JP2000108343A - Ink jet head - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To seal a microstructure liquid chamber sufficiently at the time of forming a pressure chamber through eutectic bonding of two or more members bonded through a metallic material by providing a material for reducing oxides on the bonding surface of one member on a metallic material provided on the bonding surface of the other member. SOLUTION: A pressurizing chamber 7 is formed by eutectic bonding of a diaphragm substrate and a liquid chamber member 3 through a metallic member. The liquid chamber member 3 is formed by depositing nickel 22 on a basic body 21 comprising a silicon substrate and then depositing gold 23, a reducing layer 24 and a protective layer 25 sequentially thereon. Since gold 23 of the liquid chamber member 3 and silicon of the diaphragm substrate enter into eutectic state at about 360 deg.C, rigid bonding can be attained by heating it at 400-450 deg.C while pressing with an appropriate force. Native oxides are removed from the bonding face of the diaphragm substrate comprising the silicon substrate at the time of eutectic bonding of the reducing layer 24 and the diaphragm substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はインクジェットヘッドに
関し、特に２つ以上の部材を共晶接合して加圧室を形成
するインクジェットヘッドに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ink jet head, and more particularly to an ink jet head in which two or more members are eutectically joined to form a pressure chamber.

【０００２】[0002]

【従来の技術】プリンタ、ファクシミリ、複写装置等の
画像記録装置として用いるインクジェット記録装置にお
いて使用するインクジェットヘッドは、インク滴を吐出
するノズル孔と、このノズル孔が連通する吐出室（圧力
室、加圧液室、液室、インク流路等とも称される。）
と、この吐出室内のインクを加圧するエネルギーを発生
するエネルギー発生手段とを備えて、エネルギー発生手
段を駆動することで吐出室内インクを加圧してノズル孔
からインク滴を吐出させるものであり、記録の必要なと
きにのみインク滴を吐出するインク・オン・デマンド方
式のものが主流である。2. Description of the Related Art An ink jet head used in an ink jet recording apparatus used as an image recording apparatus such as a printer, a facsimile, a copying machine, etc. has a nozzle hole for discharging ink droplets and a discharge chamber (pressure chamber, pressure chamber, etc.) communicating with the nozzle hole. Also referred to as a pressure liquid chamber, a liquid chamber, an ink flow path, etc.)
And an energy generating means for generating energy for pressurizing the ink in the discharge chamber, and driving the energy generating means to pressurize the ink in the discharge chamber to discharge ink droplets from the nozzle holes. The ink-on-demand type which discharges ink droplets only when necessary is the mainstream.

【０００３】従来、吐出室内のインクを加圧するエネル
ギーを発生するエネルギー発生手段として、圧電素子を
用いて吐出室の壁面を形成する振動板を変形させて吐出
室内容積を変化させてインク滴を吐出させるようにした
もの（特開平２−５１７３４号公報参照）、或いは、発
熱抵抗体を用いて吐出室内でインクを加熱して気泡を発
生させることによる圧力でインク滴を吐出させるように
したもの（特開昭６１−５９９１１号公報参照）などが
知られている。Conventionally, as an energy generating means for generating energy to pressurize ink in a discharge chamber, a piezoelectric element is used to deform a diaphragm forming a wall surface of the discharge chamber to change the volume of the discharge chamber to discharge ink droplets. (See JP-A-2-51734), or an ink droplet is ejected by pressure generated by heating ink in an ejection chamber using a heating resistor to generate bubbles. Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-59911) is known.

【０００４】しかしながら、上述した従来のインクジェ
ットヘツドのうち、前者の圧電素子を用いる方式におい
ては、吐出室に圧力を生じさせるために振動板に圧電素
子のチップを貼り付ける工程が複雑であり、特にインク
ジェット記録装置では高速、高印字品質が求められてき
ており、これに対応するためにはマルチノズル化、ノズ
ルの高密度化が不可欠であるが、圧電素子を微細に加工
し、多数の圧電素子を振動板に接着することは、極めて
煩雑で多くの時間がかかる。しかも、高密度化の結果、
圧電素子を幅数十〜百数十μｍで加工する必要が生じて
きているが、従前の機械加工における寸法、形状精度で
は加工品質にばらつきが発生するために印字品質のばら
つきが大きくなる。[0004] However, in the conventional method using the piezoelectric element among the above-mentioned conventional inkjet heads, the step of attaching the chip of the piezoelectric element to the vibrating plate in order to generate pressure in the discharge chamber is complicated. High-speed, high-printing quality is demanded for inkjet recording devices, and in order to respond to this, multi-nozzles and high-density nozzles are indispensable. Adhering to the diaphragm is extremely complicated and takes a lot of time. Moreover, as a result of the high density,
Although it has become necessary to process the piezoelectric element with a width of several tens to one hundred and several tens of micrometers, variations in the processing quality occur in the dimensions and shape accuracy in conventional mechanical processing, so that the printing quality varies greatly.

【０００５】また、後者のインクを加熱する方式におい
ては、圧電素子を用いる場合の問題は生じないものの、
発熱抵抗体の急速な加熱、冷却の繰り返し、気泡消滅時
の衝撃によって、発熱抵抗体がダメージを受けるため
に、総じてインクジェットヘッドの寿命が短くなる。[0005] In the latter method of heating ink, no problem occurs when a piezoelectric element is used.
The heating resistor is damaged by the rapid heating and cooling of the heating resistor, and the impact when the bubble disappears, so that the life of the inkjet head is generally shortened.

【０００６】そこで、こうした問題を解決するものとし
て、特開平６−７１８８２号公報に記載されているよう
に、吐出室の壁面を形成する振動板を静電気力によって
変形させることで吐出室内容積を変化させてインク滴を
吐出させるインクジェットヘッドが提案されており、こ
の静電気力を用いる方式にあっては、小型、高密度、高
印字品質及び長寿命を達成できるという利点がある。In order to solve such a problem, as described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei 6-71882, the diaphragm forming the wall of the discharge chamber is deformed by electrostatic force to change the volume of the discharge chamber. Ink jet heads for ejecting ink droplets have been proposed, and the method using this electrostatic force has the advantages of achieving small size, high density, high printing quality and long life.

