JPH05259146A - Semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents
Semiconductor manufacturing apparatusInfo
- Publication number
- JPH05259146A JPH05259146A JP4050777A JP5077792A JPH05259146A JP H05259146 A JPH05259146 A JP H05259146A JP 4050777 A JP4050777 A JP 4050777A JP 5077792 A JP5077792 A JP 5077792A JP H05259146 A JPH05259146 A JP H05259146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- silicon substrate
- hydrogen fluoride
- cleaned
- drying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、大規模集積回路（ＬＳ
Ｉ）等を製造する半導体製造装置及び前記製造装置に利
用可能な洗浄装置に係わり、特に、洗浄装置においてシ
リコン基板をフッ化水素水で洗浄する場合に、フッ化水
素成分を洗浄装置外に流出させないための手段及びフッ
化水素成分に対する洗浄装置内の部品の保護手段を設け
た前記半導体製造装置及び前記製造装置に利用可能な洗
浄装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a large scale integrated circuit (LS).
I) related to a semiconductor manufacturing apparatus and a cleaning apparatus that can be used for the manufacturing apparatus, and particularly when cleaning a silicon substrate with hydrogen fluoride water in the cleaning apparatus, hydrogen fluoride components flow out of the cleaning apparatus. The present invention relates to the semiconductor manufacturing apparatus and a cleaning apparatus usable for the manufacturing apparatus, which is provided with a means for preventing the above and a means for protecting components in the cleaning apparatus against hydrogen fluoride components.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、シリコン基板を洗浄する洗浄部及
び前記洗浄したシリコン基板を乾燥する乾燥部とを有す
る洗浄装置と、シリコン基板上に膜を堆積する膜堆積装
置とを含む半導体製造装置としては、特開平２−１０６
９２７号に開示のものが知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor manufacturing apparatus including a cleaning device having a cleaning part for cleaning a silicon substrate and a drying part for drying the cleaned silicon substrate, and a film deposition device for depositing a film on the silicon substrate. Is Japanese Patent Laid-Open No. 2-106.
The one disclosed in No. 927 is known.
【０００３】図７は、前記開示による半導体製造装置を
示す要部構成図である。FIG. 7 is a block diagram showing the essential parts of a semiconductor manufacturing apparatus according to the above disclosure.
【０００４】図７において、５０は清浄化装置、５１は
膜堆積装置、５２、５３は入出力口、５４はロードロッ
ク、５５は搬送機構、５６はシリコン基板である。In FIG. 7, 50 is a cleaning device, 51 is a film deposition device, 52 and 53 are input / output ports, 54 is a load lock, 55 is a transfer mechanism, and 56 is a silicon substrate.
【０００５】そして、清浄化装置５０は、内部にシリコ
ン基板を清浄化処理する処理チェンバーを有し、このチ
ェンバーにフッ化水素ガス、オゾン、窒素が選択的に供
給され、かつ、シリコン基板を加熱するヒータが設けら
れている。膜堆積装置５１は、ＣＶＤ、スパッタ、蒸着
等の手段によりシリコン基板５６上に膜を堆積させるも
のである。ロードロック５４は、両端が入出力口５２、
５３を介して清浄化装置５０と膜堆積装置５１にそれぞ
れ結合されている。搬送機構５５は、シリコン基板５６
を載置した状態で、清浄化装置５０とロードロック５４
間、及び、ロードロック５４と膜堆積装置５１間を移動
するものである。The cleaning device 50 has a processing chamber for cleaning the silicon substrate therein. Hydrogen fluoride gas, ozone and nitrogen are selectively supplied to the chamber and the silicon substrate is heated. A heater is provided. The film deposition apparatus 51 is for depositing a film on the silicon substrate 56 by means of CVD, sputtering, vapor deposition or the like. Both ends of the load lock 54 are input / output ports 52,
The cleaning device 50 and the film deposition device 51 are connected via 53, respectively. The transfer mechanism 55 includes a silicon substrate 56.
With the cleaning device 50 and the load lock 54 installed.
And between the load lock 54 and the film deposition apparatus 51.
【０００６】前記構成による半導体製造装置は、概要、
次のような動作を行なう。An outline of the semiconductor manufacturing apparatus having the above structure is as follows.
The following operations are performed.
【０００７】シリコン基板５６の清浄化時に、シリコン
基板５６を清浄化装置５０内の処理チェンバー内に入
れ、ヒータによりシリコン基板５６を適温に加熱した状
態にする。次いで、処理チェンバー内にオゾンを供給
し、シリコン基板５６上の有機物をオゾンと反応させる
ことにより、一酸化炭素、炭酸ガス等の気体に変換して
除去させ、同時に、シリコン基板５６上に固体の二酸化
シリコン酸化膜を形成する。次に、処理チェンバー内に
フッ化水素ガスを供給し、シリコン基板５６上の自然生
成酸化膜及び二酸化シリコン酸化膜をフッ化水素ガスと
反応させることにより、水蒸気や四フッ化シリコン等の
気体に変換して除去させる。このようにして、処理チェ
ンバー内に、前述のようなドライプロセスにより清浄化
されたシリコン基板５６が得られる。At the time of cleaning the silicon substrate 56, the silicon substrate 56 is placed in the processing chamber in the cleaning device 50, and the silicon substrate 56 is heated to an appropriate temperature by the heater. Next, ozone is supplied into the processing chamber, and the organic matter on the silicon substrate 56 is reacted with ozone to be converted into a gas such as carbon monoxide or carbon dioxide gas and removed. At the same time, the solid matter on the silicon substrate 56 is removed. A silicon dioxide oxide film is formed. Next, by supplying hydrogen fluoride gas into the processing chamber and reacting the naturally generated oxide film and the silicon dioxide oxide film on the silicon substrate 56 with the hydrogen fluoride gas, water vapor, silicon tetrafluoride, or another gas is formed. Convert and remove. In this way, the silicon substrate 56 cleaned by the dry process as described above is obtained in the processing chamber.
【０００８】次いで、このシリコン基板５６は、搬送機
構５５に載置された状態で、清浄化装置５０からロード
ロック５４を介して膜堆積装置５１に搬送され、膜堆積
装置５１においてシリコン基板５６上にエピタキシャル
成長等により所定の膜が堆積されるものである。Next, the silicon substrate 56, while being placed on the transfer mechanism 55, is transferred from the cleaning device 50 to the film deposition device 51 via the load lock 54, and the film deposition device 51 places it on the silicon substrate 56. A predetermined film is deposited by epitaxial growth or the like.
【０００９】前記半導体製造装置によれば、シリコン基
板５６を低温処理することができ、それによりシリコン
基板５６に与えるダメージを低減できるものである。According to the semiconductor manufacturing apparatus described above, the silicon substrate 56 can be processed at a low temperature, thereby reducing damage to the silicon substrate 56.
【００１０】この他に、本発明による半導体製造装置ま
たは洗浄装置にそれぞれ関連する技術手段としては、従
来、以下に述べる３つのものが知られている。In addition to the above, as technical means respectively related to the semiconductor manufacturing apparatus or the cleaning apparatus according to the present invention, the following three are conventionally known.
【００１１】まず、特開昭６２−１２６９３号に開示の
ものは、気相成長法によるシリコン基板へのエピタキシ
ャル成長装置において、シリコン基板を加熱する加熱手
段、シリコン基板の表面に蒸発物質を蒸着させる蒸発
源、シリコン基板の表面にイオンビームを照射するイオ
ン源を各々有する１つの成長室に、シリコン基板を加熱
する加熱手段及び前記シリコン基板を清浄化する清浄化
を有する１つ以上の前処理室と、シリコン基板を冷却す
る１つ以上の後処理室をそれぞれゲートバルブを介して
結合し、さらに、シリコン基板を前記前処理室から前記
成長室を経て前記後処理室に搬送する搬送手段を備える
ことにより、前記成長室の稼動率を向上させるようにし
たエピタキシャル成長装置に関するものである。First, the one disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 62-12693 is a heating means for heating a silicon substrate in an epitaxial growth apparatus for a silicon substrate by a vapor phase growth method, and evaporation for vaporizing an evaporation substance on the surface of the silicon substrate. Source, one growth chamber each having an ion source for irradiating the surface of the silicon substrate with an ion beam, and one or more pretreatment chambers having heating means for heating the silicon substrate and cleaning for cleaning the silicon substrate. And a transfer means for connecting one or more post-processing chambers for cooling the silicon substrate via gate valves, respectively, and for transferring the silicon substrate from the pre-processing chamber through the growth chamber to the post-processing chamber. Accordingly, the present invention relates to an epitaxial growth apparatus which improves the operating rate of the growth chamber.
【００１２】次に、特開昭５８−６８９３３号に開示の
ものは、半導体ウエファ等の被処理物を高周波（ＨＦ）
エッチング、ウルトラ洗浄、乾燥等の工程を経て洗浄す
る洗浄装置において、前記各工程の処理を実行するＨＦ
エッチングモジュール、ウルトラ洗浄モジュール、乾燥
モジュールを独立に設け、これらのモジュールを任意の
順序に組合せ可能に構成するとともに、前記半導体ウエ
ファ等の被処理物が各モジュール内を自動的に搬送でき
るように構成することにより、作業者による手作業を皆
無にし、処理効率の増大とコストの低減を計った洗浄装
置に関するものである。Next, the one disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 58-68933 discloses a semiconductor wafer or the like to be processed at a high frequency (HF).
In a cleaning device that performs cleaning through steps such as etching, ultra-cleaning, and drying, an HF that executes the processing of each step
An etching module, an ultra-cleaning module, and a drying module are independently provided, and these modules can be combined in any order, and the processing object such as the semiconductor wafer can be automatically conveyed in each module. By doing so, the present invention relates to a cleaning device that eliminates the manual work by an operator, increases the processing efficiency and reduces the cost.
【００１３】また、特開昭６３−２４４６２４号に開示
のものは、シリコン基板をフッ化水素酸溶液等を用いて
洗浄する洗浄装置において、シリコン基板をフッ化水素
酸またはフッ化水素酸を含む溶液中に浸漬してシリコン
基板上のシリコン酸化物を除去する手段と、前記シリコ
ン酸化物を除去したシリコン基板を水溶性有機溶剤また
は水溶性有機溶剤の蒸気中に浸漬して、前記シリコン基
板の表面を親水性に変換する手段と、前記表面を親水性
に変換したシリコン基板を純水でリンスし、前記シリコ
ン基板上の不純物を除去する手段を有し、シリコン基板
上の残留反応生成物をことごとく除去させるようにした
洗浄装置に関するものである。Further, the one disclosed in JP-A-63-244624 is a cleaning device for cleaning a silicon substrate with a hydrofluoric acid solution or the like, and the silicon substrate contains hydrofluoric acid or hydrofluoric acid. A means for removing the silicon oxide on the silicon substrate by immersing it in a solution, and immersing the silicon substrate from which the silicon oxide has been removed in a water-soluble organic solvent or vapor of a water-soluble organic solvent, It has means for converting the surface to hydrophilic and means for removing impurities on the silicon substrate by rinsing the silicon substrate whose surface has been converted to hydrophilic with pure water to remove residual reaction products on the silicon substrate. The present invention relates to a cleaning device that is designed to remove everything.
【００１４】[0014]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開平２−１０６９２７号に開示の半導体製造装置は、低
温による堆積膜の形成（エピタキシャル成長膜の形成
等）のために、フッ化水素蒸気を用いてシリコン基板５
６上の酸化膜除去処理を行っているものであるが、この
酸化膜の除去処理においては再現性が良好でないという
問題を有している。また、前記半導体製造装置は、フッ
化水素蒸気に対して各部の保護を行なう点の配慮を欠い
ているため、フッ化水素成分が堆積装置装置（エピタキ
シャル成長装置）５１側に送り込まれ、前記膜堆積装置
（エピタキシャル成長装置）５１がこのフッ化水素成分
によって腐食されるという第１の問題を有している。However, the semiconductor manufacturing apparatus disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2-106927 uses hydrogen fluoride vapor to form a deposited film at low temperature (epitaxial growth film formation, etc.). Silicon substrate 5
However, there is a problem that the reproducibility is not good in this oxide film removal process. Further, since the semiconductor manufacturing apparatus lacks the consideration of protecting each part against hydrogen fluoride vapor, the hydrogen fluoride component is sent to the deposition apparatus (epitaxial growth apparatus) 51 side to cause the film deposition. The first problem is that the device (epitaxial growth device) 51 is corroded by this hydrogen fluoride component.
【００１５】また、前記特開昭６２−１２６９３号に開
示のエピタキシャル成長装置は、成長室と、前処理室及
び後処理室とがそれぞれゲートバルブで結合され、本発
明と同様に、処理すべきシリコン基板は一旦各室の外に
取り出されることなく、各室間を順次搬送させることが
できるものであるが、この搬送時においてシリコン基板
やその搬送体に付着している不要な成分を次の工程に移
行させる以前に取り除くものではなく、仮に、前記シリ
コン基板のフッ化水素水による洗浄時に、前記シリコン
基板やその搬送体にフッ化水素成分が付着していたとす
れば、そのフッ化水素成分がエピタキシャル成長室まで
運ばれ、やはり、前記成長室を腐食させるという前記第
１の問題を有している。Further, in the epitaxial growth apparatus disclosed in JP-A-62-12693, the growth chamber, the pre-treatment chamber and the post-treatment chamber are each connected by a gate valve, and like the present invention, the silicon to be treated is to be treated. The substrate can be sequentially transferred between the chambers without being taken out of each chamber, but the unnecessary components adhering to the silicon substrate or the carrier during the transfer can be transferred to the next step. However, if the hydrogen fluoride component is attached to the silicon substrate or the carrier thereof when cleaning the silicon substrate with hydrogen fluoride water, the hydrogen fluoride component is not removed. It is brought to the epitaxial growth chamber and again has the first problem of corroding the growth chamber.
【００１６】さらに、特開昭５８−６８９３３号に開示
の洗浄装置は、半導体ウエファ等の非処理物を、ＨＦエ
ッチング、ウルトラ洗浄、乾燥等の各工程を経ることに
より洗浄を行なうものであるが、前記非処理物のウルト
ラ洗浄工程において、フッ化水素水による洗浄を行なう
点の開示がないばかりか、フッ化水素成分に対する各部
品の保護についての開示がないため、前記洗浄にフッ化
水素水を用いたときには、前記洗浄工程後の工程、例え
ば、乾燥工程におけるフッ化水素成分付着部分がフッ化
水素成分によって腐食されるという第２の問題を有して
いる。Furthermore, the cleaning apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 58-68933 performs cleaning of an unprocessed object such as a semiconductor wafer by passing through steps such as HF etching, ultra cleaning and drying. , In the ultra-cleaning process of the non-processed product, there is no disclosure of cleaning with hydrogen fluoride water, and there is no disclosure of protection of each component against hydrogen fluoride components. When the above method is used, there is a second problem that the portion after the cleaning step, for example, the hydrogen fluoride component adhering portion in the drying step is corroded by the hydrogen fluoride component.
【００１７】最後に、特開昭６３−２４４６２４号に開
示の洗浄装置は、シリコン基板をフッ化水素酸またはフ
ッ化水素酸を含む溶液中に浸漬してシリコン基板上のシ
リコン酸化物を除去するものではあるが、フッ化水素成
分に対する各部品の保護についての開示がないため、前
記シリコン酸化物の除去工程後の工程におけるフッ化水
素成分付着部分が、同様に、フッ化水素成分によって腐
食されるという前記第２の問題を有している。Finally, in the cleaning apparatus disclosed in JP-A-63-244624, the silicon substrate is immersed in hydrofluoric acid or a solution containing hydrofluoric acid to remove the silicon oxide on the silicon substrate. However, since there is no disclosure of protection of each component against hydrogen fluoride component, the portion where the hydrogen fluoride component is adhered in the step after the step of removing the silicon oxide is also corroded by the hydrogen fluoride component. The second problem is that
【００１８】本発明は、前述の第１または第２の問題点
を除去するものであって、本発明の第１の目的は、洗浄
部において良好な再現性をもってシリコン基板表面の酸
化膜を除去し、かつ、前記洗浄部のフッ化水素成分がエ
ピタキシャル成長装置側に漏洩することがない半導体製
造装置を提供することにある。The present invention eliminates the above-mentioned first or second problem. The first object of the present invention is to remove the oxide film on the surface of the silicon substrate with good reproducibility in the cleaning section. The present invention also provides a semiconductor manufacturing apparatus in which the hydrogen fluoride component of the cleaning section does not leak to the epitaxial growth apparatus side.
【００１９】また、本発明の第２の目的は、フッ化水素
水による洗浄後の乾燥工程等において、フッ化水素成分
の付着によっても腐食が起こらない洗浄装置を提供する
ことにある。A second object of the present invention is to provide a cleaning device in which corrosion does not occur even when a hydrogen fluoride component adheres in a drying step after cleaning with hydrogen fluoride water.
【００２０】さらに、本発明の第３の目的は、フッ化水
素水による洗浄後の乾燥工程において、乾燥部にフッ化
水素水に対する取替え可能な防護手段を配置した洗浄装
置を提供することにある。Further, a third object of the present invention is to provide a cleaning device in which a protective means capable of replacing hydrogen fluoride water is arranged in the drying part in a drying step after cleaning with hydrogen fluoride water. ..
【００２１】[0021]
【課題を解決するための手段】前記第１の目的の達成の
ために、本発明は、フッ化水素水を含む洗浄液によりシ
リコン基板を洗浄する洗浄部及び前記洗浄したシリコン
基板を乾燥する乾燥部とを有する洗浄装置と、シリコン
基板上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成
長装置とを含む半導体製造装置において、前記洗浄装置
と前記エピタキシャル成長装置との間に、前記洗浄装置
内のフッ化水素成分を前記エピタキシャル成長装置側に
漏洩させない接続装置を配置した第１の手段を備える。To achieve the first object, the present invention provides a cleaning section for cleaning a silicon substrate with a cleaning solution containing hydrogen fluoride water, and a drying section for drying the cleaned silicon substrate. In a semiconductor manufacturing apparatus including a cleaning device having a cleaning device and an epitaxial growth device for forming an epitaxial layer on a silicon substrate, the hydrogen fluoride component in the cleaning device is epitaxially grown between the cleaning device and the epitaxial growth device. The apparatus includes a first means in which a connecting device that does not leak is arranged on the device side.
【００２２】また、前記第２の目的の達成のために、本
発明は、フッ化水素水を含む洗浄液により被洗浄物を洗
浄する洗浄部と、前記洗浄した被洗浄物を乾燥する乾燥
部と、搬送体により被洗浄物を前記洗浄部から前記乾燥
部に搬送させる搬送手段とからなる洗浄装置において、
前記搬送体は少なくとも前記被洗浄物を保持する部分を
炭化ケイ素または炭化ケイ素の被覆物で構成した第２の
手段を備える。In order to achieve the second object, the present invention provides a cleaning section for cleaning an object to be cleaned with a cleaning liquid containing hydrogen fluoride water, and a drying section for drying the cleaned object to be cleaned. A cleaning device including a transfer unit that transfers an object to be cleaned from the cleaning unit to the drying unit by a carrier,
The carrier includes second means in which at least a portion for holding the object to be cleaned is made of silicon carbide or a coating of silicon carbide.
【００２３】さらに、前記第３の目的の達成のために、
本発明は、フッ化水素水を含む洗浄液により被洗浄物を
洗浄する洗浄部と、前記洗浄した被洗浄物を乾燥するも
ので、被洗浄物に赤外光を照射する赤外線発光ランプ及
び前記被洗浄物と前記赤外線発光ランプとの間に配置さ
れた石英容器とからなる乾燥部を有する洗浄装置におい
て、前記石英容器と前記被洗浄物との間にさらに取外し
可能な第２の石英容器を配置した第３の手段を備える。Further, in order to achieve the third object,
The present invention is a cleaning unit for cleaning an object to be cleaned with a cleaning solution containing hydrogen fluoride water, and an apparatus for drying the cleaned object to be cleaned, an infrared light emitting lamp for irradiating the object to be cleaned with infrared light, and the object to be cleaned. In a cleaning device having a drying section composed of a cleaning object and a quartz container arranged between the infrared light emitting lamp, a second removable quartz container is arranged between the quartz container and the object to be cleaned. The third means is provided.
【００２４】[0024]
【作用】一般に、フッ化水素（ＨＦ）を用いて、シリコ
ン基板表面のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）を除去する、
即ち、シリコン基板表面を洗浄する際の反応は、次の
（１）式に示すとおりである。In general, hydrogen fluoride (HF) is used to remove the silicon oxide film (SiO 2 ) on the surface of the silicon substrate.
That is, the reaction when cleaning the surface of the silicon substrate is as shown in the following formula (1).
【００２５】 ＳｉＯ2 ＋４ＨＦ→ＳｉＦ4 ＋２Ｈ2 Ｏ （１） 前記式（１）における反応は、水（Ｈ2 Ｏ）の影響を受
けるため、前記特開平２−１０６９２７号に開示のもの
のように、フッ化水素蒸気を用いている場合は、シリコ
ン基板表面に予め存在する吸着水の量によってシリコン
酸化膜（ＳｉＯ2）の除去が開始される時間に違いが現
われる。また、フッ化水素蒸気を用いているために、シ
リコン基板表面における前記フッ化水素蒸気の流れや、
前記フッ化水素蒸気中のフッ化水素成分の稀薄のゆらぎ
等が、シリコン基板表面のシリコン酸化膜の除去速度に
影響を与える。SiO 2 + 4HF → SiF 4 + 2H 2 O (1) Since the reaction in the above formula (1) is affected by water (H 2 O), like the one disclosed in JP-A-2-106927, When hydrogen fluoride vapor is used, the time at which the removal of the silicon oxide film (SiO 2 ) is started varies depending on the amount of adsorbed water existing on the surface of the silicon substrate. Further, since hydrogen fluoride vapor is used, the flow of the hydrogen fluoride vapor on the surface of the silicon substrate,
Fluctuations in the dilution of the hydrogen fluoride component in the hydrogen fluoride vapor affect the removal rate of the silicon oxide film on the surface of the silicon substrate.
【００２６】このため、前記特開平２−１０６９２７号
に開示の半導体製造装置は、前記フッ化水素蒸気によっ
て洗浄した後のシリコン基板表面の清浄度がシリコン基
板表面内において不均一になり、シリコン酸化膜除去に
対する再現性は不良になる。Therefore, in the semiconductor manufacturing apparatus disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 2-106927, the cleanliness of the surface of the silicon substrate after cleaning with the hydrogen fluoride vapor becomes non-uniform on the surface of the silicon substrate, resulting in silicon oxidation. The reproducibility for film removal is poor.
【００２７】これに対して、本発明のように、フッ化水
素水を用いた洗浄の場合は、シリコン基板表面のシリコ
ン酸化膜の存在量に比べて、それに反応する水やフッ化
水素の存在量は極めて多く、前記反応もシリコン基板表
面内でほぼ同様に行われる。このため、本発明の半導体
製造装置は、前記フッ化水素水によって洗浄した後のシ
リコン酸化膜の除去の度合い（シリコン基板表面の清浄
度）がシリコン基板表面内においてほぼ均一になり、シ
リコン酸化膜除去に対する再現性は良好になるものであ
る。On the other hand, in the case of cleaning with hydrogen fluoride water as in the present invention, the presence of water or hydrogen fluoride that reacts with the silicon oxide film on the surface of the silicon substrate is greater than the amount of silicon oxide film present. The amount is extremely large, and the above-mentioned reaction is performed in the same manner on the surface of the silicon substrate. Therefore, in the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, the degree of removal of the silicon oxide film (cleanliness of the silicon substrate surface) after cleaning with the hydrogen fluoride water becomes substantially uniform within the silicon substrate surface, and the silicon oxide film The reproducibility for removal is good.
【００２８】また、フッ化水素水による洗浄を行なう洗
浄装置をエピタキシャル成長装置に単に接続した場合、
フッ化水素成分（蒸気）の付着によって腐食するエピタ
キシャル成長装置の構成部分は、主として、フッ化水素
成分がエピタキシャル成長装置内へ搬送される際に、最
初にフッ化水素成分（蒸気）が通過するところのシリコ
ン基板の出入口部分である。When a cleaning device for cleaning with hydrogen fluoride water is simply connected to the epitaxial growth device,
The components of the epitaxial growth apparatus that corrode due to the adhesion of the hydrogen fluoride component (vapor) are mainly the ones through which the hydrogen fluoride component (vapor) first passes when the hydrogen fluoride component is transported into the epitaxial growth apparatus. This is the entrance / exit of the silicon substrate.
【００２９】そこで、本発明の第１の手段は、前記洗浄
装置と前記エピタキシャル成長装置との間に、前記洗浄
装置内のフッ化水素成分（蒸気）を前記エピタキシャル
成長装置側に漏洩させない接続装置、好ましくは、前記
洗浄装置の雰囲気圧力よりもやや雰囲気圧力の高い内圧
を有するように設定された搬送室を設け、この搬送室の
圧力差によって、前記洗浄装置内のフッ化水素成分（蒸
気）が搬送室内に漏洩しないようにする、または、漏洩
したとしてもその量が極めて微小になるようにしてい
る。Therefore, the first means of the present invention is a connecting device between the cleaning device and the epitaxial growth device, which does not allow hydrogen fluoride components (vapors) in the cleaning device to leak to the epitaxial growth device side. Provides a transfer chamber set to have an internal pressure slightly higher than the atmospheric pressure of the cleaning device, and the hydrogen fluoride component (vapor) in the cleaning device is transferred due to the pressure difference in the transfer chamber. It is designed so that it does not leak into the room, or the amount of leakage is extremely small.
【００３０】この結果、シリコン基板を前記搬送室から
前記エピタキシャル成長装置内に搬送する際に、それと
同時に、フッ化水素成分（蒸気）が前記エピタキシャル
成長装置側に漏洩し、エピタキシャル成長装置を腐食さ
せるのを未然に防止することができる。As a result, when the silicon substrate is transferred from the transfer chamber into the epitaxial growth apparatus, at the same time, the hydrogen fluoride component (vapor) leaks to the epitaxial growth apparatus side and corrodes the epitaxial growth apparatus. Can be prevented.
【００３１】なお、前記第１の手段において、少なくと
も前記洗浄装置と前記搬送室との間の接続部にフッ素系
ポリマ−で被覆されたゲ−トバルブを用いれば、フッ化
水素成分（蒸気）が前記エピタキシャル成長装置側に漏
洩するのを有効に阻止することができる。In the first means, if a gate valve coated with a fluorine-based polymer is used at least at the connection between the cleaning device and the transfer chamber, the hydrogen fluoride component (vapor) can be removed. Leakage to the epitaxial growth apparatus side can be effectively prevented.
【００３２】次に、フッ化水素水を用いてシリコン基板
の洗浄を行なった後、フッ化水素水が付着した状態のシ
リコン基板を治具により保持して赤外線乾燥部に搬送さ
せる場合に、前記搬送治具、特に、前記搬送治具の中の
シリコン基板を保持する部分は、フッ化水素の腐食に対
する耐性と赤外線乾燥時の高温に対する耐性とを合わせ
有する必要がある。Then, after cleaning the silicon substrate with hydrogen fluoride water, the silicon substrate to which the hydrogen fluoride water is attached is held by a jig and conveyed to the infrared drying section. The carrying jig, especially the part of the carrying jig that holds the silicon substrate, must have both resistance to corrosion of hydrogen fluoride and resistance to high temperatures during infrared drying.
【００３３】そこで、本発明の第２の手段は、前記搬送
治具の中のシリコン基板を保持する部分を、炭化ケイ素
または炭化ケイ素の被覆物で構成し、この炭化ケイ素が
保有するフッ化水素の腐食に対する耐性と乾燥時の高温
に対する耐性により、前記腐食や高温劣化を生じない搬
送治具を得るようにしたものである。Therefore, the second means of the present invention is that the portion of the carrying jig for holding the silicon substrate is made of silicon carbide or a coating of silicon carbide, and the hydrogen fluoride contained in the silicon carbide is held. It is intended to obtain a carrying jig which does not cause the above-mentioned corrosion or deterioration due to high temperature due to its resistance to corrosion and high temperature during drying.
