JPH05264369A - 温度検出方法および温度検出装置 - Google Patents
温度検出方法および温度検出装置Info
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- JPH05264369A JPH05264369A JP6506492A JP6506492A JPH05264369A JP H05264369 A JPH05264369 A JP H05264369A JP 6506492 A JP6506492 A JP 6506492A JP 6506492 A JP6506492 A JP 6506492A JP H05264369 A JPH05264369 A JP H05264369A
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- temperature
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Abstract
(57)【要約】
【目的】サ−ミスタの電極部分でのマイグレ−ションの
発生を防止した信頼性の高い温度検出方法および装置を
提供することを目的をする。 【構成】周囲環境温度に応じて抵抗値の変化するサ−ミ
スタに交流を印加することによりサ−ミスタを流れる電
流方向が変更され、電極部分での金属イオンの発生・還
元により発生するマイグレ−ションを防止でき、信頼性
の高い温度検出方法及び装置であり、特に、矩形波交流
をサ−ミスタに印加する場合には回路構成も簡単であ
る。
発生を防止した信頼性の高い温度検出方法および装置を
提供することを目的をする。 【構成】周囲環境温度に応じて抵抗値の変化するサ−ミ
スタに交流を印加することによりサ−ミスタを流れる電
流方向が変更され、電極部分での金属イオンの発生・還
元により発生するマイグレ−ションを防止でき、信頼性
の高い温度検出方法及び装置であり、特に、矩形波交流
をサ−ミスタに印加する場合には回路構成も簡単であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、空気調和機等に用いら
れる周囲環境温度を検出する温度検出装置に関する。
れる周囲環境温度を検出する温度検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来温度検出装置としては、図９に示す
ように直流電源Ｅに固定抵抗ＲＬ及びサ−ミスタＲＴを
直列接続し、固定抵抗ＲＬとサ−ミスタＲＴの中間接続
点から電圧出力を得、この出力電圧を測定し、予めサ−
ミスタＲＴの特性により測定されたサ−ミスタＲＴの抵
抗値と周囲環境温度との関係に基づき温度を検出するも
のが一般的に用いられている。
ように直流電源Ｅに固定抵抗ＲＬ及びサ−ミスタＲＴを
直列接続し、固定抵抗ＲＬとサ−ミスタＲＴの中間接続
点から電圧出力を得、この出力電圧を測定し、予めサ−
ミスタＲＴの特性により測定されたサ−ミスタＲＴの抵
抗値と周囲環境温度との関係に基づき温度を検出するも
のが一般的に用いられている。
【０００３】また、このような温度検出用のサ−ミスタ
ＲＴは図１０、図１１に示すように薄い円柱状の半導体
５０の両端面に銀などの導電率の高い材料からなる電極
５１を設け、この電極５１に配線５２を半田付け５３し
た構造を有している。そして、半導体５０から配線５２
の被覆部分５４から素子全体を樹脂コ−ティング５５し
ている。
ＲＴは図１０、図１１に示すように薄い円柱状の半導体
５０の両端面に銀などの導電率の高い材料からなる電極
５１を設け、この電極５１に配線５２を半田付け５３し
た構造を有している。そして、半導体５０から配線５２
の被覆部分５４から素子全体を樹脂コ−ティング５５し
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
サ−ミスタＲＴの電極５１部分には常時一方向に電圧が
加えられており、この部分に水分が存在した場合には、
＋側の電極金属たとえば銀がイオン化されて解けだし、
＋側の電極から−側の電極へと金属イオンが移動し、−
側の電極で還元され、徐々に成長するマイグレ−ション
が発生する。
サ−ミスタＲＴの電極５１部分には常時一方向に電圧が
加えられており、この部分に水分が存在した場合には、
＋側の電極金属たとえば銀がイオン化されて解けだし、
＋側の電極から−側の電極へと金属イオンが移動し、−
側の電極で還元され、徐々に成長するマイグレ−ション
が発生する。
【０００５】このマイグレ−ションが成長すると両電極
５１、５１が導通をはじめ、初期状態ではサ−ミスタＲ
Ｔの抵抗値が不安定となり、最終的には両方の電極５
１、５１が短絡し、故障してしまうという問題があっ
た。
５１、５１が導通をはじめ、初期状態ではサ−ミスタＲ
Ｔの抵抗値が不安定となり、最終的には両方の電極５
１、５１が短絡し、故障してしまうという問題があっ
た。
【０００６】本発明は上記のような問題点を解消し、サ
−ミスタの電極におけるマイグレ−ションの発生を抑制
し、信頼性の高い温度検出装置を提供することを目的と
する。
−ミスタの電極におけるマイグレ−ションの発生を抑制
し、信頼性の高い温度検出装置を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
に、請求項１の発明では、周囲環境温度に応じて抵抗値
の変化するサ−ミスタに交流を印加し、サ−ミスタの抵
抗変化に基づく電圧変化を検出して温度を検出する。
に、請求項１の発明では、周囲環境温度に応じて抵抗値
の変化するサ−ミスタに交流を印加し、サ−ミスタの抵
抗変化に基づく電圧変化を検出して温度を検出する。
【０００８】請求項２の発明では、直流電源と、周囲環
境温度に応じて抵抗値の変化するサ−ミスタと、一端に
サ−ミスタの一端が接続され、第１の期間においてサ−
ミスタの一端を直流電源の一端に接続し、第２の期間に
おいてサ−ミスタの一端を直流電源の他端に接続する第
１手段と、一端にサ−ミスタの他端が接続され、第１の
期間においてサ−ミスタの他端を直流電源の他端に接続
し、第２の期間においてサ−ミスタの他端を直流電源の
一端に接続する第２手段と、第１の期間と第２の期間を
略同じ時間長さで交互に発生させる制御手段とを設けて
いる。
境温度に応じて抵抗値の変化するサ−ミスタと、一端に
サ−ミスタの一端が接続され、第１の期間においてサ−
ミスタの一端を直流電源の一端に接続し、第２の期間に
おいてサ−ミスタの一端を直流電源の他端に接続する第
１手段と、一端にサ−ミスタの他端が接続され、第１の
期間においてサ−ミスタの他端を直流電源の他端に接続
し、第２の期間においてサ−ミスタの他端を直流電源の
一端に接続する第２手段と、第１の期間と第２の期間を
略同じ時間長さで交互に発生させる制御手段とを設けて
いる。
【０００９】さらに、請求項３の発明では、直流電源に
接続される直列接続の一対のスイッチング素子からな
り、両スイッチング素子の一方がオンの時に他方がオフ
となるようにパルス発生器の出力パルスに同期してオン
オフ制御される第１のスイッチ回路と、この第１のスイ
ッチ回路に並列接続される直列接続の一対のスイッチン
グ素子からなり、両スイッチング素子の一方がオンの時
に他方がオフとなり、かつ第１スイッチ回路の互いに対
応するスイッチング素子との間でも一方がオンのときは
他方がオフとなるようにオンオフ制御される第２のスイ
ッチング回路と、第１及び第２のスイッチ回路の各中間
接続点間に接続された周囲環境温度に応じて抵抗値の変
化するサ−ミスタとを設けて構成している。
接続される直列接続の一対のスイッチング素子からな
り、両スイッチング素子の一方がオンの時に他方がオフ
となるようにパルス発生器の出力パルスに同期してオン
オフ制御される第１のスイッチ回路と、この第１のスイ
ッチ回路に並列接続される直列接続の一対のスイッチン
グ素子からなり、両スイッチング素子の一方がオンの時
に他方がオフとなり、かつ第１スイッチ回路の互いに対
応するスイッチング素子との間でも一方がオンのときは
他方がオフとなるようにオンオフ制御される第２のスイ
ッチング回路と、第１及び第２のスイッチ回路の各中間
接続点間に接続された周囲環境温度に応じて抵抗値の変
化するサ−ミスタとを設けて構成している。
【００１０】
【作用】このような構成では、周囲環境温度に応じて抵
抗値の変化するサ−ミスタに交流が印加されるため、一
方の電極に他方の電極で発生した金属イオンが到達し、
一方の電極部で還元されることがなくなり、マイグレ−
ションの発生が防止される。
抗値の変化するサ−ミスタに交流が印加されるため、一
方の電極に他方の電極で発生した金属イオンが到達し、
一方の電極部で還元されることがなくなり、マイグレ−
ションの発生が防止される。
【００１１】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１２】第１図は本発明の一実施例である温度検出
装置を示す。この装置において、直流電源Ｅの＋側端子
が温度変化に対し抵抗値の変化がほとんどない固定抵抗
ＲＬの一端に接続され、この固定抵抗ＲＬの他端は入力
電圧値をその値に応じたデジタルデ−タに変換するＡ／
Ｄコンバ−タ３に接続されている。固定抵抗ＲＬの他端
はさらに第１の切換スイッチ１の＋側接点の一方及び第
２の切換スイッチ２の＋側接点の一方に接続されてい
る。両切換スイッチ１、２の共通接点は中間に周囲環境
温度の変化に応じて抵抗値が大きく変化するサ−ミスタ
ＲＴが接続されている。そして、第１及び第２の切換ス
イッチ１、２の−側接点はともに直流電源Ｅの−側端子
に接続されている。
装置を示す。この装置において、直流電源Ｅの＋側端子
が温度変化に対し抵抗値の変化がほとんどない固定抵抗
ＲＬの一端に接続され、この固定抵抗ＲＬの他端は入力
電圧値をその値に応じたデジタルデ−タに変換するＡ／
Ｄコンバ−タ３に接続されている。固定抵抗ＲＬの他端
はさらに第１の切換スイッチ１の＋側接点の一方及び第
２の切換スイッチ２の＋側接点の一方に接続されてい
る。両切換スイッチ１、２の共通接点は中間に周囲環境
温度の変化に応じて抵抗値が大きく変化するサ−ミスタ
ＲＴが接続されている。そして、第１及び第２の切換ス
イッチ１、２の−側接点はともに直流電源Ｅの−側端子
に接続されている。
【００１３】発信器４は第１及び第２の切換スイッチ
１、２の接点の切換出力Ｑ1 、Ｑ2 を行う。この切換出
力Ｑ1 、Ｑ2 はオン／オフ比が略１の発信出力で、Ｑ1
、Ｑ2出力は連動し、かつ論理的に相反する出力となる
ように構成されている。したがって、出力Ｑ1 が論理
「Ｈ」の時は出力Ｑ2 が論理「Ｌ」となり、第１の切換
スイッチ１の共通接点が＋側接点に接続され、第２の切
換スイッチ２の共通接点が−側接点に接続される。逆に
出力Ｑ1 が論理「Ｌ」の時は出力Ｑ2 が論理「Ｈ」とな
り、第１の切換スイッチ１の共通接点が−側接点に接続
され、第２の切換スイッチ２の共通接点が＋側接点に接
続される。
１、２の接点の切換出力Ｑ1 、Ｑ2 を行う。この切換出
力Ｑ1 、Ｑ2 はオン／オフ比が略１の発信出力で、Ｑ1
、Ｑ2出力は連動し、かつ論理的に相反する出力となる
ように構成されている。したがって、出力Ｑ1 が論理
「Ｈ」の時は出力Ｑ2 が論理「Ｌ」となり、第１の切換
スイッチ１の共通接点が＋側接点に接続され、第２の切
換スイッチ２の共通接点が−側接点に接続される。逆に
出力Ｑ1 が論理「Ｌ」の時は出力Ｑ2 が論理「Ｈ」とな
り、第１の切換スイッチ１の共通接点が−側接点に接続
され、第２の切換スイッチ２の共通接点が＋側接点に接
続される。
【００１４】なお、Ａ／Ｄコンバ−タ３の出力は電圧／
温度変換回路５に入力され、電圧／温度変換回路５は予
めサ−ミスタＲＴの抵抗値に起因する電圧変化とサ−ミ
スタＲＴの環境温度の関係に基づく電圧／温度の変換デ
−タを有し、入力されたＡ／Ｄコンバ−タ３の出力を温
度デ−タに変換して出力する。
温度変換回路５に入力され、電圧／温度変換回路５は予
めサ−ミスタＲＴの抵抗値に起因する電圧変化とサ−ミ
スタＲＴの環境温度の関係に基づく電圧／温度の変換デ
−タを有し、入力されたＡ／Ｄコンバ−タ３の出力を温
度デ−タに変換して出力する。
【００１５】以下、本実施例の作用を説明する。発信器
４の出力Ｑ1 、Ｑ2 により第１の切換スイッチ１の共通
接点が＋側接点に接続され、第２の切換スイッチ２の共
通接点が−側接点に接続された時には直流電源Ｅから抵
抗ＲＬ、第１の切換スイッチ１の＋側接点、第１の切換
スイッチ１の共通接点、サ−ミスタＲＴ、第２の切換ス
イッチ２の共通接点、第２の切換スイッチ２の＋側接点
を直列に介して図１中の実線方向に電流が流れる。そし
て、発信器４の出力Ｑ1 、Ｑ2 が変化すると、第１、第
２の切換スイッチ１、２の接続方向が変化し、第１の切
換スイッチ１の共通接点が−側接点に接続され、第２の
切換スイッチ２の共通接点が＋側接点に接続される。こ
の時には直流電源Ｅから抵抗ＲＬ、第２の切換スイッチ
２の＋側接点、第２の切換スイッチ２の共通接点、サ−
ミスタＲＴ、第１の切換スイッチ１の共通接点、第１の
切換スイッチ１の＋側接点を直列に介して図１中の破線
方向に電流が流れる。
４の出力Ｑ1 、Ｑ2 により第１の切換スイッチ１の共通
接点が＋側接点に接続され、第２の切換スイッチ２の共
通接点が−側接点に接続された時には直流電源Ｅから抵
抗ＲＬ、第１の切換スイッチ１の＋側接点、第１の切換
スイッチ１の共通接点、サ−ミスタＲＴ、第２の切換ス
イッチ２の共通接点、第２の切換スイッチ２の＋側接点
を直列に介して図１中の実線方向に電流が流れる。そし
て、発信器４の出力Ｑ1 、Ｑ2 が変化すると、第１、第
２の切換スイッチ１、２の接続方向が変化し、第１の切
換スイッチ１の共通接点が−側接点に接続され、第２の
切換スイッチ２の共通接点が＋側接点に接続される。こ
の時には直流電源Ｅから抵抗ＲＬ、第２の切換スイッチ
２の＋側接点、第２の切換スイッチ２の共通接点、サ−
ミスタＲＴ、第１の切換スイッチ１の共通接点、第１の
切換スイッチ１の＋側接点を直列に介して図１中の破線
方向に電流が流れる。
【００１６】このように発信器４の出力が変化する度に
第１、第２の切換スイッチ１、２が切換えられ、サ−ミ
スタＲＴに流れる電流の方向が変更される。要するにサ
−ミスタＲＴには矩形波交流が印加されることになる。
そして、発信器４の出力Ｑ1、Ｑ2 は略１のオン／オフ
比で動作するため、略同じ時間で電流方向が変更され
る。この結果、水分の関与によりサ−ミスタＲＴの電極
に金属イオンが発生しても、他方の電極まで金属イオン
が到達し、電極部分で金属イオンが還元されることがな
くなり、マイグレ−ションの発生が防止できる。次に図
２に基づき本発明の第２の実施例を説明する。
第１、第２の切換スイッチ１、２が切換えられ、サ−ミ
スタＲＴに流れる電流の方向が変更される。要するにサ
−ミスタＲＴには矩形波交流が印加されることになる。
そして、発信器４の出力Ｑ1、Ｑ2 は略１のオン／オフ
比で動作するため、略同じ時間で電流方向が変更され
る。この結果、水分の関与によりサ−ミスタＲＴの電極
に金属イオンが発生しても、他方の電極まで金属イオン
が到達し、電極部分で金属イオンが還元されることがな
くなり、マイグレ−ションの発生が防止できる。次に図
２に基づき本発明の第２の実施例を説明する。
【００１７】この第２の実施例はサ−ミスタＲＴへの交
流電圧印加を電子回路で行うものであり、まず、マルチ
バイブレ−タ等で構成される矩形波発生器１１の出力段
に前段インバ−タ１２及び後段インバ−タ１３が配置さ
れている。前段インバ−タ１２は本発明にいう第１のス
イッチ回路を構成し、同様に後段インバ−タ１３は第２
のスイッチ回路を構成する。
流電圧印加を電子回路で行うものであり、まず、マルチ
バイブレ−タ等で構成される矩形波発生器１１の出力段
に前段インバ−タ１２及び後段インバ−タ１３が配置さ
れている。前段インバ−タ１２は本発明にいう第１のス
イッチ回路を構成し、同様に後段インバ−タ１３は第２
のスイッチ回路を構成する。
【００１８】矩形波発生器は１１は図３に示すように、
オン時間Ｔ1 とオフ時間Ｔ2 が略等しい矩形波パルス列
を出力する。インバ−タ１２、１３はその詳細構成を図
４に示すようにそれぞれＣＭＯＳ ＦＥＴ２１、２２な
いし３１、３２から構成されている。インバ−タ１３の
出力点と入力点との間には周囲環境温度に応じて抵抗値
が変化するサ−ミスタＲＴと固定抵抗ＲＬとの直列回路
が構成されている。
オン時間Ｔ1 とオフ時間Ｔ2 が略等しい矩形波パルス列
を出力する。インバ−タ１２、１３はその詳細構成を図
４に示すようにそれぞれＣＭＯＳ ＦＥＴ２１、２２な
いし３１、３２から構成されている。インバ−タ１３の
出力点と入力点との間には周囲環境温度に応じて抵抗値
が変化するサ−ミスタＲＴと固定抵抗ＲＬとの直列回路
が構成されている。
【００１９】サ−ミスタＲＴと抵抗ＲＬとの接続点から
温度検出信号（電圧）が取り出される。そして、図１に
示すように温度検出信号はコンパレ−タ１６の負入力端
子に導かれ、コンパレ−タ１６の正入力端子は固定抵抗
器１８及び可変抵抗器１９からなる温度設定器１７の中
間接続点に定められる設定出力点に接続される。この温
度設定器１７は０ボルト端子Ｏと電源端子ＶDD端子との
間に接続される。コンパレ−タ１６の出力は、矩形波発
生器１１の出力パルスのオン時間またはオフ時間よりも
わずかに長いオン時間を有するワンショットマルチバイ
ブレ−タ４０を介して空気調和機の圧縮機を制御する。
温度検出信号（電圧）が取り出される。そして、図１に
示すように温度検出信号はコンパレ−タ１６の負入力端
子に導かれ、コンパレ−タ１６の正入力端子は固定抵抗
器１８及び可変抵抗器１９からなる温度設定器１７の中
間接続点に定められる設定出力点に接続される。この温
度設定器１７は０ボルト端子Ｏと電源端子ＶDD端子との
間に接続される。コンパレ−タ１６の出力は、矩形波発
生器１１の出力パルスのオン時間またはオフ時間よりも
わずかに長いオン時間を有するワンショットマルチバイ
ブレ−タ４０を介して空気調和機の圧縮機を制御する。
【００２０】図２及び図４の回路において、矩形波発生
器１１の出力が“１”の時はＦＥＴ２１がオフ、ＦＥＴ
２２がオンまたＦＥＴ３１がオン、ＦＥＴ３２がオフと
なる。このときはＦＥＴ３１からサ−ミスタＲＴ及び抵
抗ＲＬを通ってＦＥＴ２２へと電流が流れ、抵抗器ＲＬ
の両端電圧として得られる出力電圧ＶOHはサ−ミスタＲ
Ｔの抵抗値をＲ4 、抵抗ＲＬの抵抗値をＲ5 、電源ＶDD
の電圧をＶDDとして、 ＶOH＝ＶDD×Ｒ5 ／（Ｒ4 ＋Ｒ5 ） となる。
器１１の出力が“１”の時はＦＥＴ２１がオフ、ＦＥＴ
２２がオンまたＦＥＴ３１がオン、ＦＥＴ３２がオフと
なる。このときはＦＥＴ３１からサ−ミスタＲＴ及び抵
抗ＲＬを通ってＦＥＴ２２へと電流が流れ、抵抗器ＲＬ
の両端電圧として得られる出力電圧ＶOHはサ−ミスタＲ
Ｔの抵抗値をＲ4 、抵抗ＲＬの抵抗値をＲ5 、電源ＶDD
の電圧をＶDDとして、 ＶOH＝ＶDD×Ｒ5 ／（Ｒ4 ＋Ｒ5 ） となる。
【００２１】また、矩形波発生器１１の出力が“０”の
ときは、上記とは逆にＦＥＴ２１がオン、ＦＥＴ２２が
オフ、またＦＥＴ３１がオフ、ＦＥＴ３２がオンとな
り、ＦＥＴ２１から抵抗ＲＬおよびサ−ミスタＲＴを通
