JPH05249138A - ３軸加速度計 - Google Patents

３軸加速度計

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JPH05249138A
JPH05249138A JP4301708A JP30170892A JPH05249138A JP H05249138 A JPH05249138 A JP H05249138A JP 4301708 A JP4301708 A JP 4301708A JP 30170892 A JP30170892 A JP 30170892A JP H05249138 A JPH05249138 A JP H05249138A
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capacitance
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ロナルド・ジェイ・ガターリッジ
Wu Koucheng
コウチェン・ウ
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マイケル・エフ・キャラウェイ
William C Dunn
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体プロセスによって容易に製造でき、高
感度、小型かつ低価格の３軸加速度計を実現する。 【構成】 一対の固定プレート（１４，２４または５
４，６０）とそれらの間に可動的に装着された第３のプ
レート（１６または５６）を有しすべての３つのプレー
トを通る第１の軸（Ｚ）に沿った加速度を検出する。プ
レートの内２つ（１４，１６）はまたお互いに対しかつ
前記第１の軸（Ｚ）に対し垂直な２つの軸（Ｘ，Ｙ）内
でそこから外側に延びるフィンガ（３０，３１，３２，
３３，３４）を有する。前記プレートおよびフィンガは
それらの間に容量を形成し、これらの容量は３つの互い
に直交する軸に沿った加速度を示す信号を生成するため
に使用される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、加速度計（ａｃｃｅｌ
ｅｒｏｍｅｔｅｒ）に関しかつ、より特定的には、３つ
の互いに直交する軸に沿った加速度を測定可能な加速度
計に関する。
【０００２】
【従来の技術】加速度計を小型化しかつコストを下げる
ために、多くの異なるタイプの加速度検出構造が考案さ
れている。これらの構造は容量デバイスおよび圧電抵抗
デバイスを含み、それらの内の幾つかは半導体製造技術
および／またはバルクマイクロ機械加工（ｂｕｌｋ ｍ
ｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｉｎｇ）を用いて製作される。容
量デバイスは一般に金属などで形成され、基板上に装着
されて該基板に対して移動する、導電プレートからな
る。このプレートは基板の平坦な面に平行に配置されか
つ該基板とともに１つまたはそれ以上の容量を形成す
る。そこに加えられる加速力により、プレートが動く
と、容量が変化する。この変化が接続された電子回路に
よって検出されかつ前記加速度を表す信号に変換され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】加速度計はすべての方
向における車両の運動、または加速度、を検出するため
の慣性誘導システムにおいて有用である。この情報か
ら、車両の位置が常時決定できる。上に述べたような、
加速度計は単一軸の装置として製造される。すべての方
向での運動の表示を得るためには、３つの従来技術の加
速度計が検出軸が互いに直交するように配置されなけれ
ばならない。このことは１つまたはそれ以上の加速度計
が他のものに対してある角度をもって配置されなければ
ならずかつパッケージ全体が単一の平坦なパッケージと
して形成できないため最終的なパッケージが依然として
かなり大きくなることを意味する。さらに、各々の加速
度計は別個の半導体基板上に構築されなけらばならない
から、信号を核チップの間で通信しなければならない。
信号を増幅し、バッファリングしかつチップ間で通信す
るためには多量の電力が必要なことはよく知られてい
る。
【０００４】従って、本発明の目的は、３つの互いに直
交する軸に沿った加速度を測定することができる新規な
かつ改良された加速度計を提供することにある。
【０００５】本発明の他の目的は、半導体プロセスによ
って製造され、かつ比較的低価格でありかつ小型である
