The shape recognition device 10 recognizes the orientation flat of the wafer 8 and aligns the orientation of the wafer 8 with the spin chuck 9. Reference numeral 11 denotes a spin chuck shaft having one side attached to the lower portion of the spin chuck 9. Spin chuck shaft 11
When the wafer 8 and the spin chuck 9 are rotated around, the eccentricity between the spin chuck 9 and the spin chuck shaft 11 is prevented. Reference numeral 12 is a motor that rotates the wafer 8, the spin chuck 9, and the spin chuck shaft 11. Reference numeral 13 is a cup for collecting the resist that is shaken off when the wafer 8, the spin chuck 9, and the spin chuck shaft 11 are rotated by the motor 12.
【0015】以下のように構成された本実施例のレジス
ト塗布装置について、以下そのレジスト塗布工程を説明
する。The resist coating process of the resist coating apparatus of this embodiment having the following structure will be described below.
【0016】レジストを塗布するウェハー8は周囲と同
じ温度である。形状認識装置10はウェハー8のオリフ
ラを認識して、ウェハー8の向きをスピンチャック9に
合わせる。The wafer 8 on which the resist is applied has the same temperature as the surroundings. The shape recognition device 10 recognizes the orientation flat of the wafer 8 and aligns the orientation of the wafer 8 with the spin chuck 9.
【0017】次に、ウェハー8をスピンチャック上9に
セットする。この後スピンチャック9を通してウェハー
8を真空でひく。Next, the wafer 8 is set on the spin chuck 9. Then, the wafer 8 is evacuated through the spin chuck 9.
【0018】その後レジスト滴下を行う。この滴下方法
には2通りある。一つめは、ウェハー8を静止した状態
で、ウェハー8の中心部に、レジストを滴下する。レジ
スト塗布後、ウェハー8を回転させてレジスト薄膜を形
成する。After that, resist is dropped. There are two methods for this dropping. First, the resist is dropped onto the central portion of the wafer 8 while the wafer 8 is stationary. After applying the resist, the wafer 8 is rotated to form a resist thin film.
【0019】2つめは、回転した状態で、ウェハー8の
中心部に、レジストを滴下する。この後ウェハー8を異
なる回転数で回転させて、レジスト薄膜を形成する。Second, the resist is dropped on the central portion of the wafer 8 in a rotated state. After that, the wafer 8 is rotated at different rotation numbers to form a resist thin film.
【0020】このレジスト滴下後、レジスト薄膜が形成
されるまでのメカニズムについて詳しく説明する。図5
は図4に示した従来技術の装置で形成されたレジスト薄
膜の平面図である。図5において、6はウェハー1とス
ピンチャック2と接触した領域、7はそれ以外の領域を
示す。The mechanism until the resist thin film is formed after the resist is dropped will be described in detail. Figure 5
FIG. 5 is a plan view of a resist thin film formed by the prior art device shown in FIG. In FIG. 5, 6 indicates a region in contact with the wafer 1 and the spin chuck 2, and 7 indicates a region other than that.
【0021】図4の従来技術の装置では、領域6はスピ
ンチャック2があるので下から風がウェハー1に当たら
ない。そのため、ウェハー1上のレジストは冷却されな
い。それに対し、領域7はスピンチャック2がなく、下
からの風によってウェハー1が冷却される。シリコンの
熱伝導率が高い為に、その上のレジストも冷却される。In the prior art apparatus of FIG. 4, since the area 6 has the spin chuck 2, the wind does not hit the wafer 1 from below. Therefore, the resist on the wafer 1 is not cooled. On the other hand, the region 7 does not have the spin chuck 2, and the wafer 1 is cooled by the wind from below. Due to the high thermal conductivity of silicon, the resist on it is also cooled.
【0022】したがって、領域6と領域7はレジストの
乾燥速度、乾燥時間に差が生まれ、スピンチャック2と
同じ大きさの塗布むらが発生する。Therefore, there is a difference in the drying speed and the drying time of the resist between the area 6 and the area 7, and uneven coating having the same size as that of the spin chuck 2 occurs.
【0023】さらに塗布むらの発生する状態について説
明する。図2と図3とは図4の従来技術の装置で形成さ
れたレジスト薄膜の断面図である。図2において、14
はウェハー1とスピンチャック2と接触した領域、15
はそれ以外の領域を示す。図3において、16はウェハ
ー1とスピンチャック2と接触した領域、17はそれ以
外の領域を示す。Further, the state where uneven coating is generated will be described. 2 and 3 are cross-sectional views of resist thin films formed by the prior art device of FIG. In FIG. 2, 14
Is an area in contact with the wafer 1 and the spin chuck 2, 15
Indicates the other area. In FIG. 3, 16 indicates a region in contact with the wafer 1 and the spin chuck 2, and 17 indicates a region other than that.
