JPH0523490B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0523490B2 JPH0523490B2 JP61090918A JP9091886A JPH0523490B2 JP H0523490 B2 JPH0523490 B2 JP H0523490B2 JP 61090918 A JP61090918 A JP 61090918A JP 9091886 A JP9091886 A JP 9091886A JP H0523490 B2 JPH0523490 B2 JP H0523490B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- wafer
- patterns
- mask
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置、特にウエハの露光工
程において、ウエハとマスクの位置を正しくアラ
イメントするためのアライメント方法に関するも
のである。
程において、ウエハとマスクの位置を正しくアラ
イメントするためのアライメント方法に関するも
のである。
第３図Ａは従来のアライメントマークの一例を
示す図であり、アライメントマークはウエハ上の
パターン１とマスク上のパターン２から構成され
ている。
示す図であり、アライメントマークはウエハ上の
パターン１とマスク上のパターン２から構成され
ている。
アライメントの方法は、マスク上のパターン２
をウエハ上のパターン１の中に入れることによ
り、ウエハとマスクのアライメントが行われる。
をウエハ上のパターン１の中に入れることによ
り、ウエハとマスクのアライメントが行われる。
従来のアライメントマークは以上のように構成
されアライメントが行われるので、第３図Ｂに示
すように、ウエハ上のパターン１の中心に対して
マスク上のパターン２の中心がズレていれも、マ
スク上のパターン２がウエハ上のパターン１の中
に入つている限りズレの補正を行うことができ
ず、ズレの生じた状態で露光が行われるという問
題点があつた。
されアライメントが行われるので、第３図Ｂに示
すように、ウエハ上のパターン１の中心に対して
マスク上のパターン２の中心がズレていれも、マ
スク上のパターン２がウエハ上のパターン１の中
に入つている限りズレの補正を行うことができ
ず、ズレの生じた状態で露光が行われるという問
題点があつた。
この発明は、上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、アライメントで生じるズレ
を検出し補正することのできるアライメント方法
を得ることを目的とする。
めになされたもので、アライメントで生じるズレ
を検出し補正することのできるアライメント方法
を得ることを目的とする。
この発明に係るアライメント方法は、マスクに
形成された第１のパターンと、ウエハに形成され
た第２のパターンをアライメントし、前記第１の
パターンを前記ウエハに転写する露光工程のアラ
イメント方法において、前記第１、第２のパター
ンを交差させる構成とするとともに、前記第１、
第２のパターンの交差部の面積が変化するパター
ン形状を有し、前記交差部面積を検出して前記第
１、第２のパターンの位置ずれを補正するように
したものである。
形成された第１のパターンと、ウエハに形成され
た第２のパターンをアライメントし、前記第１の
パターンを前記ウエハに転写する露光工程のアラ
イメント方法において、前記第１、第２のパター
ンを交差させる構成とするとともに、前記第１、
第２のパターンの交差部の面積が変化するパター
ン形状を有し、前記交差部面積を検出して前記第
１、第２のパターンの位置ずれを補正するように
したものである。
この発明においては、ウエハ上のパターンとマ
スク上のパターンの交差の中心がズレた場合の両
パターンの重なり部分の面積の変化を検出し、正
確な位置に補正することができる。
スク上のパターンの交差の中心がズレた場合の両
パターンの重なり部分の面積の変化を検出し、正
確な位置に補正することができる。
第１図Ａ，Ｂはこの発明の半導体装置のアライ
メントマークの一実施例を示す図で、アライメン
トマークは第２のパターンであるウエハ上のパタ
ーン１１と第１のパターンであるマスク上のパタ
ーン１２から構成される。
メントマークの一実施例を示す図で、アライメン
トマークは第２のパターンであるウエハ上のパタ
ーン１１と第１のパターンであるマスク上のパタ
ーン１２から構成される。
上記のように構成されたアライメントマークの
各パターン１１，１２においては、第１図Ａに示
すように、ウエハ上のパターン１１とマスク上の
パターン１２の重なり部分１３が生じる。この重
なり部分１３の面積は、ウエハ上のパターン１１
とマスク上のパターン１２の中心が一致したとき
に最小となり、第１図Ｂのように、ウエハ上のパ
ターン１１に対しマスク上のパターン１２がズレ
ていくに従つて重なり部分１３の面積が大きくな
つていく。したがつて、この重なり部分１３の面
積を検出することにより、ズレの程度を図示はし
ないが検出機構により検出するとともに、マスク
上のパターン１２を動かし、この重なり部分１３
の面積を最小にすることでズレの補正を行うこと
ができる。
各パターン１１，１２においては、第１図Ａに示
すように、ウエハ上のパターン１１とマスク上の
パターン１２の重なり部分１３が生じる。この重
なり部分１３の面積は、ウエハ上のパターン１１
とマスク上のパターン１２の中心が一致したとき
に最小となり、第１図Ｂのように、ウエハ上のパ
ターン１１に対しマスク上のパターン１２がズレ
ていくに従つて重なり部分１３の面積が大きくな
つていく。したがつて、この重なり部分１３の面
積を検出することにより、ズレの程度を図示はし
ないが検出機構により検出するとともに、マスク
上のパターン１２を動かし、この重なり部分１３
の面積を最小にすることでズレの補正を行うこと
ができる。
なお、上記実施例では、中心から拡がる各パタ
ーン１１，１２を示したが、第２図に示すように
中心から狭くなる各パターン２１，２２を用いて
もよい。この場合は、ウエハ上のパターン２１の
中心をマスク上のパターン２２の中心が一致した
ときに重なり部分２３の面積が最大となる。
ーン１１，１２を示したが、第２図に示すように
中心から狭くなる各パターン２１，２２を用いて
もよい。この場合は、ウエハ上のパターン２１の
中心をマスク上のパターン２２の中心が一致した
ときに重なり部分２３の面積が最大となる。
なお、上記実施例では、ウエハ上およびマスク
上のパターンが１つの場合について説明したが、
これらのパターンを複数配列してもよく、上記実
施例と同様の効果を奏する。
上のパターンが１つの場合について説明したが、
これらのパターンを複数配列してもよく、上記実
施例と同様の効果を奏する。
マスクに形成された第１のパターンと、ウエハ
に形成された第２のパターンをアライメントし、
前記第１のパターンを前記ウエハに転写する露光
工程のアライメント方法において、前記第１、第
２のパターンを交差させる構成とするとともに、
前記第１、第２のパターンの交差部の面積が変化
するパターン形状と有し、前記交差部面積を検出
して前記第１、第２のパターンの位置ずれを補正
するようにしたので、検出感度が大となり、正確
な位置に補正することができる効果がある。
に形成された第２のパターンをアライメントし、
前記第１のパターンを前記ウエハに転写する露光
工程のアライメント方法において、前記第１、第
２のパターンを交差させる構成とするとともに、
前記第１、第２のパターンの交差部の面積が変化
するパターン形状と有し、前記交差部面積を検出
して前記第１、第２のパターンの位置ずれを補正
するようにしたので、検出感度が大となり、正確
な位置に補正することができる効果がある。
第１図Ａ，Ｂはこの発明のアライメント方法に
用いるアライメントマークの各パターンの一実施
例を示す図、第２図はこの発明の他の実施例を示
す図、第３図Ａ，Ｂは従来のアライメントマーク
のパターンを示す図である。 図において、１１はウエハ上のパターン、１２
はマスク上のパターン、１３は両パターンの重な
り部分である。なお、各図中の同一符号は同一ま
たは相当部分を示す。
用いるアライメントマークの各パターンの一実施
例を示す図、第２図はこの発明の他の実施例を示
す図、第３図Ａ，Ｂは従来のアライメントマーク
のパターンを示す図である。 図において、１１はウエハ上のパターン、１２
はマスク上のパターン、１３は両パターンの重な
り部分である。なお、各図中の同一符号は同一ま
たは相当部分を示す。
Claims (1)
- １ マスクに形成された第１のパターンと、ウエ
ハに形成された第２のパターンをアライメント
し、前記第１のパターンを前記ウエハに転写する
露光工程のアライメント方法において、前記第
１、第２のパターンを交差させる構成とするとと
もに、前記第１、第２のパターンの交差部の面積
が変化するパターン形状を有し、前記交差部面積
を検出して前記第１、第２のパターンの位置ずれ
を補正することを特徴とするアライメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61090918A JPS62247525A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | アライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61090918A JPS62247525A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | アライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62247525A JPS62247525A (ja) | 1987-10-28 |
| JPH0523490B2 true JPH0523490B2 (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=14011803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61090918A Granted JPS62247525A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | アライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62247525A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6094256A (en) * | 1998-09-29 | 2000-07-25 | Nikon Precision Inc. | Method for forming a critical dimension test structure and its use |
| US6956659B2 (en) | 2001-05-22 | 2005-10-18 | Nikon Precision Inc. | Measurement of critical dimensions of etched features |
| US6974653B2 (en) | 2002-04-19 | 2005-12-13 | Nikon Precision Inc. | Methods for critical dimension and focus mapping using critical dimension test marks |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57169239A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-18 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS60145618A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-01 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-18 JP JP61090918A patent/JPS62247525A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57169239A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-18 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS60145618A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-01 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62247525A (ja) | 1987-10-28 |
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