JPH05243355A - 半導体ウエハの計測用二点式インプロセスゲージ - Google Patents
半導体ウエハの計測用二点式インプロセスゲージInfo
- Publication number
- JPH05243355A JPH05243355A JP7581392A JP7581392A JPH05243355A JP H05243355 A JPH05243355 A JP H05243355A JP 7581392 A JP7581392 A JP 7581392A JP 7581392 A JP7581392 A JP 7581392A JP H05243355 A JPH05243355 A JP H05243355A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- grinding
- chuck mechanism
- rotary table
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- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
本発明はチャック機構へバキューム吸着させて研削する
平面自動研削盤の研削加工中又は研削加工後の半導体ウ
エハの厚みの計測装置に関するものであり、上方へ研削
用のスピンドル軸を配した平面自動研削盤のロータリー
テーブルへ等間隔に且つ複数組のチャック機構が配設さ
れ、該チャック機構の上面にバキューム吸着された半導
体ウエハの計測装置であって、チャック機構で半導体ウ
エハをバキューム吸着した状態で、半導体ウエハの上面
とチャック機構の上面とを夫々のゲージで計測し、夫々
の計測点の差を計測する二点式インプロセスゲージの基
扞をスピンドル軸及びチャック機構の熱膨張の影響を受
けない周辺部位へ設けたものであり、各部位へ生じる摩
擦による熱膨張や温度差、ダイヤモンド砥石の摩耗度に
よる温度変化等にも関係すること無く正確に半導体ウエ
ハの厚みの計測を可能としたものである。
平面自動研削盤の研削加工中又は研削加工後の半導体ウ
エハの厚みの計測装置に関するものであり、上方へ研削
用のスピンドル軸を配した平面自動研削盤のロータリー
テーブルへ等間隔に且つ複数組のチャック機構が配設さ
れ、該チャック機構の上面にバキューム吸着された半導
体ウエハの計測装置であって、チャック機構で半導体ウ
エハをバキューム吸着した状態で、半導体ウエハの上面
とチャック機構の上面とを夫々のゲージで計測し、夫々
の計測点の差を計測する二点式インプロセスゲージの基
扞をスピンドル軸及びチャック機構の熱膨張の影響を受
けない周辺部位へ設けたものであり、各部位へ生じる摩
擦による熱膨張や温度差、ダイヤモンド砥石の摩耗度に
よる温度変化等にも関係すること無く正確に半導体ウエ
ハの厚みの計測を可能としたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単品毎にカセットから
送出される半導体ウエハをチャック機構へ正確に載置
し、該チャック機構へバキューム吸着させて研削する平
面自動研削盤の研削加工中又は研削加工後の半導体ウエ
ハの厚みの計測装置に関するものである。
送出される半導体ウエハをチャック機構へ正確に載置
し、該チャック機構へバキューム吸着させて研削する平
面自動研削盤の研削加工中又は研削加工後の半導体ウエ
ハの厚みの計測装置に関するものである。
【０００２】
【発明の背景】本発明に係るこの種の半導体ウエハは、
コンピュータ等の電子関連機器、所謂ＯＡ機器等の集積
回路に使用されており、その開発は日々進歩しており機
器そのものの小型化に伴う極薄化と、より超高精度の質
性と、作業性の観点からより一層の拡径化が要求されて
きている。
コンピュータ等の電子関連機器、所謂ＯＡ機器等の集積
回路に使用されており、その開発は日々進歩しており機
器そのものの小型化に伴う極薄化と、より超高精度の質
性と、作業性の観点からより一層の拡径化が要求されて
きている。
【０００３】
【従来技術とその問題点】この種の半導体ウエハを研削
する自動平面研削盤は、中央へ間欠的に回転停止を繰り
返すロータリーテーブルを配し、該ロータリーテーブル
の上方へは等間隔に且つ複数組のチャック機構が配設さ
れ、上方へは下端にカップホイール型のダイヤモンド砥
石を固着した複数のスピンドル軸が配設されているもの
である。
する自動平面研削盤は、中央へ間欠的に回転停止を繰り
返すロータリーテーブルを配し、該ロータリーテーブル
の上方へは等間隔に且つ複数組のチャック機構が配設さ
