JPH05226296A - スパッタエッチング装置の異常放電監視方法 - Google Patents
スパッタエッチング装置の異常放電監視方法Info
- Publication number
- JPH05226296A JPH05226296A JP4023116A JP2311692A JPH05226296A JP H05226296 A JPH05226296 A JP H05226296A JP 4023116 A JP4023116 A JP 4023116A JP 2311692 A JP2311692 A JP 2311692A JP H05226296 A JPH05226296 A JP H05226296A
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- JP
- Japan
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- sputter etching
- abnormal discharge
- wavelength
- processing
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- Withdrawn
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタエッチングに関し，エッチング中に
発生する異常放電を監視できるようにして, 処理の信頼
性を向上することを目的とする。 【構成】 １）半導体ウエハをスパッタエッチング処理
中に，ガスプラズマの発光強度を監視して処理室内の異
常放電を監視するように構成する。２）前記ガスプラズ
マの発光スペクトルにおいて波長705nm の発光強度を監
視するように構成する。
発生する異常放電を監視できるようにして, 処理の信頼
性を向上することを目的とする。 【構成】 １）半導体ウエハをスパッタエッチング処理
中に，ガスプラズマの発光強度を監視して処理室内の異
常放電を監視するように構成する。２）前記ガスプラズ
マの発光スペクトルにおいて波長705nm の発光強度を監
視するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタエッチング装置
の異常放電監視方法に関する。
の異常放電監視方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】配線工程で, 基板表面を平坦化する方法
にアルゴンスパッタエッチング(ASE)がある。これは,
基板表面に堆積された被膜のオーバハング部分をASE に
より除去することにより平坦化を行う方法で, 配線膜堆
積時には通常一定時間ASE を行っている。
にアルゴンスパッタエッチング(ASE)がある。これは,
基板表面に堆積された被膜のオーバハング部分をASE に
より除去することにより平坦化を行う方法で, 配線膜堆
積時には通常一定時間ASE を行っている。
【０００３】ところが, ASE を行ったウエハまたはテス
トピースから異常を検査することは困難であり，また，
ASE は装置の安定性を信頼して異常監視なしで処理を行
うしか方法はなかった。
トピースから異常を検査することは困難であり，また，
ASE は装置の安定性を信頼して異常監視なしで処理を行
うしか方法はなかった。
【０００４】通常化学反応を伴うエッチング工程では,
エッチ終点検出器（EPD, End PointDetector)を用いて,
被エッチング膜と反応ガスのプラズマから生成される
反応生成物の分子からの発光波長を読み取ってエッチン
グの終点を検出している。
エッチ終点検出器（EPD, End PointDetector)を用いて,
被エッチング膜と反応ガスのプラズマから生成される
反応生成物の分子からの発光波長を読み取ってエッチン
グの終点を検出している。
【０００５】これに対して，アルゴンスパッタエッチン
グは物理的要因のみで作用するためエッチ終点検出器の
使用は必要がなかった。そのため, 一定時間のパッタエ
ッチング処理を行うだけで, その間の処理状態の監視は
なされていなかった。また,前記のようにスパッタエッ
チング処理後のウエハから異常を見出すことは困難であ
るため, 装置の異常時はすぐに処理を中止する必要があ
った。
グは物理的要因のみで作用するためエッチ終点検出器の
使用は必要がなかった。そのため, 一定時間のパッタエ
ッチング処理を行うだけで, その間の処理状態の監視は
なされていなかった。また,前記のようにスパッタエッ
チング処理後のウエハから異常を見出すことは困難であ
るため, 装置の異常時はすぐに処理を中止する必要があ
った。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】スパッタエッチング処
理中の最も危険と考えられる障害に, 処理装置内の異常
放電がある。処理中の異常放電の発生を監視しないと,
異常放電がおこっても処理後のウエハから検出できない
という問題があった。
理中の最も危険と考えられる障害に, 処理装置内の異常
放電がある。処理中の異常放電の発生を監視しないと,
異常放電がおこっても処理後のウエハから検出できない
という問題があった。
【０００７】本発明はスパッタエッチング処理中に発生
する異常放電を監視できるようにして, 処理の信頼性を
向上することを目的とする。
する異常放電を監視できるようにして, 処理の信頼性を
向上することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）半導体ウエハをスパッタエッチング処理中に，ガス
プラズマの発光強度を監視して処理室内の異常放電を監
視するスパッタエッチング装置の異常放電監視方法，あ
るいは ２）前記ガスプラズマの発光スペクトルにおいて波長70
5nm の発光強度を監視する前記１）記載のスパッタエッ
チング装置の異常放電監視方法により達成される。
プラズマの発光強度を監視して処理室内の異常放電を監
視するスパッタエッチング装置の異常放電監視方法，あ
るいは ２）前記ガスプラズマの発光スペクトルにおいて波長70
5nm の発光強度を監視する前記１）記載のスパッタエッ
チング装置の異常放電監視方法により達成される。
【０００９】
【作用】本発明はスパッタエッチング処理中に従来は必
要でなかったプラズマ発光分析によるエッチ終点検出器
を用いて, 装置内の異常放電を監視し，監視波長は発光
スペクトル中のArの発光波長である705nm を用いるよう
にした。監視波長としてこの波長を用いる理由は, 通常
処理時と異常放電発生時との発光強度変化がその他の波
長を利用するより一番大きいからである。
要でなかったプラズマ発光分析によるエッチ終点検出器
を用いて, 装置内の異常放電を監視し，監視波長は発光
スペクトル中のArの発光波長である705nm を用いるよう
にした。監視波長としてこの波長を用いる理由は, 通常
処理時と異常放電発生時との発光強度変化がその他の波
長を利用するより一番大きいからである。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の実施例の構成図である。図に
おいて，１は処理室，２はガス導入口，３は排気口，４
は基板側電極，５は対向電極，６はＲＦ電源，７は光フ
ァイバ，８は分光器，９はフィルタ，10はレコーダ, Ｗ
はウエハである。
おいて，１は処理室，２はガス導入口，３は排気口，４
は基板側電極，５は対向電極，６はＲＦ電源，７は光フ
ァイバ，８は分光器，９はフィルタ，10はレコーダ, Ｗ
はウエハである。
【００１１】プラズマ発光分析によるエッチ終点検出方
式は，１波長型で微分波形の検出方式ものを使用した。
アルゴンスパッタエッチング処理中の発光を処理室の外
に設けたグラスファイバで受け，分光器を経由した光を
705nm のフィルタを通して発光強度を電気信号に変換し
て監視する。
式は，１波長型で微分波形の検出方式ものを使用した。
アルゴンスパッタエッチング処理中の発光を処理室の外
に設けたグラスファイバで受け，分光器を経由した光を
705nm のフィルタを通して発光強度を電気信号に変換し
て監視する。
【００１２】通常処理時はArプラズマは安定している
が，異常放電の時は705nm の発光強度は極端に弱くな
る。この際の，アルゴンスパッタエッチングはどのよう
なタイプのものでも使用可能であり，また，スパッタガ
スはAr以外の不活性ガス(N2, He 等) をArに混合したも
のであってもよい。
が，異常放電の時は705nm の発光強度は極端に弱くな
る。この際の，アルゴンスパッタエッチングはどのよう
なタイプのものでも使用可能であり，また，スパッタガ
スはAr以外の不活性ガス(N2, He 等) をArに混合したも
のであってもよい。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば，スパッタエッチング処
理中に発生する異常放電を監視できるようになり, 処理
の信頼性を向上することができた。
理中に発生する異常放電を監視できるようになり, 処理
の信頼性を向上することができた。
【図１】 本発明の実施例の構成図
１ 処理室 ２ ガス導入口 ３ 排気口 ４ 基板側電極 ５ 対向電極 ６ ＲＦ電源 ７ 光ファイバ ８ 分光器 ９ フィルタ 10 レコーダ Ｗ ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｈ 1/46 9014−2Ｇ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエハをスパッタエッチング処理
中に，ガスプラズマの発光強度を検出して処理室内の異
常放電を監視することを特徴とするスパッタエッチング
装置の異常放電監視方法。 - 【請求項２】 前記ガスプラズマの発光スペクトルにお
いて波長705nm の発光強度を監視することを特徴とする
請求項１記載のスパッタエッチング装置の異常放電監視
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4023116A JPH05226296A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | スパッタエッチング装置の異常放電監視方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4023116A JPH05226296A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | スパッタエッチング装置の異常放電監視方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226296A true JPH05226296A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12101522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4023116A Withdrawn JPH05226296A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | スパッタエッチング装置の異常放電監視方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226296A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000059018A1 (fr) * | 1999-03-30 | 2000-10-05 | Tokyo Electron Limited | Systeme de traitement au plasma |
| WO2000059019A1 (fr) * | 1999-03-31 | 2000-10-05 | Tokyo Electron Limited | Systeme de traitement au plasma |
| JP2020513647A (ja) * | 2016-11-18 | 2020-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 製造プロセスにおける粒子によって誘発されるアークの検出のための組成発光分光分析 |
-
1992
- 1992-02-10 JP JP4023116A patent/JPH05226296A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000059018A1 (fr) * | 1999-03-30 | 2000-10-05 | Tokyo Electron Limited | Systeme de traitement au plasma |
| KR100408084B1 (ko) * | 1999-03-30 | 2003-12-01 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리장치 |
| WO2000059019A1 (fr) * | 1999-03-31 | 2000-10-05 | Tokyo Electron Limited | Systeme de traitement au plasma |
| JP2020513647A (ja) * | 2016-11-18 | 2020-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 製造プロセスにおける粒子によって誘発されるアークの検出のための組成発光分光分析 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |