JPH05245622A - フラックス残渣からのイオン成分除去方法 - Google Patents
フラックス残渣からのイオン成分除去方法Info
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- JPH05245622A JPH05245622A JP6102892A JP6102892A JPH05245622A JP H05245622 A JPH05245622 A JP H05245622A JP 6102892 A JP6102892 A JP 6102892A JP 6102892 A JP6102892 A JP 6102892A JP H05245622 A JPH05245622 A JP H05245622A
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 はんだ付け後にフラックス残渣中に残ってい
る腐食や絶縁抵抗低下の原因となるイオン成分を除去
し、信頼あるはんだ付け部にする。 【構成】 はんだ付け後、被はんだ付け物を１００〜１
８０℃の温度に再加熱することにより、フラックス残渣
中に残っていたイオン成分を熱で揮散させる。
る腐食や絶縁抵抗低下の原因となるイオン成分を除去
し、信頼あるはんだ付け部にする。 【構成】 はんだ付け後、被はんだ付け物を１００〜１
８０℃の温度に再加熱することにより、フラックス残渣
中に残っていたイオン成分を熱で揮散させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、はんだ付けした後に、
被はんだ付け物の信頼性を向上させる方法に関する。
被はんだ付け物の信頼性を向上させる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器のはんだ付けには、必ずフラッ
クスが使用される。該フラックスの作用は次のようなも
のである。 はんだ付け部の酸化物、汚れ、等を除去して清浄にす
る。 清浄となったはんだ付け部や溶融したはんだを覆って
再酸化するのを防ぐ。 溶融したはんだの表面張力を下げて、はんだ付け部に
拡がらせる。
クスが使用される。該フラックスの作用は次のようなも
のである。 はんだ付け部の酸化物、汚れ、等を除去して清浄にす
る。 清浄となったはんだ付け部や溶融したはんだを覆って
再酸化するのを防ぐ。 溶融したはんだの表面張力を下げて、はんだ付け部に
拡がらせる。
【０００３】一般に電子機器のはんだ付け用フラックス
としては、ロジンを主成分としたものである。ロジン
は、はんだの融点以下の温度で軟化してはんだ付け部に
拡がるため、はんだ付け部を大気と遮断するとともに、
ロジン中に含まれているアビエチン酸がはんだ付け部の
酸化物や汚れ等を除去して表面を清浄にする。その後、
溶融したはんだがはんだ付け部に接触すると、清浄にな
ったはんだ付け部にはんだが濡れて、はんだ付け部とは
んだとが金属的に接合するようになる。
としては、ロジンを主成分としたものである。ロジン
は、はんだの融点以下の温度で軟化してはんだ付け部に
拡がるため、はんだ付け部を大気と遮断するとともに、
ロジン中に含まれているアビエチン酸がはんだ付け部の
酸化物や汚れ等を除去して表面を清浄にする。その後、
溶融したはんだがはんだ付け部に接触すると、清浄にな
ったはんだ付け部にはんだが濡れて、はんだ付け部とは
んだとが金属的に接合するようになる。
【０００４】つまりロジンを主成分とするフラックス
は、ロジン中に含まれるアビエチン酸が酸化物や汚れの
除去とはんだを拡がらせるという重要な役目をしてい
る。
は、ロジン中に含まれるアビエチン酸が酸化物や汚れの
除去とはんだを拡がらせるという重要な役目をしてい
る。
【０００５】しかしながら、ロジン中に含まれるアビエ
チン酸だけでは汚れ等の除去とはんだの拡がりに充分な
効果がないため、さらにこれらの作用を高める目的で活
性剤を添加している。ロジン主成分のフラックスに添加
する活性剤としては、塩酸アニリン、塩酸ナフタラミ
ン、塩酸ヒドロキシラミン、塩酸ナフタレン、塩酸ヒド
ラジン、ジエタノールアミン臭化水素酸塩、トリエタノ
ールアミン塩化水素酸塩、等である。これらは全て活性
作用の強い材料、即ち単体では非常に腐食性のある材料
である。
チン酸だけでは汚れ等の除去とはんだの拡がりに充分な
効果がないため、さらにこれらの作用を高める目的で活
性剤を添加している。ロジン主成分のフラックスに添加
する活性剤としては、塩酸アニリン、塩酸ナフタラミ
ン、塩酸ヒドロキシラミン、塩酸ナフタレン、塩酸ヒド
ラジン、ジエタノールアミン臭化水素酸塩、トリエタノ
ールアミン塩化水素酸塩、等である。これらは全て活性
