JPH0524201A - Electrostatically joining method of plate - Google Patents
Electrostatically joining method of plateInfo
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- JPH0524201A JPH0524201A JP18273391A JP18273391A JPH0524201A JP H0524201 A JPH0524201 A JP H0524201A JP 18273391 A JP18273391 A JP 18273391A JP 18273391 A JP18273391 A JP 18273391A JP H0524201 A JPH0524201 A JP H0524201A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、ガラス板と、プラズ
マエッチングなどのマイクロマシーニング技術を用い
溝，穴などの加工を施したシリコン板との接合技術に属
し、主にインクジェット記録ヘッドのキャビティ板とし
てのシリコン板と、同じくその振動板としてのガラス板
との静電方式による接合方法であり、とくに信頼性向上
や歩留り率向上に基づく生産性向上，コスト低減が図れ
る板の静電接合方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a joining technique for joining a glass plate and a silicon plate which has been subjected to processing such as grooves and holes by using a micromachining technique such as plasma etching. This is an electrostatic joining method for a silicon plate as a plate and a glass plate as the vibrating plate by an electrostatic method. Particularly, it is an electrostatic joining method for a plate that can improve productivity and cost by improving reliability and yield rate. Regarding
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、微細なノズル孔よりインクを噴射
して紙などの記録媒体上に付着させて記録を行う方法
は、インクジェット記録方法として知られている。そし
て、その原理の一つとしてオン・デマンド型インクジェ
ット記録ヘッドがある。この方式のインクジェット記録
ヘッドは、一般的にはキャビティ板の溝側から見た平面
図である図４と、断面図である図５とに示すように、ガ
ラス，金属板などにエッチングや機械加工等により複数
のインク噴射用ノズル２，噴射流路３，インク加圧室
５，インク供給路６および共通なインク溜め７を形成し
たキャビティ板１と、振動板９とを積層，一体化したの
ち、振動板９の外側面のインク加圧室５に対向する位置
に電気機械変換素子としての圧電素子10が導電性膜11を
介して接合される構造をとっている。2. Description of the Related Art Conventionally, a method of ejecting ink from fine nozzle holes and adhering it onto a recording medium such as paper for recording is known as an ink jet recording method. And as one of the principles, there is an on-demand type ink jet recording head. This type of ink jet recording head is generally etched or machined on glass or a metal plate as shown in FIG. 4 which is a plan view seen from the groove side of the cavity plate and FIG. 5 which is a sectional view. And the like, the cavity plate 1 in which a plurality of ink ejection nozzles 2, ejection passages 3, ink pressurizing chambers 5, ink supply passages 6 and a common ink reservoir 7 are formed, and the vibration plate 9 are laminated and integrated. The piezoelectric element 10 as an electromechanical conversion element is joined to the outer surface of the diaphragm 9 at a position facing the ink pressurizing chamber 5 via a conductive film 11.
【０００３】このような構造において、圧電素子10に電
気信号としての電圧を印加すると、振動板９がインク加
圧室５の内側に変位してインク加圧室５の容積を急激に
減少させ、その容積分に相当するインクがノズル２から
噴射され、それがインク滴となって、対向する記録紙に
点着して印字される。In such a structure, when a voltage as an electric signal is applied to the piezoelectric element 10, the vibrating plate 9 is displaced to the inside of the ink pressurizing chamber 5 and the volume of the ink pressurizing chamber 5 is rapidly reduced, Ink corresponding to the volume is ejected from the nozzle 2 and becomes an ink droplet, which is spotted and printed on the opposing recording paper.
【０００４】ところで、キャビティ板１と振動板９とを
接合する場合に、有機系接着剤を用いて接着することも
考えられる。しかし、インクジェット記録ヘッドに使わ
れるインクは、普通紙との馴染みなどを考えアルカリ性
のものが使われることが多いから、有機系接着剤では信
頼性に問題がある。また、接着剤のだれ込みによって微
細に加工された噴射流路３などを埋めてしまうおそれも
ある。したがって、その材質がガラス同士のときは熱圧
着し、金属同士のときは拡散接合等で接合していた。By the way, when the cavity plate 1 and the vibration plate 9 are joined, it may be considered that the cavity plate 1 and the vibrating plate 9 are bonded by using an organic adhesive. However, since the ink used in the inkjet recording head is often alkaline because of its compatibility with plain paper, organic adhesives have a problem in reliability. In addition, there is a possibility that the injection flow path 3 and the like which are finely processed may be filled up due to the drool of the adhesive. Therefore, when the materials are glasses, they are thermocompression bonded, and when they are metals, they are bonded by diffusion bonding or the like.