【０００７】静電型インクジェットヘッドのように振動
板を用いるインクジェットヘッドにおいては、振動板の
厚さを薄く（５μｍ以下）加工する必要性から微細加工
が可能なシリコン単結晶基板を用いることが提案されて
いる（特開平５−５０６１号公報、特開平７−１２５２
２１号公報参照）。これは、シリコン単結晶基板からな
る中基板に、ノズル、吐出室、記録体キャビティ及び振
動板をエッチングにより形成し、記録体供給口を有する
上基板と振動板に対向する電極を設けた下基板とを一体
とした構成としている。また、吐出室の形成部材として
は、上述したシリコン単結晶基板のほか、金属、セラミ
ックスなどを用いるものもある。In an ink jet head using a vibration plate such as an electrostatic ink jet head, it is proposed to use a silicon single crystal substrate which can be finely processed because the thickness of the vibration plate needs to be thin (5 μm or less). (JP-A-5-5061, JP-A-7-1252)
No. 21). This is a method in which a nozzle, a discharge chamber, a recording body cavity, and a vibration plate are formed by etching on a medium substrate made of a silicon single crystal substrate, and an upper substrate having a recording material supply port and a lower substrate provided with electrodes facing the vibration plate. And are integrated. Further, as a member for forming the discharge chamber, in addition to the above-described silicon single crystal substrate, there is also a member using metal, ceramic, or the like.

【０００８】ところで、このように加圧室を２以上の部
材を接合して形成する場合、インク加圧室間でインク漏
れがないような十分なシール性を持った接合が必要とな
る。なお、このような接合が要請されるのは、上記静電
型インクジェットヘッドに限らず、その他の方式のイン
クジェットヘッドでも同様である。When the pressure chamber is formed by joining two or more members, it is necessary to join the ink pressure chambers with a sufficient sealing property so that no ink leaks. The requirement for such bonding is not limited to the above-mentioned electrostatic type ink jet head, but also applies to other types of ink jet heads.

【０００９】ここで、接合方法として、有機及びガラス
等の接着材を用いた接合があるが、ヘッドの微細化によ
って加圧室間の幅が狭くなっており、接着材の塗布量、
接着圧、パターニング、アラインメントなどの接着条件
が微妙になって、高精度に接合することが非常に困難に
なり、またインクに溶出し易く目詰まりの要因となる。
また、陽極接合や直接接合などの固相−固相の接合は微
細な接合に適しているものの、使用できる部材が限定さ
れる。Here, as a joining method, there is a joining method using an adhesive such as organic and glass. However, the width between the pressure chambers is reduced due to the miniaturization of the head.
Adhesion conditions such as adhesion pressure, patterning, and alignment are delicate, making it extremely difficult to join with high precision, and also easily cause elution into ink, causing clogging.
In addition, although solid-solid bonding such as anodic bonding and direct bonding is suitable for fine bonding, usable members are limited.

【００１０】これに対し、金属材料を介した接合、すな
わち、接合部材間に金属材料を挿入若しくは成膜し、加
熱及び加圧することで接合を行なう方法は、比較的接合
材料の自由度があり、はみ出しや塗り精度の問題のない
接合が可能になり、高密度インクジェットヘッドを製作
する上では最も望ましい接合方法である。[0010] On the other hand, a method of joining via a metal material, that is, a method of inserting or depositing a metal material between joining members, and performing joining by heating and pressing, has a relatively high degree of freedom of the joining material. This is a bonding method that is most desirable for manufacturing a high-density ink jet head because it enables bonding without problems of protrusion or coating accuracy.

【００１１】そこで、例えば実開昭５７−９５３４号公
報、特開昭５７−９３１６０号公報、特開平６−１２６
９５６号公報、特開平７−１２５２２１号公報に記載さ
れているように、金属材料を介した接合、特に共晶接合
を用いたインクジェットヘッドが提案されている。Therefore, for example, Japanese Utility Model Laid-Open No. 57-9534, Japanese Patent Laid-Open No. 57-93160, and Japanese Patent Laid-Open No.
As described in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 956 and Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 7-125221, an ink jet head using bonding via a metal material, particularly eutectic bonding has been proposed.

【００１２】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特に共
晶接合においては表面に形成される酸化膜が共晶状態の
形成を阻害する。例えば、シリコンと金で覆われた部材
を接合する場合、シリコン表面は、水洗浄時や大気に晒
されると容易に酸化し、自然酸化膜が形成され、この自
然酸化膜はＡｕ−Ｓiの共晶接合の妨げになってボイド
となり、微細構造の液室を十分シールする接合を得るこ
とができなくなり、液漏れの要因となる。However, especially in eutectic bonding, an oxide film formed on the surface hinders formation of a eutectic state. For example, when joining a member covered with silicon and gold, the silicon surface is easily oxidized when washed with water or exposed to the air, and a natural oxide film is formed, and this natural oxide film is formed of Au-Si. It becomes a void by disturbing the crystal bonding, and it becomes impossible to obtain a bonding that sufficiently seals the liquid chamber having a fine structure, which causes liquid leakage.

【００１３】そこで、接合直前にＨＦ（フッ酸）でシリ
コン表面の自然酸化膜を除去することも考えられるが、
これでは、特に静電型インクジェットヘッドの場合、希
フッ酸が振動板と電極のギャップに入り込み、振動板と
電極の剥離、電界印加時でのショートなどを引き起こす
ことになるので、このような方法は採用できない。Therefore, it is conceivable to remove the natural oxide film on the silicon surface with HF (hydrofluoric acid) immediately before bonding.
In this case, particularly in the case of an electrostatic ink jet head, dilute hydrofluoric acid enters the gap between the diaphragm and the electrode, causing separation of the diaphragm and the electrode, and causing a short circuit when an electric field is applied. Cannot be adopted.

【００１４】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、画像品質に優れた信頼性の高いインクジェットヘ
ッドを提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and has as its object to provide a highly reliable ink jet head having excellent image quality.

【００１５】[0015]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１のインクジェットヘッドは、インク滴を吐
出するノズルと、このノズルが連通する加圧室と、この
加圧室とを有し、この加圧室が金属材料を介して接合さ
れた２以上の部材を共晶接合して形成されたインクジェ
ットヘッドにおいて、前記２以上の部材のうちの一方の
部材の接合面に設けた金属材料上に、他方の部材の接合
面表面の酸化物を還元させる還元材料を設けた構成とし
た。According to a first aspect of the present invention, there is provided an ink jet head having a nozzle for discharging ink droplets, a pressurizing chamber communicating with the nozzle, and a pressurizing chamber. The pressurizing chamber is formed by eutectic bonding of two or more members joined via a metal material. In the ink jet head, a metal provided on a joint surface of one of the two or more members is provided. The structure was such that a reducing material for reducing an oxide on the surface of the joint surface of the other member was provided on the material.

【００１６】請求項２のインクジェットヘッドは、上記
請求項１のインクジェットヘッドにおいて、前記加圧室
を形成する部材の２つの部材の少なく一方がシリコン部
材からなる構成とした。According to a second aspect of the present invention, in the inkjet head of the first aspect, at least one of the two members forming the pressure chamber is made of a silicon member.

【００１７】請求項３のインクジェットヘッドは、上記
請求項１又は２のインクジェットヘッドにおいて、前記
一方の部材の接合面に設けた金属材料が金である構成と
した。According to a third aspect of the present invention, in the inkjet head of the first or second aspect, the metal material provided on the joining surface of the one member is gold.

【００１８】請求項４のインクジェットヘッドは、上記
請求項１乃至３のいずれかのインクジェットヘッドにお
いて、前記還元材料がチタンである構成とした。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an ink jet head according to any one of the first to third aspects, wherein the reducing material is titanium.

【００１９】請求項５のインクジェットヘッドは、上記
請求項１乃至４のいずれかのインクジェットヘッドにお
いて、前記還元材料の厚さが２０００ｎｍを越えない構
成とした。According to a fifth aspect of the present invention, in the inkjet head of any of the first to fourth aspects, the thickness of the reducing material does not exceed 2000 nm.

【００２０】請求項６のインクジェットヘッドは、上記
請求項１乃至５のいずれかのインクジェットヘッドにお
いて、前記還元材料表面に酸化を防ぐ保護膜を形成した
構成とした。According to a sixth aspect of the present invention, in the inkjet head of the first aspect, a protective film for preventing oxidation is formed on the surface of the reducing material.

【００２１】請求項７のインクジェットヘッドは、上記
請求項６のインクジェットヘッドにおいて、前記保護膜
の厚さが１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である構成と
した。According to a seventh aspect of the present invention, in the inkjet head of the sixth aspect, the protective film has a thickness of 100 nm or more and 2000 nm or less.

【００２２】請求項８のインクジェットヘッドは、上記
請求項６又は７のインクジェットヘッドにおいて、前記
加圧室を形成する部材の１つがシリコン部材からなり、
前記保護膜が金からなる構成とした。An ink jet head according to claim 8 is the ink jet head according to claim 6 or 7, wherein one of the members forming the pressurizing chamber is made of a silicon member,
The protection film was made of gold.

【００２３】請求項９のインクジェットヘッドは、上記
請求項１乃至８のいずれかのインクジェットヘッドにお
いて、前記加圧室の少なくとも一つの壁面を形成する振
動板と、この振動板に対向配置した電極とを備え、前記
振動板を電極との間で発生させる静電気力によって変形
させて前記インク滴を吐出させる構成とした。According to a ninth aspect of the present invention, in the ink jet head according to any one of the first to eighth aspects, a diaphragm forming at least one wall surface of the pressurizing chamber, and an electrode arranged to face the diaphragm. Wherein the diaphragm is deformed by an electrostatic force generated between the diaphragm and an electrode to eject the ink droplets.

【００２４】[0024]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て添付図面を参照して説明する。図１は本発明を適用し
た静電型インクジェットヘッドの断面説明図、図２は同
インクジェットヘッドの平面説明図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is an explanatory sectional view of an electrostatic inkjet head to which the present invention is applied, and FIG. 2 is an explanatory plan view of the inkjet head.

【００２５】このインクジェットヘッドは、シリコン単
結晶基板からなる振動板基板１と、この振動板基板１の
下側に設けたパイレックスガラス基板等からなる電極基
板２と、振動板基板１の上側に設けた液室部材３と、こ
の液室部材３の上側に設けた蓋部材を兼ねたノズル部材
４とを備え、液室部材３とノズル部材４とを接着剤シー
ト５で接合し、複数（便宜上１個のみ図示する。）のノ
ズル６、各ノズル６が連通する加圧室７、各加圧室７に
流体抵抗部８を介して連通する共通インク液室９などを
形成している。This ink jet head is provided with a diaphragm substrate 1 composed of a silicon single crystal substrate, an electrode substrate 2 composed of a Pyrex glass substrate or the like provided below the diaphragm substrate 1, and provided above the diaphragm substrate 1. A liquid chamber member 3 and a nozzle member 4 serving also as a lid member provided on the upper side of the liquid chamber member 3. The liquid chamber member 3 and the nozzle member 4 are joined by an adhesive sheet 5 to form a plurality (for convenience). Only one nozzle is shown), a pressurizing chamber 7 communicating with each nozzle 6, a common ink liquid chamber 9 communicating with each pressurizing chamber 7 via a fluid resistance portion 8, and the like.

【００２６】振動板基板１には、加圧室７及びこの加圧
室７の底部をなす振動板（第1の電極）１０を形成して
いる。なお、振動板１０は、例えば、シリコン単結晶基
板からなる振動板基板１に所定の厚み（例えば３μｍ）
の高濃度ボロン層を注入工程や不純物拡散工程などを経
て形成し、振動板基板１に異方性エッチングを施すこと
で高濃度ボロン層がエッチストップとなって振動板１０
が形成される。A pressure chamber 7 and a vibration plate (first electrode) 10 forming the bottom of the pressure chamber 7 are formed on the diaphragm substrate 1. The diaphragm 10 has a predetermined thickness (for example, 3 μm) formed on the diaphragm substrate 1 made of, for example, a silicon single crystal substrate.
A high-concentration boron layer is formed through an implantation step, an impurity diffusion step, and the like, and the diaphragm board 1 is subjected to anisotropic etching.
Is formed.