とともに、製造が容易な３軸加速度計を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段および作用】これらおよび
他の目的は１つの半導体基板上に形成される３軸加速度
計によって満たされる。
【０００７】これらおよび他の目的はさらに各々ほぼ１
つの面を規定しかつ各々前記規定された面が互いに平行
でありかつ互いに間隔をあけるように装着された複数層
の導電材料を含む３軸加速度計によって満たされる。前
記各層の内の第１のものは固定的に装着され第２の層は
前記第１の層に関して限られた運動が可能なように装着
される。第１および第２の層は該第１および第２の層に
よって規定される第１の軸に沿った加速度計の加速度に
従って変化する第１の容量を形成する。第１および第２
の構造が、それぞれ、前記第１および第２の層の一部と
して形成され、かつ並列に配置され、前記第２の構造は
前記第２の層とともにかつ前記第１の層に対して移動可
能である。前記第１および第２の構造はさらに互いにか
つ前記第１の軸に対して相互に直交する第２および第３
の軸を規定するよう形成され、かつ可変容量が前記第１
および第２の構造の間で形成され、これらの容量はそれ
ぞれ、前記第２および第３の軸における加速度に従って
変化する。
【０００８】
【実施例】特に図１を参照すると、本発明の１実施例に
係わる、３軸加速度計１０が示されている。加速度計１
０は平面図で示されており、その一部が内部構造をより
よく見えるようにするため除去されている。
【０００９】加速度計１０は基板１２を含み、該基板１
２の上には第１の導電層１４（図４に示されている）が
固定的に装着されている。第２の導電層１６が第１の導
電層１４と平行にかつ第１の導電層１４から離れて配置
されている。層１６は４つの支持アーム２０によって相
対的に運動するよう装着されており、前記４つの支持ア
ーム２０の各々は一端で基板１２に固定的に取り付けら
れかつ他端において対角線的に層１６のそれぞれのコー
ナに取り付けられている。アーム２０は基板１２の面に
平行な２つの直交軸（ＸおよびＹ）においてかつ基板１
２に垂直な第３の軸（Ｚ）において層１６の限定された
運動を可能にするよう構成されている。本実施例におい
ては、アーム２０は単に真っ直ぐなカンチレバー構造と
して図示されている。しかしながら、もし感度を増大す
るために必要であればより複雑な構造も導入することが
できる。
【００１０】この特定の実施例においては多結晶シリコ
ンで形成される、複数の垂直ポスト２２が一端で基板１
２により支持されておりかつそれらは基板１２に関し第
３の導電層２４（図４を参照）を固定的に支持してい
る。この特定の実施例においては、１２個のポスト２２
が層１６の外側エッジを越えて配置されておりかつ９個
のポストが層１６の開口２３を通って延びており、これ
らの開口２３はポスト２２に関して層１６がそれらの間
の物理的接触を生ずることなく運動するための十分な空
間を提供する。ここでは層２４のいずれの実質的な動き
をも防止するため比較的多数のポスト２３が利用されて
いるが、異なる数のポスト、異なる位置および異なる構
造を含む多くの他の構成も層２４の固定的な位置づけの
ために利用できることが理解されるべきである。
【００１１】この特定の実施例においては、導電層１
４，１６および２４の各々はほぼ四角形あるいは長方形
の構造を有する部分によって構成されておりかつこれら
長方形の部分は、層１４および２４の固定された長方形
部分の間に層１６の可動長方形部分が配置されるような
関係で間隔をあけて重なるように配置されている。従っ
て、可変容量２６（図４を参照）が層１４および１６の
長方形部分の間に形成され、この容量２６はＺ軸に沿っ
た加速度による層１４および１６の長方形部分の間の相
対的運動に従って変化する。同様に、可変容量２７は層
１６および２４の長方形部分の間に形成され、この容量
は容量２６の変化と反対方向に変化する。
【００１２】層１４および１６の長方形部分の各々は、
それに固定されＸおよびＹ軸に沿った運動を検出するた
めの構造を有する。この特定の実施例においては、該構
造は層１４および１６内の長方形部分の各々の一体化部
分として形成された、複数の突起、または入り込んだフ
ィンガである。層１６は、該層１６の面内で、該層１６
の長方形部分の４つの側部の各々から外側に延びた複数
の平行な、間隔をあけたフィンガ３０を含む。各々同様
の複数の平行な、間隔をあけたフィンガを含む、４つの
グループの電気的に結合されたフィンガ３１，３２，３
３および３４が固定的に層１４に取り付けられ、かつ、
