JPH05243135A - 電子ビーム描画装置を用いたパターン重ね合わせ評価方法 - Google Patents
電子ビーム描画装置を用いたパターン重ね合わせ評価方法Info
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- JPH05243135A JPH05243135A JP7986091A JP7986091A JPH05243135A JP H05243135 A JPH05243135 A JP H05243135A JP 7986091 A JP7986091 A JP 7986091A JP 7986091 A JP7986091 A JP 7986091A JP H05243135 A JPH05243135 A JP H05243135A
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- electron beam
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- evaluation pattern
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Abstract
(57)【要約】
【目的】多層状に形成されたパターンの重ね合わせの評
価を電子ビーム描画装置を用いて高い精度で簡単に行
う。 【構成】第1層と第2層の評価パターンP1 ,P2 とが
材料上に重ね合わせて形成される。まず、パターンP1
の位置と光軸とが一致するようにステージ5を移動させ
る。この時、ステージ5の移動量を、レーザ干渉計を用
いたステージ測長系11によって求める。ステージ停止
後、パターンP1 を横切って電子ビームを走査し、パタ
ーンからの信号に基づいてコンピュータ7は、パターン
P1 の位置aを求める。同様にパターンP2 の位置と光
軸とを一致させ、パターンP2 の位置bを求める。この
後、コンピュータ7は、両パターンの位置a,bと理論
的距離Dとから次の演算によって重なり誤差Δεを求め
る。 Δε=(b−a)−D
価を電子ビーム描画装置を用いて高い精度で簡単に行
う。 【構成】第1層と第2層の評価パターンP1 ,P2 とが
材料上に重ね合わせて形成される。まず、パターンP1
の位置と光軸とが一致するようにステージ5を移動させ
る。この時、ステージ5の移動量を、レーザ干渉計を用
いたステージ測長系11によって求める。ステージ停止
後、パターンP1 を横切って電子ビームを走査し、パタ
ーンからの信号に基づいてコンピュータ7は、パターン
P1 の位置aを求める。同様にパターンP2 の位置と光
軸とを一致させ、パターンP2 の位置bを求める。この
後、コンピュータ7は、両パターンの位置a,bと理論
的距離Dとから次の演算によって重なり誤差Δεを求め
る。 Δε=(b−a)−D
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム描画装置を
用いて、多層状に形成されたパターンの重ね合わせの評
価を行う方法に関する。
用いて、多層状に形成されたパターンの重ね合わせの評
価を行う方法に関する。
【0002】
【従来の技術】LSIなどのデバイスを作成する場合、
基板上に多層状にパターンを形成している。例えば、シ
リコンウエハに特定物質を蒸着し、その上にレジストを
塗布し、その後、所定のパターンの描画を電子ビームに
よって行う。描画の後、現像,エッチングなどの処理を
施して特定物質による第1のパターンを形成する。次
に、第1のパターンが形成されたウエハ上に第2の特定
物質を蒸着し、その上にレジストを塗布し、その後、所
定のパターンの描画を電子ビームによって行う。描画の
後、現像,エッチングなどの処理を施して第2の特定物
質による第2のパターンを形成する。このようにして多
層状にパターンが形成されるが、第1のパターンと第2
のパターンの位置関係がある一定の許容値以内に入って
いなければならない。このため、第1のパターンの描画
時と第2のパターンの描画時に、それぞれバーニヤパタ
ンーンを描画して形成し、形成されたバーニヤパターン
を光学顕微鏡を用いて観察し、第1のパターンと第2の
パターンとの重ね合わせの誤差を読み取り、多層パター
ンの重ね合わせの評価を行っている。
基板上に多層状にパターンを形成している。例えば、シ
リコンウエハに特定物質を蒸着し、その上にレジストを
塗布し、その後、所定のパターンの描画を電子ビームに
よって行う。描画の後、現像,エッチングなどの処理を
施して特定物質による第1のパターンを形成する。次