【００２７】また、電極基板２には振動板１０に所定
（ここでは、１μｍとしている。）のギャップを置いて
対向する電極１１を設け、この電極１１と振動板１０に
よってアクチュエータ部を構成している。この電極基板
２と振動板基板１とは陽極接合或いは直接接合によって
接合している。更に、液室部材３には共通インク液室９
及び加圧室７とノズル６とを連通するノズル連通路１３
を形成している。ノズル部材４には複数のノズル６と、
共通インク液室９にインクを供給するインク供給口１４
を形成している。The electrode substrate 2 is provided with an electrode 11 facing the diaphragm 10 with a predetermined (here, 1 μm) gap provided on the diaphragm 10, and the electrode 11 and the diaphragm 10 constitute an actuator section. I have. The electrode substrate 2 and the diaphragm substrate 1 are bonded by anodic bonding or direct bonding. Further, the liquid chamber member 3 includes a common ink liquid chamber 9.
And a nozzle communication passage 13 for communicating the pressurizing chamber 7 with the nozzle 6
Is formed. The nozzle member 4 includes a plurality of nozzles 6,
Ink supply port 14 for supplying ink to common ink liquid chamber 9
Is formed.

【００２８】このインクジェットヘッドにおいては、振
動板１０と電極１１との間に駆動電圧を印加することに
よって静電気力によって振動板１０が変形して、加圧室
７の内容積が変化することによってノズル６からインク
滴が吐出される。なお、この場合、吐出に必要な振動板
１０の変位量は加圧室７及びノズル形状により決定され
る。また、振動板１０と電極１１のギャップが微小であ
るほど吐出に必要な振動板１０の変位を得るための駆動
電圧を低くすることができる。In this ink jet head, when a driving voltage is applied between the vibration plate 10 and the electrode 11, the vibration plate 10 is deformed by electrostatic force, and the internal volume of the pressure chamber 7 is changed. 6 ejects ink droplets. In this case, the amount of displacement of the diaphragm 10 required for ejection is determined by the pressure chamber 7 and the nozzle shape. Further, the smaller the gap between the diaphragm 10 and the electrode 11 is, the lower the driving voltage for obtaining the displacement of the diaphragm 10 required for ejection can be.

【００２９】この静電型インクジェットヘッドにおいて
は、振動板基板１と液室部材３とは金属部材を介して接
合のうちの共晶接合によって接合している。ここで、液
室部材３は、図３に示すように、シリコン基板からなる
基体２１上に、ニッケル（Ｎi）２２を成膜し、このニ
ッケル２２上に、（Ａu）２３、還元層２４及び保護層
２５を順次成膜した部材からなる。In this electrostatic ink jet head, the diaphragm substrate 1 and the liquid chamber member 3 are joined by a eutectic joint among the joining via a metal member. Here, as shown in FIG. 3, the liquid chamber member 3 is formed by depositing nickel (Ni) 22 on a substrate 21 made of a silicon substrate, and (Au) 23, a reduction layer 24, It is made of a member on which the protective layer 25 is sequentially formed.

【００３０】この場合、液室部材３の金２３と振動板基
板１のシリコンとは３６０℃で共晶状態になるので、４
００℃〜４５０℃で加熱し、適当な加圧力で加圧するこ
とによって強固な接合が得られる。ただし、還元層２４
がないとシリコン基板１の接合面に生じる自然酸化膜に
よって接合が阻害されてボイドとなる。In this case, the gold 23 of the liquid chamber member 3 and the silicon of the diaphragm substrate 1 become eutectic at 360 ° C.
By heating at 00 ° C to 450 ° C and pressurizing with an appropriate pressing force, strong bonding can be obtained. However, the reduction layer 24
Otherwise, the bonding is hindered by a natural oxide film formed on the bonding surface of the silicon substrate 1 to form a void.

【００３１】そこで、この液室部材３には還元層２４を
設けている。この還元層２４は、シリコン単結晶基板か
らなる振動板基板１と共晶接合するときに、振動板基板
１の接合面に形成される自然酸化膜を還元して除去する
ためのものである。還元層２４に用いることができる材
料は、少なくとも液室を構成する材料（液室材料）より
も酸化し易いもの、つまり、接合時における温度での標
準自由エネルギー変化が液室材料よりも低い必要があ
る。例えば、振動板基板１にシリコンを用いたとき、シ
リコンより酸化し易いＴi、Ａl、Ｌi、Ｍg、Ｃaなどを
用いることができる。Therefore, a reduction layer 24 is provided in the liquid chamber member 3. The reduction layer 24 is for reducing and removing a natural oxide film formed on the bonding surface of the diaphragm substrate 1 when performing eutectic bonding with the diaphragm substrate 1 made of a silicon single crystal substrate. The material that can be used for the reduction layer 24 is more easily oxidized than at least the material constituting the liquid chamber (liquid chamber material), that is, the standard free energy change at the temperature at the time of joining needs to be lower than that of the liquid chamber material. There is. For example, when silicon is used for the diaphragm substrate 1, Ti, Al, Li, Mg, Ca, or the like, which is more easily oxidized than silicon, can be used.

【００３２】また、還元層２４の効果を有効にさせるた
めには、少なくとも接合時以前に液室ではなく雰囲気に
完全に酸化されてはならないので、保護層２５を用いな
い場合には特に、還元層２４として加熱温度領域までそ
の酸化物の解離圧が高い方が好ましい。Further, in order to make the effect of the reducing layer 24 effective, the oxidation must not be completely oxidized to the atmosphere instead of the liquid chamber at least before the bonding. The layer 24 preferably has a higher dissociation pressure of the oxide up to the heating temperature range.

【００３３】さらに、高密度なノズルを形成するには振
動板基板１をμｍ単位の精度で加工することが要求され
る。更に、振動板１０は駆動電圧を印加する場合の共通
電極となるので、導体又は半導体で形成する。シリコン
単結晶基板に対してＫＯＨ等によって異方性エッチング
を用いて加圧室７等を加工するにはマイクロマシーニン
グを用いることで、微細加工が可能であり、微少なギャ
ップ形成、及び高密度化の点で有利である。液室を形成
する部材にシリコンを用いた場合では、これらの条件に
会う還元層材料として、Ｔiを挙げることができる。Further, in order to form a high-density nozzle, it is required to process the diaphragm substrate 1 with an accuracy of μm. Further, the diaphragm 10 is formed of a conductor or a semiconductor because it serves as a common electrode when a driving voltage is applied. To process the pressure chamber 7 and the like using anisotropic etching with KOH or the like with respect to a silicon single crystal substrate, micromachining can be used, so that fine processing can be performed. This is advantageous in terms of conversion. In the case where silicon is used for the member forming the liquid chamber, Ti can be cited as a reduction layer material meeting these conditions.

【００３４】還元層２４を用いた場合、加熱以前に雰囲
気により還元層（Ｔi）２４が完全に酸化してしまうと
還元の効果がなくなると共に、還元層２５は逆にＡu中
へのSiの拡散を阻害するようになる。そのため還元層２
４は、少なくとも深さ方向に対して雰囲気により酸化さ
れる部分以上の膜厚が必要となる。他方、Ｔiの膜厚が
厚すぎると、Ｔiが振動板基板１表層を覆い、Ａu中への
Ｓiの拡散を阻害するようになり、接合強度が低下し、
シール性が低下するようになり、これはノズルを高密度
化するほど具現化する。そこで、還元層２４（Ｔi膜）
の膜厚は、２０００ｎｍ以下にすることが好ましく、こ
の範囲に設定することで良好な接合が得られる。In the case where the reducing layer 24 is used, if the reducing layer (Ti) 24 is completely oxidized by the atmosphere before heating, the reducing effect is lost, and the reducing layer 25 conversely diffuses Si into Au. Will be inhibited. Therefore, reduction layer 2
No. 4 requires a film thickness that is at least a portion oxidized by the atmosphere in the depth direction. On the other hand, if the thickness of Ti is too large, Ti covers the surface layer of diaphragm substrate 1 and inhibits the diffusion of Si into Au, and the bonding strength decreases.
The sealing performance is reduced, and this is realized as the density of the nozzle is increased. Therefore, the reduction layer 24 (Ti film)
Is preferably 2000 nm or less, and by setting the thickness in this range, good bonding can be obtained.

【００３５】また、還元層２４を薄くするには接合時ま
での還元層２４（Ｔi膜）の酸化を低下すればよい。還
元層２４の酸化は主に温度、酸素分圧、還元層により生
成される酸化物の解離圧等により決定される。To reduce the thickness of the reduced layer 24, the oxidation of the reduced layer 24 (Ti film) up to the time of joining may be reduced. The oxidation of the reduction layer 24 is mainly determined by the temperature, the oxygen partial pressure, the dissociation pressure of the oxide generated by the reduction layer, and the like.

【００３６】ここで、接合温度及び解離圧は、用いる材
料により決定されるため酸素分圧を低減することが有効
である。酸素分圧を低減する方法としては、不活性雰囲
気中で接合を行なうこと、及び真空中で接合を行なうこ
とが挙げられる。不活性雰囲気で行う場合、不活性ガス
を流しながら加熱する。不活性ガスとしては、窒素、ア
ルゴン、又これらの混合したガスを用いることができ
る。また、真空中で加熱する場合は、高真空であること
が好ましい。Here, since the joining temperature and the dissociation pressure are determined by the material used, it is effective to reduce the oxygen partial pressure. As a method of reducing the oxygen partial pressure, bonding in an inert atmosphere and bonding in a vacuum can be mentioned. When the heat treatment is performed in an inert atmosphere, heating is performed while flowing an inert gas. As the inert gas, nitrogen, argon, or a mixture thereof can be used. When heating in vacuum, high vacuum is preferred.

【００３７】保護層２５は、還元層２４の酸化を低減す
るためのものである。例えば、１μｍの金をコバール上
に形成した後、還元する材料としてＴiを１００ｎｍ形
成し、更に金を１０ｎｍ形成することで、自然酸化膜の
除去を行わないシリコンに対してＴiの雰囲気中での酸
化を抑えることができて、良好な接合を得ることができ
る。The protective layer 25 is for reducing the oxidation of the reduction layer 24. For example, after 1 μm of gold is formed on Kovar, 100 nm of Ti is formed as a material to be reduced, and then 10 nm of gold is formed. Oxidation can be suppressed, and good bonding can be obtained.

【００３８】保護層２５には、比較的安定した材料を用
いることが好ましい。このような材料としては、貴金
属、白金族の金属などを挙げることができる。For the protective layer 25, it is preferable to use a relatively stable material. Examples of such a material include a noble metal and a platinum group metal.

【００３９】また、保護層２５が液室表面の酸化物を還
元するには還元層２５と加圧室７を形成する振動板基板
１が接する必要がある。そのためには、保護層２５が接
合時に液化していることと荷重をかけることが必要とな
る。先ず、保護層２５を液化するには、単純には接合温
度を保護層２５の融点以上に加熱すればよいのである
が、この方法では温度を少なくとも１０００℃近くまで
上げるが必要があり、好ましくない。In order for the protective layer 25 to reduce oxides on the surface of the liquid chamber, the reducing layer 25 and the diaphragm substrate 1 forming the pressurized chamber 7 need to be in contact with each other. For that purpose, it is necessary that the protective layer 25 is liquefied at the time of joining and that a load is applied. First, in order to liquefy the protective layer 25, it is sufficient to simply heat the bonding temperature to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective layer 25. However, in this method, it is necessary to raise the temperature to at least about 1000 ° C., which is not preferable. .

【００４０】振動板基板１にシリコンを使用している場
合には、保護層２５として金を用いれば、シリコンと金
が共晶反応を生じ５００℃以下の加熱により保護層２５
が液化するようになる。この場合には、還元層２５の雰
囲気による酸化も融点以上に加熱する場合と比較して低
減でき、また、液室部材３の基体と金属薄膜との合金化
を生じるなどの問題を起こすことなく、接合時に保護層
２５が液化するようになる。When silicon is used for the diaphragm substrate 1, if gold is used as the protective layer 25, a eutectic reaction occurs between silicon and gold, and the protective layer 25 is heated at 500 ° C. or less.
Becomes liquefied. In this case, the oxidation of the reduced layer 25 due to the atmosphere can be reduced as compared with the case where the reduced layer 25 is heated to a temperature equal to or higher than the melting point, and without causing a problem such as alloying between the base of the liquid chamber member 3 and the metal thin film. At the time of bonding, the protective layer 25 becomes liquefied.

【００４１】振動板基板１と液室部材３とを接合すると
きの荷重は、少なくとも１ｋｇ／ｃｍ²以上であること
が好ましい。振動板基板１と保護層２５の共晶状態を生
じるためには、局部的に振動板基板１表面の自然酸化膜
を破壊し、振動板基板１と保護層２５界面において拡散
を生じさせる必要がある。この局部的な自然酸化膜の破
壊が生じる面積を多くするほど、短時間で保護層２５の
液化が開始するようになる。保護層２５が液化すること
で、還元層２４が振動板基板１表面と接して、振動板基
板１表面に残った自然酸化膜を還元するので、全域で良
好な接合が得られる。It is preferable that the load when joining the diaphragm substrate 1 and the liquid chamber member 3 is at least 1 kg / cm ² or more. In order to cause the eutectic state between the diaphragm substrate 1 and the protective layer 25, it is necessary to locally destroy the natural oxide film on the surface of the diaphragm substrate 1 and cause diffusion at the interface between the diaphragm substrate 1 and the protective layer 25. is there. The liquefaction of the protective layer 25 starts in a shorter time as the area where the local destruction of the natural oxide film occurs is increased. When the protective layer 25 is liquefied, the reducing layer 24 comes into contact with the surface of the diaphragm substrate 1 and reduces the natural oxide film remaining on the surface of the diaphragm substrate 1, so that good bonding can be obtained over the entire region.

【００４２】保護層２５の厚さは、具体的には１００ｎ
ｍ以上２０００ｎｍ以下であることが好ましい。保護層
２５が薄すぎると、膜質が低下し結晶性などで問題とな
る場合が多く、このような保護膜では還元層２４に容易
に酸素が取り込まれ還元層２４の効果が低減する。そこ
で、保護層２５の厚さは、少なくとも、１００ｎｍ以上
にすることが好ましい。また、保護層２５が厚すぎる
と、保護層の液化に時間を要することになり、また保護
層自体が還元層２４と振動板基板１表面の接触を阻害す
るようになる。そこで、保護層２５の厚さは、少なくと
も２０００ｎｍ以下にすることが好ましい。The thickness of the protective layer 25 is specifically 100 n
It is preferably not less than m and not more than 2000 nm. If the thickness of the protective layer 25 is too thin, the quality of the film is deteriorated and the crystallinity often becomes a problem. In such a protective film, oxygen is easily taken into the reduced layer 24 and the effect of the reduced layer 24 is reduced. Therefore, it is preferable that the thickness of the protective layer 25 be at least 100 nm or more. If the protective layer 25 is too thick, it takes time to liquefy the protective layer, and the protective layer itself hinders the contact between the reducing layer 24 and the surface of the diaphragm substrate 1. Therefore, it is preferable that the thickness of the protective layer 25 be at least 2000 nm or less.

【００４３】そこで、具体的な実施例について説明す
る。上述した図２のインクジェットヘツドを製作した。
作成方法はＳi単結晶からなる振動板基板１にＫＯＨ等
による異方性エッチングで加圧室７、振動板１０を形成
する。また、ホウケイ酸ガラスからなる電極基板２にエ
ッチングでギャップとなる微小間隔を形成し、Ｎi電極
１１を成膜した後、振動板基板１と電極基板２とをＳ
i、ガラスの陽極接合で接合し、振動板基板１と液室部
材４を共晶接合で接合して加圧室７を密閉した。Therefore, a specific embodiment will be described. The above-described inkjet head of FIG. 2 was manufactured.
The pressure chamber 7 and the diaphragm 10 are formed on the diaphragm substrate 1 made of a Si single crystal by anisotropic etching using KOH or the like. Also, after forming a minute gap to be a gap by etching on the electrode substrate 2 made of borosilicate glass and forming the Ni electrode 11, the diaphragm substrate 1 and the electrode substrate 2
i. Bonded by anodic bonding of glass, diaphragm substrate 1 and liquid chamber member 4 were bonded by eutectic bonding, and pressure chamber 7 was sealed.

【００４４】液室部材４はシリコンからなる基体２１を
用いて、ニッケル膜２２を０．３μｍ厚で成膜した後、
０．７μｍの厚みで金２３をメッキにより形成した。そ
の後スパッタにより、還元層２４としてＴi膜を形成
し、保護層２５として金を形成したものを用いた。The liquid chamber member 4 is formed by forming a nickel film 22 to a thickness of 0.3 μm using a substrate 21 made of silicon.
Gold 23 was formed by plating with a thickness of 0.7 μm. Thereafter, a Ti film was formed as the reduced layer 24 by sputtering, and gold was formed as the protective layer 25.

【００４５】振動板基板１と液室部材３との接合は、窒
素雰囲気中で４００℃−１時間で2２ｋｇ／ｃｍ²の荷重
をかけて行った。保護層２５を厚さ２００ｎｍの金とし
て、還元層２４としてのＴiの膜厚を変化させた場合の
実験結果を表１に示している。The joining of the diaphragm substrate 1 and the liquid chamber member 3 was performed in a nitrogen atmosphere at 400 ° C. for 1 hour while applying a load of 22 kg / cm ² . Table 1 shows the experimental results when the protective layer 25 was made of gold having a thickness of 200 nm and the thickness of Ti as the reduction layer 24 was changed.

【００４６】[0046]

【表１】 [Table 1]

【００４７】この表１から分かるように、Ｔi（還元層
２４）を挿入することで振動板基板１と液室部材３との
接合面でのシール性が向上した。また、Ｔiの膜厚が１
００ｎｍ程度ではＴiが酸化し接合ができなかった。更
に、Ｔiの膜厚が３０００ｎｍになるとＴiの酸化が見ら
れないものの、Ｓiの拡散が少なくなり、接合できなか
った。As can be seen from Table 1, by inserting Ti (reducing layer 24), the sealing property at the joint surface between diaphragm substrate 1 and liquid chamber member 3 was improved. Further, when the film thickness of Ti is 1
At about 00 nm, Ti was oxidized and bonding could not be performed. Further, when the film thickness of Ti became 3000 nm, although oxidation of Ti was not observed, diffusion of Si was reduced, and joining was not possible.

【００４８】同様に、還元層２４を厚さ５００ｎｍのＴ
iとして、保護層２５としての金の膜厚を変化させた場
合の実験結果を表２に示している。Similarly, a 500 nm thick T
Table 2 shows the experimental results when the thickness of gold as the protective layer 25 was changed as i.

【００４９】[0049]

【表２】 [Table 2]

【００５０】この表２から分かるように、金の膜厚を増
加させることでＴiの酸化を低減できるが、厚くしすぎ
ると良好に接合しなくなる。As can be seen from Table 2, the oxidation of Ti can be reduced by increasing the film thickness of gold, but if it is too thick, good bonding cannot be achieved.

【００５１】次に、液室部材３の他の例について図４及
び図５を参照して説明する。先ず、図４の液室部材３は
金属材料からなる基体３１の表面に下地層３２を形成
し、この下地層３２上に金属材料からなる金属層（例え
ば上記Ａu層）３３を基体３１の両面にメッキにより成
幕し、この金属層３３上に還元層３４及び保護層３５を
順次成膜したものである。下地層３２は基体３１と金属
層３３の剥離を防止するためのものであり、基体３１が
金属層３３と合い易い場合には下地層３２は用いなくて
もよい。Next, another example of the liquid chamber member 3 will be described with reference to FIGS. First, in the liquid chamber member 3 shown in FIG. 4, a base layer 32 is formed on the surface of a base 31 made of a metal material, and a metal layer (for example, the Au layer) 33 made of a metal material is formed on the base layer 32 on both sides of the base 31. The reduction layer 34 and the protection layer 35 are sequentially formed on the metal layer 33. The base layer 32 is for preventing the base 31 and the metal layer 33 from peeling off. If the base 31 easily fits with the metal layer 33, the base layer 32 may not be used.

【００５２】また、図５の液室部材３は、前記図２の液
室部材を一般化したもので、シリコン、或いはセラミッ
クなどからなる基体４１の表面に下地層４２を形成して
金属化し、この下地層４２上に金属材料からなる金属層
（例えば上記Ａu層）４３を基体４１の片面にメッキに
より成膜し、この金属層４３上に還元層４４及び保護層
４５を順次成膜したものである。下地層４２は非金属材
料からなる基体４１表面を金属化するためのものであ
る。The liquid chamber member 3 shown in FIG. 5 is a generalized version of the liquid chamber member shown in FIG. 2, and is formed by forming an underlayer 42 on the surface of a substrate 41 made of silicon or ceramic and metallizing the same. A metal layer (for example, the Au layer) 43 made of a metal material is formed on the underlayer 42 by plating on one surface of the substrate 41, and a reduction layer 44 and a protective layer 45 are sequentially formed on the metal layer 43. It is. The underlayer 42 is for metallizing the surface of the base 41 made of a nonmetallic material.

【００５３】なお、上記実施形態においては、振動板基
板上に液室部材を接合して加圧室を形成する構成で説明
しているが、これに限るものではなく、振動板基板上に
ノズル部材を直接接合する構成のインクジェットヘッド
でも同様に適用することができる。In the above embodiment, the configuration in which the liquid chamber member is joined to the diaphragm substrate to form the pressurizing chamber is described. However, the present invention is not limited to this. The same can be applied to an inkjet head having a configuration in which members are directly joined.

【００５４】また、上記実施形態においては、本発明を
静電型インクジェットヘッドに適用した例で説明した
が、これ以外の圧電素子などの電気機械変換素子を用い
る方式、発熱抵抗体などの電機熱変換素子を用いる方式
のインクジェットヘッドなど、その他の方式のインクジ
ェットヘッドであっても加圧室を２以上の部材を共晶接
合して形成するものには同様に適用することができる。In the above embodiment, the present invention is applied to an electrostatic ink jet head. However, other than the above, a method using an electromechanical transducer such as a piezoelectric element, an electric heater such as a heating resistor, etc. Other types of ink jet heads such as an ink jet head using a conversion element can be similarly applied to those in which a pressure chamber is formed by eutectic bonding of two or more members.

【００５５】[0055]

【発明の効果】以上説明したように、請求項１のインク
ジェットヘッドによれば、加圧室が金属材料を介して接
合された２以上の部材を共晶接合して形成されたインク
ジェットヘッドにおいて、２以上の部材のうちの一方の
部材の接合面に設けた金属材料上に、他方の部材の接合
面表面の酸化物を還元させる還元材料を設けたので、良
好な接合を行なうことができて、画像品質に優れた信頼
性の高いインクジェットヘッドを得ることができる。As described above, according to the ink jet head of the first aspect, in the ink jet head in which the pressurizing chamber is formed by eutectic bonding of two or more members joined via a metal material, Since the reducing material for reducing the oxide on the surface of the joining surface of the other member is provided on the metal material provided on the joining surface of one of the two or more members, good joining can be performed. Thus, a highly reliable ink jet head having excellent image quality can be obtained.

【００５６】請求項２のインクジェットヘッドによれ
ば、上記請求項１のインクジェットヘッドにおいて、加
圧室を形成する部材の２つの部材の少なく一方がシリコ
ン部材からなる構成としたので、加圧室の微細加工が可
能になる。According to the ink jet head of claim 2, in the ink jet head of claim 1, at least one of the two members forming the pressurizing chamber is made of a silicon member. Fine processing becomes possible.

【００５７】請求項３のインクジェットヘッドによれ
ば、上記請求項１又は２のインクジェットヘッドにおい
て、一方の部材の接合面に設けた金属材料が金である構
成としたので、良好な接合を行なうことができる。According to the ink jet head of the third aspect, in the ink jet head of the first or second aspect, the metal material provided on the bonding surface of one of the members is made of gold. Can be.

【００５８】請求項４のインクジェットヘッドによれ
ば、上記請求項１乃至３のいずれかのインクジェットヘ
ッドにおいて、還元材料がチタンである構成としたの
で、良好な接合を行なうことができる。According to the ink jet head of the fourth aspect, in the ink jet head of any one of the first to third aspects, the reducing material is made of titanium, so that good joining can be performed.

【００５９】請求項５のインクジェットヘッドによれ
ば、上記請求項１乃至４のいずれかのインクジェットヘ
ッドにおいて、還元材料の厚さが２０００ｎｍを越えな
い構成としたので、還元層による接合を阻害することが
なく良好な接合を行なうことができる。According to the ink jet head of the fifth aspect, in the ink jet head of any one of the first to fourth aspects, the thickness of the reducing material does not exceed 2000 nm. Good bonding can be performed without any problem.

【００６０】請求項６のインクジェットヘッドによれ
ば、上記請求項１乃至５のいずれかのインクジェットヘ
ッドにおいて、還元材料表面に酸化を防ぐ保護膜を形成
した構成としたので、還元層自体の酸化を防止できて、
保管管理が容易になる。According to the ink jet head of claim 6, in the ink jet head of any one of claims 1 to 5, a protective film for preventing oxidation is formed on the surface of the reducing material. Can be prevented,
Storage management becomes easy.

【００６１】請求項７のインクジェットヘッドによれ
ば、上記請求項６のインクジェットヘッドにおいて、前
記保護膜の厚さが１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であ
る構成としたので、還元層の酸化防止と共に保護膜によ
る接合障害を防止できる。According to the ink jet head of claim 7, in the ink jet head of claim 6, the thickness of the protective film is 100 nm or more and 2000 nm or less. Failure can be prevented.

【００６２】請求項８のインクジェットヘッドによれ
ば、上記請求項６又は７のインクジェットヘッドにおい
て、加圧室を形成する部材の１つがシリコン部材からな
り、保護膜が金からなる構成としたので、良好な接合を
行なうことができる。According to the ink jet head of claim 8, in the ink jet head of claim 6 or 7, one of the members forming the pressure chamber is made of a silicon member, and the protective film is made of gold. Good bonding can be performed.

【００６３】請求項９のインクジェットヘッドによれ
ば、上記請求項１乃至８のいずれかのインクジェットヘ
ッドにおいて、加圧室の少なくとも一つの壁面を形成す
る振動板と、この振動板に対向配置した電極とを備え、
振動板を電極との間で発生させる静電気力によって変形
させてインク滴を吐出させる構成としたので、画像品質
が高く信頼性の高い静電型インクジェットヘッドを得る
ことができる。According to the ink jet head of the ninth aspect, in the ink jet head of any one of the first to eighth aspects, the diaphragm forming at least one wall surface of the pressurizing chamber and the electrode disposed opposite to the diaphragm are provided. With
Since the vibration plate is configured to be deformed by the electrostatic force generated between the electrodes and the ink droplets to be ejected, an electrostatic inkjet head having high image quality and high reliability can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明を適用した静電型インクジェットヘッド
の断面説明図FIG. 1 is an explanatory cross-sectional view of an electrostatic inkjet head to which the present invention is applied.

【図２】同ヘッドの平面説明図FIG. 2 is an explanatory plan view of the head.

【図３】同ヘッドの液室部材を説明する模式的説明図FIG. 3 is a schematic explanatory view illustrating a liquid chamber member of the head.

【図４】液室部材の他の例を説明する模式的説明図FIG. 4 is a schematic explanatory view illustrating another example of the liquid chamber member.

【図５】液室部材の更に他の例を説明する模式的説明図FIG. 5 is a schematic explanatory view illustrating still another example of the liquid chamber member.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…振動板基板、２…電極基板、３…液室部材、４…ノ
ズル部材、６…ノズル、７…加圧室、１０…振動板、１
１…電極、２４…還元層、２５…保護層。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... diaphragm board, 2 ... electrode board, 3 ... liquid chamber member, 4 ... nozzle member, 6 ... nozzle, 7 ... pressurizing chamber, 10 ... diaphragm, 1
1 ... electrode, 24 ... reducing layer, 25 ... protective layer.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 インク滴を吐出するノズルと、このノズ
ルが連通する加圧室と、この加圧室とを有し、この加圧
室が金属材料を介して接合された２以上の部材を共晶接
合して形成されたインクジェットヘッドにおいて、前記
２以上の部材のうちの一方の部材の接合面に設けた金属
材料上に、他方の部材の接合面表面の酸化物を還元させ
る還元材料を設けたことを特徴とするインクジェットヘ
ッド。1. A nozzle for discharging ink droplets, a pressurized chamber communicating with the nozzle, and a pressurized chamber, wherein the pressurized chamber includes two or more members joined via a metal material. In an inkjet head formed by eutectic bonding, a reducing material for reducing an oxide on a bonding surface of the other member is provided on a metal material provided on a bonding surface of one of the two or more members. An ink jet head characterized by being provided. 【請求項２】 請求項１に記載のインクジェットヘッド
において、前記加圧室を形成する部材の２つの部材の少
なく一方がシリコン部材からなることを特徴とするイン
クジェットヘッド。2. The ink jet head according to claim 1, wherein at least one of the two members forming the pressure chamber is made of a silicon member. 【請求項３】 請求項１又は２に記載のインクジェット
ヘッドにおいて、前記一方の部材の接合面に設けた金属
材料が金であることを特徴とするインクジェットヘッ
ド。3. The ink jet head according to claim 1, wherein the metal material provided on the joining surface of said one member is gold. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載のイン
クジェットヘッドにおいて、前記還元材料がチタンであ
ることを特徴とするインクジェットヘッド。4. The ink jet head according to claim 1, wherein said reducing material is titanium. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載のイン
クジェットヘッドにおいて、前記還元材料の厚さが２０
００ｎｍを越えないことを特徴とするインクジェットヘ
ッド。5. The ink jet head according to claim 1, wherein said reducing material has a thickness of 20%.
An ink jet head characterized by not exceeding 00 nm. 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかに記載のイン
クジェットヘッドにおいて、前記還元材料表面に酸化を
防ぐ保護膜を形成したことを特徴とするインクジェット
ヘッド。6. The ink jet head according to claim 1, wherein a protective film for preventing oxidation is formed on the surface of the reducing material. 【請求項７】 請求項６に記載のインクジェットヘッド
において、前記保護膜の厚さが１００ｎｍ以上２０００
ｎｍ以下であることを特徴とするインクジェットヘッ
ド。7. The ink jet head according to claim 6, wherein the thickness of the protective film is 100 nm or more and 2000 nm or more.
nm or less. 【請求項８】 請求項６又は７に記載のインクジェット
ヘッドにおいて、前記加圧室を形成する部材の１つがシ
リコン部材からなり、前記保護膜が金からなることを特
徴とするインクジェットヘッド。8. The ink jet head according to claim 6, wherein one of the members forming the pressure chamber is made of a silicon member, and the protective film is made of gold. 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれかに記載のイン
クジェットヘッドにおいて、前記加圧室の少なくとも一
つの壁面を形成する振動板と、この振動板に対向配置し
た電極とを備え、前記振動板を電極との間で発生させる
静電気力によって変形させて前記インク滴を吐出させる
ことを特徴とするインクジェットヘッド。9. The ink jet head according to claim 1, further comprising: a vibration plate that forms at least one wall surface of the pressure chamber; and an electrode that is arranged to face the vibration plate. An ink jet head, wherein the ink droplet is ejected by deforming a plate by an electrostatic force generated between the electrode and an electrode.