層１６の面内で、層１６の長方形部分の４つの側部の各
々に向かって内側に延びている。フィンガ３１，３２，
３３および３４はさらに各フィンガがフィンガ３０に対
して平行でありかつその長手方向の側部においてそれに
隣接してそれらの間で容量を生成するように配置されて
いる。さらに、フィンガ３１および３２はＸ軸に平行に
かつ該Ｘ軸に平行なフィンガ３０の対向側に配置され、
かつフィンガ３３および３４はＹ軸に平行にかつ該Ｙ軸
に平行なフィンガ３０の対向側に配置されている。
【００１３】フィンガ３０，３１および３２は層１６の
長方形部分の上側側部および下側側部（図１）に沿って
グループとして配置され、それにより、図１の上部から
下部に延びる、Ｘ軸を規定し、かつフィンガ３０，３３
及び３４は図１の左側から右側に延びる、Ｙ軸を規定す
る。構成上の都合のため、層１６のすべては装着アーム
２０を介して共通の電位に接続されるようになってい
る。層１６の長方形部分の両側に、Ｘ軸に平行に横たわ
る固定フィンガ３１および３２は２つのグループに分割
され、すなわち、すべてのフィンガ３１は一緒に接続さ
れかつすべてのフィンガ３２は一緒に接続されて隣接
の、可動フィンガ３０と組み合わせて可変容量３６およ
び３７（図３を参照）を形成する。フィンガ３０および
３１は容量３６を形成しかつフィンガ３０及び３２は容
量３７を形成する。層１６の長方形部分の両側に、Ｙ軸
に平行に横たわる固定フィンガ３３は一緒に接続されて
隣接の、可動フィンガ３０と組み合わせて１つの可変容
量３８（図３を参照）を形成する。固定フィンガ３４は
同様にフィンガ３０と組み合わせて可変容量３９を形成
するよう結合される。
【００１４】図２は、３つの平行に隣接するフィンガ３
０，３３および３４の非常に拡大された平面図である。
これらのフィンガは接近して平行に配置されているか
ら、それらの間に容量が形成される。各フィンガは非常
に小さいため、各対のフィンガの間に形成される容量は
非常に小さいが、複数のフィンガを並列に接続すること
により、２分の１ピコファラッドのオーダーの、合理的
な大きさの容量が得られる。フィンガ３０がフィンガ３
３に向かってかつフィンガ３４から離れて横に移動する
と、それらの間の容量が変化する。この容量の変化は電
子回路によって検出され、該電子回路はこの容量をフィ
ンガ３０の運動によって生じた加速度を表す信号に変換
する。
【００１５】図３は３つの互いに直交する軸および関係
する容量を示す。加速度計１０がＺ軸に沿って加速され
た時、容量２６および２７は反対方向に変化し、一方が
増大し他方が減少し、従って容量の変化が増大して検出
が容易になる。加速度計１０がＹ軸に沿って加速された
時、容量３６および３７が反対方向に変化し、かつ加速
度計１０がＸ軸に沿って加速された時、容量３８および
３９が反対方向に変化する。
【００１６】図４は、図１の４−４線から見た部分的断
面図を示す。絶縁層４０が基板１２の平坦な面上に形成
されておりかつ層１４がその上に被着されている。層１
４は基板１２から層４０によって絶縁されており、それ
により基板１２がドーピングできあるいは、半導体技術
上よく知られているように、種々の構成要素の間の導電
経路を提供するために利用できるようになる。絶縁層４
２が層１４の回りに形成され、それにより層１６が十分
遠くに移動して層１４及び層１６の間に電気的短絡を生
ずる可能性がなくなる。ポスト２２は開口部２３におい
て、絶縁材料および導電性材料によって形成され、それ
により基板１２によって支持される。燐珪酸塩ガラス
（ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）のよ
うな、材料（図示せず）の第１の犠牲層が基板１２およ
び層４２上に適合的に（ｃｏｎｆｏｒｍａｌｌｙ）被着
される。この第１の犠牲層の厚さは導電層１４および１
６の間の所望の間隔に従って変えられる。層１６は第１
の犠牲層の上に優先的に（ｐｒｅｆｅｒｅｎｔｉａｌｌ
ｙ）被着されかつ絶縁層４４がその上に被着されて層１
６と２４との間の電気的接触を防止する。第２の犠牲
層、図示せず、が層４４と他のオープン領域に適合的に
被着される。前と同様に、第２の犠牲層の厚さは層１６
と２４の間の所望の間隔を得るために変えられる。層２
４は優先的に第２の犠牲層の上に被着され、それにより
ポスト２２と支持接触しかつ層１６に対し上に横たわる
関係になる。これらの犠牲層は次に何等かの都合のよい
エッチング処理によって除去されかつ図４に示される構
造が得られる。もちろん、以上の説明からは多くの中間