れ、上方へは下端にカップホイール型のダイヤモンド砥
石を固着した複数のスピンドル軸が配設されているもの
である。
【０００４】半導体ウエハはチャック機構へバキューム
吸着され、チャック機構は回転を開始し、上部より逆方
向に回転するスピンドル軸が降下して、該スピンドル軸
の下端に固定したカップホイール型のダイヤモンド砥石
によって研削されるが、研削加工中には半導体ウエハの
厚みを計測しながら、絶えず研削状態をチェックせねば
ならず、又、研削加工後においても所定の厚みに仕上が
っているか否か、最終的なチェックの計測が必要である
が、従来、測定用の基準面を適宜位置に設定し半導体ウ
エハの上面を計測ゲージで計測しており、該基準面と計
測点との計測数値を求めて半導体ウエハの計測値として
いるが、その基準面はチャック機構上面に設定すること
は不可能であり、そのために近傍のロータリーテーブル
或いはスピンドル軸の胴周等のカバーへ直接又は間接的
に設けられており、半導体ウエハを研削する際の摩擦熱
によってロータリーテーブルに配設されたチャック機構
及びスピンドル軸は熱膨張して正確な計測に狂いを生じ
る原因と成っていた。
吸着され、チャック機構は回転を開始し、上部より逆方
向に回転するスピンドル軸が降下して、該スピンドル軸
の下端に固定したカップホイール型のダイヤモンド砥石
によって研削されるが、研削加工中には半導体ウエハの
厚みを計測しながら、絶えず研削状態をチェックせねば
ならず、又、研削加工後においても所定の厚みに仕上が
っているか否か、最終的なチェックの計測が必要である
が、従来、測定用の基準面を適宜位置に設定し半導体ウ
エハの上面を計測ゲージで計測しており、該基準面と計
測点との計測数値を求めて半導体ウエハの計測値として
いるが、その基準面はチャック機構上面に設定すること
は不可能であり、そのために近傍のロータリーテーブル
或いはスピンドル軸の胴周等のカバーへ直接又は間接的
に設けられており、半導体ウエハを研削する際の摩擦熱
によってロータリーテーブルに配設されたチャック機構
及びスピンドル軸は熱膨張して正確な計測に狂いを生じ
る原因と成っていた。
【０００５】従来、熱膨張程度の計測誤差は許容範囲と
成っていたが、昨今要求されるミクロン単位以下の超高
精度の品質に対しては、ダイヤモンド砥石の摩耗度によ
る温度の変化による温度変化、研削加工後の温度差、又
は、周辺雰囲気中の空気の温度変化によって生じる熱膨
張も半導体ウエハの研削後の厚みの正確な測定値を得る
のに問題を生じてきた。
成っていたが、昨今要求されるミクロン単位以下の超高
精度の品質に対しては、ダイヤモンド砥石の摩耗度によ
る温度の変化による温度変化、研削加工後の温度差、又
は、周辺雰囲気中の空気の温度変化によって生じる熱膨
張も半導体ウエハの研削後の厚みの正確な測定値を得る
のに問題を生じてきた。
【０００６】
【発明の目的】本発明は上記の事由に着目して、鋭意研
鑚の結果、この問題点を一挙に排除すると共に、広径
化、極薄化する半導体ウエハの精度向上の要望に対応で
きる半導体ウエハの計測装置に創達し、これを提供する
目的である。
鑚の結果、この問題点を一挙に排除すると共に、広径
化、極薄化する半導体ウエハの精度向上の要望に対応で
きる半導体ウエハの計測装置に創達し、これを提供する
目的である。
【０００７】
【発明の構成】本発明の構成は、チャック機構で半導体
ウエハをバキューム吸着した状態で、半導体ウエハの上
面とチャック機構の上面とを夫々のゲージで計測し、夫
々の計測点の差を計測する二点式インプロセスゲージの
基扞をスピンドル軸及びチャック機構の熱膨張の影響を
受けない周辺部位へ設けた構成である。
ウエハをバキューム吸着した状態で、半導体ウエハの上
面とチャック機構の上面とを夫々のゲージで計測し、夫
々の計測点の差を計測する二点式インプロセスゲージの
基扞をスピンドル軸及びチャック機構の熱膨張の影響を
受けない周辺部位へ設けた構成である。
【０００８】
【発明の実施例】斯る目的を達成せしめた本発明の自動
平面研削盤における半導体ウエハの計測装置を以下実施
例の図面によって説明する。
平面研削盤における半導体ウエハの計測装置を以下実施
例の図面によって説明する。
【０００９】図１は本発明の実施例の説明のための計測
中の側面図であり、図２は本発明の二点式インプロセス
ゲージの斜視図である。
中の側面図であり、図２は本発明の二点式インプロセス
ゲージの斜視図である。
【００１０】本発明は、単品毎にカセットから送出され
る半導体ウエハＷをチャック機構３へ正確に載置し、該
チャック機構３へバキューム吸着させて研削する平面自
動研削盤の研削加工中又は研削加工後の半導体ウエハＷ
の厚みの計測装置に関するものであり、上方へ研削用の
スピンドル軸１を配した平面自動研削盤のロータリーテ
ーブル２へ等間隔に且つ複数組のチャック機構３が配設
され、該チャック機構３の上面にバキューム吸着された
半導体ウエハＷの計測装置であって、前記チャック機構
３の上面で研削加工中又は研削加工後の半導体ウエハＷ
をバキューム吸着した状態で、該半導体ウエハＷの上面
とチャック機構３の上面とを夫々の先端ゲージ４ｅ．４
ｆで計測し、夫々の計測点の差を計測する二点式インプ
ロセスゲージ４の基扞４ａを前記スピンドル軸１及び前
記ロータリーテーブル２の熱膨張の影響を受けない周辺
部位へ設けたものである。
る半導体ウエハＷをチャック機構３へ正確に載置し、該
チャック機構３へバキューム吸着させて研削する平面自
動研削盤の研削加工中又は研削加工後の半導体ウエハＷ
の厚みの計測装置に関するものであり、上方へ研削用の
スピンドル軸１を配した平面自動研削盤のロータリーテ
ーブル２へ等間隔に且つ複数組のチャック機構３が配設
され、該チャック機構３の上面にバキューム吸着された
半導体ウエハＷの計測装置であって、前記チャック機構
３の上面で研削加工中又は研削加工後の半導体ウエハＷ
をバキューム吸着した状態で、該半導体ウエハＷの上面
とチャック機構３の上面とを夫々の先端ゲージ４ｅ．４
ｆで計測し、夫々の計測点の差を計測する二点式インプ
ロセスゲージ４の基扞４ａを前記スピンドル軸１及び前
記ロータリーテーブル２の熱膨張の影響を受けない周辺
部位へ設けたものである。
【００１１】この種の一般的な平面自動研削盤は、多数
枚の半導体ウエハＷを単品毎に集積格納して昇降自在に
配設されたエレベータ台に載置された格納側カセットか
ら、ベルトコンベヤー或いは反転機能と吸着パットとを
有する移送アーム等の送出側移送装置よってプリポジシ
ョン装置の面上へ移送され、次に、プリポジション装置
で正確な位置決めと洗浄を液体の噴流によって行ない、
先端に吸着パットを備えた水平方向に旋回可能な送出側
移送アームによって、ロータリーテーブルに配設された
チャック機構３の上面へ正確に案内され確りとバキュー
ム吸着されものである。
枚の半導体ウエハＷを単品毎に集積格納して昇降自在に
配設されたエレベータ台に載置された格納側カセットか
ら、ベルトコンベヤー或いは反転機能と吸着パットとを
有する移送アーム等の送出側移送装置よってプリポジシ
ョン装置の面上へ移送され、次に、プリポジション装置
で正確な位置決めと洗浄を液体の噴流によって行ない、
先端に吸着パットを備えた水平方向に旋回可能な送出側
移送アームによって、ロータリーテーブルに配設された
チャック機構３の上面へ正確に案内され確りとバキュー
ム吸着されものである。
【００１２】前記ロータリーテーブル２は一定の低速で
間欠的に回動、停止を繰り返し、チャック機構３はロー
タリーテーブル２が停止した時に回転を始め、上方に配
したスピンドル軸１が逆方向に回転しながら自動降下し
て、該スピンドル軸１の下端に固定したカップホイール
型のダイヤモンド砥石で最初の荒研削が予め設定された
量の削り代を微速度の降下によって切り込んで研削加工
が開始されものである。
間欠的に回動、停止を繰り返し、チャック機構３はロー
タリーテーブル２が停止した時に回転を始め、上方に配
したスピンドル軸１が逆方向に回転しながら自動降下し
て、該スピンドル軸１の下端に固定したカップホイール
型のダイヤモンド砥石で最初の荒研削が予め設定された
量の削り代を微速度の降下によって切り込んで研削加工
が開始されものである。
【００１３】そして、研削加工中、又は、研削加工後の
半導体ウエハＷの厚みを計測するためにチャック機構３
で確りとバキューム吸着された状態で半導体ウエハＷの
上面、即ち、研削加工面と、ロータリーテーブル２へ数
ケ所に配設されたチャック機構３の上面とを当該二点式
インプロセスゲージ４で計測を行うものである。
半導体ウエハＷの厚みを計測するためにチャック機構３
で確りとバキューム吸着された状態で半導体ウエハＷの
上面、即ち、研削加工面と、ロータリーテーブル２へ数
ケ所に配設されたチャック機構３の上面とを当該二点式
インプロセスゲージ４で計測を行うものである。
【００１４】前記二点式インプロセスゲージ４を支持す
る基扞４ａはスピンドル軸１及びチャック機構３又はロ
ータリーテーブル２等の摩擦熱による熱膨張の影響を受
けない周辺部位、例えば、ロータリーテーブル２が立設
される研削盤の基盤から立設させるものであり、該基扞
４ａの上端辺へ略Ｃ字状のゲージ本体４ｂを水平に固着
させ、該ゲージ本体４ｂの平行する両端から夫々の先端
ゲージ保持部４ｃ．４ｄを延設し、該先端ゲージ保持部
４ｃ．４ｄの先端辺へ先端ゲージ４ｅ．４ｆを夫々上下
方向に調節自在に設けたものであり、加えて、該先端ゲ
ージ４ｅ．４ｆの調整装置４ｇ．４ｈを先端ゲージ保持
部４ｃ．４ｄとゲージ本体４ｂの夫々の両端へ夫々配設
したものである。
る基扞４ａはスピンドル軸１及びチャック機構３又はロ
ータリーテーブル２等の摩擦熱による熱膨張の影響を受
けない周辺部位、例えば、ロータリーテーブル２が立設
される研削盤の基盤から立設させるものであり、該基扞
４ａの上端辺へ略Ｃ字状のゲージ本体４ｂを水平に固着
させ、該ゲージ本体４ｂの平行する両端から夫々の先端
ゲージ保持部４ｃ．４ｄを延設し、該先端ゲージ保持部
４ｃ．４ｄの先端辺へ先端ゲージ４ｅ．４ｆを夫々上下
方向に調節自在に設けたものであり、加えて、該先端ゲ
ージ４ｅ．４ｆの調整装置４ｇ．４ｈを先端ゲージ保持
部４ｃ．４ｄとゲージ本体４ｂの夫々の両端へ夫々配設
したものである。
【００１５】次いで、チャック機構３で正確な所定の厚
みに研削加工後はスピンドル軸１は上昇してダイヤモン
ド砥石から半導体ウエハＷは開放されロータリーテーブ
ル２の回転により次のチャック機構３の位置へ移送さ
れ、前述と同様な仕上げ研削加工を行なうものであり、
該チャック機構３でも、本発明の半導体ウエハＷの二点
式インプロセスゲージ４を用いて計測を行なうものであ
り、研削加工される半導体ウエハＷの研削加工中、又
は、研削加工後の半導体ウエハＷの厚みを正確に計測す
るものである。
みに研削加工後はスピンドル軸１は上昇してダイヤモン
ド砥石から半導体ウエハＷは開放されロータリーテーブ
ル２の回転により次のチャック機構３の位置へ移送さ
れ、前述と同様な仕上げ研削加工を行なうものであり、
該チャック機構３でも、本発明の半導体ウエハＷの二点
式インプロセスゲージ４を用いて計測を行なうものであ
り、研削加工される半導体ウエハＷの研削加工中、又
は、研削加工後の半導体ウエハＷの厚みを正確に計測す
るものである。
【００１６】次いで、研削加工が完了した半導体ウエハ
Ｗはチャック機構３の位置で洗浄された後、先端に吸着
パットを備えた水平方向に回動可能な格納用移送アーム
で吸着され、洗浄及び乾燥装置へ移送されるもので、そ
の後に吸着パットを備える格納用反転アーム及び格納用
ベルトコンベヤ等の格納側移送機構によってエレベータ
台に載置された格納用カセットの格納枠へ整然と単品毎
に順次格納されるものである。
Ｗはチャック機構３の位置で洗浄された後、先端に吸着
パットを備えた水平方向に回動可能な格納用移送アーム
で吸着され、洗浄及び乾燥装置へ移送されるもので、そ
の後に吸着パットを備える格納用反転アーム及び格納用
ベルトコンベヤ等の格納側移送機構によってエレベータ
台に載置された格納用カセットの格納枠へ整然と単品毎
に順次格納されるものである。
【００１７】前記の説明は、半導体ウエハＷが一枚での
研削工程の説明であるが、半導体ウエハＷがカセットよ
り送出機構を経て、プリポジションへ移送された時に
は、次の半導体ウエハＷはカセットより送出側移送機構
で移送され、前の半導体ウエハＷがロータリーテーブル
２のチャック機構３へ移送されるのを待機する等、これ
らの動作を繰返し連続して行なえるものである。
研削工程の説明であるが、半導体ウエハＷがカセットよ
り送出機構を経て、プリポジションへ移送された時に
は、次の半導体ウエハＷはカセットより送出側移送機構
で移送され、前の半導体ウエハＷがロータリーテーブル
２のチャック機構３へ移送されるのを待機する等、これ
らの動作を繰返し連続して行なえるものである。
【００１８】
【発明の効果】本発明は昨今要求される半導体ウエハの
極薄化、広径化、かつ、超高精度を求めるための二点式
インプロセスゲージは半導体ウエハの上面とチャック機
構の上面との間を計測し、基扞を熱膨張の影響を受けな
い周辺部位へ設けたことによって、研削加工時の各部位
へ生じる摩擦による熱膨張に関係すること無く計測でき
るものであり、加えて、温度差、ダイヤモンド砥石の摩
耗度による温度変化にも、又、外気温度の変化にも殆ど
影響されること無く、正確に半導体ウエハの厚みの計測
を可能としたもので、その極めて有意義な効果を奏する
ものである。
極薄化、広径化、かつ、超高精度を求めるための二点式
インプロセスゲージは半導体ウエハの上面とチャック機
構の上面との間を計測し、基扞を熱膨張の影響を受けな
い周辺部位へ設けたことによって、研削加工時の各部位
へ生じる摩擦による熱膨張に関係すること無く計測でき
るものであり、加えて、温度差、ダイヤモンド砥石の摩
耗度による温度変化にも、又、外気温度の変化にも殆ど
影響されること無く、正確に半導体ウエハの厚みの計測
を可能としたもので、その極めて有意義な効果を奏する
ものである。
【００１９】
【図１】図１は本発明の一実施例の説明のための計測中
の側面図である。
の側面図である。
【図２】図２は本発明の二点式インプロセスゲージの斜
視図である。
視図である。
【００２０】
Ｗ 半導体ウエハ １ スピンドル軸 ２ ロータリーテーブル ３ チャック機構 ４ 二点式インプロセスゲージ ４ａ 基扞 ４ｂ ゲージ本体 ４ｃ 先端ゲージ保持部 ４ｄ 先端ゲージ保持部 ４ｅ 先端ゲージ ４ｆ 先端ゲージ
Claims (1)
- 【請求項１】上方へ研削用のスピンドル軸を配した平面
自動研削盤のロータリーテーブルへ等間隔に且つ複数組
のチャック機構が配設され、該チャック機構の上面にバ
キューム吸着された半導体ウエハの計測装置であって、 前記チャック機構の上面で研削加工中又は研削加工後の
半導体ウエハをバキューム吸着した状態で、該半導体ウ
エハの上面とチャック機構の上面とを夫々のゲージで計
測し、夫々の計測点の差を計測する二点式インプロセス
ゲージの基扞を前記スピンドル軸及び前記チャック機構
の熱膨張の影響を受けない周辺部位へ設けたこと特徴と
する半導体ウエハの計測用二点式インプロセスゲージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7581392A JPH05243355A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 半導体ウエハの計測用二点式インプロセスゲージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7581392A JPH05243355A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 半導体ウエハの計測用二点式インプロセスゲージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243355A true JPH05243355A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=13587000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7581392A Pending JPH05243355A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 半導体ウエハの計測用二点式インプロセスゲージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243355A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100538265B1 (ko) * | 1998-08-05 | 2006-05-17 | 삼성전자주식회사 | 수평형 확산설비의 웨이퍼 이송용 척 조립체 및 이를 이용한 척 제어장치 |
| JP2007516856A (ja) * | 2003-12-31 | 2007-06-28 | マイクロファブリカ インク | 構造物を電気化学的に成型する際、複数の層の平行度を保ち、および／または、複数の層を所望の厚さにするための、方法および装置 |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP7581392A patent/JPH05243355A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100538265B1 (ko) * | 1998-08-05 | 2006-05-17 | 삼성전자주식회사 | 수평형 확산설비의 웨이퍼 이송용 척 조립체 및 이를 이용한 척 제어장치 |
| JP2007516856A (ja) * | 2003-12-31 | 2007-06-28 | マイクロファブリカ インク | 構造物を電気化学的に成型する際、複数の層の平行度を保ち、および／または、複数の層を所望の厚さにするための、方法および装置 |
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