【００３４】この結果、前記搬送治具、特に、シリコン
基板を保持する部分は、従来、頻繁に交換する必要があ
ったのに対して、本発明の前記構成による搬送治具は、
その交換頻度を著しく低減させることができ、保守の容
易な乾燥部を得ることができる。As a result, the carrying jig, especially the part for holding the silicon substrate, has conventionally required frequent replacement, whereas the carrying jig having the above-mentioned structure of the present invention is
The replacement frequency can be remarkably reduced, and a dry section that can be easily maintained can be obtained.
【００３５】さらに、フッ化水素水が付着した状態のシ
リコン基板及びそのシリコン基板を保持する搬送治具を
赤外線乾燥する場合に、乾燥に伴ってフッ化水素蒸気が
発生し、このフッ化水素蒸気がシリコン基板及びシリコ
ン基板を保持する搬送治具の周辺に存在する金属や石英
部品を腐食させる。Further, when the silicon substrate to which the hydrogen fluoride water is attached and the carrying jig for holding the silicon substrate are dried by infrared rays, hydrogen fluoride vapor is generated along with the drying, and this hydrogen fluoride vapor is generated. Corrodes the metal and quartz parts existing around the silicon substrate and the carrier jig that holds the silicon substrate.
【００３６】そこで、本発明の第３の手段は、赤外光を
発生する赤外線ランプとシリコン基板との間に配置され
ている石英容器からなる乾燥部の、前記石英容器と前記
シリコン基板との間に取外し可能な第２の石英容器を配
置させ、この取外し可能な第２の石英容器だけを前記フ
ッ化水素蒸気に反応させるようにしている。Therefore, the third means of the present invention is to provide a drying unit consisting of a quartz container arranged between an infrared lamp for generating infrared light and a silicon substrate, in which the quartz container and the silicon substrate are combined. A removable second quartz container is arranged in between, and only the removable second quartz container is made to react with the hydrogen fluoride vapor.
【００３７】この結果、前記フッ化水素蒸気に腐食され
るものは、主として、前記第２の石英容器のみになり、
しかも、この第２の石英容器は取外し可能であるので、
保守の容易な乾燥部を得ることができる。また、前記第
２の石英容器を配置したことにより、本来存在する石英
容器のフッ化水素蒸気に対する耐腐食性が向上し、前記
石英容器の交換頻度の低減により、より保守の容易な乾
燥部を得ることができる。As a result, it is only the second quartz container that is corroded by the hydrogen fluoride vapor,
Moreover, since this second quartz container is removable,
It is possible to obtain a dry section that is easy to maintain. Further, by arranging the second quartz container, the corrosion resistance of the originally existing quartz container to hydrogen fluoride vapor is improved, and the frequency of replacement of the quartz container is reduced, so that a drying section that is easier to maintain is provided. Obtainable.
【００３８】[0038]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００３９】図１は、本発明に係わる半導体製造装置の
第１の実施例を示すブロック構成図であって、前記半導
体製造装置の洗浄装置とエピタキシャル成長装置の部分
を示すものである。FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, showing a cleaning apparatus and an epitaxial growth apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus.
【００４０】図１において、１は洗浄装置、２は接続装
置、３はエピタキシャル成長装置、４は洗浄部、５はフ
ッ化水素浸漬部、６は乾燥部である。In FIG. 1, 1 is a cleaning device, 2 is a connecting device, 3 is an epitaxial growth device, 4 is a cleaning part, 5 is a hydrogen fluoride dipping part, and 6 is a drying part.
【００４１】そして、洗浄装置１は、シリコン基板を予
め洗浄するための洗浄部４と、前記洗浄したシリコン基
板をフッ化水素水を含む洗浄液に浸漬して、シリコン基
板表面の酸化膜を除去するためのフッ化水素浸漬部５
と、前記洗浄液に浸漬したシリコン基板を乾燥するため
の乾燥部６とからなっており、接続装置２は、洗浄装置
１とエピタキシャル成長装置３とを結合するもので、洗
浄装置１内にあるフッ化水素成分（蒸気）をエピタキシ
ャル成長装置２側に搬送漏洩させないための漏洩防止手
段が施されている。また、エピタキシャル成長装置３
は、シリコン基板上に所定のエピタキシャル層を成長形
成させるためのもので、周知の構成を有するものであ
る。Then, the cleaning apparatus 1 removes the oxide film on the surface of the silicon substrate by immersing the cleaning unit 4 for cleaning the silicon substrate in advance and the cleaned silicon substrate in a cleaning liquid containing hydrogen fluoride water. Hydrogen fluoride immersion part 5 for
And a drying unit 6 for drying the silicon substrate immersed in the cleaning liquid. The connection device 2 connects the cleaning device 1 and the epitaxial growth device 3 to each other. Leakage prevention means is provided to prevent the hydrogen component (vapor) from leaking to the epitaxial growth apparatus 2 side. In addition, the epitaxial growth apparatus 3
Is for growing a predetermined epitaxial layer on a silicon substrate and has a well-known structure.
【００４２】本実施例による半導体製造装置は、以下に
述べるように動作する。The semiconductor manufacturing apparatus according to this embodiment operates as described below.
【００４３】いま、シリコン基板が洗浄装置１内に搬送
されると、そのシリコン基板は、洗浄部４において、ま
ず、アンモニア水と過酸化水素水と純水の混合液によっ
て表面が洗浄され、次に、純水によってリンスされ、さ
らに、塩酸と過酸化水素水と純水の混合液で洗浄され、
次に、純水でリンスされて、フッ化水素浸漬部５に搬送
される。このフッ化水素浸漬部５においては、前記シリ
コン基板が５％フッ化水素水を含む洗浄液に１分間浸漬
され、前記シリコン基板表面の酸化膜の除去が行われた
後、乾燥部６に搬送される。乾燥部６においては、濡れ
た状態の前記シリコン基板が、例えば、赤外線ランプの
照射等により３０秒間乾燥され、接続装置２に搬送され
るが、この乾燥時のシリコン基板の温度は２００℃乃至
３００℃になる。Now, when the silicon substrate is carried into the cleaning apparatus 1, the surface of the silicon substrate is first cleaned in the cleaning unit 4 with a mixed solution of ammonia water, hydrogen peroxide solution and pure water, and then the silicon substrate is cleaned. Is rinsed with pure water, and further washed with a mixed solution of hydrochloric acid, hydrogen peroxide solution and pure water,
Next, it is rinsed with pure water and transported to the hydrogen fluoride immersion unit 5. In the hydrogen fluoride dipping unit 5, the silicon substrate is dipped in a cleaning liquid containing 5% hydrogen fluoride water for 1 minute to remove the oxide film on the surface of the silicon substrate, and then transported to the drying unit 6. It In the drying unit 6, the wet silicon substrate is dried, for example, by irradiation of an infrared lamp for 30 seconds and conveyed to the connection device 2. The temperature of the silicon substrate during the drying is 200 ° C. to 300 ° C. ℃.
【００４４】また、前記接続装置２は、前記シリコン基
板を洗浄装置１からエピタキシャル成長装置３に搬送さ
せるための搬送路の役目を果たすものであるが、それと
同時に、洗浄装置１内にあるフッ化水素成分（蒸気）を
エピタキシャル成長装置２側に搬送漏洩させないための
漏洩防止手段が施されている。この漏洩防止手段の簡単
なものは、前記接続装置２から前記洗浄装置１側に窒素
ガス等を流入させるような手段を設けるか、前記接続装
置２内部に前記洗浄装置１からのフッ化水素成分（蒸
気）を充分希釈させるための窒素ガス等を充満させた部
分を設ければ足りるが、より好ましい具体例については
後で説明する。Further, the connecting device 2 serves as a transfer path for transferring the silicon substrate from the cleaning device 1 to the epitaxial growth device 3, and at the same time, the hydrogen fluoride in the cleaning device 1 is also used. Leakage prevention means is provided to prevent the component (vapor) from being leaked to the epitaxial growth apparatus 2 side. A simple means for preventing this leakage is to provide a means for introducing nitrogen gas or the like from the connection device 2 to the cleaning device 1 side, or to provide the hydrogen fluoride component from the cleaning device 1 inside the connection device 2. It suffices to provide a portion filled with nitrogen gas or the like for sufficiently diluting (steam), but a more preferable specific example will be described later.
【００４５】続いて、前記シリコン基板がエピタキシャ
ル成長装置３に搬送されると、エピタキシャル成長装置
３において、前記シリコン基板の表面にエピタキシャル
層が成長形成されるものであるが、この際に前記エピタ
キシャル成長が行われる条件の一例を挙げると、原料ガ
スモノシラン２０ｍｌ／分、水素ガス５００ｍｌ／分、
成長圧力１Ｔｏｒｒ、成長温度８００℃である。Then, when the silicon substrate is transported to the epitaxial growth apparatus 3, an epitaxial layer is grown and formed on the surface of the silicon substrate in the epitaxial growth apparatus 3. At this time, the epitaxial growth is performed. To give an example of the conditions, source gas monosilane 20 ml / min, hydrogen gas 500 ml / min,
The growth pressure is 1 Torr and the growth temperature is 800 ° C.
【００４６】こうして成長形成されたエピタキシャル層
の特性は、光学顕微鏡による評価によれば、欠陥密度が
０．０２３個／ｃｍ2 、標準偏差が２％であって、再現
性の良好なエピタキシャル層を低温で形成することがで
きた。The characteristics of the epitaxial layer grown and formed as described above were evaluated by an optical microscope to find that the defect density was 0.023 defects / cm 2 and the standard deviation was 2%. It could be formed at low temperature.