ステップが省略されているが、それはこれらの中間ステ
ップがマイクロマシーンの技術の分野においてよく当業
者によく知られておりこの実施例の一部を構成しないか
らである。
【００１７】図５、図６、図７および図８は、一般に参
照数字５０で示される、本発明を実施した３軸加速度計
の他の実施例を示す。
【００１８】特に図５を参照すると、加速度計５０は基
板５２上に形成されておりかつ絶縁層５３および該絶縁
層５３上に支持された第１の導電層５４を含む。第２の
導電層５６が中央に配置されたポスト５８に支持されて
おり、該ポスト５８は絶縁層５３上に支持されている。
層５６は層５４に対して間隔をあけて上に横たわるよう
に配置され、かつ、後に説明するように、層５４に対し
て動くことができる。第３の導電層６０が該層６０の外
側周辺部から絶縁層５３に延びている柱状部材（ｐｉｌ
ｌａｒｓ）６２（図５および図６を参照）によって、層
５６に対して間隔をあけて上に横たわる関係に固定して
配置されている。これら種々の層はよく知られたマイク
ロマシーン技術および、上に述べた、犠牲層の使用によ
って形成され、従ってこれ以上説明しない。
【００１９】図６は、層５６の平面図を示し、柱状部材
６２はその相対的位置を示すために断面図で図示されて
いる。層５６は４つのアームによって中央装着ポスト５
８に固定されたほぼ四角形の、平坦な質量部材である。
アーム６４は装着ポスト５８に関して任意の方向に層５
６の運動ができるようにするためバネのような作用を提
供する曲がりくねった中央部を有するよう形成されてい
る。
【００２０】図７は、種々の部分の相対位置を示すため
に層５６上に配置された層６０の平面図を示す。層６０
は４つのほぼ長方形の導電プレート６６Ａないし６６Ｄ
を含み、これらの導電プレート６６Ａないし６６Ｄの各
々は層５６の同様の形状部と一致させるため２つの切り
落とされたコーナを有する。プレート６６Ａないし６６
Ｄの各々は層５６と協働して、それぞれ、容量６７Ａな
いし６７Ｄを形成し（図９を参照）、かつ層５４の同様
のプレートは層５６と協働して容量６８Ａないし６８Ｄ
を形成する（図９を参照）。プレート６６Ａおよび６６
ＣはＹ軸を規定するよう配置されている。プレート６６
Ｂおよび６６ＤはＸ軸を規定するよう配置されている。
Ｚ軸は層５４，５６および６０によって規定され、かつ
基板５２の面と垂直である。従って、３つの互いに直交
する軸が規定されかつ容量６７Ａないし６７Ｄおよび６
８Ａないし６８Ｄがそれに沿った加速度を検出するため
に配置されることになる。
【００２１】図８は、層５６とプレート６６Ｂおよび６
６Ｄの一部の非常に拡大された平面図であり、容量６７
Ｂおよび６７Ｄが変えられる様子をより詳細に示す。Ｘ
軸に沿った加速力は層５６を図８の上部方向に移動さ
せ、プレート６６Ｂの多くが層５６と重なって容量６７
Ｂを増大させる。また、プレート６６Ｄが層５６に重な
る量が少なくなると、容量６７Ｄが減少する。同様に、
層５６および層５４の間の、容量６８Ｂおよび６８Ｄが
それぞれ増加しかつ減少する。従って、容量６７Ｂ，６
７Ｄ，６８Ｂおよび６８Ｄは差動電子回路において使用
されＸ軸に沿った加速度を検出する。同様に、容量６７
Ａ，６７Ｃ，６８Ａおよび６８ＣはＹ軸に沿った加速度
を検出するために使用される。図９は典型的な検出回路
における比較器６９に接続された容量６７Ａないし６７
Ｄおよび６８Ａないし６８Ｄを示す。比較器６９はこれ
らの容量から受信された入力信号を基準信号と比較して
容量の何等かの変化を判定する。
【００２２】図１０を参照すると、図９の検出回路を含
み、スイッチング、または駆動、回路７５が図示されて
いる。種々の容量の変化の検出によって、次のような機
能が達成できる。 機能 駆動される容量 Ｙ方向の加速度 ６７Ａ ＋ ６８Ａ 対 ６７Ｃ ＋ ６８Ｃ Ｘ方向の加速度 ６７Ｂ ＋ ６８Ｂ 対 ６７Ｄ ＋ ６８Ｄ Ｚ方向の加速度 ６７Ａ ＋ ６７Ｃ 対 ６８Ａ ＋ ６８Ｃ Ｚ方向のセルフテスト ６７Ｂ ＋ ６７Ｄまたは６８Ｂ ＋ ６８Ｄ Ｙ軸まわりの回転加速度 ６７Ｂ ＋ ６８Ｄ 対 ６７Ｄ ＋ ６８Ｂ Ｘ軸まわりの回転加速度 ６７Ａ ＋ ６８Ｃ 対 ６８Ａ ＋ ６７Ｃ
【００２３】スイッチング回路７５は種々の容量を上に
示されたいずれかの関係に接続し所望の測定を行なわ
せ、かつ比較器６９は各容量からの入力信号を基準信号
と比較する。このようにして、３つの互いに直交する軸
に沿った加速度が測定され、２つの軸の回りの回転加速
度が測定でき、かつ加速度計の少なくとも一部および関
連する回路が試験できる。
【００２４】上に述べた実施例の全てにおいて、検出容
量を含む、閉ループ回路（図示せず）が容量の検出され
た変化を用いることにより形成されて周期的に静電力を
容量構造の間の可動部材を中心に位置づけるために印加
する。すなわち、この閉ループは可動部材をできるだけ
静止位置に近く維持ししかも検出信号を発生する。これ
は一般に可動部材を中心に維持するために静電力を発生
させるため容量構造を駆動しかつ前記中心に維持するた
めの処理に必要な駆動量を検出することにより達成され
る。必要な駆動量は可動部材を動かす加速力に比例す
る。検出容量を含む閉ループ回路を形成することによ
り、動作範囲および感度が実質的に増大する。
【００２５】
【発明の効果】従って、新規なかつ改善された３軸加速
度計の実施例が開示された。開示された加速度計は３つ
の互いに直交する軸の加速度を検出し、前記軸の内の２
つの回りの回転加速度を検出し、かつ幾つかのセルフテ
スト機能を含む。開示された種々の実施例はマイクロ機
械加工技術および、シリコン、多結晶シリコン、種々の
被着金属層、あるいは通常半導体製品を製造する場合に
使用される任意の材料のような、半導体材料を使用して
形成される。新規な構造のため、本加速度計は低い加速
力を検出できるようになりかつしかも丈夫である。本加
速度計に接続される回路は比較的単純でありかつ構造全
体は良好な周波数応答を有する。また、差動容量を使用
するため、良好な交差軸感度（ｃｒｏｓｓ ａｘｉｓ
ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）が得られかつ軸間のクロスト
ークが最小になる。これらおよび他の利点は上述の説明
から当業者にとって明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の１実施例に係わる３軸加速度計を、一
部を除去して、示す拡大平面図である。
【図２】図１に示される構造の一部を示す拡大説明図で
ある。
【図３】図１に示される構造の簡略化された回路図であ
る。
【図４】図４の４−４線から見た図１の構造体の一部の
拡大断面図である。
【図５】本発明の他の実施例に係わる３軸加速度計を示
す単純化した断面図であり、種々の構成要素の間の物理
的関係を一般的に示している。
【図６】図５に示される加速度計の第２層の平面図であ
る。
【図７】図５に示される加速度計の拡大平面図である。
【図８】図５に示される加速度計の一部を示す拡大平面
図である。
【図９】図５に示される加速度計の検出回路を示す電気
回路図である。
【図１０】図９の検出回路を含む、図５の加速度計の駆
動回路を示す電気回路図である。
【符号の説明】
１０ ３軸加速度計 １２ 基板 １４ 第１の導電層 １６ 第２の導電層 ２０ 支持アーム ２２ 垂直ポスト ２３ 開口部 ２４ 第３の導電層 ２６，２７，３６，３７，３８，３９ 可変容量 ３０，３１，３２，３３，３４ フィンガ ４０，４２，４４ 絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロナルド・ジェイ・ガターリッジ アメリカ合衆国アリゾナ州85253、パラダ イス・バレー、ノース・サーティナイン ス・ストリート 5816 (72)発明者 コウチェン・ウ アメリカ合衆国アリゾナ州85044、フェニ ックス、サウス・フォーティエイス・スト リート 13229 ＃2014 (72)発明者 マイケル・エフ・キャラウェイ アメリカ合衆国アリゾナ州85008、フェニ ックス、イースト・バージニア 4814 (72)発明者 ウィリアム・シー・ダン アメリカ合衆国アリゾナ州85213、メサ、 イースト・エンカント・ストリート 3206

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ３軸加速度計であって、 各々ほぼ１つの面を規定しかつ各々前記規定された面が
    互いに平行でありかつ間隔をおいて装着された複数の導
    電材料層（１４，１６）であって、前記層の内第１のも
    の（１４）は固定的に装着されかつ第２の層（１６）は
    前記第１の層に関して限られた運動が可能なように装着
    されているもの、 前記第１および第２の層（１４，１６）によって形成さ
    れる第１の容量（２６）であって該第１の容量は前記第
    １および第２の層（１４，１６）によって規定される第
    １の軸（Ｚ）に沿った加速度計の加速度に従って変化す
    るもの、 それぞれ、前記第１および第２の層（１４，１６）の一
    部として形成されかつ平行に並べて配置された第１およ
