JPH05243136A - 電子ビーム描画装置を用いたパターン重ね合わせ評価方法 - Google Patents
電子ビーム描画装置を用いたパターン重ね合わせ評価方法Info
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- JPH05243136A JPH05243136A JP7986191A JP7986191A JPH05243136A JP H05243136 A JPH05243136 A JP H05243136A JP 7986191 A JP7986191 A JP 7986191A JP 7986191 A JP7986191 A JP 7986191A JP H05243136 A JPH05243136 A JP H05243136A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】多層状に形成されたパターンの重ね合わせの評
価を電子ビーム描画装置を用いて高い精度で簡単に行
う。 【構成】第１層と第２層の評価パターンＰ1 ，Ｐ2 とが
材料上に重ね合わせて形成される。２種のパターンの中
間位置と光軸とが一致するようにステージ６を移動させ
る。この時、ステージ６の移動量を、レーザ干渉計を用
いたステージ測長系１３によって求める。ステージ停止
後、電子ビームを各パターン部分に大偏向器１１によっ
て偏向し、更に、各パターン部分を小偏向器１２によっ
て走査し、各パターンの位置ａ，ｂを求める。この後、
コンピュータ８は、両パターンの位置ａ，ｂと理論的距
離Ｄとから次の演算によって重なり誤差Δεを求める。 Δε＝（ｂ−ａ）−Ｄ
価を電子ビーム描画装置を用いて高い精度で簡単に行
う。 【構成】第１層と第２層の評価パターンＰ1 ，Ｐ2 とが
材料上に重ね合わせて形成される。２種のパターンの中
間位置と光軸とが一致するようにステージ６を移動させ
る。この時、ステージ６の移動量を、レーザ干渉計を用
いたステージ測長系１３によって求める。ステージ停止
後、電子ビームを各パターン部分に大偏向器１１によっ
て偏向し、更に、各パターン部分を小偏向器１２によっ
て走査し、各パターンの位置ａ，ｂを求める。この後、
コンピュータ８は、両パターンの位置ａ，ｂと理論的距
離Ｄとから次の演算によって重なり誤差Δεを求める。 Δε＝（ｂ−ａ）−Ｄ
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム描画装置を
用いて、多層状に形成されたパターンの重ね合わせの評
価を行う方法に関する。
用いて、多層状に形成されたパターンの重ね合わせの評
価を行う方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩなどのデバイスを作成する場合、
基板上に多層状にパターンを形成している。例えば、シ
リコンウエハに特定物質を蒸着し、その上にレジストを
塗布し、その後、所定のパターンの描画を電子ビームに
よって行う。描画の後、現像，エッチングなどの処理を
施して特定物質による第１のパターンを形成する。次
に、第１のパターンが形成されたウエハ上に第２の特定
物質を蒸着し、その上にレジストを塗布し、その後、所
定のパターンの描画を電子ビームによって行う。描画の
後、現像，エッチングなどの処理を施して第２の特定物
質による第２のパターンを形成する。このようにして多
層状にパターンが形成されるが、第１のパターンと第２
のパターンの位置関係がある一定の許容値以内に入って
いなければならない。このため、第１のパターンの描画
時と第２のパターンの描画時に、それぞれバーニヤパタ
ンーンを描画して形成し、形成されたバーニヤパターン
を光学顕微鏡を用いて観察し、第１のパターンと第２の
パターンとの重ね合わせの誤差を読み取り、多層パター
ンの重ね合わせの評価を行っている。
基板上に多層状にパターンを形成している。例えば、シ
リコンウエハに特定物質を蒸着し、その上にレジストを
塗布し、その後、所定のパターンの描画を電子ビームに
よって行う。描画の後、現像，エッチングなどの処理を
施して特定物質による第１のパターンを形成する。次
に、第１のパターンが形成されたウエハ上に第２の特定
物質を蒸着し、その上にレジストを塗布し、その後、所
定のパターンの描画を電子ビームによって行う。描画の
後、現像，エッチングなどの処理を施して第２の特定物
質による第２のパターンを形成する。このようにして多
層状にパターンが形成されるが、第１のパターンと第２
のパターンの位置関係がある一定の許容値以内に入って
いなければならない。このため、第１のパターンの描画
時と第２のパターンの描画時に、それぞれバーニヤパタ
ンーンを描画して形成し、形成されたバーニヤパターン
を光学顕微鏡を用いて観察し、第１のパターンと第２の
パターンとの重ね合わせの誤差を読み取り、多層パター
ンの重ね合わせの評価を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た重ね合わせの評価は、光学的な検査機を用いているた
めに、光の波長による精度の限界があり、十分な精度で
評価を行うことができない。また、所定のパターンと一
緒にチップ単位でバーニヤパターンを形成しなければな
らないが、そのため、バーニヤパターンの形成のために
ウエハの利用範囲が制限されてしまう。更に、バーニヤ
パターンでの重ね合わせ精度の読み取りは不便である。
た重ね合わせの評価は、光学的な検査機を用いているた
めに、光の波長による精度の限界があり、十分な精度で
評価を行うことができない。また、所定のパターンと一
緒にチップ単位でバーニヤパターンを形成しなければな
らないが、そのため、バーニヤパターンの形成のために
ウエハの利用範囲が制限されてしまう。更に、バーニヤ
パターンでの重ね合わせ精度の読み取りは不便である。
【０００４】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、高い精度で簡単に多層パターンの
重ね合わせの評価を行うことかできる電子ビーム描画装
置を用いたパターン重ね合わせ評価方法を実現するにあ
る。
もので、その目的は、高い精度で簡単に多層パターンの
重ね合わせの評価を行うことかできる電子ビーム描画装
置を用いたパターン重ね合わせ評価方法を実現するにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく電子ビー
ム描画装置を用いたパターン重ね合わせ評価方法は、材
料上への第１層の各種パターンの描画の際、基準位置か
ら第１の所定距離離れた位置に電子ビームで第１の評価
パターンを描画して第１の評価パターンを形成し、該材
料上への第２層の各種パターンの描画の際、該基準位置
から第２の所定距離離れた位置に電子ビームで第２の評
価パターンを描画して第２の評価パターンを形成し、そ
の後、第１と第２の評価パターン位置から第１層と第２
層の重ね合わせの精度の評価を行う方法において、該材
料を第１と第２の偏向器を有した電子ビーム描画装置に
セットし、電子ビームを第１の偏向器によって第１の評
価パターン部分に偏向し、この状態で第１の評価パター
ン部分で第２の偏向器によって電子ビームの走査を行
い、この走査によって得られた信号と、第１の偏向器に
よる偏向量とに基づいて第１の評価パターンの位置を測
定し、次に、電子ビームを第１の偏向器によって第２の
評価パターン部分に偏向し、この状態で第２の評価パタ
ーン部分で第２の偏向器によって電子ビームの走査を行
い、この走査によって得られた信号と、第１の偏向器に
よる偏向量とに基づいて第２の評価パターンの位置を測
定し、測定された第１の評価パターン位置と第２の評価
パターン位置と、両評価パターン位置の間の理論値とか
ら、第１層と第２層との間のパターンの重ね合わせ描画
の精度を測定するようにしたことを特徴としている。
ム描画装置を用いたパターン重ね合わせ評価方法は、材
料上への第１層の各種パターンの描画の際、基準位置か
ら第１の所定距離離れた位置に電子ビームで第１の評価
パターンを描画して第１の評価パターンを形成し、該材
料上への第２層の各種パターンの描画の際、該基準位置
から第２の所定距離離れた位置に電子ビームで第２の評
価パターンを描画して第２の評価パターンを形成し、そ
の後、第１と第２の評価パターン位置から第１層と第２
層の重ね合わせの精度の評価を行う方法において、該材
料を第１と第２の偏向器を有した電子ビーム描画装置に
セットし、電子ビームを第１の偏向器によって第１の評
価パターン部分に偏向し、この状態で第１の評価パター
ン部分で第２の偏向器によって電子ビームの走査を行
い、この走査によって得られた信号と、第１の偏向器に
よる偏向量とに基づいて第１の評価パターンの位置を測
