JPH05255847A - スパッタリング装置およびスパッタリング方法 - Google Patents
スパッタリング装置およびスパッタリング方法Info
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- JPH05255847A JPH05255847A JP5375492A JP5375492A JPH05255847A JP H05255847 A JPH05255847 A JP H05255847A JP 5375492 A JP5375492 A JP 5375492A JP 5375492 A JP5375492 A JP 5375492A JP H05255847 A JPH05255847 A JP H05255847A
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- JP
- Japan
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- target
- wafer
- film
- deposits
- sputtering
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ウエハホルダ3には、ウエハ2と第2ターゲ
ット8が保持されている。ウエハホルダ3はウエハホル
ダ回転軸4を中心に矢印方向に回転することができる。
通常はウエハ2とターゲット1とを対向させてウエハ2
に薄膜を形成するが、ウエハ2の処理枚数が所定枚数を
越える前にと第1ターゲット1と第2ターゲット8を対
向させ、通常とは逆方向にスパッタリングを行なう。 【効果】 シャッタ5やシールド6に付着した堆積物1
6、18の付着力を大きくすることができ、堆積物1
6、18の剥離を抑制することができる。これにより半
導体装置の歩留まりを向上させることができる。
ット8が保持されている。ウエハホルダ3はウエハホル
ダ回転軸4を中心に矢印方向に回転することができる。
通常はウエハ2とターゲット1とを対向させてウエハ2
に薄膜を形成するが、ウエハ2の処理枚数が所定枚数を
越える前にと第1ターゲット1と第2ターゲット8を対
向させ、通常とは逆方向にスパッタリングを行なう。 【効果】 シャッタ5やシールド6に付着した堆積物1
6、18の付着力を大きくすることができ、堆積物1
6、18の剥離を抑制することができる。これにより半
導体装置の歩留まりを向上させることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はスパッタリング装置お
よびスパッタリング方法に関するものである。
よびスパッタリング方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図5は従来のスパッタリング装置の断面
図である。このような構造のスパッタリング装置は、た
とえば「スパッタリング現象」(東京大学出版 198
4)の第150頁に開示されている。ウエハに成膜が行
なわれるチャンバ7内のうち、右側にはウエハ2を保持
したウエハホルダ3が設けられている。左側にはウエハ
2に成膜を行なう際に蒸着源となるターゲット1が設け
られている。
図である。このような構造のスパッタリング装置は、た
とえば「スパッタリング現象」(東京大学出版 198
4)の第150頁に開示されている。ウエハに成膜が行
なわれるチャンバ7内のうち、右側にはウエハ2を保持
したウエハホルダ3が設けられている。左側にはウエハ
2に成膜を行なう際に蒸着源となるターゲット1が設け
られている。
【0003】ターゲット1とウエハ2との間の空間はシ
ールド6で覆われている。スパッタリングの際にターゲ
ット1が陰極となるが、ターゲット1とチャンバ7との
間に放電が生じないようにするためにシールド6が設け
られている。
ールド6で覆われている。スパッタリングの際にターゲ
ット1が陰極となるが、ターゲット1とチャンバ7との
間に放電が生じないようにするためにシールド6が設け
られている。
【0004】ターゲット1とウエハ2との間の空間には
シャッタ5が配置されている。シャッタ5はシャッタ収
容室14と、ターゲット1とウエハ2との間の空間とを
移動可能にされている。シャッタ5の役割は後で説明す
る。
シャッタ5が配置されている。シャッタ5はシャッタ収
容室14と、ターゲット1とウエハ2との間の空間とを
移動可能にされている。シャッタ5の役割は後で説明す
る。
【0005】次にこのスパッタリング装置を用いて行な
う成膜について説明する。チャンバ7を真空ポンプによ
り10-6Torr程度以下に排気した後、Arを含む放
電ガスをチャンバ7内に導入し、チャンバ7内の圧力を
10-3Torr程度に調整する。この状態で陽極となる
ウエハ2をアースし、陰極となるターゲット1とウエハ
2との間に所定の電圧を印加すると、放電ガスが電離し
てプラズマが発生する。
う成膜について説明する。チャンバ7を真空ポンプによ
り10-6Torr程度以下に排気した後、Arを含む放
電ガスをチャンバ7内に導入し、チャンバ7内の圧力を
10-3Torr程度に調整する。この状態で陽極となる
ウエハ2をアースし、陰極となるターゲット1とウエハ
2との間に所定の電圧を印加すると、放電ガスが電離し
てプラズマが発生する。
【0006】このとき電気引力によってAr+ が陰極で
あるターゲット1の方向に加速され、ターゲット1に衝
突する。この衝突によってターゲット1の表面の原子が
はじき飛ばされ(スパッタされ)、ウエハ2に付着・堆
積し、薄膜が形成される。
あるターゲット1の方向に加速され、ターゲット1に衝
突する。この衝突によってターゲット1の表面の原子が
はじき飛ばされ(スパッタされ)、ウエハ2に付着・堆
積し、薄膜が形成される。
【0007】プラズマ状態が不安定であると成膜速度が
異なる。プラズマが発生した直後はプラズマ状態が不安
定なので、シャッタ5をターゲット1とウエハ2との間
の空間部に配置し、プラズマ状態が安定になるまでウエ
ハ2に薄膜が形成されるのを防いでいる。プラズマ状態
が安定した後にシャッタ5をシャッタ収容室14内に収
容し、成膜を開始する。
異なる。プラズマが発生した直後はプラズマ状態が不安
定なので、シャッタ5をターゲット1とウエハ2との間
の空間部に配置し、プラズマ状態が安定になるまでウエ
ハ2に薄膜が形成されるのを防いでいる。プラズマ状態
が安定した後にシャッタ5をシャッタ収容室14内に収
容し、成膜を開始する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ターゲット1からスパ
ッタされた原子(以下スパッタ原子という)はチャンバ
7内に存在する放電ガスと衝突すると飛行方向を変え
る。このためシャッタ5やシールド6などチャンバ7内
のいたるところに付着・堆積する(以下これを堆積物1
5〜18と呼ぶ)。ウエハ2の処理枚数が増えると、す
なわち累積成膜時間が長くなると堆積物15〜18は成
長し、シャッタ5やシールド6から剥がれやすくなる。
ッタされた原子(以下スパッタ原子という)はチャンバ
7内に存在する放電ガスと衝突すると飛行方向を変え
る。このためシャッタ5やシールド6などチャンバ7内
のいたるところに付着・堆積する(以下これを堆積物1
5〜18と呼ぶ)。ウエハ2の処理枚数が増えると、す
なわち累積成膜時間が長くなると堆積物15〜18は成
長し、シャッタ5やシールド6から剥がれやすくなる。
【0009】堆積物15〜18が剥がれる原因の一例と
して、シャッタ5の移動がある。剥がれた堆積物15〜
18の一部はチャンバ7内の放電ガスに乗ってウエハ2
方向に移動しウエハ2に付着する。ウエハ2に付着した
堆積物15〜18が異物となり半導体装置の不良品発生
の原因となる。
して、シャッタ5の移動がある。剥がれた堆積物15〜
18の一部はチャンバ7内の放電ガスに乗ってウエハ2
方向に移動しウエハ2に付着する。ウエハ2に付着した
堆積物15〜18が異物となり半導体装置の不良品発生
の原因となる。
【0010】ところで、堆積物15〜18のうち、スパ
ッタ原子が放電ガスと衝突しなくても到達することがで
きる部分に形成された堆積物15、17は比較的強く付
着している。これは以下の理由によるものと思われる。
スパッタ原子の運動エネルギが大きいほど密着力が強く
なる。放電ガスと衝突しなくても到達できる部分に到達
するスパッタ原子は、放電ガスとの衝突回数が比較的少
なく失う運動エネルギの量が小さいからである。
ッタ原子が放電ガスと衝突しなくても到達することがで
きる部分に形成された堆積物15、17は比較的強く付