作用の強い材料、即ち単体では非常に腐食性のある材料
である。
【０００６】ところでコンピューターや通信機器のよう
に信頼性を重んじる精密電子機器では、はんだ付け後に
フラックス残渣が多量に残っていると、フラックス残渣
中に存在している活性剤が吸湿してはんだ付け部の絶縁
抵抗を下げたり、はんだ付け部を腐食させることがある
ため、はんだ付け後は、はんだ付け部のフラックス残渣
を洗浄除去することがなされていた。
に信頼性を重んじる精密電子機器では、はんだ付け後に
フラックス残渣が多量に残っていると、フラックス残渣
中に存在している活性剤が吸湿してはんだ付け部の絶縁
抵抗を下げたり、はんだ付け部を腐食させることがある
ため、はんだ付け後は、はんだ付け部のフラックス残渣
を洗浄除去することがなされていた。
【０００７】フラックス残渣の洗浄には、ロジンをよく
溶解するフロンやトリクロロエタンのようなハロゲン化
炭化水素系の溶剤が用いられていたが、フロンは地球を
取り巻くオゾン層を破壊し、太陽からの紫外線を多量に
地球に到達させて人類に皮膚癌を発生させる原因とな
り、またトリクロロエタンは地下水に混入してやはり人
類に悪影響を与えることから、これらの使用が規制され
るようになってきた。
溶解するフロンやトリクロロエタンのようなハロゲン化
炭化水素系の溶剤が用いられていたが、フロンは地球を
取り巻くオゾン層を破壊し、太陽からの紫外線を多量に
地球に到達させて人類に皮膚癌を発生させる原因とな
り、またトリクロロエタンは地下水に混入してやはり人
類に悪影響を与えることから、これらの使用が規制され
るようになってきた。
【０００８】従って、はんだ付け後のフラックス残渣の
除去が困難となったロジン主成分のフラックスは、フラ
ックス残渣の洗浄を必要とする精密電子機器のはんだ付
けには使用されにくくなっている。
除去が困難となったロジン主成分のフラックスは、フラ
ックス残渣の洗浄を必要とする精密電子機器のはんだ付
けには使用されにくくなっている。
【０００９】このようにロジン主成分のフラックスが使
用しにくくなってきたことから、近時では、はんだ付け
後に洗浄を行わなくても絶縁抵抗の低下や腐食が少ない
という所謂「無洗浄フラックス」が提案されている。無
洗浄フラックスとは、ロジンを全く含まず加熱された時
に揮散するような材料、例えば活性剤としてアビエチン
酸や琥珀酸、溶剤としてイソプロピルアルコールやブチ
ルカルビトール等を用いたものである。
用しにくくなってきたことから、近時では、はんだ付け
後に洗浄を行わなくても絶縁抵抗の低下や腐食が少ない
という所謂「無洗浄フラックス」が提案されている。無
洗浄フラックスとは、ロジンを全く含まず加熱された時
に揮散するような材料、例えば活性剤としてアビエチン
酸や琥珀酸、溶剤としてイソプロピルアルコールやブチ
ルカルビトール等を用いたものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、如何に
無洗浄フラックスといえども、これを用いてはんだ付け
したものをはんだ付け後に腐食テストを行うと、ほとん
どのものに腐食生成物が発生し完全に腐食を防止するこ
とはできないことが分かった。この原因は、はんだ付け
後に絶縁抵抗の低下や腐食の原因となるイオン成分が未
だ残っているためである。
無洗浄フラックスといえども、これを用いてはんだ付け
したものをはんだ付け後に腐食テストを行うと、ほとん
どのものに腐食生成物が発生し完全に腐食を防止するこ
とはできないことが分かった。この原因は、はんだ付け
後に絶縁抵抗の低下や腐食の原因となるイオン成分が未
だ残っているためである。
【００１１】本発明は、無洗浄フラックスでのはんだ付
け後に絶縁抵抗の低下や腐食を起こさせず、またロジン
主成分のフラックスでのはんだ付け後でもフラックス残
渣を洗浄除去しなくとも信頼性を持たせることができる
という処理方法を提供することにある。
け後に絶縁抵抗の低下や腐食を起こさせず、またロジン
主成分のフラックスでのはんだ付け後でもフラックス残
渣を洗浄除去しなくとも信頼性を持たせることができる
という処理方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】無洗浄フラックスの無洗
浄たる所以が、はんだ付け時の熱でフラックス成分を揮
散させてなくなり、洗浄する必要のないことから付けら
れたものである。本発明者らは、この揮散現象をさらに
顕著に起こさせれば絶縁抵抗の低下や腐食の発生を抑え
ることができることに着目して本発明を完成させた。
浄たる所以が、はんだ付け時の熱でフラックス成分を揮
散させてなくなり、洗浄する必要のないことから付けら