定し、次に、電子ビームを第１の偏向器によって第２の
評価パターン部分に偏向し、この状態で第２の評価パタ
ーン部分で第２の偏向器によって電子ビームの走査を行
い、この走査によって得られた信号と、第１の偏向器に
よる偏向量とに基づいて第２の評価パターンの位置を測
定し、測定された第１の評価パターン位置と第２の評価
パターン位置と、両評価パターン位置の間の理論値とか
ら、第１層と第２層との間のパターンの重ね合わせ描画
の精度を測定するようにしたことを特徴としている。
【０００６】
【作用】本発明に基づく電子ビーム描画装置を用いたパ
ターン重ね合わせ評価方法は、材料上への第１層の各種
パターンの描画の際、基準位置から第１の所定距離離れ
た位置に電子ビームで第１の評価パターンを描画して第
１の評価パターンを形成し、該材料上への第２層の各種
パターンの描画の際、該基準位置から第２の所定距離離
れた位置に電子ビームで第２の評価パターンを描画して
第２の評価パターンを形成し、２種の評価パターンが形
成された後、第１の偏向器によって電子ビームを第１と
第２の評価パターン部分に偏向し、各評価パターン部分
で第２の偏向器により電子ビームの走査を行い、第１の
偏向器による偏向量と電子ビーム走査に基づく信号とに
よって各評価パターン位置の測定を行い、この位置から
求めた評価パターン間の距離の実測値と、評価パターン
間の設計値（理論値）とから多層状に形成されたパター
ンの重ね合わせの評価を行う。
ターン重ね合わせ評価方法は、材料上への第１層の各種
パターンの描画の際、基準位置から第１の所定距離離れ
た位置に電子ビームで第１の評価パターンを描画して第
１の評価パターンを形成し、該材料上への第２層の各種
パターンの描画の際、該基準位置から第２の所定距離離
れた位置に電子ビームで第２の評価パターンを描画して
第２の評価パターンを形成し、２種の評価パターンが形
成された後、第１の偏向器によって電子ビームを第１と
第２の評価パターン部分に偏向し、各評価パターン部分
で第２の偏向器により電子ビームの走査を行い、第１の
偏向器による偏向量と電子ビーム走査に基づく信号とに
よって各評価パターン位置の測定を行い、この位置から
求めた評価パターン間の距離の実測値と、評価パターン
間の設計値（理論値）とから多層状に形成されたパター
ンの重ね合わせの評価を行う。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は、本発明に基づく重ね合わせ評価方
法を実施するための電子ビーム描画装置の一例を示して
おり、１は電子銃である。電子銃１から発生した電子ビ
ームは、電子レンズ部２によって被描画材料３上に集束
され、また、第１の偏向器４と第２の偏向器５によって
偏向される。この第１の偏向器４は、大偏向が可能な偏
向器で大偏向器として動作し、第２の偏向器５は、小領
域を高速かつ高精度で電子ビームを偏向することができ
る小偏向器として動作する。被描画材料３は、移動ステ
ージ６上に載せられており、ステージ６は、駆動系７に
よって２次元的に移動させられる。駆動系７は、コンピ
ュータ８によって制御されるが、コンピュータ８は、ブ
ランキング制御系９，レンズ制御系１０，偏向器制御系
１１，１２を制御する。１３は、ステージ６の移動量を
測定するレーザ干渉計を用いたステージ測長系である。
次に、このような装置を用いた動作を説明する。
に説明する。図１は、本発明に基づく重ね合わせ評価方
法を実施するための電子ビーム描画装置の一例を示して
おり、１は電子銃である。電子銃１から発生した電子ビ
ームは、電子レンズ部２によって被描画材料３上に集束
され、また、第１の偏向器４と第２の偏向器５によって
偏向される。この第１の偏向器４は、大偏向が可能な偏
向器で大偏向器として動作し、第２の偏向器５は、小領
域を高速かつ高精度で電子ビームを偏向することができ
る小偏向器として動作する。被描画材料３は、移動ステ
ージ６上に載せられており、ステージ６は、駆動系７に
よって２次元的に移動させられる。駆動系７は、コンピ
ュータ８によって制御されるが、コンピュータ８は、ブ
ランキング制御系９，レンズ制御系１０，偏向器制御系
１１，１２を制御する。１３は、ステージ６の移動量を
測定するレーザ干渉計を用いたステージ測長系である。
次に、このような装置を用いた動作を説明する。
【０００８】まず、材料３としてのシリコンウエハ上に
第１の特定物質を蒸着し、更にその上にレジストを塗布
し、ステージ６上に載せる。そして、コンピュータ８か
らの制御によってステージ６を移動させ、フィールド毎
にブランキング制御系９を制御して電子ビームのブラン
キングを行い、また、偏向器制御系１１，１２を制御し
て電子ビームを偏向し、所望のパターンの描画を行う。
この時、各種パターンの描画と共に、図２に示すよう
に、予め設けられているマークＭから所定距離離れた位
置に評価パターンＰ1 を描画する。所定の第１層の描画
が終了した後、材料３は電子ビーム描画装置から取り出
され、現像処理やエッチング処理が行われて、第１層の
パターンが形成される。その後、第１層パターンが形成
された材料３上に、第２の特定物質を蒸着し、更にその
上にレジストを塗布し、ステージ６上に載せる。そし
て、コンピュータ８からの制御によってステージを移動
させ、フィールド毎に電子ビームを偏向し、所望のパタ
ーンの描画を行う。この時、第２層の各種パターンの描
画と共に、図２に示すように、マークＭから所定距離離
れた位置に評価パターンＰ2 を描画する。所定の第２層
の描画が全て終了した後、材料３は電子ビーム描画装置
から取り出され、現像処理やエッチング処理が行われて
第２層のパターンが形成される。
第１の特定物質を蒸着し、更にその上にレジストを塗布
し、ステージ６上に載せる。そして、コンピュータ８か
らの制御によってステージ６を移動させ、フィールド毎
にブランキング制御系９を制御して電子ビームのブラン
キングを行い、また、偏向器制御系１１，１２を制御し
て電子ビームを偏向し、所望のパターンの描画を行う。
この時、各種パターンの描画と共に、図２に示すよう
に、予め設けられているマークＭから所定距離離れた位
置に評価パターンＰ1 を描画する。所定の第１層の描画
が終了した後、材料３は電子ビーム描画装置から取り出
され、現像処理やエッチング処理が行われて、第１層の
パターンが形成される。その後、第１層パターンが形成
された材料３上に、第２の特定物質を蒸着し、更にその
上にレジストを塗布し、ステージ６上に載せる。そし
て、コンピュータ８からの制御によってステージを移動
させ、フィールド毎に電子ビームを偏向し、所望のパタ
ーンの描画を行う。この時、第２層の各種パターンの描
画と共に、図２に示すように、マークＭから所定距離離
れた位置に評価パターンＰ2 を描画する。所定の第２層
の描画が全て終了した後、材料３は電子ビーム描画装置
から取り出され、現像処理やエッチング処理が行われて
第２層のパターンが形成される。
【０００９】このような処理の結果、図２に示すよう
に、第１層の評価パターンＰ1 と第２層の評価パターン
Ｐ2 とが同一の材料上に重ね合わせて形成される。この
パターンＰ1 とＰ2 との位置関係は、理想的には距離Ｄ
（設計値）離されて形成されており、実際に測定した距
離ｄと理想的な距離Ｄとの差が重ね合わせ誤差であり、
その差によって重ね合わせの評価を行うことができる。
さて、実際の距離ｄを測定するに当って、ステージ６が
コンピュータ８からの制御によって移動させられ、おお
むね第１の評価パターンＰ1 と第２の評価パターンＰ2
との中間部分と光軸とが一致させられる。この時、ステ
ージ測長系１３によって基準位置からのステージの移動
量が測定される。ステージが停止した後、大偏向器１１
によって電子ビームは第１の評価パターンＰ1 部分へ偏
向され、そして、小偏向器１２によって電子ビームは図
２の点線で示す第１のエリアＳ1 部分を走査する。この
Ｓ1部分での電子ビームの走査により、材料３から発生
した２次電子などを検出し、この検出信号と２種の偏向
器１１，１２による電子ビームの偏向量とに基づいて、
コンピュータ８は第１の評価パターンＰ1 の位置ａを求
める。次に、大偏向器１１によって電子ビームは第２の
評価パターンＰ2 部分へ偏向され、そして、小偏向器１
２によって電子ビームは図２の点線で示す第２のエリア
Ｓ2 部分を走査する。このＳ2 部分での電子ビームの走
査により、材料３から発生した２次電子などを検出し、
この検出信号と２種の偏向器１１，１２による電子ビー
ムの偏向量とに基づいて、コンピュータ８は第２の評価
パターンＰ2 の位置ｂを求める。この後、コンピュータ
７は、両パターンの位置ａ，ｂと理論的距離Ｄとから次
の演算によって重なり誤差Δεを求める。
に、第１層の評価パターンＰ1 と第２層の評価パターン
Ｐ2 とが同一の材料上に重ね合わせて形成される。この
パターンＰ1 とＰ2 との位置関係は、理想的には距離Ｄ
（設計値）離されて形成されており、実際に測定した距
離ｄと理想的な距離Ｄとの差が重ね合わせ誤差であり、
その差によって重ね合わせの評価を行うことができる。
さて、実際の距離ｄを測定するに当って、ステージ６が
コンピュータ８からの制御によって移動させられ、おお
むね第１の評価パターンＰ1 と第２の評価パターンＰ2
との中間部分と光軸とが一致させられる。この時、ステ
ージ測長系１３によって基準位置からのステージの移動
量が測定される。ステージが停止した後、大偏向器１１
によって電子ビームは第１の評価パターンＰ1 部分へ偏
向され、そして、小偏向器１２によって電子ビームは図
２の点線で示す第１のエリアＳ1 部分を走査する。この
Ｓ1部分での電子ビームの走査により、材料３から発生
した２次電子などを検出し、この検出信号と２種の偏向
器１１，１２による電子ビームの偏向量とに基づいて、
コンピュータ８は第１の評価パターンＰ1 の位置ａを求
める。次に、大偏向器１１によって電子ビームは第２の
評価パターンＰ2 部分へ偏向され、そして、小偏向器１
２によって電子ビームは図２の点線で示す第２のエリア
Ｓ2 部分を走査する。このＳ2 部分での電子ビームの走
査により、材料３から発生した２次電子などを検出し、
この検出信号と２種の偏向器１１，１２による電子ビー
ムの偏向量とに基づいて、コンピュータ８は第２の評価
パターンＰ2 の位置ｂを求める。この後、コンピュータ
７は、両パターンの位置ａ，ｂと理論的距離Ｄとから次
の演算によって重なり誤差Δεを求める。
【００１０】Δε＝（ｂ−ａ）−Ｄ この重なり誤差Δεは、第１層の描画の際形成した第１
の評価パターンＰ1 と第２層の描画の際形成した第２の
評価パターンＰ2 との間の理論的な距離と、実際に描画
して形成された評価パターン間の実測値との間のずれ量
であり、このずれ量が第１層と第２層の描画の重ね合わ
せの誤差量に相当する。したがって、この誤差量Δεに
よって重ね合わせの評価が行われる。
の評価パターンＰ1 と第２層の描画の際形成した第２の
評価パターンＰ2 との間の理論的な距離と、実際に描画
して形成された評価パターン間の実測値との間のずれ量
であり、このずれ量が第１層と第２層の描画の重ね合わ
せの誤差量に相当する。したがって、この誤差量Δεに
よって重ね合わせの評価が行われる。
【００１１】このように、上記した実施例では、重ね合
わせの評価のために形成された２種のパターン部分にス
テージを移動させ、その後、各評価パターン毎に電子ビ
ームを偏向して評価パターンの位置の測定を行うように
したので、この位置測定を高速に正確に行うことができ
る。
わせの評価のために形成された２種のパターン部分にス
テージを移動させ、その後、各評価パターン毎に電子ビ
ームを偏向して評価パターンの位置の測定を行うように
したので、この位置測定を高速に正確に行うことができ
る。
【００１２】又、本実施例では、大偏向が可能な第１の
偏向器により電子ビームを各評価パターン部分に夫々偏
向し、各評価パターン部分夫々を、小領域を高速且つ高
精度偏向が可能な第２の偏向器により電子ビームで走査
する様にしたので、各評価パターンを前記第２の偏向器
と同じ精度の偏向が可能な１種類の偏向器のみで電子ビ
ームを偏向してパターンの重ね合わせ評価をする場合に
比べ、著しく高速にパターンの重ね合わせ評価が出来
る。更に、本実施例における第２の偏向器の偏向範囲が
後者の偏向器の偏向範囲に比べ著しく小さくてすむので
偏向による歪が著しく小さく、その為に、パターンの重
ね合わせ評価の精度が高い。
偏向器により電子ビームを各評価パターン部分に夫々偏
向し、各評価パターン部分夫々を、小領域を高速且つ高
精度偏向が可能な第２の偏向器により電子ビームで走査
する様にしたので、各評価パターンを前記第２の偏向器
と同じ精度の偏向が可能な１種類の偏向器のみで電子ビ
ームを偏向してパターンの重ね合わせ評価をする場合に
比べ、著しく高速にパターンの重ね合わせ評価が出来
る。更に、本実施例における第２の偏向器の偏向範囲が
後者の偏向器の偏向範囲に比べ著しく小さくてすむので
偏向による歪が著しく小さく、その為に、パターンの重
ね合わせ評価の精度が高い。
【００１３】以上本発明の一実施例を詳述したが、本発
明はこの実施例に限定されない。例えば、各評価パター
ンの中心位置を測定するようにしたが、評価パターンの
一方の端部位置を測定し、重ね合わせ誤差を求めるよう
にしても良い。
明はこの実施例に限定されない。例えば、各評価パター
ンの中心位置を測定するようにしたが、評価パターンの
一方の端部位置を測定し、重ね合わせ誤差を求めるよう
にしても良い。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく本
発明に基づく電子ビーム描画装置を用いたパターン重ね
合わせ評価方法は、材料上への第１層の各種パターンの
描画の際、基準位置から第１の所定距離離れた位置に電
子ビームで第１の評価パターンを描画して第１の評価パ
ターンを形成し、該材料上への第２層の各種パターンの
描画の際、該基準位置から第２の所定距離離れた位置に
電子ビームで第２の評価パターンを描画して第２の評価
パターンを形成し、２種の評価パターンが形成された
後、第１の偏向器によって電子ビームを第１と第２の評
価パターン部分に偏向し、各評価パターン部分で第２の
偏向器により電子ビームの走査を行い、第１の偏向器に
よる偏向量と電子ビーム走査に基づく信号とによって各
評価パターン位置の測定を行い、この位置から求めた評
価パターン間の距離の実測値と、評価パターン間の設計
値（理論値）とから多層状に形成されたパターンの重ね
合わせの評価を行うようにしたので、精度の高い重ね合
わせの評価を行うことができる。更に、バーニヤパター
ンのような目視観察を行わないので、評価を簡単に行う
ことができる。
発明に基づく電子ビーム描画装置を用いたパターン重ね
合わせ評価方法は、材料上への第１層の各種パターンの
描画の際、基準位置から第１の所定距離離れた位置に電
子ビームで第１の評価パターンを描画して第１の評価パ
ターンを形成し、該材料上への第２層の各種パターンの
描画の際、該基準位置から第２の所定距離離れた位置に
電子ビームで第２の評価パターンを描画して第２の評価
パターンを形成し、２種の評価パターンが形成された
後、第１の偏向器によって電子ビームを第１と第２の評
価パターン部分に偏向し、各評価パターン部分で第２の
偏向器により電子ビームの走査を行い、第１の偏向器に
よる偏向量と電子ビーム走査に基づく信号とによって各
評価パターン位置の測定を行い、この位置から求めた評
価パターン間の距離の実測値と、評価パターン間の設計
値（理論値）とから多層状に形成されたパターンの重ね
合わせの評価を行うようにしたので、精度の高い重ね合
わせの評価を行うことができる。更に、バーニヤパター
ンのような目視観察を行わないので、評価を簡単に行う
ことができる。
【図１】本発明に基づく方法を実施するための電子ビー
ム描画装置の一例を示す図である。
ム描画装置の一例を示す図である。
【図２】材料上に形成された評価パターンを示す図であ
る。
る。
１…電子銃 ２…電子レンズ部 ３…材料 ４，５…偏向器 ６…ステージ ７…駆動系 ８…コンピュータ ９…ブランキング制御系 １０…レンズ制御系 １１，１２…偏向器制御系 １３…ステージ測長系
Claims (1)
- 【請求項１】 材料上への第１層の各種パターンの描画
の際、基準位置から第１の所定距離離れた位置に電子ビ
ームで第１の評価パターンを描画して第１の評価パター
ンを形成し、該材料上への第２層の各種パターンの描画
の際、該基準位置から第２の所定距離離れた位置に電子
ビームで第２の評価パターンを描画して第２の評価パタ
ーンを形成し、その後、第１と第２の評価パターン位置
から第１層と第２層の重ね合わせの精度の評価を行う方
法において、該材料を第１と第２の偏向器を有した電子
ビーム描画装置にセットし、電子ビームを第１の偏向器
によって第１の評価パターン部分に偏向し、この状態で
第１の評価パターン部分で第２の偏向器によって電子ビ
ームの走査を行い、この走査によって得られた信号と、
第１の偏向器による偏向量とに基づいて第１の評価パタ
ーンの位置を測定し、次に、電子ビームを第１の偏向器
によって第２の評価パターン部分に偏向し、この状態で
第２の評価パターン部分で第２の偏向器によって電子ビ
ームの走査を行い、この走査によって得られた信号と、
第１の偏向器による偏向量とに基づいて第２の評価パタ
ーンの位置を測定し、測定された第１の評価パターン位
置と第２の評価パターン位置と、両評価パターン位置の
間の理論値とから、第１層と第２層との間のパターンの
重ね合わせ描画の精度を測定するようにした電子ビーム
描画装置を用いたパターン重ね合わせ評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7986191A JPH05243136A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 電子ビーム描画装置を用いたパターン重ね合わせ評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7986191A JPH05243136A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 電子ビーム描画装置を用いたパターン重ね合わせ評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243136A true JPH05243136A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=13701987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7986191A Withdrawn JPH05243136A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 電子ビーム描画装置を用いたパターン重ね合わせ評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243136A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013129148A1 (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-06 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン寸法測定装置、荷電粒子線装置、及びコンピュータプログラム |
| JP2013213781A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 位置ずれ計測装置及び位置ずれ計測方法ならびに位置ずれ計測装置を用いた走査電子顕微鏡 |
| JP2014048180A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Toshiba Corp | 位置ずれ計測方法およびフォトマスク |
-
1991
- 1991-04-12 JP JP7986191A patent/JPH05243136A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013129148A1 (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-06 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン寸法測定装置、荷電粒子線装置、及びコンピュータプログラム |
| JP2013178103A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン寸法測定装置、及びコンピュータプログラム |
| US9136089B2 (en) | 2012-02-28 | 2015-09-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern dimension measuring device, charged particle beam apparatus, and computer program |
| JP2013213781A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 位置ずれ計測装置及び位置ずれ計測方法ならびに位置ずれ計測装置を用いた走査電子顕微鏡 |
| JP2014048180A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Toshiba Corp | 位置ずれ計測方法およびフォトマスク |
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