JPH05225528A - 磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気記録再生装置Info
- Publication number
- JPH05225528A JPH05225528A JP2233692A JP2233692A JPH05225528A JP H05225528 A JPH05225528 A JP H05225528A JP 2233692 A JP2233692 A JP 2233692A JP 2233692 A JP2233692 A JP 2233692A JP H05225528 A JPH05225528 A JP H05225528A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- head
- magnetic
- insulating layer
- effect element
- magnetoresistive effect
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気抵抗効果型ヘッドとディスクの接触による
ヘッドの電気的な損傷を防止できるヘッド構造を提供す
る。 【構成】磁気抵抗効果素子８とこれを囲む磁気シールド
層２，３を電気的に接続し、浮上面に対して、磁気抵抗
効果素子８の先端を磁気シールド層２，３の先端よりも
引っ込める。 【効果】ヘッドとディスクが接触した場合に磁気抵抗効
果素子よりも先に、磁気シールド層を介して電流が流れ
るため、素子の損傷を防ぐことができる。
ヘッドの電気的な損傷を防止できるヘッド構造を提供す
る。 【構成】磁気抵抗効果素子８とこれを囲む磁気シールド
層２，３を電気的に接続し、浮上面に対して、磁気抵抗
効果素子８の先端を磁気シールド層２，３の先端よりも
引っ込める。 【効果】ヘッドとディスクが接触した場合に磁気抵抗効
果素子よりも先に、磁気シールド層を介して電流が流れ
るため、素子の損傷を防ぐことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録再生装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果型ヘッドは素子に電流を流
して動作させる。このため、ヘッドがディスクと接触し
た場合にはディスクを介して過大な電流が流れる場合が
あり、これによって素子が破壊される場合がある。これ
を防ぐ手段として特開平2−94103 号公報に開示されて
いるように、過電流を防止する回路が知られている。ま
た、民生用磁気抵抗効果型ヘッドでは人体と接触して生
じる腐食を防止するために、特公平2−50525号公報に記
載のように、素子の近傍に導電性基板を置いて人体を接
地させ、逆電位を印加する方法が知られている。
して動作させる。このため、ヘッドがディスクと接触し
た場合にはディスクを介して過大な電流が流れる場合が
あり、これによって素子が破壊される場合がある。これ
を防ぐ手段として特開平2−94103 号公報に開示されて
いるように、過電流を防止する回路が知られている。ま
た、民生用磁気抵抗効果型ヘッドでは人体と接触して生
じる腐食を防止するために、特公平2−50525号公報に記
載のように、素子の近傍に導電性基板を置いて人体を接
地させ、逆電位を印加する方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術では、
通常の再生回路に加えて保護回路が必要なため、回路の
構成が複雑であった。
通常の再生回路に加えて保護回路が必要なため、回路の
構成が複雑であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明では磁気抵抗効果
素子と、これに近接して設けた磁気シールドとを電気的
に接続し、さらに浮上面側に露出する磁気抵抗効果素子
の先端を、磁気シールドの先端よりも引っ込める。
素子と、これに近接して設けた磁気シールドとを電気的
に接続し、さらに浮上面側に露出する磁気抵抗効果素子
の先端を、磁気シールドの先端よりも引っ込める。
【０００５】
【作用】ヘッドと媒体が接触した場合に磁気抵抗効果素
子が媒体に接触するよりも先に磁気シールドと媒体が接
触するために、磁気シールドを通じて電流がながれ、磁
気抵抗効果素子に過電流がながれて損傷することがな
い。
子が媒体に接触するよりも先に磁気シールドと媒体が接
触するために、磁気シールドを通じて電流がながれ、磁
気抵抗効果素子に過電流がながれて損傷することがな
い。
【０００６】
【実施例】本発明の第一の実施例を図１を用いて説明す
る。この図は磁気抵抗効果型ヘッドのトラック幅方向か
ら見た断面図である。磁気ヘッドを支持するスライダ基
体１、軟磁性膜からなる二枚の磁気シールド層２，３、
シールド層と基体の間に設けた第一の絶縁層４、磁気シ
ールド層２，３間に挾まれた第二の絶縁層５，６、上記
絶縁層５，６に挟まれた磁気抵抗効果素子８およびヘッ
ド保護膜として設けた第三の絶縁層７からなる。通常
は、さらにこの保護膜の上に記録用の誘導型薄膜ヘッド
を積層するが、同図では省略してある。
る。この図は磁気抵抗効果型ヘッドのトラック幅方向か
ら見た断面図である。磁気ヘッドを支持するスライダ基
体１、軟磁性膜からなる二枚の磁気シールド層２，３、
シールド層と基体の間に設けた第一の絶縁層４、磁気シ
ールド層２，３間に挾まれた第二の絶縁層５，６、上記
絶縁層５，６に挟まれた磁気抵抗効果素子８およびヘッ
ド保護膜として設けた第三の絶縁層７からなる。通常
は、さらにこの保護膜の上に記録用の誘導型薄膜ヘッド
を積層するが、同図では省略してある。
【０００７】ここで、スライダ基体１はアルミナチタン
カーバイドを使用したが、通常スライダに使用される材
料であれば、別ものでもよい。シールド層２，３および
磁気抵抗効果素子８には８１Ｎｉ−１９Ｆｅのパーマロ
イを用いた。シールド層２，３の膜厚はいずれも１.５
μｍ で、磁気抵抗効果素子８の膜厚は２０ｎｍであ
る。磁気抵抗効果素子８の動作に必要なバイアス磁界
は、磁気抵抗効果膜に接して設けた膜厚３０ｎｍのＮｂ
からなる導体（図示略）を用いて印加する。
カーバイドを使用したが、通常スライダに使用される材
料であれば、別ものでもよい。シールド層２，３および
磁気抵抗効果素子８には８１Ｎｉ−１９Ｆｅのパーマロ
イを用いた。シールド層２，３の膜厚はいずれも１.５
μｍ で、磁気抵抗効果素子８の膜厚は２０ｎｍであ
る。磁気抵抗効果素子８の動作に必要なバイアス磁界
は、磁気抵抗効果膜に接して設けた膜厚３０ｎｍのＮｂ
からなる導体（図示略）を用いて印加する。
【０００８】ここで、第一の絶縁層４、および第三の絶
縁層７には４５ｗｔ％の酸化珪素を含むアルミナを用い
た。それぞれ膜厚は８μｍ，１０μｍである。第２の絶
縁層５，６には２５ｗｔ％の酸化珪素を含むアルミナを
用いた。膜厚はいずれも0.15μｍである。また図中には
示されていないが、磁気抵抗効果素子端子の一端は流入
端側の磁気シールド層に電気的に接続されている。
縁層７には４５ｗｔ％の酸化珪素を含むアルミナを用い
た。それぞれ膜厚は８μｍ，１０μｍである。第２の絶
縁層５，６には２５ｗｔ％の酸化珪素を含むアルミナを
用いた。膜厚はいずれも0.15μｍである。また図中には
示されていないが、磁気抵抗効果素子端子の一端は流入
端側の磁気シールド層に電気的に接続されている。
【０００９】このヘッド素子を切断後、浮上面研磨を行
なう。研磨は通常使用するダイアモンド砥粒を含むラッ
ピング液を用い、ｐＨを約４にして行なった。研磨はメ
カノケミカル的に進行するが、硬さの違いにより浮上面
の形状は、図に示したようにシールド層２，３および磁
気抵抗効果層８では先端が絶縁層よりもわずかに引っ込
む。また、シールド層２，３と磁気抵抗効果素子８を比
べると、磁気抵抗効果素子８のほうがわずかによけいに
引っ込む。これは第二の絶縁層５，６のほうが第一，三
の絶縁層４，７よりも化学的なエッチング速度が早いた
めである。このように、磁気抵抗効果素子を挾む絶縁層
のラッピング速度を周囲の絶縁層のラッピング速度と変
えることによって引っ込み量を制御できる。本実施例に
おける平均的な引っ込み量は第一，三の絶縁層の位置に
対して、シールド層で約５ｎｍ磁気抵抗効果素子で７ｎ
ｍ引っ込んでいる。
なう。研磨は通常使用するダイアモンド砥粒を含むラッ
ピング液を用い、ｐＨを約４にして行なった。研磨はメ
カノケミカル的に進行するが、硬さの違いにより浮上面
の形状は、図に示したようにシールド層２，３および磁
気抵抗効果層８では先端が絶縁層よりもわずかに引っ込
む。また、シールド層２，３と磁気抵抗効果素子８を比
べると、磁気抵抗効果素子８のほうがわずかによけいに
引っ込む。これは第二の絶縁層５，６のほうが第一，三
の絶縁層４，７よりも化学的なエッチング速度が早いた
めである。このように、磁気抵抗効果素子を挾む絶縁層
のラッピング速度を周囲の絶縁層のラッピング速度と変
えることによって引っ込み量を制御できる。本実施例に
おける平均的な引っ込み量は第一，三の絶縁層の位置に
対して、シールド層で約５ｎｍ磁気抵抗効果素子で７ｎ
ｍ引っ込んでいる。
【００１０】このような磁気抵抗効果素子の先端を磁気
シールド層の先端よりも引っ込めたヘッドを用いて接触
によるヘッドの損傷の頻度を調べると、従来の先端が一
致しているヘッドに比べて発生頻度は約２０％に低減で
きた。
シールド層の先端よりも引っ込めたヘッドを用いて接触
によるヘッドの損傷の頻度を調べると、従来の先端が一
致しているヘッドに比べて発生頻度は約２０％に低減で
きた。
【００１１】なお、上記実施例では絶縁層のラッピング
速度を変えるために酸化珪素の含有量を変えた場合を示
したが、酸化ジルコニウムや酸化タンタルを添加しても
同様な効果があり、いずれも添加料を少なくするとラッ
ピング速度を速くすることができる。
速度を変えるために酸化珪素の含有量を変えた場合を示
したが、酸化ジルコニウムや酸化タンタルを添加しても
同様な効果があり、いずれも添加料を少なくするとラッ
ピング速度を速くすることができる。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、ヘッドとディスクの電
気的な接触による磁気抵抗効果素子の損傷を防止するこ
とができる。
気的な接触による磁気抵抗効果素子の損傷を防止するこ
とができる。
【図１】本発明の実施例を示すヘッドの断面図。
１…スライダ基板、２，３…シールド層、４…第一絶縁
層、５，６…第二絶縁層、７…第三絶縁層、８…磁気抵
抗効果素子。
層、５，６…第二絶縁層、７…第三絶縁層、８…磁気抵
抗効果素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北田 正弘 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】磁気抵抗効果を持つ強磁性薄膜を絶縁層を
介して軟磁性材料で挾んだ磁気抵抗効果型ヘッドを持つ
磁気記録装置において、媒体面に露出する磁気シールド
層と前記媒体の距離よりも前記強磁性薄膜と前記媒体と
の距離のほうが大きいことを特徴とする磁気記録再生装
置。 - 【請求項２】請求項１において、前記磁気シールド層の
内側に設けられた磁気抵抗効果素子を挾む絶縁層と、前
記絶縁層以外の絶縁層との材料組成が異なる磁気ヘッド
を用いた磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233692A JPH05225528A (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233692A JPH05225528A (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05225528A true JPH05225528A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12079866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2233692A Pending JPH05225528A (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05225528A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5936801A (en) * | 1997-04-04 | 1999-08-10 | Seagate Technology, Inc. | Head slider with partially recessed magnetoresistive element |
| US5991119A (en) * | 1997-11-03 | 1999-11-23 | Seagate Technology, Inc. | Proximity head slider having recessed magnetoresistive read transducer |
| US6084752A (en) * | 1996-02-22 | 2000-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
| KR100594158B1 (ko) * | 1999-03-25 | 2006-06-28 | 삼성전자주식회사 | 자기헤드 장치 및 제조방법 |
-
1992
- 1992-02-07 JP JP2233692A patent/JPH05225528A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6084752A (en) * | 1996-02-22 | 2000-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
| US6400537B2 (en) | 1996-02-22 | 2002-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
| US5936801A (en) * | 1997-04-04 | 1999-08-10 | Seagate Technology, Inc. | Head slider with partially recessed magnetoresistive element |
| US5991119A (en) * | 1997-11-03 | 1999-11-23 | Seagate Technology, Inc. | Proximity head slider having recessed magnetoresistive read transducer |
| US6324747B1 (en) | 1997-11-03 | 2001-12-04 | Seagate Technology Llc | magnetoresistive proximity concept head slider |
| KR100594158B1 (ko) * | 1999-03-25 | 2006-06-28 | 삼성전자주식회사 | 자기헤드 장치 및 제조방법 |
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