れたものである。本発明者らは、この揮散現象をさらに
顕著に起こさせれば絶縁抵抗の低下や腐食の発生を抑え
ることができることに着目して本発明を完成させた。
【００１３】本発明は、はんだ付け終了後、被はんだ付
け物を１００〜１８０℃の温度で再加熱することを特徴
とするフラックス残渣からのイオン成分除去方法であ
る。
け物を１００〜１８０℃の温度で再加熱することを特徴
とするフラックス残渣からのイオン成分除去方法であ
る。
【００１４】無洗浄フラックスは、はんだ付け時の加熱
で揮散しやすい成分を用いてあるが、実際のはんだ付け
ではフラックス成分を揮散させるに要する加熱時間が短
いため、フラックス成分が完全に揮散しないで残ってい
る。本発明では、その残った成分を再加熱により揮散さ
せようとするものである。
で揮散しやすい成分を用いてあるが、実際のはんだ付け
ではフラックス成分を揮散させるに要する加熱時間が短
いため、フラックス成分が完全に揮散しないで残ってい
る。本発明では、その残った成分を再加熱により揮散さ
せようとするものである。
【００１５】本発明では、はんだ付け後の再加熱の温度
が１００℃よりも低いとイオン成分を揮散させるのに相
当長い時間がかかって生産性を悪くしてしまう。しかる
に、この温度が１８０℃を越えるとＳｎ−Ｐｂ系はんだ
合金の固相線温度（１８３℃）以上となり、はんだ付け
部のはんだを溶かして、はんだ付けした電子部品を剥離
させてしまう。
が１００℃よりも低いとイオン成分を揮散させるのに相
当長い時間がかかって生産性を悪くしてしまう。しかる
に、この温度が１８０℃を越えるとＳｎ−Ｐｂ系はんだ
合金の固相線温度（１８３℃）以上となり、はんだ付け
部のはんだを溶かして、はんだ付けした電子部品を剥離
させてしまう。
【００１６】一方、ロジン主成分のフラックスは、活性
剤がロジンに包囲された形となっているため、はんだ付
け時の加熱温度でも活性剤はほとんど揮散せず、フラッ
クス残渣中に残っている。このような状態のフラックス
残渣でもはんだ付け後に１００〜１８０℃で再加熱する
とロジンが軟化するため、内部に埋もれていた活性剤が
表面に露出してきて活性剤は再加熱温度で揮散するよう
になる。
剤がロジンに包囲された形となっているため、はんだ付
け時の加熱温度でも活性剤はほとんど揮散せず、フラッ
クス残渣中に残っている。このような状態のフラックス
残渣でもはんだ付け後に１００〜１８０℃で再加熱する
とロジンが軟化するため、内部に埋もれていた活性剤が
表面に露出してきて活性剤は再加熱温度で揮散するよう
になる。
【００１７】しかしながら、このフラックス残渣は全て
の活性剤がフラックス残渣の表面に露出してくるもので
なく、大部分はロジンの中に埋もれたままとなるが、ロ
ジン中に埋もれている活性剤はロジンが覆いとなるため
吸湿することがなく、従って絶縁抵抗低下や腐食を起こ
す原因とはならない。つまりロジン主成分のフラックス
はフラックス残渣中のイオン成分が無洗浄フラックスよ
りも多くても何ら心配する必要がないものである。
の活性剤がフラックス残渣の表面に露出してくるもので
なく、大部分はロジンの中に埋もれたままとなるが、ロ
ジン中に埋もれている活性剤はロジンが覆いとなるため
吸湿することがなく、従って絶縁抵抗低下や腐食を起こ
す原因とはならない。つまりロジン主成分のフラックス
はフラックス残渣中のイオン成分が無洗浄フラックスよ
りも多くても何ら心配する必要がないものである。
【００１８】フラックス残渣中のイオン成分の測定は、
ＭＩＬ−Ｐ−２２８０９（実装プリント基板）の清浄
度、及びＭＩＬ−Ｐ−５５１０（プリント基板）の清浄
度に規定されており、これらの規格における合格値は１
４μｇ／ｉｎ2以下となっているが、電子業界では信頼
性をさらに厳しく保証するため、ＭＩＬ規格の合格値の
１／２以下、即ち７．０μｇ／ｉｎ2以下にしている。
ＭＩＬ−Ｐ−２２８０９（実装プリント基板）の清浄
度、及びＭＩＬ−Ｐ−５５１０（プリント基板）の清浄
度に規定されており、これらの規格における合格値は１
４μｇ／ｉｎ2以下となっているが、電子業界では信頼
性をさらに厳しく保証するため、ＭＩＬ規格の合格値の
１／２以下、即ち７．０μｇ／ｉｎ2以下にしている。
【００１９】
実施例１ 無洗浄フラックス アジピン酸（活性剤） ３重量％ テレピネオール（ベース剤） ５重量％ホ゜リエチレンノニルフェニルエーテル （界面活性剤）０．３重量％ イソプロピルアルコール（溶剤） 残部 発泡フラクサーで発泡させた上記無洗浄フラックスを電
子部品が搭載されたプリント基板のはんだ付け部に塗布
し、プリヒーターで１００℃に予備加熱した後、噴流は
んだ槽で噴流している２２０℃の溶融はんだに接触させ
てはんだ付けを行った。その後、はんだ付けしたプリン