【００４７】なお、本実施例においては、洗浄装置１の
内部に洗浄部４が配置された構成になっているが、前記
洗浄部４を洗浄装置１の外部に配置することも可能であ
る。In this embodiment, the cleaning unit 4 is arranged inside the cleaning device 1, but the cleaning unit 4 can be arranged outside the cleaning device 1.
【００４８】続く、図２は、本発明に係わる半導体製造
装置の第２の実施例を示すブロック構成図であって、接
続装置２及びエピタキシャル成長装置３を詳細に示した
ものである。Next, FIG. 2 is a block diagram showing a second embodiment of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, and shows the connection apparatus 2 and the epitaxial growth apparatus 3 in detail.
【００４９】図２において、７は搬送室、８、９は接続
部、１０は窒素ガスの流量制御器、１１は圧力計、１２
は真空排気装置、１３は石英反応管、１４は赤外線ラン
プ、１５は原料ガス導入口であり、その他、図１に示す
構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付けている。In FIG. 2, 7 is a transfer chamber, 8 and 9 are connection parts, 10 is a nitrogen gas flow controller, 11 is a pressure gauge, and 12 is a pressure gauge.
Is a vacuum evacuation device, 13 is a quartz reaction tube, 14 is an infrared lamp, 15 is a source gas introduction port, and other components that are the same as those shown in FIG.
【００５０】そして、接続装置２は、搬送室７と、その
入出力部に配置された一対の接続部８、９からなってお
り、前記搬送室７には、窒素ガスの流量制御器１０、圧
力計１１、真空排気装置１２がそれぞれ付属している。
また、エピタキシャル成長装置３は、石英反応管１３を
備え、この石英反応管１３の周囲に赤外線ランプ１４が
配置され、その端部に原料ガス導入口１５が設けられて
いる。The connection device 2 is composed of a transfer chamber 7 and a pair of connection parts 8 and 9 arranged at the input / output parts thereof. The transfer chamber 7 has a nitrogen gas flow controller 10, A pressure gauge 11 and a vacuum exhaust device 12 are attached respectively.
Further, the epitaxial growth apparatus 3 includes a quartz reaction tube 13, an infrared lamp 14 is arranged around the quartz reaction tube 13, and a source gas introduction port 15 is provided at an end portion thereof.
【００５１】本実施例の動作の中で、全体的な動作は第
１の実施例の動作とほぼ同じであるので、これ以上の詳
しい説明は省略する。In the operation of this embodiment, the overall operation is almost the same as the operation of the first embodiment, so a detailed description thereof will be omitted.
【００５２】しかるに、本実施例は、シリコン基板が洗
浄装置１から接続装置２を通してエピタキシャル成長装
置３に搬送される過程において、フッ化水素成分（蒸
気）が洗浄装置１側からエピタキシャル成長装置３側に
漏洩させないための漏洩防止手段の具体的構成及びその
動作に特徴を有するものであるから、以下、その漏洩防
止手段の動作について説明する。In the present embodiment, however, hydrogen fluoride component (vapor) leaks from the cleaning device 1 side to the epitaxial growth device 3 side in the process of transferring the silicon substrate from the cleaning device 1 to the epitaxial growth device 3 through the connection device 2. Since the characteristic feature is the specific configuration and operation of the leakage prevention means for preventing such leakage, the operation of the leakage prevention means will be described below.
【００５３】シリコン基板を洗浄装置１から搬送室２内
に搬送させる際には、搬送前に、まず、圧力計１１を見
ながら窒素ガスの流量制御器１０の制御調整を行ない、
搬送室２に充満させた窒素ガスによる雰囲気ガスの内圧
を１．３気圧に設定する。次いで、一方の接続部８を開
け、シリコン基板を搬送室２内に搬送させるが、このと
き搬送室７内部の雰囲気ガス（窒素ガス）がそれよりも
雰囲気ガスの内圧の低い洗浄装置１の内部に流入し、そ
れと同時に、圧力計１１からの圧力検知信号によって窒
素ガスの流量制御機１０が作動して、搬送室７内に窒素
ガスが続けて流するようになるので、洗浄装置１内にあ
るフッ化水素成分（蒸気）を含んだ雰囲気ガスが搬送室
７内に搬送漏洩することがない。When the silicon substrate is transferred from the cleaning device 1 into the transfer chamber 2, the nitrogen gas flow rate controller 10 is first adjusted while observing the pressure gauge 11 before transfer.
The internal pressure of the atmosphere gas filled with nitrogen gas in the transfer chamber 2 is set to 1.3 atm. Next, one connection portion 8 is opened to transfer the silicon substrate into the transfer chamber 2. At this time, the atmosphere gas (nitrogen gas) inside the transfer chamber 7 has a lower internal pressure of the atmosphere gas than the inside of the cleaning apparatus 1. And at the same time, the nitrogen gas flow controller 10 is activated by the pressure detection signal from the pressure gauge 11 and the nitrogen gas continues to flow into the transfer chamber 7. Atmospheric gas containing a certain hydrogen fluoride component (vapor) does not leak into the transfer chamber 7.
【００５４】そして、前記シリコン基板が搬送室７内に
搬送され終わると、前記接続部８が閉じられ、真空排気
装置１２の作動により搬送室７から雰囲気ガスが除去さ
れ、搬送室７内部は真空排気される。その後に、前記シ
リコン基板は、他方の接続部９を通してエピタキシャル
成長装置３内に搬送され、前述のようなエピタキシャル
層の成長形成が行われる。When the silicon substrate has been transferred into the transfer chamber 7, the connecting portion 8 is closed and the atmospheric gas is removed from the transfer chamber 7 by the operation of the vacuum exhaust device 12, so that the inside of the transfer chamber 7 is vacuumed. Exhausted. After that, the silicon substrate is transferred into the epitaxial growth apparatus 3 through the other connecting portion 9 and the growth formation of the epitaxial layer as described above is performed.
【００５５】このように、本実施例は、フッ化水素成分
（蒸気）が搬送室７を始め、エピタキシャル成長装置３
に殆ど供給されないので、それらがフッ化水素成分（蒸
気）で腐食されることがなくなる。ちなみに、エピタキ
シャル成長装置３に用いられる石英反応管１３は、従
来、フッ化水素成分（蒸気）による腐食のため、３０回
のエピタキシャル成長工程毎に交換していたのに対し、
本実施例は、搬送室７を設けたことにより、約２００回
のエピタキシャル成長工程に耐えることができるように
なった。As described above, in this embodiment, the hydrogen fluoride component (vapor) starts in the transfer chamber 7 and the epitaxial growth apparatus 3
Since they are hardly supplied to the hydrogen peroxide, they are not corroded by the hydrogen fluoride component (steam). By the way, the quartz reaction tube 13 used in the epitaxial growth apparatus 3 has conventionally been replaced every 30 epitaxial growth steps because of corrosion by the hydrogen fluoride component (vapor).
In this example, the provision of the transfer chamber 7 made it possible to withstand approximately 200 epitaxial growth steps.
【００５６】続いて、図３は、第２の実施例において少
なくとも一方の接続部に用いられるゲートバルブの構成
の一例を示す断面図である。Next, FIG. 3 is a sectional view showing an example of the structure of a gate valve used for at least one of the connecting portions in the second embodiment.
【００５７】図３において、１６は仕切弁、１７は駆動
棒、１８は金属製ボディー、１９は取付フランジ、２０
は駆動系、２１はフッ素系ポリマー被覆膜、２２はシリ
コン基板入出力口、２３はバイトンシールである。In FIG. 3, 16 is a sluice valve, 17 is a drive rod, 18 is a metal body, 19 is a mounting flange, and 20 is a mounting flange.
Is a drive system, 21 is a fluorine-based polymer coating film, 22 is a silicon substrate input / output port, and 23 is a Viton seal.
【００５８】そして、Ｌ字形の駆動棒１７の先端に仕切
弁１６が取り付けられ、この仕切弁１６はバイトンシー
ル２３を介して一方のシリコン基板入出力口２２（この
口は入力口）を封止するように構成されている。なお、
前記封止は、駆動系２０の制御により、駆動棒１７を介
して仕切弁１６を前記シリコン基板入出力口２２から退
避させれば、回避することができる。また、前記仕切弁
１６及び駆動棒１７の表面、それに金属製ボディー１８
のフッ化水素成分（蒸気）の当たる部分には、それぞれ
フッ素系ポリマー被覆膜２１が設けられている。A sluice valve 16 is attached to the tip of the L-shaped drive rod 17, and the sluice valve 16 seals one silicon substrate input / output port 22 (this port is an input port) via a Viton seal 23. Is configured to. In addition,
The sealing can be avoided by controlling the drive system 20 to retract the gate valve 16 from the silicon substrate input / output port 22 via the drive rod 17. In addition, the surfaces of the gate valve 16 and the drive rod 17, and the metal body 18
The fluorine-containing polymer coating film 21 is provided on each of the portions to which the hydrogen fluoride component (vapor) hits.
【００５９】このゲートバルブは、通常、仕切弁１６及
び駆動棒１７が図示の状態にあり、一方のシリコン基板
入出力口２２を封止するようにしているが、シリコン基
板の搬送時には、駆動系２０の制御により駆動棒１７を
介して仕切弁１６が前記シリコン基板入出力口２２から
退避するようになる。このため、両方のシリコン基板入
出力口２２が開放されるので、シリコン基板を、図の右
側の入出力口２２から搬入させ、図の左側の入出力口２
２から搬出させることができる。In this gate valve, the sluice valve 16 and the drive rod 17 are normally in the state shown in the figure, and one silicon substrate input / output port 22 is sealed. By the control of 20, the gate valve 16 is retracted from the silicon substrate input / output port 22 via the drive rod 17. For this reason, both the silicon substrate input / output ports 22 are opened, so that the silicon substrate is carried in through the input / output port 22 on the right side of the figure, and the input / output port 2 on the left side of the figure is loaded.
It can be carried out from 2.
【００６０】このゲートバルブを、第２の実施例の接続
部８、９の中の少なくとも搬送室７の入力側の接続部８
に用いた場合には、既に説明したように、洗浄装置１内
のフッ化水素成分（蒸気）がこのゲートバルブを介して
搬送室７側に搬送漏洩することがない。また、フッ化水
素成分（蒸気）が一時的にこのゲートバルブ内に取り込
まれたとしても、このゲートバルブの内面は殆どフッ素
系ポリマー被覆膜２１が施されているので、フッ化水素
成分（蒸気）によりこのゲートバルブが腐食されること
もなくなる。This gate valve is connected to at least the input side connecting portion 8 of the transfer chamber 7 among the connecting portions 8 and 9 of the second embodiment.
When used in the above, as already described, the hydrogen fluoride component (vapor) in the cleaning device 1 does not leak to the transport chamber 7 side via this gate valve. Further, even if the hydrogen fluoride component (vapor) is temporarily taken into this gate valve, since the fluorine-based polymer coating film 21 is almost applied to the inner surface of the gate valve, the hydrogen fluoride component ( This gate valve will not be corroded by steam.
【００６１】次に、図４は、本発明に係わる洗浄装置の
全体構成を示すブロック構成図であって、シリコン基板
を洗浄する第１の実施例に示す洗浄装置を例に挙げたも
のであり、図５は、図４の洗浄装置において用いられる
搬送体の構成の１実施例を示す断面図である。Next, FIG. 4 is a block diagram showing the overall construction of the cleaning apparatus according to the present invention, which exemplifies the cleaning apparatus shown in the first embodiment for cleaning a silicon substrate. 5 is a cross-sectional view showing one embodiment of the configuration of the carrier used in the cleaning apparatus of FIG.
【００６２】これらの図において、２４は搬送体、２５
は保持部、２６はシリコン基板であり、その他、図１に
示す構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付けてい
る。In these figures, 24 is a carrier and 25
Is a holding portion, 26 is a silicon substrate, and other components that are the same as those shown in FIG.
【００６３】そして、搬送体２４は、先端に略Ｖ字型の
保持部２５が形成され、その保持部２５はシリコン基板
２６が挾めるような構成になっている。また、搬送体２
４は、少なくとも保持部２５が炭化ケイ素または炭化ケ
イ素の被覆物によって構成されている。A substantially V-shaped holding portion 25 is formed at the tip of the carrier 24, and the holding portion 25 has a structure in which the silicon substrate 26 is sandwiched. In addition, the carrier 2
In No. 4, at least the holding portion 25 is made of silicon carbide or a coating of silicon carbide.
【００６４】前記構成による洗浄装置は、以下に述べる
ような動作を行なう。The cleaning device having the above-described structure operates as described below.
【００６５】フッ化水素浸漬部５において、搬送体２４
は、フッ化水素水を含む洗浄液に浸漬されたシリコン基
板２６を、その保持部２５で保持するようにして取り出
し、シリコン基板２６を保持したまま乾燥部６に搬送さ
れる。乾燥部６においても、搬送体２４は、シリコン基
板２６を保持したまま２００℃乃至３００℃に加熱され
た状態でシリコン基板２６の乾燥を行ない、その後、シ
リコン基板２６だけが洗浄装置１から取り出されるもの
である。In the hydrogen fluoride dipping unit 5, the carrier 24
The silicon substrate 26 immersed in the cleaning liquid containing hydrogen fluoride water is taken out while being held by the holding unit 25, and is conveyed to the drying unit 6 while holding the silicon substrate 26. In the drying unit 6, the carrier 24 also dries the silicon substrate 26 while holding the silicon substrate 26 while heating the silicon substrate 26, and then only the silicon substrate 26 is taken out from the cleaning apparatus 1. It is a thing.
【００６６】この場合、前記搬送体２４は、その保持部
２５または前記保持部２５を含んだ部分が炭化ケイ素ま
たは炭化ケイ素の被覆物によって構成されているので、
フッ化水素水を含む洗浄液の中からシリコン基板２６を
保持して取り出す場合、または、前記洗浄液で濡れたシ
リコン基板２６を保持して搬送する場合においても、前
記搬送体２４が腐食されることが少なくなり、また、シ
リコン基板２６を乾燥させる際の高温に対して前記搬送
体２４が劣化することがない。In this case, the carrier 24 has the holding portion 25 or the portion including the holding portion 25 made of silicon carbide or a coating of silicon carbide.
Even when the silicon substrate 26 is held and taken out from the cleaning liquid containing hydrogen fluoride water, or when the silicon substrate 26 wet with the cleaning liquid is held and transported, the carrier 24 may be corroded. In addition, the carrier 24 does not deteriorate due to the high temperature when the silicon substrate 26 is dried.
【００６７】ちなみに、従来、用いられていた石英製の
搬送体は、フッ化水素水を含む洗浄液またはフッ化水素
蒸気に反応して腐食し、約１０回の搬送工程を経る度毎
に取り換える必要があったのに対して、本実施例による
搬送体２４は、約５００回以上の搬送工程に耐えること
ができるようになり、保守の容易な搬送体を得ることが
できる。By the way, the conventionally used quartz carrier is corroded by reacting with a cleaning solution containing hydrogen fluoride water or hydrogen fluoride vapor, and it is necessary to replace it every time about 10 times of carrying steps are carried out. In contrast to this, the carrier 24 according to the present embodiment can withstand the carrying process of about 500 times or more, and a carrier that is easy to maintain can be obtained.
【００６８】続く、図６は、本発明に係わる洗浄装置の
乾燥部６に用いられるシリコン基板の乾燥装置の一例を
示す構成図であって、（ａ）は縦方向の断面図、（ｂ）
は横方向の断面図である。FIG. 6 is a block diagram showing an example of a silicon substrate drying apparatus used in the drying section 6 of the cleaning apparatus according to the present invention, in which (a) is a longitudinal sectional view and (b) is a sectional view.
FIG. 4 is a cross-sectional view in the lateral direction.
【００６９】図６において、２７は石英容器、２８は赤
外線ランプ、２９は防熱容器、３０は第２の石英容器で
あり、その他、図５に示す構成要素と同じ構成要素には
同じ符号を付けている。In FIG. 6, 27 is a quartz container, 28 is an infrared lamp, 29 is a heat insulating container, 30 is a second quartz container, and other components that are the same as those shown in FIG. ing.
【００７０】そして、横方向の断面が長方形をなす石英
容器２７の外側に赤外線ランプ２８が配置され、さら
に、その赤外線ランプ２８の外側に防熱容器２９が配置
されている。また、前記石英容器２７の内側には同じく
横方向の断面が長方形をなす第２の石英容器３０が取外
し自在に配置され、この第２の石英容器３０の内部にシ
リコン基板２６が挿入されるように構成されている。An infrared lamp 28 is arranged outside the quartz container 27 having a rectangular cross section in the lateral direction, and a heat insulating container 29 is arranged outside the infrared lamp 28. A second quartz container 30 having a rectangular horizontal cross section is detachably arranged inside the quartz container 27, and the silicon substrate 26 is inserted into the second quartz container 30. Is configured.
【００７１】前記構成による洗浄装置の乾燥部６は、以
下に述べるような動作を行なう。The drying unit 6 of the cleaning apparatus having the above-described structure operates as described below.
【００７２】フッ化水素水を含む洗浄液で濡れている状
態のシリコン基板２６を保持した搬送体２４が乾燥部６
に搬入されると、搬送体２４は前記保持したシリコン基
板２６を第２の石英容器３０内に挿入配置させ、その後
に、赤外線ランプ２８から放射される赤外線加熱によっ
て前記シリコン基板２６を乾燥させる。この乾燥時間
は、例えば、約３０秒であって、そのときのシリコン基
板２６の温度は２００℃乃至３００℃になる。前記乾燥
が終了すると、搬送体２４は前記保持したシリコン基板
２６を第２の石英容器３０内から取り出し、シリコン基
板２６だけを洗浄装置１の外部に送り出す。The carrier 24 holding the silicon substrate 26 wet with the cleaning liquid containing hydrogen fluoride water is the drying unit 6.
When carried in, the carrier 24 inserts the silicon substrate 26 held therein into the second quartz container 30 and then dries the silicon substrate 26 by infrared heating emitted from an infrared lamp 28. This drying time is, for example, about 30 seconds, and the temperature of the silicon substrate 26 at that time is 200 ° C. to 300 ° C. When the drying is completed, the carrier 24 takes out the held silicon substrate 26 from the second quartz container 30 and sends only the silicon substrate 26 to the outside of the cleaning apparatus 1.
【００７３】この乾燥動作時に、シリコン基板２６に付
着しているフッ化水素水を含む洗浄液が蒸発してフッ化
水素蒸気が発生するが、このとき発生するフッ化水素蒸
気は、専ら、最も近い位置に配置されている第２の石英
容器３０に付着し、石英容器２７や赤外線ランプ２８に
付着しないので、取外し可能な第２の石英容器３０のみ
を適宜交換するようにすれば、石英容器２７や赤外線ラ
ンプ２８を頻繁に交換する必要がなく、保守の容易な乾
燥装置を得ることができる。During this drying operation, the cleaning liquid containing hydrogen fluoride water adhering to the silicon substrate 26 evaporates to generate hydrogen fluoride vapor, but the hydrogen fluoride vapor generated at this time is exclusively the closest. The quartz container 27 adheres to the second quartz container 30 arranged at a position and does not adhere to the quartz container 27 and the infrared lamp 28. Therefore, if only the removable second quartz container 30 is replaced, the quartz container 27 can be replaced. It is not necessary to frequently replace the infrared lamp 28 and the infrared lamp 28, and a drying device that is easy to maintain can be obtained.
【００７４】ここにおいて、第２の石英容器３０は、何
１０回かの乾燥工程を経た際に、フッ化水素蒸気によっ
て曇り、赤外光の透過率が低下することがあるが、この
ときには第２の石英容器３０を交換するだけで、初期状
態と同様な乾燥性能を得ることができる。また、第２の
石英容器３０の内壁に厚さ１ミクロンの多結晶シリコン
薄膜を化学気相成長法によって形成させたところ、この
第２の石英容器３０は約１００回の乾燥工程を経て後に
おいてもフッ化水素蒸気による腐食を受けなかった。Here, the second quartz container 30 may be clouded by hydrogen fluoride vapor and the transmittance of infrared light may be lowered after passing through the drying process for ten times. By simply exchanging the second quartz container 30, the same drying performance as in the initial state can be obtained. In addition, when a polycrystalline silicon thin film having a thickness of 1 micron was formed on the inner wall of the second quartz container 30 by the chemical vapor deposition method, the second quartz container 30 was dried about 100 times and then later. Also did not suffer from corrosion by hydrogen fluoride vapor.
【００７５】なお、前記各例の洗浄装置の説明は、シリ
コン基板２６を洗浄及び乾燥させる場合についてのもの
であったが、本発明による洗浄装置は、前記シリコン基
板２６の洗浄及び乾燥を行なうものだけに限られるもの
ではなく、他の類似のものの洗浄及び乾燥を行なう場合
にも同様に適用できるものである。The description of the cleaning apparatus in each of the above examples is for cleaning and drying the silicon substrate 26. However, the cleaning apparatus according to the present invention is for cleaning and drying the silicon substrate 26. However, the present invention is not limited to this, and is similarly applicable to the case of performing washing and drying of other similar things.
【００７６】[0076]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わる半
導体製造装置によれば、シリコン基板をフッ化水素水を
含む洗浄液に浸漬させ、前記シリコン基板上の酸化膜を
除去するようにしているので、良好な再現性によって前
記シリコン基板表面の酸化膜を除去でき、その結果とし
て、良好な再現性によおて低温で前記シリコン基板にエ
ピタキシャル層を成長形成することができるという効果
がある。As described above, according to the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, the silicon substrate is immersed in the cleaning liquid containing hydrogen fluoride water to remove the oxide film on the silicon substrate. Therefore, there is an effect that the oxide film on the surface of the silicon substrate can be removed with good reproducibility, and as a result, an epitaxial layer can be grown and formed on the silicon substrate at low temperature with good reproducibility.
【００７７】また、本発明に係わる半導体製造装置によ
れば、洗浄装置とエピタキシャル成長装置との間に、フ
ッ化水素成分（蒸気）の漏洩防止手段を備えた接続装
置、好ましくは、洗浄装置内の雰囲気圧力よりも高い内
圧を有する搬送室、または、前記搬送室とフッ素系ポリ
マ−で被覆されたゲ−トバルブとの組合せを配置するこ
とにより、フッ化水素成分（蒸気）がエピタキシャル成
長装置に漏洩搬送されることが殆どなくなり、エピタキ
シャル成長装置がフッ化水素成分（蒸気）で腐食される
のを防止できるという効果がある。Further, according to the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, a connection device, preferably a cleaning device inside the cleaning device, is provided between the cleaning device and the epitaxial growth device, which is provided with means for preventing leakage of hydrogen fluoride component (vapor). By disposing a transfer chamber having an internal pressure higher than the atmospheric pressure or a combination of the transfer chamber and a gate valve coated with a fluorine-based polymer, a hydrogen fluoride component (vapor) leaks and is transferred to an epitaxial growth apparatus. The effect is that the epitaxial growth apparatus can be prevented from being corroded by the hydrogen fluoride component (vapor).
【００７８】さらに、本発明に係わる洗浄装置によれ
ば、フッ化水素水を含む洗浄液に浸漬したシリコン基板
を搬送する搬送体が、少なくともその保持部を炭化ケイ
素で構成するか、または、炭化ケイ素を被覆しているの
で、前記搬送体がフッ化水素成分（蒸気）によって腐食
されるのを防ぐことができ、保守の容易な搬送体が得ら
れるという効果がある。Further, according to the cleaning apparatus of the present invention, the carrier for conveying the silicon substrate immersed in the cleaning solution containing hydrogen fluoride water has at least its holding portion made of silicon carbide, or silicon carbide. As a result, the carrier can be prevented from being corroded by the hydrogen fluoride component (vapor), and there is an effect that the carrier can be easily maintained.
【００７９】また、本発明に係わる洗浄装置によれば、
乾燥されるシリコン基板と石英容器との間に、取外し可
能な第２の石英容器を配置するようにしているので、フ
ッ化水素成分（蒸気）によって腐食を受ける部分が前記
取外し可能な第２の石英容器だけになり、その結果、こ
の第２の石英容器を交換するだけで乾燥装置の性能を維
持することができ、保守の容易な乾燥装置が得られると
いう効果がある。According to the cleaning apparatus of the present invention,
Since the removable second quartz container is arranged between the silicon substrate to be dried and the quartz container, the portion that is corroded by the hydrogen fluoride component (vapor) is the removable second quartz container. Only the quartz container is used, and as a result, the performance of the drying device can be maintained only by exchanging the second quartz container, and there is an effect that a drying device that is easy to maintain can be obtained.
【００８０】なお、取外し可能な第２の石英容器をシリ
コン薄膜で被覆した構造にすれば、第２の石英容器の耐
久性をさらに向上させることが可能になる。If the removable second quartz container is covered with a silicon thin film, the durability of the second quartz container can be further improved.
【図１】本発明に係わる半導体製造装置の第１の実施例
を示すブロック構成図である。FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
【図２】本発明に係わる半導体製造装置の第２の実施例
を示すブロック構成図である。FIG. 2 is a block diagram showing a second embodiment of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
【図３】第２の実施例に用いられるゲートバルブの構成
の一例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a gate valve used in the second embodiment.
【図４】本発明に係わる洗浄装置の全体構成を示すブロ
ック構成図である。FIG. 4 is a block configuration diagram showing an overall configuration of a cleaning device according to the present invention.
【図５】洗浄装置において用いられる搬送体の構成の一
実施例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a configuration of a carrier used in the cleaning device.
【図６】本発明に係わる洗浄装置の乾燥部に用いられる
シリコン基板の乾燥装置の一例を示す構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram showing an example of a silicon substrate drying apparatus used in a drying section of a cleaning apparatus according to the present invention.
【図７】従来の半導体製造装置の一例を示すブロック構
成図である。FIG. 7 is a block diagram showing an example of a conventional semiconductor manufacturing apparatus.
１ 洗浄装置 ２ 接続装置 ３ エピタキシャル成長装置 ４ 洗浄部 ５ フッ化水素水浸漬部 ６ 乾燥部 ７ 搬送室 ８、９ 接続部 １０ 窒素ガスの流量制御部 １１ 圧力計 １２ 真空排気装置 １３ 石英反応管 １４、２８ 赤外線ランプ １５ 原料ガス導入口 １６ 仕切弁 １７ 駆動棒 １８ 金属製ボディー １９ 取付フランジ ２０ 駆動系 ２１ フッ素系ポリマー被覆膜 ２２ シリコン基板入出口 ２３ バイトンシール ２４ 搬送体 ２５ 支持部 ２６ シリコン基板 ２７ 石英容器 ２９ 防熱容器 ３０ 第２の石英容器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cleaning device 2 Connection device 3 Epitaxial growth device 4 Cleaning part 5 Hydrogen fluoride water immersion part 6 Drying part 7 Transfer chamber 8, 9 Connection part 10 Nitrogen gas flow control part 11 Pressure gauge 12 Vacuum exhaust device 13 Quartz reaction tube 14, 28 Infrared lamp 15 Raw material gas inlet 16 Gate valve 17 Drive rod 18 Metal body 19 Mounting flange 20 Drive system 21 Fluorine-based polymer coating film 22 Silicon substrate inlet / outlet 23 Viton seal 24 Carrier 25 Support portion 26 Silicon substrate 27 Quartz Container 29 Heat-insulating container 30 Second quartz container
Claims (8)
ン基板を洗浄する洗浄部及び前記洗浄したシリコン基板
を乾燥する乾燥部とを有する洗浄装置と、シリコン基板
上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長装
置とを含む半導体製造装置において、前記洗浄装置と前
記エピタキシャル成長装置との間に、前記洗浄装置内の
フッ化水素成分を前記エピタキシャル成長装置側に漏洩
させない接続装置を配置したことを特徴とする半導体製
造装置。1. A cleaning apparatus having a cleaning section for cleaning a silicon substrate with a cleaning solution containing hydrogen fluoride water and a drying section for drying the cleaned silicon substrate, and an epitaxial growth apparatus for forming an epitaxial layer on the silicon substrate. In the semiconductor manufacturing apparatus including the semiconductor manufacturing apparatus, a connecting device is disposed between the cleaning device and the epitaxial growth device so as to prevent the hydrogen fluoride component in the cleaning device from leaking to the epitaxial growth device side.