に、第1のパターンが形成されたウエハ上に第2の特定
物質を蒸着し、その上にレジストを塗布し、その後、所
定のパターンの描画を電子ビームによって行う。描画の
後、現像,エッチングなどの処理を施して第2の特定物
質による第2のパターンを形成する。このようにして多
層状にパターンが形成されるが、第1のパターンと第2
のパターンの位置関係がある一定の許容値以内に入って
いなければならない。このため、第1のパターンの描画
時と第2のパターンの描画時に、それぞれバーニヤパタ
ンーンを描画して形成し、形成されたバーニヤパターン
を光学顕微鏡を用いて観察し、第1のパターンと第2の
パターンとの重ね合わせの誤差を読み取り、多層パター
ンの重ね合わせの評価を行っている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た重ね合わせの評価は、光学的な検査機を用いているた
めに、光の波長による精度の限界があり、十分な精度で
評価を行うことかできない。また、所定のパターンと一
緒にチップ単位でバーニヤパターンを形成しなければな
らないが、そのため、バーニヤパターンの形成のために
ウエハの利用範囲が制限されてしまう。更に、バーニヤ
パターンでの重ね合わせ精度の読み取りは不便である。
た重ね合わせの評価は、光学的な検査機を用いているた
めに、光の波長による精度の限界があり、十分な精度で
評価を行うことかできない。また、所定のパターンと一
緒にチップ単位でバーニヤパターンを形成しなければな
らないが、そのため、バーニヤパターンの形成のために
ウエハの利用範囲が制限されてしまう。更に、バーニヤ
パターンでの重ね合わせ精度の読み取りは不便である。
【0004】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、高い精度で簡単に多層パターンの
重ね合わせの評価を行うことができる電子ビーム描画装
置を用いたパターン重ね合わせ評価方法を実現するにあ
る。
もので、その目的は、高い精度で簡単に多層パターンの
重ね合わせの評価を行うことができる電子ビーム描画装
置を用いたパターン重ね合わせ評価方法を実現するにあ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく電子ビー
ム描画装置を用いたパターン重ね合わせ評価方法は、材
料上への第1層の各種パターンの描画の際、基準位置か
ら第1の所定距離離れた位置に電子ビームで第1の評価
パターンを描画して第1の評価パターンを形成し、該材
料上への第2層の各種パターンの描画の際、該基準位置
から第2の所定距離離れた位置に電子ビームで第2の評
価パターンを描画して第2の評価パターンを形成し、そ
の後、第1と第2の評価パターン位置から第1層と第2
層の重ね合わせの精度の評価を行う方法において、該材
料を電子ビーム描画装置にセットし、該材料の移動量を
測定しつつ第1の評価パターン位置に電子ビーム光軸が
一致するように該材料を移動させ、その後、電子ビーム
を第1の評価パターンを横切って走査し、第1の評価パ
ターン部分から得られた信号に基づいて第1の評価パタ
ーン位置を測定し、次に、該材料の移動量を測定しつつ
第2の評価パターン位置に電子ビーム光軸が一致するよ
うに該材料を移動させ、その後、電子ビームを第2の評
価パターンを横切って走査し、第2の評価パターン部分
から得られた信号に基づいて第2の評価パターン位置を
測定し、測定された第1の評価パターン位置と第2の評
価パターン位置と、両評価パターン位置の間の理論値と
から、第1層と第2層との間のパターンの重ね合わせ描
画の精度を測定するようにしたことを特徴としている。
ム描画装置を用いたパターン重ね合わせ評価方法は、材
料上への第1層の各種パターンの描画の際、基準位置か
ら第1の所定距離離れた位置に電子ビームで第1の評価
パターンを描画して第1の評価パターンを形成し、該材
料上への第2層の各種パターンの描画の際、該基準位置
から第2の所定距離離れた位置に電子ビームで第2の評
価パターンを描画して第2の評価パターンを形成し、そ
の後、第1と第2の評価パターン位置から第1層と第2
層の重ね合わせの精度の評価を行う方法において、該材
料を電子ビーム描画装置にセットし、該材料の移動量を
測定しつつ第1の評価パターン位置に電子ビーム光軸が
一致するように該材料を移動させ、その後、電子ビーム
を第1の評価パターンを横切って走査し、第1の評価パ
ターン部分から得られた信号に基づいて第1の評価パタ
ーン位置を測定し、次に、該材料の移動量を測定しつつ
第2の評価パターン位置に電子ビーム光軸が一致するよ
うに該材料を移動させ、その後、電子ビームを第2の評
価パターンを横切って走査し、第2の評価パターン部分
から得られた信号に基づいて第2の評価パターン位置を
測定し、測定された第1の評価パターン位置と第2の評
価パターン位置と、両評価パターン位置の間の理論値と
から、第1層と第2層との間のパターンの重ね合わせ描
画の精度を測定するようにしたことを特徴としている。
【0006】
【作用】本発明に基づく電子ビーム描画装置を用いたパ
ターン重ね合わせ評価方法は、材料上への第1層の各種
パターンの描画の際、基準位置から第1の所定距離離れ
た位置に電子ビームで第1の評価パターンを描画して第
1の評価パターンを形成し、該材料上への第2層の各種
パターンの描画の際、該基準位置から第2の所定距離離
れた位置に電子ビームで第2の評価パターンを描画して
第2の評価パターンを形成し、2種の評価パターンが形
成された後、材料を移動させ、電子ビーム光軸と材料上
に形成された各評価パターン位置とを一致させて各評価
パターン位置の測定を行い、この位置から求めた評価パ
ターン間の距離の実測値と、評価パターン間の設計値
(理論値)とから多層状に形成されたパターンの重ね合
わせの評価を行う。
ターン重ね合わせ評価方法は、材料上への第1層の各種
パターンの描画の際、基準位置から第1の所定距離離れ
た位置に電子ビームで第1の評価パターンを描画して第
1の評価パターンを形成し、該材料上への第2層の各種
パターンの描画の際、該基準位置から第2の所定距離離
れた位置に電子ビームで第2の評価パターンを描画して
第2の評価パターンを形成し、2種の評価パターンが形
成された後、材料を移動させ、電子ビーム光軸と材料上
に形成された各評価パターン位置とを一致させて各評価
パターン位置の測定を行い、この位置から求めた評価パ
ターン間の距離の実測値と、評価パターン間の設計値
(理論値)とから多層状に形成されたパターンの重ね合
わせの評価を行う。
【0007】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図1は、本発明に基づく重ね合わせ評価方
法を実施するための電子ビーム描画装置の一例を示して
おり、1は電子銃である。電子銃1から発生した電子ビ
ームは、電子レンズ部2によって被描画材料3上に集束
され、また、偏向器4によって偏向される。被描画材料
3は、移動ステージ5上に載せられており、ステージ5
は、駆動系6によって2次元的に移動させられる。駆動
系6は、コンピュータ7によって制御されるが、コンピ
ュータ7は、ブランキング制御系8,レンズ制御系9,
偏向器制御系10を制御する。11は、ステージ5の移
動量を測定するレーザ干渉計を用いたステージ測長系で
ある。次に、このような装置を用いた動作を説明する。
に説明する。図1は、本発明に基づく重ね合わせ評価方
法を実施するための電子ビーム描画装置の一例を示して
おり、1は電子銃である。電子銃1から発生した電子ビ
ームは、電子レンズ部2によって被描画材料3上に集束
され、また、偏向器4によって偏向される。被描画材料
3は、移動ステージ5上に載せられており、ステージ5
は、駆動系6によって2次元的に移動させられる。駆動
系6は、コンピュータ7によって制御されるが、コンピ
ュータ7は、ブランキング制御系8,レンズ制御系9,
偏向器制御系10を制御する。11は、ステージ5の移
動量を測定するレーザ干渉計を用いたステージ測長系で
ある。次に、このような装置を用いた動作を説明する。
【0008】まず、材料3としてのシリコンウエハ上に
第1の特定物質を蒸着し、更にその上にレジストを塗布
し、ステージ5上に載せる。そして、コンピュータ7か
らの制御によってステージ5を移動させ、フィールド毎
にブランキング制御系8を制御して電子ビームのブラン
キングを行い、また、偏向器制御系10を制御して電子
ビームを偏向し、所望のパターンの描画を行う。この
時、各種パターンの描画と共に、図2に示すように、予
め設けられているマークMから所定距離離れた位置に評
価パターンP1 を描画する。所定の第1層の描画が終了
した後、材料3は電子ビーム描画装置から取り出され、
現像処理やエッチング処理が行われて、第1層のパター
ンが形成される。その後、第1層パターンが形成された
材料3上に、第2の特定物質を蒸着し、更にその上にレ
ジストを塗布し、ステージ5上に載せる。そして、コン
ピュータ7からの制御によってステージを移動させ、フ
ィールド毎に電子ビームを偏向し、所望のパターンの描
画を行う。この時、第2層の各種パターンの描画と共
に、図2に示すように、マークMから所定距離離れた位
置に評価パターンP2 を描画する。所定の第2層の描画
が全て終了した後、材料3は電子ビーム描画装置から取
り出され、現像処理やエッチング処理が行われて第2層
のパターンが形成される。
第1の特定物質を蒸着し、更にその上にレジストを塗布
し、ステージ5上に載せる。そして、コンピュータ7か
らの制御によってステージ5を移動させ、フィールド毎
にブランキング制御系8を制御して電子ビームのブラン
キングを行い、また、偏向器制御系10を制御して電子
ビームを偏向し、所望のパターンの描画を行う。この
時、各種パターンの描画と共に、図2に示すように、予
め設けられているマークMから所定距離離れた位置に評
価パターンP1 を描画する。所定の第1層の描画が終了
した後、材料3は電子ビーム描画装置から取り出され、
現像処理やエッチング処理が行われて、第1層のパター
ンが形成される。その後、第1層パターンが形成された
材料3上に、第2の特定物質を蒸着し、更にその上にレ
ジストを塗布し、ステージ5上に載せる。そして、コン
ピュータ7からの制御によってステージを移動させ、フ
ィールド毎に電子ビームを偏向し、所望のパターンの描
画を行う。この時、第2層の各種パターンの描画と共
に、図2に示すように、マークMから所定距離離れた位
置に評価パターンP2 を描画する。所定の第2層の描画
が全て終了した後、材料3は電子ビーム描画装置から取
り出され、現像処理やエッチング処理が行われて第2層
のパターンが形成される。
【0009】このような処理の結果、図2に示すよう
に、第1層の評価パターンP1 と第2層の評価パターン
P2 とが同一の材料上に重ね合わせて形成される。この
パターンP1 とP2 との位置関係は、理想的には距離D
(設計値)離されて形成されており、実際に測定した距
離dと理想的な距離Dとの差が重ね合わせ誤差であり、
その差によって重ね合わせの評価を行うことができる。
さて、実際の距離dを測定するに当って、ステージ5が
コンピュータ7からの制御によって移動させられ、マー
クMの中心位置Om と電子ビーム光軸とが一致させられ
る。ここでマークM部分での電子ビームの走査を行っ
て、マークMの中心位置を測定する。次に、再びステー
ジ5がコンピュータ7からの制御によって移動させら
れ、パターンP1 の中心O1 と電子ビーム光軸とが一致
するようにされる。この時、ステージ5の移動量は、レ
ーザ干渉計を用いたステージ測長系12によって求めら
れる。ステージが停止した後、パターンP1 を横切って
電子ビームを走査し、パターンP1 のX方向の中心位置
と光軸とのずれ量が求められる。このようにして求めら
れたマークMの位置、マークの中心位置から第1の評価
パターン位置P1 までのステージの移動量、ステージ移
動後におけるパターンP1 の中心と光軸とのずれ量か
ら、コンピュータ7は、パターンP1 の位置aを求め
る。
に、第1層の評価パターンP1 と第2層の評価パターン
P2 とが同一の材料上に重ね合わせて形成される。この
パターンP1 とP2 との位置関係は、理想的には距離D
(設計値)離されて形成されており、実際に測定した距
離dと理想的な距離Dとの差が重ね合わせ誤差であり、
その差によって重ね合わせの評価を行うことができる。
さて、実際の距離dを測定するに当って、ステージ5が
コンピュータ7からの制御によって移動させられ、マー
クMの中心位置Om と電子ビーム光軸とが一致させられ
る。ここでマークM部分での電子ビームの走査を行っ
て、マークMの中心位置を測定する。次に、再びステー
ジ5がコンピュータ7からの制御によって移動させら
れ、パターンP1 の中心O1 と電子ビーム光軸とが一致
するようにされる。この時、ステージ5の移動量は、レ
ーザ干渉計を用いたステージ測長系12によって求めら
れる。ステージが停止した後、パターンP1 を横切って
電子ビームを走査し、パターンP1 のX方向の中心位置
と光軸とのずれ量が求められる。このようにして求めら
れたマークMの位置、マークの中心位置から第1の評価
パターン位置P1 までのステージの移動量、ステージ移
動後におけるパターンP1 の中心と光軸とのずれ量か
ら、コンピュータ7は、パターンP1 の位置aを求め
る。
【0010】次に、コンピュータ7からの指令により、
駆動系6によってパターンP1 とパターンP2 との間の
距離だけステージが移動させられる。すなわち、光軸と
パターンP2 の中心O2 とが一致させられる。この指令
移動距離は、前記した理想的な距離(設計値)Dであ
る。この時、ステージ5の移動量は、ステージ測長系1
1によって測定される。そして、ステージ5が停止させ
られた後、パターンP2を横切って電子ビームの走査が
行われ、パターンP2 と光軸とのずれ量が求められる。
このパターンP1 位置からパターン位置P2 までのステ
ージの移動量,パターンP2 と光軸とのずれ量とから、
パターンP2 の位置bが求められる。この後、コンピュ
ータ7は、両パターンの位置a,bと理論的距離Dとか
ら次の演算によって重なり誤差Δεを求める。
駆動系6によってパターンP1 とパターンP2 との間の
距離だけステージが移動させられる。すなわち、光軸と
パターンP2 の中心O2 とが一致させられる。この指令
移動距離は、前記した理想的な距離(設計値)Dであ
る。この時、ステージ5の移動量は、ステージ測長系1
1によって測定される。そして、ステージ5が停止させ
られた後、パターンP2を横切って電子ビームの走査が
行われ、パターンP2 と光軸とのずれ量が求められる。
このパターンP1 位置からパターン位置P2 までのステ
ージの移動量,パターンP2 と光軸とのずれ量とから、
パターンP2 の位置bが求められる。この後、コンピュ
ータ7は、両パターンの位置a,bと理論的距離Dとか
ら次の演算によって重なり誤差Δεを求める。
【0011】Δε=(b−a)−D この重なり誤差Δεは、第1層の描画の際形成した第1
の評価パターンP1 と第2層の描画の際形成した第2の
評価パターンP2 との間の理論的な距離と、実際に描画
して形成された評価パターン間の実測値との間のずれ量
であり、このずれ量が第1層と第2層の描画の重ね合わ
せの誤差量に相当する。したがって、この誤差量Δεに
よって重ね合わせの評価が行われる。
の評価パターンP1 と第2層の描画の際形成した第2の
評価パターンP2 との間の理論的な距離と、実際に描画
して形成された評価パターン間の実測値との間のずれ量
であり、このずれ量が第1層と第2層の描画の重ね合わ
せの誤差量に相当する。したがって、この誤差量Δεに
よって重ね合わせの評価が行われる。
【0012】このように、上記した実施例では、重ね合
わせの評価のために形成されたパターンの中心部分にス
テージを移動させ、その評価パターンの位置の測定を行
うようにしたので、電子ビームの偏向歪に影響されず、
この位置測定を極めて正確に行うことができる。
わせの評価のために形成されたパターンの中心部分にス
テージを移動させ、その評価パターンの位置の測定を行
うようにしたので、電子ビームの偏向歪に影響されず、
この位置測定を極めて正確に行うことができる。
【0013】以上本発明の一実施例を詳述したが、本発
明はこの実施例に限定されない。例えば、各評価パター
ンの中心位置を測定するようにしたが、評価パターンの
一方の端部位置を測定し、重ね合わせ誤差を求めるよう
にしても良い。
明はこの実施例に限定されない。例えば、各評価パター
ンの中心位置を測定するようにしたが、評価パターンの
一方の端部位置を測定し、重ね合わせ誤差を求めるよう
にしても良い。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく本
発明に基づく電子ビーム描画装置を用いたパターン重ね
合わせ評価方法は、材料上への第1層の各種パターンの
描画の際、基準位置から第1の所定距離離れた位置に電
子ビームで第1の評価パターンを描画して第1の評価パ
ターンを形成し、該材料上への第2層の各種パターンの
描画の際、該基準位置から第2の所定距離離れた位置に
電子ビームで第2の評価パターンを描画して第2の評価
パターンを形成し、2種の評価パターンが形成された
後、材料を移動させ、電子ビーム光軸と材料上に形成さ
れた各評価パターン位置とを一致させて各評価パターン
位置の測定を行い、この位置から求めた評価パターン間
の距離の実測値と、評価パターン間の設計値(理論値)
とから多層状に形成されたパターンの重ね合わせの評価
を行うようにしたので、光学的な検査機を使用する必要
がなく、精度高く重ね合わせの評価を行うことができ
る。また、評価パターンの位置測定を行うときに各評価
パターンの位置と光軸とを一致させ、光軸直下で電子ビ
ームを偏向し、評価パターンの位置の測定を行うように
したので、電子ビームの偏向歪の影響をほとんど受ける
ことがなく、より精度の高い重ね合わせの評価を行うこ
とができる。更に、バーニヤパターンのような目視観察
を行わないので、評価を簡単に行うことができる。
発明に基づく電子ビーム描画装置を用いたパターン重ね
合わせ評価方法は、材料上への第1層の各種パターンの
描画の際、基準位置から第1の所定距離離れた位置に電
子ビームで第1の評価パターンを描画して第1の評価パ
ターンを形成し、該材料上への第2層の各種パターンの
描画の際、該基準位置から第2の所定距離離れた位置に
電子ビームで第2の評価パターンを描画して第2の評価
パターンを形成し、2種の評価パターンが形成された
後、材料を移動させ、電子ビーム光軸と材料上に形成さ
れた各評価パターン位置とを一致させて各評価パターン
位置の測定を行い、この位置から求めた評価パターン間
の距離の実測値と、評価パターン間の設計値(理論値)
とから多層状に形成されたパターンの重ね合わせの評価
を行うようにしたので、光学的な検査機を使用する必要
がなく、精度高く重ね合わせの評価を行うことができ
る。また、評価パターンの位置測定を行うときに各評価
パターンの位置と光軸とを一致させ、光軸直下で電子ビ
ームを偏向し、評価パターンの位置の測定を行うように
したので、電子ビームの偏向歪の影響をほとんど受ける
ことがなく、より精度の高い重ね合わせの評価を行うこ
とができる。更に、バーニヤパターンのような目視観察
を行わないので、評価を簡単に行うことができる。
【図1】本発明に基づく方法を実施するための電子ビー
ム描画装置の一例を示す図である。
ム描画装置の一例を示す図である。
【図2】材料上に形成された評価パターンを示す図であ
る。
る。
1…電子銃 2…電子レンズ部 3…材料 4…偏向器 5…ステージ 6…駆動系 7…コンピュータ 8…ブランキング制御系 9…レンズ制御系 10…偏向器制御系 11…ステージ測長系
Claims (1)
- 【請求項1】 材料上への第1層の各種パターンの描画
の際、基準位置から第1の所定距離離れた位置に電子ビ
ームで第1の評価パターンを描画して第1の評価パター
ンを形成し、該材料上への第2層の各種パターンの描画
の際、該基準位置から第2の所定距離離れた位置に電子
ビームで第2の評価パターンを描画して第2の評価パタ
ーンを形成し、その後、第1と第2の評価パターン位置
から第1層と第2層の重ね合わせの精度の評価を行う方
法において、該材料を電子ビーム描画装置にセットし、
該材料の移動量を測定しつつ第1の評価パターン位置に
電子ビーム光軸が一致するように該材料を移動させ、そ
の後、電子ビームを第1の評価パターンを横切って走査
し、第1の評価パターン部分から得られた信号に基づい
て第1の評価パターン位置を測定し、次に、該材料の移
動量を測定しつつ第2の評価パターン位置に電子ビーム
光軸が一致するように該材料を移動させ、その後、電子
ビームを第2の評価パターンを横切って走査し、第2の
評価パターン部分から得られた信号に基づいて第2の評
価パターン位置を測定し、測定された第1の評価パター
ン位置と第2の評価パターン位置と、両評価パターン位
置の間の理論値とから、第1層と第2層との間のパター
ンの重ね合わせ描画の精度を測定するようにした電子ビ
ーム描画装置を用いたパターン重ね合わせ評価方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7986091A JPH05243135A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 電子ビーム描画装置を用いたパターン重ね合わせ評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7986091A JPH05243135A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 電子ビーム描画装置を用いたパターン重ね合わせ評価方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05243135A true JPH05243135A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=13701957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7986091A Withdrawn JPH05243135A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 電子ビーム描画装置を用いたパターン重ね合わせ評価方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05243135A (ja) |
-
1991
- 1991-04-12 JP JP7986091A patent/JPH05243135A/ja not_active Withdrawn
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