ってＦＥＴ３２へと電流が流れ、このときの出力電圧Ｖ
OLは、 ＶOL＝ＶDD×Ｒ4 ／（Ｒ4 ＋Ｒ5 ） となる。
ときは、上記とは逆にＦＥＴ２１がオン、ＦＥＴ２２が
オフ、またＦＥＴ３１がオフ、ＦＥＴ３２がオンとな
り、ＦＥＴ２１から抵抗ＲＬおよびサ−ミスタＲＴを通
ってＦＥＴ３２へと電流が流れ、このときの出力電圧Ｖ
OLは、 ＶOL＝ＶDD×Ｒ4 ／（Ｒ4 ＋Ｒ5 ） となる。
【００２２】このようにして得られた出力電圧ＶOHはな
いしＶOLはコンパレ−タ１６の負入力端子に入力され、
正入力端子に入力される温度設定器１７からの設定温度
に対応する電圧Ｖs 、すなわち、固定抵抗器１８の抵抗
値Ｒ18及び可変抵抗器１９の抵抗値Ｒ19とすると、 Ｖs ＝ＶDD×Ｒ9 ／（Ｒ8 ＋Ｒ9 ） と比較される（図５参照）。コンパレ−タ６はＶOHまた
はＶOLがＶS よりも大なるとき“Ｈ”レベル出力とな
り、それ以外の時は“Ｌ”レベル出力となる（図６参
照）。
いしＶOLはコンパレ−タ１６の負入力端子に入力され、
正入力端子に入力される温度設定器１７からの設定温度
に対応する電圧Ｖs 、すなわち、固定抵抗器１８の抵抗
値Ｒ18及び可変抵抗器１９の抵抗値Ｒ19とすると、 Ｖs ＝ＶDD×Ｒ9 ／（Ｒ8 ＋Ｒ9 ） と比較される（図５参照）。コンパレ−タ６はＶOHまた
はＶOLがＶS よりも大なるとき“Ｈ”レベル出力とな
り、それ以外の時は“Ｌ”レベル出力となる（図６参
照）。
【００２３】温度が高いとサ−ミスタＲＴの抵抗値Ｒ4
が小さくなってＶOLの値が小さくなり、ＶOHの値が大き
くなる。この時はＶOH＞ＶS であり、かつＶOL＞ＶS で
あって、コンパレ−タ１６の出力は常に“Ｌ”レベルと
なり空気調和機の圧縮機の運転が継続される。
が小さくなってＶOLの値が小さくなり、ＶOHの値が大き
くなる。この時はＶOH＞ＶS であり、かつＶOL＞ＶS で
あって、コンパレ−タ１６の出力は常に“Ｌ”レベルと
なり空気調和機の圧縮機の運転が継続される。
【００２４】冷房運転により温度が低下してくるとサ−
ミスタＲＴの抵抗値Ｒ4 が大きくなり、ＶOLの値が大き
くなってＶOHの値が小さくなる。この時はＶOL＞ＶS で
あり、かつＶOH＜ＶS となって、コンパレ−タ１６の出
力は図５及び図６に例示するように“Ｈ”レベルと
“Ｌ”レベルを繰り返す。しかしながら、ワンショット
マルチバイブレ−タ４０の作用により連続した“Ｈ”レ
ベル信号が出力され、圧縮機の運転は停止する。なお、
温度設定器１７の可変抵抗器１９を適宜調節することに
より電圧ＶS を変えて温度設定値を変えることができ
る。
ミスタＲＴの抵抗値Ｒ4 が大きくなり、ＶOLの値が大き
くなってＶOHの値が小さくなる。この時はＶOL＞ＶS で
あり、かつＶOH＜ＶS となって、コンパレ−タ１６の出
力は図５及び図６に例示するように“Ｈ”レベルと
“Ｌ”レベルを繰り返す。しかしながら、ワンショット
マルチバイブレ−タ４０の作用により連続した“Ｈ”レ
ベル信号が出力され、圧縮機の運転は停止する。なお、
温度設定器１７の可変抵抗器１９を適宜調節することに
より電圧ＶS を変えて温度設定値を変えることができ
る。
【００２５】以上のように、この第２の実施例において
もサ−ミスタＲＴには矩形波交流が印加され、図７に示
すように略同一値の電流が交互に向きを変えて交番電流
として流れるため、マイグレ−ションの発生が防止でき
る。また、この第２の実施例ではＦＥＴ２１，２２，３
１，３２などの直流用半導体素子を用いて構成できるた
め、安価に構成できる。
もサ−ミスタＲＴには矩形波交流が印加され、図７に示
すように略同一値の電流が交互に向きを変えて交番電流
として流れるため、マイグレ−ションの発生が防止でき
る。また、この第２の実施例ではＦＥＴ２１，２２，３
１，３２などの直流用半導体素子を用いて構成できるた
め、安価に構成できる。
【００２６】さらに、第３の実施例を図８に示す。この
実施例ではマイクロコンピュ−タ５０の出力端子の内部
論理回路１２ａ、１３ａを用い、この出力端子を交互に
オン、オフすると共に、サ−ミスタＲＴの出力をマイク
ロコンピュ−タ５０の内臓Ａ／Ｄ変換入力５ａに入力す
るように構成している。この回路ではマイクロコンピュ
−タ５０以外の外部回路が抵抗ＲＬとサ−ミスタＲＴの
みとなり極めて回路構成が簡単となり、実用性の高い温
度検出装置が得られる。
実施例ではマイクロコンピュ−タ５０の出力端子の内部
論理回路１２ａ、１３ａを用い、この出力端子を交互に
オン、オフすると共に、サ−ミスタＲＴの出力をマイク
ロコンピュ−タ５０の内臓Ａ／Ｄ変換入力５ａに入力す
るように構成している。この回路ではマイクロコンピュ
−タ５０以外の外部回路が抵抗ＲＬとサ−ミスタＲＴの
みとなり極めて回路構成が簡単となり、実用性の高い温
度検出装置が得られる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、温度検出用のサ−ミス
タに交流を印加することによりサ−ミスタを流れる電流
方向が変更され、サ−ミスタの電極に金属イオンが発生
しても、他方の電極まで金属イオンが到達し、電極部分
で金属イオンが還元されることがなくなり、マイグレ−
ションの発生が防止でき、信頼性の高い温度検出方法及
び温度検出装置を得ることができる。
タに交流を印加することによりサ−ミスタを流れる電流
方向が変更され、サ−ミスタの電極に金属イオンが発生
しても、他方の電極まで金属イオンが到達し、電極部分
で金属イオンが還元されることがなくなり、マイグレ−
ションの発生が防止でき、信頼性の高い温度検出方法及
び温度検出装置を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例における温度検出装置の回路
ブロック図。
ブロック図。
【図２】本発明の第２の実施例における温度検出装置の
回路ブロック図。
回路ブロック図。
【図３】同実施例における温度検出装置の動作を説明す
るための動作波形図。
るための動作波形図。
【図４】同実施例における温度検出装置の一部を詳細に
示す回路図。
示す回路図。
【図５】同実施例における温度検出装置の動作を説明す
るための動作波形図。
るための動作波形図。
【図６】同実施例における温度検出装置の動作を説明す
るための動作波形図。
るための動作波形図。
【図７】同実施例における温度検出装置の動作を説明す
るための動作波形図。
るための動作波形図。
【図８】本発明の第３の実施例における温度検出装置の
回路ブロック図。
回路ブロック図。
【図９】従来の温度検出装置を示す回路図である。
【図１０】一般的なサ−ミスタの構成を示す斜視図。
【図１１】同サ−ミスタの断面図。
Ｅ…直流電源，ＲＴ…サ−ミスタ，１…第１の切換スイ
ッチ，２…第２の切換スイッチ，３…Ａ／Ｄコンバ−
タ，４…発信器，５…電圧／温度変換回路，１２…前段
インバ−タ，１３…後段インバ−タ，２１，２２，３
１，３２…ＦＥＴ
ッチ，２…第２の切換スイッチ，３…Ａ／Ｄコンバ−
タ，４…発信器，５…電圧／温度変換回路，１２…前段
インバ−タ，１３…後段インバ−タ，２１，２２，３
１，３２…ＦＥＴ
Claims (3)
- 【請求項１】周囲環境温度に応じて抵抗値の変化するサ
−ミスタに交流を印加し、サ−ミスタの抵抗変化に基づ
く電圧変化を検出して温度を検出する温度検出方法。 - 【請求項２】直流電源と、 周囲環境温度に応じて抵抗値の変化するサ−ミスタと、 一端に前記サ−ミスタの一端が接続され、第１の期間に
おいて前記サ−ミスタの一端を前記直流電源の一端に接
続し、第２の期間において前記サ−ミスタの一端を前記
直流電源の他端に接続する第１手段と、 一端に前記サ−ミスタの他端が接続され、前記第１の期
間において前記サ−ミスタの他端を前記直流電源の他端
に接続し、前記第２の期間において前記サ−ミスタの他
端を前記直流電源の一端に接続する第２手段と、 前記第１の期間と前記第２の期間を略同じ時間長さで交
互に発生させる制御手段とを備えたことを特徴とする温
度検出装置。 - 【請求項３】直流電源に接続される直列接続の一対のス
イッチング素子からなり、両スイッチング素子の一方が
オンの時に他方がオフとなるように前記パルス発生器の
出力パルスに同期してオンオフ制御される第１のスイッ
チ回路と、 この第１のスイッチ回路に並列接続される直列接続の一
対のスイッチング素子からなり、両スイッチング素子の
一方がオンの時に他方がオフとなり、かつ前記第１スイ
ッチ回路の互いに対応するスイッチング素子との間でも
一方がオンのときは他方がオフとなるようにオンオフ制
御される第２のスイッチング回路と、 前記第１及び第２のスイッチ回路の各中間接続点間に接
続された周囲環境温度に応じて抵抗値の変化するサ−ミ
スタとを備えたことを特徴とする温度検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6506492A JPH05264369A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 温度検出方法および温度検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6506492A JPH05264369A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 温度検出方法および温度検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05264369A true JPH05264369A (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=13276157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6506492A Pending JPH05264369A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 温度検出方法および温度検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05264369A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013145194A (ja) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | Advantest Corp | 検出装置および検出方法 |
| JP2018055899A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 日立アプライアンス株式会社 | 誘導加熱調理器 |
-
1992
- 1992-03-23 JP JP6506492A patent/JPH05264369A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013145194A (ja) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | Advantest Corp | 検出装置および検出方法 |
| JP2018055899A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 日立アプライアンス株式会社 | 誘導加熱調理器 |
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