部とそれらの間に配置された搬送室とからなり、前記搬
送室の雰囲気圧力は前記洗浄装置内の雰囲気圧力よりも
やや高く設定されていることを特徴とする請求項１記載
の半導体製造装置。2. The connection device comprises a pair of openable and closable connection parts and a transfer chamber arranged between them, and the atmospheric pressure of the transfer chamber is set to be slightly higher than the atmospheric pressure in the cleaning device. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor manufacturing apparatus is provided.
くとも前記洗浄装置側の接続部は、少なくとも前記洗浄
装置側の構成部分をフッ素系ポリマ−で被覆したゲ−ト
バルブであることを特徴とする請求項２記載の半導体製
造装置。3. A gate valve in which at least the connecting portion on the cleaning device side among the pair of openable and closable connecting portions is a fluorine-based polymer covering at least the constituent part on the cleaning device side. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2.
物を洗浄する洗浄部と、前記洗浄した被洗浄物を乾燥す
る乾燥部と、搬送体により被洗浄物を前記洗浄部から前
記乾燥部に搬送させる搬送手段とからなる洗浄装置にお
いて、前記搬送体は少なくとも前記被洗浄物を保持する
部分を炭化ケイ素または炭化ケイ素の被覆物で構成した
ことを特徴とする洗浄装置。4. A cleaning unit for cleaning an object to be cleaned with a cleaning liquid containing hydrogen fluoride water, a drying unit for drying the cleaned object to be cleaned, and a cleaning unit for transferring the object to be cleaned from the cleaning unit to the drying unit. In the cleaning device, the cleaning device includes a transfer means for transferring the cleaning target to the transfer member, wherein at least a portion of the transfer member holding the cleaning target is made of silicon carbide or a coating of silicon carbide.
記シリコン基板の洗浄はエピタキシャル成長に先立って
行われる半導体製造時の洗浄であることを特徴とする請
求項４記載の洗浄装置。5. The cleaning apparatus according to claim 4, wherein the object to be cleaned is a silicon substrate, and the cleaning of the silicon substrate is cleaning at the time of manufacturing a semiconductor which is performed prior to epitaxial growth.
物を洗浄する洗浄部と、前記洗浄した被洗浄物を乾燥す
るもので、被洗浄物に赤外光を照射する赤外線発光ラン
プ及び前記被洗浄物と前記赤外線発光ランプとの間に配
置された石英容器とからなる乾燥部を有する洗浄装置に
おいて、前記石英容器と前記被洗浄物との間にさらに取
外し可能な第２の石英容器を配置したことを特徴とする
洗浄装置。6. A cleaning unit for cleaning an object to be cleaned with a cleaning liquid containing hydrogen fluoride water, an infrared light emitting lamp for irradiating the object to be cleaned with infrared light, and an infrared lamp for drying the object to be cleaned. In a cleaning device having a drying section consisting of an object to be cleaned and a quartz container arranged between the infrared light emitting lamp, a second removable quartz container is further provided between the quartz container and the object to be cleaned. A cleaning device characterized by being arranged.
被覆されていることを特徴とする請求項６記載の洗浄装
置。7. The cleaning apparatus according to claim 6, wherein the second quartz container is covered with a silicon thin film.
記シリコン基板の洗浄はエピタキシャル成長に先立って
行われる半導体製造時の洗浄であることを特徴とする請
求項５または６記載の洗浄装置。8. The cleaning apparatus according to claim 5, wherein the object to be cleaned is a silicon substrate, and the cleaning of the silicon substrate is cleaning at the time of semiconductor manufacturing which is performed prior to epitaxial growth.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4050777A JP2900334B2 (en) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | Semiconductor manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4050777A JP2900334B2 (en) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | Semiconductor manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259146A true JPH05259146A (en) | 1993-10-08 |
| JP2900334B2 JP2900334B2 (en) | 1999-06-02 |
Family
ID=12868262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4050777A Expired - Lifetime JP2900334B2 (en) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | Semiconductor manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2900334B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000059017A1 (en) * | 1999-03-31 | 2000-10-05 | Super Silicon Crystal Research Institute Corp. | Apparatus for manufacturing semiconductor wafer |
| WO2006030953A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Ebara Corporation | Substrate cleaning treatment apparatus and substrate treatment unit |
| JP2013232650A (en) * | 2012-04-30 | 2013-11-14 | Semes Co Ltd | Substrate cleaning device and substrate cleaning method |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5277590A (en) * | 1975-12-24 | 1977-06-30 | Toshiba Corp | Semiconductor producing device |
| JPS544066A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-12 | Hitachi Ltd | Growing method of silicon crystal under low pressure |
| JPS5694750A (en) * | 1979-12-28 | 1981-07-31 | Nippon Instr Kk | Heating treatment device |
| JPS61144545A (en) * | 1984-12-18 | 1986-07-02 | Toshiba Corp | Device for dissolving thin film or thin sheet |
| JPS62238365A (en) * | 1986-04-08 | 1987-10-19 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Device for forming cvd thin film |
| JPS6376333A (en) * | 1986-09-18 | 1988-04-06 | Fujitsu Ltd | Pretreatment of semiconductor substrate |
| JPH01150328A (en) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Treatment of semiconductor substrate |
| JPH0239523A (en) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Tokyo Electron Ltd | Method of forming film on semiconductor substrate |
| JPH0281035U (en) * | 1988-12-09 | 1990-06-22 | ||
| JPH02305435A (en) * | 1989-05-20 | 1990-12-19 | Furendotetsuku Kenkyusho:Kk | Exchange of quartz tube of vertical type furnace |
-
1992
- 1992-03-09 JP JP4050777A patent/JP2900334B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5277590A (en) * | 1975-12-24 | 1977-06-30 | Toshiba Corp | Semiconductor producing device |
| JPS544066A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-12 | Hitachi Ltd | Growing method of silicon crystal under low pressure |
| JPS5694750A (en) * | 1979-12-28 | 1981-07-31 | Nippon Instr Kk | Heating treatment device |
| JPS61144545A (en) * | 1984-12-18 | 1986-07-02 | Toshiba Corp | Device for dissolving thin film or thin sheet |
| JPS62238365A (en) * | 1986-04-08 | 1987-10-19 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Device for forming cvd thin film |
| JPS6376333A (en) * | 1986-09-18 | 1988-04-06 | Fujitsu Ltd | Pretreatment of semiconductor substrate |
| JPH01150328A (en) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Treatment of semiconductor substrate |
| JPH0239523A (en) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Tokyo Electron Ltd | Method of forming film on semiconductor substrate |
| JPH0281035U (en) * | 1988-12-09 | 1990-06-22 | ||
| JPH02305435A (en) * | 1989-05-20 | 1990-12-19 | Furendotetsuku Kenkyusho:Kk | Exchange of quartz tube of vertical type furnace |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000059017A1 (en) * | 1999-03-31 | 2000-10-05 | Super Silicon Crystal Research Institute Corp. | Apparatus for manufacturing semiconductor wafer |
| US6578589B1 (en) | 1999-03-31 | 2003-06-17 | Super Silicon Crystal Research Institute Corp. | Apparatus for manufacturing semiconductor wafer |
| WO2006030953A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Ebara Corporation | Substrate cleaning treatment apparatus and substrate treatment unit |
| JP2013232650A (en) * | 2012-04-30 | 2013-11-14 | Semes Co Ltd | Substrate cleaning device and substrate cleaning method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2900334B2 (en) | 1999-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6164295A (en) | CVD apparatus with high throughput and cleaning method therefor | |
| US5885361A (en) | Cleaning of hydrogen plasma down-stream apparatus | |
| US6159298A (en) | Thermal processing system | |
| JP3086719B2 (en) | Surface treatment method | |
| JP3230051B2 (en) | Drying method and apparatus | |
| KR930005440B1 (en) | Selective removing method of insulate film | |
| US6171104B1 (en) | Oxidation treatment method and apparatus | |
| JP2001298010A (en) | Method for cleaning surafce of silicon wafer through low pressure-high hydrogen flow rate process | |
| JPH04502981A (en) | Method and equipment for semiconductor wafer processing | |
| JPH07169693A (en) | Horizontal low-pressure cvd device and its cleaning method | |
| JPH05275519A (en) | Multi-chamber type substrate treating device | |
| JP3047248B2 (en) | Cleaning method | |
| US20090253269A1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
| JPH088231B2 (en) | Selective removal method of insulating film | |
| JP2900334B2 (en) | Semiconductor manufacturing method | |
| JP2759368B2 (en) | Vertical heat treatment equipment | |
| JPH07335602A (en) | Method and device for surface treatment of substrate | |
| JP3058909B2 (en) | Cleaning method | |
| JP3066691B2 (en) | Multi-chamber processing apparatus and cleaning method thereof | |
| KR20180118528A (en) | Substrate processing apparatus, method of coating particle in process gas nozzle and substrate processing method | |
| JP3729578B2 (en) | Semiconductor manufacturing method | |
| JP2003224079A (en) | Heat treating method, heat treating device and manufacturing method for silicon epitaxial wafer | |
| JPH09148255A (en) | Cleaning method in reaction container | |
| JPH0748482B2 (en) | Method for cleaning substrate surface after removal of oxide film | |
| JP2002305190A (en) | Heat treating apparatus and method for cleaning the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 10 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 10 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |