JPH05235689A - 高周波デバイス - Google Patents

高周波デバイス

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JPH05235689A
JPH05235689A JP3822092A JP3822092A JPH05235689A JP H05235689 A JPH05235689 A JP H05235689A JP 3822092 A JP3822092 A JP 3822092A JP 3822092 A JP3822092 A JP 3822092A JP H05235689 A JPH05235689 A JP H05235689A
Authority
JP
Japan
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high frequency
frequency device
filter
bare chip
circuit board
Prior art date
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Pending
Application number
JP3822092A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Owada
廣 大和田
Takehiko Fukaya
武彦 深谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Soshin Electric Co Ltd
Original Assignee
Soshin Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Soshin Electric Co Ltd filed Critical Soshin Electric Co Ltd
Priority to JP3822092A priority Critical patent/JPH05235689A/ja
Publication of JPH05235689A publication Critical patent/JPH05235689A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 移動体通信端末機器等に使用される高周波デ
バイスの小型,軽量化を図る。 【構成】 配線回路基板1の少くとも一面に、表面弾性
波フィルター10を裸チップ状態でボンディング実装す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、通信機器等に使用され
る高周波デバイスに係り、詳しくは、表面弾性波フィル
ター(以下、SAWフィルターと略すことがある)を実
装した高周波デバイスの小型,軽量化を図ることができ
る構造に関する。
【0002】
【従来の技術】自動車電話器,携帯電話器に代表される
移動体通信端末機器は、半導体ICの高集積化を中心と
し、電圧制御発信器(VCO),高周波増幅器等の高周
波デバイス、小型,表面実装形態化された抵抗器,コン
デンサ等、一般電子部品とフィルター等の電子部品,デ
バイスを、高密度化したプリント配線基板に実装するこ
とで、小型,軽量化が実現されてきた。
【0003】これらの移動体通信端末機器は、今後共、
より機能を高めつつ一層の小型,軽量化が進展するもの
と期待され、そのためには、使用される電子部品及びデ
バイスの更なる小形化,高性能化は不可欠の要素とな
る。
【0004】図5は,従来の高周波デバイスの一般的な
構造断面図を示すもので、配線回路基板1の表面に、導
体配線路及び部品搭載のための電極より成る配線回路2
を設け、該配線回路2に、半導体デバイス3,抵抗器,
コンデンサ等の一般電子部品4やSAWフィルター等の
フィルター5を実装している。
【0005】また、配線回路基板1には、プリント配線
回路基板搭載のためのリード端子6が設けられ、さら
に、シールドと耐環境保護による信頼性確保の目的で、
金属ケース7を被覆している。
【0006】上記高周波デバイスの基体となる配線回路
基板1には、紙/フェノール,ガラス/エポキシ等の有
機系のものや、セラミック系のものがあるが、最近は小
型,軽量化実現のため、多層化の傾向が強くなってきて
いる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、フィル
ターを搭載して成る高周波デバイスにおいて、使用され
るフィルターとしては、LCフィルター,誘電体フィル
ター,SAWフィルターが適宜選択されるが、一般的
に、フィルターの性能と形状寸法とは、反比例する関係
にあって、フィルターの性能を高めれば高めるほど形状
寸法は大きくなり、デバイスの小型,軽量化の妨げとな
る。逆に、機器寸法の制約上からのフィルターの小型化
は、フィルター特性が不十分故の機器性能の妥協を強い
られることになる。
【0008】最近、機器の小型化のために多く用いられ
ているSAWフィルターにおいても、この関係は例外で
はない。特にSAWフィルターは、素子を金属ケースに
封止した単体デバイス、いわゆる缶封止パッケージ型S
AWフィルターとして使用されているため、機器の小
型,軽量化実現の大きな障害となっていた。
【0009】そこで本発明は、SAWフィルターとして
缶封止パッケージ型を用いずに、該SAWフィルターを
裸チップ状態で用いることにより、小型,軽量化を図る
ことができる高周波デバイスを提供することを目的とし
ている。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の高周波デバイスは、配線回路基板の少くと
も一面に、表面弾性波フィルターを裸チップ状態でボン
ディング実装したことを特徴とするものであり、特に、
前記配線回路基板が、高周波デバイスの損失低減に不可
欠な高導電性金属が配線材料として使用できる低温多層
セラミック系から成り、回路的にフィルター機能を内蔵
するものであることを特徴とするものである。
【0011】さらに、本発明の高周波デバイスは、低温
多層セラミック配線回路基板の少くとも一面に、キャビ
ティを少くとも1個形成するとともに、該キャビティ内
に、裸チップ状態の表面弾性波フィルターを埋め込み、
ボンディング実装したことを特徴とするものを含むもの
である。
【0012】
【作 用】上記のように、SAWフィルターを裸チップ
状態で実装することにより、従来の缶封止パッケージ型
のものを実装する場合に比べて、高周波デバイスを小
型,軽量化することができる。
【0013】
【実施例】以下、本発明を、図面に示す実施例に基づい
てさらに詳細に説明する。なお、前記図5に示した従来
例と同一要素のものには同一符号を付して、その詳細な
説明は省略する。
【0014】図1は、本発明の高周波デバイスの第1実
施例を示すもので、この高周波デバイスは、配線導体及
び部品搭載のための電極より成る配線回路2を設けた配
線回路基板1の表面に、半導体デバイス3、抵抗器,コ
ンデンサ等の一般電子部品4,4,並びに裸チップ状態
のSAWフィルター10をボンディング実装し、かつプ
リント配線回路基板へ実装するためのリード端子6を設
けた高周波回路モジュールを、金属ケース7で封止した
ものである。
【0015】即ち、高周波デバイスの基体である配線回
路基板1の所定位置に、裸チップ状態のSAWフィルタ
ー10を搭載するための電極パッド2a,2bを形成す
るとともに、必要に応じてスルーホール2cを形成して
おく。裸チップ状態のSAWフィルター10の実装は、
一般的なボンディングで行うことができ、ワイヤーボン
ディングあるいはフリップチップボンディングのいずれ
の方法でも良い。
【0016】上記のように裸チップ状態のSAWフィル
ター10を実装した高周波回路モジュールは、該SAW
フィルター10側を金属ケース7で封止し、必要に応じ
て、該ケース7内に窒素ガスやアルゴンガス等の不活性
ガスを充填して耐環境信頼性を確保する。
【0017】このように、配線回路基板1の表面に、裸
チップ状態のSAWフィルター10を実装することによ
り、配線回路基板1のSAWフィルター実装部の配線回
路2を高密度化できるとともにモジュールの高さも低く
でき、金属ケース7を含めた全体を小型化できるので、
シールドされた高周波デバイスの小型,軽量化が図れ
る。
【0018】図2は、本発明の第2実施例を示すもの
で、高周波デバイスの基体である配線回路基板として、
セラミック多層基板20を用いたものである。このセラ
ミック多層基板20は、各層毎に所定の導電路21と各
層相互接続のためのバイアホール22を備えたものであ
って、例えば、850℃〜1000℃の温度で焼成可能
な低温型セラミック多層基板を用いている。
【0019】多層化の方法としては、各層毎に所定の導
電路と各層相互接続のためのバイアホールとを備えたセ
ラミックグリーンシートを順次積層して加熱圧着後、同
時焼成して形成する方法、あるいは、コアーに予め配線
路を形成したセラミック配線基板に、予め下部導体と接
続するためのバイアホールを設けたセラミックグリーン
シートを貼りつけ、焼成後、上部導体を印刷して多層化
する方法、あるいは、絶縁ガラスを印刷,焼成し、その
上に導体路を形成する手順を順次繰り返すことで多層化
する方法等のいずれの方法でも良い。
【0020】本実施例は、以上のような方法にて、フィ
ルター機能を内蔵したセラミック多層基板20に、半導
体デバイス3、抵抗器,コンデンサ等の一般電子部品
4,4及び裸チップ状態のSAWフィルター10を実装
し、リード端子6を設けた高周波回路モジュールを金属
ケース7で封止して高周波デバイスを形成したものであ
る。
【0021】図3は、本発明の第3実施例を示すもの
で、上記同様のセラミック多層基板20の一面に、SA
Wフィルター実装用のキャビティ30を設け、該キャビ
ティ30内にSAWフィルター10を埋め込むようにし
て実装したものである。なお、他の構成は、上記図2と
同様に構成されているため、同一要素のものには同一符
号を付して、その詳細な説明は省略する。
【0022】また、図4は、本発明の第4実施例を示す
もので、上記第3実施例に示した高周波デバイスにおい
て、高周波回路モジュールの略全体を覆う金属ケース7
に代えて、裸チップ状態のSAWフィルター10を埋め
込み実装するキャビティ30の開口部のみを覆う金属キ
ャップ31を設けたものである。
【0023】このように、裸チップ状態のSAWフィル
ター10を、セラミック多層基板20の一面に設けたキ
ャビティ30内にボンディングにて実装するとともに、
該キャビティ30の開口部のみを金属キャップ31で覆
うようにして高周波デバイスを形成することにより、さ
らに高周波デバイスの小型,軽量化を図ることができ
る。
【0024】なお、基板に形成する回路や実装する部品
等は、高周波デバイスの目的に応じて適宜設計できるも
のであり、本発明は、様々な回路構成の高周波デバイス
に適用することが可能である。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の高周波デ
バイスは、配線回路基板に、表面弾性波フィルターを裸
チップ状態でボンディング実装したから、従来品に比べ
て大幅な小型,軽量化が図れ、移動体通信端末機器等の
小型,軽量化及び高機能の促進に寄与できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の高周波デバイスの第1実施例を示す
構造断面図である。
【図2】 同じく第2実施例を示す構造断面図である。
【図3】 同じく第3実施例を示す構造断面図である。
【図4】 同じく第4実施例を示す構造断面図である。
【図5】 従来の高周波デバイスの一例を示す構造断面
図である。
【符号の説明】
1…配線回路基板 2…配線回路 3…半導体
デバイス 4…一般電子部品 6…リード端子 7…金属
ケース 10…裸チップ状態の表面弾性波(SAW)フィルター 20…セラミック多層基板 21…導電路 2
2…バイアホール 30…キャビティ 31…金属キャップ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 配線回路基板の少くとも一面に、表面弾
    性波フィルターを裸チップ状態でボンディング実装した
    ことを特徴とする高周波デバイス。
  2. 【請求項2】 前記配線回路基板が低温多層セラミック
    系から成り、回路的にフィルター機能を内蔵するもので
    あることを特徴とする請求項1記載の高周波デバイス。
  3. 【請求項3】 低温多層セラミック配線回路基板の少く
    とも一面に、キャビティを少くとも1個形成するととも
    に、該キャビティ内に、裸チップ状態の表面弾性波フィ
    ルターを埋め込み、ボンディング実装したことを特徴と
    する高周波デバイス。
JP3822092A 1992-02-25 1992-02-25 高周波デバイス Pending JPH05235689A (ja)

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