    び第２の構造体（５４，５６または３０，３１，３２，
    ３３，３４）であって、前記第２の構造体（５６または
    ３０）は前記第２の層（１６）とともにかつ前記第１の
    層（１４）に対して移動可能であり、前記第１および第
    ２の構造体はさらに互いにかつ前記第１の軸（Ｚ）に対
    して相互に直交する第２および第３の軸（Ｘ，Ｙ）を規
    定するよう形成されているもの、そして前記第１および
    第２の構造体の間に形成される可変容量（３８，３９お
    よび３６，３７）であって、該可変容量はそれぞれ前記
    第２および第３の軸における加速度に従って変化するも
    の、 を具備することを特徴とする３軸加速度計。
  2. 【請求項２】 ３軸加速度計であって、 ほぼ１つの平面を規定する導電材料の第１の層（１４ま
    たは５４）、 その主要面が前記第１の層（１４または５４）から離れ
    てかつ前記平面に対し平行に装着され前記第１の層（１
    ４または５４）に対して限られた運動が可能な導電材料
    の第２の層（１６または５６）、 前記第１の層（１４または５４）に関して固定的にかつ
    前記平面に平行に装着された導電材料の第３の層（２４
    または６０）であって、該第３の層（２４または６０）
    は前記第２の層（１６または５６）の第２の主要面に隣
    接しかつ該第２の主要面から離れて装着されているも
    の、 前記第１および第２の層（１４，１６または５４，５
    ６）によって形成される第１の容量（２６）および前記
    第２および第３の層（１６，２４または５６，６０）に
    よって形成される第２の容量（２７）であって、各々の
    容量は前記第１、第２および第３の層によって規定され
    る第１の軸（Ｚ）に沿った加速度計の加速度に従って変
    化するもの、 前記第１の層の一部、前記第２の層の一部および前記第
    ３の層の一部として形成された構造体（３０，３１，３
    ２，３３および３４または５４，５６，６６）であっ
    て、これら種々の構造体は前記第１および第３の層に対
    し、前記第２の層とともに移動可能な第２の層の一部と
    して形成される構造体と平行して配置され、前記構造体
    はさらに互いにかつ前記第１の軸に対して相互に直交す
    る第２および第３の軸（Ｘ，Ｙ）を規定するよう形成さ
    れているもの、そして前記種々の構造体の間に形成され
    た可変容量（３８，３９および３６，３７）であって、
    該容量は前記第２および第３の軸における加速度に従っ
    て変化するもの、 を具備することを特徴とする３軸加速度計。
  3. 【請求項３】 ３軸加速度計であって、 各々ほぼ平面を規定しかつ各々規定された平面が互いに
    平行でありかつ互いに間隔をおくように装着された、導
    電材料の第１、第２および第３の層（１４，１６および
    ２４または５４，５６および６０）であって、前記第１
    および第３の層は固定的に装着され、前記第２の層は前
    記第１および第３の層に対して限られた運動が可能なよ
    うに装着されているもの、 前記第１および第２の層によってかつ前記第２および第
    ３の層によってそれぞれ形成される第１および第２の容
    量（２６および２７）であって、これらの容量は前記第
    １、第２および第３の層によって規定される第１の軸
    （Ｚ）に沿った加速度計の加速度に従って変化するも
    の、 それぞれ、前記第１、第２および第３の層の一部として
    形成されかつ平行に並べて配置された第１、第２および
    第３の構造体（３０，３１，３２，３３および３４また
    は５４，５６，６６）であって、前記第２の構造体（３
    ０または５６）は前記第２の層とともにかつ前記第１お
    よび第３の層に対して移動可能であり、前記第１、第２
    および第３の構造体はさらにお互いにかつ前記第１の軸
    に対し相互に直交する第２および第３の軸（Ｘおよび
    Ｙ）を規定するよう形成されるもの、そして前記第１お
    よび第２の構造体の間および前記第２および第３の構造
    体の間に形成された可変容量（３８，３９および３６，
    ３７）であって、該容量は、それぞれ、前記第２および
    第３の軸における加速度に従って変化するもの、 を具備することを特徴とする３軸加速度計。
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