【0024】図2において領域15の膜厚は外側に向か
って薄くなる状態にある。また、図3において領域17
の膜厚は外側に向かって厚くなる状態にある。これはレ
ジストの種類、ウェハー1の回転数変化により決定す
る。In FIG. 2, the film thickness of the region 15 is in a state of becoming thinner toward the outside. In addition, in FIG.
The film thickness of is thicker toward the outside. This is determined by the type of resist and the change in the rotation speed of the wafer 1.
【0025】しかし、図1に示した実施例のようにウェ
ハー8と同じ大きさ、形状のスピンチャック9を用いた
場合、ウェハー8の下には全面にスピンチャック9があ
るので、下から風がウェハー8に当たらない。そのため
ウェハー8上のレジストは冷却されない。However, when the spin chuck 9 having the same size and shape as the wafer 8 is used as in the embodiment shown in FIG. 1, since the spin chuck 9 is under the entire surface of the wafer 8, the wind blows from below. Does not hit the wafer 8. Therefore, the resist on the wafer 8 is not cooled.
【0026】したがって、ウェハー8全面におけるレジ
ストの乾燥速度、乾燥時間が等しくなり、スピンチャッ
ク2と同じ大きさの塗布むらを防止する事ができる。Accordingly, the drying speed and the drying time of the resist on the entire surface of the wafer 8 become equal, and it is possible to prevent uneven coating of the same size as the spin chuck 2.
【0027】一方、この装置の効果が得られる上記メカ
ニズムに有機性レジストを用いる場合を適合させる。有
機性レジストは揮発性が高い。この為、領域6と領域7
のレジスト乾燥速度、乾燥時間の差は小さい。On the other hand, the case where an organic resist is used is adapted to the above mechanism by which the effect of this apparatus can be obtained. Organic resists are highly volatile. Therefore, area 6 and area 7
The difference between the resist drying speed and the drying time is small.
【0028】しかし、水溶性レジストでは有機性レジス
トと比較して揮発性が低い。水溶性レジストの場合、レ
ジスト薄膜の形成までの時間が長くなる。この為、領域
6と領域7とのレジスト乾燥速度、乾燥時間の差が大き
い。However, the water-soluble resist has lower volatility than the organic resist. In the case of a water-soluble resist, it takes a long time to form a resist thin film. Therefore, the difference in the resist drying speed and the drying time between the area 6 and the area 7 is large.
【0029】したがって、水溶性レジストは有機性レジ
スト以上にウェハーと同じ大きさ、形状のスピンチャッ
ク8を使用することで塗布むらを防止する事ができる。Therefore, the water-soluble resist can prevent coating unevenness by using the spin chuck 8 having the same size and shape as the wafer than the organic resist.
【0030】また図4の従来技術の装置において周囲が
無風状態の場合、領域7に下から風が強く当たらない。
そのため、領域6と領域7とのレジスト乾燥速度、乾燥
時間の差は小さくなる。しかし、この状態ではウェハー
1の回転によるパーティクルの巻き上げを抑えることが
出来ない。ウェハー1にパーティクルが付着し、ストリ
エーションを起こす。Further, in the prior art device of FIG. 4, when the surroundings are in a windless state, the region 7 is not strongly exposed to the wind from below.
Therefore, the difference in the resist drying speed and the drying time between the area 6 and the area 7 becomes small. However, in this state, it is not possible to prevent the particles from being wound up due to the rotation of the wafer 1. Particles adhere to the wafer 1 to cause striation.
【0031】したがってウェハー8と同じ大きさ、形状
のスピンチャック9を用いて、さらに装置の周囲にダウ
ンフローをかけることで、ストリエーション(微小領域
での膜厚の変化)と塗布むらを同時になくすことができ
る。Therefore, by using the spin chuck 9 having the same size and shape as the wafer 8 and further applying downflow to the periphery of the apparatus, striation (change in film thickness in a minute region) and uneven coating can be eliminated at the same time. be able to.
【0032】また、スピンチャックと同じ大きさの塗布
むらを防止するために、本発明はウェハー8の回転数変
化を利用しない。したがってレジスト種類や所望の膜厚
を得るのに最適な塗布条件を容易に見つけることがで
き、さらにその条件下で行った塗布では、均一なレジス
ト薄膜を再現性よく形成することが出来る。ウェハー8
の回転数変化工程が使用できる。Further, in order to prevent the coating unevenness of the same size as the spin chuck, the present invention does not utilize the change in the rotation speed of the wafer 8. Therefore, it is possible to easily find the optimum coating conditions for obtaining the resist type and the desired film thickness, and it is possible to form a uniform resist thin film with good reproducibility by the coating performed under the conditions. Wafer 8
Can be used.
【0033】前述した発明は理解を明瞭にするために図
解および例示の方法によって詳細に説明されたけれど
も、ある変化およびある変形は添付した特許請求の範囲
で行なわれ得ることは明らかである。Although the foregoing invention has been described in detail by way of illustration and example method for clarity of understanding, it is obvious that certain changes and modifications may be made within the scope of the appended claims.
【0034】[0034]
【発明の効果】以上のように本発明はウェハーと同じ大
きさのスピンチャックを用いて、さらにコーター内にダ
ウンフローをかけることで、ストリエーションと塗布む
らを同時になくすことができる。また、スピンチャック
と同じ大きさの塗布むらを防止するに、本発明はレジス
ト種類や所望の膜厚を得るのに最適な塗布条件を容易に
見つけることができ、さらにその条件下で行った塗布で
は、均一なレジスト薄膜を再現性よく形成することが出
来る。As described above, the present invention can eliminate striations and coating unevenness at the same time by using a spin chuck of the same size as a wafer and further applying downflow in the coater. Further, in order to prevent coating unevenness of the same size as the spin chuck, the present invention can easily find the optimum coating conditions for obtaining the resist type and the desired film thickness, and the coating performed under the conditions. Then, a uniform resist thin film can be formed with good reproducibility.
【図1】本発明の第1の実施例におけるレジスト塗布装
置の断面図FIG. 1 is a sectional view of a resist coating apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図2】レジスト装置で形成されたレジスト薄膜の断面
図FIG. 2 is a sectional view of a resist thin film formed by a resist device.
【図3】レジスト装置で形成されたレジスト薄膜の断面
図FIG. 3 is a sectional view of a resist thin film formed by a resist device.
【図4】従来のレジスト塗布装置の断面構成図FIG. 4 is a sectional configuration diagram of a conventional resist coating apparatus.
【図5】従来のレジスト塗布装置で形成されたレジスト
薄膜の平面図FIG. 5 is a plan view of a resist thin film formed by a conventional resist coating apparatus.
8 ウェハー 9 スピンチャック 10 形状認識装置 11 スピンチャック軸 12 モーター 13 カップ 8 Wafer 9 Spin Chuck 10 Shape Recognition Device 11 Spin Chuck Shaft 12 Motor 13 Cup
Claims (2)
さで、かつ同一形状のスピンチャックと、前記半導体基
板と前記スピンチャックとの形状を一致させる設置手段
と、前記スピンチャックの下部に取り付けられたスピン
チャック軸と、前記半導体基板と前記スピンチャック軸
と前記スピンチャック軸とを回転させるモーターと、前
記半導体基板と前記スピンチャック軸と前記スピンチャ
ック軸とが回転中に振り切られたレジストを回収するカ
ップを備えたレジスト塗布装置。1. A semiconductor substrate, a spin chuck having the same size and the same shape as the semiconductor substrate, a mounting means for matching the shapes of the semiconductor substrate and the spin chuck, and attached to a lower portion of the spin chuck. The spin chuck shaft, a motor for rotating the semiconductor substrate, the spin chuck shaft, and the spin chuck shaft, and a resist shaken off during rotation of the semiconductor substrate, the spin chuck shaft, and the spin chuck shaft. A resist coating device equipped with a collection cup.
を特徴とする請求項1記載のレジスト塗布装置。2. The resist coating apparatus according to claim 1, wherein the resist is a water-soluble resist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6458892A JPH05267146A (en) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | Resist applicator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6458892A JPH05267146A (en) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | Resist applicator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05267146A true JPH05267146A (en) | 1993-10-15 |
Family
ID=13262562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6458892A Pending JPH05267146A (en) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | Resist applicator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05267146A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020031679A1 (en) * | 2018-08-06 | 2020-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
1992
- 1992-03-23 JP JP6458892A patent/JPH05267146A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020031679A1 (en) * | 2018-08-06 | 2020-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JPWO2020031679A1 (en) * | 2018-08-06 | 2021-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing equipment and substrate processing method |
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