ト基板を加熱炉で２分間再加熱し、フラックス残渣中の
イオン量を測定した。再加熱温度は、それぞれ１００
℃、１３０℃、１４０℃、１５０℃、１６０℃で行っ
た。その結果を図１の白丸点で示す。ちなみに、はんだ
付け後に再加熱しないプリント基板のフラックス残渣中
のイオン量は８．２μｇ／ｉｎ2であった。
子部品が搭載されたプリント基板のはんだ付け部に塗布
し、プリヒーターで１００℃に予備加熱した後、噴流は
んだ槽で噴流している２２０℃の溶融はんだに接触させ
てはんだ付けを行った。その後、はんだ付けしたプリン
ト基板を加熱炉で２分間再加熱し、フラックス残渣中の
イオン量を測定した。再加熱温度は、それぞれ１００
℃、１３０℃、１４０℃、１５０℃、１６０℃で行っ
た。その結果を図１の白丸点で示す。ちなみに、はんだ
付け後に再加熱しないプリント基板のフラックス残渣中
のイオン量は８．２μｇ／ｉｎ2であった。
【００２０】実施例２ ロジン主成分フラックス エチルアミンＨＢｒ（活性剤） ２重量％ 重合ロジン（ロジン） ２０重量％ ステアリン酸（艶消剤） ２重量％ イソプロピルアルコール（溶剤） 残部 上記ロジン主成分のフラックスを実施例１と同様の方法
ではんだ付けを行い、同様にして再加熱を行った。その
結果を図１の黒丸点で示す。ちなみに、はんだ付け後に
再加熱しないプリント基板のフラックス残渣中のイオン
量は８．７μｇ／ｉｎ2であった。
ではんだ付けを行い、同様にして再加熱を行った。その
結果を図１の黒丸点で示す。ちなみに、はんだ付け後に
再加熱しないプリント基板のフラックス残渣中のイオン
量は８．７μｇ／ｉｎ2であった。
【００２１】上記結果から、無洗浄フラックスを用いて
はんだ付けしたものを本発明の方法で処理した場合は、
処理前に電子業界の合格値以上あったものが１４０℃で
激減することが分かる。またロジン主成分のフラックス
ではんだ付けしたものを本発明の方法で処理した場合
は、温度によるイオン成分の急激な減少は見られないが
温度が高くなるにつれて減少していくことが分かる。
はんだ付けしたものを本発明の方法で処理した場合は、
処理前に電子業界の合格値以上あったものが１４０℃で
激減することが分かる。またロジン主成分のフラックス
ではんだ付けしたものを本発明の方法で処理した場合
は、温度によるイオン成分の急激な減少は見られないが
温度が高くなるにつれて減少していくことが分かる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、はんだ付け後の被はん
だ付け物を再加熱するだけでフラックス残渣中に残って
いた腐食や絶縁抵抗低下の原因となるイオン成分を容易
に除去できるため、この処理を行った被はんだ付け物は
精密電子機器に組み込んでも長期間に渡って信頼性を維
持できるものである。
だ付け物を再加熱するだけでフラックス残渣中に残って
いた腐食や絶縁抵抗低下の原因となるイオン成分を容易
に除去できるため、この処理を行った被はんだ付け物は
精密電子機器に組み込んでも長期間に渡って信頼性を維
持できるものである。
【図１】本発明のイオン成分除去方法において、温度別
に再加熱を行った時のイオン成分の残留量の変化を示し
たグラフである。
に再加熱を行った時のイオン成分の残留量の変化を示し
たグラフである。
Claims (1)
- 【請求項１】 はんだ付け終了後、被はんだ付け物を１
００〜１８０℃の温度で再加熱することを特徴とするフ
ラックス残渣からのイオン成分除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6102892A JP3142944B2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | フラックス残渣からのイオン成分除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6102892A JP3142944B2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | フラックス残渣からのイオン成分除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05245622A true JPH05245622A (ja) | 1993-09-24 |
| JP3142944B2 JP3142944B2 (ja) | 2001-03-07 |
Family
ID=13159440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6102892A Expired - Fee Related JP3142944B2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | フラックス残渣からのイオン成分除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3142944B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06326444A (ja) * | 1993-05-17 | 1994-11-25 | Nec Corp | フラックス残渣白濁除去方法 |
| JP2001007158A (ja) * | 1999-06-25 | 2001-01-12 | Fujitsu Ltd | 半田バンプの接合方法及び半田バンプ接合体 |
| WO2005096396A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Sanyo Electric Co., Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| JP2012004472A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Aisin Seiki Co Ltd | 半田付け方法 |
| JP6322881B1 (ja) * | 2017-12-21 | 2018-05-16 | 千住金属工業株式会社 | フラックス及びフラックス用樹脂組成物 |
-
1992
- 1992-02-18 JP JP6102892A patent/JP3142944B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06326444A (ja) * | 1993-05-17 | 1994-11-25 | Nec Corp | フラックス残渣白濁除去方法 |
| JP2001007158A (ja) * | 1999-06-25 | 2001-01-12 | Fujitsu Ltd | 半田バンプの接合方法及び半田バンプ接合体 |
| WO2005096396A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Sanyo Electric Co., Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| JP2009049436A (ja) * | 2004-03-31 | 2009-03-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| JP4568359B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-10-27 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| US8759663B2 (en) | 2004-03-31 | 2014-06-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing solar battery |
| JP2012004472A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Aisin Seiki Co Ltd | 半田付け方法 |
| JP6322881B1 (ja) * | 2017-12-21 | 2018-05-16 | 千住金属工業株式会社 | フラックス及びフラックス用樹脂組成物 |
| WO2019123674A1 (ja) * | 2017-12-21 | 2019-06-27 | 千住金属工業株式会社 | フラックス及びフラックス用樹脂組成物 |
| JP2019111541A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | 千住金属工業株式会社 | フラックス及びフラックス用樹脂組成物 |
| US10556299B2 (en) | 2017-12-21 | 2020-02-11 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Flux and resin composition for flux |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3142944B2 (ja) | 2001-03-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |