JPH05230632A - 無機誘電体薄膜の製造方法 - Google Patents
無機誘電体薄膜の製造方法Info
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- JPH05230632A JPH05230632A JP26678691A JP26678691A JPH05230632A JP H05230632 A JPH05230632 A JP H05230632A JP 26678691 A JP26678691 A JP 26678691A JP 26678691 A JP26678691 A JP 26678691A JP H05230632 A JPH05230632 A JP H05230632A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザビーム蒸着法による無機誘電体薄膜の
製造方法において、Ｃ軸配向した結晶化膜を低温条件に
て形成する。 【構成】 蒸着中に、基板４や蒸発気相に対してもレー
ザビームを照射する。基板４や蒸着気相への照射用レー
ザビームは、蒸着用レーザビームと比較して、成膜物質
や蒸発気相に対する吸収効率が同等又はそれよりも高い
レーザビームを使用するのが好ましい。
製造方法において、Ｃ軸配向した結晶化膜を低温条件に
て形成する。 【構成】 蒸着中に、基板４や蒸発気相に対してもレー
ザビームを照射する。基板４や蒸着気相への照射用レー
ザビームは、蒸着用レーザビームと比較して、成膜物質
や蒸発気相に対する吸収効率が同等又はそれよりも高い
レーザビームを使用するのが好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＰｂ含有ペロブスカイ
ト等の無機誘電体薄膜の製造方法に関するものである。
ト等の無機誘電体薄膜の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】センサヘッド部分、磁気記録媒体等に使
用されているＰｂ含有ペロブスカイト等の無機誘電体薄
膜は、従来は、マグネトロンスパッタリング法、高周波
スパッタリング法、あるいはＣＶＤ（化学気相蒸着法）
等によって成膜されている。
用されているＰｂ含有ペロブスカイト等の無機誘電体薄
膜は、従来は、マグネトロンスパッタリング法、高周波
スパッタリング法、あるいはＣＶＤ（化学気相蒸着法）
等によって成膜されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記従来の成
膜方法によって作成された無機誘電体薄膜は、ランダム
配向し易い傾向にあり、そのためアズ・デポ状態でＣ軸
配向した結晶化膜を得ようとすれば、基板温度を６００
℃以上の高温にする必要があり、Ｓｉ―ＣＣＤ、ＭＯＳ
−ＦＥＴ等のデバイスへの直接成膜が不可能であった。
膜方法によって作成された無機誘電体薄膜は、ランダム
配向し易い傾向にあり、そのためアズ・デポ状態でＣ軸
配向した結晶化膜を得ようとすれば、基板温度を６００
℃以上の高温にする必要があり、Ｓｉ―ＣＣＤ、ＭＯＳ
−ＦＥＴ等のデバイスへの直接成膜が不可能であった。
【０００４】この発明は上記従来の欠点を解決するため
になされたものであって、その目的は、低温でもってＣ
軸配向度が高く、結晶性の良い無機誘電体薄膜を形成す
ることが可能な無機誘電体薄膜の製造方法を提供するこ
とにある。
になされたものであって、その目的は、低温でもってＣ
軸配向度が高く、結晶性の良い無機誘電体薄膜を形成す
ることが可能な無機誘電体薄膜の製造方法を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで請求項１の無機誘
電体薄膜の製造方法は、高融点金属と低融点金属との複
合酸化物より成る無機誘電体薄膜を、生成した励起種等
を利用した蒸着法によって基板上に形成するための無機
誘電体薄膜の製造方法において、蒸着中に、基板に対し
てレーザビームを照射することを特徴としている。
電体薄膜の製造方法は、高融点金属と低融点金属との複
合酸化物より成る無機誘電体薄膜を、生成した励起種等
を利用した蒸着法によって基板上に形成するための無機
誘電体薄膜の製造方法において、蒸着中に、基板に対し
てレーザビームを照射することを特徴としている。
【０００６】請求項２の無機誘電体薄膜の製造方法は、
上記蒸着法が、レーザビームを利用した蒸着法であるこ
とを特徴としている。
上記蒸着法が、レーザビームを利用した蒸着法であるこ
とを特徴としている。
【０００７】請求項３の無機誘電体薄膜の製造方法は、
上記蒸着用レーザビームの強度が約１Ｊ／ｃｍ２であ
り、また上記基板照射用レーザビームの強度が１０〜８
０ｍＪ／ｃｍ２、好ましくは３０〜５０ｍＪ／ｃｍ２で
あることを特徴としている。
上記蒸着用レーザビームの強度が約１Ｊ／ｃｍ２であ
り、また上記基板照射用レーザビームの強度が１０〜８
０ｍＪ／ｃｍ２、好ましくは３０〜５０ｍＪ／ｃｍ２で
あることを特徴としている。
【０００８】請求項４の無機誘電体薄膜の製造方法は、
上記蒸着用レーザビームとして基板照射用レーザビーム
よりもエネルギの高いレーザビームを使用する一方、上
記基板照射用レーザビームとして上記蒸着用レーザビー
ムと比較して成膜物質に対する吸収効率が同等又はそれ
よりも高いレーザビームを用いることを特徴としてい
る。
上記蒸着用レーザビームとして基板照射用レーザビーム
よりもエネルギの高いレーザビームを使用する一方、上
記基板照射用レーザビームとして上記蒸着用レーザビー
ムと比較して成膜物質に対する吸収効率が同等又はそれ
よりも高いレーザビームを用いることを特徴としてい
る。
【０００９】請求項５の無機誘電体薄膜の製造方法は、
高融点金属と低融点金属との複合酸化物より成る無機誘
電体薄膜を、生成した励起種等を利用した蒸着法によっ
て基板上に形成するための無機誘電体薄膜の製造方法に
おいて、蒸発気相に対してレーザビームを照射すること
を特徴としている。
高融点金属と低融点金属との複合酸化物より成る無機誘
電体薄膜を、生成した励起種等を利用した蒸着法によっ
て基板上に形成するための無機誘電体薄膜の製造方法に
おいて、蒸発気相に対してレーザビームを照射すること
を特徴としている。
【００１０】請求項６の無機誘電体薄膜の製造方法は、
上記蒸着法が、レーザビームを利用した蒸着法であるこ
とを特徴としている。
上記蒸着法が、レーザビームを利用した蒸着法であるこ
とを特徴としている。
【００１１】請求項７の無機誘電体薄膜の製造方法は、
上記蒸着用レーザビームとして気相照射用レーザビーム
よりもエネルギの高いレーザビームを使用する一方、上
記気相照射用レーザビームとして上記蒸着用レーザビー
ムと比較して蒸発気相に対する吸収効率が同等又はそれ
よりも高いレーザビームを用いることを特徴としてい
る。
上記蒸着用レーザビームとして気相照射用レーザビーム
よりもエネルギの高いレーザビームを使用する一方、上
記気相照射用レーザビームとして上記蒸着用レーザビー
ムと比較して蒸発気相に対する吸収効率が同等又はそれ
よりも高いレーザビームを用いることを特徴としてい
る。
【００１２】
【作用】上記請求項１及び請求項５の無機誘電体薄膜の
製造方法によれば、基板温度を低温にしながらも、充分
なＣ軸配向をした結晶化膜が得られる。
製造方法によれば、基板温度を低温にしながらも、充分
なＣ軸配向をした結晶化膜が得られる。
【００１３】また請求項２、請求項３、請求項４、請求
項６及び請求項７の無機誘電体薄膜の製造方法によれ
ば、上記よりも一段と低い基板温度においても、結晶化
の良好なＣ軸配向をした無機誘電体薄膜を形成すること
が可能となる。
項６及び請求項７の無機誘電体薄膜の製造方法によれ
ば、上記よりも一段と低い基板温度においても、結晶化
の良好なＣ軸配向をした無機誘電体薄膜を形成すること
が可能となる。
【００１４】
【実施例】次にこの発明の無機誘電体薄膜の製造方法の
具体的な実施例について、図面を参照しつつ詳細に説明
する。図１に実施装置の一例の概略構成を示す。同図に
おいて、１は成膜容器（真空チャンバ）、２はレーザ発
振器、３はターゲット、４は基板、５は酸素ガス導入路
をそれぞれ示している。この場合、レーザ発振器２から
は、紫外光であるＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）
が発振されるようなされており、このレーザビーム６
は、レンズ７及び成膜容器１に設けたレーザ導入口８を
それぞれ通過してターゲット３に照射される。そしてタ
ーゲット３から生成する励起種等が、上記ターゲッ卜３
と相対向して配置された基板４に蒸着し、これにより成
膜が行われる。この成膜装置は、エネルギ源（レーザ）
２と成膜容器（真空チャンバ）１とが分離しているとこ
ろに特徴があり、このため広範囲のガス圧力（１０
−１０Ｔｏｒｒ〜常圧）下での成膜が可能となる。また
同図において、９は上記とは別のレーザ発振器、１０は
ミラーをそれぞれ示しており、レーザ発振器９から発振
された励起用レーザビーム１１が、ミラー１０によっ
て、上記とは別のレーザ導入口１２から真空チャンバー
１内へと導入される。この場合、励起用レーザビーム１
１は、ミラー１０の角度調整によって、図２（ａ）に示
すように基板４に向けて照射されたり、あるいは図２
（ｂ）に示すように蒸発気相１３に向けて照射される。
具体的な実施例について、図面を参照しつつ詳細に説明
する。図１に実施装置の一例の概略構成を示す。同図に
おいて、１は成膜容器（真空チャンバ）、２はレーザ発
振器、３はターゲット、４は基板、５は酸素ガス導入路
をそれぞれ示している。この場合、レーザ発振器２から
は、紫外光であるＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）
が発振されるようなされており、このレーザビーム６
は、レンズ７及び成膜容器１に設けたレーザ導入口８を
それぞれ通過してターゲット３に照射される。そしてタ
ーゲット３から生成する励起種等が、上記ターゲッ卜３
と相対向して配置された基板４に蒸着し、これにより成
膜が行われる。この成膜装置は、エネルギ源（レーザ）
２と成膜容器（真空チャンバ）１とが分離しているとこ
ろに特徴があり、このため広範囲のガス圧力（１０
−１０Ｔｏｒｒ〜常圧）下での成膜が可能となる。また
同図において、９は上記とは別のレーザ発振器、１０は
ミラーをそれぞれ示しており、レーザ発振器９から発振
された励起用レーザビーム１１が、ミラー１０によっ
て、上記とは別のレーザ導入口１２から真空チャンバー
１内へと導入される。この場合、励起用レーザビーム１
１は、ミラー１０の角度調整によって、図２（ａ）に示
すように基板４に向けて照射されたり、あるいは図２
（ｂ）に示すように蒸発気相１３に向けて照射される。
【００１５】まず最初に励起用レーザビーム１１を基板
４に照射する場合の実施例について説明する。
４に照射する場合の実施例について説明する。
【００１６】実施例１ レーザ強度 ：１〜３Ｊ／ｃｍ２ 繰返し周波数 ：５〜３０Ｈｚ 基板温度（Ｔｓ）：３８０℃ ターゲット ：ＰｂＴｉＯ３ ガス圧 ：０．１Ｔｏｒｒ（Ｏ２） 基板照射用レーザ強度：１０ｍＪ／ｃｍ２
【００１７】比較例１ レーザ強度 ：１〜３Ｊ／ｃｍ２ 繰返し周波数 ：５〜３０Ｈｚ 基板温度（Ｔｓ）：３８０℃ ターゲット ：ＰｂＴｉＯ３ ガス圧 ：０・１Ｔｏｒｒ（Ｏ２） 基板照射用レーザ：なし
【００１８】比較例２ レーザ強度 ：１〜３Ｊ／ｃｍ２ 繰返し周波数 ：５〜３０Ｈｚ 基板温度（Ｔｓ）：４５０℃ ターゲット ：ＰｂＴｉＯ３ ガス圧 ：０．１Ｔｏｒｒ（Ｏ２） 基板照射用レーザ：なし
【００１９】上記実施例１及び比較例１、２において作
成したＰｂＴｉＯ３薄膜のＸ線回折パターンを図３に示
す。同図から明らかな通り、基板温度（Ｔｓ）が低温
（３８０℃）の場合、基板４へのレーザ照射があるとき
には（実施例１）、Ｃ軸配向を示す指数（００１）（０
０２）のＸ線強度が高く、結晶化した薄膜を形成し得る
ものの、基板４へのレーザ照射がないときには（比較例
１）、結晶化した薄膜は得られない。また基板４へのレ
ーザ照射がない条件において結晶化した薄膜を得ようと
すれば、比較例２のように、実施例１の場合よりも基板
温度（Ｔｓ）を約７０℃程度上昇させる必要が生じるこ
とになる。
成したＰｂＴｉＯ３薄膜のＸ線回折パターンを図３に示
す。同図から明らかな通り、基板温度（Ｔｓ）が低温
（３８０℃）の場合、基板４へのレーザ照射があるとき
には（実施例１）、Ｃ軸配向を示す指数（００１）（０
０２）のＸ線強度が高く、結晶化した薄膜を形成し得る
ものの、基板４へのレーザ照射がないときには（比較例
１）、結晶化した薄膜は得られない。また基板４へのレ
ーザ照射がない条件において結晶化した薄膜を得ようと
すれば、比較例２のように、実施例１の場合よりも基板
温度（Ｔｓ）を約７０℃程度上昇させる必要が生じるこ
とになる。
【００２０】次に基板照射用レーザ強度の影響について
検討する。
検討する。
【００２１】実施例２ レーザ強度 ：１〜３Ｊ／ｃｍ２ 繰返し周波数 ：５〜３０Ｈｚ 基板温度（Ｔｓ）：３８０℃ ターゲット ：ＰｂＴｉＯ３ ガス圧 ：０．１Ｔｏｒｒ（Ｏ２） 基板照射用レーザ強度：３０ｍＪ／ｃｍ２
【００２２】上記によって得られたＰｂＴｉＯ３薄膜の
Ｘ線回折パターンを図４に示す。なお図４には上記実施
例１（基板照射用レーザ強度：１０ｍＪ／ｃｍ２）、及
び比較例１（基板照射用レーザ：なし）のＸ線回折パタ
ーンを併記した。同図から明らかなように、基板照射用
レーザ強度が上昇すると、結晶性は向上することにな
る。
Ｘ線回折パターンを図４に示す。なお図４には上記実施
例１（基板照射用レーザ強度：１０ｍＪ／ｃｍ２）、及
び比較例１（基板照射用レーザ：なし）のＸ線回折パタ
ーンを併記した。同図から明らかなように、基板照射用
レーザ強度が上昇すると、結晶性は向上することにな
る。
【００２３】実施例３ レーザ強度 ：１〜３Ｊ／ｃｍ２ 繰返し周波数 ：５〜３０Ｈｚ 基板温度（Ｔｓ）：３８０℃ ターゲット ：ＰｂＴｉＯ３ ガス圧 ：０．１Ｔｏｒｒ（Ｏ２） 基板照射用レーザ強度：８０ｍＪ／ｃｍ２
【００２４】この実施例３のように基板照射用レーザ強
度が過大であると、図５に示すＸ線回折パターンから明
らかな通り、膜の再蒸発等が生じて膜質が悪化する傾向
が生じるようになる。このように膜質が悪化する傾向
は、ＳＥＭイメージ画像によっても明瞭に認められた。
なお基板照射用レーザ強度は、３０〜５０ｍＪ／ｃｍ２
が最適領域であることを確認している。
度が過大であると、図５に示すＸ線回折パターンから明
らかな通り、膜の再蒸発等が生じて膜質が悪化する傾向
が生じるようになる。このように膜質が悪化する傾向
は、ＳＥＭイメージ画像によっても明瞭に認められた。
なお基板照射用レーザ強度は、３０〜５０ｍＪ／ｃｍ２
が最適領域であることを確認している。
【００２５】次に図２（ｂ）に示すように蒸発気相１３
に励起用レーザビームを照射する場合の実施例について
説明する。
に励起用レーザビームを照射する場合の実施例について
説明する。
【００２６】実施例４ レーザ強度 ：１〜３Ｊ／ｃｍ２ 繰返し周波数 ：５〜３０Ｈｚ 基板温度（Ｔｓ）：４００℃ ターゲット ：ＰｂＴｉＯ３ ガス圧 ：０．１Ｔｏｒｒ（Ｏ２） 基板照射用レーザ強度：３０ｍＪ／ｃｍ２
【００２７】この実施例４において得られたＰｂＴｉＯ
３薄膜のＸ線回折パターンを図６に示すが、この図か
ら、実施例４においても充分に結晶化した薄膜が得られ
ることが明らかである。なおこの気相照射レーザ強度
は、これよりもやや高い方が好ましく、また繰返し周波
数も１００Ｈｚ以上にするのが効果的であることを確認
している。
３薄膜のＸ線回折パターンを図６に示すが、この図か
ら、実施例４においても充分に結晶化した薄膜が得られ
ることが明らかである。なおこの気相照射レーザ強度
は、これよりもやや高い方が好ましく、また繰返し周波
数も１００Ｈｚ以上にするのが効果的であることを確認
している。
【００２８】上記において使用する蒸着用のレーザビー
ム強度についても種々検討したが、このレーザビーム強
度が０．５Ｊ／ｃｍ２以下では組成ずれが生じ、結晶性
が悪くなり、また３〜４Ｊ／ｃｍ２以上になると膜質が
悪化することから、１Ｊ／ｃｍ２程度が最適であること
が確認された。
ム強度についても種々検討したが、このレーザビーム強
度が０．５Ｊ／ｃｍ２以下では組成ずれが生じ、結晶性
が悪くなり、また３〜４Ｊ／ｃｍ２以上になると膜質が
悪化することから、１Ｊ／ｃｍ２程度が最適であること
が確認された。
【００２９】また上記蒸着用レーザビーム６と励起用レ
ーザビーム１１とは、同種類の波長のものを用いるので
はなく、蒸着用には１光子当りのエネルギの高いＡｒＦ
エキシマレーザを用い、励起用には励起する気相あるい
は物質の吸収効率の最も良好な波長のレーザ光を選択す
るのが好ましい。例えば、Ｎ２Ｏガス使用時にはＡｒＦ
エキシマレーザを、Ｏ３ガス使用にはＫｒＦエキシマレ
ーザ（波長：２４９ｎｍ）を、またＮＯ２ガス使用時に
はＸｅＣｌレーザ（波長：３０８ｎｍ）やＸｅＦレーザ
（波長：３５１ｎｍ）を用いればよく、さらにこれ以外
のＹＡＧ−ＴＨＧ（波長：３５５ｎｍ）等の紫外光レー
ザを使用するのも有効である。
ーザビーム１１とは、同種類の波長のものを用いるので
はなく、蒸着用には１光子当りのエネルギの高いＡｒＦ
エキシマレーザを用い、励起用には励起する気相あるい
は物質の吸収効率の最も良好な波長のレーザ光を選択す
るのが好ましい。例えば、Ｎ２Ｏガス使用時にはＡｒＦ
エキシマレーザを、Ｏ３ガス使用にはＫｒＦエキシマレ
ーザ（波長：２４９ｎｍ）を、またＮＯ２ガス使用時に
はＸｅＣｌレーザ（波長：３０８ｎｍ）やＸｅＦレーザ
（波長：３５１ｎｍ）を用いればよく、さらにこれ以外
のＹＡＧ−ＴＨＧ（波長：３５５ｎｍ）等の紫外光レー
ザを使用するのも有効である。
【００３０】なお上記各実施例においては、成膜物質と
してＰｂＴｉＯ３を用いているが、これ以外のもの、例
えばＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，
Ｔｉ）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ３、ＬｉＴａＯ３、
ＢａＴｉＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＳｒＴｉＯ３等を使用す
ることが可能である。
してＰｂＴｉＯ３を用いているが、これ以外のもの、例
えばＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，
Ｔｉ）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ３、ＬｉＴａＯ３、
ＢａＴｉＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＳｒＴｉＯ３等を使用す
ることが可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上のように請求項１及び請求項５の無
機誘電体薄膜の製造方法によれば、基板温度を従来より
も低温にしながらも、充分なＣ軸配向をした結晶化膜が
得られることになる。
機誘電体薄膜の製造方法によれば、基板温度を従来より
も低温にしながらも、充分なＣ軸配向をした結晶化膜が
得られることになる。
【００３２】また請求項２、請求項３、請求項４、請求
項６及び請求項７の無機誘電体薄膜の製造方法によれ
ば、Ｃ軸配向した結晶化膜が得られる基板温度を一段と
低下し得ることになる。
項６及び請求項７の無機誘電体薄膜の製造方法によれ
ば、Ｃ軸配向した結晶化膜が得られる基板温度を一段と
低下し得ることになる。
【図１】この発明の無機誘電体薄膜の製造方法を実施す
るための装置の一例を示す概略構成図である。
るための装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】励起用レーザビームの照射状態の説明図で、同
図（ａ）は基板照射状態、同図（ｂ）は気相照射状態を
それぞれ示している。
図（ａ）は基板照射状態、同図（ｂ）は気相照射状態を
それぞれ示している。
【図３】この発明の無機誘電体薄膜の製造方法の一実施
例において得られたＰｂＴｉＯ３薄膜と、比較例のもの
とを対比して示すＸ線回折パターン図である。
例において得られたＰｂＴｉＯ３薄膜と、比較例のもの
とを対比して示すＸ線回折パターン図である。
【図４】この発明の無機誘電体薄膜の製造方法の他の実
施例において得られたＰｂＴｉＯ３薄膜と、比較例のも
のとを対比して示すＸ線回折パターン図である。
施例において得られたＰｂＴｉＯ３薄膜と、比較例のも
のとを対比して示すＸ線回折パターン図である。
【図５】この発明の無機誘電体薄膜の製造方法のさらに
他の実施例において得られたＰｂＴｉＯ３薄膜と、比較
例のものとを対比して示すＸ線回折パターン図である。
他の実施例において得られたＰｂＴｉＯ３薄膜と、比較
例のものとを対比して示すＸ線回折パターン図である。
【図６】この発明の無機誘電体薄膜の製造方法における
気相照射についての実施例において得られたＰｂＴｉＯ
３薄膜と、比較例のものとを対比して示すＸ線回折パタ
ーン図である。
気相照射についての実施例において得られたＰｂＴｉＯ
３薄膜と、比較例のものとを対比して示すＸ線回折パタ
ーン図である。
３ ターゲット ４ 基板 ６ 蒸着用レーザビーム １１ 励起用レーザビーム １３ 蒸発気相
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤岡 順三 兵庫県明石市川崎町１番１号 川崎重工業 株式会社明石工場内 (72)発明者 南方 俊一 兵庫県明石市川崎町１番１号 川崎重工業 株式会社明石工場内 (72)発明者 川合 知二 大阪府箕面市小野原2494−615 (72)発明者 河合 七雄 大阪府吹田市千里山五丁目47―20
Claims (7)
- 【請求項１】 高融点金属と低融点金属との複合酸化物
より成る無機誘電体薄膜を、生成した励起種等を利用し
た蒸着法によって基板上に形成するための無機誘電体薄
膜の製造方法において、蒸着中に、基板に対してレーザ
ビームを照射することを特徴とする無機誘電体薄膜の製
造方法。 - 【請求項２】 上記蒸着法が、レーザビームを利用した
蒸着法であることを特徴とする請求項１の無機誘電体薄
膜の製造方法。 - 【請求項３】 上記蒸着用レーザビームの強度が約１Ｊ
／ｃｍ２であり、また上記基板照射用レーザビームの強
度が１０〜８０ｍＪ／ｃｍ２、好ましくは３０〜５０ｍ
Ｊ／ｃｍ２であることを特徴とする請求項２の無機誘電
体薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 上記蒸着用レーザビームとして基板照射
用レーザビームよりもエネルギの高いレーザビームを使
用する一方、上記基板照射用レーザビームとして上記蒸
着用レーザビームと比較して成膜物質に対する吸収効率
が同等又はそれよりも高いレーザビームを用いることを
特徴とする請求項２又は請求項３の無機誘電体薄膜の製
造方法。 - 【請求項５】 高融点金属と低融点金属との複合酸化物
より成る無機誘電体薄膜を、生成した励起種等を利用し
た蒸着法によって基板上に形成するための無機誘電体薄
膜の製造方法において、蒸発気相に対してレーザビーム
を照射することを特徴とする無機誘電体薄膜の製造方
法。 - 【請求項６】 上記蒸着法が、レーザビームを利用した
蒸着法であることを特徴とする請求項５の無機誘電体薄
膜の製造方法。 - 【請求項７】 上記蒸着用レーザビームとして気相照射
用レーザビームよりもエネルギの高いレーザビームを使
用する一方、上記気相照射用レーザビームとして上記蒸
着用レーザビームと比較して蒸発気相に対する吸収効率
が同等又はそれよりも高いレーザビームを用いることを
特徴とする請求項６の無機誘電体薄膜の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26678691A JPH0791632B2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 無機誘電体薄膜の製造方法 |
| GB9118246A GB2250751B (en) | 1990-08-24 | 1991-08-23 | Process for the production of dielectric thin films |
| US08/051,817 US5395663A (en) | 1990-08-24 | 1993-04-26 | Process for producing a perovskite film by irradiating a target of the perovskite with a laser beam and simultaneously irradiating the substrate upon which the perovskite is deposited with a laser beam |
| GB9407946A GB2276393B (en) | 1990-08-24 | 1994-04-21 | Pyroelectric type of sensor |
| US08/353,293 US5532504A (en) | 1990-08-24 | 1994-12-05 | Process for the production of dielectric thin films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26678691A JPH0791632B2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 無機誘電体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05230632A true JPH05230632A (ja) | 1993-09-07 |
| JPH0791632B2 JPH0791632B2 (ja) | 1995-10-04 |
Family
ID=17435675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26678691A Expired - Lifetime JPH0791632B2 (ja) | 1990-08-24 | 1991-07-12 | 無機誘電体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0791632B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0752018A1 (en) * | 1994-05-12 | 1997-01-08 | Qqc, Inc. | Surface treatment techniques |
| EP0739250A4 (en) * | 1994-01-18 | 1998-09-02 | Qqc Inc | USE OF LASERS FOR THE PRODUCTION OF COATINGS ON SUBSTRATES |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP26678691A patent/JPH0791632B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0739250A4 (en) * | 1994-01-18 | 1998-09-02 | Qqc Inc | USE OF LASERS FOR THE PRODUCTION OF COATINGS ON SUBSTRATES |
| EP0752018A1 (en) * | 1994-05-12 | 1997-01-08 | Qqc, Inc. | Surface treatment techniques |
| EP0752018A4 (en) * | 1994-05-12 | 1998-09-02 | Qqc Inc | METHOD FOR SURFACE TREATMENT |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0791632B2 (ja) | 1995-10-04 |
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