【０００５】以上の技術では、接合に際し 500〜 900℃
の高温をかける必要があり、接合した記録ヘッドの反り
や、うねりが問題になった。また、接合に時間も要し
た。そこで、キャビティ板として、プラズマエッチング
などによってノズル，加圧室，インク溜め等の連通する
溝が形成されたシリコン基板を用い、振動板としてパイ
レックスガラス板を用い、両者を400 〜500 ℃の比較的
低い温度で、600 〜1000Ｖの電圧印加によって静電接合
する方式がとられた。With the above technology, 500 to 900 ° C. is used for joining.
It was necessary to apply a high temperature, which caused warping and waviness of the joined recording head. In addition, it took a long time to bond them. Therefore, as the cavity plate, a silicon substrate in which nozzles, pressurizing chambers, ink reservoirs, and other communicating grooves are formed by plasma etching, and a Pyrex glass plate is used as the vibrating plate. A method of electrostatic bonding was applied by applying a voltage of 600 to 1000 V at a low temperature.
【０００６】従来の静電接合方法は、図３に示すように
おこなわれる。図３は従来方法の適用例の斜視図であ
る。図３において、シリコン板であるキャビティ板１
と、ガラス板である振動板９との静電接合が、プラス電
極１４であるステンレス鋼板またはシリコンウェハと、
マイナス電極１３である先端を丸めたステンレス鋼棒と
を用いておこなわれる。400 〜500 ℃に加熱し、600 〜
1000Ｖの電圧を印加して、マイナス電極１３の点接触部
を中心に接合を開始させ、順次その破線表示の接合部分
２２の範囲を広げていく。The conventional electrostatic bonding method is performed as shown in FIG. FIG. 3 is a perspective view of an application example of the conventional method. In FIG. 3, the cavity plate 1 which is a silicon plate
And the electrostatic bonding with the vibrating plate 9 which is a glass plate is made of a stainless steel plate or a silicon wafer which is the positive electrode 14,
It is performed using a negative electrode 13 and a stainless steel rod with a rounded tip. Heat to 400-500 ° C, 600-
A voltage of 1000 V is applied to start joining around the point contact portion of the negative electrode 13, and the range of the joined portion 22 indicated by the broken line is gradually expanded.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】図３に示した従来の静
電接合方法で、印加電圧が600 〜1000Ｖと高くなる理由
は、アルカリイオンたとえばＮａイオンのようなガラス
内部で移動しやすい元素が、電荷キャリアとなってマイ
ナス極側に移動して集積し、マイナス電極のステンレス
鋼を反応して絶縁層を形成するからであり、これが静電
接合を困難にすることになる。また、Ｎａイオン等のア
ルカリイオンが電荷キャリアとなってマイナス極側に移
動して集積することで、ガラスが軟化し、しかもこの軟
化は印加電圧，温度が高いことによって助長される。さ
らに、アルカリイオンたとえばＮａイオンは反応性に富
んでいるから、マイナス電極のステンレス鋼棒と反応し
て軟化ガラスに窪み、ないし穴を生じる。このように、
図１に示した従来方法では、電圧が600 〜1000Ｖと高
く、作業の安全性を阻害し、関連して作業工数を増大さ
せ、振動板９のマイナス電極１３との接触箇所に窪
み、ないし極端な場合には穴を生じさせ、接合部分が
マイナス電極とガラス板との接触部から順次広がってい
くため、接合面に未接合部分（ボイド）を生じやすく歩
留り率を低下させること──などの問題がある。The reason why the applied voltage is as high as 600 to 1000 V in the conventional electrostatic bonding method shown in FIG. 3 is that elements such as alkali ions, such as Na ions, which easily move inside the glass. This is because the charge carriers move to the negative electrode side and are integrated, and react with the stainless steel of the negative electrode to form an insulating layer, which makes electrostatic bonding difficult. Further, alkali ions such as Na ions move as charge carriers to move to the negative electrode side and accumulate, whereby the glass is softened, and this softening is promoted by high applied voltage and high temperature. Further, since alkali ions, such as Na ions, are highly reactive, they react with the stainless steel rod of the negative electrode to form depressions or holes in the softened glass. in this way,
In the conventional method shown in FIG. 1, the voltage is as high as 600 to 1000 V, which hinders the safety of work and increases the man-hours associated therewith, causing a dent in the contact portion of the diaphragm 9 with the negative electrode 13 or an extreme. In this case, a hole is created, and the bonded part gradually expands from the contact part between the negative electrode and the glass plate, so that an unbonded part (void) is likely to occur on the bonded surface and the yield rate decreases. There's a problem.
【０００８】この発明の課題は、従来の技術がもつ以上
の問題点を解消し、品質向上や工数低減，歩留り率向上
に基づく生産性向上，コスト低減が図れる板の静電接合
方法を提供することにある。An object of the present invention is to solve the above problems of the prior art, and to provide an electrostatic bonding method for plates, which can improve quality, reduce man-hours, improve productivity based on improvement of yield rate, and reduce cost. Especially.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】請求項１に係る板の静電
接合方法は、シリコン板とガラス板との静電方式による
接合方法において、このガラス板と、これに当接すべき
マイナス電極との間に、ダミーガラス板を介在させる。According to a first aspect of the present invention, there is provided an electrostatic joining method for a plate, wherein the silicon plate and the glass plate are electrostatically joined to each other. A dummy glass plate is interposed between and.
【００１０】請求項２に係る板の静電接合方法は、請求
項１に記載の方法において、ダミーガラス板が、接合さ
れるガラス板と同等の材料からなるか、またはアルカリ
イオンを多く含有するガラスからなる。According to a second aspect of the present invention, there is provided an electrostatic bonding method for a plate according to the first aspect, wherein the dummy glass plate is made of the same material as the glass plate to be bonded or contains a large amount of alkali ions. It consists of glass.
【００１１】請求項３に係る板の静電接合方法は、請求
項１または２に記載の方法において、マイナス電極が、
金または白金からなる。The plate electrostatic bonding method according to claim 3 is the method according to claim 1 or 2, wherein the negative electrode is
It consists of gold or platinum.
【００１２】請求項４に係る板の静電接合方法は、請求
項１または２に記載の方法において、マイナス電極が、
ダミーガラス板に形成された金または白金の薄膜であ
る。The plate electrostatic bonding method according to claim 4 is the method according to claim 1 or 2, wherein the negative electrode is
It is a thin film of gold or platinum formed on a dummy glass plate.
【００１３】請求項５に係る板の静電接合方法は、請求
項１または２に記載の方法において、ダミーガラス板に
金または白金の薄膜を形成し、この薄膜とマイナス電極
リード棒との間に前記薄膜の材質に符合させて金箔また
は白金箔を介在させる。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an electrostatic bonding method for a plate according to the first or second aspect, wherein a thin film of gold or platinum is formed on the dummy glass plate and the thin film and the negative electrode lead rod are interposed between the thin film and the negative electrode lead rod. Then, a gold foil or a platinum foil is interposed according to the material of the thin film.
【００１４】[0014]
【作用】請求項１に係る静電接合方法では、ガラス板と
ダミーガラス板との間では、電圧印加時にガラス板内の
修飾イオンであるアルカリイオンが移動するが、化学反
応は起こらない。したがって、ガラス板は、シリコン板
との接触側の表面にＮａ欠乏層が生成されるため、シリ
コン板と静電引力で密着し、−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉのような
結合が起こって静電接合がおこなわれる。しかも、ダミ
ーガラス板には、押圧される電極によって窪み，穴など
の損傷が残るが、直接に電極によって押圧されない接合
すべきガラス板には損傷は生じない。とくに請求項２に
係る静電接合方法では、ダミーガラス板が接合されるガ
ラス板と同等の材料、またはアルカリイオンを多く含有
するガラスからなるから、アルカリイオンの移動が円滑
におこなわれ、確実な静電接合が支援される。In the electrostatic bonding method according to the first aspect of the present invention, the alkaline ions, which are the modifying ions in the glass plate, move between the glass plate and the dummy glass plate when a voltage is applied, but no chemical reaction occurs. Therefore, since the Na-deficient layer is formed on the surface of the glass plate on the side of contact with the silicon plate, the glass plate adheres to the silicon plate by electrostatic attraction, and a bond such as -Si-O-Si occurs to cause electrostatic bonding. Is performed. Moreover, the dummy glass plate is left with damage such as depressions and holes due to the electrode being pressed, but the glass plates to be joined that are not directly pressed by the electrode are not damaged. Particularly, in the electrostatic bonding method according to the second aspect, since the dummy glass plate is made of the same material as the glass plate to be bonded or made of glass containing a large amount of alkali ions, the alkali ions are smoothly transferred, which ensures reliable operation. Electrostatic bonding is supported.
【００１５】請求項３に係る静電接合方法では、マイナ
ス電極として材質的に安定な金または白金が用いられる
から、マイナス電極とアルカリイオンとの反応がほとん
で起こらず、ダミーガラス板に窪み，穴の生じることが
防止される。また、このために接合時の印加電圧，温度
の条件が低下し、アルカリイオンたとえばＮａイオンの
集積が軽減されて、ダミーガラス板の窪み，穴の生成防
止が支援される。In the electrostatic bonding method according to the third aspect, since gold or platinum, which is stable in material, is used as the negative electrode, the reaction between the negative electrode and alkali ions hardly occurs, and the dummy glass plate is depressed. The formation of holes is prevented. Further, for this reason, the conditions of applied voltage and temperature at the time of bonding are reduced, the accumulation of alkali ions such as Na ions is reduced, and the formation of depressions and holes in the dummy glass plate is assisted.
【００１６】請求項４に係る静電接合方法では、ダミー
ガラス板に形成された金または白金の薄膜によって密着
性がよくなり、請求項３におけるよりさらに、マイナス
電極とダミーガラス板の接触部へのＮａイオン等のアル
カリイオンの集積を軽減させることができる。また、こ
れによってガラスの軟化が軽減されることで、電圧の印
加が均一化されて、さらに電圧，温度を下げることがで
きるとともに、接合が全面にわたり瞬時に起こる。In the electrostatic bonding method according to the fourth aspect, the adhesion is improved by the gold or platinum thin film formed on the dummy glass plate, and further the contact portion between the negative electrode and the dummy glass plate is improved. It is possible to reduce the accumulation of alkali ions such as Na ions. Further, since the softening of the glass is reduced by this, the application of the voltage is made uniform, the voltage and the temperature can be further lowered, and the bonding occurs instantaneously over the entire surface.
【００１７】請求項５に係る静電接合方法では、ダミー
ガラス板の金または白金の薄膜とマイナス電極リード棒
との間に、薄膜の材質に符合して介在させた金箔または
白金箔によって、薄膜の機械的剥がれが防止されて請求
項４の作用が支援される。In the electrostatic bonding method according to the fifth aspect, a thin film is formed by using a gold foil or a platinum foil which is interposed between the thin film of gold or platinum on the dummy glass plate and the negative electrode lead rod in conformity with the material of the thin film. Is prevented from being mechanically peeled off, and the action of claim 4 is supported.
【００１８】[0018]
【実施例】本発明に係る静電接合方法の適用例につい
て、以下に図を参照しながら説明する。図１は第１，第
２，第３の各適用例の共通な斜視図である。図１におい
て、第１適用例は、請求項１に対応し、従来方法の適用
例におけるのと異なる点が、ステンレス鋼のマイナス電
極１３と振動板９との間にダミーガラス板１８が介在す
ることである。第２適用例は、請求項２に対応し、とく
にダミーガラス板１８が接合されるガラス板と同等の材
料からなるか、またはアルカリイオンを多く含有するガ
ラスからなる。第３適用例は、請求項３に対応し、とく
に金のマイナス電極１２が用いられる。なお、金の代わ
りに白金にしてもよい。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An application example of the electrostatic bonding method according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a common perspective view of each of the first, second, and third application examples. In FIG. 1, the first application example corresponds to claim 1 and is different from the application example of the conventional method in that a dummy glass plate 18 is interposed between the stainless steel negative electrode 13 and the diaphragm 9. That is. The second application example corresponds to claim 2, and is made of the same material as the glass plate to which the dummy glass plate 18 is bonded, or made of glass containing a large amount of alkali ions. The third application example corresponds to claim 3, and particularly a gold negative electrode 12 is used. Note that platinum may be used instead of gold.
【００１９】第１適用例では、振動板９とダミーガラス
板１８との間では、電圧印加時に振動板９の内部の修飾
イオンであるアルカリイオンが移動するが、化学反応は
起こらず、振動板９は、キャビティ板１との接触側の表
面にＮａ欠乏層が生成されるため、キャビティ板１と静
電引力で密着し、−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉのような結合が起こ
って静電接合がおこなわれる。しかも、ダミーガラス板
１８には、押圧される電極１３の先端部によって窪み，
穴などの損傷が残るが、直接に電極１３によって押圧さ
れない振動板９には損傷は生じない。また、第２適用例
では、アルカリイオンの移動が円滑におこなわれ、確実
な静電接合が支援される。第３適用例では、材質的に安
定な金のマイナス電極１２が用いられるから、マイナス
電極１２とアルカリイオンとの反応がほとんで起こら
ず、ダミーガラス板１８に窪み，穴の生じることが防止
される。また、接合時の印加電圧，温度の条件が低下
し、アルカリイオンたとえばＮａイオンの集積が軽減さ
れて、ダミーガラス板１８の窪み，穴の生成防止が支援
されることになる。In the first application example, the alkaline ions, which are the modifying ions inside the vibrating plate 9 move between the vibrating plate 9 and the dummy glass plate 18 when a voltage is applied, but no chemical reaction occurs, and the vibrating plate does not occur. In No. 9, since a Na-deficient layer is generated on the surface on the contact side with the cavity plate 1, the Na-contact layer adheres to the cavity plate 1 by electrostatic attraction, and a bond such as —Si—O—Si occurs to cause electrostatic bonding. It is carried out. Moreover, the dummy glass plate 18 is depressed by the tip of the electrode 13 to be pressed,
Although damage such as holes remains, the diaphragm 9 not directly pressed by the electrode 13 is not damaged. In addition, in the second application example, the movement of alkali ions is smoothly performed, and reliable electrostatic bonding is supported. In the third application example, the negative electrode 12 made of gold, which is stable in terms of material, is used, so that the reaction between the negative electrode 12 and the alkali ions hardly occurs, and it is possible to prevent the dummy glass plate 18 from having dents and holes. It In addition, the conditions of applied voltage and temperature at the time of bonding are reduced, the accumulation of alkali ions such as Na ions is reduced, and the prevention of the formation of dents and holes in the dummy glass plate 18 is assisted.
【００２０】図２は第４適用例の側断面図である。第４
適用例は請求項５に対応する。図２において、１５は金
膜で、ダミーガラス板１８の表面に蒸着またはスパッタ
によって形成される。ここで、金膜１５の付着力が非常
に弱いので、これを補強するために、ステンレス鋼のリ
ード棒１７の先端部と、金膜１５との間に金箔１６が介
在する。なお、金膜１５や金箔１６の代わりに白金の膜
や箔を用いることも可能である。第４適用例では、ダミ
ーガラス板１８に形成された金膜１５によって密着性が
よくなり、第３適用例よりさらに、リード棒１７とダミ
ーガラス板１８の接触部へのＮａイオン等のアルカリイ
オンの集積を軽減させることができ、これによってガラ
スの軟化が軽減されることで、電圧の印加が均一化され
て、さらに電圧，温度を下げ得るとともに、接合が全面
にわたり瞬時に起こる。さらに、ダミーガラス板１８の
金膜１５とリード棒１７との間に挿入された金箔１６に
よって、金膜１５の機械的剥がれが防止され、前述の金
膜１５の作用が支援されることになる。なお、この第４
適用例において、金箔１６の介在がないときが、請求項
４に対応する。FIG. 2 is a side sectional view of the fourth application example. Fourth
An application example corresponds to claim 5. In FIG. 2, 15 is a gold film, which is formed on the surface of the dummy glass plate 18 by vapor deposition or sputtering. Here, since the adhesion force of the gold film 15 is very weak, the gold foil 16 is interposed between the tip of the stainless steel lead rod 17 and the gold film 15 to reinforce the adhesion. A platinum film or foil may be used instead of the gold film 15 or the gold foil 16. In the fourth application example, the adhesion is improved by the gold film 15 formed on the dummy glass plate 18, and in addition to the third application example, alkali ions such as Na ions in the contact portion between the lead rod 17 and the dummy glass plate 18 are further added. Can be reduced, and the softening of the glass can be reduced by this, so that the application of voltage can be made uniform, the voltage and temperature can be further lowered, and the bonding occurs instantaneously over the entire surface. Further, the gold foil 16 inserted between the gold film 15 of the dummy glass plate 18 and the lead rod 17 prevents the gold film 15 from being mechanically peeled off and assists the operation of the gold film 15 described above. . In addition, this 4th
In the application example, the case where the gold foil 16 is not present corresponds to claim 4.
【００２１】第４適用例における静電接合について詳し
く述べる。全体を３００〜４００℃に加熱し、温度が一
定になった後にリード棒１７とプラス電極１４との間に
５０〜３００Ｖの電圧印加をする。電流は接合開始の初
期にほとんど流れて数秒後には減少し、接合は瞬時に終
了する。従来例における温度４００〜５００℃、印加電
圧６００〜１０００Ｖに比べ、いずれも低くなし得る。
接合部を電子顕微鏡によって観察した結果、なんらの介
在物も存在せず均一な接合が得られることが確認され
た。また、接合強度についても、引き離すとき両者の一
部が破壊するほど大きい。なお、接合後に蒸着された金
膜を除去し、圧電素子に係る共通電極としての透明電極
（酸化インジウム錫ＩＴＯなど）を成膜し、この上に圧
電素子を接着して一連の作業を完了する。The electrostatic bonding in the fourth application example will be described in detail. The whole is heated to 300 to 400 ° C., and after the temperature becomes constant, a voltage of 50 to 300 V is applied between the lead rod 17 and the plus electrode 14. The current flows almost at the beginning of the junction, decreases after a few seconds, and the junction ends instantaneously. Both can be made lower than the temperature of 400 to 500 ° C. and the applied voltage of 600 to 1000 V in the conventional example.
As a result of observing the joint portion with an electron microscope, it was confirmed that a uniform joint was obtained without any inclusions. Also, the bonding strength is so great that a part of the two breaks when they are separated. The gold film deposited after bonding is removed, a transparent electrode (indium tin oxide ITO, etc.) is formed as a common electrode for the piezoelectric element, and the piezoelectric element is adhered on the transparent electrode to complete a series of operations. .
【００２２】[0022]
【発明の効果】請求項１に係る静電接合方法では、ガラ
ス板とダミーガラス板との間では、電圧印加時にガラス
板内の修飾イオンであるアルカリイオンが移動するが、
化学反応は起こらない。したがって、ガラス板は、シリ
コン板との接触側の表面にＮａ欠乏層が生成されるた
め、シリコン板と静電引力で密着し、−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ
のような結合が起こって静電接合がおこなわれる。しか
も、ダミーガラス板には、押圧される電極によって窪
み，穴などの損傷が残るが、直接に電極によって押圧さ
れない接合すべきガラス板には損傷は生じない。とくに
請求項２に係る静電接合方法では、ダミーガラス板が接
合されるガラス板と同等の材料、またはアルカリイオン
を多く含有するガラスからなるから、アルカリイオンの
移動が円滑におこなわれ、確実な静電接合が支援され
る。その結果、接合されたガラス板とシリコン板の品質
向上が図れる。In the electrostatic bonding method according to the first aspect of the present invention, the alkaline ions, which are the modifying ions in the glass plate, move between the glass plate and the dummy glass plate when a voltage is applied.
No chemical reaction occurs. Therefore, since the Na-deficient layer is formed on the surface of the glass plate on the side of contact with the silicon plate, the glass plate adheres to the silicon plate by electrostatic attraction, and -Si-O-Si.
Such a bond occurs and electrostatic bonding is performed. Moreover, the dummy glass plate is left with damage such as depressions and holes due to the electrode being pressed, but the glass plates to be joined that are not directly pressed by the electrode are not damaged. Particularly, in the electrostatic bonding method according to the second aspect, since the dummy glass plate is made of the same material as the glass plate to be bonded, or the glass containing a large amount of alkali ions, the alkali ions are smoothly transferred, which is reliable. Electrostatic bonding is supported. As a result, the quality of the bonded glass plate and silicon plate can be improved.
【００２３】請求項３に係る静電接合方法では、マイナ
ス電極として材質的に安定な金または白金が用いられる
から、マイナス電極とアルカリイオンとの反応がほとん
で起こらず、ダミーガラス板に窪み，穴の生じることが
防止される。また、このために接合時の印加電圧，温度
の条件が低下し、アルカリイオンたとえばＮａイオンの
集積が軽減されて、ダミーガラス板の窪み，穴の生成防
止が支援される。したがって、接合時の電圧，温度条件
を下げることができ、作業の安全性が確保されるととも
に、関連して工数短縮が図れ、さらに接合板の品質の向
上が図れるとともに、ダミーガラス板の繰返し使用が可
能になり、材料コストの低減が図れる、などの効果があ
る。In the electrostatic bonding method according to the third aspect, since gold or platinum, which is stable in material, is used as the negative electrode, the reaction between the negative electrode and the alkaline ions hardly occurs, and the dummy glass plate is depressed. The formation of holes is prevented. Further, for this reason, the conditions of applied voltage and temperature at the time of bonding are reduced, the accumulation of alkali ions such as Na ions is reduced, and the formation of depressions and holes in the dummy glass plate is assisted. Therefore, the voltage and temperature conditions at the time of joining can be lowered, the safety of work can be secured, the man-hours can be shortened, the quality of the joining plate can be improved, and the dummy glass plate can be repeatedly used. It becomes possible to reduce the material cost.
【００２４】請求項４に係る静電接合方法では、ダミー
ガラス板に形成された金または白金の薄膜によって密着
性がよくなり、請求項３におけるよりさらに、マイナス
電極とダミーガラス板の接触部へのＮａイオン等のアル
カリイオンの集積を軽減させることができる。また、こ
れによってガラスの軟化が軽減されることで、電圧の印
加が均一化されて、さらに電圧，温度を下げることがで
きるとともに、接合が全面にわたり瞬時に起こる。した
がって、請求項３におけるものと同じ効果の外に、接合
工数の短縮が図れるとともに、接合面に未接合部分（ボ
イド）を生じないから、品質向上とともに歩留り率の向
上に基づく生産性向上，コスト低減が図れる。In the electrostatic bonding method according to the fourth aspect, the adhesion is improved by the gold or platinum thin film formed on the dummy glass plate, and the contact between the negative electrode and the dummy glass plate is further improved than in the third aspect. It is possible to reduce the accumulation of alkali ions such as Na ions. Further, since the softening of the glass is reduced by this, the application of the voltage is made uniform, the voltage and the temperature can be further lowered, and the bonding occurs instantaneously over the entire surface. Therefore, in addition to the same effect as in claim 3, the number of joining steps can be shortened, and an unjoined portion (void) is not formed on the joining surface. Therefore, not only the quality is improved, but also the productivity is improved and the cost is improved. It can be reduced.
【００２５】請求項５に係る静電接合方法では、ダミー
ガラス板の金または白金の薄膜とマイナス電極リード棒
との間に、薄膜の材質に符合して介在させた金箔または
白金箔によって、薄膜の機械的剥がれが防止されて請求
項４の作用が支援される。したがって、請求項４におけ
るものと同じ効果がより強く発揮される。In the electrostatic bonding method according to the fifth aspect, the thin film is formed by using a gold foil or a platinum foil which is interposed between the thin film of gold or platinum on the dummy glass plate and the negative electrode lead rod in conformity with the material of the thin film. Is prevented from being mechanically peeled off, and the action of claim 4 is supported. Therefore, the same effect as that in claim 4 is exerted more strongly.
【図１】発明方法の第１，第２，第３の各適用例の共通
な斜視図FIG. 1 is a common perspective view of first, second, and third application examples of the inventive method.
【図２】発明方法の第４適用例の側断面図FIG. 2 is a side sectional view of a fourth application example of the invention method.
【図３】従来方法の適用例の斜視図FIG. 3 is a perspective view of an application example of a conventional method.
【図４】発明方法と従来方法とに係る共通なキャビティ
板の平面図FIG. 4 is a plan view of a common cavity plate according to the invented method and the conventional method.
【図５】発明方法と従来方法とに係る共通なインクジェ
ット記録ヘッドの断面図FIG. 5 is a cross-sectional view of a common ink jet recording head according to the invented method and the conventional method.
１ キャビティ板 ９ 振動板 １２ マイナス電極 １３ マイナス電極 １４ プラス電極 １５ 金膜 １６ 金箔 １７ リード棒 １８ ダミーガラス板 1 Cavity plate 9 diaphragm 12 Negative electrode 13 Negative electrode 14 Positive electrode 15 gold film 16 gold leaf 17 lead rod 18 Dummy glass plate
Claims (5)
接合方法において、このガラス板と、これに当接すべき
マイナス電極との間に、ダミーガラス板を介在させるこ
とを特徴とする板の静電接合方法。1. A method of joining a silicon plate and a glass plate by an electrostatic method, wherein a dummy glass plate is interposed between the glass plate and a negative electrode to be in contact with the plate. Electrostatic bonding method.
ラス板は、接合されるガラス板と同等の材料からなる
か、またはアルカリイオンを多く含有するガラスからな
ることを特徴とする板の静電接合方法。2. The method according to claim 1, wherein the dummy glass plate is made of the same material as the glass plate to be joined or made of glass containing a large amount of alkali ions. Electrical joining method.
マイナス電極は、金または白金からなることを特徴とす
る板の静電接合方法。3. The method according to claim 1 or 2, wherein
The negative electrode is made of gold or platinum, and is an electrostatic bonding method for plates.
マイナス電極は、ダミーガラス板に形成された金または
白金の薄膜であることを特徴とする板の静電接合方法。4. The method according to claim 1 or 2, wherein
The negative electrode is a thin film of gold or platinum formed on a dummy glass plate, which is an electrostatic bonding method for plates.
ダミーガラス板に金または白金の薄膜を形成し、この薄
膜とマイナス電極リード棒との間に前記薄膜の材質に符
合させて金箔または白金箔を介在させることを特徴とす
る板の静電接合方法。5. The method according to claim 1 or 2, wherein
A method of electrostatically bonding a plate, characterized in that a thin film of gold or platinum is formed on a dummy glass plate, and a gold foil or a platinum foil is interposed between the thin film and the negative electrode lead rod in conformity with the material of the thin film. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18273391A JPH0524201A (en) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | Electrostatically joining method of plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18273391A JPH0524201A (en) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | Electrostatically joining method of plate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0524201A true JPH0524201A (en) | 1993-02-02 |
Family
ID=16123491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18273391A Pending JPH0524201A (en) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | Electrostatically joining method of plate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0524201A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8696834B2 (en) | 2009-03-30 | 2014-04-15 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Method for manufacturing seamless pipes |
-
1991
- 1991-07-24 JP JP18273391A patent/JPH0524201A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8696834B2 (en) | 2009-03-30 | 2014-04-15 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Method for manufacturing seamless pipes |
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