着している。これは以下の理由によるものと思われる。
スパッタ原子の運動エネルギが大きいほど密着力が強く
なる。放電ガスと衝突しなくても到達できる部分に到達
するスパッタ原子は、放電ガスとの衝突回数が比較的少
なく失う運動エネルギの量が小さいからである。
【0011】これに対して放電ガスと衝突しなければ到
達できない部分にある堆積物16、18は剥がれやす
い。スパッタ原子がこの部分に到達するためには放電ガ
スと比較的多く衝突しなければならないので、スパッタ
原子が失う運動エネルギが大きいからである。
達できない部分にある堆積物16、18は剥がれやす
い。スパッタ原子がこの部分に到達するためには放電ガ
スと比較的多く衝突しなければならないので、スパッタ
原子が失う運動エネルギが大きいからである。
【0012】この発明は係る従来の問題点を解決するた
めになされたものである。この発明の目的はチャンバ内
に堆積した堆積物が剥がれにくくすることができるスパ
ッタリング装置を提供することである。
めになされたものである。この発明の目的はチャンバ内
に堆積した堆積物が剥がれにくくすることができるスパ
ッタリング装置を提供することである。
【0013】この発明の他の目的は、チャンバ内に堆積
した堆積物が剥がれにくくすることができるスパッタリ
ング方法を提供することである。
した堆積物が剥がれにくくすることができるスパッタリ
ング方法を提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】この発明に従ったスパッ
タリング装置は、ウエハに成膜が行なわれる成膜室と、
成膜室に設けられ、ウエハが保持されるウエハ保持部材
と、成膜室に設けられ、ウエハ保持部材に保持されたウ
エハに成膜が行なわれる際に蒸着源となる第1ターゲッ
トと、成膜室のウエハ保持部材側に設けられ、第1ター
ゲットに成膜が行なわれる際に蒸着源となる第2ターゲ
ットとを備えている。
タリング装置は、ウエハに成膜が行なわれる成膜室と、
成膜室に設けられ、ウエハが保持されるウエハ保持部材
と、成膜室に設けられ、ウエハ保持部材に保持されたウ
エハに成膜が行なわれる際に蒸着源となる第1ターゲッ
トと、成膜室のウエハ保持部材側に設けられ、第1ター
ゲットに成膜が行なわれる際に蒸着源となる第2ターゲ
ットとを備えている。
【0015】この発明に従ったスパッタリング方法は、
ウエハ保持側に第1蒸着源を設け、第1蒸着源からウエ
ハに成膜が行なわれる際に第2蒸着源となるターゲット
に向けてスパッタリングをする。
ウエハ保持側に第1蒸着源を設け、第1蒸着源からウエ
ハに成膜が行なわれる際に第2蒸着源となるターゲット
に向けてスパッタリングをする。
【0016】
【作用】この発明に従ったスパッタリング装置は、第2
ターゲットから第1ターゲットに向けてスパッタを行な
うことができる。つまり、通常とは逆の方向にスパッタ
リングを行なえる。通常のスパッタリングを行なう際は
放電ガスと衝突しなければ到達できない部分でも、逆方
向からスパッタリングすれば放電ガスと衝突しなくても
到達することができる。このため、密着力が弱く剥がれ
やすい堆積物の上に密着力の強い堆積物が形成されるの
で、堆積物は剥がれにくくなる。
ターゲットから第1ターゲットに向けてスパッタを行な
うことができる。つまり、通常とは逆の方向にスパッタ
リングを行なえる。通常のスパッタリングを行なう際は
放電ガスと衝突しなければ到達できない部分でも、逆方
向からスパッタリングすれば放電ガスと衝突しなくても
到達することができる。このため、密着力が弱く剥がれ
やすい堆積物の上に密着力の強い堆積物が形成されるの
で、堆積物は剥がれにくくなる。
【0017】この発明に従ったスパッタリング方法は、
通常とは逆の方向にスパッタリングを行なう。
通常とは逆の方向にスパッタリングを行なう。
【0018】
(第1実施例)図1はこの発明に従ったスパッタリング
装置の第1実施例の断面図である。チャンバ7内のうち
右側にはウエハ2と第2ターゲット8とを保持したウエ
ハホルダ3が設けられている。ウエハホルダ3はウエハ
ホルダ回転軸4を中心に矢印方向に回転自在にされてい
る。
装置の第1実施例の断面図である。チャンバ7内のうち
右側にはウエハ2と第2ターゲット8とを保持したウエ
ハホルダ3が設けられている。ウエハホルダ3はウエハ
ホルダ回転軸4を中心に矢印方向に回転自在にされてい
る。
【0019】チャンバ7内のうち左側には第1ターゲッ
ト1が設けられている。第1ターゲット1とウエハ2と
の間の空間はシールド6で覆われている。シャッタ5
は、シャッタ収容室14と、第1ターゲット1とウエハ
2との空間部とを移動可能にされている。
ト1が設けられている。第1ターゲット1とウエハ2と
の間の空間はシールド6で覆われている。シャッタ5
は、シャッタ収容室14と、第1ターゲット1とウエハ
2との空間部とを移動可能にされている。
【0020】次に第1実施例の動作について説明する。
通常はウエハ2を第1ターゲット1に対向する位置に配
置してスパッタリングを行ない、ウエハ2上に薄膜を形
成する。ウエハ2の処理枚数が多くなるとシャッタ5や
シールド6などに付着した堆積物15〜18が成長して
剥離する。剥離した堆積物15〜18の一部はウエハ2
に付着し異物となる。したがって、ウエハ2に付着する
異物量が許容限度を越える処理枚数(以下所定枚数とい
う)に達する前に以下の操作を行なう。
通常はウエハ2を第1ターゲット1に対向する位置に配
置してスパッタリングを行ない、ウエハ2上に薄膜を形
成する。ウエハ2の処理枚数が多くなるとシャッタ5や
シールド6などに付着した堆積物15〜18が成長して
剥離する。剥離した堆積物15〜18の一部はウエハ2
に付着し異物となる。したがって、ウエハ2に付着する
異物量が許容限度を越える処理枚数(以下所定枚数とい
う)に達する前に以下の操作を行なう。
【0021】ウエハホルダ3をウエハホルダ回転軸4を
中心として回転させ第2ターゲット8を第1ターゲット
1に対向させる。第1ターゲット1をアースし、第2タ
ーゲット8にマイナス電圧を印加することによって、通
常とは逆方向にスパッタリングを行なう。これにより、
堆積物15、17に比べ付着力が弱い堆積物16、18
の付着力を強くすることができ、堆積物16、18の剥
離を抑制することができる。
中心として回転させ第2ターゲット8を第1ターゲット
1に対向させる。第1ターゲット1をアースし、第2タ
ーゲット8にマイナス電圧を印加することによって、通
常とは逆方向にスパッタリングを行なう。これにより、
堆積物15、17に比べ付着力が弱い堆積物16、18
の付着力を強くすることができ、堆積物16、18の剥
離を抑制することができる。
【0022】(第2実施例)図2はこの発明に従ったス
パッタリング装置の第2実施例の断面図である。第1実
施例との違いは第2ターゲット8をウエハホルダ3に取
付けず、ターゲットホルダ9に取付けた点である。10
はターゲットホルダ回転軸であり、ターゲットホルダ9
はターゲットホルダ回転軸10を中心として矢印方向に
回転する。
パッタリング装置の第2実施例の断面図である。第1実
施例との違いは第2ターゲット8をウエハホルダ3に取
付けず、ターゲットホルダ9に取付けた点である。10
はターゲットホルダ回転軸であり、ターゲットホルダ9
はターゲットホルダ回転軸10を中心として矢印方向に
回転する。
【0023】通常はウエハ2を第1ターゲット1に対向
する位置に配置してウエハ2上に薄膜を形成する。ウエ
ハ2の処理枚数が第1実施例で説明した所定枚数を越え
る前に、ウエハホルダ3およびターゲットホルダ9を回
転させて、第2ターゲット8をターゲット1に対向させ
る。そして第1実施例と同様の操作により、通常とは逆
方向のスパッタリングを行なう。
する位置に配置してウエハ2上に薄膜を形成する。ウエ
ハ2の処理枚数が第1実施例で説明した所定枚数を越え
る前に、ウエハホルダ3およびターゲットホルダ9を回
転させて、第2ターゲット8をターゲット1に対向させ
る。そして第1実施例と同様の操作により、通常とは逆
方向のスパッタリングを行なう。
【0024】(第3実施例)図3はこの発明に従ったス
パッタリング装置の第3実施例の断面図である。第3実
施例はウエハホルダ3とウエハホルダ11とを対向して
配置している。ウエハホルダ3はウエハホルダ回転軸4
を中心に回転自在にされている。ウエハホルダ11はウ
エハホルダ回転軸19を中心に回転自在にされている。
パッタリング装置の第3実施例の断面図である。第3実
施例はウエハホルダ3とウエハホルダ11とを対向して
配置している。ウエハホルダ3はウエハホルダ回転軸4
を中心に回転自在にされている。ウエハホルダ11はウ
エハホルダ回転軸19を中心に回転自在にされている。
【0025】ウエハホルダ3の一方の面には第2ターゲ
ット8が保持され、他方の面にはウエハ2が保持されて
いる。ウエハホルダ11の一方の面には第1ターゲット
1が保持され、他方の面にはウエハ2が保持されてい
る。
ット8が保持され、他方の面にはウエハ2が保持されて
いる。ウエハホルダ11の一方の面には第1ターゲット
1が保持され、他方の面にはウエハ2が保持されてい
る。
【0026】ウエハホルダ3に保持されたウエハ2上に
薄膜を形成した後、ウエハホルダ3、11を回転させ、
次にウエハホルダ11に保持されたウエハ2に薄膜を形
成する。これを繰返すことにより、シャッタ5やシール
ド6に形成された堆積物15〜18の剥離を防ぐ。
薄膜を形成した後、ウエハホルダ3、11を回転させ、
次にウエハホルダ11に保持されたウエハ2に薄膜を形
成する。これを繰返すことにより、シャッタ5やシール
ド6に形成された堆積物15〜18の剥離を防ぐ。
【0027】この実施例では、ウエハ2に薄膜を形成す
るごとに、ウエハホルダ3、11を回転させていたが、
ウエハホルダ3側で実施例1で説明した所定枚数に達す
る前までウエハ2上に薄膜を形成し、その段階でウエハ
ホルダ3、11を回転させ、ウエハホルダ11側で薄膜
を形成するようにしてもよい。
るごとに、ウエハホルダ3、11を回転させていたが、
ウエハホルダ3側で実施例1で説明した所定枚数に達す
る前までウエハ2上に薄膜を形成し、その段階でウエハ
ホルダ3、11を回転させ、ウエハホルダ11側で薄膜
を形成するようにしてもよい。
【0028】第1〜第3実施例では、第1および第2タ
ーゲット1、8を回転させて移動する場合を述べたが、
必ずしも回転である必要はなく並進または回転と並進を
組み合わせた移動方法であってもよい。
ーゲット1、8を回転させて移動する場合を述べたが、
必ずしも回転である必要はなく並進または回転と並進を
組み合わせた移動方法であってもよい。
【0029】(第4実施例)図4はこの発明に従ったス
パッタリング装置の第4実施例の断面図である。第4実
施例では、金属膜13が形成されたウエハ20にバイア
ス電圧を印加するためのバイアス電源12を備えてい
る。通常は半導体素子が形成されるウエハ2(図示せ
ず)をウエハホルダ3で保持し、ターゲット1をスパッ
タリングしてウエハ2上に薄膜を形成する。ウエハ2の
処理枚数が実施例1で説明した所定枚数を越える前に以
下の操作を行なう。
パッタリング装置の第4実施例の断面図である。第4実
施例では、金属膜13が形成されたウエハ20にバイア
ス電圧を印加するためのバイアス電源12を備えてい
る。通常は半導体素子が形成されるウエハ2(図示せ
ず)をウエハホルダ3で保持し、ターゲット1をスパッ
タリングしてウエハ2上に薄膜を形成する。ウエハ2の
処理枚数が実施例1で説明した所定枚数を越える前に以
下の操作を行なう。
【0030】ターゲット1と同じ組成の金属膜13が形
成されたウエハ20をターゲットホルダ3で保持し、バ
イアス電源12によりウエハ20にマイナスの電圧を印
加し、ターゲット1をアースする。これにより金属膜1
3はスパッタリングされ、通常とは逆方向つまりターゲ
ット1に成膜が行なわれる。これによりシャッタ5やシ
ールド6に付着した堆積物16、18の剥離を防ぐこと
ができる。
成されたウエハ20をターゲットホルダ3で保持し、バ
イアス電源12によりウエハ20にマイナスの電圧を印
加し、ターゲット1をアースする。これにより金属膜1
3はスパッタリングされ、通常とは逆方向つまりターゲ
ット1に成膜が行なわれる。これによりシャッタ5やシ
ールド6に付着した堆積物16、18の剥離を防ぐこと
ができる。
【0031】第4実施例では金属膜13がターゲット1
と同じ組成の場合について述べたが、必ずしも同じ組成
である必要はなく、また金属以外の材料でもよい。
と同じ組成の場合について述べたが、必ずしも同じ組成
である必要はなく、また金属以外の材料でもよい。
【0032】また、金属膜13が形成されたウエハ20
の代わりに、ウエハ20自体が所望の蒸着材料で形成さ
れたものでもよい。
の代わりに、ウエハ20自体が所望の蒸着材料で形成さ
れたものでもよい。
【0033】
【発明の効果】この発明に従ったスパッタリング装置に
よれば、通常とは逆の方向にスパッタリングを行なうこ
とができる。したがってチャンバ内に付着した堆積物の
剥離を抑制することができ、半導体装置の歩留まりを向
上させることができる。
よれば、通常とは逆の方向にスパッタリングを行なうこ
とができる。したがってチャンバ内に付着した堆積物の
剥離を抑制することができ、半導体装置の歩留まりを向
上させることができる。
【0034】この発明に従ったスパッタリング方法によ
れば、上記効果を得ることができる。
れば、上記効果を得ることができる。
【図1】この発明の第1実施例の断面図である。
【図2】この発明の第2実施例の断面図である。
【図3】この発明の第3実施例の断面図である。
【図4】この発明の第4実施例の断面図である。
【図5】従来のスパッタリング装置の断面図である。
1 第1ターゲット 2 ウエハ 3 ウエハホルダ 7 チャンバ 8 第2ターゲット 9 ターゲットホルダ 11 ウエハホルダ 12 バイアス電源
Claims (2)
- 【請求項1】 ウエハに成膜が行なわれる成膜室と、 前記成膜室に設けられ、前記ウエハが保持されるウエハ
保持部材と、 前記成膜室に設けられ、前記ウエハ保持部材に保持され
た前記ウエハに成膜が行なわれる際に蒸着源となる第1
ターゲットと、 前記成膜室の前記ウエハ保持部材側に設けられ、前記第
1ターゲットに成膜が行なわれる際に蒸着源となる第2
ターゲットと、 を備えたスパッタリング装置。 - 【請求項2】 ウエハ保持側に第1蒸着源を設け、前記
第1蒸着源から前記ウエハに成膜が行なわれる際に第2
蒸着源となるターゲットに向けてスパッタリングするス
パッタリング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5375492A JPH05255847A (ja) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5375492A JPH05255847A (ja) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05255847A true JPH05255847A (ja) | 1993-10-05 |
Family
ID=12951603
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5375492A Withdrawn JPH05255847A (ja) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05255847A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014167615A1 (ja) * | 2013-04-10 | 2014-10-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
-
1992
- 1992-03-12 JP JP5375492A patent/JPH05255847A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014167615A1 (ja) * | 2013-04-10 | 2014-10-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
JP5970607B2 (ja) * | 2013-04-10 | 2016-08-17 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
JPWO2014167615A1 (ja) * | 2013-04-10 | 2017-02-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
US9966241B2 (en) | 2013-04-10 | 2018-05-08 | Canon Anelva Corporation | Sputtering apparatus |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |